JP2002016038A - 半導体ウェハ洗浄装置及びこれを利用した半導体ウェハ洗浄方法 - Google Patents
半導体ウェハ洗浄装置及びこれを利用した半導体ウェハ洗浄方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一つの内部バスだけを備えて化学溶液洗浄及
び純水洗浄を一つの内部バスで行い、マランゴニ乾燥器
が含まれているので、半導体ウェハの洗浄及び乾燥を一
体的に行える半導体ウェハ洗浄装置及びこれを用いた洗
浄方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ洗浄装置のマランゴニ乾燥
器２３は、内部バス１９を基準としてＸ軸、Ｙ軸及びＺ
軸に移動できるので、マランゴニ乾燥器２３と内部バス
１９とを密着させ、洗浄工程済みの半導体ウェハ３を乾
燥させれば、半導体ウェハ洗浄装置の層流や排気による
影響を抑制できる。加えて、前記内部バス１９の両側に
位置する外部バス２０に排気口を備えて排気を一層均一
にできる。これにより、半導体ウェハ３の表面上に生じ
る水玉斑点を抑制できる。
び純水洗浄を一つの内部バスで行い、マランゴニ乾燥器
が含まれているので、半導体ウェハの洗浄及び乾燥を一
体的に行える半導体ウェハ洗浄装置及びこれを用いた洗
浄方法を提供する。 【解決手段】 半導体ウェハ洗浄装置のマランゴニ乾燥
器２３は、内部バス１９を基準としてＸ軸、Ｙ軸及びＺ
軸に移動できるので、マランゴニ乾燥器２３と内部バス
１９とを密着させ、洗浄工程済みの半導体ウェハ３を乾
燥させれば、半導体ウェハ洗浄装置の層流や排気による
影響を抑制できる。加えて、前記内部バス１９の両側に
位置する外部バス２０に排気口を備えて排気を一層均一
にできる。これにより、半導体ウェハ３の表面上に生じ
る水玉斑点を抑制できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハ洗浄装
置及びこれを用いた半導体ウェハ洗浄方法に係り、より
詳細には、マランゴニ乾燥器を採用した半導体ウェハ洗
浄装置及びこれを用いた半導体ウェハ洗浄方法に関す
る。
置及びこれを用いた半導体ウェハ洗浄方法に係り、より
詳細には、マランゴニ乾燥器を採用した半導体ウェハ洗
浄装置及びこれを用いた半導体ウェハ洗浄方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウェハを集積回路で製造すると
き、各種の製造工程中に生じる残留物質、小さいパーチ
クル、汚れ物などを除去するために半導体ウェハを洗浄
する洗浄工程が必要である。特に、高集積化された集積
回路を製造するときには、半導体ウェハの表面に付いた
微細な汚れ物を除去する洗浄工程は極めて重要である。
き、各種の製造工程中に生じる残留物質、小さいパーチ
クル、汚れ物などを除去するために半導体ウェハを洗浄
する洗浄工程が必要である。特に、高集積化された集積
回路を製造するときには、半導体ウェハの表面に付いた
微細な汚れ物を除去する洗浄工程は極めて重要である。
【０００３】半導体ウェハの洗浄工程は、化学溶液処理
工程（薬液処理工程）、水洗い工程、そして乾燥工程に
分けられる。前記化学溶液処理工程は半導体ウェハを化
学溶液で処理する工程であり、水洗い工程は化学溶液処
理された半導体ウェハを純水で洗浄する工程であり、前
記乾燥工程は水洗い処理された半導体ウェハを乾燥する
工程である。中でも、乾燥工程の不良により生じる欠陥
は比較的に大きく、パターン上で反復的に生じるため、
集積回路の誤動作を引き起こしたり、或いは集積回路と
しての役目を果たせないなど、深刻な問題が生じる。
工程（薬液処理工程）、水洗い工程、そして乾燥工程に
分けられる。前記化学溶液処理工程は半導体ウェハを化
学溶液で処理する工程であり、水洗い工程は化学溶液処
理された半導体ウェハを純水で洗浄する工程であり、前
記乾燥工程は水洗い処理された半導体ウェハを乾燥する
工程である。中でも、乾燥工程の不良により生じる欠陥
は比較的に大きく、パターン上で反復的に生じるため、
集積回路の誤動作を引き起こしたり、或いは集積回路と
しての役目を果たせないなど、深刻な問題が生じる。
【０００４】集積回路が複雑化するに伴い、乾燥工程で
従来の遠心力を利用したスピン乾燥器はその性能の限界
に達した。また、イソプロピルアルコール（Ｉｓｏｐｒ
ｏｐｙｌａｌｃｏｈｏｌ："ＩＰＡ"）を用いるＩＰＡ蒸
気乾燥器が提案されている。しかし、ＩＰＡ蒸気乾燥器
も、乾燥後に半導体ウェハ上に水玉斑点（ｗａｔｅｒｍ
ａｒｋ）などが生じるという問題点がある。
従来の遠心力を利用したスピン乾燥器はその性能の限界
に達した。また、イソプロピルアルコール（Ｉｓｏｐｒ
ｏｐｙｌａｌｃｏｈｏｌ："ＩＰＡ"）を用いるＩＰＡ蒸
気乾燥器が提案されている。しかし、ＩＰＡ蒸気乾燥器
も、乾燥後に半導体ウェハ上に水玉斑点（ｗａｔｅｒｍ
ａｒｋ）などが生じるという問題点がある。
【０００５】これを改善するために、薬液工程及び水洗
い工程後に大気に露出させずに乾燥を行うマランゴニ乾
燥器が提案されている。このマランゴニ乾燥器は、純水
が入れられたバス内に位置する半導体ウェハを持ち上げ
たり、或いはバス内の純水を徐々に排出しつつ、半導体
ウェハの表面上にＩＰＡを広げることにより、ＩＰＡと
純水との表面張力の違いを用いて純水の乾燥を行う。前
記マランゴニ乾燥器は前記ＩＰＡ蒸気乾燥器と比較して
ＩＰＡの使用量が約１／１０であって、極めて少量でも
優れた乾燥能力が得られる。しかし、前記マランゴニ乾
燥器は半導体ウェハ洗浄装置の層流（ラミナーフロー）
や外部への排気に影響され易く、その結果、半導体ウェ
ハ内での乾燥が均一になされず、しかも水玉斑点が生じ
るという問題点がある。特に、直径が１２インチである
大口径の半導体ウェハを用いる場合、水玉斑点が生じる
様相が不均一である。
い工程後に大気に露出させずに乾燥を行うマランゴニ乾
燥器が提案されている。このマランゴニ乾燥器は、純水
が入れられたバス内に位置する半導体ウェハを持ち上げ
たり、或いはバス内の純水を徐々に排出しつつ、半導体
