KR19980025067A - 세정장치 및 세정방법 - Google Patents

세정장치 및 세정방법 Download PDF

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KR19980025067A
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히가시 데츠로우
도쿄 일렉트론 가부시키가이샤
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Abstract

피처리기판 표면에 워터 마크(water mark)가 발생하는 것을 극력 억제할 수 있는 세정장치 및 세정방법으로, 건조실(42)에 있어서 DIW로 헹구어진 웨이퍼(W)를 냉각계로 건조하도록 했으므로, 예컨대 IPA와 DIW의 웨이퍼(W) 표면의 실리콘과의 반응이 둔화되어 웨이퍼 표면이 산화되기 어렵게 되어 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다.

Description

세정장치 및 세정방법
본 발명은, 예컨대 반도체 웨이퍼나 LCD(liquid crystal display)용 유리기판 등의 피처리기판을 약액이나 헹굼액 등에 침적하여 건조하는 세정장치 및 세정방법에 관한 것이다.
예컨대 LSI 등의 반도체 디바이스의 제조공정에서의 세정처리를 예로 들어 설명하면, 종래부터 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라 한다) 표면의 파티클(parti cle), 유기오염물, 금속불순물 등의 오염을 제거하기 위해서는 세정장치가 사용되고 있으며, 그 중에서 특히 웨트 세정장치는 상기 오염을 효과적으로 제거할 수 있고 게다가 배치처리가 가능하여 처리능력이 양호하기 때문에, 폭넓게 보급되고 있다.
이러한 웨트 세정장치에 있어서는, 피세정처리체인 웨이퍼에 대해 암모니아처리, 불산처리, 유산(硫酸)처리 등의 약액세정처리, 순수 등에 의한 수세세정처리, 이소프로필알콜(이하, 「IPA」라 한다) 등에 의한 건조처리가 행하여지도록 구성되어 있고, 예컨대 처리순으로 배열된 처리조, 건조실에 각각 약액, 순수, IPA를 공급하도록 구성하며, 예컨대 50매 단위로 웨이퍼를 처리조에 순차 침적하고, 건조해 가는 배치처리방식이 널리 채용되고 있다.
그렇지만, 각 처리마다 처리조나 건조실을 설치하는 것은, 장치의 대형화를 초래하고, 게다가 웨이퍼를 반송하는 기회, 즉 대기에 쬐이는 기회가 많기 때문에 파티클이 부착할 가능성도 높다.
그 때문에, 예컨대 일본 특개소 64-81230호 공보나 일본 특개평 6-326073호 공보에 있어서는, 처리조나 건조실을 일체화하여 약액처리 등과 건조처리를 동일 챔버내에서 행하는 세정장치가 제창되어 있다. 이들 세정장치는, 요컨대 도 1에 나타낸 바와 같이 챔버(200)의 하부(201)에 있어서 약액(202) 등을 저유하여 웨이퍼(W)를 침적하고, 그 후 웨이퍼(W)를 들어 올려 챔버(200)의 상부(203)에 있어서 IPA 등을 사용한 건조처리가 행하여지도록 구성되어 있다.
그런데, 상술한 IPA에 의한 건조처리에 있어서는, 상기의 일본 특개소 64-81230호 공보나 일본 특개평 6-326073호 공보에 기재되어 있는 바와 같이, IPA를 가열하여 비등시킨 처리증기를 이용함과 더불어 챔버내를 히터 등에 의해 가열함으로써, IPA와 물의 치환을 촉진하여 건조를 보다 급속히 행하는 것이 일반적이다.
그렇지만, 상술한 바와 같이 가열을 하면서 건조처리를 행하는 경우에는, IPA와 물의 치환이 촉진되는 한편으로, 물과 웨이퍼 표면의 실리콘의 반응이 촉진되어 웨이퍼 표면이 산화하여 워터 마크(water mark)에 의한 불량이 발생할 우려가 있다.
그래서 본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적은 피처리기판 표면에 워터 마크가 발생하는 것을 극력 억제할 수 있는 세정장치 및 세정방법을 제공하는데 있다.
또, 다른 목적은 건조처리시에 약액처리에 의한 악영향을 받는 일이 없는 세정장치 및 세정방법을 제공하는데 있다.
더욱이 다른 목적은, 설계의 자유도가 높고, 세정처리의 최적화나 장치의 말할 필요도 없는 소형화 등을 도모할 수 있는 세정장치 및 세정방법을 제공하는데 있다. 더욱이 다른 목적은, 보다 효율좋게 건조처리를 행할 수 있는 세정장치 및 세정방법을 제공하는데 있다.
또, 다른 목적은, 처리조부와 건조부를 분리함으로써, 처리액의 미스트(mist) 등이 건조실로 들어가는 것을 방지하여 안정적인 건조성능이 얻어지는 세정장치 및 세정방법을 제공하는데 있다.
도 1은 종래의 세정장치를 나타낸 개략도이고,
도 2는 본 발명의 1실시형태에 따른 반도체 웨이퍼의 세정처리장치의 사시도,
도 3은 도 2에 나타낸 세정처리장치의 평면도,
도 4는 도 2에 나타낸 세정처리장치에서의 세정장치의 종단정면도,
도 5는 도 4에 나타낸 세정장치의 종단측면도,
도 6은 도 4에 나타낸 세정장치의 사시도,
도 7은 도 4에 나타낸 세정장치의 상부의 덮개의 근방을 나타낸 사시도,
도 8은 도 4에 나타낸 세정장치의 덮개구동부의 개략구성을 나타낸 도면,
도 9는 도 4에 나타낸 세정장치의 슬라이드 문짝기구를 나타낸 사시도,
도 10은 도 4에 나타낸 세정장치의 웨이퍼 가이드를 나타낸 사시도,
도 11은 도 4에 나타낸 세정장치의 노즐과 배출구를 나타낸 사시도,
도 12는 도 4에 나타낸 세정장치의 정류판의 작용을 설명하기 위한 도면,
도 13은 도 4에 나타낸 세정장치의 동작을 나타낸 처리흐름도,
도 14는 도 4에 나타낸 세정장치의 동작을 나타낸 개략도(도 13의 스텝 1201에 대응),
도 15는 도 4에 나타낸 세정장치의 동작을 나타낸 개략도(도 13의 스텝 1202에 대응),
도 16은 도 4에 나타낸 세정장치의 동작을 나타낸 개략도(도 13의 스텝 1203에 대응),
도 17은 도 4에 나타낸 세정장치의 동작을 나타낸 개략도(도 13의 스텝 1204에 대응),
도 18은 도 4에 나타낸 세정장치의 동작을 나타낸 개략도(도 13의 스텝 1205에 대응),
도 19는 도 4에 나타낸 세정장치의 동작을 나타낸 개략도(도 13의 스텝 1206∼1208에 대응),
도 20은 도 4에 나타낸 세정장치의 동작을 나타낸 개략도(도 13의 스텝 1209에 대응),
도 21은 도 4에 나타낸 세정장치의 동작을 나타낸 개략도(도 13의 스텝 1210에 대응),
도 22는 도 4에 나타낸 세정장치의 동작을 나타낸 개략도(도 13의 스텝 1211에 대응),
도 23은 도 4에 나타낸 세정장치의 동작을 나타낸 개략도(도 13의 스텝 1212∼1214에 대응),
도 24는 도 4에 나타낸 세정장치의 동작을 나타낸 개략도(도 13의 스텝 1215에 대응),
도 25는 도 4에 나타낸 세정장치의 동작을 나타낸 개략도(도 13의 스텝 1216에 대응),
도 26은 도 4에 나타낸 세정장치의 동작을 나타낸 개략도이다(도 13의 스텝 1217에 대응).
