JP2003297794A

JP2003297794A - 基板処理装置および基板処理方法

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Publication number: JP2003297794A
Application number: JP2002095694A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Motomura; 雅洋基村
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-03-29
Filing date: 2002-03-29
Publication date: 2003-10-17
Anticipated expiration: 2022-03-29
Also published as: JP3892749B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】ウォーターマークを発生させることなく、し
かも乾燥処理に要するコストの上昇を抑制することがで
きる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】洗浄処理の終了した基板Ｗを、ローター
３０に保持して回転させながら、乾燥剤吐出ノズル５０
からフッ素系溶剤であるＨＦＥ（ハイドロフルオロエー
テル）を供給することにより、基板Ｗ上の純水は、回転
による遠心力によって振り切られ、ＨＦＥは基板Ｗ上に
形成された微細パターン内部に入り込んだ水滴とともに
速やかに蒸発する。そのため、微細パターン内部の乾燥
不良を抑制しつつ、乾燥性能を向上させることができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、純水等の処理液に
よる洗浄処理が終了した半導体基板、液晶表示装置用ガ
ラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基
板等（以下、「基板」と称する）を乾燥させる基板処理
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板処理装置では、種々の薬液による薬
液処理、純水による洗浄処理等の表面処理が順次実施さ
れる。そして、純水による仕上げの洗浄が行われた後
に、最終の処理として乾燥処理が実行される。このよう
な基板の乾燥処理として、例えば、基板１枚ずつに対し
て基板処理を施すいわゆる枚葉式の基板処理装置におい
て、従来より、基板を高速に回転させてその遠心力によ
り水分を基板上から振り切って除去する振り切り乾燥
（スピンドライ）が知られている。

【０００３】しかし、この振り切り乾燥では、近年の半
導体デバイス構造の複雑化に伴い、ウォーターマークと
呼ばれる乾燥不良が問題となっている。ウォーターマー
クとは、基板表面に付着した水分が基板の素材であるシ
リコンおよび空気中の酸素と反応して生じる乾燥シミで
あり、基板表面に水分が付着している時間が長いほど発
生しやすい。

【０００４】そこで、純水より表面張力が小さく、か
つ、蒸発潜熱の小さい有機溶剤であるイソプロピルアル
コール（以下、「ＩＰＡ」とも呼ぶ）を基板に吹きつけ
つつ、基板を回転させて乾燥させる方式も提案されてい
る。ＩＰＡは、純水と比較して表面張力が小さく、浸透
性が高いため、基板上に形成されたトレンチ構造等の微
細パターン内部に入り込んだ水滴を容易に乾燥すること
ができる。また、ＩＰＡは純水と比較して蒸発潜熱が小
さく乾燥速度が速い。これらの理由により、基板を回転
しつつ基板上にＩＰＡを吹き付ける乾燥方式では、基板
上の微細パターン内部に入り込んだ水滴を排水しつつ、
基板上の水滴を振り切るため、基板表面に水分が付着し
ている時間を短縮して、ウォーターマークの発生を抑制
し、乾燥性能を向上させることができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩＰＡ
のように環境に負荷を与える物質は、そのまま外部に放
出することができず、所定の排液処理を施して無害な物
質とする必要があるため、基板処理のコストが上昇する
といった問題が生じる。また、ＩＰＡを使用する場合、
防爆構造等の特別な安全機構を設ける必要があるため、
基板処理装置が大型化し、さらに、基板処理装置の製造
コストが上昇するといった問題も生じる。

【０００６】また、近年の半導体のさらなる微細化・複
雑化にともない、ＩＰＡを使用しても、微細パターン内
部に入り込んだ水滴を排水することが困難な場合も生じ
ている。

【０００７】そして、このようなＩＰＡを使用した乾燥
処理の問題は、枚葉式の基板処理装置に限らず、複数の
基板に対して一度に基板処理を行うバッチ式の基板処理
装置においても生じる問題である。

【０００８】そこで、本発明は、乾燥剤を供給しながら
乾燥する基板処理装置において、微細化・複雑化された
構造を有する基板であってもウォーターマークを発生さ
せることなく、しかも乾燥処理に要するコストの上昇を
抑制することができる基板処理装置および基板処理方法
を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく、
請求項１に記載の発明は、処理液による洗浄処理が終了
した基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、基板
を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板
を回転する回転手段と、前記回転手段を用いて基板を回
転させつつ、処理液が付着した基板にフッ素系溶剤を主
剤とする乾燥剤を供給する溶剤供給手段と、を備えるこ
とを特徴とする。

【００１０】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置であって、処理液を貯留し、前記処理液
中に基板を浸漬して所定の基板処理を行う処理槽と、前
記基板処理が終了した基板を前記処理槽から引き揚げ
て、前記保持手段に受け渡す引き揚げ手段と、をさらに
備え、前記保持手段は、基板を略鉛直姿勢にて保持し、
前記回転手段は、略水平方向に沿った回転軸を中心とし
て基板を保持した前記保持手段を回転させることを特徴
とする。

【００１１】請求項３に記載の発明は、請求項１に記載
の基板処理装置であって、１枚の基板に対して処理液を
吐出して所定の基板処理を行う処理液吐出手段、をさら
に備え、前記保持手段は、１枚の基板を略水平姿勢にて
保持し、前記回転手段は、略鉛直方向に沿った回転軸を
中心として１枚の基板を保持した前記保持手段を回転さ
せることを特徴とする。

【００１２】請求項４に記載の発明は、請求項１ないし
請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前
記保持手段に保持された基板に前記溶剤供給手段から乾
燥剤を供給する際に、前記回転手段による基板の回転数
を減少させる回転数制御手段をさらに備えることを特徴
とする。

【００１３】請求項５に記載の発明は、請求項１ないし
請求項４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前
記溶剤供給手段は、乾燥剤の蒸気を基板に供給すること
を特徴とする。

【００１４】請求項６に記載の発明は、請求項１ないし
請求項５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前
記フッ素系溶剤はハイドロフルオロエーテルであること
を特徴とする。

【００１５】請求項７に記載の発明は、請求項１ないし
請求項６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前
記乾燥剤は、前記フッ素系溶剤とイソプロピルアルコー
ルとを混合した溶剤であることを特徴とする。

【００１６】請求項８に記載の発明は、処理液による洗
浄処理が終了した基板の乾燥処理を行う基板処理方法で
あって、基板を回転させつつ、処理液が付着した基板に
フッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する溶剤供給工
程を備えることを特徴とする。

