JPH06283497A - 洗浄処理後の基板の乾燥処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板にスチームを供給し基板を加熱して乾燥
処理する際に、基板に対し効率良くスチームを供給して
基板が速やかに加熱されるようにし、複数の基板に対し
均等にかつそれぞれの基板の全表面に対しむらなくスチ
ームが供給されるようにし、スチームの熱量が基板の加
熱に有効に利用されるようにする。 【構成】 洗浄槽12内の純水18中から引き上げられた基
板Ｗを加熱する基板加熱部14の基板収容室20の上・下開
口部を上・下シャッター36、38で閉塞可能にし、基板収
容室内の基板に対しスチームを均一に分散させて供給す
るスチーム供給部26と、基板の加熱に使用されたスチー
ムを吸引して排気するスチーム排気部30とを、基板収容
室を介在させて対向配設する。加熱後の基板は、基板乾
燥部16へ移送されて表面の付着水分を一気に蒸発させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体デバイス製造
プロセス、液晶表示装置（ＬＣＤ）製造プロセス、電子
部品関連製造プロセスなどにおいて、シリコンウエハ、
ＬＣＤ用ガラス基板、電子部品等の各種基板を洗浄した
後にそれらの基板表面を乾燥処理する基板乾燥処理装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造工程におい
ては、デバイスの動作特性に対して悪影響を与えるよう
な各種汚染、すなわち、シリコンウエハ表面への自然酸
化膜の形成、シリコンウエハ表面への有機物、無機物等
の有害物質やパーティクル等の付着などといった汚染が
起こることが考えられる。特に、近年における半導体デ
バイスの集積度の向上に伴って、金属、有機物、パーテ
ィクル等の汚染物質による影響が益々深刻な問題になっ
てきている。このため、各種の汚染物質を低減させる工
夫、処置が実施されているが、その中心的役割を担って
いるのが基板の洗浄処理である。基板の洗浄処理方法と
しては、硫酸、フッ酸、塩酸、燐酸等の薬液を使用し、
その洗浄用薬液中に基板を浸漬して洗浄するウェット洗
浄法と、フッ酸蒸気やフッ化水素ガスなどの洗浄用気体
を基板に対し供給して洗浄するドライ洗浄法とがある。
ここで、基板をウェット洗浄したとき、或いは、基板を
薬液洗浄又はドライ洗浄した後に、残留薬液、残留イオ
ンなどを基板表面から除去するために、基板を純水中に
浸漬して基板表面をリンス処理したときは、基板表面を
濡れたままにしておくとパーティクルが付着し易く、ま
た、濡れた状態の基板表面を自然乾燥させるとウォータ
ーマーク（水しみ）の発生原因となるため、洗浄用薬液
又は純水中から引き上げられた基板の表面を速やかに乾
燥させる必要がある。この場合、一般に、基板を洗浄処
理して基板表面がクリーン度の高いレベルにあるとき
は、逆に二次的な汚染を受け易くなる。従って、洗浄処
理に引き続いて行なわれる乾燥工程では、高いクリーン
度を維持したままで、基板表面が良好な乾燥状態になる
ように処理することが求められる。

【０００３】薬液洗浄後又はリンス処理後に基板の表面
を乾燥処理する方法の１つとして、特開平４−２５１９
３０号公報には、純水又は洗浄用薬液中に浸漬されてリ
ンス処理又は洗浄処理が施された基板を純水又は洗浄用
薬液中から引き上げる際に、純水もしくは洗浄用薬液中
から引き上げられる途中ないし引き上げられた後の基板
に対し又は純水もしくは洗浄用薬液中から引き上げられ
た直後の基板に対しスチーム（水の高温蒸気）を供給し
て基板の温度を高め、その後にスチームの供給を停止
し、加熱された基板に対し清浄化された乾燥用気体を供
給するなどして基板表面の付着水分を完全に蒸発させる
ようにし、洗浄処理後の基板の表面を速やかに乾燥させ
るとともに、基板表面へのパーティクルの付着や水しみ
等の発生を抑えることができるようにした方法が開示さ
れている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】特開平４−２５１９３
０号公報に記載された基板乾燥処理方法を実施する場
合、基板に対し効率良くスチームを供給して基板が速や
かに加熱されるようにし、また、複数の基板に対し均等
にかつそれぞれの基板の全表面に対しむらなくスチーム
が供給されるようにし、さらに、スチームの熱量を基板
の加熱に有効に利用して熱損失を少なく抑える、といっ
たことなどが求められる。ところが、同号公報に開示さ
れているような構成の装置では、それらの要求が満たさ
れない。