〈도면의 주요부분에 대한 부호의 설명〉
27 --- 세정장치, 41 --- 세성조,
42 --- 건조실, 43 --- 웨이퍼 가이드,
44, 45 --- 노즐, 61 --- 건조실 상부의 개구부,
62 --- 건조실 하부의 개구부, 63 --- 덮개,
64 --- 슬라이드 문짝기구, 66 --- 덮개구동부,
72 --- 슬라이드문짝, 85, 86 --- 노즐,
98, 99 --- 배출구, 101, 102 --- 정류판,
103, 104 --- 패널 쿨러, 106, 107 --- 노즐.
본 발명의 제1특징은, 피처리기판을 헹굼액으로 헹구는 헹굼수단과, 헹굼수단에 의해 헹구어진 피처리기판을 냉각하면서 건조하는 건조수단을 구비하는 세정장치이다.
본 발명의 제2특징은, 피처리기판을 헹굼액으로 헹구는 헹굼수단과, 헹굼수단에 의해 헹구어진 피처리기판에 대해 냉각한 유기용제와 불활성 가스의 혼합가스를 내뿜는 분출수단, 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체를 내뿜어 건조하는 건조수단 및, 건조수단에 의해 건조된 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 상온의 기체를 내뿜어 상온화하는 상온화수단을 구비하는 세정장치이다.
본 발명의 제3특징은, 피처리기판을 헹굼액으로 헹구는 공정과, 상기 헹구어진 피처리기판을 냉각하면서 건조하는 공정을 구비하는 세정방법이다.
본 발명의 제4특징은, 피처리기판을 헹굼액으로 헹구는 공정과, 상기 헹구어진 피처리기판에 대해 냉각한 유기용제와 불활성 가스의 혼합가스를 내뿜는 공정, 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체를 내뿜어 건조하는 공정 및, 불활성 가스로 건조된 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 상온의 기체를 내뿜어 상온화하는 공정을 구비하는 세정방법이다.
본 발명의 제5특징은, 처리액을 저유하고, 저유한 처리액에 피처리기판이 침적되는 처리조와, 처리조의 위쪽에 배치되고, 처리조와의 사이에 피처리기판을 이송하기 위한 개폐자재의 개구부가 형성된 건조실, 개구부를 매개해서 처리조와 건조실과의 사이에서 피처리기판을 이송하는 이송수단 및, 건조실내에 배치되고, 피처리기판에 대해 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 내뿜는 기체분출수단을 구비하는 세정장치이다.
본 발명의 제6특징은, 처리조와 상기 건조실의 사이에 배치되고, 처리조로부터 건조실로 이송되는 피처리기판에 대해 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 내뿜는 수단을 더 구비하는 세정장치이다.
본 발명의 제7특징은, 건조실내에 배치된 냉각수단을 더 구비하는 세정장치이다.
본 발명의 제8특징은, 기체분출수단이 피처리기판에 대해 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 건조실내의 상부로부터 다운플로우(down fiow)상태로 내뿜는 것이고, 기체분출수단에 의해 분출된 불활성 가스를 함유한 기체를 건조실내의 하부로부터 배출하는 기체배출수단을 더 구비하고, 이 기체배출수단이 기체를 건조실로부터 배출하는 배출구를 갖춘 세정장치이다.
본 발명의 제9특징은, 배출구에 연통하고, 기체분출수단으로부터 분출된 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 건조실내의 하부로부터 취입하기 위한 복수의 취입구를 갖춘 정류수단을 더 구비하는 세정장치이다.
본 발명의 제10특징은, 처리조에 저유되는 처리액이 탈기처리(脫氣處理)된 헹굼액인 세정장치이다.
본 발명의 제11특징은, 처리조에 저유되는 처리액이 냉각된 헹굼액인 세정장치이다.
본 발명의 제12특징은, 처리액을 저유하고, 저유한 처리액에 피처리기판이 침적되는 처리조와, 처리조의 위쪽에 배설되고, 처리조와의 사이에 피처리기판을 이송하기 위한 개폐자재의 개구부가 형성된 건조실, 개구부를 매개해서 처리조와 건조실과의 사이에서 피처리기판을 이송하는 이송수단, 처리조로부터 건조실로 이송된 피처리기판에 대해 유기용제와 불활성 가스의 혼합가스를 냉각한 기체를 내뿜는 분출수단, 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체를 내뿜어 건조하는 건조수단 및, 건조수단에 의해 건조된 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 상온의 기체를 내뿜어 상온화하는 상온화수단을 구비하는 세정장치이다.
본 발명의 제13특징은, (a) 처리액이 저유된 처리조에 피처리기판을 침적하는 공정과, (b) 처리조로부터 이 처리조의 위쪽에 배치된 건조실내로 개폐자재의 개구부를 매개해서 피처리기판을 이송하는 공정, (c) 건조실내로 피처리기판을 이송한 후에 개구부를 닫는 공정 및, (d) 건조실내로 이송된 피처리기판에 대해 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 내뿜는 공정을 구비하는 세정방법이다.
본 발명의 제14특징은, (a) 처리액이 저유된 처리조에 피처리기판을 침적하는 공정과, (b) 처리조로부터 이 처리조의 위쪽에 배치된 건조실내로 개폐자재의 개구부를 매개해서 피처리기판을 이송하는 공정, (c) 건조실내로 피처리기판을 이송한 후에 개구부를 닫는 공정, (d) 건조실내로 이송된 피처리기판에 대해 유기용제와 불활성 가스의 혼합가스를 냉각한 기체를 내뿜는 공정, (e) 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체를 내뿜어 피처리기판을 건조하는 공정 및, (f) 불활성 가스로 건조된 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 상온의 기체를 내뿜어 피처리기판을 상온화하는 공정을 구비하는 세정방법이다.
본 발명의 제15특징은, (b)공정보다 전에, 건조실내를 미리 희박하고 냉각한 유기용제의 분위기로 해 두는 세정방법이다.
본 발명의 제1, 제3특징에 의하면, 헹굼액으로 헹구어진 피처리기판을 냉각계로 건조하도록 했으므로, 예컨대 물과 웨이퍼 표면의 실리콘의 반응이 둔화되어 웨이퍼 표면이 산화되기 어렵게 되어 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다.