【００１７】請求項９に記載の発明は、処理液による洗
浄処理が終了した基板の乾燥処理を行う基板処理装置で
あって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保
持された基板を回転する回転手段と、前記回転手段を用
いて基板を回転させつつ、処理液が付着した基板にシリ
コーン系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する溶剤供給手
段と、を備えることを特徴とする。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１９】＜１．第１実施形態＞ (1) 基板処理装置の構成まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１
に、本発明の第１実施形態における基板処理装置１００
の正面図を、図２に、図１に示す基板処理装置１００の
側面図を、図３に、図１に示す基板処理装置１００の構
成要素であるローター３０の斜視図をそれぞれ示す。な
お、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確
にするため必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ
平面を水平平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。

【００２０】第１実施形態における基板処理装置１００
は、いわゆるバッチ式の基板処理装置であり、一度に複
数の基板処理を施すことができるため、基板処理のスル
ープットを向上させることができる。図１に示すよう
に、基板処理装置１００は、フッ酸等の薬液や純水（以
下、「処理液」とも呼ぶ）を貯留した処理槽１０に、複
数の基板Ｗを略鉛直姿勢にて保持して浸漬し、所定の基
板処理を行うものであり、主として、収容器１、処理槽
１０、リフター２０およびローター３０を備えている。

【００２１】収容器１は、その内部に処理槽１０、リフ
ター２０、ローター３０、窒素ガス吐出ノズル４０、乾
燥剤吐出ノズル５０、純水吐出ノズル６０等を収容する
筐体である。収容器１の上部は図示を省略するスライド
式開閉機構によって開閉可能とされている。収容器１の
上部を開放した状態では、その開放部分から基板の搬出
入を行う。一方、収容器１の上部を閉鎖した状態では、
その内部を密閉空間とする。

【００２２】処理槽１０は、処理液を貯留して複数の基
板に順次表面処理を行う槽であり、収容器１の内部に収
容されている。処理槽１０の底部近傍には図示しない２
本の処理液吐出ノズルが配置されており、処理液を処理
槽１０に貯留することにより、所定の基板処理を行うこ
とができる。

【００２３】処理液は処理槽１０の底部から供給されて
処理槽１０の上端部から溢れ出る。このため、処理槽１
０の上端部には回収部１２が配置されており、処理槽１
０の上部から溢れ出た処理液の排液は回収部１２におい
て回収される。そして回収部１２で回収された排液と、
処理槽１０の底部から排出される排液とは、収容器１の
底部に連通接続された排液管１５を介して基板処理装置
１００外部の排液ドレイン１６へ排出される。なお、こ
の排液管１５を含めて、処理液等の液体の供給路や排出
路は配管によって構成されている。

【００２４】図２に示すように、リフター２０は、リフ
ターアーム２３、３本の保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃ
および昇降駆動部２２を備えている。昇降駆動部２２
は、リフターアーム２３を図１の矢印ＡＲ２（Ｚ軸方
向）に沿って昇降させる機能を有している。リフターア
ーム２３には、３本の保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃが
その長手方向が略水平（Ｙ軸方向）となるように固設さ
れており、３本の保持棒２１ａ、２１ｂ、２１ｃのそれ
ぞれには基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを略鉛直
姿勢にて保持する複数の保持溝が所定のピッチにて配列
して設けられている。それぞれの保持溝は、Ｙ方向に沿
って形成された切欠状の溝である。

【００２５】このような構成により、リフター２０は３
本の保持部２１ａ、２１ｂ、２１ｃによって相互に平行
に配列されて保持された複数の基板Ｗを処理槽１０内に
貯留されている処理液中に浸漬する浸漬位置（図１の実
線位置）と収容器１内における処理槽１０よりも上方の
引き揚げ位置（図１の一点鎖線位置）との間で昇降され
る。また、リフター２０は、基板Ｗを引き揚げ位置より
もさらに上方の受渡位置（装置外部の搬送ロボットとの
間で基板Ｗの受け渡しを行わせる位置）にまで上昇させ
る。

【００２６】図３に示すように、ローター３０は、上記
の引き揚げ位置に設けられており、モータ３１、回転板
３２および４本の保持アーム３３を備える。保持アーム
３３は柱状の部材であって、その長手方向がＹ軸方向に
沿うように回転板３２に取り付けられている。保持アー
ム３３は、Ｙ軸方向と平行であってかつその中心軸から
偏心した軸周りで揺動可能に回転板３２に取り付けられ
ている。４本の保持アーム３３は、図示省略のリンク機
構によって相互に連動して揺動するように構成されてお
り、図１の矢印ＡＲ１に示すように、引き揚げ位置に位
置する基板Ｗの端縁部に当接・押圧して当該基板Ｗを保
持する保持位置（図１の実線位置）と基板Ｗの端縁部か
ら離間して当該基板Ｗを開放する開放位置（図１の点線
位置）との間で揺動する。

【００２７】リフター２０からローター３０に基板Ｗを
渡すときには、リフター２０が上昇して基板Ｗを引き揚
げ位置に保持する。なお、リフター２０の昇降時におい
ては、保持アーム３３が開放位置に位置して保持アーム
３３の間を基板Ｗが通過可能となるようにされている。
リフター２０によって引き揚げ位置に基板Ｗが保持され
た状態において、保持アーム３３が開放位置から保持位
置まで揺動して基板Ｗの端縁部に当接し、基板Ｗを保持
する。この状態でリフター２０が降下しても基板Ｗは保
持アーム３３によってローター３０に保持された状態が
維持される。逆に、ローター３０からリフター２０に基
板Ｗを渡すときには、リフター２０が上昇して保持棒２
１ａ、２１ｂ、２１ｃがローター３０に保持された基板
Ｗの下端部に接触する。その状態にて保持アーム３３が
保持位置から開放位置まで揺動して基板Ｗの端縁部から
離間し、基板Ｗはリフター２０の３本の保持部２１ａ、
２１ｂ、２１ｃによって保持されることとなる。

【００２８】回転板３２の中心部はモータ３１の回転軸
３４に固設されている。これにより、モータ３１は回転
板３２、４本の保持アーム３３およびそれらに保持され
た複数の基板ＷをＹ軸周りにて回転させることができ
る。すなわち、ローター３０は、リフター２０から渡さ
れた複数の基板Ｗを保持して水平軸周りにて一斉に回転
させるものである。

