KR100419561B1 - 웨이퍼 세정 및 건조 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 세정 및 건조 장치에 관한 것으로, 반도체 소자의 제조 공정중 세정 공정과 건조 공정을 하나의 장치에서 간단하면서도 용이하게 실시할 수 있는 웨이퍼 세정 및 건조 장치에 관한 것이다. 본 발명의 웨이퍼 세정 및 건조 장치는 웨이퍼의 세정을 위한 세정 존과, 갭 레일에 의해 수평 이동하여 세정 존과 분리 및 결합하며 상부에 스프레이 모듈이 구비된 건조 존을 포함하여 구성된다. 세정 존은 세정액 또는 순수를 공급하는 하이 플로우 모듈 및 원 웨이 스트림 모듈과, 세정액 또는 순수를 배수하는 패스트 드레인 모듈로 이루어져 웨이퍼를 세정 및 린스 시키는 기능을 한다. 건조 존은 스프레이 모듈로부터 공급되는 극성유기용매의 증기와 불활성 캐리어 가스를 수용하여 웨이퍼를 건조시키는 기능을 한다.

Description

웨이퍼 세정 및 건조 장치{Apparatus for cleaning and drying a wafer}
본 발명은 웨이퍼 세정 및 건조 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 소자의 제조 공정중 웨이퍼 세정(cleaning) 및 건조(drying) 공정을 하나의 장치에서 간단하면서도 용이하게 실시할 수 있는 웨이퍼 세정 및 건조 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정뿐만 아니라 액정 표시기(LCD) 및 웨이퍼 기판 제조 공정에 있어, 웨이퍼 세정 공정 및 웨이퍼 건조 공정은 필수적인 공정이다. 통상 웨이퍼 세정 공정은 세정조(cleaning bath)를 사용하며, 웨이퍼 건조 공정은 건조기(dryer)를 사용한다.
웨이퍼 세정 공정은 이전 공정중에 발생된 파티클(particle), 금속성 불순물(metallic impurity), 자연 산화물(native oxide)과 같은 오염 요소들을 제거하기 위한 공정으로, 세정조에 세정액을 채운 후에 웨이퍼를 세정액에 넣어 이들 오염 요소를 먼저 제거한 다음 순수 등을 이용하여 린스(rinse)시키는 공정이다. 세정 공정을 완료한 후에는 웨이퍼에 존재하는 순수나 습기를 제거하기 위하여 웨이퍼를 건조기로 옮긴 다음 건조 공정을 실시한다. 이와 같이 기존에는 웨이퍼 세정 공정 및 웨이퍼 건조 공정을 별개의 장비에서 실시하였다.
웨이퍼를 건조시키기 위한 건조기로는 회전 건조기(spin dryer)나 키몬 건조기(kimmon dryer)가 널리 사용되고 있다. 회전 건조기를 이용한 웨이퍼 건조 방법은 회전판의 회전에 의한 원심력을 이용하는데, 웨이퍼가 회전하면서 발생되는 물리적인 힘에 의해 웨이퍼가 파손될 염려가 있을 뿐만 아니라, 회전판의 회전으로 인해 기계부에서 파티클이 발생되어 웨이퍼를 오염시키는 문제가 있다. 키몬 건조기를 이용한 웨이퍼 건조 방법은 증기 발생장치를 구비시켜 극성유기용매(polar organic solvent)인 이소프로필알콜(Isopropyl Alcohol, IPA)을 약 200℃ 이상 가열하여 증기화시켜 웨이퍼의 표면에 존재하는 순수나 습기를 이소프로필알콜증기(IPA vapor)로 치환(substitution)시키고, 가열된 질소(hot N2)를 사용하여 웨이퍼를 건조시킨다. 그런데, 키몬 건조기를 사용한 건조 방법은 이소프로필알콜의 발화점이 약 22℃ 이므로 화재의 위험이 매우 클 뿐만 아니라, 고안의 증기를 이용하므로 웨이퍼 상에 포토레지스트 패턴이 존재할 경우 포토레지스트 패턴에 손상(attack)을 입히게 되며, 손상된 포토레지스트 패턴으로 인하여 건조기 자체를 오염시키는 문제가 있다.