ウェハの表面上にＩＰＡを広げることにより、ＩＰＡと
純水との表面張力の違いを用いて純水の乾燥を行う。前
記マランゴニ乾燥器は前記ＩＰＡ蒸気乾燥器と比較して
ＩＰＡの使用量が約１／１０であって、極めて少量でも
優れた乾燥能力が得られる。しかし、前記マランゴニ乾
燥器は半導体ウェハ洗浄装置の層流（ラミナーフロー）
や外部への排気に影響され易く、その結果、半導体ウェ
ハ内での乾燥が均一になされず、しかも水玉斑点が生じ
るという問題点がある。特に、直径が１２インチである
大口径の半導体ウェハを用いる場合、水玉斑点が生じる
様相が不均一である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みて成されたものであり、その目的は、マランゴニ乾燥
器を用いるとき、周辺の雰囲気に影響されずに、水玉斑
点の発生が抑えられる半導体ウェハ洗浄装置を提供する
ところにある。
みて成されたものであり、その目的は、マランゴニ乾燥
器を用いるとき、周辺の雰囲気に影響されずに、水玉斑
点の発生が抑えられる半導体ウェハ洗浄装置を提供する
ところにある。
【０００７】さらに、本発明の他の目的は、前記半導体
ウェハ洗浄装置を好適に用いて水玉斑点の発生を抑えう
る半導体ウェハ洗浄方法を提供するところにある。
ウェハ洗浄装置を好適に用いて水玉斑点の発生を抑えう
る半導体ウェハ洗浄方法を提供するところにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明の半導体ウェハ洗浄装置は、一つの内部バス
だけを備えて化学溶液洗浄及び純水洗浄を単一の内部バ
スで行い、マランゴニ乾燥器が含まれているので、半導
体ウェハの洗浄及び乾燥を一体的に行える。本発明の半
導体ウェハ洗浄装置は、複数枚の半導体ウェハが搭載さ
れたカセットをローディングできるローディング部と、
前記ローディング部のカセットに搭載された半導体ウェ
ハを抽出し、抽出された半導体ウェハを前記ローディン
グ部と離れたローダに移動できる移動手段と、前記ロー
ダと離れており、複数の半導体ウェハを化学溶液または
純水で洗浄できる内部バスとを含む。前記内部バスの両
側壁にはリセス部を具備でき、前記リセス部をカバーす
るように前記内部バスの両側に外部バスをさらに具備で
きる。前記外部バスの両後ろ壁には排気を均一にできる
排気口がさらに設けられる。
に、本発明の半導体ウェハ洗浄装置は、一つの内部バス
だけを備えて化学溶液洗浄及び純水洗浄を単一の内部バ
スで行い、マランゴニ乾燥器が含まれているので、半導
体ウェハの洗浄及び乾燥を一体的に行える。本発明の半
導体ウェハ洗浄装置は、複数枚の半導体ウェハが搭載さ
れたカセットをローディングできるローディング部と、
前記ローディング部のカセットに搭載された半導体ウェ
ハを抽出し、抽出された半導体ウェハを前記ローディン
グ部と離れたローダに移動できる移動手段と、前記ロー
ダと離れており、複数の半導体ウェハを化学溶液または
純水で洗浄できる内部バスとを含む。前記内部バスの両
側壁にはリセス部を具備でき、前記リセス部をカバーす
るように前記内部バスの両側に外部バスをさらに具備で
きる。前記外部バスの両後ろ壁には排気を均一にできる
排気口がさらに設けられる。
【０００９】前記移動手段は、前記カセットから前記半
導体ウェハを抽出できるパッドと、前記パッド上に抽出
された前記半導体ウェハを上側に回転できる回転体を含
む第１移動手段と、前記第１移動手段により上側に回転
された前記半導体ウェハをローダに移動できる第２移動
手段とを含む。
導体ウェハを抽出できるパッドと、前記パッド上に抽出
された前記半導体ウェハを上側に回転できる回転体を含
む第１移動手段と、前記第１移動手段により上側に回転
された前記半導体ウェハをローダに移動できる第２移動
手段とを含む。
【００１０】前記第２移動手段は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方
向に動いて前記第１移動手段により上側に回転された半
導体ウェハをつかむクラッチと、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向
に動いて前記クラッチによりつかまれた半導体ウェハを
ローダに移動できるレールとを含んでなる。
向に動いて前記第１移動手段により上側に回転された半
導体ウェハをつかむクラッチと、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向
に動いて前記クラッチによりつかまれた半導体ウェハを
ローダに移動できるレールとを含んでなる。
【００１１】前記ローダは、搭載された半導体ウェハを
上下（Ｚ軸）に移動させてマランゴニ乾燥器が半導体ウ
ェハをうまくつかみうるようにするプッシャを含む。
上下（Ｚ軸）に移動させてマランゴニ乾燥器が半導体ウ
ェハをうまくつかみうるようにするプッシャを含む。
【００１２】特に、本発明の半導体ウェハ洗浄装置は、
前記ローダに移動された半導体ウェハを内部バス上に移
動できるフードを含み、かつ内部バスを基準としてＸ
軸、Ｙ軸及びＺ軸に移動できて内部バスと密着できるマ
ランゴニ乾燥器と、前記内部バスの下部に、内部バスに
ローディングされた半導体ウェハを支持し、かつ上下に
一定の速度で移動できるナイフとを含む。具体的に、前
記マランゴニ乾燥器は前記ローダに搭載された半導体ウ
ェハを搭載できるスロット及びロッキング部を含み、か
つウェハを乾燥できるフードと、前記フード上にＩＰＡ
が前記半導体ウェハに均一に広がるようにする多数のホ
ールを備えるＩＰＡ供給板と、前記ＩＰＡ供給板上に位
置するＩＰＡ供給ノズルとよりなる。従って、Ｘ軸、Ｙ
軸、及びＺ軸に移動できるマランゴニ乾燥器と内部バス
とを密着させた後、洗浄工程済みの半導体ウェハを乾燥
させれば、半導体ウェハ洗浄装置の層流や排気による影
響が抑えられるので、半導体ウェハの表面上に水玉斑点
の発生を抑えうる。加えて、前記半導体ウェハの乾燥に
際し、前記内部バスの両側に位置する外部バスに排気口
を備える場合、排気を均一にできるので、半導体ウェハ