【００２９】収容器１の内部には、上から順番に、窒素
ガス吐出ノズル４０、乾燥剤吐出ノズル５０および純水
吐出ノズル６０が、それぞれ２本ずつ設けられている。
図２に示すように、窒素ガス吐出ノズル４０、乾燥剤吐
出ノズル５０および純水吐出ノズル６０のそれぞれは、
Ｘ方向に沿って伸びる中空の管状部材であり、Ｘ方向に
等間隔にて配列された複数の吐出孔４０ａ、５０ａ、６
０ａをそれぞれ備えている。窒素ガス吐出ノズル４０に
設けられている複数の吐出口４０ａ、乾燥剤吐出ノズル
５０に設けられている複数の吐出口５０ａのそれぞれ
は、吐出方向が斜め下方向となるように、また、純水吐
出ノズル６０に設けられている複数の吐出口６０ａのそ
れぞれは、吐出方向が略水平方向となるように形成され
ている。

【００３０】また、２本の窒素ガス吐出ノズル４０は、
図１に示すように、配管４１（４１ａ、４１ｂ、４１
ｃ、４１ｄ）およびバルブ４２を介して窒素ガス供給源
４３と、２本の乾燥剤吐出ノズル５０は、配管５１（５
１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ）およびバルブ５２を介
して乾燥溶剤供給源５６と、純水吐出ノズル６０は、配
管６１（６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ）およびバル
ブ６２を介して純水供給源６３とそれぞれ連通接続され
ている。そのため、バルブ４２を開放することにより、
窒素ガス吐出ノズル４０から窒素ガスを吐出して、収容
器１内に窒素ガスを含む雰囲気を形成する。また、バル
ブ５２を開放することにより乾燥剤吐出ノズル５０から
乾燥溶剤（後述するＨＦＥ）を、バルブ６２を開放する
ことにより純水吐出ノズル６０から純水を吐出してロー
ター３０に保持された複数の基板Ｗに供給する。

【００３１】収容器１の内部で処理槽１０の下方には、
回収部１１が設けられており、乾燥剤吐出ノズル５０や
純水吐出ノズル６０から吐出される処理液、および処理
槽１０や回収部１２からの排液を回収するのに使用され
る。回収部１１は、処理槽１０や回収部１２と同様に、
収容器１の底部の排液管１５と連通接続されており、回
収部１１で回収された排液は基板処理装置１００外部の
排液ドレイン１６へ排出される。

【００３２】また、収容器１内の雰囲気は、収容器１と
連通接続された排気管１７を介して基板処理装置１００
外部の排気ドレイン１８に排気される。そのため、収容
器１内の圧力は一定圧力に保たれる。

【００３３】制御部７０は、プログラムや変数等を格納
するメモリ７１と、メモリ７１に格納されたプログラム
に従った制御を実行するＣＰＵ７２とを備えている。Ｃ
ＰＵ７２は、メモリ７１に格納されているプログラムに
従って、リフター２０の昇降制御、ローター３０の回転
制御、および各バルブの開閉制御等を所定のタイミング
で行う。

【００３４】(2) 基板の乾燥処理シーケンスここでは、第１実施形態の基板処理装置１００による基
板の乾燥処理シーケンスについて説明する。図４は、所
定の薬液処理が終了した複数の基板Ｗを、リフター２０
によって引き揚げ、リフター２０からローター３０に受
け渡した時刻ｔ０から乾燥処理が終了するまでの、バル
ブ４０、５０、６０の開閉状態およびローター３０の構
成要素であるモータ３１の回転数の一例を示すタイミン
グチャートである。

【００３５】時刻ｔ０より前の期間において、リフター
２０によって保持された基板Ｗは、処理槽１０に貯留さ
れる処理液に浸漬され、洗浄処理等の所定の基板処理が
施される。所定の基板処理が終了すると、複数の基板Ｗ
はリフター２０によって引き揚げ位置（図１の一点鎖線
位置）まで上昇させられ、リフター２０からローター３
０に受け渡される。この基板Ｗを浸漬位置（図１の実線
位置）から引き揚げ位置まで上昇させて保持するまでの
期間、窒素ガス供給源４３と連通しているバルブ４２が
開放されて、収容器１内の雰囲気は、窒素ガスで満たさ
れており、また、リフター２０は浸漬位置から引き揚げ
位置まで速やかに上昇させられるため、基板Ｗの表面に
付着した水分等により発生するウォーターマークを抑制
して、乾燥処理が施される引き揚げ位置まで基板Ｗを上
昇することができる。なお、収容器１内の雰囲気は、排
気管１７を介して基板処理装置１００外と連通接続され
ているため、窒素ガスが供給され続けても収容器１内の
圧力は一定に保たれる。

【００３６】時刻ｔ０において、停止しているモータ３
１の回転数ｎがｎ₀に設定され、ローター３０に保持さ
れている基板Ｗが回転し始める。なお、時刻ｔ０におい
ても、バルブ４２が開放されており、収容器１内は窒素
雰囲気となっている。

【００３７】次に、モータ３１の回転数がｎ₀となった
状態で時刻ｔ１において、純水供給源６３と連通するバ
ルブ６２が開放され、ローター３０に保持されている複
数の基板Ｗに純水が供給されて基板Ｗが純水洗浄され
る。このとき、バルブ４２が開放されており、基板Ｗ
は、窒素雰囲気内で回転しつつ純水により洗浄される。
そのため、基板Ｗでのウォーターマークの発生を抑制し
つつ、洗浄処理を進行することができる。

【００３８】後に詳述するように、次の時刻ｔ２におい
ては、乾燥溶剤供給源５６内に液体状態で収容されたフ
ッ素系溶剤のハイドロフルオロエーテル（以下、「ＨＦ
Ｅ」とも呼ぶ）が乾燥剤吐出ノズル５０から噴霧される
ことにより、ＨＦＥの蒸気が基板Ｗに乾燥剤として供給
される。ここでＨＦＥは、その構造中に塩素原子を含ま
ないフッ素系化合物であり、近年問題となっているオゾ
ン層破壊の原因とならず、さらに、地球温暖化への影響
も少ない環境問題に配慮された有機溶剤である。また、
従来の乾燥処理において乾燥溶剤として使用されている
ＩＰＡと比較して、引火性もない。そのため、ＩＰＡを
使用して乾燥処理を行う従来の基板処理装置のように、
防爆構造等の特別な安全機構を設ける必要がなく、基板
処理装置が大型化するのを防ぐことができる。さらに、
所定の排液処理を施して無害な物質とする必要がないた
め、排液処理のためのコストを低減することができる。