한편, 'STEAG'사에서 'US Patent, No. 5569330, Oct. 29, 1996'을 통해 웨이퍼 건조기를 발표하였는데, 이 건조기는 초기에 지지 장치(support device)인 캐리어가 웨이퍼를 지지하는 상태에서 블레이드(blade)를 이용하여 상승시켜 건조를 수행하며, 건조된 부분은 지지 장치에서 이탈되어 있으므로 후드(Hood)는 증기 공급 이외에도 블레이드에 의해 이탈된 웨이퍼를 지지해주는 가이드(guide)의 장착이 필수적이다. 그러므로 내부 장치가 복잡해지고 캐리어와 가이드와의 정렬이 안된 경우에는 블레이드로 웨이퍼를 상승시킬 때 파손될 염려가 크며, 실제로 자주 발생하고 있다. 또한, 이 건조기는 블레이드를 이용하여 웨이퍼를 수면위로 상승시켜야 하므로 웨이퍼가 칩핑(chipping)될 염려가 있는 동시에 웨이퍼의 플렛 존(flat zone)이나 노치(notch) 부분은 블레이드와 접촉하면 안되므로 항상 웨이퍼의 정렬을 필요로 한다. 후드는 상하운동을 통하여 욕조(bath)위에 위치하게 되므로 미리 설정된 욕조와 후드와의 간극의 재현성을 유지시키기 힘들며, 지지 장치와 후드내의 가이드의 정렬이 변화할 가능성이 높다. 이와 같이 정렬이 되지 않았을 경우에는 웨이퍼가 파손되는 문제가 발생한다. 또한, 이 건조기는 욕조의 제일 하단 중앙부분에 위치한 파이프(pipe)에서 순수가 공급되므로 와류가 발생되며, 블레이드에 의해 간섭을 받게되는 부분이 생기게 되어 린스가 효율적이지 못하다. 또한, 이 건조기는 후드와 콘테이너(Container)의 간극이 2~3mm로 넓어, IPA의 증기가 장비 외부로 유출되는 양이 많은 동시에 후드에서 캐리어 가스나 IPA 증기가 나오지 않을 때 외부의 파티클이 용기 내로 유입되어 웨이퍼에 부착될 소지가 많다. 또한, 'STEAG'사의 건조기는 웨이퍼가 고정되는 지지 장치(support device)와 웨이퍼의 건조를 위한 블레이드(blade)가 별도로 구성되어 구조가 복잡해져서 장비의 유지 관리상 번거로움이 많고, 더욱이 웨이퍼 건조 후에 블레이드와 지지 장치는 순수속에 있으므로 추가적으로 IPA 증기를 공급하면서 슬로우 드레인(slow drain)을 수행해야 블레이드와 지지 장치가 완전히 건조되기 때문에 공정시간이 10분 이상 소요될 수밖에 없다.
따라서, 본 발명은 반도체 소자의 제조 공정중 웨이퍼 세정 공정 및 건조 공정을 하나의 장치에서 간단하면서도 용이하게 실시할 수 있는 웨이퍼 세정 및 건조장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 및 건조 장치는 웨이퍼의 세정을 위한 세정 존과, 상기 세정 존과 분리 및 결합하며 상부에 스프레이 모듈이 구비된 건조 존과, 웨이퍼를 수용하여 상기 세정 존과 상기 건조 존 사이를 상하 운동하는 슬롯터와, 상기 세정 존과 상기 건조 존 사이에서 이들 존을 분리 및 결합시키는 갭 레일을 포함하여 구성된 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 및 건조 장치의 구성도.
도 2a 내지 도 2d는 도 1의 장치를 이용한 웨이퍼 세정 및 건조 방법을 설명하기 위한 장치의 단면도.
＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞
10: 세정 존 12: 하이 플로우 모듈
14: 원 웨이 스트림 모듈 16: 패스트 드레인 모듈
18 : 컨덕터미터 20: 건조 존
22: 스프레이 모듈 30: 슬롯터
40: 갭 레일 50: 웨이퍼
60: 세정액 70: 순수
80: 극성유기용매 82: 극성유기용매층
90: 불활성 가스
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 세정 및 건조 장치의 구성도 이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 웨이퍼 세정 및 건조 장치는 웨이퍼(50)의 세정을 위한 세정 존(cleaning zone, 10)과, 갭 레일(gap rail, 40)에 의해 수평 이동하여 세정 존(10)과 분리 및 결합하며 상부에 스프레이 모듈(spray module; 22)이 구비된 건조 존(drying zone; 20)을 포함하여 구성된다.