の表面上に生じる水玉斑点をさらに低減できる。
前記ローダに移動された半導体ウェハを内部バス上に移
動できるフードを含み、かつ内部バスを基準としてＸ
軸、Ｙ軸及びＺ軸に移動できて内部バスと密着できるマ
ランゴニ乾燥器と、前記内部バスの下部に、内部バスに
ローディングされた半導体ウェハを支持し、かつ上下に
一定の速度で移動できるナイフとを含む。具体的に、前
記マランゴニ乾燥器は前記ローダに搭載された半導体ウ
ェハを搭載できるスロット及びロッキング部を含み、か
つウェハを乾燥できるフードと、前記フード上にＩＰＡ
が前記半導体ウェハに均一に広がるようにする多数のホ
ールを備えるＩＰＡ供給板と、前記ＩＰＡ供給板上に位
置するＩＰＡ供給ノズルとよりなる。従って、Ｘ軸、Ｙ
軸、及びＺ軸に移動できるマランゴニ乾燥器と内部バス
とを密着させた後、洗浄工程済みの半導体ウェハを乾燥
させれば、半導体ウェハ洗浄装置の層流や排気による影
響が抑えられるので、半導体ウェハの表面上に水玉斑点
の発生を抑えうる。加えて、前記半導体ウェハの乾燥に
際し、前記内部バスの両側に位置する外部バスに排気口
を備える場合、排気を均一にできるので、半導体ウェハ
の表面上に生じる水玉斑点をさらに低減できる。
【００１３】前記他の目的を達成するために、本発明の
半導体ウェハの洗浄方法は、先ず、複数枚の半導体ウェ
ハが搭載されたカセットをローディング部にローディン
グした後、前記ローディング部のカセットに搭載された
半導体ウェハを抽出して前記ローディング部と離れたロ
ーダに移動させる。次に、前記ローダに移動された半導
体ウェハをマランゴニ乾燥器内に搭載させた後、前記半
導体ウェハの搭載されたマランゴニ乾燥器を前記ローダ
と離れた内部バス上に移動させる。次に、前記マランゴ
ニ乾燥器から内部バス内に前記半導体ウェハを移動させ
て化学溶液及び純水で洗浄する。続いて、前記マランゴ
ニ乾燥器を下方に移動させて前記内部バスとマランゴニ
乾燥器とを密着させた後、前記マランゴニ乾燥器の上部
から窒素及びＩＰＡガスを噴射している間に前記純水が
入れられた内部バスから半導体ウェハを一定の速度で上
昇させたり、或いは前記純水を徐々に排出させてＩＰＡ
と純水との表面張力の違いを用いて純水を乾燥する。こ
のように、マランゴニ乾燥器と内部バスとを密着させた
状態で純水洗浄された半導体ウェハを乾燥させれば、半
導体ウェハ洗浄装置の層流や排気による影響を防止し
て、半導体ウェハ上の水玉斑点の発生が抑えられる。前
記純水を乾燥する際に、前記内部バスの両側に位置する
外部バスに設けられた排気口を通じて排気を均一にすれ
ば、水玉斑点の発生がさらに抑えられる。
半導体ウェハの洗浄方法は、先ず、複数枚の半導体ウェ
ハが搭載されたカセットをローディング部にローディン
グした後、前記ローディング部のカセットに搭載された
半導体ウェハを抽出して前記ローディング部と離れたロ
ーダに移動させる。次に、前記ローダに移動された半導
体ウェハをマランゴニ乾燥器内に搭載させた後、前記半
導体ウェハの搭載されたマランゴニ乾燥器を前記ローダ
と離れた内部バス上に移動させる。次に、前記マランゴ
ニ乾燥器から内部バス内に前記半導体ウェハを移動させ
て化学溶液及び純水で洗浄する。続いて、前記マランゴ
ニ乾燥器を下方に移動させて前記内部バスとマランゴニ
乾燥器とを密着させた後、前記マランゴニ乾燥器の上部
から窒素及びＩＰＡガスを噴射している間に前記純水が
入れられた内部バスから半導体ウェハを一定の速度で上
昇させたり、或いは前記純水を徐々に排出させてＩＰＡ
と純水との表面張力の違いを用いて純水を乾燥する。こ
のように、マランゴニ乾燥器と内部バスとを密着させた
状態で純水洗浄された半導体ウェハを乾燥させれば、半
導体ウェハ洗浄装置の層流や排気による影響を防止し
て、半導体ウェハ上の水玉斑点の発生が抑えられる。前
記純水を乾燥する際に、前記内部バスの両側に位置する
外部バスに設けられた排気口を通じて排気を均一にすれ
ば、水玉斑点の発生がさらに抑えられる。
【００１４】前記ローダに移動された半導体ウェハをマ
ランゴニ乾燥器内に搭載させるとき、前記ローダの下部
に位置するプッシャを用いる。
ランゴニ乾燥器内に搭載させるとき、前記ローダの下部
に位置するプッシャを用いる。
【００１５】前記半導体ウェハをマランゴニ乾燥器内に
上昇させて乾燥させるとき、前記内部バスの下部に位置
するナイフを用いる。
上昇させて乾燥させるとき、前記内部バスの下部に位置
するナイフを用いる。
【００１６】前記純水を乾燥する段階で、前記内部バス
の両側に位置する外部バスに設けられた排気口を通じて
排気を均一にする。
の両側に位置する外部バスに設けられた排気口を通じて
排気を均一にする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき、本
発明の実施例について詳細に説明する。しかし、次に示
す本発明の実施例は各種の形態に変形でき、本発明の範
囲が後述する実施例に限定されるのではない。本発明の
実施例は当業界において通常の知識を有する者に本発明
をより完全に説明するために提供されるものである。
発明の実施例について詳細に説明する。しかし、次に示
す本発明の実施例は各種の形態に変形でき、本発明の範
囲が後述する実施例に限定されるのではない。本発明の
実施例は当業界において通常の知識を有する者に本発明
をより完全に説明するために提供されるものである。
【００１８】図１は、本発明によるマランゴニ乾燥器を
含む半導体ウェハ洗浄装置を概略的に示した斜視図であ
り、図２は、図１の内部バス及び外部バスの拡大図であ
り、図３は、図１のマランゴニ乾燥器の分解斜視図であ
る。
含む半導体ウェハ洗浄装置を概略的に示した斜視図であ
り、図２は、図１の内部バス及び外部バスの拡大図であ
り、図３は、図１のマランゴニ乾燥器の分解斜視図であ
る。
【００１９】具体的に、本発明の半導体ウェハ洗浄装置
は一つの内部バスだけを含んで、化学溶液洗浄及び純水
洗浄を単一の内部バスで行うことができる。そして、半
導体ウェハの洗浄はカセットを用いず、半導体ウェハは