【０００５】そこで、この発明は、特開平４−２５１９
３０号公報に記載された基板乾燥処理方法を具体的に実
施するに当たり、上記したような要求を満足させて同方
法を効果的に実施することを可能にする基板乾燥処理装
置を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、洗浄槽内
に収容された純水又は洗浄用薬液中に浸漬された基板を
純水又は洗浄用薬液中から引き上げ上方へ移動させる基
板移動機構と、前記洗浄槽の上方にそれと隣接して配設
され、純水又は洗浄用薬液中から引き上げられた基板に
対しスチームを供給して基板を加熱する基板加熱部と、
この基板加熱部の上方にそれと隣接して配設され、スチ
ームによって加熱された基板の表面の付着水分を蒸発さ
せる基板乾燥部とからなり、前記洗浄槽、基板加熱部及
び基板乾燥部を鉛直方向に連続して配置した、洗浄処理
後の基板の乾燥処理装置において、前記基板加熱部を、
上下方向に貫通するように形設された基板収容室と、こ
の基板収容室の上・下開口部をそれぞれ開閉自在に閉塞
する上・下シャッターと、スチーム供給源に連通接続さ
れ、前記基板収容室内へスチームを水平方向に吹き出し
基板収容室に収容された基板に対しスチームを均一に分
散させて供給するスチーム供給部と、前記基板収容室を
介在させて前記スチーム供給部の反対側に配設され、ス
チーム供給部から基板収容室内へ吹き出され基板の加熱
に使用されたスチームを吸引して排気するスチーム排気
部とから構成したことを特徴とする。上記基板乾燥部に
は、スチームによって加熱された基板に対し清浄化され
た乾燥用気体を供給する気体供給手段を設けるようにす
るとよい。

【０００７】また、第２の発明は、上記した装置に、さ
らに、スチーム排気部からスチームをスチーム供給部側
へ戻すためのスチーム循環路を設け、そのスチーム循環
路に、スチーム中のミストを分離し除去するミストセパ
レータ、及び、スチームを排気するための切換えダンパ
を介挿したことを特徴とする。この場合、スチーム循環
路を、スチーム供給源とスチーム供給部とを連通接続す
るスチーム供給路にエゼクタを介して流路接続させるよ
うに構成することができる。

【０００８】

【作用】上記した構成を有する第１の発明に係る基板乾
燥処理装置では、基板移動機構により洗浄槽内の純水又
は洗浄用薬液中から基板が引き上げられ上方の基板加熱
部へ移動させられると、基板加熱部において、基板に対
しスチームが供給されて基板が加熱される。これによ
り、基板の表面温度が上昇するとともに、基板の表面で
スチームが冷却されて結露し、基板の表面全体が水で覆
われた状態になる。そして、基板表面上での水分凝縮が
少なくなり基板の表面温度がスチームの温度付近まで上
昇した時に、基板移動機構により基板加熱部から基板が
上方の基板乾燥部へ移動させられると、基板の表面は加
熱されて高い温度になっているため、基板乾燥部におい
て基板の表面全体から付着水分が速やかに蒸発してしま
う。このように、基板の表面全体が濡れたままの状態で
基板の温度が高くされ、基板の表面温度が高くなった時
点で一気に付着水分が蒸発するので、基板表面にパーテ
ィクルが付着したり水しみを形成したりするようなこと
が起こらず、また、基板表面が静電気を帯びたりするこ
ともない。尚、基板乾燥部に、スチームによって加熱さ
れた基板に対し清浄化された乾燥用気体を供給する気体
供給手段を設けるようにしたときは、基板表面の付着水
分の蒸発が、清浄化された空気のダウンフロー雰囲気中
又は乾燥用不活性気体の気流中で行なわれることにな
り、付着水分の蒸発がさらに促進されることになる。