세정 존(10)은 세정액 또는 순수를 공급하는 하이 플로우 모듈(high flow module; 12) 및 원 웨이 스트림 모듈(one way stream module; 14)과, 세정액 또는 순수를 빠르게 배수시키는 패스트 드레인 모듈(fast drain module; 16)로 이루어져 웨이퍼(50)를 세정 및 린스 시키는 기능을 한다. 또한, 세정 존(10)에는 웨이퍼(50)를 린스(rinse) 할 때 순수의 전도도를 측정하여 일정 이상의 비저항 값이 일정 시간 동안 유지되면 자동적으로 치환 및 건조 단계로 넘어가도록 하는 컨덕터미터(conductometer; 18)가 설치된다.
하이 플로우 모듈(12)은 세정 존(10)의 저면에 구비되어 세정 존(10)에 세정액 또는 순수를 공급하는 역할을 하며, 세정 존(10)에서 웨이퍼(50)의 세정 및 린스 작용으로 활성화시키기 위해 세정액 또는 순수를 30~70L/min의 하이 플로우로 공급한다.
원 웨이 스트림 모듈(14)은 세정 존(10)의 상단부로부터 5~30mm 아래쪽에 위치되며, 세정 존(10)에 채워진 세정액 또는 순수를 일 방향으로 원 웨이 스트림 시킨다. 원 웨이 스트림 모듈(14)은 스트림 노즐(nozzle)을 일정 각도로 상하 조절이 가능하도록 하여 세정액이나 순수가 수평 방향으로만 원 웨이 스트림 하는 것을 배제시킨다.
패스트 드레인 모듈(16)은 세정 존(10)의 하단에 구비되어 웨이퍼 세정 공정이 완료되면 세정액을 약 30초 이내로 빠르게 세정 존(10)으로부터 완전히 배수시키고, 웨이퍼 건조 공정이 완료되면 순수를 약 30초 이내로 빠르게 세정 존(10)으로부터 완전히 배수시킨다.
컨덕터미터(18)는, 세정 존(10)에서 1차로 세정액에 의한 웨이퍼 세정 공정이 끝나면 2차로 순수에 의한 웨이퍼 린스 공정이 진행되는데, 웨이퍼 린스 공정 동안 순수의 전도도를 측정하여 순수의 비저항 값이 15㏁ 이상, 바람직하게는 15~50㏁, 더욱 바람직하게는 15~30㏁이 5초 이상 유지, 바람직하게는 5∼60초, 더욱 바람직하게는 5~30초 동안 유지되면, 자동적으로 치환 및 건조 단계로 넘어가도록 한다.
슬롯터(30)는 다수의 웨이퍼(50)를 수용하여, 세정 존(10)과 건조 존(20) 사이를 상하 운동한다. 세정 및 건조가 필요한 웨이퍼(50)가 수용된 슬롯터(30)는 세정 존(10)에 위치되며, 세정 존(10)의 컨덕터미터(18)로부터 웨이퍼 린스 공정이 완료되었다는 신호를 받아 건조 존(20)으로의 상승 운동을 시작하고, 건조 존(20)에서 웨이퍼 건조 공정이 완료되면 하강 운동을 하여 최초의 위치로 복귀한다.
건조 존(20)은 최초 세정 존(10)으로부터 분리되어 있다가, 세정액이 배수되고 순수가 세정 존(10)에 공급되면 갭 레일(40)을 따라 수평 이동하여 세정 존(10)과 결합하게 된다. 세정 존(10)이 순수로 채워져 웨이퍼 린스 공정이 진행되면 스프레이 모듈(12)은 극성유기용매의 증기와 불활성 캐리어 가스를 건조 존(20)에 공급하여 건조 존(20)을 극성유기용매의 증기로 포화상태가 되게 한다. 슬롯터(30)에 수용된 웨이퍼(50)가 건조 존(20)으로 들어오는 순간부터 웨이퍼(50)의 표면에 존재하는 순수나 습기는 극성유기용매의 증기로의 치환이 이루어지고, 웨이퍼로부터 제거되며, 마지막 단계에서는 스프레이 모듈(12)로부터 불활성 캐리어 가스만이 공급되어 웨이퍼의 완전한 건조가 이루어진다.