본 발명의 제2, 제4특징에 의하면, 헹굼액으로 헹구어진 피처리기판을 냉각계로 건조하도록 했으므로, 예컨대 물과 웨이퍼 표면의 실리콘의 반응이 둔화되어 웨이퍼 표면이 산화되기 어렵게 되어 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다. 또, 냉각한 상기 혼합가스에 의해 피처리기판을 어느 정도 헹굼액으로 치환한 후, 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체에 의해 헹굼액을 날려 버리도록 구성했으므로, 예컨대 물과 웨이퍼 표면의 실리콘의 반응이 둔화되어 웨이퍼 표면이 산화되기 어렵게 되어 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다. 왜냐하면, 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체는 산화를 억제할 수 있기 때문이다. 더욱이, 건조된 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 상온의 기체를 내뿜어 상온화하고 있으므로, 피처리기판 표면에 수분이 부착하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 제5, 제13특징에 의하면, 헹굼액으로 헹구어진 피처리기판에 대해 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 내뿜어 건조하도록 했으므로, 예컨대 물과 웨이퍼 표면의 실리콘의 반응이 둔화되어 웨이퍼 표면이 산화되기 어렵게 되어 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다. 또 건조실과 처리조를 각각 상하로 분리함과 더불어, 건조실의 공간과 처리조의 공간을 개폐자재의 개구부에 의해 차폐가능으로 하고 있으므로, 건조처리시에 약액처리에 의한 악영향을 받는 일이 없고, 또 설계의 자유도가 높아 세정처리의 최적화나 장치의 말할 필요도 없는 소형화 등을 도모할 수 있으며, 더욱이 보다 효율좋게 건조처리를 행할 수 있다.
본 발명의 제6특징에 의하면, 처리조로부터 건조실로 이송되는 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 기체를 내뿜는 수단이 보조적으로 피처리기판을 건조시키는 역할을 담당하므로, 보다 효율좋게 건조처리를 행할 수 있다. 게다가, 불활성 가스를 함유한 기체로서 냉각된 것을 사용하고 있으므로, 웨이퍼 표면이 산화되기 어렵게 되어 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다.
본 발명의 제7특징에 의하면, 건조실내를 보다 저온으로 할 수 있으므로, 웨이퍼 표면이 보다 산화되기 어렵게 되어 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다.
본 발명의 제8특징에 의하면, 다운플로우의 불활성 가스를 함유한 기체에 의해 피처리기판의 처리액을 날려 버릴 수 있으므로, 보다 효율좋게 건조처리를 행할 수 있다.
본 발명의 제9특징에 의하면, 정류수단에 의해 다운플로우의 불활성 가스를 함유한 기체를 피처리기판에 균일하게 유입할 수 있어 보다 효율좋게 건조처리를 행할 수 있다.
본 발명의 제10특징에 의하면, 처리조에 저유되는 처리액을 탈기된 헹굼액으로 했으므로, 예컨대 피처리기판이 실리콘으로 이루어진 것과 같은 피처리기판 표면이 산화되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 제11특징에 의하면, 처리조에 저유되는 처리액이 냉각된 헹굼액이므로, 워터 마크의 발생을 극력 억제하면서 보다 효율좋게 건조처리를 행할 수 있다.
본 발명의 제12, 제14특징에 의하면, 헹굼액으로 헹구어진 피처리기판에 대해 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 내뿜어 건조하도록 했으므로, 예컨대 물과 웨이퍼 표면의 실리콘의 반응이 둔화되어 웨이퍼 표면이 산화되기 어렵게 되어 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다. 또, 냉각한 상기 혼합가스에 의해 피처리기판을 어느 정도 헹굼액으로 치환한 후, 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체에 의해 헹굼액을 날려 버리도록 구성했으므로, 예컨대 물과 웨이퍼 표면의 실리콘의 반응이 둔화되어 웨이퍼 표면이 산화되기 어렵게 되어 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다. 더욱이, 건조된 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 상온의 기체를 내뿜어 상온화하고 있으므로, 피처리기판 표면에 안개(霧: 수분)가 부착하는 것을 방지할 수 있다. 또 건조실과 처리조를 각각 상하로 분리함과 더불어, 건조실의 공간과 처리조의 공간을 개폐자재의 개구부에 의해 차폐가능으로 하고 있으므로, 건조처리시에 약액처리에 의한 악영향을 받는 일이 없다. 또, 건조처리시에 다음의 처리조에서의 처리를 준비할 수 있어 처리능력의 향상을 도모할 수 있다. 또, 건조실과 처리조를 각각 별개의 조건하에서 설계할 수 있으므로, 설계의 자유도가 높아 세정처리의 최적화나 장치의 말할 필요도 없는 소형화 등을 도모할 수 있다. 더욱이, 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 피처리기판에 내뿜어 피처리기판 표면의 처리액을 날려 버리도록 구성했으므로, 보다 효율좋게 건조처리를 행할 수 있다. 그리고, 피처리기판에 내뿜어 건조를 행하는 공간은 처리조의 공간과는 별개로 되어 있으므로, 이러한 공간을 보다 작게 할 수 있어 보다 효율좋게 건조처리를 행할 수 있다.
본 발명의 제15특징에 의하면, 건조실내를, 피처리기판이 건조실로 이송되기 이전에 미리 희박하고 냉각한 유기용제의 분위기로 하고 있으므로, 건조처리를 보다 효율좋게 행할 수 있다. 게다가 상기 용제를 희박한 증기로 했으므로, 상기 용제가 응축되는 일은 없다.
(실시형태)
이하, 본 발명의 실시형태를 도면에 기초하여 설명한다. 본 실시형태는 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라 한다)의 세정처리장치에 있어서 적용된 예로, 우선 그 세정처리장치에 대해 설명한다. 이 세정처리장치(1) 전체는, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 세정처리전의 웨이퍼를 캐리어단위로 수용하는 반입부(2)와, 웨이퍼의 세정처리가 행해지는 세정처리부(3) 및, 세정처리후의 웨이퍼를 카세트단위로 취출하기 위한 반출부(4)의 3개의 구역(zone)으로 구성된다.
상기 반입부(2)에는, 세정처리전의 웨이퍼가 소정 매수, 예컨대 25매 수용된 캐리어(5)를 대기시키는 대기부(6)와, 캐리어(5)로부터의 웨이퍼의 취출, 오리플라(orifla: orientation flat)맞춤 및 매엽검출 등을 행하는 로더부(7)가 설치되어 있고, 더욱이 외부로부터 반송로봇트 등에 의해 반입되는 캐리어(5)의 상기 대기부(6)로의 반송, 및 이 대기부(6)와 상기 로더부(7)의 사이에서 캐리어(5)의 반송을 행하기 위한 반송암(8)이 설치되어 있다.
상기 세정처리부(3)에는, 그 전면측(도 2에서의 바로 앞측)에 3개의 웨이퍼 반송장치(11,12,13)가 배치되어 있고, 또 그 배면측에 격벽을 매개해서 약액 등의 처리액을 수용하는 탱크나 각종의 배관군 등을 수용하는 배관영역(14)이 형성되어 있다.
