TW202418379A - 基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體 - Google Patents

Abstract

本發明旨在抑制微塵顆粒於基板上的附著。本發明之基板處理方法，具有以下步驟：液膜形成步驟，對於已施行藉由處理液之液體處理步驟後的基板之表面，供給保護基板表面之圖案的保護液，以形成包覆基板表面的保護液之液膜；基板搬入步驟，在液膜形成步驟之後，將基板以形成有保護液之液膜的狀態，搬入處理容器內；基板乾燥步驟，係在基板搬入步驟之後，一方面對處理容器供給加壓之處理流體以使處理容器內的壓力維持在使處理流體維持超臨界狀態的壓力，一方面對處理容器供給加壓之處理流體以使基板上的處理液置換成處理流體，並從處理容器排出該處理流體，而使基板乾燥；以及背面清洗步驟，對該基板之背面，供給清洗基板之背面的清洗液；背面清洗步驟，至少在實施液膜形成步驟的期間實施。

Description

基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體

本發明係有關於基板處理方法、基板處理裝置及記錄媒體。

在半導體晶圓（以下稱為「晶圓」）等等的基板之表面形成積體電路之積層結構的半導體裝置製程，會進行化學藥液清洗或濕蝕刻等液體處理。在這種液體處理，要去除附著在晶圓表面的液體等等之際，於近年逐步採取使用超臨界狀態之處理流體的乾燥方法（例如參照專利文獻1）。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2014－101241號公報

[發明所欲解決的問題]

本發明提供一種技術，可以抑制微塵顆粒在基板上的附著。 [解決問題之技術手段]

本發明一實施形態之基板處理方法，具有以下步驟：液膜形成步驟，對於已施行藉由處理液之液體處理步驟後的基板之表面，供給保護該基板之表面之圖案的保護液，以形成包覆該基板之表面的該保護液之液膜；基板搬入步驟，在該液膜形成步驟之後，將該基板以形成有該保護液之該液膜的狀態，搬入處理容器內；基板乾燥步驟，係在該基板搬入步驟之後，一方面對該處理容器供給加壓之處理流體以使該處理容器內的壓力維持在使該處理流體維持超臨界狀態的壓力，一方面對該處理容器供給加壓之該處理流體以使該基板上的該處理液置換成該處理流體，並從該處理容器排出該處理流體，而使該基板乾燥；以及背面清洗步驟，對該基板之背面，供給清洗該基板之背面的清洗液；該背面清洗步驟，至少在實施該液膜形成步驟的期間實施。 [發明之效果]

若依本發明之上述實施形態，可以抑制微塵顆粒在基板上的附著。

以下針對基板處理裝置之一實施形態之基板處理系統1的構成，參照圖1以簡單說明。為簡化說明，設定XYZ正交座標系（參照圖1左下），以供適時參考。

＜基板處理系統之整體構成＞ 如圖1所示，基板處理系統1，具備搬入搬出站2及處理站3。

搬入搬出站2具備：裝載埠11及搬運區塊12。於裝載埠11，載置複數之載體C。各載體C，以水平態勢、於鉛直方向隔著間隔地容納複數片基板W（例如半導體晶圓）。

於搬運區塊12內，設有搬運裝置13及移交單元14。移交單元14，具有：未處理基板載置部，供1片或複數片未處理之基板W（在處理站3實施處理前的基板W）暫時性載置；以及已處理基板載置部，供1片或複數片已處理之基板W（在處理站3實施過處理的基板W）暫時性載置。搬運裝置13，可以在載置於裝載埠11之任意載體C、與移交單元14之間，搬運基板W。

處理站3具備：搬運區塊4；以及一對處理區塊5，設在搬運區塊4之Y方向兩旁。於各處理區塊5，設有：液體處理單元100、超臨界乾燥單元200以及處理流體供給櫃19。於本實施形態，液體處理單元100及超臨界乾燥單元200，係單片式的處理單元。從處理流體供給櫃19，會對液體處理單元100及超臨界乾燥單元200供給處理所需之處理流體。

搬運區塊4具備：搬運區15；以及配置在搬運區15內的搬運裝置16。搬運裝置16，可在移交單元14、任意之液體處理單元100以及任意之超臨界乾燥單元200之間搬運基板W。

各處理區塊5亦可具有多層（例如三層）結構。在此情況下，液體處理單元100、超臨界乾燥單元200及處理流體供給櫃19會在各層各設置一個。在此情況下，亦可使1個搬運裝置16能進出所有各層之液體處理單元100及超臨界乾燥單元200。

基板處理系統1，具備控制裝置6。控制裝置6，係例如電腦，其具備運算處理部61及記憶部62。運算處理部61，包含具有CPU（Central Processing Unit；中央處理器）、ROM（Read Only Memory；唯讀記憶體）、RAM（Random Access Memory；隨機存取記憶體）、輸入輸出埠等的微電腦或各種電路。該微電腦的CPU，藉由載入記憶於ROM的程式並加以執行，以實現搬運裝置13、16、液體處理單元100、超臨界乾燥單元200及處理流體供給櫃19等的控制。又，該程式，亦可為儲存於電腦可讀取之記錄媒體（非暫時性記錄媒體），而自該記錄媒體安裝至控制裝置6之記憶部62者。作為電腦可讀取之記錄媒體，例如有硬碟（HD）、軟性磁碟（FD）、光碟（CD）、磁光碟（MO）及記憶卡等。記憶部62，係以例如RAM、快閃記憶體（Flash Memory）等半導體記憶元件，或是硬碟、光碟等記憶裝置來實現。

接著，針對上述基板處理系統1中之基板W的搬運流程，簡單加以說明。

未圖示之外部搬運機械臂，將容納了未處理之基板W的載體C，載置於裝載埠11。搬運裝置13將1片基板W從載體C取出，搬入移交單元14。搬運裝置16從移交單元14取出基板W，搬入液體處理單元100。

於液體處理單元100內，實施複數步驟構成之液體處理。液體處理之詳情留待後述，而在最終步驟，會在基板W的表面形成預先制定之膜厚的IPA（異丙醇）液膜（亦稱為IPA覆液（puddle））。