한편, 갭 레일(40)은 세정 존(10)과 건조 존(20) 사이의 갭이 0.5mm이하, 바람직하게는 0.1~0.5mm, 더욱 바람직하게는 0.3~0.5mm가 되도록 컨트롤(control)하여, 세정 존(10)에 공급되는 순수가 오버 플로우(over flow)로 배수되도록 한다.
도 2a 내지 도 2d는 도 1의 장치를 이용한 웨이퍼 세정 및 건조 방법을 설명하기 위한 장치 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 세정 존(10)과 건조 존(20)이 분리된 상태에서, 이전 공정중에 발생된 파티클(particle), 금속성 불순물(metallic impurity), 자연산화물(native oxide)과 같은 오염 요소들을 제거하기 위하여, 슬롯터(30)에 다수의 웨이퍼(50)를 수용하고, 하이 플로우 모듈(12)을 통해 세정액(60)을 세정조(10)에 공급한다.
상기에서, 하이 플로우 모듈(12)은 웨이퍼(50)의 정렬이 흐트러지지 않을 정도로 세정액(60)을 30~70L/min으로 계속 공급하여 웨이퍼(50)의 표면에 존재하는 오염 물질 제거 효과를 극대화한다. 원 웨이 스트림 모듈(14)을 통해서도 세정액(60)을 약 50L/min 이하로 공급하게 되는데, 세정액(60)을 일 방향으로 원웨이 스트림 시킴에 의해 하이 플로우 모듈(12)과 함께 오염 물질 제거 효과를 극대화시킨다. 원 웨이 스트림 모듈(14)은 스트림 노즐을 일정 각도로 상하 조절이 가능하도록 하여 세정액이나 순수가 수평 방향으로만 원 웨이 스트림 하는 것을 배제시켜 오염 물질 제거 효과를 더욱 극대화시킨다. 세정 조(10)에 계속적으로 공급되는 세정액(60)은 세정 존(10)의 상단부를 통해 오버 플로우(over flow)로 배수되며, 이로 인하여 웨이퍼(50)로부터 떨어져 나온 오염 물질들은 세정액(60)과 함께 세정 존(10) 밖으로 나가게된다.
도 2b를 참조하면, 세정액(60)에 의한 웨이퍼 세정 공정이 완료되면, 패스트 드레인 모듈(16)을 통해서 세정액(60)을 세정 존(10)으로부터 빠르게 배수시키고, 하이 플로우 모듈(12)을 통해 순수(70)를 세정 조(10)에 공급하여 웨이퍼 린스 공정을 진행한다. 건조 존(20)은 최초 세정 존(10)으로부터 분리되어 있다가, 세정액(60)이 배수되고 순수(70)가 세정 존(10)에 공급되면 갭 레일(40)을 따라 수평 이동하여 세정 존(10)과 결합하게 된다. 세정 존(10)이 순수(70)로 채워져 웨이퍼 린스 공정이 진행되면 스프레이 모듈(12)은 극성유기용매(80)의 증기와 불활성 캐리어 가스(90)를 건조 존(20)에 공급하여 건조 존(20)이 극성유기용매(80)의 증기로 포화상태가 되게 한다. 극성유기용매(80)는 순수(70)에 녹아 들어가 수면에 극성유기용매층(82)을 형성하게 된다. 건조 존(20)이 계속 포화상태가 유지되도록극성유기용매(80)의 증기 및 불활성 캐리어 가스(90)는 계속 공급된다.
