JP2000031107A - 半導体基板の乾燥装置および半導体基板の乾燥方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 乾燥能力を低下させず、乾燥時間を短縮し、
乾燥処理能力を向上させるとともに、有機物の使用量を
低減することにより、自然環境の保護に貢献し、残留有
機物の低減を図る。 【解決手段】 ５０枚程度の半導体ウェーハ３を乾燥さ
せる、制御したＩＰＡ乾燥装置を用いて、気化されたＩ
ＰＡをノズル１３およびノズル穴１３ａを通じて半導体
ウェーハ３に吹き付けることにより半導体ウェーハ３を
乾燥させる際に、ＩＰＡ蒸気を垂直下方方向から半導体
ウェーハ３の側に向かって２０°〜５０°の角度θで吹
き付けるようにする。このとき、ＩＰＡの初期吐出量を
０．８〜１．５ｃｃ／ｓとし、使用量を７０〜２００ｃ
ｃ／バッチになるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板の乾
燥装置および半導体基板の乾燥方法に関し、特に、半導
体基板に気化されたイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）
などの有機溶剤を吹き付けることにより、半導体基板を
乾燥させるようにした半導体基板の乾燥装置に適用して
好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、半導体ウェーハの洗浄工程に使用
されている装置は、図１０に示すように、洗浄槽１０
１、１０２、１０３およびＩＰＡ蒸気で満たされた乾燥
槽１０４に半導体ウェーハ１０５を入れ、洗浄および乾
燥を行う仕様である。このような半導体ウェーハ１０５
の洗浄工程には多様な方法がある。すなわち、第１の洗
浄方法（処理方法１）では、まず、半導体ウェーハ１０
５を洗浄槽１０３に入れ洗浄した後、乾燥槽１０４に入
れ乾燥させる。また、第２の洗浄方法（処理方法２）で
は、まず、半導体ウェーハ１０５を洗浄槽１０２および
洗浄槽１０３に順次入れ洗浄した後、乾燥槽１０４に入
れ乾燥させる。また、第３の洗浄方法（処理方法３）で
は、半導体ウェーハを洗浄槽１０１、洗浄槽１０２およ
び洗浄槽１０３に順次入れ洗浄した後、乾燥槽１０４に
入れ乾燥させる。これらの処理方法１、処理方法２およ
び処理方法３において必ず通る槽が乾燥処理を行う乾燥
槽１０４である。そのため、半導体ウェーハ１０５の洗
浄工程における処理能力は乾燥処理時間で決定されるこ
とになる。また、半導体ウェーハの大口径化に伴い被乾
燥物の熱容量が増加することになり、半導体ウェーハの
洗浄工程は乾燥処理によって律速されている。

【０００３】さて、実際に半導体ウェーハの乾燥処理で
使用されている乾燥装置は、水置換効率の良さおよび乾
燥性能の観点から、半導体ウェーハ表面に付着した水を
蒸気圧の高いＩＰＡ蒸気に一旦置換して乾燥を行う、い
わゆるＩＰＡ直接置換乾燥方式を採用した乾燥装置が主
流となっている。また、ＩＰＡ直接置換乾燥方式を採用
した乾燥装置は、ウォータマーク（水しみ）の発生など
の諸問題を回避する観点から、遠心力により半導体ウェ
ーハ表面に付着した水をはじき飛ばす、いわゆるスピン
ドライヤ（Spin Dryer）と比べても有効である。

【０００４】ここで、従来のＩＰＡ蒸気乾燥方式につい
て説明する。すなわち、図１１に示すように、従来のＩ
ＰＡ蒸気乾燥方式を採用した乾燥装置は、加熱されたＩ
ＰＡ蒸気で満たされた乾燥槽１１１を有している。この
乾燥装置を用いて乾燥を行うには、まず、図１１Ａに示
すように、半導体ウェーハ１１２を急速に乾燥槽１１１
に導入し、図１１Ｂに示すように、ＩＰＡ蒸気に浸す。
これにより、半導体ウェーハ１１２がＩＰＡ蒸気の温度
にまで加熱されるとともにＩＰＡ蒸気が半導体ウェーハ
１１２の表面に付着した水と置換し、半導体ウェーハ１
１２の乾燥が行われる。その後、図１１Ｃおよび図１１
Ｄに示すように、半導体ウェーハ１１２を乾燥槽１１１
の内部からゆっくりと引き上げ、乾燥処理を終了する。
このＩＰＡ蒸気乾燥方式は、ウォータマークの少ない乾
燥ができ、半導体ウェーハの除電効果もあるなどの利点
がある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ＩＰＡ蒸気乾燥装置を用いた半導体ウェーハの乾燥処理
においては、乾燥処理時間が長いので、洗浄工程のスル
ープット(Through-put)が乾燥律速となってしまい生産
能力が落ちるという欠点がある。そこで、乾燥処理時間
を短縮すべく半導体ウェーハの加熱温度を上昇させるな
どの検討が行われているが、ＩＰＡの突沸などの問題が
生じたり、乾燥むらなどの悪影響を招いてしまうなどの
不都合がある。

【０００６】また、近年、自然環境の問題や残留有機物
の問題によって、有機物の使用量を低減する方向に向か
っている。そのため、今後、ＩＰＡを用いた乾燥装置に
採用される方式としては、マランゴニ(Marangoni) 効果
を利用した乾燥方式と、制御したＩＰＡ蒸気乾燥方式と
が主流になると考えられる。これらの２つの乾燥方式に
ついて以下に説明する。

【０００７】まず、マランゴニ効果を利用した乾燥方式
を採用した乾燥装置は、図１２に示すように、乾燥部１
２１と超純水(DI water)１２２で満たされた水洗槽１２
３とから構成されている。

【０００８】この乾燥装置を用いた半導体ウェーハの乾
燥処理においては、図１２Ａに示すように、まず、水洗
槽１２３において半導体ウェーハ１２４の水洗処理を行
う。このとき、乾燥部１２１の内部は窒素（Ｎ₂ ）ガス
雰囲気または大気雰囲気になっている。次に、図１２Ｂ
に示すように、半導体ウェーハ１２４を水洗槽１２３か
ら引き上げる前に、乾燥部１２１の内部にＮ₂ とＩＰＡ
蒸気との混合ガスを導入し、上方から超純水１２２の水
面に吹き付ける。これによって、図１３に示すように、
水面にＩＰＡ層１２５が形成される。その後、図１２Ｃ
に示すように、半導体ウェーハ１２４を引き上げる。こ
の半導体ウェーハ１２４の引き上げの際には、図１３に
示すように、半導体ウェーハ１２４の表面と超純水１２
２との界面の部分に、メニスカス(Meniscus)部と呼ばれ
る勾配ができるが、このメニスカス部はＩＰＡ層１２５
が形成されることによってさらに大きくなる。また、半
導体ウェーハ１２４を引き上げている間、その表面に付
着している水がこのメニスカス部に沿って流れ落ちる。
そして、半導体ウェーハ１２４を、その表面に水が付着
していない状態で引き上げることにより、半導体ウェー
ハ１２４を乾燥させる。その後、図１２Ｄに示すよう
に、乾燥部１２１の内部をＮ₂ ガス雰囲気とする。以上
のようにして、半導体ウェーハ１２４の乾燥処理が行わ
れる。

【０００９】また、制御したＩＰＡ蒸気乾燥方式を採用
した乾燥装置は、図１４に示すように、乾燥槽１３１と
超純水１３２で満たされた水洗槽１３３とから構成され
る。この乾燥装置においては、図１４Ａに示すように、
乾燥槽１３１の内部はＮ₂ ガス雰囲気となっている。こ
の状態で、水洗槽１３３において、半導体ウェーハ１３
４を水洗処理した後、図１４Ｂに示すように、半導体ウ
ェーハ１３４を引き上げて乾燥槽１３１の内部に搬入す
る。次に、図１４Ｃに示すように、乾燥槽１３１と水洗
槽１３３とをカバー（図示せず）などにより遮断し、乾
燥槽１３１の上部に設けられたノズル（図示せず）から
Ｎ₂ とＩＰＡ蒸気との混合ガスを半導体ウェーハ１３４
に吹き付ける。そして、このＩＰＡ蒸気で半導体ウェー
ハ１３４の表面に付着した水を置換することにより、半
導体ウェーハ１３４を乾燥させる。その後、図１４Ｄに
示すように、乾燥槽１３１の内部をＮ₂ ガス雰囲気とす
る。以上のようにして半導体ウェーハ１３４の乾燥処理
が行われる。

【００１０】上述の２つの乾燥方式のうち、制御したＩ
ＰＡ蒸気乾燥方式が、従来のＩＰＡ蒸気乾燥方式に代わ
る乾燥方式であることは確かであるが、半導体ウェーハ
を乾燥させる際の乾燥条件に関しては試行錯誤の状況で
あり、その乾燥条件の最適化が望まれている。

【００１１】したがって、この発明の目的は、乾燥能力
の低下を招くことなく、乾燥時間を短縮することがで
き、それによって、乾燥処理能力を向上させることがで
き、また、有機物の使用量を乾燥に必要十分な量にまで
低減することによって、自然環境の保護に貢献するとと
もに、残留有機物の低減を図ることができる半導体基板
の乾燥装置および半導体基板の乾燥方法を提供すること
にある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者は、従来技術が
有する上述の諸問題を解決すべく、半導体ウェーハの乾
燥に関して種々の実験を行った。以下に、その概要を説
明する。

【００１３】すなわち、本発明者は、第１の実験とし
て、５０枚程度の半導体ウェーハを同時に乾燥させるこ
とができる制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置を用いて、ＩＰ
Ａ蒸気を吐出する方向を、垂直下方方向から半導体基板
に向けた角度が１０°、２０°３０°、５０°、９０°
となるようにさまざまに変えて半導体ウェーハの乾燥処
理を行い、それらの乾燥処理における半導体ウェーハ１
枚あたりの付着微粒子の個数およびウォータマークの個
数を測定した。なお、この測定における評価方法は、ウ
ェーハボートにダミーの半導体ウェーハを載せ、評価す
る半導体ウェーハの前面に、もう１枚の酸化膜が付けら
れた半導体ウェーハを鏡面対向で設置して、例えば希フ
ッ酸（ＤＨＦ）処理などの薬液処理を行う方法である。
また、評価基準は、乾燥装置の乾燥能力が十分であると
認められる基準とし、具体的には、半導体ウェーハ１枚
あたりの付着微粒子の個数を２０個以下、半導体ウェー
ハ１枚あたりのウォータマークの個数を１０個以下とす
る。

【００１４】図１５は、上述のようにして測定した半導
体ウェーハ１枚あたりの付着微粒子の個数およびウォー
タマークの個数の、ＩＰＡ蒸気の吐出方向角度依存性を
示す。