【０００９】また、基板を加熱するに当たり、基板加熱
部においては、基板が基板収容室内に収容されると、基
板収容室の上・下開口部がそれぞれ上・下シャッターに
よって閉塞され、基板収容室が洗浄槽部分及び基板乾燥
部とそれぞれ隔絶された状態になる。そして、この状態
で、スチーム供給部から基板収容室内へスチームが水平
方向に吹き出され、基板収容室に収容された基板に対し
スチームが均一に分散して供給されるとともに、スチー
ム供給部から基板収容室内へ吹き出され基板の加熱に使
用されたスチームがスチーム排気部に吸引されて排気さ
れる。このように、密閉されて外気の流入が防止された
状態の基板収容室内へスチームが均一に分散した状態で
供給されるとともに、基板の加熱に使用されたスチーム
が、スチーム供給部と対向したスチーム排気部に吸引さ
れて排気されるので、基板に対し効率良くスチームが供
給されて基板とスチームとの接触が効率的に行なわれ、
基板が速やかに加熱される。また、複数の基板に対し均
等にかつそれぞれの基板の全表面に対しむらなくスチー
ムが供給され、さらに、スチームの熱量が殆んど基板の
加熱だけに利用され、熱損失が少なく抑えられることに
なる。

【００１０】また、上記した構成を有する第２の発明に
係る基板乾燥処理装置では、基板の加熱に使用されスチ
ーム排気部に吸引されたスチームがスチーム循環路を通
してスチーム供給部側へ戻され、そのスチームが再度基
板の加熱に利用されるため、スチームの保有熱量の利用
率が高くなる。また、スチーム循環路にはミストセパレ
ータが介挿され、そのミストセパレータによりスチーム
中の不要なミストが分離されて除去されるので、基板の
加熱にスチームを循環使用しても、スチーム中の不要な
ミストが基板表面に付着することがない。また、スチー
ム循環路には、スチームを排気するための切換えダンパ
が介挿されているので、或る程度の温度（例えば約１０
０℃）まで基板が昇温した時点で切換えダンパを切換え
操作し、スチーム排気部に吸引されたスチームを循環さ
せずに排気するようにすることにより、基板の表面温度
を、スチーム供給源からスチーム供給部へ送給されるス
チームの温度（例えば１３５〜１５０℃程度）付近まで
上昇させることができる。

【００１１】

【実施例】以下、この発明の好適な実施例について図面
を参照しながら説明する。

【００１２】図１ないし図３は、この発明の１実施例を
示し、図１は、基板乾燥処理装置の要部の構成を示す斜
視図、図２及び図３は、その全体の概略構成を示す正面
縦断面図及び側面縦断面図である。また、図４は、基板
乾燥処理装置の概略構成を模式的に示す正面図である。

【００１３】まず、図４により、この基板乾燥処理装置
の基本構成について説明する。この基板乾燥処理装置
は、ハウジング10内の下部に洗浄槽（純水リンス槽）12
が配設され、その洗浄槽12の上方にそれと隣接して基板
加熱部14が、さらにその基板加熱部14の上方にそれと隣
接して基板乾燥部16がそれぞれ配設され、それら洗浄槽
12、基板加熱部14及び基板乾燥部16が鉛直方向に連続し
て配置された構成を有している。洗浄槽12内には図示し
ない供給管を通して純水（又は洗浄用薬液）が供給さ
れ、洗浄槽12の上端縁から純水が溢れ出て外部へ流出す
るように構成されており、洗浄槽12内に常に清浄な純水
18が貯留されるようにしている。この洗浄槽12内に収容
された純水18中に基板を浸漬することにより、リンス処
理が行なわれる。

【００１４】基板加熱部14には、上下方向に貫通するよ
うに基板収容室20が形設されており、その基板収容室20
を挾んでその両側に、図示しないスチーム供給源にスチ
ーム供給路24を介して連通接続され、基板収容室20内へ
スチーム28ａを水平方向に吹き出し、基板支持器22に保
持されて洗浄槽12内の純水18中から引き上げられた基板
Ｗの表面に対しスチーム28ａを均一に分散させて供給す
るスチーム供給部26と、このスチーム供給部26から基板
収容室20内へ吹き出され基板Ｗの加熱に使用されたスチ
ーム28ｂを吸引して排気するスチーム排気部30とが対向
するように配設されている。スチーム排気部30に接続さ
れたスチーム排気路32には、流量調整用のダンパー34が
介挿されている。また、基板収容室20の下部開口部及び
上部開口部には、それぞれ開閉自在のシャッター36、38
が配設されており、基板Ｗの加熱時に基板収容室20を洗
浄槽12の上方空間及び基板乾燥部16とそれぞれ仕切って
基板収容室20内を密閉し、スチームによる水分（湿気）
が基板乾燥部16へ流入しないようにするとともに、スチ
ーム供給部26からスチーム排気部30へスチームがスムー
ズに流れるようにしている。スチーム供給部26には、図
示していないが、過熱器が接続され、その過熱器に純水
ボイラーや水素外部燃焼装置等の蒸気発生器が接続され
ており、蒸気発生器において純水供給源から供給された
純水を加熱して蒸発させ、過熱器において蒸気発生器で
発生した飽和蒸気を過熱し、その過熱器からスチーム供
給部26へスチーム（過熱蒸気）を送給し、スチーム供給
部26から、例えば１３５〜１５０℃程度の温度のスチー
ム28ａを吹き出すようになっている。