大気中に露出されない。また、マランゴニ乾燥器が含ま
れているので、半導体ウェハの洗浄及び乾燥を一体的に
行える。
は一つの内部バスだけを含んで、化学溶液洗浄及び純水
洗浄を単一の内部バスで行うことができる。そして、半
導体ウェハの洗浄はカセットを用いず、半導体ウェハは
大気中に露出されない。また、マランゴニ乾燥器が含ま
れているので、半導体ウェハの洗浄及び乾燥を一体的に
行える。
【００２０】より詳細に説明すれば、本発明の半導体ウ
ェハ洗浄装置はボディ１の一側の上部に複数枚の半導体
ウェハ３、例えば、直径が１２インチである１３枚の半
導体ウェハ３が搭載された状態のカセット５をローディ
ングしたり、或いは空きカセットをローディングできる
ローディング部７を含む。また、Ｙ軸方向（前後方向）
に動いて前記カセット５に搭載された複数枚の半導体ウ
ェハ３を抽出し、これをＺ軸方向（上側方向）に回転で
きる第１移動手段９ａ、９ｂを備える。すなわち、前記
第１移動手段はカセット５から複数枚の半導体ウェハ３
を抽出できるパッド９ａと、前記パッド上に搭載された
複数枚の半導体ウェハ３をＺ軸方向（上側方向）に向く
ように回転させる回転体９ｂとを含む。
ェハ洗浄装置はボディ１の一側の上部に複数枚の半導体
ウェハ３、例えば、直径が１２インチである１３枚の半
導体ウェハ３が搭載された状態のカセット５をローディ
ングしたり、或いは空きカセットをローディングできる
ローディング部７を含む。また、Ｙ軸方向（前後方向）
に動いて前記カセット５に搭載された複数枚の半導体ウ
ェハ３を抽出し、これをＺ軸方向（上側方向）に回転で
きる第１移動手段９ａ、９ｂを備える。すなわち、前記
第１移動手段はカセット５から複数枚の半導体ウェハ３
を抽出できるパッド９ａと、前記パッド上に搭載された
複数枚の半導体ウェハ３をＺ軸方向（上側方向）に向く
ように回転させる回転体９ｂとを含む。
【００２１】そして、前記第１移動手段９ａ、９ｂによ
り上側方向に回転された半導体ウェハ３をローダ１３ま
たはアンローダ１５に移動できる第２移動手段１１ａ〜
１１ｃを備える。前記第２移動手段１１ａ〜１１ｃは、
Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に動いて前記第１移動手段９ａ、
９ｂにより上側向きに回転された半導体ウェハ３をつか
むクラッチ１１ａと、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に動いて前
記クラッチ１１ａによりつかまれた半導体ウェハ３をロ
ーダ１３に移動させる第１レール１１ｂ及び第２レール
１１ｃとを含む。図１において、第１レール１１ｂのＹ
軸方向の移動は便宜上示さなかった。
り上側方向に回転された半導体ウェハ３をローダ１３ま
たはアンローダ１５に移動できる第２移動手段１１ａ〜
１１ｃを備える。前記第２移動手段１１ａ〜１１ｃは、
Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に動いて前記第１移動手段９ａ、
９ｂにより上側向きに回転された半導体ウェハ３をつか
むクラッチ１１ａと、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に動いて前
記クラッチ１１ａによりつかまれた半導体ウェハ３をロ
ーダ１３に移動させる第１レール１１ｂ及び第２レール
１１ｃとを含む。図１において、第１レール１１ｂのＹ
軸方向の移動は便宜上示さなかった。
【００２２】前記ローダ１３は各々半導体ウェハを洗浄
する前に待機する所であり、アンローダ１５は半導体ウ
ェハ３が洗浄後に待機する所である。したがって、前記
第２移動手段及び第１移動手段によりアンローダ１５に
運ばれた半導体ウェハ３をローディング部７の空きカセ
ットに移動できる。前記ローダ１３及びアンローダ１５
の下方には、搭載された半導体ウェハ３を上下方向（Ｚ
軸方向）に移動させてマランゴニ乾燥器２３が半導体ウ
ェハ３をうまくつかむようにする第１プッシャ１７及び
第２プッシャ１８を含む。
する前に待機する所であり、アンローダ１５は半導体ウ
ェハ３が洗浄後に待機する所である。したがって、前記
第２移動手段及び第１移動手段によりアンローダ１５に
運ばれた半導体ウェハ３をローディング部７の空きカセ
ットに移動できる。前記ローダ１３及びアンローダ１５
の下方には、搭載された半導体ウェハ３を上下方向（Ｚ
軸方向）に移動させてマランゴニ乾燥器２３が半導体ウ
ェハ３をうまくつかむようにする第１プッシャ１７及び
第２プッシャ１８を含む。
【００２３】そして、前記ローダ１３とは離れており、
化学溶液または純水を用いて洗浄できる内部バス１９が
含まれ、前記内部バス１９の下部には内部バス１９にロ
ーディングされた半導体ウェハ３を支持し、かつ上下に
一定の速度で移動できるナイフ２１及び前記内部バス１
９に純水や化学溶液を供給できる供給ライン２４が接続
される。説明の便宜上、前記内部バス１９の下部に設け
られた純水や化学溶液のドレインラインは図示しなかっ
た。
化学溶液または純水を用いて洗浄できる内部バス１９が
含まれ、前記内部バス１９の下部には内部バス１９にロ
ーディングされた半導体ウェハ３を支持し、かつ上下に
一定の速度で移動できるナイフ２１及び前記内部バス１
９に純水や化学溶液を供給できる供給ライン２４が接続
される。説明の便宜上、前記内部バス１９の下部に設け
られた純水や化学溶液のドレインラインは図示しなかっ
た。
【００２４】前記内部バス１９の両側には、図２に示さ
れたように、外部バス２０が取り付けられており、前記
内部バス１９の両側壁の上部にはリセス部２２が形成さ
れていて、前記内部バス１９内の純水や化学溶液が溢れ
出されるようになっている。すなわち、前記内部バス１
９のリセス部２２をカバーするように外部バス２０が形
成されている。前記外部バス２０の底部には純水や化学
溶液を排出できるドレインライン２４が接続されてい
る。前記内部バス１９から溢れ出された純水や化学溶液
はドレインライン２４を通じて貯蔵タンク（図示せず）
に送られる。そして、前記外部バス２０の両後ろ壁には