【００１５】図１５より、５０枚程度の半導体ウェーハ
を同時に乾燥させることができる制御したＩＰＡ蒸気乾
燥装置においては、ＩＰＡ蒸気の吐出方向角度を２０°
〜５０°の範囲内とした場合に、半導体ウェーハ１枚あ
たりの付着微粒子の個数が２０個以下となり、ウォータ
マークの個数も１０個以下となることがわかる。また、
この条件以外の条件、例えば吐出方向角度を１０°とし
た場合には、半導体ウェーハ１枚あたりの付着微粒子の
個数が約９個となり、ウォータマークの個数が約５２個
となった。また、ＩＰＡ蒸気の吐出方向角度を９０°以
上とした場合、すなわちＩＰＡ蒸気を水平より上に向け
て吐出した場合には、乾燥処理を行った半導体ウェーハ
は生乾き状態となり、ウォータマークが全面に検出され
る。逆に、ＩＰＡ蒸気の吐出方向角度を０°以下とした
場合、すなわち、ＩＰＡ蒸気の吐出方向を半導体基板の
側と反対側とした場合には、ＩＰＡ蒸気は、直接乾燥装
置の側壁面に付着したり、半導体ウェーハに接すること
なく上昇してしまい、半導体ウェーハを乾燥させること
ができず、水しみが残る状態が発生する。

【００１６】以上のことから、半導体ウェーハに吹き付
けるＩＰＡ蒸気の方向を、その垂直方向からの角度が、
２０°〜５０°の範囲内とすれば、半導体ウェーハ１枚
あたりの付着微粒子の個数は２０個以下、ウォータマー
クの個数は１０個以下となり、実用上十分な乾燥能力を
有することがわかる。

【００１７】また、本発明者は、第２の実験として、上
述の５０枚程度の半導体ウェーハを同時に乾燥させるこ
とができる制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置を用いて、ＩＰ
Ａ蒸気の初期吐出量を、０．３ｃｃ／ｓ、０．５ｃｃ／
ｓ、０．７ｃｃ／ｓ、１．０ｃｃ／ｓおよび１．５ｃｃ
／ｓとさまざまに変えて半導体ウェーハの乾燥処理を行
い、それらの乾燥処理における半導体ウェーハ１枚あた
りの付着微粒子の個数およびウォータマークの個数を測
定した。なお、この測定における評価方法は、ウェーハ
ボートにダミーの半導体ウェーハを載せ、評価する半導
体ウェーハの前面に、もう１枚の酸化膜が付けられた半
導体ウェーハを鏡面対向で設置して、例えば希フッ酸
（ＤＨＦ）処理などの薬液処理を行う方法であり、評価
基準は、半導体ウェーハ１枚あたりの付着微粒子の個数
およびウォータマークの個数とも、乾燥装置の乾燥能力
が実用上十分であると認められる２０個以下とする。

【００１８】図１６は、上述のようにして測定した、半
導体ウェーハ１枚あたりの付着微粒子の個数およびウォ
ータマークの個数のＩＰＡの初期吐出量依存性を示す。

【００１９】図１６より、５０枚程度の半導体ウェーハ
を同時に乾燥させることができる制御したＩＰＡ蒸気乾
燥装置において、ＩＰＡ蒸気の初期吐出量を０．５〜
１．５ｃｃ／ｓの範囲内とした場合に、半導体ウェーハ
１枚あたりの付着微粒子の個数が２０個以下となること
がわかる。また、ＩＰＡ蒸気の初期吐出量を０．８〜
１．５ｃｃ／ｓの範囲内とした場合に、半導体ウェーハ
１枚あたりのウォータマークの個数が２０個以下とな
り、ＩＰＡ蒸気の初期吐出量を０．５ｃｃ／ｓとした場
合に、半導体ウェーハ１枚あたりのウォータマークの個
数が約１２０個となることがわかる。また、ＩＰＡ蒸気
の初期吐出量を０．３ｃｃ／ｓ以下とした場合には、乾
燥処理を行った半導体ウェーハは生乾き状態となり、ウ
ォータマークが全面に検出される。逆に、ＩＰＡ蒸気の
初期吐出量を１．５ｃｃ／ｓよりも多くした場合におい
ては、ノズルから吹き出されるＩＰＡ蒸気はミスト
（霧）状になってしまうため、半導体ウェーハの表面に
はＩＰＡによる汚染により生じた付着微粒子が検出され
る。

【００２０】以上のことから、半導体ウェーハに吹き付
けるＩＰＡ蒸気の初期吐出量を０．８〜１．５ｃｃ／ｓ
の範囲内とすれば、半導体ウェーハ１枚あたりの付着微
粒子の個数およびウォータマークの個数はともに２０個
以下となり、実用上十分な乾燥能力を有することがわか
る。

【００２１】また、本発明者は、第３の実験として、上
述の第２の実験におけると同様の、５０枚程度の半導体
ウェーハを同時に乾燥させることができる制御したＩＰ
Ａ蒸気乾燥装置を用いて、ＩＰＡ蒸気の使用量を、３０
ｃｃ／バッチ、５０ｃｃ／バッチ、７０ｃｃ／バッチ、
８０ｃｃ／バッチ、９０ｃｃ／バッチ、１０５ｃｃ／バ
ッチ、１５０ｃｃ／バッチおよび２００ｃｃ／バッチと
さまざまに変えて半導体ウェーハの乾燥処理を行い、そ
れらの乾燥処理ごとに、半導体ウェーハ１枚あたりの付
着微粒子の個数およびウォータマークの個数を測定し
た。なお、この測定における評価方法および評価基準
は、上述したＩＰＡの初期吐出量の測定における評価方
法および評価基準と同様である。

【００２２】図１７は、上述のようにして測定した半導
体ウェーハ１枚あたりの付着微粒子の個数およびウォー
タマークの個数の、ＩＰＡの使用量依存性を示す。

【００２３】図１７より、制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置
において、ＩＰＡの使用量を５０〜２００ｃｃ／バッチ
の範囲内にした場合に、半導体ウェーハ１枚あたりの付
着微粒子の個数が２０個以下となることがわかる。ま
た、ＩＰＡの使用量を７０〜２００ｃｃ／バッチの範囲
内とした場合に、半導体ウェーハ１枚あたりのウォータ
マークの個数が２０個以下となり、ＩＰＡの使用量を５
０ｃｃ／バッチとした場合に、半導体ウェーハ１枚あた
りのウォータマークの個数が約３００個となることがわ
かる。また、ＩＰＡの使用量を３０ｃｃ／バッチ以下と
した場合には、半導体ウェーハは生乾き状態となってし
まい、付着微粒子は検出されないが、ウォータマークが
半導体ウェーハの全面で検出される。逆に、ＩＰＡの使
用量を２００ｃｃ／バッチより多くした場合について
は、半導体ウェーハの表面にＩＰＡによる汚染により生
じた付着微粒子が検出されてしまう。

【００２４】以上のことから、乾燥処理におけるＩＰＡ
の使用量を７０〜２００ｃｃ／バッチの範囲内とすれ
ば、半導体ウェーハ１枚あたりの付着微粒子の個数およ
びウォータマークの個数はともに２０個以下となり、実
用上十分な乾燥能力を有することがわかる。

【００２５】また、本発明者は、第４の実験として、５
０枚程度の半導体ウェーハを同時に乾燥させることがで
きる制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置を用いて、ＩＰＡ蒸気
を吐出するノズルの本数を２本、４本、６本とさまざま
に変えて半導体ウェーハの乾燥処理を行い、それらの乾
燥処理における半導体ウェーハ１枚あたりのウォータマ
ークの個数を測定した。なお、この測定における評価方
法は、ウェーハボートにダミーの半導体ウェーハを載
せ、評価する半導体ウェーハを設置して、例えば希フッ
酸（ＤＨＦ）処理などの薬液処理を行う方法であり、評
価基準は、半導体ウェーハ１枚あたりのウォータマーク
の個数が、乾燥装置の乾燥能力が十分であると認められ
る２０個以下となる場合とする。

【００２６】図１８は、上述のようにして測定した半導
体ウェーハ１枚あたりのウォータマークの個数の乾燥処
理時間依存性を、ノズルの本数を２本、４本、６本の３
通りで測定した場合について示す。

【００２７】図１８より、ノズルの本数を２本とした場
合でウォータマークの個数が約５０個であるときに、ノ
ズルの本数を４本または６本とした場合ではウォータマ
ークの個数は約１０個となることがわかる。また、若干
の例外はあるが、あらゆる乾燥処理時間を通じて、ノズ
ルの本数を４本または６本とした場合のウォータマーク
の個数は、ノズルの本数を２本とした場合のウォータマ
ークの個数より少なくなる。また、ノズルの本数を２本
以下とすると、乾燥処理時間が多くかかってしまう。

【００２８】以上のことから、半導体ウェーハにＩＰＡ
蒸気を吹き付けるためのノズルの本数を３本以上とすれ
ば、半導体ウェーハ１枚あたりのウォータマークの個数
を２０個以下とするのに要する時間を有効に短縮するこ
とができることがわかる。

【００２９】この発明は、以上の実験結果およびその検
討に基づいて案出されたものである。

【００３０】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明の第１の発明は、有機溶剤を気化し、気化された
有機溶剤をノズルを通じて半導体基板に吹き付けること
により半導体基板を乾燥させるようにした半導体基板の
乾燥装置において、気化された有機溶剤を、垂直方向か
ら半導体基板の側に向かって２０°から５０°の角度
で、半導体基板に吹き付けるようにしたことを特徴とす
るものである。

【００３１】この発明の第２の発明は、有機溶剤を気化
し、気化された有機溶剤をノズルを通じて半導体基板に
吹き付けることにより半導体基板を乾燥させるようにし
た半導体基板の乾燥装置において、ノズルのノズル穴
を、ノズルの断面の中心とノズル穴の中心とを結ぶ直線
が、ノズルの断面の中心と半導体基板の中心とを結んだ
直線と、ノズルの断面の中心から半導体基板に引いた接
線との間にあるように設けることを特徴とするものであ
る。

【００３２】この発明の第１および第２の発明におい
て、有機溶剤を吐出するためのノズルは偶数本設けら
れ、偶数本のノズルは半導体基板の中心より高い高さ
で、かつ半導体基板に対して対称に設けられている。

【００３３】この発明の第３の発明は、有機溶剤を気化
し、気化された有機溶剤を半導体基板に吹き付けること
により半導体基板を乾燥させるようにした半導体基板の
乾燥装置において、気化された有機溶剤の初期吐出量を
０．８ｃｃ／秒以上１．５ｃｃ／秒以下とすることを特
徴とするものである。