【００３９】また、ＨＦＥは表面張力が小さく、水のそ
れが７１．８dyn/cm、ＩＰＡが２０．８dyn/cmであるの
に対して、ＨＦＥの表面張力は１６．６dyn/cm以下であ
る。そのため、ＨＦＥの浸透性はＩＰＡより高く、トレ
ンチ構造等の基板Ｗ上に形成された微細な配線パターン
内部に入り込んだ水滴を容易に乾燥することができ、配
線パターン内部に入り込んだ水滴の排水効率を向上させ
ることができる。

【００４０】さらに、ＨＦＥは蒸発潜熱も小さく、水の
それが２２５６J/g、ＩＰＡが６７４J/gであるのに対し
て、低分子シリコーン系溶剤の蒸発潜熱は２１０J/g以
下である。そのため、ＨＦＥを使用した乾燥処理は、Ｉ
ＰＡを使用した場合と比較して乾燥に要する時間を短縮
することができる。

【００４１】このようなＨＦＥの物性により、ＨＦＥを
乾燥剤として使用した乾燥処理は、ＩＰＡを用いた従来
の乾燥処理と比較して、微細パターン内部に入り込んだ
水分を排水効率を向上させつつ、乾燥時間を短縮するこ
とができる。そのため、微細パターン内部に入り込んだ
水分に起因したウォーターマークの発生をより抑制する
ことができる。

【００４２】上記時刻ｔ２における動作を詳述する。バ
ルブ６２を閉鎖して純水の供給を、バルブ４２を閉鎖し
て窒素ガスの供給をそれぞれ停止するとともに、乾燥溶
剤供給源５６に連通接続するバルブ５２が開放されて、
基板Ｗに乾燥剤としてＨＦＥが基板Ｗに供給される。ま
た時刻ｔ２において、モータ３１の回転数ｎをｎ₀から
ｎ₁に低下させる。

【００４３】ここで、モータ３１の回転数ｎを低下させ
るのは、基板Ｗに供給されてＨＦＥがモータ３１の回転
による遠心力によって振り切られずに基板上に留まらせ
つつ基板Ｗ表面全体にＨＦＥを行き渡らせて、基板Ｗに
付着した純水とＨＦＥとの置換効率を高めるためであ
る。このとき、基板Ｗに供給されたＨＦＥは、表面に付
着した純水や微細パターン内部に入り込んだ純水と置換
されていく。

【００４４】続いて、時刻ｔ３において、バルブ５２が
閉鎖されてＨＦＥの供給が停止されるとともに、バルブ
４２が開放されて窒素ガスが収容器１内に再供給され、
収容器１内は窒素ガス雰囲気に置換されとともに、モー
タ３１の回転数がｎ₁からｎ₀に増加される。そのため、
基板Ｗ上に付着した純水と大部分のＨＦＥとは、回転に
よる遠心力によって振り切られて除去される。また、ト
レンチ構造等の微細パターン内部に入り込んだＨＦＥは
蒸発して基板Ｗ上から除去される。このとき、排気管１
７を介して外部と連通接続されている収容器１内には窒
素ガスが供給され続けており、気化したＨＦＥの蒸気は
速やかに窒素ガスと置換されて、収容器１内のＨＦＥ蒸
気の密度が収容器１内の雰囲気温度によって定まるＨＦ
Ｅの蒸気が存在できる最大密度を超えることがないた
め、基板Ｗ上に留まっているＨＦＥは速やかに蒸発す
る。そして、時刻ｔ４において、モータ３１の回転数を
ゼロに設定し、基板Ｗの回転を停止させて乾燥処理を終
了する。

【００４５】(3) 第１実施形態の基板処理装置の利点
以上のように、第１実施形態の基板処理装置１００の乾
燥処理では、乾燥剤として、従来の乾燥処理において使
用されていたＩＰＡと比較して、蒸発潜熱が小さく、表
面張力が小さいＨＦＥを、純水が付着した基板Ｗに供給
しながら、モータ３１によって基板Ｗを回転させてお
り、微細パターン内部の水滴の排水効率を向上させつ
つ、基板Ｗ上の水滴とフッ素系溶剤とを遠心力によって
振り切って一気に除去することができる。そのため、微
細パターン内部の乾燥不良をさらに抑制しつつ、乾燥性
能を高めることができる。

【００４６】また、乾燥剤としてＨＦＥを使用すること
により、ＩＰＡを使用する従来の基板処理装置で必須と
なる防爆のための特別な装置を設置する必要がないた
め、乾燥処理に要するコストの上昇を抑制することがで
きる。さらに、ＨＦＥは、その構造中に塩素原子を含ま
ず、近年問題となっているオゾン層破壊の原因となら
ず、また、地球温暖化への影響も小さいため、排液処理
を施して無害な物質とする必要がなく、排液処理のため
のコストを低減することができる。

【００４７】また、基板ＷにＨＦＥを供給する際に、モ
ータ３１の回転数を低下させることにより、基板Ｗ上に
付着した純水とＨＦＥとの置換効率を高めることができ
るため、乾燥効率を高めることができる。

【００４８】また、第１実施形態の基板処理装置１００
は、複数の基板Ｗを保持して、同時に乾燥処理を施すこ
とができるため、処理のスループットを向上させること
ができる。

【００４９】＜２．第２実施形態＞次に、本発明の第２
実施形態について説明する。第２実施形態における基板
処理装置は、第１実施形態と比較して、後述するように
乾燥剤供給機構が異なること、および基板Ｗに供給され
る乾燥剤が異なることを除いては、第１実施形態と同じ
である。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明す
る。

【００５０】(1) 基板処理装置の構成図５に、本発明の第２実施形態における基板処理装置１
００の正面図を示す。第２実施形態における乾燥処理で
は、乾燥剤としてＨＦＥの溶剤でなくＨＦＥの蒸気を複
数の基板Ｗに供給することにより乾燥処理が施される。
そこで、ここでは、ＨＦＥ蒸気供給部を中心に基板処理
装置１００の機構的構成について説明する。

【００５１】図５に示すように、２本の乾燥剤吐出ノズ
ル５０は、配管５１（５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１
ｄ）およびバルブ５２を介して乾燥ガス供給源５３と連
通接続されている。乾燥ガス供給源５３は、その内部に
フッ素系溶剤であるＨＦＥが液体状態で貯留されてい
る。また、乾燥ガス供給源５３は、配管５４を介して窒
素ガス供給源５５と接続されており、乾燥ガス供給源５
３の内部に貯留されているＨＦＥに窒素ガスを気泡とし
て供給して、いわゆる窒素ガスによるバブリングを行う
ことができる。そのため、このバブリングによって窒素
ガス中にＨＦＥの気相（ガス）が混合し、窒素ガスをキ
ャリアガスとしてＨＦＥ蒸気からなる乾燥ガスを配管５
１に送り、２本の乾燥剤吐出ノズル５０からローター３
０に保持された複数の基板Ｗに供給する。