接著，將表面形成有IPA覆液之基板W，藉由搬運裝置16從液體處理單元100取出，搬入超臨界乾燥單元200。於超臨界乾燥單元200，會使用超臨界乾燥技術，以留待後述之程序進行基板W之乾燥。超臨界乾燥技術，由於不會使得有可能導致發生圖案崩塌之表面張力作用於圖案，所以能有利於用在形成有微細且高深寬比之圖案的基板之乾燥。之後，搬運裝置16將已乾燥之基板W從超臨界乾燥單元200取出，搬入移交單元14。搬運裝置13再將此基板W從移交單元14取出，並容納在載置於裝載埠11的原本之載體C。藉由上述，對1片基板之一連串處理就結束了。

＜液體處理單元＞ 接著，參照圖2，針對液體處理單元100之構成，進行說明。

液體處理單元100，具備：處理室120、基板固持旋轉機構130、第1處理流體供給部140、第2處理流體供給部150以及回收杯160。

處理室120，容納基板固持旋轉機構130及回收杯160。於處理室120的頂部，設有FFU（Fan Filter Unit；風機過濾機組）121。FFU121，會在處理室120內形成降流。

基板固持旋轉機構130具備：基板固持部131、支柱部（旋轉軸）132以及旋轉驅動部133。基板固持部131構成為機械式固定座（mechanical chuck），具有：圓盤形的基座131a；以及在基座131a之外周緣部於圓周方向隔著間隔設置的複數之握持爪131b。基板固持部131藉由握持爪131b而將基板W水平固持。當握持爪131b握持著基板時，會在基座131a的頂面與基板W的底面之間形成空隙。

支柱部132係於鉛直方向延伸的中空構件。支柱部132的上端，連結至基座131a。藉由例如以電氣馬達構成之旋轉驅動部133使支柱部132旋轉，以使基板固持部131及被其固持之基板W繞鉛直軸線旋轉。

回收杯160，係配置成包圍著基板固持部131。回收杯160，捕捉被基板固持部131固持而旋轉之基板W所灑出的處理液。在回收杯160的底部，形成了排液口161。回收杯160所捕捉的處理液，會由排液口161排出至液體處理單元100的外部。在回收杯160的底部，形成了排氣口162。回收杯160的內部空間，經由排氣口162而受到抽吸。從FFU121所供給之氣體，在被吸入回收杯160之內部後，經由排氣口162，而排出至液體處理單元100的外部。

第1處理流體供給部140，對基板固持部131所固持之基板W的頂面（有形成元件之基板W的表面）供給各種處理流體（液體、氣體、氣液混合流體等）。第1處理流體供給部140，具有朝向基板W之表面噴吐處理流體之1個以上的表面噴嘴141。表面噴嘴141之數量，設為用以進行液體處理單元100所執行之處理所需的數量。於圖2繪示有5個表面噴嘴141，惟不限定於此數量。

第1處理流體供給部140，具有1個以上（於圖示之例係2個）的噴嘴臂142。各噴嘴臂142，攜持著複數個表面噴嘴141中之至少1個。各噴嘴臂142，可使所攜持之表面噴嘴141，在基板W之旋轉中心的大致正上方之位置（處理位置），與較回收杯160之上端開口更為外側的退避位置（原位）之間移動。

對於表面噴嘴141之各個，會由所對應之處理流體供給機構143，供給處理流體。處理流體供給機構143，可由以下所構成：儲槽、氣瓶、工廠公用設施等等處理流體供給源；從處理流體供給源對表面噴嘴141供給處理流體（處理液或處理氣體）之供給管路；設於供給管路之開閉閥；以及流量控制閥等等流量調節機器。為了將滯留在表面噴嘴141及其附近之供給管路內的處理流體（尤其是處理液）加以排出，可於供給管路連接排流管路。如此之處理流體供給機構143，在半導體製造裝置的技術領域已廣為人知，故省略結構之圖示及詳細說明。為使各表面噴嘴141位處退避位置時可進行試噴吐（dummy dispense），而設有液體承接器（未圖示）。

第2處理流體供給部150，對基板固持部131所固持之基板W的底面（通常未形成元件之基板W的背面）供給各種處理流體（處理液、處理氣體等）。第2處理流體供給部150，具有朝向基板W的底面噴吐處理流體之1個以上的（於圖示之例係2個）背面噴嘴151。如圖2所概略顯示，在中空的支柱部132之內部，有處理液供給管152，於鉛直方向延伸。在處理液供給管152內，於上下方向延伸的2個流路之各自的上端開口部，發揮作為背面噴嘴151的功用。處理液供給管152，在支柱部132內，設置成在基板固持部131及支柱部132旋轉時亦能維持非旋轉狀態。

對於背面噴嘴151之各個，會由所對應之處理流體供給機構153，供給處理流體。處理流體供給機構153，具有與前述表面噴嘴141用之處理流體供給機構143相同的構成。

第2處理流體供給部150更進一步地構成為可對基板W下方的空間（詳而言之，係基板W的背面與基板固持部131之圓盤形的基座131a之間的空間），供給乾燥用氣體。此構成，可藉由在處理液供給管152內設置與處理液供給用的流路相同之氣體供給路（未圖示），或者是藉由將處理液供給管152的外周面與支柱部132及基座131a的內周面之間的空隙用作氣體供給路，而加以實現。作為乾燥用氣體，較佳係低濕度且低氧濃度的氣體，較佳可使用氮氣（N2）。此種乾燥用氣體，亦可由處理流體供給機構153供給。

又，在回收杯160的內部設置可切換的複數之流路、同時設置對應於各流路之排液口161，而使不同種類的液體（酸、鹼、有機）以不同路徑排出，係已周知。再者，於排氣口162設置切換機構，而使不同種類的液體（酸、鹼、有機）流向不同排出目的地，亦為周知。關於與此等功能相關之構成，為求圖式之簡化，而省略圖示。

＜超臨界乾燥單元＞ 接著，參照圖3，針對超臨界乾燥單元200，進行說明。超臨界乾燥單元200，具有：處理容器211；以及在處理容器211內固持基板W的基板固持托架212（於下文中，僅稱為「托架（tray）212」）。