【００３４】この第３の発明による半導体基板の乾燥装
置は、５０枚程度の半導体基板を同時に乾燥させる場合
に適用して好適なものである。

【００３５】この第３の発明において、十分な乾燥能力
を確保しつつ、有機溶剤の使用量を抑える観点から、好
適には、半導体基板の乾燥における有機溶剤の使用量を
７０ｃｃ／バッチ以上２００ｃｃ／バッチ以下とする。

【００３６】この発明の第４の発明は、有機溶剤を気化
し、気化された有機溶剤を半導体基板に吹き付けること
により半導体基板を乾燥させるようにした半導体基板の
乾燥装置において、乾燥における有機溶剤の使用量を７
０ｃｃ／バッチ以上２００ｃｃ／バッチ以下とすること
を特徴とするものである。

【００３７】この第４の発明による半導体基板の乾燥装
置は、５０枚程度の半導体基板を同時に乾燥させる場合
に適用して好適なものである。

【００３８】この第４の発明において、好適には、半導
体基板に吹き付ける気化された有機溶剤の初期吐出量を
０．８ｃｃ／ｓ以上１．５ｃｃ／ｓ以下とする。

【００３９】この発明の第３および第４の発明におい
て、典型的には、気化された有機溶剤を、ノズルを用い
て半導体基板に吹き付ける。

【００４０】この発明の第５の発明は、有機溶剤を気化
し、気化された有機溶剤を半導体基板に吹き付けること
により半導体基板を乾燥させるようにした半導体基板の
乾燥装置において、気化された有機溶剤の初期吐出量を
０．６ｃｃ／秒以上１．５ｃｃ／秒以下とすることを特
徴とするものである。

【００４１】この第５の発明による半導体基板の乾燥装
置は、２５枚程度の半導体基板を同時に乾燥させる場合
に適用して好適なものである。

【００４２】この第５の発明において、好適には、乾燥
における有機溶剤の使用量を５０ｃｃ／バッチ以上１５
０ｃｃ／バッチ以下とする。

【００４３】この発明の第６の発明は、有機溶剤を気化
し、気化された有機溶剤を半導体基板に吹き付けること
により半導体基板を乾燥させるようにした半導体基板の
乾燥装置において、乾燥における有機溶剤の使用量を５
０ｃｃ／バッチ以上１５０ｃｃ／バッチ以下とすること
を特徴とするものである。

【００４４】この第６の発明による半導体基板の乾燥装
置は、２５枚程度の半導体基板を同時に乾燥させる場合
に適用して好適なものである。

【００４５】この第６の発明において、十分な乾燥能力
を確保しつつ、有機溶剤の使用量を抑える観点から、好
適には、半導体基板に吹き付ける有機溶剤の初期吐出量
を０．６ｃｃ／ｓ以上１．５ｃｃ／ｓ以下とする。

【００４６】この発明の第７の発明は、有機溶剤を気化
し、気化された有機溶剤を、ノズルを通じて半導体基板
に吹き付けることにより半導体基板を乾燥させるように
した半導体基板の乾燥装置において、ノズルが３本以上
設けられていることを特徴とするものである。

【００４７】この第７の発明において、気化された有機
溶剤を半導体基板の全面に効率よく吹き付けるようにす
るために、典型的には、半導体基板をその面がほぼ垂直
になるように設置し、垂直に設置された半導体基板の下
部に気化された有機溶剤を効率よく吹き付けるために、
３本以上のノズルのうちの少なくとも１本のノズルのノ
ズル穴が、半導体基板の乾燥処理を行う際に半導体基板
の最下端より低い高さになるように設けられている。

【００４８】この第７の発明において、その面がノズル
に対してほぼ垂直になるように設置された半導体基板の
下部に気化された有機溶剤をより効率よく吹き付けるた
めに、典型的には、半導体基板の乾燥の際に半導体基板
より低い高さに設けられたノズルのノズル穴を、ノズル
の断面の中心とノズル穴の中心とを結んだ直線が、水平
方向と、ノズルの断面の中心と半導体基板の最下部とを
結んだ直線との間にあるように設ける。また、この第７
の発明において、その面がノズルに対してほぼ垂直にな
るように設置された半導体基板の下部に気化された有機
溶剤をより効率よく吹き付けるために、典型的には、半
導体基板の乾燥の際に半導体基板より低い高さに設けら
れたノズルのノズル穴を、ノズルの断面の中心とノズル
穴の中心とを結んだ直線が、水平方向から半導体基板に
向かって０°から４５°の角度の範囲内にあるように設
ける。

【００４９】この第７の発明において、気化された有機
溶剤を半導体基板の全面に効率よく対称に吹き付けるよ
うにするために、典型的には、ノズルが４本設けられ、
４本のノズルのうちの２本のノズルは少なくとも半導体
基板の中心より上方で、かつ半導体基板に対して対称に
設けられており、残りの２本のノズルは半導体基板の最
下端より低い高さで、かつ半導体基板に対して対称に設
けられている。

【００５０】この発明の第８の発明は、有機溶剤を気化
し、気化された有機溶剤をノズルを通じて半導体基板に
吹き付けることにより半導体基板を乾燥させるようにし
た半導体基板の乾燥方法において、気化された有機溶剤
を、垂直方向から半導体基板の側に向かって２０°から
５０°の角度で、半導体基板に吹き付けるようにしたこ
とを特徴とするものである。

【００５１】この発明の第９の発明は、有機溶剤を気化
し、気化された有機溶剤をノズルを通じて半導体基板に
吹き付けることにより半導体基板を乾燥させるようにし
た半導体基板の乾燥方法において、ノズルの断面の中心
とノズルのノズル穴の中心とを結ぶ直線が、ノズルの断
面の中心と半導体基板の中心とを結んだ直線と、ノズル
の断面の中心から半導体基板に引いた接線との間にある
ようにすることを特徴とするものである。

【００５２】この発明の第８および第９の発明におい
て、典型的には、偶数本のノズルにより、気化された有
機溶剤を半導体基板に吹き付ける場合に、偶数本のノズ
ルが半導体基板の中心より高い高さで、かつ半導体基板
に対して対称になるようにする。

【００５３】この発明の第１０の発明は、有機溶剤を気
化し、気化された有機溶剤を半導体基板に吹き付けるこ
とにより半導体基板を乾燥させるようにした半導体基板
の乾燥方法において、気化された有機溶剤の初期吐出量
を０．８ｃｃ／秒以上１．５ｃｃ／秒以下とすることを
特徴とするものである。

【００５４】この第１０の発明による半導体基板の乾燥
装置は、５０枚程度の半導体基板を同時に乾燥させる場
合に適用して好適なものである。

【００５５】この第１０の発明において、十分な乾燥能
力を確保しつつ、有機溶剤の使用量を抑える観点から、
好適には、半導体基板の乾燥における有機溶剤の使用量
を７０ｃｃ／バッチ以上２００ｃｃ／バッチ以下とす
る。

【００５６】この発明の第１１の発明は、有機溶剤を気
化し、気化された有機溶剤を半導体基板に吹き付けるこ
とにより半導体基板を乾燥させるようにした半導体基板
の乾燥方法において、乾燥における有機溶剤の使用量を
７０ｃｃ／バッチ以上２００ｃｃ／バッチ以下とするこ
とを特徴とするものである。

【００５７】この第１１の発明による半導体基板の乾燥
方法は、５０枚程度の半導体基板を同時に乾燥させる場
合に適用して好適なものである。

【００５８】この第１１の発明において、好適には、半
導体基板に吹き付ける気化された有機溶剤の初期吐出量
を０．８ｃｃ／ｓ以上１．５ｃｃ／ｓ以下とする。

【００５９】この発明の第１０および第１１の発明にお
いて、典型的には、気化された有機溶剤を、ノズルを用
いて半導体基板に吹き付ける。

【００６０】この発明の第１２の発明は、有機溶剤を気
化し、気化された有機溶剤を半導体基板に吹き付けるこ
とにより半導体基板を乾燥させるようにした半導体基板
の乾燥方法において、気化された有機溶剤の初期吐出量
を０．６ｃｃ／秒以上１．５ｃｃ／秒以下とすることを
特徴とするものである。

【００６１】この第１２の発明による半導体基板の乾燥
方法は、２５枚程度の半導体基板を同時に乾燥させる場
合に適用して好適なものである。

【００６２】この第１２の発明において、好適には、乾
燥における有機溶剤の使用量を５０ｃｃ／バッチ以上１
５０ｃｃ／バッチ以下とする。

【００６３】この発明の第１３の発明は、有機溶剤を気
化し、気化された有機溶剤を半導体基板に吹き付けるこ
とにより半導体基板を乾燥させるようにした半導体基板
の乾燥方法において、乾燥における有機溶剤の使用量を
５０ｃｃ／バッチ以上１５０ｃｃ／バッチ以下とするこ
とを特徴とするものである。

【００６４】この第１３の発明による半導体基板の乾燥
方法は、２５枚程度の半導体基板を同時に乾燥させる場
合に適用して好適なものである。

【００６５】この第１３の発明において、十分な乾燥能
力を確保しつつ、有機溶剤の使用量を抑える観点から、
好適には、半導体基板に吹き付ける有機溶剤の初期吐出
量を０．６ｃｃ／ｓ以上１．５ｃｃ／ｓ以下とする。

【００６６】この発明の第１４の発明は、有機溶剤を気
化し、気化された有機溶剤をノズルを通じて半導体基板
に吹き付けることにより半導体基板を乾燥させるように
した半導体基板の乾燥方法において、ノズルを３本以上
設け、これらのノズルを通じて気化された有機溶剤を半
導体基板に吹き付けるようにしたことを特徴とするもの
である。

【００６７】この第１４の発明において、気化された有
機溶剤を半導体基板の全面に効率よく吹き付けるように
するために、典型的には、半導体基板をその面がほぼ垂
直になるように設置し、垂直に設置された半導体基板の
下部に気化された有機溶剤を効率よく吹き付けるため
に、典型的には、３本以上のノズルのうちの少なくとも
１本のノズルのノズル穴を、半導体基板の乾燥処理を行
う際に半導体基板の最下端より低い高さにする。

【００６８】この第１４の発明において、その面がほぼ
垂直になるように設置された半導体基板の下部に気化さ
れた有機溶剤をより効率よく吹き付けるために、典型的
には、半導体基板の乾燥の際に半導体基板より低い高さ
に設けられたノズルのノズル穴を、ノズルの断面の中心
とノズル穴の中心とを結んだ直線が、水平方向と、ノズ
ルの断面の中心と半導体基板の最下部とを結んだ直線と
の間にあるようにする。また、この第１４の発明におい
て、その面がほぼ垂直になるように設置された半導体基
板の下部に気化された有機溶剤をより効率よく吹き付け
るために、典型的には、半導体基板の乾燥の際に半導体
基板より低い高さに設けられたノズルのノズル穴を、ノ
ズルの断面の中心とノズル穴の中心とを結んだ直線が、
水平方向から半導体基板に向かって０°から４５°の角
度の範囲内にあるようにする。