한편, 반출부(4)에는, 세정처리부(3)에서 세정처리된 웨이퍼를 캐리어(5)에 수용하는 언로더부(15)와, 세정처리후의 웨이퍼가 수용된 캐리어(5)를 대기시키는 대기부(16) 및, 언로더(15)부와 대기부(16)의 사이에서 캐리어(5)의 반송을 행하기 위한 반송암(17)이 설치되어 있다.
또한, 세정처리장치(1)에는, 반입부(2)에서 비워진 캐리어(5)를 반출부(4)로 반송하는 캐리어반송부(18)가 설치되어 있다. 캐리어반송부(18)는, 세정처리부(3)의 상부에 설치된 캐리어 컨베이어(carrier conveyor; 19)와, 반입부(2)에 있어서 로더부(7)로부터 반송암(8)에 의해 빈 캐리어(5)를 수취하여 웨이퍼가 들어 있는 캐리어 및 웨이퍼가 들어 있지 않은 캐리어를 비축하는 캐리어 스톡커(carrier stocker; 20) 및, 반출부(4)에 있어서 캐리어 컨베이어(19)로부터 반송암(17)에 의해 빈 캐리어(5)를 수취하여 언로더(15)에 수도(受渡)하는 캐리어수도부(도시하지 않음)를 구비한다.
세정처리부(3)에는, 로더부(7)측으로부터 순서대로, 웨이퍼반송장치(11)의 웨이퍼척(21)을 세정, 건조하는 세정·건조처리조(22), 웨이퍼 표면의 유기오염물, 금속불순물, 파티클 등의 불순물을 약액, 예컨대 NH4/H2O2/H2O 혼합액에 의해 세정처리하는 약액세정처리조(23), 약액세정처리조(23)에서 세정된 웨이퍼를 예컨대 순수에 의해 세정하는 수세세정처리조(24), 웨이퍼 표면의 금속오염 제거를 약액, 예컨대 HCl/H2O2/H2O 혼합액에 의해 세정처리하는 약액세정처리조(25), 약액세정처리조(25)에서 세정된 웨이퍼를 예컨대 순수에 의해 세정하는 수세세정처리조(26), 웨이퍼 표면의 금속오염 제거를 약액, 예컨대 HF/H2O 혼합액에 의해 세정처리함과 더불어 세정처리된 웨이퍼를 헹굼액, 예컨대 순수에 의해 세정하고, 더욱이 헹굼세정된 웨이퍼의 건조처리를 행하는 본 발명에 따른 세정장치(27), 웨이퍼반송장치(13)의 웨이퍼척(도시하지 않음)을 세정, 건조하는 척세정·건조처리조(28)가 각각 배치되어 있다.
또한, 로더부(7)와 세정·건조처리조(22)의 사이, 수세세정처리조(24)와 약액세정처리조(25)의 사이, 수세세정처리조(26)와 세정장치(27)의 사이, 척세정·건조처리조(28)와 언로더부(15)의 사이에는, 각각 이들의 사이를 간막이하는 간막이판(29,30,31,32)이 설치되어 있다. 간막이하는 간막이판(29,30,31,32)은, 예컨대 웨이퍼의 수도시에 각각 도시를 생략한 구동기구에 의해 상하로 개폐되도록 되어 있다. 이에 따라 인접하는 공간으로의 약액의 분위기의 확산을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 세정장치(27)의 구성을 도 4∼도 12에 기초하여 설명하면, 이 세정장치(27)는 처리액 예컨대 HF/H2O 혼합액 등의 약액이나 순수 등의 헹굼액을 저유하고, 저유한 처리액에 피처리기판으로서의 웨이퍼(W)가 침적되는 처리조로서의 세정조(41)와, 상기 세정조(41)의 위쪽에 배치되고, 세정조(41)로부터 이송된 웨이퍼(W)의 건조처리를 행하는 원통형상의 건조실(42)을 구비한다.
상기 세정조(41)는, 후술하는 웨이퍼 가이드(43)와 더불어 웨이퍼 가이드(43)에 보지(保持)된 예컨대 50매의 웨이퍼(W)를 수용한다. 세정조(41)의 저부의 양측에는, 수용한 각 웨이퍼(W)를 향하여 처리액을 분사하는 노즐(44,45)이 설치되어 있다. 여기서, 노즐(44,45)은 각각 웨이퍼(W)의 배열방향에 따라 예컨대 인접하는 웨이퍼(W) 사이의 간격과 동일한 피치로 설치된 분출구멍을 갖춘 파이프에 의해 구성할 수 있다. 노즐(44,45)에는, 절환밸브(46)의 절환에 의해 도 2 및 도 3에 나타낸 배관영역(14)으로부터 HF/H2O 혼합액 등의 약액이나 냉각된 순수(DIW: deionized water) 등의 헹굼액중 한쪽이 공급되도록 되어 있다. 절환밸브(46)의 절환제어는, 예컨대 도시를 생략한 제어부에 의해 소정의 타이밍에서 행해진다. 또한, 헹굼액으로서는, 웨이퍼(W)의 산화방지를 위해 탈기(脫氣)한 DIW를 사용하는 편이 좋다.
또, 상기 세정조(41)의 주위에는, 세정조(41)로부터 넘친 처리액을 회수하기 위한 회수조(47)가 설치되어 있다. 회수조(47)에서 회수된 처리액은, 절환밸브(48), 펌프(49), 필터(50), 절환밸브(51)를 매개해서 노즐(44,45)로 순환되도록 되어 있다. 절환밸브(48)는 회수조(47)에서 회수된 처리액을 상기와 같이 순환시킬 것인가 배출시킬 것인가를 절환한다. 절환밸브(51)는 회수조(47)에서 회수된 처리액을 상기와 같이 순환시킬 것인가 냉각기(55)로 0℃∼상온, 보다 바람직하게는 5℃정도의 온도로 냉각된 DIW를 노즐(44,45)에 공급할 것인가를 절환한다. 또한, 펌프(49)와 필터(50)의 사이에는 댐퍼(52)가 설치되어 있다. 또 세정조(41)의 최하부에는, 처리액을 배출하기 위한 배출구(53)가 설치되어 있고, 절환밸브(54)에 의해 처리액을 배출구(53)로부터 배출할 것인가 어떤가의 절환이 행해진다.
한편, 건조실(42)의 상부 및 하부에는, 각각 웨이퍼(W)의 수도를 행하기 위한 예컨대 직사각형의 상부개구부(61), 하부개구부(62)가 설치되어 있고, 상부개구부(61)에는 덮개(63)가 배치되며, 하부개구부(62)에는 슬라이드 문짝기구(64)가 설치되어 있다.