托架212具有：蓋部213，掩蓋設在處理容器211之側壁的開口211C；以及基板固持部214，與蓋部（蓋體）213連結為一體，並於水平方向延伸。基板固持部214具有：盤體215；以及設於盤體215之頂面的複數之支承針216。基板W係以其表面（形成有元件或圖案的面）朝上的狀態，以水平態勢載置於支承針216上。當基板W被載置於支承針216上，就會在盤體215的頂面與基板W的底面（背面）之間形成空隙。

於盤體215，形成有複數之貫穿孔218，上下貫穿該盤體215。複數之貫穿孔218，發揮使供給至盤體215下方之空間的處理流體，流入盤體215上方之空間的功用。複數之貫穿孔218的數個，還發揮使得在從處理容器211拉出之托架212（參照圖1）的基板固持部214與搬運裝置16（參照圖1）之間進行基板W之移交的升降針（在圖1所示之托架212的正下方，但被托架212隱藏而看不見）通過的功用。

托架212，藉由托架移動機構212M（僅於圖3概略顯示），而可以在關閉位置（圖3所示位置）與開啟位置（圖1所示位置）之間，水平方向（X方向）移動。

在托架212的關閉位置，基板固持部214係位於處理容器211的內部空間內，並且蓋部213會封閉處理容器211之側壁的開口211C。在托架212的開啟位置，基板固持部214退出至處理容器211的外面（參照圖1），而可在基板固持部214與未圖示之基板搬運臂之間，經由前述之升降針，進行基板W之移交。

當托架212在關閉位置時，處理容器211的內部空間，藉由盤體215而被分割成：於處理當中基板W所在的盤體215上方之上方空間211A，與盤體215下方之下方空間211B。但是，上方空間211A與下方空間211B並非完全分離；例如，藉由貫穿孔218、長孔219、盤體215的周緣部與處理容器211的內壁面之間的空隙，也會使上方空間211A與下方空間211B連通。

於處理容器211，設有第1噴吐部221及第2噴吐部22。第1噴吐部221及第2噴吐部22，將供給自超臨界流體（處於超臨界狀態之處理流體）之供給源（未圖示）的處理流體（於本例係二氧化碳（於下文中，為求簡便，亦會記載為「CO2」），噴吐至處理容器211的內部空間。

第1噴吐部221，設在處於關閉位置之托架212的盤體215下方。第1噴吐部221，會朝向盤體215的底面（朝上），對下方空間211B內噴吐CO2（處理流體）。

第2噴吐部22，設置成位在：被載置於關閉位置之托架212之基板固持部214上的基板W之前方（往X正方向前進了的位置）。第2噴吐部22，對上方空間211A內供給CO2。

第2噴吐部22，係以棒狀之噴嘴體構成。詳而言之，第2噴吐部22，係藉由在朝基板W之寬度方向（Y方向）延伸的管體22a上，開孔設置複數之噴吐口22b而形成。複數之噴吐口22b，在例如Y方向上等間隔排列。各噴吐口22b，朝向開口211C的方向（朝大致X負方向），對上方空間211A內供給CO2。

於處理容器211，更設有從處理容器211的內部空間排出處理流體的流體排出部224。流體排出部224，構成為具有與第2噴吐部22大致相同構成的集管（header）。詳而言之，流體排出部224，係藉由在朝水平方向延伸的管體224a上，開孔設置複數之排出口224b而形成。複數之排出口224b，在例如Y方向上等間隔排列。各排出口224b，朝向上方，並且朝向形成於盤體215之長孔219的方向。

CO2，如於圖3中以箭頭F所示，在通過上方空間211A內的基板W上方之區域而流過後，會在通過設於盤體215之周緣部的連通路（或是形成於盤體215的長孔219）而流入下方空間211B後，再從流體排出部224排出。

於處理容器211設有鎖定機構225，該鎖定機構225具有：閂狀之鎖定構件225C，用以將托架212固定於關閉位置；以及升降裝置225B，使鎖定構件225C在鎖定位置（圖3所示位置）與從該處下降之解鎖位置之間升降。

＜超臨界乾燥處理＞ 以下針對在超臨界乾燥單元200進行之處理，簡單加以說明。

［基板搬入步驟］ 於液體處理單元100，將已在表面形成IPA覆液的基板W，以搬運區15內的搬運裝置16，從液體處理單元100取出，搬入超臨界乾燥單元200內。於超臨界乾燥單元200內，托架212位在開啟位置（圖1所示位置），未圖示之前述升降針，穿過形成於托架212之基板固持部214的未圖示之貫穿孔，升降針的前端位於較基板固持部214更為上方處。搬運裝置16，將基板W放置在升降針上；接著，藉由升降針下降，基板W就會被載置於托架212上。接著，托架212移動至關閉位置，基板W就被容納在處理容器211內，處理容器211內會被密閉。在此狀態下，進行超臨界乾燥處理。

［升壓步驟］ 首先，實施升壓步驟。

從超臨界處理流體的供給源供給的CO2（處理流體），會由第1噴吐部221，被噴吐至處理容器211的下方空間211B內。由於緊接在CO2開始供給後，處理容器211內係常壓，所以氣體狀態之CO2，會從第1噴吐部221以高流速噴吐。CO2在藉由碰撞盤體215底面而減弱勢能後，會通過貫穿孔218及長孔219，或通過盤體215的周緣部與處理容器211的內壁面之間的空隙，而流入處理容器211內的上方空間211A。隨著CO2之流入，處理容器211內的內壓會緩緩地逐步升高。

當處理容器211內的壓力超過CO2的臨界壓力（約8MPa），存在於處理容器211內的CO2（未與IPA混合的CO2），會成為超臨界狀態。當處理容器211內的CO2成為超臨界狀態，基板W上的IPA就會開始溶入超臨界狀態的CO2。來自第1噴吐部221之CO2噴吐仍繼續持續下去，使處理容器211內進一步地逐漸升壓。