【００１５】また、基板乾燥部16には、ＨＥＰＡフィル
タ40を通して清浄化された空気42を供給するダウンフロ
ー装置が配設されている。尚、図４では図示していない
が、この装置には、洗浄槽12内に収容された純水18中に
浸漬された基板Ｗを純水18中から引き上げ、基板加熱部
14及び基板乾燥部16へ順次移動させる基板移動機構が設
けられている。この基板移動機構により、基板Ｗは、洗
浄槽12内から引き上げられ、基板加熱部14へ移動させら
れ、その基板加熱部14に所定時間停止させられた後、ス
チームによる加熱が終わると、基板加熱部14から基板乾
燥部16へ移動させられ、その基板乾燥部16に停止させら
れて、乾燥のために所定時間保持される。

【００１６】図４に示したような基板乾燥処理装置を使
用し、純水18（又は洗浄用薬液）中から引き上げられた
基板Ｗに対してスチーム28ａを供給すると、基板Ｗの表
面温度が次第に上昇するとともに、基板Ｗの表面でスチ
ーム28ａが冷却されて結露し、基板Ｗの表面全体が水で
覆われた状態になる。そして、基板Ｗの表面温度が、ス
チーム28ａの温度付近まで上昇し基板Ｗ表面上での水分
凝縮が少なくなる程度にまで昇温した時に、基板Ｗ表面
へのスチーム28ａの供給を停止すると、基板Ｗの表面は
加熱されて高い温度になっているため、基板Ｗの表面全
体から付着水分が速やかに蒸発してしまう。このよう
に、基板Ｗの表面全体が濡れたままの状態で基板Ｗの温
度を高くし、基板Ｗの表面温度が高くなった時点で、一
気に付着水分を蒸発させるようにすることにより、基板
Ｗ表面にパーティクルが付着したり水しみを形成したり
するようなことが起こらなくなる。

【００１７】次に、図１ないし図３により、基板乾燥処
理装置のより具体的な構成について説明する。尚、これ
らの図において図４で使用した符号と同一符号を付した
部材は、図４に関して説明したものと同一作用をなす同
一部材を指すものとし、上記と重複する部分について
は、その説明を省略する。

【００１８】スチーム供給部26には、図２に示すよう
に、バッフル板44及びそれぞれ複数個の通気孔が形成さ
れた複数枚の分散板46が並列して配設されており、スチ
ーム供給路24を通してスチーム供給部26に送給されたス
チームが、均一に分散した状態で基板収容室20内へ吹き
出されるようになっている。また、スチーム排気部30に
も、それぞれ複数個の通気孔が形成された複数枚の分散
板48及びバッフル板50が並列して配設されている。尚、
分散板46の代わりに、スチームの流れが均一に分散され
るように流体設計された流体ノズルを用いるようにして
もよく、また、バッフル板や流体ノズルにさらに整流格
子や案内板などを併設するようにしてもよい。

【００１９】複数枚の基板Ｗを並列させて支持する基板
支持器22は、それぞれ複数の基板収納溝が形成された３
本の支持棒を互いに平行になるように鉛直保持板52に片
持ち式に保持して構成されている。このように、基板支
持器22が支持棒で構成されているため、基板支持器22に
よってスチームの流れが阻害されたり乱されたりするこ
とが最少限に止められるとともに、スチームの保有熱量
が基板支持器22に奪われることも殆んど無くなる。そし
て、鉛直保持板52は、その上端部分がリフタアーム54に
固着されており、そのリフタアーム54をリフタ（駆動機
構）56によって上下方向に移動させることにより、複数
枚の基板Ｗが上下方向に移送されるようになっている。
また、基板収容室20の下部開口部及び上部開口部にそれ
ぞれ配設されたシャッター36、38は、スライド機構58、
60によって水平方向に往復移動させられ、基板収容室20
の各開口部をそれぞれ開放及び閉塞する。