化学溶液やＩＰＡガスなどを半導体製造工場の外部に排
気できる排気ライン２６が接続されている。前記排気ラ
イン２６は、乾燥時にＩＰＡガスなどを均一に排気でき
るように前記外部バス２０の両後ろ壁に形成される。
れたように、外部バス２０が取り付けられており、前記
内部バス１９の両側壁の上部にはリセス部２２が形成さ
れていて、前記内部バス１９内の純水や化学溶液が溢れ
出されるようになっている。すなわち、前記内部バス１
９のリセス部２２をカバーするように外部バス２０が形
成されている。前記外部バス２０の底部には純水や化学
溶液を排出できるドレインライン２４が接続されてい
る。前記内部バス１９から溢れ出された純水や化学溶液
はドレインライン２４を通じて貯蔵タンク（図示せず）
に送られる。そして、前記外部バス２０の両後ろ壁には
化学溶液やＩＰＡガスなどを半導体製造工場の外部に排
気できる排気ライン２６が接続されている。前記排気ラ
イン２６は、乾燥時にＩＰＡガスなどを均一に排気でき
るように前記外部バス２０の両後ろ壁に形成される。
【００２５】また、前記ローダ１３に移動された半導体
ウェハ３をつかんで内部バス１９上に移動でき、かつ洗
浄された半導体ウェハ３を乾燥できるマランゴニ乾燥器
２３を含む。前記マランゴニ乾燥器２３は、図３に示さ
れたように、前記ローダ１３に搭載された半導体ウェハ
３を搭載できるスロット（図１のハッチング内部）及び
ロッキング部（図４ないし図１０の参照番号２７）を含
み、半導体ウェハ３を乾燥できるフード２３ａと、前記
フード２３ａ上にＩＰＡが半導体ウェハに均一に広がる
ようにする多数のホールを備えるＩＰＡ供給板２３ｂ
と、前記ＩＰＡ供給板２３ｂ上に位置するＩＰＡ供給ノ
ズル２３ｃとで構成される。
ウェハ３をつかんで内部バス１９上に移動でき、かつ洗
浄された半導体ウェハ３を乾燥できるマランゴニ乾燥器
２３を含む。前記マランゴニ乾燥器２３は、図３に示さ
れたように、前記ローダ１３に搭載された半導体ウェハ
３を搭載できるスロット（図１のハッチング内部）及び
ロッキング部（図４ないし図１０の参照番号２７）を含
み、半導体ウェハ３を乾燥できるフード２３ａと、前記
フード２３ａ上にＩＰＡが半導体ウェハに均一に広がる
ようにする多数のホールを備えるＩＰＡ供給板２３ｂ
と、前記ＩＰＡ供給板２３ｂ上に位置するＩＰＡ供給ノ
ズル２３ｃとで構成される。
【００２６】特に、本発明の半導体ウェハ洗浄装置のマ
ランゴニ乾燥器２３は、ＩＰＡノズル２３ｃが中央及び
左右側に位置してフード２３ａの全体に亘って均一にＩ
ＰＡガスが広がるので、半導体ウェハ３内の乾燥均一度
を向上できる。そして、前記マランゴニ乾燥器２３には
Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に移動できる第３移動手段２５ａ、２
５ｂが接続されている。すなわち、第３移動手段２５
ａ、２５ｂはマランゴニ乾燥器をＺ軸に移動できる第３
レール２５ａ及びＸ軸に移動できる第４レール２５ｂを
含む。図１において、マランゴニ乾燥器のＹ軸方向の移
動は便宜上示さなかった。
ランゴニ乾燥器２３は、ＩＰＡノズル２３ｃが中央及び
左右側に位置してフード２３ａの全体に亘って均一にＩ
ＰＡガスが広がるので、半導体ウェハ３内の乾燥均一度
を向上できる。そして、前記マランゴニ乾燥器２３には
Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に移動できる第３移動手段２５ａ、２
５ｂが接続されている。すなわち、第３移動手段２５
ａ、２５ｂはマランゴニ乾燥器をＺ軸に移動できる第３
レール２５ａ及びＸ軸に移動できる第４レール２５ｂを
含む。図１において、マランゴニ乾燥器のＹ軸方向の移
動は便宜上示さなかった。
【００２７】さらに、本発明の半導体ウェハ洗浄装置の
マランゴニ乾燥器２３はＺ軸方向（上下方向）にも移動
できる。このように、マランゴニ乾燥器２３をＺ軸方向
に移動できれば、半導体ウェハの乾燥時に前記内部バス
１９とマランゴニ乾燥器２３とを密着させて、半導体ウ
ェハ洗浄装置の層流や排気によりマランゴニ乾燥器内に
供給されるＩＰＡガスの渦流及び流失による影響を抑え
ることができる。これにより、半導体ウェハ３内での乾
燥均一度を向上させて水玉斑点の発生を抑えることがで
きる。加えて、前記半導体ウェハの乾燥時に外部バスに
設けられた排気口を通じて排気を一層均一にできるの
で、半導体ウェハの表面上に生じる水玉斑点をさらに低
減できる。
マランゴニ乾燥器２３はＺ軸方向（上下方向）にも移動
できる。このように、マランゴニ乾燥器２３をＺ軸方向
に移動できれば、半導体ウェハの乾燥時に前記内部バス
１９とマランゴニ乾燥器２３とを密着させて、半導体ウ
ェハ洗浄装置の層流や排気によりマランゴニ乾燥器内に
供給されるＩＰＡガスの渦流及び流失による影響を抑え
ることができる。これにより、半導体ウェハ３内での乾
燥均一度を向上させて水玉斑点の発生を抑えることがで
きる。加えて、前記半導体ウェハの乾燥時に外部バスに
設けられた排気口を通じて排気を一層均一にできるの
で、半導体ウェハの表面上に生じる水玉斑点をさらに低
減できる。
【００２８】図１及び図２において、フード２３ａに供
給されるＩＰＡはバブリング方式により供給されるが、
便宜上示さなかった。そして、図１及び図２において
は、便宜上内部バス１９及び外部バス２０を各々一つだ
け図示したが、内部バス１９及び外部バス２０を複数個
備えることもでき、このときにも、前述したように、洗
浄及び乾燥を単一の内部バスで行える。
給されるＩＰＡはバブリング方式により供給されるが、
便宜上示さなかった。そして、図１及び図２において
は、便宜上内部バス１９及び外部バス２０を各々一つだ
け図示したが、内部バス１９及び外部バス２０を複数個
備えることもでき、このときにも、前述したように、洗
浄及び乾燥を単一の内部バスで行える。
【００２９】図４ないし図１０は、図１の半導体ウェハ
洗浄装置を用いて半導体ウェハが洗浄される過程を概略
的に示した断面図であり、図１１は、図１０の半導体ウ
ェハ洗浄時の平面図である。図４ないし図１１におい