［流通步驟］ 一旦處理容器211內的壓力，到達無論基板W上的混合流體（CO2＋IPA）中之IPA濃度及該混合流體之溫度為何，都能保證該混合流體維持在超臨界狀態的壓力（超臨界狀態保證壓力（約16MPa）），就停止來自第1噴吐部221之CO2噴吐，並且開始來自第2噴吐部22之CO2噴吐，更進一步地，開始從流體排出部224排出CO2。藉由控制從流體排出部224的排出流量，在處理容器211內的壓力維持在超臨界狀態保證壓力的狀態下，使CO2在處理容器211內流通。於流通步驟，從第2噴吐部22供給至處理容器211內的超臨界CO2會在基板的上方區域流過，之後由流體排出部224排出（參照圖3中的箭頭F）。此時，在處理容器211內，會形成與基板W的表面略呈平行而流動的超臨界CO2之層流。曝露在超臨界CO2之層流的基板W表面上的混合流體（IPA＋CO2）中之IPA，會被逐步置換成超臨界CO2。最終，原本在基板W之表面上的IPA，幾乎會全部被置換成超臨界CO2。

［排出步驟］ 一旦從IPA至超臨界CO2之置換完成，就停止對處理容器211之CO2供給，並經由流體排出部224而使處理容器211內與大氣氣體環境連接。藉此，處理容器211內的壓力會降低至常壓。隨之，原本在基板W之圖案內的超臨界CO2就會變成氣體而從圖案內脫離，氣體狀態的CO2會從處理容器211排出。藉由上述，基板W的乾燥（基板乾燥步驟）就結束了。

［基板搬出步驟］ 使載置著已乾燥之基板W的托架212移動至開啟位置，並以與基板搬入步驟相反之程序，使用前述未圖示之升降針及搬運裝置16，將基板從超臨界乾燥單元200搬出。

＜液體處理＞ 接著，針對在液體處理單元100執行的一連串步驟，進行說明。 以下，設液體處理單元100具有下述構成為前提，進行說明。 －　設第1處理流體供給部140具備2個噴嘴臂142，其中一個噴嘴臂142亦稱作「臂體R」、另一個噴嘴臂142亦稱作「臂體L」； －　於臂體R的前端部，攜持著：從HF（氫氟酸）及DIW（純水）擇一噴吐的表面噴嘴141（亦稱作「表面噴嘴F1」）；以及噴吐IPA（異丙醇）的表面噴嘴141（亦稱作「表面噴嘴F2」）。 －　於臂體L的前端部，攜持著：噴吐DIW的表面噴嘴141（亦稱作「表面噴嘴F3」）；以及噴吐撥水化液（例如有機矽烷）的表面噴嘴141（亦稱作「表面噴嘴F4」）。 －　第2處理流體供給部150，具備：噴吐DIW的背面噴嘴151（亦稱作「背面噴嘴B1」）；以及噴吐IPA的背面噴嘴151（亦稱作「背面噴嘴B2」）。又，背面噴嘴B1、B2，皆設置成：以使液體抵達「與基板W背面之中心（基板之旋轉中心）有著些許距離之位置」的方式，噴吐液體。亦可係：使背面噴嘴B1、B2中之其中一方，以使液體抵達基板W之旋轉中心的方式，噴吐液體；並使另一方，以使液體抵達與基板W之旋轉中心有著些微距離之位置的方式，噴吐液體。不論是哪一種情況，背面噴嘴B1、B2都會以使液體抵達後述定義中的基板之「中心部」的方式，噴吐液體。

以下針對各步驟，加以說明。又，在說明各步驟之作用圖（圖4A～圖4L）中，為簡化圖式，作為噴嘴臂142的參照符號，使用「R」、「L」；作為表面噴嘴141的參照符號，使用「F1」、「F2」、「F3」、「F4」；作為背面噴嘴151的參照符號，使用「B1」、「B2」。於圖4A～圖4L，位在基板W外側的表面噴嘴141，請視其為位於原位（待機位置）。

［化學藥液清洗步驟］ 藉由搬運裝置16搬入液體處理單元100的基板W，係以基板固持旋轉機構130的基板固持部131，以水平態勢受到固持。此外，基板W藉由基板固持旋轉機構130，而繞鉛直軸線旋轉。基板W之旋轉，一方面視需要而改變轉速，一方面會持續到一連串步驟結束為止。

在此狀態下，如圖4A所示，臂體R的表面噴嘴F1，係位於基板W中心部的正上方，以使液體抵達基板W之中心部的方式，供給化學藥液，在此係HF。關於抵達位置，所謂的基板W之中心部，其概念並不限定於基板之中心（旋轉中心），而是亦包含以下位置：與基板W表面之基板W中心有著少許距離之位置，且液體（在此係HF）抵達該位置後，會因抵達之勢能，而使液體擴散至基板中心。HF會因離心力，而一邊如包覆基板W的整個表面般擴散，一邊流向基板W周緣。藉此，基板W表面的氧化矽膜，就會被HF去除。

在表面噴嘴F1對基板W中心部供給HF的期間，較佳係由背面噴嘴B1噴吐DIW。抵達了基板背面之中心部的DIW，會因離心力而一邊如包覆基板W的整個背面般擴散，一邊流向基板W周緣。也就是說，基板W的整個背面，都會被DIW的液膜所包覆。因此，可以防止存在於基板W表面的HF經由基板W之周緣（APEX）而迴繞至背面的情形，就可防止例如因為源於反應生成物的汙染物質而導致基板W背面受到汙染的情形。

又，亦可在此化學藥液清洗步驟前，進行從臂體R的表面噴嘴F1對旋轉中的基板W表面之中心部供給DIW，而暫行以DIW之液膜包覆基板之整個表面的預濕處理。

［沖洗步驟］ 接著，如圖4B所示，一方面使表面噴嘴F1的位置維持現狀，一方面將表面噴嘴F1所噴吐的處理液從HF切換成DIW。供給至基板W中心部的DIW會由於離心力而一邊如包覆基板W的整個表面般擴散，一邊流向基板W周緣。藉此，殘留在基板W表面的HF，以及在化學藥液清洗步驟產生的反應生成物，就會從基板W表面被沖走。