【００２０】尚、図１ないし図３に示した装置では、洗
浄槽12の上端縁から溢れ出た純水を外部へ流出させるた
めの排液通路62が形設されているとともに、洗浄槽12の
外側にそれを囲繞するように外槽64が設けられており、
洗浄槽12と外槽64との間の空間が、湿気を基板乾燥部16
へ流入させないようにするための排気通路66となってい
て、その排気通路64を通して排気（及び排水）が行なわ
れるようにされている。また、基板乾燥部16へは、乾燥
用不活性気体、例えば窒素が供給され、その窒素気流中
で基板Ｗの乾燥が行なわれるようになっている。さら
に、基板乾燥部16の上方にそれと隣接して基板搬送室68
が配設されており、その基板搬送室68と基板乾燥部16と
の境界部は、シャッター70によって開閉自在に仕切られ
るようになっている。そして、乾燥処理が終了し基板搬
送室68へ移送された基板Ｗは、基板搬送ロボット72によ
って装置外へ搬出されるようになっている。

【００２１】次に、図５は、基板乾燥処理装置の別の構
成例を示す模式正面図である。この装置には、スチーム
排気部30からスチームをスチーム供給部26側へ戻すため
のスチーム循環路74が設けられている。スチーム循環路
74はスチーム供給路24に、図６に示すような構成のエゼ
クタ76を介して流路接続されており、スチーム供給路24
の開口端からエゼクタ76内へスチームが高速で吐き出さ
れるときに生じる負圧によってスチーム循環路74からの
スチームが自然吸引され、スチーム供給路24からのスチ
ームとスチーム循環路74からのスチームとがエゼクタ76
内で混合されてスチーム供給部26へ送られるようにされ
ている。また、スチーム循環路74には、スチーム中のミ
ストを分離するミストセパレータ78が介挿されており、
ミストセパレータ78によってスチームから分離されたミ
ストは、ドレン排出路80を通って外部へ排出される。こ
のように、ミストセパレータ78によりスチーム中の不要
なミストが分離されて除去されるので、基板の加熱にス
チームを循環使用しても、スチーム中の不要なミストが
基板表面に付着することが防止される。ミストセパレー
タ78としては、図７に示したようにバッフル板式の他、
サイクロン式、フィルタ式などが使用される。

【００２２】また、スチーム循環路74には、スチーム排
気部30からのスチームを必要に応じて排気するための三
方切換えダンパ82が介挿されている。この三方切換えダ
ンパ82は、基板が或る程度の温度、例えば約１００℃に
昇温するまでの期間、スチーム循環路74のスチームが排
気されずに循環使用されるようにしておく。そして、基
板の温度が約１００℃に達した時点で三方切換えダンパ
82を切換え操作し、スチーム排気部30に吸引されたスチ
ームを循環させずに排気するようにする。これにより、
基板の表面温度を、スチーム供給源からスチーム供給部
26へ送給されるスチームの温度、例えば１３５〜１５０
℃程度付近まで上昇させることができるようになる。

【００２３】

【発明の効果】この発明は以上説明したように構成され
かつ作用するので、この発明に係る基板乾燥処理装置を
使用すれば、半導体基板等の基板を洗浄処理した後に乾
燥処理するのに際し、基板に対し効率良くスチームを供
給して基板を速やかに加熱することができるとともに、
スチームの熱量を基板の加熱に有効に利用して熱損失を
少なく抑えることができるため、乾燥処理に要する時間
の短縮化が図られるとともに、エネルギーの有効利用が
図られる。また、複数の基板に対し均等にかつそれぞれ
の基板の全表面に対しむらなくスチームを供給すること
ができるため、各基板間における乾燥状態の差が無くな
るとともに、それぞれの基板の全表面が均一に乾燥処理
され、半導体デバイスやＬＣＤ、電子部品関連などの品
質の向上に寄与することができる。また、請求項２に記
載の発明に係る基板乾燥処理装置を使用すれば、より一
層エネルギーの有効利用を図ることができる。このよう
に、この発明によれば、特開平４−２５１９３０号公報
に記載された基板乾燥処理方法を効果的に実施すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】請求項１に記載の発明の１実施例に係る、洗浄
処理後の基板の乾燥処理装置の要部の構成を示す斜視図
である。