덮개(63)는 PVC(폴리염화비닐)나 PP(폴리프로필렌) 등의 수지로 이루어지고, 도 6에 나타낸 바와 같이 내외 모두 원통을 종방향으로 절단한 형상을 이루고 있다. 이에 따라, 덮개(63)에 의해 막힌 건조실(42)의 내측을 원통형상으로 하고, 후술하는 웨이퍼(W)에 분출되는 질소가스 등의 기류가 난류로 되는 것을 방지하여 각 웨이퍼(W)에 대해 균일하게 질소가스 등이 분출되도록 하고 있다. 또, 도 7에 나타낸 바와 같이, 상부개구부(61)의 주위를 따라 O링(65)이 배치되어 상부개구부(61)를 덮개(63)로 막았을 때의 밀폐성이 높아지고 있다.
또, 건조실(42)의 근방에는, 덮개(63)를 개폐구동하는 덮개구동부(66)가 설치되어 있다. 덮개구동부(66)는, 도 8에 나타낸 바와 같이 덮개(63)를 선단에 고정하는 회전암(67)을 회전구동하는 실린더(68)와, 이들 덮개(63) 및 이들 회전기구를 상하구동하는 실린더(69)를 구비한다. 덮개구동부(66)는, 상부개구부(61)를 막는 덮개(63)를 상방향으로 이동시키고(도 8의 ①), 이후 덮개(63)를 상부개구부(61)로부터 벗어난 위치로 회전이동시키며(도 8의 ②), 그 덮개(63)를 하방향으로 이동시킨다(도 8의 ③). 상부개구부(61)를 덮개(63)로 막을 때에는 그 반대의 동작을 행한다(도 8의 ③→②→①).
슬라이드 문짝기구(64)는, 도 9에 나타낸 바와 같이 세정조(41)와 건조실(42)의 사이에 배치된 직사각형의 플랜지(70)와, 플랜지(70)에 설치된 개구부(71)로부터 삽발(揷拔)되어 플랜지(70)내를 개폐하는 슬라이드문짝(72) 및, 슬라이드문짝(72)을 삽발구동하는 실린더(73)를 구비한다. 슬라이드문짝(72)은, 덮개(63)와 마찬가지로 PVC(폴리염화비닐)나 PP(폴리프로필렌) 등의 수지로 이루어지고, 하부개구부(62)와 거의 같은 형상의 직사각형을 이루고 있다.
웨이퍼 가이드(43)는, 도 10에 나타낸 바와 같이 지지부재(74)의 하단에, 예컨대 50매의 웨이퍼(W)를 보지하는 웨이퍼 보지부(75)를 설치하여 이루어진다. 웨이퍼 보지부(75)는, 중앙하단부에 가설되는 중앙보지봉(76)과 좌우 양측단부에 서로 평행하게 가설되는 2개의 측부 보지봉(77,78)을 이들 양단에서 고정하여 이루어진 것으로, 일단은 지지부재(74)의 하단에 고정되고, 타단은 고정부재(79)로 고정된다. 중앙보지봉(76) 및 측부 보지봉(77,78)에는, 각각 긴 쪽 방향으로 소정의 간격을 두고 예컨대 50개의 웨이퍼 보지홈(80,80,…)이 설치되어 있다. 웨이퍼 가이드(43)는, 내식성, 내열성 및 내강도성이 우수한 재질, 예컨대 PEEK(폴리에테르에테르케톤)이나 Qz(석영) 등으로 이루어진다.
또, 웨이퍼 가이드(43)의 상단부에는 가이드상하봉(81)이 고정되어 있다. 이 가이드상하봉(81)은, 도 5 및 도 6에 나타낸 바와 같이 건조실(42)의 상부에 형성된 구멍(82)을 매개해서 외측으로 상하구동가능하게 돌출하고 있다. 가이드상하봉(81)의 상단은, 건조실(42)의 배후에 설치된 웨이퍼 가이드 Z축기구(83)에 접속되어 있다. 웨이퍼 가이드 Z축기구(83)는, 가이드상하봉(81)을 상하구동함으로써 하부의 개구부(62)를 매개해서 세정조(41)와 건조실(42)의 사이에서 웨이퍼 가이드(43)에 보지된 웨이퍼(W)를 이송한다. 또, 도 5에 나타낸 바와 같이 세정장치(27)의 정면에는, 도 3에 나타낸 웨이퍼 반송장치(13)가 배치되어 있다. 웨이퍼 반송장치(13)에 설치된 웨이퍼척(84)은, 도 10에 나타낸 바와 같이 인접하는 수세세정처리조(26)로부터 예컨대 50배의 웨이퍼(W)를 수취하여 건조실(42)내의 웨이퍼 가이드(43)로 수도하고, 또 건조실(42)내의 웨이퍼 가이드(43)로부터 예컨대 50매의 웨이퍼(W)를 수취하여 반출부(4)의 언로더부(15)에 수도한다.
도 4 및 도 11에 나타낸 바와 같이, 건조실(42)내의 상부의 양측에는, 건조실(42)내에서 웨이퍼 가이드(43)에 보지된 웨이퍼(W)에 대해 냉각된 질소가스 등을 다운플로우(down flow)로 내뿜는 노즐(85,86)이 설치되어 있다. 노즐(85,86)은 각각 웨이퍼(W)의 배열방향을 따라 예컨대 인접하는 웨이퍼(W) 사이의 간격과 동일한 피치로 설치된 분출구멍(87)을 갖춘 파이프(88)에 의해 구성할 수 있다. 노즐(85,86)에는, IPA증발기(89)로부터 제어밸브(90) 및 필터(91)를 매개해서 0℃∼상온, 보다 바람직하게는 5℃정도의 온도로 냉각된 IPA와 질소의 혼합가스가 공급되도록 되어 있다. IPA증발기(89)로는 질소냉각기(92) 및 제어밸브(93)를 매개해서 냉각된 질소가 공급되고, IPA탱크(94)로부터 제어밸브(95)를 매개해서 IPA가 공급되도록 되어 있다. IPA탱크(94)에는 제어밸브(96)를 매개해서 질소가 보충되고, 제어밸브(97)를 매개해서 IPA가 보충되도록 되어 있다. 이들 제어밸브의 제어는, 도시를 생략한 제어부에 의해 행해지도록 되어 있다.
한편, 도 4 및 도 11에 나타낸 바와 같이, 건조실(42)내의 하부의 양측에는, 노즐(85,86)로부터 분출된 질소가스 등을 배출하기 위한 배출구(98,99)가 설치되어 있다. 배출구(98,99)가 도시를 생략한 배기펌프에 접속되어 있다. 또, 배출구(98,99)에는 노즐(85,86)로부터 분출된 질소가스 등을 건조실(42)내의 하부의 각 부로부터 균일하게 취입하기 위한 복수의 취입구(100,100,…)를 갖춘 정류수단으로서의 정류판(101,102)이 각각 연통하고 있다. 이에 따라, 도 12에 나타낸 바와 같이 각 노즐(85,86)의 각 분출구멍(87)으로부터 분출된 질소가스 등은, 동도 점선과 같이 각 웨이퍼(W)의 표면을 통해 각 정류판(101,102)의 취입구(100)로부터 취입된다. 즉, 질소가스 등의 흐름에 난류가 생기는 일이 없게 된다. 한편, 건조실(42)내의 하부에는, 액체를 배출하는 배출구(도시하지 않음)가 설치되어 있다.