直到沖洗進行至某種程度而將殘留在基板W表面的HF以及在化學藥液清洗步驟產生的反應生成物充分去除為止的期間，繼續由背面噴嘴B1噴吐DIW較佳。

接著，如圖4C所示，一方面使來自表面噴嘴F1之DIW噴吐持續，一方面使臂體L的表面噴嘴F3位於基板W上方，而從表面噴嘴F3開始DIW噴吐。然後，一方面使來自表面噴嘴F3之DIW噴吐持續，一方面使表面噴嘴F3逐步靠近表面噴嘴F1。此時，待臂體L與臂體R靠近了，就開始臂體R之退避，以使臂體L不會碰撞到臂體R。亦即，稍微早於臂體L所攜持之表面噴嘴F3到達基板W中心部之正上方，就讓臂體R所攜持之表面噴嘴F1退避至稍微偏離基板W中心部之正上方的位置。如圖4D所示，待噴吐DIW的表面噴嘴F3到達基板W中心部之正上方，就停止來自表面噴嘴F1之DIW噴吐。表面噴嘴F1及將其加以攜持之臂體R的位置（亦稱為「暫時退避位置」），就此維持現狀。

［IPA置換步驟（DIW→IPA）］ 接著，如圖4E所示，一方面使來自位於基板W中心部之正上方的表面噴嘴F3之DIW噴吐持續，一方面從位於暫時退避位置的臂體R所攜持之表面噴嘴F2開始IPA噴吐。然後，一方面使來自表面噴嘴F3之DIW噴吐持續，一方面使表面噴嘴F2逐步靠近表面噴嘴F3。此時，待臂體R與臂體L靠近了，就開始臂體L之退避，以使臂體R不會碰撞到臂體L。亦即，稍微早於臂體R所攜持之表面噴嘴F2到達基板W中心部之正上方，就讓臂體L所攜持之表面噴嘴F3，從基板W中心部之正上方朝向基板W周緣側移動。如圖4F所示，待噴吐IPA的表面噴嘴F2到達基板W中心部之正上方，就使表面噴嘴F2停在該位置，並停止來自表面噴嘴F3之DIW噴吐。之後，繼續使表面噴嘴F3及將其加以攜持之臂體L移動至原位，並在該處待機。

藉由使得來自位於基板W中心部之正上方的表面噴嘴F2之IPA噴吐，持續預先制定之時間，以使原本在基板W表面（亦包含：在形成於表面之圖案的凹部內部）的DIW，被置換成IPA。由於在後續步驟之撥水化處理步驟所使用的撥水化劑與DIW的親和性低，所以難以將DIW直接置換成撥水化劑。因此，依循暫行將DIW置換成與DIW親和性高的IPA，之後再置換成與IPA親和性高的撥水化劑之程序。

又，於後續步驟之撥水化處理步驟，有時會有供給至基板W表面的撥水化劑（SM）通過基板W周緣（APEX）而迴繞至背面周緣部（參照圖5）的情形。如此之迴繞，雖程度有別，但所有液體（PL）皆有可能發生。此時，若在沖洗步驟，供給至基板W背面之DIW未乾燥而殘留，就有可能像在例如圖5之虛線圍繞的區域，撥水化劑與水分反應，產生汙斑（附著物），而在之後的超臨界乾燥處理時成為導致微塵顆粒之原因。為了防止此現象，於此IPA置換步驟（DIW→IPA），對基板背面供給前述之乾燥用氣體（在此係氮氣）較佳。藉由供給乾燥用氣體以去除殘留於基板W背面之水分，可以防止上述汙斑（附著物）之發生。再者，於IPA置換步驟，也會有供給至基板W表面的IPA通過基板W周緣（APEX）而迴繞至背面周緣部的情形。附著在此背面周緣部的IPA，於撥水化處理步驟會促使供給至基板W表面的撥水化劑迴繞至背面。也就是說，一旦撥水化劑接觸到附著於背面周緣部的IPA，就會被該IPA拉過去。此點就抑制源於撥水化劑之物質對背面之附著的觀點而言，並不理想。基於此觀點，亦是要在IPA置換步驟（DIW→IPA），對基板背面供給前述之乾燥用氣體較佳；由此觀點來看，使乾燥用氣體持續噴吐，直到後續步驟之切換步驟（IPA→撥水化劑）即將開始前為止較佳。

［切換步驟（IPA→撥水化劑）］ 接著，一方面使來自表面噴嘴F2之IPA噴吐持續，一方面移動臂體L而使表面噴嘴F4逐步靠近表面噴嘴F2。此時，待臂體L與臂體R靠近了，就開始臂體R之退避，以使臂體L不會碰撞到臂體R。也就是說，以從基板W中心部之正上方的位置離開的方式，使表面噴嘴F2開始移動。再者，幾乎與此同時，從表面噴嘴F4開始疏水化劑（於圖中，標注參照符號「SM」）之噴吐（參照圖4G）。

待噴吐疏水化劑的表面噴嘴F4到達基板W中心部之正上方，就使表面噴嘴F4停在該位置。幾乎與此同時，停止來自表面噴嘴F2之IPA噴吐，而使表面噴嘴F2及將其加以攜持之臂體R移動至原位，並在該處待機（參照圖4H）。

又，於此切換步驟（IPA→撥水化劑），只要基板W表面維持在被液膜覆蓋之狀態，就沒有必要嚴格制定開始來自表面噴嘴F4之撥水化劑噴吐的時機，及停止來自表面噴嘴F2之IPA噴吐的時機；可提早開始撥水化劑噴吐的時機，亦可延遲停止IPA噴吐的時機。但是，一般而言，由於IPA及撥水化劑係較昂貴的化學藥液，所以為了能削減無謂的消耗，而決定為上述時機。

［撥水化處理步驟］ 從噴吐撥水化劑之表面噴嘴F4如圖4H所示地在基板W中心部之正上方就位的時間點起算，使來自表面噴嘴F4之撥水化劑噴吐，持續預先制定之時間。藉此，原本在基板W表面（亦包含：在形成於表面之圖案的凹部內部）的IPA，就被置換成撥水化劑。之後，藉由繼續使來自表面噴嘴F4之撥水化劑噴吐持續預先制定之時間，而使基板W表面（亦包含：形成於表面之圖案的凹部內部）藉由撥水化劑而撥水化至所要的水準。