【００６９】この第１４の発明において、気化された有
機溶剤を半導体基板の全面に効率よく対称に吹き付ける
ようにするために、典型的には、ノズルが４本設けら
れ、４本のノズルのうちの２本のノズルは少なくとも半
導体基板の中心より上方で、かつ半導体基板に対して対
称になるようにするとともに、残りの２本のノズルは半
導体基板の最下端より低い高さで、かつ半導体基板に対
して対称になるようにする。

【００７０】この発明において、典型的には、気化され
た有機溶剤のキャリアガスは、例えばＮ₂ ガスやアルゴ
ン（Ａｒ）ガスなどの不活性ガスである。

【００７１】この発明において、典型的には、有機溶剤
はイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）であるが、ＩＰＡ
以外の有機溶剤を用いることも可能である。

【００７２】上述のように構成されたこの発明の第１の
発明および第８の発明によれば、気化された有機溶剤を
垂直方向から半導体基板の側に２０°から５０°の角度
で吐出するようにしていることにより、気化された有機
溶剤を効率よく半導体基板と接触させることができ、こ
の有機溶剤を半導体基板の表面に付着した水と効果的に
置換させることができるので、半導体基板の表面に生じ
るウォータマークや付着微粒子を増加させることなく、
効率よく半導体基板を乾燥させることができる。

【００７３】また、この発明の第２の発明および第９の
発明によれば、ノズルのノズル穴を、ノズルの断面の中
心とノズル穴の中心とを結ぶ直線が、ノズルの断面の中
心と半導体基板の中心とを結んだ直線と、ノズルの断面
の中心から半導体基板に引いた接線との間にあるように
設けていることにより、気化された有機溶剤をこのノズ
ル穴を通じて吐出することによって、有機溶剤を半導体
基板にほぼ確実に接触させることができ、半導体基板の
表面に付着した水と効果的に置換させることができるの
で、半導体基板の表面に生じるウォータマークや付着微
粒子を増加させることなく、効率よく半導体基板を乾燥
させることができる。

【００７４】また、この発明の第３の発明および第１０
の発明によれば、半導体基板に吹き付ける気化された有
機溶剤の初期吐出量を０．８ｃｃ／秒以上１．５ｃｃ／
秒以下としていることにより、半導体基板の表面に付着
した水を乾燥処理の初期に有機溶剤で覆い置換すること
ができるので、半導体基板の表面に生じるウォータマー
クや半導体基板の表面に付着する微粒子を増加させるこ
となく、効率よく半導体基板を乾燥させることができ
る。

【００７５】また、この発明の第４の発明および第１１
の発明によれば、半導体基板の乾燥のための有機溶剤の
使用量を７０ｃｃ／バッチ以上２００ｃｃ／バッチ以下
としていることにより、必要十分な量の有機溶剤によっ
て半導体基板を乾燥させることができるので、半導体基
板の乾燥に用いる有機溶剤の量を低減することができ、
半導体基板表面に生じるウォータマークや半導体基板表
面に付着する微粒子を増加させることなく、効率よく半
導体基板を乾燥させることができる。

【００７６】また、この発明の第５の発明および第１２
の発明によれば、半導体基板に吹き付ける気化された有
機溶剤の初期吐出量を０．６ｃｃ／秒以上１．５ｃｃ／
秒以下としていることにより、半導体基板表面に付着し
た水を乾燥処理の初期に有機溶剤で覆い置換することが
できるので、半導体基板表面に生じるウォータマークや
半導体基板表面に付着する微粒子を増加させることな
く、効率よく半導体基板を乾燥させることができる。

【００７７】また、この発明の第６の発明および第１３
の発明によれば、半導体基板の乾燥のための有機溶剤の
使用量を５０ｃｃ／バッチ以上１５０ｃｃ／バッチ以下
としていることにより、必要十分な量の有機溶剤によっ
て半導体基板を乾燥させることができるので、半導体基
板の乾燥に用いる有機溶剤の量を低減することができ、
半導体基板表面に生じるウォータマークや半導体基板表
面に付着する微粒子を増加させることなく、効率よく半
導体基板を乾燥させることができる。

【００７８】また、この発明の第７の発明および第１４
の発明によれば、気化された有機溶剤を半導体基板に吹
き付けるためのノズルを３本以上設けるようにしている
ことにより、気化された有機溶剤を、半導体基板の表面
に３方向以上の方向から吹き付けることができるので、
気化された有機溶剤を半導体基板の表面に効率よく吹き
付けることができるとともに、水洗後の半導体基板表面
の水と有機溶剤との置換を効率よく行うことができ、乾
燥時間の短縮を図ることができる。

【００７９】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
の全図においては、同一または対応する部分には同一の
符号を付す。まず、この発明の第１の実施形態による制
御したＩＰＡ蒸気乾燥装置について説明する。図１は、
この第１の実施形態による制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置
を示し、図２は、この制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置の乾
燥槽の要部を示す。

【００８０】図１に示すように、この第１の実施形態に
よる制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置は、水洗槽（リンスチ
ャンバー）１と乾燥槽（ドライチャンバー）２とを有す
る。水洗槽１は、半導体ウェーハ３の水洗処理を行うた
めのものである。また、乾燥槽２は水洗処理後の半導体
ウェーハ３を乾燥させるためのものであり、例えばテフ
ロン(Teflon)などの樹脂系の材料から形成されている。
乾燥槽２の高さは、半導体ウェーハ３の径が８インチの
場合には例えば約３２０ｍｍである。また、水洗槽１と
乾燥槽２との間にはボトムカバー４が設けられている。
ボトムカバー４は乾燥槽２の下方に移動して、乾燥槽２
の下部の開口部を塞ぐことによって水洗槽１と乾燥槽２
とを分離するためのものであり、少なくとも水平方向に
移動可能である。また、ｚ軸ガイド５が水洗槽１と乾燥
槽２との内部に設けられている。ｚ軸ガイド５は、例え
ば５０枚程度の半導体ウェーハ３を保持しつつ、それら
の半導体ウェーハ３を、水洗槽１と乾燥槽２との間で搬
送するためのものであり、少なくとも上昇および下降が
可能である。

【００８１】水洗槽１の内部にはオーバーフローリンス
槽６が設けられている。このオーバーフローリンス槽６
の内部は超純水７で満たすことができるようになってお
り、下部には超純水供給管８が接続されて設けられてい
る。オーバーフローリンス槽６は、超純水７を溢れさせ
て半導体ウェーハ３の水洗を行うためのものであり、超
純水供給管８は、オーバーフローリンス槽６に超純水７
を供給するためのものである。この超純水供給管８には
超純水７の供給を調整するためのバルブ９が設けられて
いる。また、水洗槽１の側壁に超純水排出管１０が設け
られており、側壁の下部にドレイン１１が設けられてい
る。

【００８２】乾燥槽２の上部には上部カバー１２が設け
られており、半導体ウェーハ３を乾燥槽２から外部に搬
出したり、外部から乾燥槽２に搬入したりする際に開閉
することができるように構成されている。また、乾燥槽
２の内部には管状の２本のノズル１３が互いに平行に設
けられている。これらの２本のノズル１３は、半導体ウ
ェーハ３を乾燥槽２の内部から外部に搬出したり、外部
から乾燥槽２の内部に搬入したりする際に、半導体ウェ
ーハ３がこれらの２本のノズル１３の間を通過すること
のできる間隔を隔てて設けられている。具体的には、半
導体ウェーハ３の径が８インチの場合、２本のノズル１
３は、互いに例えば３００ｍｍの間隔を隔てて設けられ
ている。また、図２に示すように、それぞれのノズル１
３には、その長手方向（図面に垂直な方向）に沿って例
えば５０〜５７個程度のノズル穴１３ａが等間隔に設け
られており、それぞれのノズル穴１３ａから、例えば、
Ｎ₂ ガスなどの不活性ガスやＮ₂ とＩＰＡ蒸気との混合
ガスを半導体ウェーハ３に吹き付けることができるよう
になっている。このノズル穴１３ａの径は、０．８〜
１．０ｍｍであり、具体的には例えば０．８ｍｍであ
る。ここで、ノズル穴１３ａは、このノズル穴１３ａの
中心とノズル１３の長手方向に垂直な断面の中心とを結
ぶ直線が、垂直下方方向を基準として２０〜５０°の範
囲内の角度θをなすように構成されており、角度θは具
体的には例えば４１．７°である。すなわち、Ｎ₂ とＩ
ＰＡ蒸気との混合ガスは、ノズル穴１３ａを通じて垂直
下方方向と２０〜５０°の角度をなす方向に吐出され、
具体的には、垂直下方方向から例えば４１．７°の方向
に吐出される。なお、上述の角度θは、垂直下方方向か
ら半導体ウェーハ３の側に向かって正の角度が定義され
る。

【００８３】また、乾燥槽２の側壁にはガス排気管１４
が設けられている。このガス排気管１４は、乾燥槽２の
内部のガスを外部に排気するためのものである。ガス排
気管１４にはガスの排気を制御するためのバルブ１５が
設けられている。

【００８４】次に、上述の制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置
を用いた半導体ウェーハの乾燥方法について説明する。

【００８５】まず、ｚ軸ガイド５を乾燥槽２の内部にま
で移動しておき、上部カバー１２を開ける。その後、例
えば５０枚の半導体ウェーハ３をｚ軸ガイド５まで搬送
してそこに載置する。その後、上部カバー１２を閉じ
る。次に、ｚ軸ガイド５を下降させることにより、半導
体ウェーハ３を水洗槽１内のオーバーフローリンス槽６
の内部に搬入する。

【００８６】次に、超純水供給管８を通じて、超純水７
をオーバーフローリンス槽６に十分に供給することによ
り、半導体ウェーハ３の水洗を行う。一方で、乾燥槽２
においてノズル１３から例えばＮ₂ ガスを導入すること
により、乾燥槽２の内部をＮ₂ ガス雰囲気にする。

【００８７】半導体ウェーハ３の水洗処理が終了し、乾
燥槽２の内部がＮ₂ ガス雰囲気になった後、半導体ウェ
ーハ３が保持されたｚ軸ガイド５を上方に移動して、半
導体ウェーハ３を乾燥槽２の内部に搬入する。半導体ウ
ェーハ３の乾燥槽２の内部への搬入が完了した後、ボト
ムカバー４を乾燥槽２の下方にまで移動し、乾燥槽２の
下部の開口部をふさぐことによって、水洗槽１と乾燥槽
２とを分離する。