또, 도 4에 나타낸 바와 같이 건조실(42)내의 중앙부 양측에는 1쌍의 패널 쿨러(panel cooler; 103,104)가 설치되어 있다. 이들 패널 쿨러(103,104)에는 패널 쿨러 컨트롤러(105)가 접속되어 온도제어가 행해지도록 되어 있다. 이에 따라, 건조실(42)내는 예컨대 0℃∼상온, 보다 바람직하게는 5℃정도의 온도로 제어된다.
또, 도 4에 나타낸 바와 같이, 세정조(41)와 건조실(42)의 사이, 예컨대 세정조(41)의 액면보다 상부의 양측에는 세정조(41)로부터 건조실(42)로 이송되는 웨이퍼(W)에 대해 예컨대 IPA와 질소의 혼합가스를 내뿜는 노즐(106,107)이 설치되어 있다. 이들 노즐(106,107)도 상술한 노즐(85,86)과 거의 동일한 구성으로 되어 있다. 노즐(106,107)에는, 냉각기(108) 및 제어밸브(109)를 매개해서 0℃∼상온, 보다 바람직하게는 5℃정도의 온도로 냉각된 IPA와 질소가 공급되도록 되어 있다.
다음에는 이상과 같이 구성된 세정장치(27)의 동작을 도 13에 나타낸 처리흐름도에 기초하여 설명한다. 이하의 동작제어는, 예컨대 도시를 생략한 제어부에 의해 행해진다.
먼저, 건조실(42) 하부의 슬라이드문짝(72)을 닫은 상태에서, 건조실(42) 상부의 덮개(63)를 연다(스텝 1201, 도 14). 다음에, 웨이퍼척(84)이 건조실(42)내로 강하하고, 건조실(42)내의 웨이퍼 가이드(43)에 웨이퍼(W)를 수도한다(스텝 1202, 도 15). 다음에, 건조실(42) 상부의 덮개(63)를 닫고, 건조실(42) 하부의 슬라이드문짝(72)을 연다(스텝 1203, 도 16). 그리고, 웨이퍼(W)가 보지된 웨이퍼 가이드(43)를 하강시키고, 웨이퍼(W)를 세정조(41)내로 이송하며(스텝 1204, 도 17), 건조실(42) 하부의 슬라이드문짝(72)을 닫는다(스텝 1205, 도 18).
그후, 세정조(41)내에서는, HF/H2O 혼합액을 노즐(44,45)로부터 분출하고 HF/H2O 혼합액에 웨이퍼(W)를 침적하여 약액에 의한 세정을 행한다(스텝 1206, 도 19). 물론, 노즐(44,45)로부터 분출된 HF/H2O 혼합액은, 세정조(41)내에 있어서 웨이퍼(W)로 향하는 대류를 형성하여 약액세정을 촉진한다. 이 약액은, 물론 웨이퍼(W)가 세정조(41)내로 이송되기 전에 저유되어 있어도 좋다. 이어서, HF/H2O 혼합액을 배출하고, 그후 냉각된 DIW를 노즐(44,45)로부터 분출하여 헹굼처리를 행한다(스텝 1207, 도 19). 마찬가지로 노즐(44,45)로부터 분출된 DIW는, 세정조(41)내에 있어서 웨이퍼(W)로 향하는 대류를 형성하여 헹굼처리을 촉진한다. 여기서, HF/H2O 혼합액을 배출하지 않고, HF/H2O 혼합액을 저유한 상태에서 그대로 DIW를 분출하여 서서히 HF/H2O 혼합액을 얇게 하도록 해도 좋다. 한편, 이러한 세정처리가 행해지고 있는 사이에, 건조실(42)내에서는 노즐(85,86)로부터 냉각된 IPA가 분출되어 건조실(42)내가 희박한 IPA증기의 분위기로 되고 있다(스텝 1208, 도 19).
그후, 건조실(42) 하부의 슬라이드문짝(72)을 열고(스텝 1209, 도 20), 웨이퍼(W)가 보지된 웨이퍼 가이드(43)를 상승시켜 웨이퍼(W)를 건조실(42)내로 이송한다(스텝 1210, 도 21). 그때, 노즐(106,107)로부터 세정조(41)로부터 건조실(42)로 이송되는 웨이퍼(W)에 대해 냉각된 질소가스 또는 질소가스와 IPA의 혼합가스가 분출된다. 다음에, 건조실(42) 하부의 슬라이드문짝(72)을 닫고(스텝 1211, 도 22), 건조실(42)내의 웨이퍼(W)에 대해 노즐(85,86)로부터 질소가스 등이 다운플로우로 분출된다(스텝 1212∼1214, 도 23). 구체적으로는, 먼저 웨이퍼(W)에 대해 냉각된 IPA와 질소의 혼합가스가 분출되고(스텝 1212), 냉각된 질소가스가 분출되며(스텝 1213), 최후로 상온의 질소가스가 분출된다(스텝 1214). 이때, 냉각된 질소가스의 분출공정에서는, 자연배기로 된다. 또, 스텝 1210에 있어서 웨이퍼(W)를 건조실(42)내로 이송하기 이전부터 스텝 1212에서의 IPA와 질소의 혼합가스의 분출을 개시해도 좋다.
그런 후에, 건조실(42) 상부의 덮개(63)를 열고(스텝 1215, 도 24), 웨이퍼척(84)이 건조실(42)내로 강하하여 건조실(42)내의 웨이퍼 가이드(43)로부터 웨이퍼(W)를 수취하며(스텝 1216, 도 25), 웨이퍼척(84)이 상승하여 웨이퍼(W)를 건조실(42)의 외측으로 반출한다(스텝 1217, 도 26). 이와 같이 본 실시형태에 따른 세정장치(27)에서는, 건조실(42)에 있어서 DIW로 헹구어진 웨이퍼(W)를 냉각계로 건조하도록 했으므로, 예컨대 DIW와 웨이퍼(W) 표면의 실리콘의 반응이 둔화되어 웨이퍼 표면이 산화되기 어렵게 되어 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다. 또, 냉각한 IPA와 질소의 혼합가스에 의해 웨이퍼(W)를 어느 정도 DIW로 치환한 후, 냉각한 질소가스에 대해 웨이퍼(W) 표면의 DIW를 날려 버리도록 구성했으므로, 예컨대 DIW와 웨이퍼 표면의 실리콘의 반응이 둔화되어 웨이퍼 표면이 산화되기 어렵게 되어 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다. 더욱이, 건조된 웨이퍼(W)에 대해 상온의 질소가스를 내뿜어 상온화하고 있으므로, 웨이퍼(W) 표면에 서리(霜: 수분)가 부착하는 것을 방지할 수 있고, 이것에 의해서도 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다. 또, 건조실(42)과 세정조(41)를 각각 상하로 분리함과 더불어, 건조실(42)의 공간과 세정조(41)의 공간을 슬라이드문짝(72)에 의해 차폐하여 행하도록 구성했으므로, 건조실(42)과 세정조(41)의 상호간에서 약액 등에 의한 악영향을 서로 미치는 일은 없다. 또, 건조실(42)과 세정조(41)를 각각 별개의 조건하에서 설계할 수 있으므로, 설계의 자유도가 높아 세정처리의 최적화나 장치의 말할 필요도 없는 소형화 등을 도모할 수 있다. 예컨대, 건조실(42)내에 패널 쿨러(103,104)를 장착해 건조실(42)내를 냉각하여 건조처리를 문제없이 행하도록 하는 것도 가능하고, 세정조(41)에서 웨이퍼(W)의 세정을 행하고 있을 때에 건조실(42)내를 IPA증기로 치환해 두고 건조처리를 단시간으로 행하도록 하는 것도 가능하다. 또, 처리조와 건조실이 동일의 실내에서 행하여지고 있던 종래의 세정장치에 비해 건조실(42)을 소형으로 할 수 있으므로, 보다 효율좋게 건조처리를 행할 수 있다.