て、図１ないし図３と同一の参照番号は同一の部材を表
わす。
洗浄装置を用いて半導体ウェハが洗浄される過程を概略
的に示した断面図であり、図１１は、図１０の半導体ウ
ェハ洗浄時の平面図である。図４ないし図１１におい
て、図１ないし図３と同一の参照番号は同一の部材を表
わす。
【００３０】まず、図４に示されたように、ローディン
グ部７のカセットから半導体ウェハ３が抽出された後、
これがローダ１３上に置かれる。次に、ローダ１３上に
置かれた半導体ウェハ３は第１プッシャ１７により、ロ
ーダ１３の上部に位置するマランゴニ乾燥器２３のフー
ド側２３ａに上昇される。このとき、前記フード２３ａ
のロッキング部２７は解放して（垂直方向にして）、半
導体ウェハ３がフード２３ａの内側に移動できるように
する。
グ部７のカセットから半導体ウェハ３が抽出された後、
これがローダ１３上に置かれる。次に、ローダ１３上に
置かれた半導体ウェハ３は第１プッシャ１７により、ロ
ーダ１３の上部に位置するマランゴニ乾燥器２３のフー
ド側２３ａに上昇される。このとき、前記フード２３ａ
のロッキング部２７は解放して（垂直方向にして）、半
導体ウェハ３がフード２３ａの内側に移動できるように
する。
【００３１】次に、図５に示されたように、前記フード
２３ａの内側に半導体ウェハ３がローディングされれ
ば、ロッキング部２７をロックして（水平方向にして）
半導体ウェハ３が下方に移動できないようにする。次
に、半導体ウェハ３のローディングされたマランゴニ乾
燥器２３を第４レール２５ｂを用い、純水２９ａが入れ
られている内部バス１９の上部に移動させる。
２３ａの内側に半導体ウェハ３がローディングされれ
ば、ロッキング部２７をロックして（水平方向にして）
半導体ウェハ３が下方に移動できないようにする。次
に、半導体ウェハ３のローディングされたマランゴニ乾
燥器２３を第４レール２５ｂを用い、純水２９ａが入れ
られている内部バス１９の上部に移動させる。
【００３２】続いて、図６に示されたように、前記内部
バス１９に移動されたマランゴニ乾燥器２３はフード２
３ａ内のロッキング部２７を解放して、半導体ウェハ３
を、純水２９ａが入れられた内部バス１９に下降させて
純水２９ａで洗浄する。このとき、マランゴニ乾燥器２
３の上部からは窒素ガスが噴射される。
バス１９に移動されたマランゴニ乾燥器２３はフード２
３ａ内のロッキング部２７を解放して、半導体ウェハ３
を、純水２９ａが入れられた内部バス１９に下降させて
純水２９ａで洗浄する。このとき、マランゴニ乾燥器２
３の上部からは窒素ガスが噴射される。
【００３３】次に、図７に示されたように、純水２９ａ
を排出させた後、前記内部バス１９内に化学溶液３１を
入れて半導体ウェハ３を化学溶液３１で処理する。すな
わち、半導体ウェハ３を化学溶液３１で洗浄する。
を排出させた後、前記内部バス１９内に化学溶液３１を
入れて半導体ウェハ３を化学溶液３１で処理する。すな
わち、半導体ウェハ３を化学溶液３１で洗浄する。
【００３４】続いて、図８に示されたように、前記化学
溶液３１を排出した後、前記化学溶液３１で洗浄済みの
半導体ウェハ３がローディングされた内部バス１９に純
水２９ｂを再び入れる。次に、前記純水２９ｂが入れら
れた内部バス１９にメガソニック装置を用いて、化学溶
液３１で洗浄された半導体ウェハ３の表面の化学物質を
除去する。図８において、参照番号３３はメガソニック
装置を用いるときに生じる水滴である。
溶液３１を排出した後、前記化学溶液３１で洗浄済みの
半導体ウェハ３がローディングされた内部バス１９に純
水２９ｂを再び入れる。次に、前記純水２９ｂが入れら
れた内部バス１９にメガソニック装置を用いて、化学溶
液３１で洗浄された半導体ウェハ３の表面の化学物質を
除去する。図８において、参照番号３３はメガソニック
装置を用いるときに生じる水滴である。
【００３５】次に、図９に示されたように、前記洗浄さ
れた半導体ウェハ３がローディングされた内部バス１９
から純水２９ｂを素早く排出させて、半導体ウェハ３の
表面や内部バス１９内の化学物質を素早く除去する。
れた半導体ウェハ３がローディングされた内部バス１９
から純水２９ｂを素早く排出させて、半導体ウェハ３の
表面や内部バス１９内の化学物質を素早く除去する。
【００３６】次に、前記純水２９ｂが排出された内部バ
ス１９内に純水２９ｃを再び入れる。次に、前記マラン
ゴニ乾燥器２３をＺ軸方向（下方方向）に移動させて前
記内部バス１９とマランゴニ乾燥器２３とを密着させ
る。換言すれば、図２に示すマランゴニ乾燥器２３と内
部バス１９とを密着させる。このように、内部バス１９
とマランゴニ乾燥器２３とを密着させれば、後述するよ
うに、乾燥時に半導体ウェハ洗浄装置の層流や排気によ
る影響を低減できる。
ス１９内に純水２９ｃを再び入れる。次に、前記マラン
ゴニ乾燥器２３をＺ軸方向（下方方向）に移動させて前
記内部バス１９とマランゴニ乾燥器２３とを密着させ
る。換言すれば、図２に示すマランゴニ乾燥器２３と内
部バス１９とを密着させる。このように、内部バス１９
とマランゴニ乾燥器２３とを密着させれば、後述するよ
うに、乾燥時に半導体ウェハ洗浄装置の層流や排気によ
る影響を低減できる。
【００３７】続いて、図１０及び図１１に示されたよう
に、前記マランゴニ乾燥器２３の上側から窒素及びＩＰ
Ａガスを少量噴射している間にマランゴニ乾燥器のロッ
キング部２７を解放し、前記半導体ウェハ３をナイフ２
１により内部バス１９からマランゴニ乾燥器２３の方に
徐々に移動させつつ、ＩＰＡと純水との表面張力の違い
を用いて純水を乾燥させる。
に、前記マランゴニ乾燥器２３の上側から窒素及びＩＰ
Ａガスを少量噴射している間にマランゴニ乾燥器のロッ
キング部２７を解放し、前記半導体ウェハ３をナイフ２
１により内部バス１９からマランゴニ乾燥器２３の方に
徐々に移動させつつ、ＩＰＡと純水との表面張力の違い
を用いて純水を乾燥させる。
【００３８】このとき、本発明は、内部バス１９とマラ
ンゴニ乾燥器２３とが密着されているので、半導体ウェ
ハ洗浄装置の層流や排気によりマランゴニ乾燥器内に供