【００８８】次に、Ｎ₂ ガスをキャリアガスとして、ノ
ズル１３から気化させたＩＰＡを半導体ウェーハ３に吹
き付ける。この半導体ウェーハ３に吹き付けられるＩＰ
Ａ蒸気は、乾燥槽２の内部で一旦下方に流れ込んだ後、
上昇し、この上昇中に半導体ウェーハ３の表面と接触し
て、その表面の水を置換する。この置換したＩＰＡは半
導体ウェーハ３の表面から揮発して、半導体ウェーハ３
の乾燥が終了する。ここで、半導体ウェーハ３の乾燥条
件を挙げると、ＩＰＡ蒸気の初期吐出量を０．８〜１．
５ｃｃ／ｓ、使用量を７０〜２００ｃｃ／バッチとす
る。具体的には、ＩＰＡ蒸気の初期吐出量を例えば０．
８ｃｃ／ｓとし、その吐出量を一定に保ちながら例えば
約１０５秒間半導体ウェーハ３に吹き付ける。このと
き、ＩＰＡの使用量は約８４ｃｃである。なお、上述の
ＩＰＡ蒸気の初期吐出量および使用量は、ＩＰＡの液体
状態の体積で定義される。

【００８９】その後、乾燥槽２の上部カバー１２を開
け、半導体ウェーハ３を外部に搬出し、乾燥処理を終了
する。

【００９０】図３は、半導体ウェーハ上の残留有機物量
を、従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置を用いて半導体ウェーハ
を乾燥させた場合と、この第１の実施形態による制御し
たＩＰＡ蒸気乾燥装置を用いて半導体ウェーハを乾燥さ
せた場合とについて、その質量数ごとに測定した結果を
示す。ただし、使用した半導体ウェーハは８インチのシ
リコンウェーハである。なお、残留有機物の質量数およ
び量はともに規格化されている。

【００９１】図３より、従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置を用
いて乾燥を行った半導体ウェーハの残留有機物量に比
べ、この第１の実施形態による制御したＩＰＡ蒸気乾燥
装置を用いて乾燥を行った半導体ウェーハの残留有機物
量は約１／３に減少していることがわかる。

【００９２】以上説明したように、この第１の実施形態
によれば、ノズル１３を、ノズル１３の長手方向に垂直
な断面の中心とノズル穴１３ａの中心とを結ぶ直線が、
垂直下方方向から半導体ウェーハ３の側に向かって、２
０〜５０°の範囲内の角度となるように設けるようにし
ていることにより、ＩＰＡ蒸気を半導体ウェーハ３に効
率よく吹き付けることができ、従来のＩＰＡ蒸気乾燥装
置とほぼ同等の乾燥能力を確保しつつ、乾燥時間を短縮
することができるとともに、ＩＰＡの使用量を低減する
ことができる。したがって、このＩＰＡ蒸気乾燥装置を
用いて構成される洗浄機の処理能力を向上させることが
できるとともに、自然環境への悪影響を抑制することが
できる。また、残留有機物の量を従来のＩＰＡ蒸気乾燥
装置を用いた半導体ウェーハの乾燥におけるよりも約１
／３以下に減少させることができるので、半導体ウェー
ハ３上に形成される半導体装置の残留有機物による特性
の劣化を低減することができる。

【００９３】次に、この発明の第２の実施形態による制
御したＩＰＡ蒸気乾燥装置について説明する。

【００９４】この第２の実施形態による制御したＩＰＡ
蒸気乾燥装置においては、図４に示すように、ノズル１
３の長手方向に垂直な断面の中心とノズル穴１３ａの中
心とを結ぶ直線が、ノズル１３の断面の中心と半導体ウ
ェーハ３の中心とを結んだ直線と、ノズル１３の断面の
中心から半導体ウェーハ３に引いた接線との間にあるよ
うに角度θが選ばれること以外のことは第１の実施形態
と同様である。

【００９５】この第２の実施形態によれば、第１の実施
形態と同様の効果を得ることができる。

【００９６】次に、この発明の第３の実施形態による制
御したＩＰＡ蒸気乾燥装置を用いた半導体ウェーハの乾
燥方法について説明する。なお、この第３の実施形態に
よる制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置に関しては、図１に示
すと同様であるので説明を省略する。

【００９７】まず、図１に示すように、ｚ軸ガイド５を
乾燥槽２の内部にまで移動しておき、上部カバー１２を
開ける。その後、例えば５０枚の半導体ウェーハ３をｚ
軸ガイド５まで搬送してそこに載置する。その後、上部
カバー１２を閉じる。次に、ｚ軸ガイド５を下降させる
ことにより、半導体ウェーハ３を水洗槽１内のオーバー
フローリンス槽６の内部に搬入する。

【００９８】次に、超純水供給管８を通じて、超純水７
をオーバーフローリンス槽６に十分に供給することによ
り、半導体ウェーハ３の水洗を行う。また、一方で、乾
燥槽２においてノズル１３から例えばＮ₂ ガスを導入す
ることにより、乾燥槽２の内部をＮ₂ ガス雰囲気にす
る。

【００９９】半導体ウェーハ３の水洗処理が終了し、乾
燥槽２の内部がＮ₂ ガス雰囲気になった後、半導体ウェ
ーハ３が保持されたｚ軸ガイド５を上方に移動して、半
導体ウェーハ３を乾燥槽２の内部に搬入する。半導体ウ
ェーハ３の乾燥槽２の内部への搬入が完了した後、ボト
ムカバー４を乾燥槽２の下方にまで移動し、乾燥槽２の
下部の開口部をふさぐことによって、水洗槽１と乾燥槽
２とを分離する。

【０１００】次に、Ｎ₂ ガスをキャリアガスとして、ノ
ズル１３から気化させたＩＰＡ（ＩＰＡ蒸気）を半導体
ウェーハ３に吹き付ける。ここで、このＩＰＡ蒸気の半
導体ウェーハ３への吹き付けにおいては、ＩＰＡ蒸気の
初期吐出量は０．８〜１．５ｃｃ／ｓとし、その使用量
を７０〜２００ｃｃ／バッチとする。具体的には、ＩＰ
Ａ蒸気を、その初期吐出量を例えば０．８ｃｃ／ｓと
し、吐出量を一定に保ちながら例えば約１０５秒間半導
体ウェーハ３に吹き付ける。このとき、ＩＰＡの使用量
は約８４ｃｃである。これによって、半導体ウェーハ３
の表面の水がほぼ完全にＩＰＡに置換され、この置換し
たＩＰＡが半導体ウェーハ３の表面から揮発して、半導
体ウェーハ３の乾燥が終了する。なお、上述のＩＰＡ蒸
気の初期吐出量および使用量は、ＩＰＡの液体状態の体
積で定義される。

【０１０１】その後、乾燥槽２の上部カバー１２を開
け、半導体ウェーハ３を外部に搬出し、乾燥処理を終了
する。

【０１０２】上述した乾燥処理において、半導体ウェー
ハ上の残留有機物量を、従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置を用
いて半導体ウェーハを乾燥させた場合と、この第３の実
施形態によるＩＰＡ蒸気乾燥装置を用いて半導体ウェー
ハを乾燥させた場合とについて、それぞれ測定したとこ
ろ、従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置を用いて乾燥を行った半
導体ウェーハの残留有機物量に比べ、この第３の実施形
態によるＩＰＡ蒸気乾燥装置により乾燥を行った半導体
ウェーハの残留有機物量は約１／３に減少していること
が確認された。

【０１０３】図５は、上述の制御したＩＰＡ蒸気乾燥装
置を用いて、この第３の実施形態における条件のもとで
半導体ウェーハを乾燥させたときの、半導体ウェーハ１
枚あたりの付着微粒子の個数を測定し評価した結果を示
す。なお、参考のため、この第３の実施形態における条
件以外の条件のもとで半導体ウェーハを乾燥させたとき
の、半導体ウェーハ１枚あたりの付着微粒子の個数を測
定した結果も併せて示す。ここで、半導体ウェーハ１枚
あたりの付着微粒子の個数が、２０個より多い場合を
×、２０個以下の場合を○で表す。図６は、半導体ウェ
ーハ表面のウォータマークの個数について同様の測定を
した結果を示す。

【０１０４】図５および図６より、この第３の実施形態
におけるＩＰＡ蒸気の初期吐出量および使用量がそれぞ
れ０．８ｃｃ／ｓおよび８４ｃｃである場合において
は、半導体ウェーハ１枚あたりの付着微粒子の個数およ
びウォータマークの個数は、いずれも、乾燥装置として
の乾燥能力が十分であると認められる２０個以下であ
り、この第３の実施形態による制御したＩＰＡ蒸気乾燥
装置が十分な乾燥能力を有することが確認された。

【０１０５】以上説明したように、この第３の実施形態
によれば、制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置において、ノズ
ル１３から半導体ウェーハ３に吹き付けるＩＰＡ蒸気の
初期吐出量を０．８〜１．５ｃｃ／ｓ、使用量を７０〜
２００ｃｃ／バッチの範囲内としていることにより、半
導体ウェーハ３の乾燥において、必要十分な量のＩＰＡ
蒸気を吹き付けることができ、従来のＩＰＡ蒸気乾燥装
置とほぼ同等の乾燥能力を確保しつつ、乾燥時間を短縮
することができる。したがって、このＩＰＡ蒸気乾燥装
置を用いて構成される洗浄機の処理能力を向上させるこ
とができる。また、従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置における
ＩＰＡの使用量と比較しても、その使用量を低減するこ
とができるので、自然環境への悪影響を低減することが
できる。また、残留有機物の量を従来のＩＰＡ蒸気乾燥
装置における半導体ウェーハの乾燥におけるよりも約１
／３に減少させることができるので、半導体ウェーハ３
上に形成される半導体装置の残留有機物による特性の劣
化を低減することができる。

【０１０６】次に、この発明の第４の実施形態による制
御したＩＰＡ蒸気乾燥装置について説明する。

【０１０７】この第４の実施形態による制御したＩＰＡ
蒸気乾燥装置においては、ｚ軸ガイド５の半導体ウェー
ハ３の搭載枚数が２５枚程度であり、ノズル１３のノズ
ル穴の個数が２９〜５７個である。その他のことについ
ては第３の実施形態における制御したＩＰＡ蒸気乾燥装
置と同様である。

【０１０８】また、この第４の実施形態による半導体ウ
ェーハの乾燥方法は、ＩＰＡ蒸気の初期吐出量を０．６
〜１．５ｃｃ／ｓとし、使用量を５０〜１５０ｃｃ／バ
ッチとする。具体的には、初期吐出量を例えば０．６ｃ
ｃ／ｓとし、使用量を例えば５０ｃｃとすること以外の
ことについては第３の実施形態と同様である。