作為撥水化劑，可使用例如矽基化劑。作為矽基化劑，可例示如下：三甲基矽基二甲胺（TMSDMA）、六甲基二矽氮烷（HMDS）、三甲矽基二乙胺（TMSDEA）、二甲基矽烷二甲胺（DMSDMA）、1,1,3,3－四甲基二矽氮烷（TMDS）等。

［切換步驟（撥水化劑→IPA）］ 接著，如圖4I所示，一方面使來自位於基板W中心部之正上方的表面噴嘴F4之撥水化劑噴吐持續，一方面移動臂體R而使表面噴嘴F2逐步靠近表面噴嘴F4。此時，待臂體R與臂體L靠近了，就開始臂體L之退避，以使臂體R不會碰撞到臂體L。也就是說，以從基板W中心部之正上方的位置離開的方式，使表面噴嘴F4開始移動。再者，幾乎與此同時，從表面噴嘴F2開始IPA之噴吐。待噴吐IPA的表面噴嘴F2到達基板W中心部之正上方，就使表面噴嘴F2停在該位置，幾乎與此同時停止來自表面噴嘴F4之撥水化劑噴吐。使已停止撥水化劑噴吐的表面噴嘴F4及將其加以攜持之臂體L移動至原位，並在該處待機。

又，於此切換步驟（撥水化劑→IPA），亦為只要基板W表面維持在被液膜覆蓋之狀態，就沒有必要嚴格制定開始來自表面噴嘴F2之IPA噴吐的時機，及停止來自表面噴嘴F4之撥水化劑噴吐的時機；可提早開始IPA噴吐的時機，亦可延遲停止撥水化劑噴吐的時機。

［IPA液膜形成步驟（IPA置換步驟）］ 藉由使來自表面噴嘴F2之IPA噴吐，從噴吐IPA的表面噴嘴F2到達基板W中心部之正上方的時間點起算，持續預先制定之時間，而使基板W的整個表面皆受IPA之液膜包覆，同時使原本在基板W表面（亦包含：在形成於表面之圖案的凹部內部）的撥水化劑，被置換成IPA。又，至少在實施IPA液膜形成步驟（液膜形成步驟）的期間，要對基板W背面實施背面清洗步驟，惟關於此點將留待後述。

［IPA膜厚調整步驟］ 接著，一邊繼續使來自位於基板W中心部之正上方之位置的表面噴嘴F2之IPA噴吐持續，一邊使基板W之轉速從例如1000rpm降低至較此為低的速度，例如300～700rpm左右（參照圖4K）。接著，使基板之轉速降低至例如30rpm之極低速的最終轉速，同時停止來自表面噴嘴F2之IPA噴吐（參照圖4L）。藉由適度調節最終轉速，而可以調節殘留於基板W表面之IPA覆液（液膜）的膜厚。最後，停止基板W之旋轉。藉由上述，以液體處理單元100執行之一連串步驟就完成了。藉此，基板W表面的圖案，就會成為受到作為保護液之IPA保護的狀態。

形成有IPA覆液之基板W，以搬運裝置16從液體處理單元100搬出，再搬入超臨界乾燥單元200，並在超臨界乾燥單元200對基板W施行前述之超臨界乾燥處理。

［背面清洗步驟（清洗步驟）］ 至少在IPA液膜形成步驟之執行當中，實施背面清洗步驟。若在撥水化處理步驟，供給至基板W表面的撥水化劑迴繞至基板W背面，而在例如圖5中虛線所示區域乾掉（亦包含成為半乾燥狀態的情形），則於超臨界乾燥時，會溶出至超臨界流體（CO2，或CO2及IPA之混合物）中，恐成為導致微塵顆粒之原因。也就是說，在前述超臨界乾燥處理的升壓步驟，在從第1噴吐部221噴吐至處理容器211之下方空間211B內的CO2通過貫穿孔218後，會沿著基板W背面流動，通過基板W背面之周緣部附近，流入上方空間211A。倘若在基板W背面之周緣部附著了源於撥水化劑之物質，則該物質會溶入CO2中，而成為導致微塵顆粒之原因。再者，於超臨界乾燥處理之流通步驟，在基板W表面附近流動之CO2的一部分，會從基板W周緣部與托架212的盤體215之間的空隙，流入盤體215頂面與基板W背面之間。倘若附著於基板W背面之周緣部的源於撥水化劑之物質，接觸該CO2之流體，則該物質會溶入CO2中，而成為導致微塵顆粒之原因。為了防止因上述機轉而產生微塵顆粒，所以要進行背面清洗步驟以去除迴繞至基板W背面的撥水化劑。以下，將針對背面清洗步驟進行說明。

背面清洗步驟，可藉由對旋轉中之基板W背面之中心部供給清洗液（例如IPA）以進行。清洗液，於圖4I及圖4J，係以參照符號CL顯示。供給至基板W背面之中心部的清洗液，會由於離心力而流向背面之周緣部，使整個背面皆受到清洗液包覆。藉由使此狀態持續預先制定之時間，基板W背面會受到清洗，尤其是會去除附著在背面之周緣部的撥水化劑（或源於撥水化劑之附著物）。

於背面清洗步驟，對基板W背面之清洗液的供給流量，較同一時間對基板W表面之IPA（保護液）的供給流量小為佳。藉此，可以防止清洗液從背面迴繞至表面。由於恐有例如源於背面附著物之汙染物質混入清洗液之虞，所以從防止基板W表面汙染的觀點而言，要防止供給至背面之清洗液迴繞至表面為佳。

背面清洗步驟之結束時間點，係迴繞至背面的撥水化劑被完全或幾乎完全去除（結束條件1），且撥水化劑不再有從基板W表面迴繞至背面之可能性（結束條件2）的時間點。結束條件2，等同於在基板W表面之撥水化劑已完全或幾乎完全被置換成IPA。又，上述之所謂「幾乎完全」，意指撥水化劑即使有極微量殘留，其對於超臨界乾燥時之微塵顆粒之產生所造成的影響亦為可忽視之程度。