또한, 본 발명은 상술한 실시형태에 한정되지 않고, 그 기술사상의 범위내에서 여러 가지의 변형이 가능하다.
예컨대, 상술한 실시형태에서는, 불활성 가스로서 질소를 사용하고 있었지만, 아르곤이나 헬륨 등의 다른 불활성 가스를 사용하는 것도 가능하다.
또, 상술한 실시형태에서는, 수용성이면서 피처리기판에 대한 순수의 표면장력을 저하시키는 작용을 갖는 유기용제로서 IPA를 사용하고 있었지만, IPA 등의 알콜류 외에, 디에틸케톤 등의 케톤류나 메틸에테르, 에틸에테르 등의 에테르류, 에틸렌글리콜 등의 다가(多價) 알콜 등의 유기용제를 사용하는 것이 가능하다.
또, 상술한 실시형태에서는, 세정장치(27)에 있어서 HF/H2O 혼합액에 의한 약액처리와 순수에 의한 헹굼처리와 건조처리를 행하는 것이었지만, 적어도 건조처리와 그 외의 1개 이상의 처리를 행하는 것이 본 발명의 기술범위에 포함되는 것이다. 그 외의 처리란, HF/H2O 혼합액에 의한 약액처리, 순수에 의한 헹굼처리, NH4/H2O2/H2O 혼합액에 의한 약액처리, HCl/H2O2/H2O 혼합액에 의한 약액처리가 있다. 따라서, 본 발명에 따른 세정장치에서는, 예컨대 NH4/H2O2/H2O 혼합액에 의한 약액처리와 HCl/H2O2/H2O 혼합액에 의한 약액처리와 HF/H2O 혼합액에 의한 약액처리와 순수에 의한 헹굼처리와 건조처리를 행하도록 구성해도 물론 좋다.
또, 상술한 실시형태에서는, 처리순으로 처리조를 연접(連接)한 세정처리장치에 본 발명에 따른 세정장치를 조합시킨 예를 설명했지만, 본 발명에 따른 세정장치를 독립형(standalone type)의 장치로서 사용하는 것도 가능하다. 이 경우, 예컨대 로더부와 언로더부를 겸한 반송부와 본 발명에 따른 세정장치를 연접하여 구성할 수 있다.
또, 피처리기판도 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, LCD기판, 유리기판, CD기판, 포토마스크, 프린트(인쇄)기판, 세라믹기판 등이라도 가능하다.
이상 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명의 세정장치에 의하면, 피처리기판을 헹굼액으로 헹구는 헹굼수단과, 헹굼수단에 의해 헹구어진 피처리기판을 냉각하면서 건조하는 건조수단을 구비했으므로, 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다.
본 발명의 세정장치에 의하면, 피처리기판을 헹굼액으로 헹구는 헹굼수단과, 헹굼수단에 의해 헹구어진 피처리기판에 대해 냉각한 유기용제와 불활성 가스의 혼합가스를 내뿜는 분출수단, 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체를 내뿜어 건조하는 건조수단 및, 건조수단에 의해 건조된 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 상온의 기체를 내뿜어 상온화하는 상온화수단을 구비했으므로, 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있고, 또 피처리기판 표면에 서리(霜)가 부착하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 세정방법에 의하면, 피처리기판을 헹굼액으로 헹구는 공정과, 상기 헹구어진 피처리기판을 냉각하면서 건조하는 공정을 구비했으므로, 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있다.
본 발명의 세정방법에 의하면, 피처리기판을 헹굼액으로 헹구는 공정과, 상기 헹구어진 피처리기판에 대해 냉각한 유기용제와 불활성 가스의 혼합가스를 내뿜는 공정, 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체를 내뿜어 건조하는 공정 및, 불활성 가스로 건조된 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 상온의 기체를 내뿜어 상온화하는 공정을 구비했으므로, 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있고, 또 피처리기판 표면에 서리가 부착하는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 세정장치에 의하면, 처리액을 저유하고, 저유한 처리액에 피처리기판이 침적되는 처리조와, 처리조의 위쪽에 배치되고, 처리조와의 사이에 피처리기판을 이송하기 위한 개폐자재의 개구부가 형성된 건조실, 개구부를 매개해서 처리조와 건조실의 사이에서 피처리기판을 이송하는 이송수단 및, 건조실내에 배치되고, 피처리기판에 대해 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 내뿜는 기체분출수단을 구비했으므로, 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있고, 건조처리시에 약액처리에 의한 악영향을 받는 일이 없으며, 또 설계의 자유도가 높아 세정처리의 최적화나 장치의 말할 필요도 없는 소형화 등을 도모할 수 있고, 더욱이 보다 효율좋게 건조처리를 행할 수 있다.
본 발명의 세정장치에 의하면, 처리액을 저유하고, 저유한 처리액에 피처리기판이 침적되는 처리조와, 처리조의 위쪽에 배치되고, 처리조와의 사이에 피처리기판을 이송하기 위한 개폐자재의 개구부가 형성된 건조실, 개구부를 매개해서 처리조와 건조실의 사이에서 피처리기판을 이송하는 이송수단, 처리조로부터 건조실로 이송된 피처리기판에 대해 유기용제와 불활성 가스의 혼합가스를 냉각한 기체를 내뿜는 분출수단, 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체를 내뿜어 건조하는 건조수단 및, 건조수단에 의해 건조된 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 상온의 기체를 내뿜어 상온화하는 상온화수단을 구비했으므로, 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있고, 피처리기판 표면에 서리가 부착하는 것을 방지할 수 있으며, 건조처리시에 약액처리에 의한 악영향을 받는 일이 없고, 또 설계의 자유도가 높아 세정처리의 최적화나 장치의 말할 필요도 없는 소형화 등을 도모할 수 있으며, 더욱이 보다 효율좋게 건조처리를 행할 수 있다.