【０１０９】この第４の実施形態によれば、第３の実施
形態と同様の効果を得ることができる。

【０１１０】次に、この発明の第５の実施形態による制
御したＩＰＡ蒸気乾燥装置について説明する。図７は、
この第５の実施形態による制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置
を示し、図８は、この制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置の乾
燥槽の要部を示す。

【０１１１】図７に示すように、この第５の実施形態に
よる制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置は、水洗槽（リンスチ
ャンバー）２１と乾燥槽（ドライチャンバー）２２とを
有する。水洗槽２１は、半導体ウェーハ２３の水洗処理
を行うためのものである。また、乾燥槽２２は水洗処理
後の半導体ウェーハ２３を乾燥させるためのものであ
り、例えばテフロン(Teflon)などの樹脂系の材料から形
成されている。乾燥槽２２の高さは、半導体ウェーハ２
３の径が８インチの場合には例えば約３２０ｍｍであ
る。また、水洗槽２１と乾燥槽２２との間にはボトムカ
バー２４が設けられている。ボトムカバー２４は乾燥槽
２２の下方に移動して、乾燥槽２２の下部の開口部を塞
ぐことによって水洗槽２１と乾燥槽２２とを分離するた
めのものであり、少なくとも水平方向に移動可能であ
る。また、ｚ軸ガイド２５が水洗槽２１と乾燥槽２２と
の内部に設けられている。ｚ軸ガイド２６は、例えば５
０枚程度の半導体ウェーハ２３を保持しつつ、それらの
半導体ウェーハ２３を、水洗槽２１と乾燥槽２２との間
で搬送するためのものであり、少なくとも上昇および下
降が可能である。

【０１１２】水洗槽２１の内部にはオーバーフローリン
ス槽２６が設けられている。このオーバーフローリンス
槽２６の内部は、超純水２７を満たすことができるよう
に構成されている。また、その下部には超純水供給管２
８がオーバーフローリンス槽２６に接続されて設けられ
ている。オーバーフローリンス槽２６は、超純水を溢れ
させて半導体ウェーハ２３の水洗を行うためのものであ
り、超純水供給管２８は、オーバーフローリンス槽２６
に超純水を供給するためのものである。この超純水供給
管２８には超純水の供給を調整するためのバルブ２９が
設けられている。また、水洗槽２１には超純水排出管３
０が設けられているとともに、その下部にドレイン３１
が設けられている。

【０１１３】乾燥槽２２の上部には上部カバー３２が設
けられており、半導体ウェーハ２３を乾燥槽２２から外
部に搬出したり、外部から乾燥槽２２に搬入したりする
際に開閉することができるように構成されている。ま
た、乾燥槽２２の内部には例えば４本の管状のノズル３
３、３４、３５、３６が互いに平行に設けられている。
これらの４本のノズル３３、３４、３５、３６のうちの
ノズル３３、３４は、半導体ウェーハ２３の中心より上
方で、かつ半導体ウェーハ２３に対して対称に設けられ
ているとともに、半導体ウェーハ２３を乾燥槽２２の内
部から外部に搬出したり、外部から乾燥槽２２の内部に
搬入したりする際に、半導体ウェーハ２３がこれらのノ
ズル３３、３４の間を通過することのできる間隔を隔て
て設けられている。具体的には、半導体ウェーハの径が
８インチの場合、２本のノズル３３、３４は、互いに例
えば３００ｍｍ以上の間隔を隔てて設けられている。ノ
ズル３５、３６は、それらのノズル穴が半導体ウェーハ
２３の最下端より低い高さで、かつ半導体ウェーハ２３
に対して対称に設けられているとともに、半導体ウェー
ハ２３を乾燥槽２２と水洗槽２１との間で搬送する際
に、半導体ウェーハ２３がこれらのノズル３５、３６の
間を通過することができる間隔を隔てて設けられてい
る。また、図８に示すように、それぞれのノズル３３、
３４、３５、３６には、その長手方向（図面に垂直な方
向）に沿って例えば５０〜５７個程度のノズル穴３３
ａ、３４ａ、３５ａ、３６ａが等間隔に設けられてお
り、それぞれのノズル穴３３ａ、３４ａ、３５ａ、３６
ａから、例えば、Ｎ₂ ガスなどの不活性ガスやＮ₂ とＩ
ＰＡ蒸気との混合ガスを半導体ウェーハ２３に吹き付け
ることができるようになっている。これらのノズル穴３
３ａ、３４ａ、３５ａ、３６ａの径は０．８〜１．０ｍ
ｍであり、具体的には、例えば０．８ｍｍである。ま
た、ノズル３３、３４のそれぞれのノズル穴３３ａ、３
４ａは、それぞれのノズル３３、３４の長手方向に垂直
な断面の中心とそれぞれのノズル穴３３ａ、３４ａの中
心とを結んだ直線が、垂直下方方向から半導体ウェーハ
２３に向かって２０°〜５０°の角度θをなすように設
けられている。一方、ノズル３５、３６のそれぞれのノ
ズル穴３５ａ、３６ａは、それぞれのノズル３５、３６
の長手方向に垂直な断面の中心とそれぞれのノズル穴３
５ａ、３６ａの中心とを結ぶ直線が、水平方向と、それ
ぞれのノズルの３５、３６の中心と半導体ウェーハ２３
の最下部とを結ぶ直線との間にあるような角度φに設定
されて設けられている。なお、上述の、角度θおよび角
度φは、それぞれ、垂直下方方向から、および水平方向
から、半導体ウェーハ２３の側に向かって正の角度が定
義される。

【０１１４】また、図７に示すように、乾燥槽２２の側
壁にはガス排気管３７が設けられている。このガス排気
管３７は、乾燥槽２２の内部のガスを外部に排気するた
めのものである。ガス排気管３７にはガスの排気を制御
するためのバルブ３８が設けられている。

【０１１５】次に、上述の制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置
を用いた半導体ウェーハの乾燥方法について説明する。

【０１１６】まず、ｚ軸ガイド２６を乾燥槽２２の内部
にまで移動しておき、上部カバー３２を開ける。その
後、例えば５０枚の半導体ウェーハ２３をｚ軸ガイド２
６まで搬送してそこに載置する。その後、上部カバー３
２を閉じる。次に、ｚ軸ガイド２５を下降させることに
より、半導体ウェーハ２３を水洗槽２１内のオーバーフ
ローリンス槽２６の内部に搬入する。

【０１１７】次に、超純水供給管２８を通じて、超純水
２７をオーバーフローリンス槽２６に十分に供給するこ
とにより、半導体ウェーハ２３の水洗を行う。また、一
方で、乾燥槽２２においてノズル３３、３４、３５、３
６から例えばＮ₂ ガスを導入することにより、乾燥槽２
２の内部をＮ₂ ガス雰囲気にする。

【０１１８】半導体ウェーハ２３の水洗処理が終了し、
乾燥槽２２の内部がＮ₂ ガス雰囲気になった後、半導体
ウェーハ２３が保持されたｚ軸ガイド２６を上方に移動
して、半導体ウェーハ２３を乾燥槽２２の内部に搬入す
る。半導体ウェーハ２３の乾燥槽２２の内部への搬入が
完了した後、ボトムカバー２４を乾燥槽２２の下方にま
で移動し、乾燥槽２２の下部の開口部をふさぐことによ
って、水洗槽２１と乾燥槽２２とを分離する。

【０１１９】次に、Ｎ₂ ガスをキャリアガスとして、ノ
ズル３３、３４、３５、３６から気化させたＩＰＡ（Ｉ
ＰＡ蒸気）を半導体ウェーハ２３に吹き付け、半導体ウ
ェーハ２３の表面の水をＩＰＡ蒸気で置換する。特に、
ノズル３５、３６から吐出されるＩＰＡ蒸気は乾燥槽２
２の内部で上昇し、このＩＰＡ蒸気は、その上昇中に半
導体ウェーハ２３の表面の水と置換する。そして、この
置換したＩＰＡが半導体ウェーハ２３の表面から揮発し
て、半導体ウェーハ２３の乾燥が終了する。ここで、こ
の半導体ウェーハ２３の乾燥条件を挙げると、キャリア
ガスとしてのＮ₂ ガスの温度を例えば１１０℃とし、Ｉ
ＰＡ蒸気の初期吐出量を０．８〜１．５ｃｃ／ｓとし、
その使用量を７０〜２００ｃｃ／バッチとする。例え
ば、ＩＰＡ蒸気を、その初期吐出量を例えば０．８ｃｃ
／ｓとし、その吐出量を一定に保ちながら例えば約１０
５秒間半導体ウェーハ２３に吹き付ける。このとき、Ｉ
ＰＡの使用量は約８４ｃｃである。なお、上述のＩＰＡ
蒸気の初期吐出量および使用量は、ＩＰＡの液体状態の
体積で定義される。

【０１２０】その後、乾燥槽２２の上部カバー３２を開
け、半導体ウェーハ２３を外部に搬出し、乾燥処理を終
了する。

【０１２１】上述した乾燥処理において、半導体ウェー
ハ上の残留有機物量を、従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置を用
いて半導体ウェーハを乾燥させた場合と、この第５の実
施形態によるＩＰＡ蒸気乾燥装置を用いて半導体ウェー
ハを乾燥させた場合とについて、それぞれ測定したとこ
ろ、従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置を用いて乾燥を行った半
導体ウェーハの残留有機物量に比べ、この第５の実施形
態によるＩＰＡ蒸気乾燥装置を用いて乾燥を行った半導
体ウェーハの残留有機物量は約１／３に減少しているこ
とが確認された。

【０１２２】以上説明したように、この第５の実施形態
によるＩＰＡ蒸気乾燥装置および乾燥方法によれば、制
御したＩＰＡ蒸気乾燥装置において、半導体ウェーハ２
３の中心より上方に２本のノズル３３、３４を設け、残
りの２本のノズル３５、３６を、それらのノズル穴３５
ａ、３６ａが半導体ウェーハ２３の最下端より低い高さ
になるように設けていることにより、半導体ウェーハ２
３にＩＰＡ蒸気を効率よく吹き付けることができ、従来
のＩＰＡ蒸気乾燥装置とほぼ同等の乾燥能力を確保しつ
つ、乾燥時間を短縮することができるとともに、ＩＰＡ
の使用量を低減することができる。したがって、このＩ
ＰＡ蒸気乾燥装置を用いて構成される洗浄機の処理能力
を向上させることができるとともに、自然環境への悪影
響を抑制することができる。また、残留有機物の量を従
来のＩＰＡ蒸気乾燥装置における半導体ウェーハの乾燥
におけるよりも約１／３以下に減少させることができる
ので、半導体ウェーハ２３上に形成される半導体装置に
対する残留有機物による特性の劣化を低減することがで
きる。