【００５２】(2) 基板の乾燥処理シーケンスここでは、第２実施形態の基板処理装置１００による基
板の乾燥処理シーケンスについて説明する。図６は、第
１実施形態と同様に、所定の薬液処理が終了した複数の
基板Ｗをローター３０に保持した時刻ｔ０から乾燥処理
が終了するまでの、バルブ４０、５０、６０の開閉状態
およびローター３０の構成要素であるモータ３１の回転
数の一例を示すタイミングチャートである。ここでも、
第１実施形態と相違する点を中心に説明する。

【００５３】時刻ｔ０において、停止しているモータ３
１の回転数ｎがｎ₀に設定され、ローター３０に保持さ
れている基板Ｗが回転し始める。

【００５４】次に、モータ３１の回転数がｎ₀となった
状態で時刻ｔ１において、純水供給源６３と連通するバ
ルブ６２が開放され、ローター３０に保持されている複
数の基板Ｗに純水が供給されて基板Ｗが純水洗浄され
る。このとき、収容器１内は窒素雰囲気となっており、
基板Ｗは、モータ３１によって回転されつつ純水の供給
をうけているため、ウォーターマークの発生を抑制する
ことができる。

【００５５】続いて、時刻ｔ２において、バルブ６２を
閉鎖して純水の供給を、バルブ４２を閉鎖して窒素ガス
の供給をそれぞれ停止するとともに、乾燥溶剤供給源５
６に連通接続するバルブ５２が開放されて、基板Ｗに乾
燥剤としてＨＦＥの蒸気が基板Ｗに供給される。このと
き、ＨＦＥの蒸気は基板Ｗ上で凝縮して水滴と置換す
る。ＨＦＥは、従来の乾燥処理において乾燥剤として使
用されていたＩＰＡと比較して表面張力が小さく、蒸発
潜熱が小さいため、トレンチ構造等の微細な配線パター
ン内部に入り込んだ水滴も良好に排水して乾燥させるこ
とができる。さらに、ＨＦＥ蒸気を乾燥剤として使用す
る場合、ＨＦＥ溶剤を使用する場合と比較して、ＨＦＥ
の使用量を低減することができる。

【００５６】また、時刻ｔ２において、モータ３１の回
転数ｎがｎ₁に設定されて基板の回転速度が低下する。
このとき、モータ３１の回転数をｎ₁に低下させるの
は、基板Ｗ上にＨＦＥを効率的に凝縮させるためであ
る。

【００５７】続いて、時刻ｔ３において、ＨＦＥの供給
が停止されるとともに、窒素ガスが収容器１内に再供給
され、収容器１内のＨＦＥ蒸気は窒素ガスと置換され
て、排気管１７を介して排気ドレイン１８に排気され
る。さらに、モータ３１の回転数がｎ₁からｎ₀に増加さ
れる。その結果、基板Ｗ上に付着した純水と大部分のＨ
ＦＥとは、回転による遠心力によって振り切られ、トレ
ンチ構造等の微細パターン内部に入り込んだＨＦＥは気
化して基板Ｗ上から除去される。そして、時刻ｔ４にお
いて、モータ３１の回転数をゼロに設定し、基板Ｗの回
転を停止させて乾燥処理を終了する。

【００５８】(3) 第２実施形態の基板処理装置の利点このように、第２実施形態では、ＨＦＥ蒸気を基板Ｗに
供給し、基板Ｗで凝縮したＨＦＥ蒸気と純水とを置換す
ることにより、基板処理装置１００の乾燥処理を行って
いるため、第２実施形態の乾燥処理は第１実施形態と同
様な長所を有することができる。

【００５９】さらに、第２実施形態では、ＨＦＥ蒸気を
乾燥剤として使用する場合、ＨＦＥ溶剤を使用する場合
と比較して乾燥処理におけるＨＦＥ使用量を低減し、処
理液コストを低減することができる。

【００６０】＜３．第３実施形態＞ (1) 基板処理装置の構成ここでは、本発明の第３実施形態について説明する。図
７に、第３実施形態における基板処理装置２００の正面
図を、図８に、図７に示す基板処理装置２００の上面図
をそれぞれ示す。第３実施形態における基板処理装置２
００は、いわゆる枚葉式の基板処理装置であり、基板１
枚ごとに基板処理を施すことができるため、基板間の処
理のバラツキを抑制することができる。

【００６１】図７に示すように、第３実施形態における
基板処理装置２００は、基板Ｗを略水平姿勢にて保持し
ながら回転し、基板Ｗの上方から処理液を供給して所定
の基板処理を行うものであり、主として、スピンベース
１１０、雰囲気遮断板１２０およびカップ１３０を備え
ている。

【００６２】スピンベース１１０は、その上面に、複数
のチャックピン１１１を立設して有している。この複数
のチャックピン１１１のそれぞれが基板Ｗの周縁部を把
持することによって、その基板Ｗをスピンベース１１０
から所定間隔を隔てて略水平姿勢にて保持する。このと
きに基板Ｗの周縁部を確実に把持するために、チャック
ピン１１１の上端部は基板Ｗの上面より若干突き出る。

【００６３】スピンベース１１０の中心部下面側には回
転軸１１２が垂設されている。回転軸１１２は、ベルト
駆動機構１１４を介してモータ１１３と連動連結されて
いる。モータ１１３が駆動すると、その駆動力はベルト
駆動機構１１４を介して回転軸１１２に伝達され、回転
軸１１２、スピンベース１１０とともにチャックピン１
１１に保持された基板Ｗが水平面内にて鉛直方向に沿っ
た軸を中心として矢印ＡＲ５方向に回転される。

【００６４】雰囲気遮断板１２０は、スピンベース１１
０に対向して設けられた円盤形状の部材である。雰囲気
遮断板１２０の中心部上面側には回転軸１２２が垂設さ
れている。回転軸１２２の内側は中空となっており、そ
の中空部分に処理液ノズル１２１が挿設されている。回
転軸１２２はモータ１２３に連結されている。モータ１
２３が駆動すると、回転軸１２２を介して雰囲気遮断板
１２０が水平面内にて鉛直方向に沿った軸を中心として
回転される。すなわち、雰囲気遮断板１２０は基板Ｗと
平行かつ同軸に、しかもほぼ同じ回転数にて回転され
る。