從IPA液膜形成步驟之開始時間點（切換步驟（撥水化劑→IPA）之結束時間點），也就是說，從噴吐IPA之表面噴嘴F2於基板W中心部之正上方就位的時間點（於下文中，為求簡便，亦稱為「時間點T1」），到存在於基板W表面的撥水化劑實質上完全置換成IPA為止的所需時間（於下文中，亦稱為「置換所需時間」），係例如20秒（此係隨著處理條件而變化）。在此情況下，結束條件2，係在自時間點T1起經過了20秒的時間點被滿足。

用以完全或幾乎完全去除迴繞至背面之撥水化劑所需的時間（於下文中，亦稱為「背面清洗所需時間」），再長也是與「置換所需時間」同等程度。從而，亦可使背面清洗步驟與切換步驟（撥水化劑→IPA）於相同時機開始、相同時機結束。也就是說，若係於時間點T1開始背面清洗步驟，則亦可於IPA液膜形成步驟（IPA置換步驟）之結束時間點（自時間點T1起經過了20秒的時間點）停止（結束）背面清洗步驟。

亦可使背面清洗步驟較時間點T1更早，例如與切換步驟（撥水化劑→IPA）之開始同時或在切換步驟（撥水化劑→IPA）之途中，開始背面清洗步驟。吾人認為藉由使背面清洗步驟較早開始，可以使附著於基板W背面（尤其是其周緣部）之撥水化劑的去除提早完成，而提早結束背面清洗步驟。若及早結束背面清洗步驟，在其後進行之背面乾燥亦可及早結束。在要求背面之乾燥的情況下，即使IPA液膜形成步驟（IPA置換步驟）完成，也得等到背面乾燥，才能進展至低速旋轉下實施之IPA膜厚調整步驟。因此，某些情況下（例如清洗液係DIW之情況），必須無謂地延長IPA液膜形成步驟（IPA置換步驟），此點有可能導致對基板W表面之IPA供給量無謂增加、或處理時間變長（導致產能下降）的問題發生。藉由提早開始背面清洗步驟，就可以解決此種問題。

又，也許有人會認為，若在IPA液膜形成步驟（IPA置換步驟）完成前就使背面清洗步驟結束，則殘留於基板表面的撥水化劑會迴繞至背面而汙染背面；但在實際的處理中，並不會有這樣的情形。在實際的處理中，為了要確實避免IPA覆液中含有撥水化劑，而設置較長的處理時間。也就是說，處理時間會設定為：在將撥水化劑完全置換成IPA之所需時間（置換所需時間）加上安全裕度時間。也就是說，於置換所需時間之結束時間點，在基板W表面之IPA中完全不含撥水化劑，或即使有含也是極微量。即使那樣的IPA迴繞至背面，實質上背面的狀態也不會發生問題。也就是說，就算至遲係在安全裕度時間的開始時間點，結束背面清洗步驟也無妨。從而，即使背面清洗步驟之開始，提早了至少安全裕度的時間長度，也不會有問題。

又，於圖4I及圖4J，顯示在切換步驟（撥水化劑→IPA）之途中，從背面噴嘴B2噴吐作為清洗液之IPA的例子。

若在使基板W旋轉之狀態下，停止來自背面噴嘴B2之IPA噴吐，則存在於基板W背面之清洗液會被甩光，背面就會乾燥。在謀求背面充分乾燥之狀態的情況下，只要在背面清洗步驟結束後（也就是說，停止來自背面噴嘴B2之清洗液噴吐後），使基板W以預先制定之時間（在清洗液係IPA之情況下，係例如10秒左右），持續較高速（例如1000rpm）旋轉之狀態即可。

即使在基板W背面附著了IPA之狀態下，進行：自液體處理單元之搬出、往超臨界處理單元之搬入以及超臨界處理，在多數情況下，不致產生問題。甚至有時還有助於在超臨界處理單元之處理容器內維持IPA覆液。因此，亦可在停止來自背面噴嘴B2之IPA噴吐後，不留時間乾燥背面，就立刻降低基板W之轉速，進行IPA之膜厚調整。

在背面清洗步驟使用之清洗液（CL）並不限定於IPA，其他清洗液，例如DIW亦可。在此情況下，從背面噴嘴B1噴吐清洗液即可。DIW也具有與IPA大致相等之去除源於撥水化劑附著物之性能。但是，倘若在基板W背面附著了DIW之狀態下進行超臨界乾燥，會讓超臨界乾燥結果產生問題（圖案崩塌、產生微塵顆粒）。因此，在從液體處理單元搬出基板W前，需要使背面充分乾燥。乾燥，與使用IPA作為清洗液的情況相同，只要在背面清洗步驟結束後（也就是說，停止來自背面噴嘴B1之DIW噴吐後），使基板W以預先制定之時間，持續較高速（例如1000rpm）旋轉之狀態即可。為使背面的DIW乾燥，需要較IPA乾燥更長時間（例如1000rpm的情況下為40秒左右）。又，為促進背面之DIW乾燥，亦可對基板W背面，吹送乾燥用氣體（氮氣）。

由於DIW較IPA便宜，所以有減少裝置之運轉成本的優點。另一方面，由於IPA較DIW揮發性高，所以有可縮短背面乾燥所需時間的優點。至於要用DIW、IPA中的哪一種以作為背面清洗液，只要考量此種取捨關係來決定即可。又，由於也有一部分撥水化劑若與濕氣（水分）共存就會發生問題，所以在使用此種撥水化劑的情況下，將IPA用作清洗液為宜。又，作為在背面清洗步驟所用的清洗液（CL），也可使用DIW與IPA的混合液。