【０１２３】次に、この発明の第６の実施形態による制
御したＩＰＡ蒸気乾燥装置について説明する。

【０１２４】この第６の実施形態による制御したＩＰＡ
蒸気乾燥装置においては、図８に示す角度φが０°〜４
５°となるように、ノズル穴３５ａ、３６ａが設けられ
ていること以外のことは第５の実施形態における制御し
たＩＰＡ蒸気乾燥装置と同様である。

【０１２５】この第６の実施形態によれば、第５の実施
形態と同様の効果を得ることができる。

【０１２６】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。

【０１２７】例えば、上述の実施形態において挙げた数
値はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる
数値を用いてもよい。

【０１２８】また、例えば、上述の第１、第３および第
５の実施形態においては、ＩＰＡ蒸気を、その初期吐出
量のままで一定に保ちながら半導体ウェーハに吹き付け
るようにしているが、初期吐出量を０．８〜１．５ｃｃ
／ｓとし、その後、吐出量を増加させたり減少させたり
するようにしてもよい。

【０１２９】また、例えば、上述の第１および第３の実
施形態においては、乾燥槽２の内部を不活性ガスとして
Ｎ₂ ガスを用いた雰囲気としているが、Ａｒガスを用い
ることも可能である。また、例えば、上述の第５の実施
形態においては、乾燥槽２２の内部を、不活性ガスとし
てＮ₂ ガスを用いた雰囲気としているが、Ａｒガスを用
いることも可能である。

【０１３０】また、例えば、上述の第１の実施形態、第
５の実施形態における装置構成はあくまでも一例に過ぎ
ず、必要に応じてこれらと異なる構成の装置を用いるよ
うにしてもよい。

【０１３１】また、例えば、上述の第５の実施形態にお
いては、ノズルの本数を４本としているが、ノズルの本
数は必ずしも４本に限定されるものではなく、図９に示
すように、例えば、さらに２本のノズル３９、４０を半
導体ウェーハ２３の中心とほぼ同じ高さで半導体ウェー
ハ２３に対して左右対称に設け、６本のノズルが半導体
ウェーハ２３に対して左右対称に設けられた装置構成と
してもよく、また、それ以外の本数にすることも可能で
ある。

【０１３２】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の第１の
発明および第８の発明によれば、気化された有機溶剤
を、垂直下方方向から半導体基板の側に向かって２０°
〜５０°の角度をなすようにして、半導体基板に吹き付
けるようにしていることにより、乾燥能力の低下を招く
ことなく、乾燥時間を短縮することができ、それによっ
て、乾燥処理能力を向上させることができるとともに、
残留有機物の低減を図ることができる。

【０１３３】また、この発明の第２の発明および第９の
発明によれば、有機溶剤を吐出するためのノズルのノズ
ル穴を、ノズルの断面の中心とノズル穴の中心とを結ぶ
直線が、ノズルの断面の中心と半導体基板の中心とを結
んだ直線と、ノズルの断面の中心から半導体基板に引い
た接線との間にあるように設け、このノズル穴を通じて
気化された有機溶剤を半導体基板に吹き付けるようにし
ていることにより、乾燥能力の低下を招くことなく、乾
燥時間を短縮することができ、それによって、乾燥処理
能力を向上させることができるとともに、残留有機物の
低減を図ることができる。

【０１３４】また、この発明の第３の発明、第４の発
明、第５の発明、第６の発明、第１０の発明、第１１の
発明、第１２の発明および第１３の発明によれば、乾燥
能力の低下を招くことなく、乾燥時間を短縮することが
でき、乾燥処理能力を向上させることができ、また、有
機物の使用量を乾燥に必要十分な量にまで低減すること
によって、自然環境の保護に貢献するとともに、残留有
機物の低減を図ることができる。

【０１３５】また、この発明の第７の発明および第１４
の発明によれば、ノズルを３本以上設け、これらの３本
以上のノズルから気化された有機溶剤を半導体基板に吹
き付けるようにしていることにより、乾燥能力の低下を
招くことなく、乾燥時間を短縮することができ、それに
よって、乾燥処理能力を向上させることができるととも
に、残留有機物の低減を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施形態による制御したＩＰ
Ａ蒸気乾燥装置を示す断面図である。

【図２】この発明の第１の実施形態による制御したＩＰ
Ａ蒸気乾燥装置の乾燥槽の要部を示す断面図である。

【図３】半導体ウェーハ表面の残留有機物量を示すグラ
フである。

【図４】この発明の第１の実施形態の他の例による制御
したＩＰＡ蒸気乾燥装置の乾燥槽の要部を示す断面図で
ある。

【図５】半導体ウェーハ表面の付着微粒子の個数のＩＰ
Ａの使用量依存性を示す表である。

【図６】半導体ウェーハ表面のウォータマークの個数の
ＩＰＡの使用量依存性を示す表である。

【図７】この発明の第５の実施形態による制御したＩＰ
Ａ蒸気乾燥装置の構成を示す断面図である。

【図８】この発明の第５の実施形態による制御したＩＰ
Ａ蒸気乾燥装置の乾燥槽の要部を示す断面図である。

【図９】この発明の第５の実施形態による制御したＩＰ
Ａ蒸気乾燥装置の他の例を示す断面図である。

【図１０】従来の半導体ウェーハの洗浄機の構成を示す
略線図である。

【図１１】従来のＩＰＡ蒸気乾燥装置による半導体ウェ
ーハの乾燥方法を説明するための略線図である。

【図１２】従来のマランゴニ効果を利用した乾燥装置に
よる半導体ウェーハの乾燥方法を説明するための略線図
である。

【図１３】マランゴニ効果を説明するための断面図であ
る。

【図１４】従来の制御したＩＰＡ蒸気乾燥装置による半
導体ウェーハの乾燥方法を説明するための略線図であ
る。

【図１５】半導体ウェーハ１枚あたりのその表面の付着
微粒子の個数およびウォータマークの個数の、ＩＰＡの
吐出方向角度依存性を示すグラフである。

【図１６】半導体ウェーハ１枚あたりのその表面の付着
微粒子の個数およびウォータマークの個数の、ＩＰＡの
初期吐出量依存性を示すグラフである。

【図１７】半導体ウェーハ１枚あたりのその表面の付着
微粒子の個数およびウォータマークの個数の、ＩＰＡの
使用量依存性を示すグラフである。

【図１８】ＩＰＡの吐出ノズルの本数を２本、４本およ
び６本とした場合における、半導体ウェーハ１枚あたり
の表面のウォータマークの個数の、乾燥処理時間依存性
を示すグラフである。

【符号の説明】

１、２１・・・水洗槽、２、２２・・・乾燥槽、３、２
３・・・半導体ウェーハ、６、２６・・・オーバーフロ
ーリンス槽、１３、３３、３４、３５、３６、３９、４
０・・・ノズル、１３ａ、３３ａ、３４ａ、３５ａ、３
６ａ・・・ノズル穴

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩元 勇人 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 南 輝臣 佐賀県鳥栖市西新町1375番41号 東京エレ クトロン九州株式会社内