【図２】図１に示した基板乾燥処理装置の全体の概略構
成を示す正面縦断面図である。

【図３】同じく側面縦断面図である。

【図４】同じく基板乾燥処理装置の概略構成を模式的に
示す正面図である。

【図５】請求項２に記載の発明の１実施例に係る基板乾
燥処理装置の概略構成を模式的に示す正面図である。

【図６】図５に示した基板乾燥処理装置において使用さ
れるエゼクタの構成の１例を示す縦断面図である。

【図７】図５に示した基板乾燥処理装置において使用さ
れるミストセパレータの構成の１例を示す縦断面図であ
る。

【符号の説明】

10 ハウジング 12 洗浄槽（純水リンス槽） 14 基板加熱部 16 基板乾燥部 18 純水（洗浄用薬液） 20 基板収容室 22 基板支持器 24 スチーム供給路 26 スチーム供給部 28ａ、28ｂ スチーム 30 スチーム排気部 36、38 シャッター 40 ヘパフィルタ 42 清浄化された空気 46、48 分散板 56 リフタ（駆動機構） 74 スチーム循環路 76 エゼクタ 78 ミストセパレータ 80 ドレン排出路 82 三方切換えダンパ Ｗ 基板

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 洗浄槽内に収容された純水又は洗浄用薬
   液中に浸漬された基板を純水又は洗浄用薬液中から引き
   上げ上方へ移動させる基板移動機構と、 前記洗浄槽の上方にそれと隣接して配設され、純水又は
   洗浄用薬液中から引き上げられた基板に対しスチームを
   供給して基板を加熱する基板加熱部と、 この基板加熱部の上方にそれと隣接して配設され、スチ
   ームによって加熱された基板の表面の付着水分を蒸発さ
   せる基板乾燥部とからなり、 前記洗浄槽、基板加熱部及び基板乾燥部を鉛直方向に連
   続して配置した、洗浄処理後の基板の乾燥処理装置にお
   いて、 前記基板加熱部を、 上下方向に貫通するように形設された基板収容室と、 この基板収容室の上・下開口部をそれぞれ開閉自在に閉
   塞する上・下シャッターと、 スチーム供給源に連通接続され、前記基板収容室内へス
   チームを水平方向に吹き出し基板収容室に収容された基
   板に対しスチームを均一に分散させて供給するスチーム
   供給部と、 前記基板収容室を介在させて前記スチーム供給部の反対
   側に配設され、スチーム供給部から基板収容室内へ吹き
   出され基板の加熱に使用されたスチームを吸引して排気
   するスチーム排気部とから構成したことを特徴とする、
   洗浄処理後の基板の乾燥処理装置。
2. 【請求項２】 洗浄槽内に収容された純水又は洗浄用薬
   液中に浸漬された基板を純水又は洗浄用薬液中から引き
   上げ上方へ移動させる基板移動機構と、 前記洗浄槽の上方にそれと隣接して配設され、純水又は
   洗浄用薬液中から引き上げられた基板に対しスチームを
   供給して基板を加熱する基板加熱部と、 この基板加熱部の上方にそれと隣接して配設され、スチ
   ームによって加熱された基板の表面の付着水分を蒸発さ
   せる基板乾燥部とからなり、 前記洗浄槽、基板加熱部及び基板乾燥部を鉛直方向に連
   続して配置した、洗浄処理後の基板の乾燥処理装置にお
   いて、 前記基板加熱部を、 上下方向に貫通するように形設された基板収容室と、 この基板収容室の上・下開口部をそれぞれ開閉自在に閉
   塞する上・下シャッターと、 スチーム供給源に連通接続され、前記基板収容室内へス
   チームを水平方向に吹き出し基板収容室に収容された基
   板に対しスチームを均一に分散させて供給するスチーム
   供給部と、 前記基板収容室を介在させて前記スチーム供給部の反対
   側に配設され、スチーム供給部から基板収容室内へ吹き
   出され基板の加熱に使用されたスチームを吸引して排気
   するスチーム排気部とから構成するとともに、 前記スチーム排気部からスチームを前記スチーム供給部
   側へ戻すためのスチーム循環路を設け、 そのスチーム循環路に、スチーム中のミストを分離し除
   去するミストセパレータ、及び、スチームを排気するた
   めの切換えダンパを介挿したことを特徴とする、洗浄処
   理後の基板の乾燥処理装置。
3. 【請求項３】 スチーム供給源とスチーム供給部とを連
   通接続するスチーム供給路にスチーム循環路がエゼクタ
   を介して流路接続された請求項２記載の、洗浄処理後の
   基板の乾燥処理装置。
4. 【請求項４】 基板乾燥部に、スチームによって加熱さ
   れた基板に対し清浄化された乾燥用気体を供給する気体
   供給手段が設けられた請求項１ないし請求項３のいずれ
   かに記載の、洗浄処理後の基板の乾燥処理装置。