給されるＩＰＡガスの渦流及び流失による影響を排除で
き、その結果、半導体ウェハ３上の水玉斑点の発生を抑
えうる。加えて、本発明は、前述したように、排気が内
部バスの両側に均一になされるため、層流や排気による
影響を排除して半導体ウェハ３上の水玉斑点の発生を一
層低減できる。本実施例においては、半導体ウェハ３を
内部バス１９からマランゴニ乾燥器２３の方に徐々に移
動させて乾燥を行ったが、純水２９ｃを徐々に排出させ
つつ乾燥を行っても良い。
ンゴニ乾燥器２３とが密着されているので、半導体ウェ
ハ洗浄装置の層流や排気によりマランゴニ乾燥器内に供
給されるＩＰＡガスの渦流及び流失による影響を排除で
き、その結果、半導体ウェハ３上の水玉斑点の発生を抑
えうる。加えて、本発明は、前述したように、排気が内
部バスの両側に均一になされるため、層流や排気による
影響を排除して半導体ウェハ３上の水玉斑点の発生を一
層低減できる。本実施例においては、半導体ウェハ３を
内部バス１９からマランゴニ乾燥器２３の方に徐々に移
動させて乾燥を行ったが、純水２９ｃを徐々に排出させ
つつ乾燥を行っても良い。
【００３９】このように、乾燥された半導体ウェハ３が
含まれたマランゴニ乾燥器２３は上側に移動し、第４レ
ールを用いてアンローダ１５にアンローディングされ
る。アンローディングされた半導体ウェハ３は第２移動
手段１１ａ〜１１ｃ及び第１移動手段９ａ、９ｂを用い
て空きカセットにローディングされて洗浄及び乾燥を完
了することになる。
含まれたマランゴニ乾燥器２３は上側に移動し、第４レ
ールを用いてアンローダ１５にアンローディングされ
る。アンローディングされた半導体ウェハ３は第２移動
手段１１ａ〜１１ｃ及び第１移動手段９ａ、９ｂを用い
て空きカセットにローディングされて洗浄及び乾燥を完
了することになる。
【００４０】図１２Ａ及び図１２Ｂは、本発明のマラン
ゴニ乾燥器を含む洗浄装置により半導体ウェハを洗浄し
た場合と、そうでない場合との半導体ウェハの表面電子
顕微鏡写真である。
ゴニ乾燥器を含む洗浄装置により半導体ウェハを洗浄し
た場合と、そうでない場合との半導体ウェハの表面電子
顕微鏡写真である。
【００４１】具体的に、図１２Ａは、純水洗浄後にマラ
ンゴニ乾燥器と内部バスとを密着させた状態で乾燥を行
った場合であり、図１２Ｂは、純水洗浄後にマランゴニ
乾燥器２３と内部バス１９とを密着させずに乾燥を行っ
た場合である。図１２Ａに示されたように、マランゴニ
乾燥器２３と内部バス１９とを密着させれば、水玉斑点
が生じない。しかし、図１２Ｂに示されたように、マラ
ンゴニ乾燥器２３と内部バス１９とを密着させてない場
合は、半導体ウェハ３の表面に水玉斑点が生じるという
ことが分かる。
ンゴニ乾燥器と内部バスとを密着させた状態で乾燥を行
った場合であり、図１２Ｂは、純水洗浄後にマランゴニ
乾燥器２３と内部バス１９とを密着させずに乾燥を行っ
た場合である。図１２Ａに示されたように、マランゴニ
乾燥器２３と内部バス１９とを密着させれば、水玉斑点
が生じない。しかし、図１２Ｂに示されたように、マラ
ンゴニ乾燥器２３と内部バス１９とを密着させてない場
合は、半導体ウェハ３の表面に水玉斑点が生じるという
ことが分かる。
【００４２】前述したように、本発明の半導体ウェハ洗
浄装置は、マランゴニ乾燥器２３が内部バス１９の上部
からＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸に移動できるので、内部バス１
９とマランゴニ乾燥器２３とを密着させた状態で乾燥を
行うことができ、乾燥時に内部バス１９の両側に位置し
た外部バス２０の排気口に排気を均一にできる。これに
より、本発明の半導体ウェハ洗浄装置は、自身の排気や
層流に影響されずに、排気を均一にしつつ乾燥を行うこ
とができるので、乾燥後に半導体ウェハ３上に水玉斑点
が生じることを防止できる。そして、本発明の半導体洗
浄装置のマランゴニ乾燥器２３は上部にＩＰＡガスを均
一に噴射できるので、乾燥の均一度を向上できる。
浄装置は、マランゴニ乾燥器２３が内部バス１９の上部
からＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸に移動できるので、内部バス１
９とマランゴニ乾燥器２３とを密着させた状態で乾燥を
行うことができ、乾燥時に内部バス１９の両側に位置し
た外部バス２０の排気口に排気を均一にできる。これに
より、本発明の半導体ウェハ洗浄装置は、自身の排気や
層流に影響されずに、排気を均一にしつつ乾燥を行うこ
とができるので、乾燥後に半導体ウェハ３上に水玉斑点
が生じることを防止できる。そして、本発明の半導体洗
浄装置のマランゴニ乾燥器２３は上部にＩＰＡガスを均
一に噴射できるので、乾燥の均一度を向上できる。
【図１】 本発明によるマランゴニ乾燥器を含む半導体
ウェハ洗浄装置を概略的に示した斜視図である。
ウェハ洗浄装置を概略的に示した斜視図である。
【図２】 図１の内部バス及び外部バスの拡大図であ
る。
る。
【図３】 図１のマランゴニ乾燥器の分解斜視図であ
る。
る。
【図４】 図１の半導体ウェハ洗浄装置を用いて半導体
ウェハが洗浄される過程を概略的に示した断面図であ
る。
ウェハが洗浄される過程を概略的に示した断面図であ
る。
【図５】 図４に続く半導体ウェハが洗浄される過程を
概略的に示した断面図である。
概略的に示した断面図である。
【図６】 図５に続く半導体ウェハが洗浄される過程を
概略的に示した断面図である。
概略的に示した断面図である。
【図７】 図６に続く半導体ウェハが洗浄される過程を
概略的に示した断面図である。
概略的に示した断面図である。
【図８】 図７に続く半導体ウェハが洗浄される過程を
概略的に示した断面図である。
概略的に示した断面図である。
【図９】 図８に続く半導体ウェハが洗浄される過程を
概略的に示した断面図である。
概略的に示した断面図である。
【図１０】 図９に続く半導体ウェハが洗浄される過程
を概略的に示した断面図である。
を概略的に示した断面図である。
【図１１】 図１０の半導体ウェハ洗浄時の平面図であ
