JP2008235813A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】処理槽1内にて純水で処理された基板Wは、純水の沸点よりも高い温度に温調された第1の低表面張力溶液に浸漬された状態となっており、基板Wの表面のパターン細部に入り込んで残留する純水が、高温の第1の低表面張力溶液の熱エネルギーで気化し、その気泡が処理槽1から出て行くので、基板Wの表面のパターン細部に入り込んで残留していた純水を完全に第1の低表面張力溶液に置換することができ、処理槽1から基板Wを搬出する際には、表面張力が大きな純水の界面を通過することがなく、表面張力が純水よりも小さな第2の低表面張力溶液の界面IFを通過するだけであるので、第2の低表面張力溶液の界面IFを通過する際に基板Wの表面に作用する表面張力は小さく、基板Wに形成されているパターンが倒壊するのを防止することができる。
【選択図】図2
Description
すなわち、従来の装置は、純水による洗浄を終えた基板を純水から引き上げ、IPA雰囲気中に移動することにより、乾燥を促進することができるが、基板の表面に形成されているパターンに倒壊が生じるという問題がある。つまり、引き上げた基板表面上の純水の表面張力によって、基板表面のパターンが倒壊している。
すなわち、請求項1に記載の発明は、
基板を処理液で処理する基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
基板を保持した状態で前記処理槽内における処理位置に位置させる保持機構と、
前記処理槽内に第1処理液を供給する第1処理液供給手段と、
第1処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第1処理液よりも沸点の高い第2処理液を前記処理槽内に供給する第2処理液供給手段と、
前記処理槽での第2処理液を、第1処理液の沸点以上で第2処理液の沸点以下となる温度範囲内に温調する温調手段と、
前記第1処理液供給手段から供給されて前記処理槽内に貯留された第1処理液を、第2処理液に置換させるように前記第2処理液供給手段を制御するとともに、第2処理液を前記温度範囲内で維持するように前記温調手段を制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とするものである。
図1は、実施例1に係る基板処理装置の概略構成図である。
図3は、実施例2に係る基板処理装置での乾燥装置の概略構成図である。図4(a)〜(d)は、実施例2での処理例を示す模式図である。なお、上述した実施例1と同様の構成については同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。
図5は、実施例3に係る基板処理装置の概略構成図である。図6(a)〜(e)は、実施例3での処理例を示す模式図である。なお、上述した実施例1と同様の構成については同符号を付すことにより詳細な説明については省略する。
1 … 処理槽
7 … 保持アーム(保持機構)
13 … 噴出管(第1〜第3処理液供給手段)
17 … 供給管(第1〜第3処理液供給手段)
21 … 制御弁(第1処理液供給手段)
31 … 分岐管(第2処理液供給手段)
32 … 分岐管(第3処理液供給手段)
33 … インラインヒータ(温調手段)
37 … 制御弁(第2処理液供給手段)
38 … 制御弁(第3処理液供給手段)
47 … 制御部(制御手段)
101…洗浄処理室(処理部)
103…ノズル(第1〜第3処理液供給手段)
105…配管(第1処理液供給手段)
109…制御弁(第1処理液供給手段)
111…分岐管(第2処理液供給手段)
112…分岐管(第3処理液供給手段)
117…制御弁(第2処理液供給手段)
118…制御弁(第3処理液供給手段)
119…インラインヒータ(温調手段)
121…チャック(回転保持機構)
129…制御部(制御手段)
Claims (9)
- 基板を処理液で処理する基板処理装置において、
処理液を貯留する処理槽と、
基板を保持した状態で前記処理槽内における処理位置に位置させる保持機構と、
前記処理槽内に第1処理液を供給する第1処理液供給手段と、
第1処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第1処理液よりも沸点の高い第2処理液を前記処理槽内に供給する第2処理液供給手段と、
前記処理槽での第2処理液を、第1処理液の沸点以上で第2処理液の沸点以下となる温度範囲内に温調する温調手段と、
前記第1処理液供給手段から供給されて前記処理槽内に貯留された第1処理液を、第2処理液に置換させるように前記第2処理液供給手段を制御するとともに、第2処理液を前記温度範囲内で維持するように前記温調手段を制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
第1処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第2処理液よりも沸点の低い第3処理液を前記処理槽内に供給する第3処理液供給手段を備え、
前記保持機構は、基板を保持した状態で、前記処理槽内における処理位置と前記処理槽の上方位置における待機位置とにわたって昇降自在なものであり、
前記制御手段は、前記温度範囲内で維持された第2処理液での基板処理後に、前記処理槽内に貯留された第2処理液を、第3処理液に置換させるように前記第3処理液供給手段を制御するとともに、前記処理槽内での第3処理液の置換後に基板を待機位置に上昇させるように前記保持機構を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
第2処理液による処理を受けた基板を高温雰囲気中で乾燥させる熱乾燥手段を備え、
前記制御手段は、前記温度範囲内で維持された第2処理液での処理後に、基板を高温雰囲気中で乾燥させるように前記熱乾燥手段を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
第2処理液による処理を受けた基板を空気接触により乾燥させる空気乾燥手段を備え、
前記制御手段は、前記温度範囲内で維持された第2処理液での処理後に、基板を空気接触により乾燥させるように前記空気乾燥手段を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理液で処理する基板処理装置において、
基板を水平姿勢で回転可能に保持する回転保持機構を内部に備え、前記回転保持機構で保持された基板を処理液で処理する処理部と、
前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に第1処理液を供給する第1処理液供給手段と、
第1処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第1処理液よりも沸点の高い第2処理液を前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に供給する第2処理液供給手段と、
前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に供給する第2処理液を、第1処理液の沸点以上で第2処理液の沸点以下となる温度範囲内に温調する温調手段と、
基板の第1処理液での処理後に、前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に前記温度範囲内とした第2処理液を供給するように前記温調手段および前記第2処理液供給手段を制御する制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項5に記載の基板処理装置において、
第1処理液よりも小さな表面張力で、かつ、第2処理液よりも沸点の低い第3処理液を前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に供給する第3処理液供給手段を備え、
前記制御手段は、前記温度範囲内とした第2処理液での基板処理後に、前記処理部内の前記回転保持機構で回転される基板に第3処理液を供給するように前記第3処理液供給手段を制御し、第3処理液の基板への供給終了後に、前記回転保持機構を制御して基板を回転させて乾燥させる
ことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の基板処理装置において、
第1処理液は純水であり、
第2処理液は、その表面張力が0.02〔N/m〕以下であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から請求項6のいずれかに記載の基板処理装置において、
第1処理液は純水であり、
第2処理液は、フッ素系不活性液体であることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項2または請求項6に記載の基板処理装置において、
第1処理液は純水であり、
第2処理液および第3処理液は、その表面張力が0.02〔N/m〕以下のフッ素系不活性液体であることを特徴とする基板処理装置。
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