【００６５】また、処理液ノズル１２１は、配管１５１
（１５１ａ、１５１ｂ）およびバルブ１５２を介して乾
燥溶剤供給源１５６と連通接続されている。そのため、
バルブ１５２を開放することによって、処理液ノズル１
２１から基板Ｗの上面に乾燥溶剤を吐出する。なお、配
管１５１は図示しない薬液供給源とも接続されており、
図示しないバルブの開閉動作により所定の薬液を基板Ｗ
上にして薬液処理を施すことができる。

【００６６】一方、回転軸１２２の内壁と処理液ノズル
１２１との間の隙間は、配管１４１（１４１ａ、１４１
ｂ）およびバルブ１４２を介して窒素ガス供給源１４３
と連通接続されている。そのため、バルブ１４２を開放
することによって、回転軸１２２から基板Ｗの上面に不
活性ガスとして窒素ガスを供給する。

【００６７】カップ１３０は、スピンベース１１０、そ
れに保持された基板Ｗおよび雰囲気遮断板１２０の周囲
を取り囲むように配置されており、それらの回転によっ
て飛散した処理液を回収する。回収された処理液はカッ
プ１３０の底部に設けられた排出口１３１および排液管
１１５（１１５ａ、１１５ｂ、１１５ｃ）を介して基板
処理装置２００外部の排液ドレイン１１６に排出され
る。

【００６８】また、この種の基板処理装置は通常クリー
ンルーム内に設置されるものであり、そのクリーンルー
ム内を流下している清浄空気のダウンフローがカップ１
３０の上部開口から流れ込む。カップ１３０に流れ込ん
だ清浄空気は、カップ１３０の底部に設けられた排出口
１３１および排気管１１７（１１７ａ、１１７ｂ、１１
７ｃ）を介して基板処理装置２００外部の排気ドレイン
１１８に排気される。このときに、カップ１３０内を浮
遊している処理液の微小なミストも排気されることとな
る。

【００６９】なお、上記以外にも、この基板処理装置に
は例えばカップ１３０や雰囲気遮断板１２０を矢印ＡＲ
３方向に昇降させる機構等が設けられている。

【００７０】図８に示すように、カップ１３０の側部側
の所定の位置に、純水吐出ノズル１６０が矢印ＡＲ６の
方向に回動可能に設けられている。純水吐出ノズル１６
０は、配管１６１（１６１ａ、１６１ｂ）およびバルブ
１６２を介して純水供給源１６３と連通接続されてい
る。そのため、雰囲気遮断板１２０を純水吐出ノズル１
６０と干渉しない所定位置まで移動させ、純水吐出ノズ
ル１６０の吐出口を基板Ｗ上の中心位置の直上付近まで
移動させ、バルブ１６２を開放することにより、基板Ｗ
に純水を供給する。

【００７１】制御部１７０は、プログラムや変数等を格
納するメモリ１７１と、メモリ１７１に格納されたプロ
グラムに従った制御を実行するＣＰＵ１７２とを備えて
いる。ＣＰＵ１７２は、メモリ１７１に格納されている
プログラムに従って、モータ１１３、１２３の回転制御
と、雰囲気遮断板１２０およびカップ１３０の昇降制
御、および各バルブの開閉制御等を所定のタイミングで
行う。

【００７２】(2) 基板の乾燥処理シーケンスここでは、第３実施形態における基板処理装置２００に
よる基板の乾燥処理シーケンスについて説明する。図９
は、所定の薬液処理が終了した時刻ｔ０から乾燥処理が
終了するまでの、バルブ１４２、１５２、１６２の開閉
状態およびモータ１１３、１２３の回転数の一例を示す
タイミングチャートである。

【００７３】時刻ｔ０より前の期間において、図示を省
略する搬送ロボットによって未処理の基板Ｗがスピンベ
ース１１０に渡され、チャックピン１１１によって周縁
部が把持されることにより水平姿勢にて当該基板Ｗが保
持される。次に、雰囲気遮断板１２０がスピンベース１
１０に近接して基板Ｗの上方を覆うとともに、カップ１
３０がスピンベース１１０および雰囲気遮断板１２０の
周囲を囲むように位置する。続いて、スピンベース１１
０および雰囲気遮断板１２０が回転され、それに伴い、
スピンベース１１０に保持された基板Ｗが回転される。
そして、回転している基板Ｗに対して、処理液ノズル１
２１から所定の薬液が吐出されることにより所定の薬液
処理が施される。

【００７４】時刻ｔ０において、雰囲気遮断板１２０が
純水吐出ノズル１６０と干渉しない位置まで矢印ＡＲ３
方向に上昇されるとともに、純水吐出ノズル１６０が退
避位置（図８の実線位置）から吐出位置（図８の点線位
置）まで回動されて、純水吐出ノズル１６０の吐出口が
基板Ｗ上方の所定位置に移動させられる。純水吐出ノズ
ル１６０の移動が完了すると、純水供給源１６３に連通
するバルブ１６２が開放され、純水が純水吐出ノズル１
６０から吐出されて基板Ｗに供給される。このとき、モ
ータ１１３は回転数ｎ₀'で回転し続けているため、基板
Ｗ上に吐出された純水は、回転による遠心力によって純
水落下位置から基板外側に向かって広がり、洗浄処理が
進行する。

【００７５】また、時刻ｔ０において、バルブ１４２が
開放されており、窒素ガス供給源１４３と連通接続され
ている回転軸１２２の内壁と処理液ノズル１２１との間
の隙間から窒素ガスが供給され続けている。そのため、
基板Ｗ付近が窒素ガス雰囲気となり、基板Ｗと酸素とが
接触することを抑制することができ、ウォーターマーク
の発生を抑制することができる。

【００７６】次に、時刻ｔ１において、バルブ１６２が
閉鎖されて純水の供給が停止され、純水吐出ノズル１６
０が吐出位置から退避位置に移動させられるとともに、
バルブ１４２が閉鎖されて窒素ガスの供給が停止され
る。また、時刻ｔ１において、雰囲気遮断板１２０が純
水吐出ノズル１６０と干渉しない位置から矢印ＡＲ３方
向に下降されて複数のチャックピン１１１と干渉しない
位置まで移動させられる。さらに、乾燥溶剤供給源１５
６に連通するバルブ１５２が開放されて基板Ｗに乾燥剤
としてＨＦＥが基板Ｗに供給されるとともに、モータ１
１３の回転数ｎ'をｎ₀'からｎ₁'に低下させる。