상기에서, 하이 플로우 모듈(12)은 웨이퍼(50)의 정렬이 흐트러지지 않을 정도로 순수(70)를 30~70L/min으로 계속 공급하여 웨이퍼(50)의 표면에 존재하는 오염 물질 제거 효과를 극대화한다. 원 웨이 스트림 모듈(14)을 통해서도 세정액(60)을 약 50L/min 이하로 공급하게 되는데, 세정액(60)을 일 방향으로 원 웨이 스트림시킴에 의해 하이 플로우 모듈(12)과 함께 오염 물질 제거 효과를 극대화시킨다. 원 웨이 스트림 모듈(14)은 스트림 노즐을 일정 각도로 상하 조절이 가능하도록 하여 세정액이나 순수가 수평 방향으로만 원 웨이 스트림 하는 것을 배제시켜 오염물질 제거 효과를 더욱 극대화시킨다. 세정 조(10)에 계속적으로 공급되는 순수(70)는 세정 존(10)과 건조 존(20) 사이의 갭 레일(40)에 의한 갭을 통해 오버 플로우(over flow)로 배수되며, 이로 인하여 웨이퍼(50)로부터 떨어져 나온 오염물질들은 순수(70)와 함께 세정 존(10) 밖으로 나가게된다.
극성유기용매(80)는 비등점이 90℃ 미만이며 비중이 1 이하인 전기 음성도(electro-negativity)가 큰 작용기(functional group)를 포함하는 물질, 예를 들어, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), 이소프로필알콜(isopropyl alcohol), 아세톤(acetone), 아세톤니트릴(acetonitrile), 1.1.1-트라이클로로에탄(1,1,1--trichloroetane), 등이다. 여기서, 작용기는 하이드록실기(hydroxyl group; -OH), 카르보닐기(carbonyl group; -C=O), 시안기(cyan group; -CN), 핼리드기(halide group; -F, -Cl, -Br, -I), 니트로기(nitro group;-NO2), 아지드기(azide group; -N3) 등이 있다. 극성유기용매층(82)은 공급되는 극성유기용매(80)의 증기가 순수(70)보다 표면 장력이 낮아 수면 위에 형성된다.
도 2c를 참조하면, 세정 존(10)에 설치된 컨덕터미터(18)는 웨이퍼 린스 공정 동안 순수(70)의 전도도를 측정하여 순수의 비저항 값이 15㏁ 이상, 바람직하게는 15~50㏁, 더욱 바람직하게는 15~30㏁이 5초 이상 유지, 바람직하게는 5~60초, 더욱 바람직하게는 5∼30초 동안 유지되면, 자동적으로 치환 및 건조 단계로 넘어가도록 한다. 즉, 슬롯터(30)는 컨덕터미터(18)로부터 웨이퍼 린스 공정이 완료되었다는 신호를 받아 상승 운동을 시작하여 웨이퍼(50)가 수면으로 올라오게 된다. 수면에서는 갭 레일(40)의 갭을 통해 순수(70)가 세정 존(10) 외부로 오버 플로우로 배수되면서 순수(70)의 흐름이 유발될 뿐만 아니라 웨이퍼(50)로부터 떨어져 나온 오염 물질들이 제거되고, 또한 원 웨이 스트림 모듈(14)에서 원 웨이 스트림이 일어나 웨이퍼(50)의 표면에 존재하는 오염 물질들을 최종적으로 제거시키게 된다. 슬롯터(30)가 계속 상승함에 따라 웨이퍼(50)는 극성유기용매층(82)을 통과하게 되는데, 이때 웨이퍼(50)의 표면에 존재하는 순수나 습기는 극성유기용매(80)의 증기로 치화되기 시작한다. 웨이퍼(50)가 극성유기용매(80)의 증기가 포화상태인 건조 존(20)으로 들어감에 따라 웨이퍼(50)의 표면에 존재하는 순수나 습기는 극성유기용매(80)의 증기로의 치환이 이루어진다.
슬롯터(30)가 계속 상승하여 웨이퍼(50)가 건조 존(20) 내에 존재하게 되며, 이때 웨이퍼(50)는 극성유기용매(80)의 증기와 불활성 캐리어 가스(90)에 완전히둘러싸이게 된다. 웨이퍼(50)의 표면에 존재하는 순수나 습기를 극성유기용매(80)의 증기로 완전히 치환시키기 위하여, 스프레이 모듈(22)로부터 극성유기용매(80)의 증기가 계속 공급되며, 이때 불활성 캐리어 가스(90)도 계속 공급시켜 극성유기용매(80)의 증기가 웨이퍼(50)에 흡착(absorption)되고 유리(desorption)되는 것이 평형상태(equilibrium state)로 유지되게 한다. 극성유기용매(80)의 증기와 불활성 캐리어 가스(90)는 평형상태를 이루게 하는 요소(elements)이다. 치환이 완료되기까지 건조 존(20)은 극성유기용매(80)의 증기로 항상 포화상태이며, 치환이 완료되어 극성유기용매(80)의 증기가 흡착되어 있는 웨이퍼(50)의 주변 지역은 극성유기용매(80)의 증기, 수증기, 이들의 공비혼합물(Azeotropic mixture)의 증기가 존재하게 된다.