본 발명의 세정방법에 의하면, (a) 처리액이 저유된 처리조에 피처리기판을 침적하는 공정과, (b) 처리조로부터 이 처리조의 위쪽에 배치된 건조실내로 개폐자재의 개구부를 매개해서 피처리기판을 이송하는 공정, (c) 건조실내로 피처리기판을 이송한 후에 개구부를 닫는 공정 및, (d) 건조실내로 이송된 피처리기판에 대해 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 내뿜는 공정을 구비했으므로, 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있고, 건조처리시에 약액처리에 의한 악영향을 받는 일이 없으며, 또 설계의 자유도가 높아 세정처리의 최적화나 장치의 말할 필요도 없는 소형화 등을 도모할 수 있고, 더욱이 보다 효율좋게 건조처리를 행할 수 있다.
본 발명의 세정방법에 의하면, (a) 처리액이 저유된 처리조에 피처리기판을 침적하는 공정과, (b) 처리조로부터 이 처리조의 위쪽에 배치된 건조실내로 개폐자재의 개구부를 매개해서 피처리기판을 이송하는 공정, (c) 건조실내로 피처리기판을 이송한 후에 개구부를 닫는 공정, (d) 건조실내로 이송된 피처리기판에 대해 유기용제와 불활성 가스의 혼합가스를 냉각한 기체를 내뿜는 공정, (e) 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체를 내뿜어 피처리기판을 건조하는 공정 및, (f) 불활성 가스로 건조된 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 상온의 기체를 내뿜어 피처리기판을 상온화하는 공정을 구비했으므로, 워터 마크의 발생을 극력 억제할 수 있고, 피처리기판 표면에 서리가 부착하는 것을 방지할 수 있으며, 건조처리시에 약액처리에 의한 악영향을 받는 일이 없고, 또 설계의 자유도가 높아 세정처리의 최적화나 장치의 말할 필요도 없는 소형화 등을 도모할 수 있으며, 더욱이 보다 효율좋게 건조처리를 행할 수 있다.

Claims (15)

  1. 피처리기판을 헹굼액으로 헹구는 헹굼수단과,
    상기 헹굼수단에 의해 헹구어진 피처리기판을 냉각하면서 건조하는 건조수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  2. 피처리기판을 헹굼액으로 헹구는 헹굼수단과,
    상기 헹굼수단에 의해 헹구어진 피처리기판에 대해 냉각한 유기용제와 불활성 가스의 혼합가스를 내뿜는 분출수단,
    상기 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체를 내뿜어 건조하는 건조수단 및,
    상기 건조수단에 의해 건조된 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 상온의 기체를 내뿜어 상온화하는 상온화수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  3. 피처리기판을 헹굼액으로 헹구는 공정과,
    상기 헹구어진 피처리기판을 냉각하면서 건조하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  4. 피처리기판을 헹굼액으로 헹구는 공정과,
    상기 헹구어진 피처리기판에 대해 냉각한 유기용제와 불활성 가스의 혼합가스를 내뿜는 공정,
    상기 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체를 내뿜어 건조하는 공정 및,
    상기 불활성 가스로 건조된 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 상온의 기체를 내뿜어 상온화하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  5. 처리액을 저유하고, 저유한 처리액에 피처리기판이 침적되는 처리조와,
    상기 처리조의 위쪽에 배치되고, 처리조와의 사이에 피처리기판을 이송하기 위한 개폐자재의 개구부가 형성된 건조실,
    상기 개구부를 매개해서 처리조와 건조실과의 사이에서 피처리기판을 이송하는 이송수단 및,
    상기 건조실내에 배치되고, 상기 피처리기판에 대해 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 내뿜는 기체분출수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 처리조와 상기 건조실의 사이에 배치되고, 상기 처리조로부터 상기 건조실로 이송되는 상기 피처리기판에 대해 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 내뿜는 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 건조실내에 배치된 냉각수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 기체분출수단이 상기 피처리기판에 대해 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 상기 건조실내의 상부로부터 다운플로우상태로 내뿜는 것이고,
    상기 기체분출수단에 의해 분출된 불활성 가스를 함유한 기체를 상기 건조실내의 하부로부터 배출하는 기체배출수단을 더 구비하고,
    이 기체배출수단이 상기 기체를 상기 건조실로부터 배출하는 배출구를 갖춘 것을 특징으로 하는 세정장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 배출구에 연통하고, 상기 기체분출수단으로부터 분출된 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 상기 건조실내의 하부로부터 취입하기 위한 복수의 취입구를 갖춘 정류수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  10. 제5항에 있어서, 상기 처리조에 저유되는 처리액이 탈기처리(脫氣處理)된 헹굼액인 것을 특징으로 하는 세정장치.
  11. 제5항에 있어서, 상기 처리조에 저유되는 처리액이 냉각된 헹굼액인 것을 특징으로 하는 세정장치.
  12. 처리액을 저유하고, 저유한 처리액에 피처리기판이 침적되는 처리조와,
    상기 처리조의 위쪽에 배설되고, 상기 처리조와의 사이에 상기 피처리기판을 이송하기 위한 개폐자재의 개구부가 형성된 건조실,
    상기 개구부를 매개해서 상기 처리조와 상기 건조실과의 사이에서 상기 피처리기판을 이송하는 이송수단,
    상기 처리조로부터 상기 건조실로 이송된 피처리기판에 대해 유기용제와 불활성 가스의 혼합가스를 냉각한 기체를 내뿜는 분출수단,
    상기 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체를 내뿜어 건조하는 건조수단 및,
    상기 건조수단에 의해 건조된 상기 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 상온의 기체를 내뿜어 상온화하는 상온화수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정장치.
  13. (a) 처리액이 저유된 처리조에 피처리기판을 침적하는 공정과,
    (b) 상기 처리조로부터 이 처리조의 위쪽에 배치된 건조실내로 개폐자재의 개구부를 매개해서 상기 피처리기판을 이송하는 공정,
    (c) 상기 건조실내로 상기 피처리기판을 이송한 후에 상기 개구부를 닫는 공정 및,
    (d) 상기 건조실내로 이송된 상기 피처리기판에 대해 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 내뿜는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  14. (a) 처리액이 저유된 처리조에 피처리기판을 침적하는 공정과,
    (b) 상기 처리조로부터 이 처리조의 위쪽에 배치된 건조실내로 개폐자재의 개구부를 매개해서 상기 피처리기판을 이송하는 공정,
    (c) 상기 건조실내로 상기 피처리기판을 이송한 후에 상기 개구부를 닫는 공정 및,
    (d) 상기 건조실내로 이송된 상기 피처리기판에 대해 냉각된 불활성 가스를 함유한 기체를 내뿜는 공정,
    (e) 상기 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 냉각된 기체를 내뿜어 상기 피처리기판을 건조하는 공정 및,
    (f) 상기 불활성 가스로 건조된 피처리기판에 대해 불활성 가스를 함유한 상온의 기체를 내뿜어 상기 피처리기판을 상온화하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 세정방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 (b)공정보다 전에, 상기 건조실내를 미리 희박하고 냉각한 유기용제의 분위기로 해 두는 것을 특징으로 하는 세정방법.
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