【００７７】ここで、雰囲気遮断板１２０を下降させる
のは、基板Ｗを回転させる際にカップ１３０から跳ね返
った処理液や汚染物質が基板Ｗの表面に付着するのを防
止する目的である。また、モータ１１３の回転数ｎ'を
低下させるのは、基板Ｗに供給されてＨＦＥがモータ３
１の回転による遠心力によって振り切られずに基板上に
留まらせつつ基板Ｗ表面全体にＨＦＥを行き渡らせるた
めである。そして、基板Ｗに供給されたＨＦＥは、微細
パターン内部にも入り込んでいく。

【００７８】このように、第３実施形態では第１実施形
態と同様に乾燥剤としてＨＦＥを使用している。ＨＦＥ
は、従来の乾燥処理で使用されていたＩＰＡと比較して
表面張力が小さく蒸発潜熱が小さいため、従来乾燥処理
と比較して微細パターン内部に入り込んだ水分を排水効
率を向上させつつ、乾燥時間を短縮することができ、微
細パターン内部に入り込んだ水分に起因したウォーター
マークの発生をより抑制することができる。

【００７９】続いて、時刻ｔ２において、バルブ１５２
が閉鎖されてＨＦＥの供給が停止されるとともに、バル
ブ１４２が開放されて窒素ガスが再供給されて、基板Ｗ
付近が窒素ガス雰囲気に置換されるとともに、モータ１
１３の回転数がｎ₁'からｎ₀'に増加される。そのため、
基板Ｗ上に付着した純水と大部分のＨＦＥとは、回転に
よる遠心力によって振り切られて除去され、効率的に基
板Ｗ上の水滴を除去することができる。

【００８０】また、微細パターン内部に入り込んだＨＦ
Ｅは気化して基板Ｗ上から除去される。このとき、基板
Ｗ付近の雰囲気は、排出口１３１および排気管１１７を
介して排気ドレイン１１８に連通接続されており、気化
したＨＦＥの蒸気は速やかに窒素ガスと置換されるた
め、基板Ｗ上に留まっているＨＦＥは速やかに蒸発す
る。そして、時刻ｔ３において、モータ１１３の回転数
ｎ'をゼロとし基板Ｗの回転が停止されて乾燥処理を終
了する。

【００８１】(3) 第３実施形態の基板処理装置の利点以上のように、第３実施形態の基板処理装置２００の乾
燥処理では、第１実施形態と同様に、純水が付着した基
板Ｗに乾燥剤としてフッ素系溶剤のＨＦＥの蒸気を供給
しつつモータ１１３によって基板Ｗを回転させることに
より、基板Ｗ上に形成された微細パターン内部の水滴と
乾燥剤との置換効率を向上させ、当該微細パターン内部
の水滴の排水効率を向上させしつつ、基板Ｗ上の水滴と
フッ素系溶剤とを遠心力によって振り切って一気に除去
することができる。そのため、ＩＰＡを乾燥剤として使
用する従来の乾燥処理と比較して、微細パターン内部の
乾燥不良をさらに抑制しつつ、乾燥性能を高めることが
できる。

【００８２】また、乾燥剤としてＨＦＥを使用している
ため、第１実施形態と同様に、従来の基板処理装置のよ
うに防爆のための特別な装置を設置する必要がなく、乾
燥処理に要するコストの上昇を抑制することができる。
さらに、ＨＦＥはオゾン層破壊の原因とならず、地球温
暖化への影響も小さいため、排液処理のためのコストを
低減することができる。

【００８３】また、基板ＷにＨＦＥを供給する際に、モ
ータ１１３の回転数を低下させることにより、乾燥効率
を高めることができる。

【００８４】また、１枚ずつ基板処理することにより、
基板間の乾燥処理のバラツキを抑制しつつ、乾燥不良を
抑制することができる。

【００８５】＜４．変形例＞以上、本発明の第１実施形
態から第３実施形態について説明してきたが、本発明は
上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が
可能である。

【００８６】第１実施形態および第３実施形態におい
て、乾燥剤としてフッ素系溶剤のＨＦＥを使用している
が、ＨＦＥにＩＰＡを１％〜１０％（好ましくは３％〜
７％、特に好ましくは５％）体積程度混合した溶剤（以
下、「ＨＦＥ混合溶剤」とも呼ぶ）を使用してもよい。
ＨＦＥ混合溶剤を乾燥剤として使用することにより、純
水と乾燥溶剤との浸透性をさらに高めることができるた
め、基板上に形成された微細パターン内部に入り込んだ
水滴の排水効率を高め、乾燥効率を向上させることがで
きる。すなわち、この発明における乾燥剤としては、純
粋なＨＦＥだけでなく、ＨＦＥを主剤とする乾燥剤を利
用できる。

【００８７】また、第２実施形態では、乾燥ガス供給源
５３に、フッ素系溶剤であるＨＦＥを貯留しているが、
これに代えてＨＦＥ混合溶剤を貯留し、基板にＨＦＥ混
合溶剤の蒸気を供給してもよい。基板上で凝縮したＨＦ
Ｅ混合溶剤は、ＨＦＥと比較して純水への浸透性が高い
ため、基板上に形成された微細パターン内部に入り込ん
だ水滴の排水効率を高め、乾燥効率を向上させることが
できる。

【００８８】また、第２実施形態では、乾燥ガス供給源
５３に、フッ素系溶剤であるＨＦＥを貯留しているが、
これに代えてシリコーン系溶剤を主剤とする乾燥剤を貯
留してもよい。例えば、２量体から５量体まで低分子シ
リコーン系溶剤の場合、蒸発潜熱は、純水が２２５６J/
g、ＩＰＡが６７４J/gであるのに対して、低分子シリコ
ーン系溶剤の蒸発潜熱は３００J/g以下、表面張力も、
水が７１．８dyn/cm、ＩＰＡが２０．８dyn/cmであるの
に対して、低分子シリコーン系溶剤の表面張力は１６．
５dyn/cm以下となる。そのため、窒素ガスをキャリアガ
スとしたシリコーン系溶剤の蒸気を乾燥ガスとして使用
した場合、ＩＰＡ蒸気を使用する場合と比較して、純水
との浸透性に優れ、かつ乾燥速度をも高めることがで
き、フッ素系溶剤の蒸気場合と同様、乾燥性能を向上さ
せることができる。

【００８９】

【発明の効果】請求項１から請求項８に記載の発明によ
れば、純水が付着した基板上にフッ素系溶剤を主剤とす
る乾燥剤を供給しながら基板を回転させることにより、
基板上に形成されたトレンチ構造等の微細パターン内部
の水滴を排水しつつ、基板上の純水とフッ素系溶剤とを
遠心力によって振り切って一気に除去することができ
る。そのため、微細パターン内部の乾燥不良を抑制しつ
つ、乾燥性能を高めることができる。