Claims (48)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 有機溶剤を気化し、上記気化された上記
   有機溶剤をノズルを通じて半導体基板に吹き付けること
   により上記半導体基板を乾燥させるようにした半導体基
   板の乾燥装置において、 上記気化された上記有機溶剤を、垂直方向から上記半導
   体基板の側に向かって２０°から５０°の角度で、上記
   半導体基板に吹き付けるようにしたことを特徴とする半
   導体基板の乾燥装置。
2. 【請求項２】 上記有機溶剤がイソプロピルアルコール
   であることを特徴とする請求項１記載の半導体基板の乾
   燥装置。
3. 【請求項３】 上記気化された上記有機溶剤のキャリア
   ガスとして不活性ガスを用いることを特徴とする請求項
   １記載の半導体基板の乾燥装置。
4. 【請求項４】 上記ノズルが偶数本設けられ、上記偶数
   本のノズルは上記半導体基板の中心より高い高さで、か
   つ上記半導体基板に対して対称に設けられていることを
   特徴とする請求項１記載の半導体基板の乾燥装置。
5. 【請求項５】 有機溶剤を気化し、上記気化された上記
   有機溶剤をノズルを通じて半導体基板に吹き付けること
   により上記半導体基板を乾燥させるようにした半導体基
   板の乾燥装置において、 上記ノズルのノズル穴を、上記ノズルの断面の中心と上
   記ノズル穴の中心とを結ぶ直線が、上記ノズルの断面の
   中心と上記半導体基板の中心とを結んだ直線と、上記ノ
   ズルの断面の中心から上記半導体基板に引いた接線との
   間にあるように設けることを特徴とする半導体基板の乾
   燥装置。
6. 【請求項６】 有機溶剤を気化し、上記気化された上記
   有機溶剤を半導体基板に吹き付けることにより上記半導
   体基板を乾燥させるようにした半導体基板の乾燥装置に
   おいて、 上記気化された上記有機溶剤の初期吐出量を０．８ｃｃ
   ／秒以上１．５ｃｃ／秒以下とすることを特徴とする半
   導体基板の乾燥装置。
7. 【請求項７】 上記乾燥における上記有機溶剤の使用量
   を７０ｃｃ／バッチ以上２００ｃｃ／バッチ以下とする
   ことを特徴とする請求項６記載の半導体基板の乾燥装
   置。
8. 【請求項８】 上記気化された上記有機溶剤を、ノズル
   を用いて上記半導体基板に吹き付けるようにしたことを
   特徴とする請求項６記載の半導体基板の乾燥装置。
9. 【請求項９】 上記気化された上記有機溶剤のキャリア
   ガスとして不活性ガスを用いることを特徴とする請求項
   ６記載の半導体基板の乾燥装置。
10. 【請求項１０】 上記有機溶剤がイソプロピルアルコー
    ルであることを特徴とする請求項６記載の半導体基板の
    乾燥装置。
11. 【請求項１１】 有機溶剤を気化し、上記気化された上
    記有機溶剤を半導体基板に吹き付けることにより上記半
    導体基板を乾燥させるようにした半導体基板の乾燥装置
    において、 上記乾燥における上記有機溶剤の使用量を７０ｃｃ／バ
    ッチ以上２００ｃｃ／バッチ以下とすることを特徴とす
    る半導体基板の乾燥装置。
12. 【請求項１２】 上記気化された上記有機溶剤を、ノズ
    ルを用いて上記半導体基板に吹き付けるようにしたこと
    を特徴とする請求項１１記載の半導体基板の乾燥装置。
13. 【請求項１３】 上記気化された上記有機溶剤のキャリ
    アガスとして不活性ガスを用いることを特徴とする請求
    項１１記載の半導体基板の乾燥装置。
14. 【請求項１４】 上記有機溶剤がイソプロピルアルコー
    ルであることを特徴とする請求項１１記載の半導体基板
    の乾燥装置。
15. 【請求項１５】 有機溶剤を気化し、上記気化された上
    記有機溶剤を半導体基板に吹き付けることにより上記半
    導体基板を乾燥させるようにした半導体基板の乾燥装置
    において、 上記気化された上記有機溶剤の初期吐出量を０．６ｃｃ
    ／秒以上１．５ｃｃ／秒以下とすることを特徴とする半
    導体基板の乾燥装置。
16. 【請求項１６】 上記乾燥における上記有機溶剤の使用
    量を５０ｃｃ／バッチ以上１５０ｃｃ／バッチ以下とす
    ることを特徴とする請求項１５記載の半導体基板の乾燥
    装置。
17. 【請求項１７】 有機溶剤を気化し、上記気化された上
    記有機溶剤を半導体基板に吹き付けることにより上記半
    導体基板を乾燥させるようにした半導体基板の乾燥装置
    において、 上記乾燥における上記有機溶剤の使用量を５０ｃｃ／バ
    ッチ以上１５０ｃｃ／バッチ以下とすることを特徴とす
    る半導体基板の乾燥装置。
18. 【請求項１８】 有機溶剤を気化し、上記気化された上
    記有機溶剤を、ノズルを通じて半導体基板に吹き付ける
    ことにより上記半導体基板を乾燥させるようにした半導
    体基板の乾燥装置において、 上記ノズルが３本以上設けられていることを特徴とする
    半導体基板の乾燥装置。
19. 【請求項１９】 上記半導体基板をその面が上記ノズル
    に対してほぼ垂直になるように設置し、上記ノズルのう
    ちの少なくとも１本のノズルのノズル穴が、上記乾燥の
    際に上記半導体基板の最下端より低い高さになるように
    設けられていることを特徴とする請求項１８記載の半導
    体基板の乾燥装置。
20. 【請求項２０】 上記乾燥の際に上記半導体基板より低
    い高さに設けられた上記ノズルの上記ノズル穴を、上記
    ノズルの断面の中心と上記ノズル穴の中心とを結んだ直
    線が、水平方向と、上記ノズルの断面の中心と上記半導
    体基板の最下部とを結んだ直線との間にあるように設け
    ることを特徴とする請求項１９記載の半導体基板の乾燥
    装置。
21. 【請求項２１】 上記乾燥の際に上記半導体基板より低
    い高さに設けられた上記ノズルの上記ノズル穴を、上記
    ノズルの断面の中心と上記ノズル穴の中心とを結んだ直
    線が、水平方向から上記半導体基板に向かって０°から
    ４５°の角度の範囲内にあるように設けることを特徴と
    する請求項１９記載の半導体基板の乾燥装置。
22. 【請求項２２】 上記ノズルが４本設けられ、４本の上
    記ノズルのうちの２本のノズルは少なくとも上記半導体
    基板の中心より上方で、かつ上記半導体基板に対して対
    称に設けられており、残りの２本のノズルは上記半導体
    基板の最下端より低い高さで、かつ上記半導体基板に対
    して対称に設けられていることを特徴とする請求項１８
    記載の半導体基板の乾燥装置。
23. 【請求項２３】 上記気化された有機溶剤のキャリアガ
    スとして、不活性ガスを用いることを特徴とする請求項
    １８記載の半導体基板の乾燥装置。
24. 【請求項２４】 上記有機溶剤がイソプロピルアルコー
    ルであることを特徴とする請求項１８記載の半導体基板
    の乾燥装置。
25. 【請求項２５】 有機溶剤を気化し、上記気化された上
    記有機溶剤をノズルを通じて半導体基板に吹き付けるこ
    とにより上記半導体基板を乾燥させるようにした半導体
    基板の乾燥方法において、 上記気化された上記有機溶剤を、垂直方向から上記半導
    体基板の側に向かって２０°から５０°の角度で、上記
    半導体基板に吹き付けるようにしたことを特徴とする半
    導体基板の乾燥方法。
26. 【請求項２６】 上記有機溶剤がイソプロピルアルコー
    ルであることを特徴とする請求項２５記載の半導体基板
    の乾燥方法。
27. 【請求項２７】 上記気化された上記有機溶剤のキャリ
    アガスとして不活性ガスを用いることを特徴とする請求
    項２５記載の半導体基板の乾燥方法。
28. 【請求項２８】 上記ノズルを偶数本設け、上記偶数本
    のノズルを上記半導体基板の中心より高い高さで、かつ
    上記半導体基板に対して対称になるようにしたことを特
    徴とする請求項２５記載の半導体基板の乾燥方法。
29. 【請求項２９】 有機溶剤を気化し、上記気化された上
    記有機溶剤をノズルを通じて半導体基板に吹き付けるこ
    とにより上記半導体基板を乾燥させるようにした半導体
    基板の乾燥方法において、 上記ノズルの断面の中心と上記ノズルのノズル穴の中心
    とを結ぶ直線が、上記ノズルの断面の中心と上記半導体
    基板の中心とを結んだ直線と、上記ノズルの断面の中心
    から上記半導体基板に引いた接線との間にあるようにす
    ることを特徴とする半導体基板の乾燥方法。
30. 【請求項３０】 有機溶剤を気化し、上記気化された上
    記有機溶剤を半導体基板に吹き付けることにより上記半
    導体基板を乾燥させるようにした半導体基板の乾燥方法
    において、 上記気化された上記有機溶剤の初期吐出量を０．８ｃｃ
    ／秒以上１．５ｃｃ／秒以下とすることを特徴とする半
    導体基板の乾燥方法。
31. 【請求項３１】 上記乾燥における上記有機溶剤の使用
    量を７０ｃｃ／バッチ以上２００ｃｃ／バッチ以下とす
    ることを特徴とする請求項３０記載の半導体基板の乾燥
    方法。
32. 【請求項３２】 上記気化された上記有機溶剤を、ノズ
    ルを用いて上記半導体基板に吹き付けるようにしたこと
    を特徴とする請求項３０記載の半導体基板の乾燥方法。
33. 【請求項３３】 上記気化された上記有機溶剤のキャリ
    アガスとして不活性ガスを用いることを特徴とする請求
    項３０記載の半導体基板の乾燥方法。
34. 【請求項３４】 上記有機溶剤がイソプロピルアルコー
    ルであることを特徴とする請求項３０記載の半導体基板
    の乾燥方法。
35. 【請求項３５】 有機溶剤を気化し、上記気化された上
    記有機溶剤を半導体基板に吹き付けることにより上記半
    導体基板を乾燥させるようにした半導体基板の乾燥方法
    において、 上記乾燥における上記有機溶剤の使用量を７０ｃｃ／バ
    ッチ以上２００ｃｃ／バッチ以下とすることを特徴とす
    る半導体基板の乾燥方法。
36. 【請求項３６】 上記気化された上記有機溶剤を、ノズ
    ルを用いて上記半導体基板に吹き付けるようにしたこと
    を特徴とする請求項３５記載の半導体基板の乾燥方法。
37. 【請求項３７】 上記気化された上記有機溶剤のキャリ
    アガスとして不活性ガスを用いることを特徴とする請求
    項３５記載の半導体基板の乾燥方法。
38. 【請求項３８】 上記有機溶剤がイソプロピルアルコー
    ルであることを特徴とする請求項３５記載の半導体基板
    の乾燥方法。
39. 【請求項３９】 有機溶剤を気化し、上記気化された上
    記有機溶剤を半導体基板に吹き付けることにより上記半
    導体基板を乾燥させるようにした半導体基板の乾燥方法
    において、 上記気化された上記有機溶剤の初期吐出量を０．６ｃｃ
    ／秒以上１．５ｃｃ／秒以下とすることを特徴とする半
    導体基板の乾燥方法。
40. 【請求項４０】 上記乾燥における上記有機溶剤の使用
    量を５０ｃｃ／バッチ以上１５０ｃｃ／バッチ以下とす
    ることを特徴とする請求項３９記載の半導体基板の乾燥
    方法。
41. 【請求項４１】 有機溶剤を気化し、上記気化された上
    記有機溶剤を半導体基板に吹き付けることにより上記半
    導体基板を乾燥させるようにした半導体基板の乾燥方法
    において、 上記乾燥における上記有機溶剤の使用量を５０ｃｃ／バ
    ッチ以上１５０ｃｃ／バッチ以下とすることを特徴とす
    る半導体基板の乾燥方法。
42. 【請求項４２】 有機溶剤を気化し、上記気化された上
    記有機溶剤をノズルを通じて半導体基板に吹き付けるこ
    とにより上記半導体基板を乾燥させるようにした半導体
    基板の乾燥方法において、 上記ノズルを３本以上設け、これらのノズルを通じて上
    記気化された上記有機溶剤を上記半導体基板に吹き付け
    るようにしたことを特徴とする半導体基板の乾燥方法。
43. 【請求項４３】 上記半導体基板をその面が上記ノズル
    に対してほぼ垂直になるように設置し、上記ノズルのう
    ちの少なくとも１本のノズルのノズル穴を、上記乾燥の
    際に上記半導体基板の最下端より低い高さに設けるよう
    にしたことを特徴とする請求項４２記載の半導体基板の
    乾燥方法。
44. 【請求項４４】 上記乾燥の際に上記半導体基板より低
    い高さに設けられた上記ノズルの上記ノズル穴を、上記
    ノズルの断面の中心と上記ノズル穴の中心とを結んだ直
    線が、水平方向と、上記ノズルの断面の中心と上記半導
    体基板の最下部とを結んだ直線との間にあるようにする
    ことを特徴とする請求項４３記載の半導体基板の乾燥方
    法。
45. 【請求項４５】 上記乾燥の際に上記半導体基板より低
    い高さに設けられた上記ノズルの上記ノズル穴を、上記
    ノズルの断面の中心と上記ノズル穴の中心とを結んだ直
    線が、水平方向から上記半導体基板に向かって０°から
    ４５°の角度の範囲内にあるようにすることを特徴とす
    る請求項４３記載の半導体基板の乾燥方法。
46. 【請求項４６】 上記ノズルを４本設け、上記４本のノ
    ズルのうちの２本のノズルを少なくとも上記半導体基板
    の中心より上方で、かつ上記半導体基板に対して対称に
    なるようにし、残りの２本のノズルを上記半導体基板の
    最下端より低い高さで、かつ上記半導体基板に対して対
    称になるようにすることを特徴とする請求項４２記載の
    半導体基板の乾燥方法。
47. 【請求項４７】 上記気化された有機溶剤のキャリアガ
    スとして、不活性ガスを用いることを特徴とする請求項
    ４２記載の半導体基板の乾燥方法。
48. 【請求項４８】 上記有機溶剤がイソプロピルアルコー
    ルであることを特徴とする請求項４２記載の半導体基板
    の乾燥方法。