도 2d를 참조하면, 극성유기용매(80)의 증기가 웨이퍼(50)와의 흡착 및 유리메커니즘이 평형을 이루고 있는 상태에서, 스프레이 모듈(22)로부터 극성유기용매(80)의 증기 공급을 중단하고, 불활성 캐리어 가스(90)만을 건조 존(20)에 공급하여 평형상태가 유리쪽으로 이동하여 (Le'Chatelier의 법칙)웨이퍼(50)에 흡착된 극성유기용매(80)의 증기가 제거되면서 웨이퍼(50)가 완전히 건조된다. 이때, 공급되는 불활성 캐리어 가스(90)의 온도가 너무 높으면 세정 존(10)의 순수(70)가 기화하여 웨이퍼(50)에 다시 응결될 수 있으므로, 불활성 캐리어 가스의 온도는 80℃ 이하, 바람직하게는 20 ~ 80℃의 온도 범위가 적절하다.
이후, 건조 존(20)에서 웨이퍼 건조 공정이 완료되면, 패스트 드레인모듈(16)을 통해 순수는 완전히 배수되고, 건조된 웨이퍼(50)가 수용된 슬롯터(30)는 하강되고, 건조 존(20)은 갭 레일(40)에 의해 수평 이동하여 세정 존(10)과 분리된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 웨이퍼 세정 및 건조 장치는 반도체 소자의 제조 공정중 웨이퍼 세정 공정 및 건조 공정을 하나의 장치에서 간단하면서도 용이하게 실시할 수 있어 생산성 향상 및 수율을 증대시킬 수 있다.

Claims (8)

  1. 저면 전체에 구비되어 순수를 공급하는 하이 플로우 모듈, 상단 일측부에 설치되어 순수를 일 방향으로 원 웨이 스트림 시키는 원 웨이 스트림 모듈, 저면 일부에 구비되어 순수를 배수하는 패스트 드레인 모듈, 및 순수에 잠기도록 설치되며 순수의 전도도를 측정하여 일정 비저항 값이 일정 시간 동안 유지되면 치환 및 건조 단계로 넘어가도록 하는 컨덕터미터를 포함하는 세정 존과,
    상기 세정 존과 분리 및 결합하며 상부에 스프레이 모듈이 구비된 건존 존과,
    웨이퍼를 수용하여 상기 세정 존과 상기 건조 존 사이를 상하 운동하는 슬롯터와,
    상기 세정 존과 상기 건조 존 사이에서 이들 존을 분리 및 결합시키는 갭 레일을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 및 건조 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하이 플로우 모듈은 세정액 또는 순수를 30~70L/min으로 상기 세정 존에 공급하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 및 건조 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 원 웨이 스트림 모듈은 상기 세정 존의 상단부로부터 5~30mm 아래쪽에 위치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 및 건조 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 컨덕터미터는 상기 세정 존에서 웨이퍼 린스 공정 동안 순수의 전도도를 측정하여 순수의 비저항 값이 15~50㏁ 범위에서 5~60초 동안 유지되면, 상기 슬롯터에 신호를 보내어 상기 슬롯터가 상승 운동을 하도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 및 건조 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 건조 존은 상기 세정 존에서 세정액이 배수되고 순수가 공급되면 상기 갭 레일을 따라 이동하여 상기 세정 존과 결합하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 및 건조 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 스프레이 모듈은 상기 세정 존이 순수로 채워져 웨이퍼 린스 공정이 진행되면 극성유기용매의 증기와 불활성 캐리어 가스를 상기 건조 존에 공급하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 및 건조 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 갭 레일은 상기 세정 존과 상기 건조 존 사이의 갭이 0.5~0.1mm범위가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 및 건조 장치.
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