【００９０】特に、請求項２に記載の発明によれば、同
時に複数の基板を乾燥することができるため、乾燥処理
のスループットを向上することができる。

【００９１】特に、請求項３に記載の発明によれば、１
枚ずつ基板処理することにより、基板間の乾燥処理のバ
ラツキを抑制しつつ、乾燥不良を抑制することができ
る。

【００９２】特に、請求項４に記載の発明によれば、フ
ッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する際に基板回転
数を減少させることにより、微細パターン内部の純水の
排水効率をさらに高め、乾燥効率を向上させることがで
きる。

【００９３】特に、請求項５に記載の発明によれば、フ
ッ素系溶剤の蒸気を基板に供給し、基板とフッ素系溶剤
の蒸気とを効率的に接触させることにより、純水付着部
分にフッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤の蒸気を凝縮させ
るため、フッ素系溶剤の使用量を低減しつつ乾燥性能を
向上させることができる。

【００９４】特に、請求項６に記載の発明によれば、純
水と比較して表面張力が小さく蒸発潜熱の小さいハイド
ロフルオロエーテルを乾燥剤の主剤として使用すること
により、基板上に付着した純水とハイドロフルオロエー
テルとを置換することができるため、乾燥効率を向上さ
せることができる。

【００９５】また、ハイドロフルオロエーテルは、非可
燃性であり防爆のための特別な装置を設置する必要がな
いため、乾燥処理に要するコストの上昇を抑制すること
ができる。

【００９６】さらに、ハイドロフルオロエーテルは、そ
の構造中に塩素原子を含まず、近年問題となっているオ
ゾン層破壊の原因とならず、また、地球温暖化への影響
も小さく、環境問題に配慮された有機溶剤であり、排液
処理を施して無害な物質とする必要がないため、排液処
理のためのコストを低減することができる。

【００９７】特に、請求項７に記載の発明によれば、フ
ッ素系溶剤にイソプロピルアルコールを混合させた溶剤
を乾燥剤として使用することにより、フッ素系溶剤のみ
を乾燥剤として使用した場合と比較して、乾燥剤と純水
との浸透性を高めることができるため、乾燥効率を高め
ることができる。

【００９８】請求項９に記載の発明によれば、純水が付
着した基板上にシリコーン系溶剤を主剤とした乾燥剤を
供給しながら基板を回転させることにより、基板上の純
水を遠心力によって振り切って除去しながら、トレンチ
構造等の微細パターン内部の水滴を排水しつつ基板を乾
燥することができるため、請求項１と同様な効果を有す
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態における基板処理装置の
全体構成を示す図である。

【図２】図１の基板処理装置の側面図である。

【図３】図１のローターの斜視図である。

【図４】本発明の第１実施形態における供給部のバルブ
開閉状態およびモータの回転数の一例を示すタイミング
チャートである。

【図５】本発明の第２実施形態における基板処理装置の
全体構成を示す図である。

【図６】本発明の第２実施形態における供給部のバルブ
開閉状態およびモータの回転数の一例を示すタイミング
チャートである。

【図７】本発明の第３実施形態における基板処理装置の
全体構成を示す図である。

【図８】図７の基板処理装置の上面図である。

【図９】本発明の第３実施形態における供給部のバルブ
開閉状態およびモータの回転数の一例を示すタイミング
チャートである。

【符号の説明】

１００基板処理装置１収容器３０ローター５０乾燥剤吐出ノズル５６乾燥溶剤供給源２００基板処理装置１１０スピンベース１１３モータ１２１処理液ノズル１５６乾燥溶剤供給源Ｗ基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｆ２６Ｂ 21/14 Ｆ２６Ｂ 21/14 Ｆターム(参考） 3L113 AA06 AB02 AB08 AC26 AC28 AC35 AC45 AC46 AC48 AC63 AC67 BA34 DA06 DA10 DA11 DA24 DA26

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理液による洗浄処理が終了した基板の
乾燥処理を行う基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板を回転する回転手段と、前記回転手段を用いて基板を回転させつつ、処理液が付
着した基板にフッ素系溶剤を主剤とする乾燥剤を供給す
る溶剤供給手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置であっ
て、処理液を貯留し、前記処理液中に基板を浸漬して所定の
基板処理を行う処理槽と、前記基板処理が終了した基板を前記処理槽から引き揚げ
て、前記保持手段に受け渡す引き揚げ手段と、をさらに
備え、前記保持手段は、基板を略鉛直姿勢にて保持し、前記回
転手段は、略水平方向に沿った回転軸を中心として基板
を保持した前記保持手段を回転させることを特徴とする
基板処理装置。
【請求項３】請求項１に記載の基板処理装置であっ
て、１枚の基板に対して処理液を吐出して所定の基板処理を
行う処理液吐出手段、をさらに備え、前記保持手段は、１枚の基板を略水平姿勢にて保持し、
前記回転手段は、略鉛直方向に沿った回転軸を中心とし
て１枚の基板を保持した前記保持手段を回転させること
を特徴とする基板処理装置。
【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の基板処理装置であって、前記保持手段に保持された
基板に前記溶剤供給手段から乾燥剤を供給する際に、前
記回転手段による基板の回転数を減少させる回転数制御
手段、をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】請求項１ないし請求項４のいずれかに記
載の基板処理装置であって、前記溶剤供給手段は、乾燥剤の蒸気を基板に供給するこ
とを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】請求項１ないし請求項５のいずれかに記
載の基板処理装置であって、前記フッ素系溶剤はハイドロフルオロエーテルであるこ
とを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】請求項１ないし請求項６のいずれかに記
載の基板処理装置であって、前記乾燥剤は、前記フッ素系溶剤とイソプロピルアルコ
ールとを混合した溶剤であることを特徴とする基板処理
装置。
【請求項８】処理液による洗浄処理が終了した基板の
乾燥処理を行う基板処理方法であって、基板を回転させつつ、処理液が付着した基板にフッ素系
溶剤を主剤とする乾燥剤を供給する溶剤供給工程、を備
えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】処理液による洗浄処理が終了した基板の
乾燥処理を行う基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板を回転する回転手段と、前記回転手段を用いて基板を回転させつつ、処理液が付
着した基板にシリコーン系溶剤を主剤とする乾燥剤を供
給する溶剤供給手段と、を備えることを特徴とする基板
処理装置。