る。
る。
【図１２】 半導体ウェハの表面電子顕微鏡写真であ
り、（Ａ）本発明のマランゴニ乾燥器を含む洗浄装置に
より半導体ウェハを洗浄した場合と、（Ｂ）そうでない
場合との半導体ウェハの表面電子顕微鏡写真である。
り、（Ａ）本発明のマランゴニ乾燥器を含む洗浄装置に
より半導体ウェハを洗浄した場合と、（Ｂ）そうでない
場合との半導体ウェハの表面電子顕微鏡写真である。
３ 半導体ウェハ、 ５ カセット、 ７ ローディング部、 ９ａ パッド、移動手段、 ９ｂ 回転体、 １１ａ クラッチ、移動手段、 １１ｂ、１１ｃ レール、 １３ ローダ、 １５ アンローダ、 １７、１８ プッシャ、 １９ 内部バス、 ２０ 外部バス、 ２１ ナイフ、 ２２ リセス部、 ２３ マランゴニ乾燥器、 ２３ａ フード、 ２３ｂ 供給板、 ２３ｃ 供給ノズル、 ２４ ドレインライン、 ２５ａ、２５ｂ レール、移動手段 ２６ 排気ライン、 ２７ ロッキング部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尹 永 煥 大韓民国ソウル特別市永登浦区堂山洞４街 92番地 現代２次アパート605号 (72)発明者 郭 奎 煥 大韓民国京畿道水原市勧善区勧善洞1235番 地 豊林新安アパート307棟105号
Claims (11)
- 【請求項１】 複数枚の半導体ウェハが搭載されたカセ
ットをローディングできるローディング部と、 前記ローディング部のカセットに搭載された半導体ウェ
ハを抽出し、抽出された半導体ウェハを前記ローディン
グ部と離れたローダに移動できる移動手段と、 前記ローダと離れており、複数の半導体ウェハを化学溶
液または純水で洗浄できる内部バスと、 前記ローダに移動された半導体ウェハを内部バス上に移
動できるフードを含み、前記内部バスを基準としてＸ
軸、Ｙ軸、Ｚ軸に移動できて前記内部バスと密着できる
マランゴニ乾燥器と、 前記内部バスの下部に、内部バスにローディングされた
半導体ウェハを支持し、かつ上下に一定の速度で移動で
きるナイフとを含んでなることを特徴とする半導体ウェ
ハ洗浄装置。 - 【請求項２】 前記移動手段は、 前記カセットから前記半導体ウェハを抽出できるパッド
と、 前記パッド上に抽出された前記半導体ウェハを上側に回
転できる回転体を含む第１移動手段と、 前記第１移動手段により上側に回転された前記半導体ウ
ェハをローダに移動できる第２移動手段と、 を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ
洗浄装置。 - 【請求項３】 前記第２移動手段は、 Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に動いて前記第１移動手段により
上側に回転された半導体ウェハをつかむクラッチと、 Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向に動いて前記クラッチによりつか
まれた半導体ウェハをローダに移動できるレールと、 を含んでなることを特徴とする請求項２に記載の半導体
ウェハ洗浄装置。 - 【請求項４】 前記ローダは、搭載された半導体ウェハ
を上下（Ｚ軸）に移動させてマランゴニ乾燥器が半導体
ウェハをうまくつかみうるようにするプッシャを含むこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ洗浄装
置。 - 【請求項５】 前記マランゴニ乾燥器は、 前記ローダに搭載された半導体ウェハを搭載できるスロ
ット及びロッキング部を含み、 ウェハを乾燥できるフードと、 前記フード上にＩＰＡが前記半導体ウェハに均一に広が
るようにする多数のホールを備えるＩＰＡ供給板と、 前記ＩＰＡ供給板上に位置するＩＰＡ供給ノズルと、 を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ
洗浄装置。 - 【請求項６】 前記内部バスの両側壁はリセス部を備
え、前記リセス部をカバーするように前記内部バスの両
側に外部バスをさらに備えることを特徴とする請求項１
に記載の半導体ウェハ洗浄装置。 - 【請求項７】 前記外部バスの両後ろ壁には排気を均一
にできる排気口が設けられていることを特徴とする請求
項６に記載の半導体ウェハ洗浄装置。 - 【請求項８】 複数枚の半導体ウェハが搭載されたカセ
ットをローディング部にローディングする段階と、 前記ローディング部のカセットに搭載された半導体ウェ
ハを抽出して前記ローディング部と離れたローダに移動
させる段階と、 前記ローダに移動された半導体ウェハをマランゴニ乾燥
器内に搭載させる段階と、 前記半導体ウェハの搭載されたマランゴニ乾燥器を前記
ローダと離れた内部バス上に移動させる段階と、 前記マランゴニ乾燥器から内部バス内に前記半導体ウェ
ハを移動させて化学溶液及び純水で洗浄する段階と、 前記マランゴニ乾燥器を下方に移動させて前記内部バス
とマランゴニ乾燥器とを密着させる段階と、 前記マランゴニ乾燥器の上部から窒素及びＩＰＡガスを
噴射している間に前記純水が入れられた内部バスから前
記半導体ウェハを一定の速度で上昇させたり、或いは前
記純水を徐々に排出させてＩＰＡと純水との表面張力の
違いを用いて前記純水を乾燥する段階とを含んでなるこ
とを特徴とする半導体ウェハ洗浄方法。 - 【請求項９】 前記ローダに移動された半導体ウェハを
マランゴニ乾燥器内に搭載させるとき、前記ローダの下
部に位置するプッシャを用いることを特徴とする請求項
８に記載の半導体ウェハ洗浄方法。 - 【請求項１０】 前記半導体ウェハをマランゴニ乾燥器
内に上昇させて乾燥させるとき、前記内部バスの下部に
位置するナイフを用いることを特徴とする請求項８に記
載の半導体ウェハ洗浄方法。 - 【請求項１１】 前記純水を乾燥する段階で、前記内部
バスの両側に位置する外部バスに設けられた排気口を通
じて排気を均一にすることを特徴とする請求項８に記載
の半導体ウェハ洗浄方法。
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