［實驗］ 進行以下試驗：使用液體處理單元100及超臨界乾燥單元200，藉由以下4種方法，對基板進行液體處理及超臨界乾燥處理，並針對微塵顆粒量加以比較。 ＜處理方法1（參考例）＞ DIW預濕→化學藥液清洗步驟（HF清洗）→沖洗步驟（DIW沖洗）→IPA置換步驟（DIW→IPA）→切換步驟（IPA→撥水化劑）→撥水化處理步驟→切換步驟（撥水化劑→IPA）→IPA液膜形成步驟（IPA置換步驟）→旋轉乾燥步驟（最終乾燥不使用超臨界乾燥） ＜處理方法2（比較例1）＞ DIW預濕→化學藥液清洗步驟（HF清洗）→沖洗步驟（DIW沖洗）→IPA置換步驟（DIW→IPA）（此時沒有對背面供給乾燥用氣體）→切換步驟（IPA→撥水化劑）→撥水化處理步驟→切換步驟（撥水化劑→IPA）→IPA液膜形成步驟（IPA置換步驟）（此時，不實施背面清洗步驟）→IPA膜厚調整步驟→使形成有IPA覆液之基板超臨界乾燥 ＜處理方法3（比較例2）＞ DIW預濕→化學藥液清洗步驟（HF清洗）→沖洗步驟（DIW沖洗）→IPA置換步驟（DIW→IPA）（此時有對背面供給乾燥用氣體）→切換步驟（IPA→撥水化劑）→撥水化處理步驟→切換步驟（撥水化劑→IPA）→IPA液膜形成步驟（IPA置換步驟）（此時，不實施背面清洗步驟）→IPA膜厚調整步驟→使形成有IPA覆液之基板超臨界乾燥 ＜處理方法4（實施例）＞ DIW預濕→化學藥液清洗步驟（HF清洗）→沖洗步驟（DIW沖洗）→IPA置換步驟（DIW→IPA）（此時有對背面供給乾燥用氣體）→切換步驟（IPA→撥水化劑）→撥水化處理步驟→切換步驟（撥水化劑→IPA）→IPA液膜形成步驟（IPA置換步驟）（此時，實施背面清洗步驟）→IPA膜厚調整步驟→使形成有IPA覆液之基板超臨界乾燥

對各基板W調查處理前後大於19nm之尺寸的微塵顆粒之數目的增加份量得出：於處理方法1係205，於處理方法2係4301，於處理方法3係2168，於處理方法4係286。又，於處理方法2、3，微塵顆粒顯著偏向單側分布；吾人認為此係起因於在超臨界乾燥裝置，CO2在基板W周緣部與托架212的盤體215之間的空隙並未均等流動等原因所致（參照背面清洗步驟之開頭的說明）。

由上述試驗結果可知，若進行撥水化處理再進行超臨界乾燥，無背面清洗（處理方法2、3）時，微塵顆粒會大幅增加（推測機制如前文所述）。然而，已驗證出若有進行背面清洗（處理方法4），則微塵顆粒的增加份量會下降至與處理方法1大致相同水準。又，無庸贅言，相對於進行旋轉乾燥之處理方法1，進行超臨界乾燥之處理方法4，就抑制圖案崩塌之觀點而言，具有壓倒性的優勢。又，藉由比較處理方法2、3，亦可知藉由在IPA置換步驟（DIW→IPA）對背面供給乾燥用氣體，可以抑制微塵顆粒之增加。

如以上說明，若依上述實施形態，則藉由實施：對基板W表面實施IPA液膜形成步驟（IPA置換步驟）之際的背面清洗步驟，可大幅減少超臨界乾燥後的微塵顆粒量。

應視本次揭露之實施形態，於所有各點皆為例示，而非加以限定。上述實施形態，可在不脫離隨附之申請專利範圍及其主旨的情況下，以各種形態加以省略、置換、變更。

基板並不限定為半導體晶圓，亦可為玻璃基板、陶瓷基板等用於半導體裝置之製造的其他種類基板。

保護液並不限定為IPA，可取代IPA而使用：與撥水化劑的親和性高，亦與在超臨界乾燥處理所使用之超臨界流體的親和性高，且表面張力小的有機溶劑；例如HFE（氫氟醚）、IPA與HFE之混合液等等。

於前述實施形態，較第1次的IPA置換步驟（DIW→IPA）更前面的步驟可任意變更。例如，亦可在第1次的IPA置換步驟之前，進行2種以上的化學藥液處理。

背面清洗步驟的目的，亦可為撥水化劑或源自撥水化劑之物質之去除以外者。因為在基板背面之周緣部附著有例如化學藥液之殘渣或反應生成物的情況下，也有可能成為在超臨界乾燥導致微塵顆粒之原因，所以亦可係以去除此種物質為目的，而進行背面清洗步驟。也就是說，背面清洗步驟，可係基於下述目的而進行：去除起因於IPA液膜形成步驟前就先行進行之藉由處理液（此不限於撥水化劑，亦可為例如HF等化學藥液）之處理所可能產生在基板背面上的附著物。

1:基板處理系統 2:搬入搬出站 3:處理站 4:搬運區塊 5:處理區塊 6:控制裝置 11:裝載埠 12:搬運區塊 13,16:搬運裝置 14:移交單元 15:搬運區 19:處理流體供給櫃 22:第2噴吐部 22a:管體 22b:噴吐口 61:運算處理部 62:記憶部 100:液體處理單元 120:處理室 121:FFU(風機過濾機組) 130:基板固持旋轉機構 131:基板固持部 131a:基座 131b:握持爪 132:支柱部 133:旋轉驅動部 140:第1處理流體供給部 141:表面噴嘴 142:噴嘴臂 143:處理流體供給機構 150:第2處理流體供給部 151:背面噴嘴 152:處理液供給管 153:處理流體供給機構 160:回收杯 161:排液口 162:排氣口 200:超臨界乾燥單元 211:處理容器 211A:上方空間 211B:下方空間 211C:開口 212:托架(基板固持托架) 212M:托架移動機構 213:蓋部 214:基板固持部 215:盤體 216:支承針 218:貫穿孔 219:長孔 221:第1噴吐部 224:流體排出部 224a:管體 224b:排出口 225:鎖定機構 225B:升降裝置 225C:鎖定構件 B1,B2:背面噴嘴 C:載體 CL:清洗液 DIW:純水 DR:排液 EXH:排氣 F1~F4:表面噴嘴 F:箭頭 HF:氫氟酸 IPA:異丙醇 L,R:臂體 N2:氮氣 PL:液體 SM:撥水化劑(疏水化劑) W:基板

[圖1]基板處理裝置之一實施形態之基板處理系統的概略橫剖視圖。 [圖2]包含在基板處理系統之液體處理單元的概略縱剖視圖。 [圖3]包含在基板處理系統之超臨界乾燥單元的概略縱剖視圖。 [圖4A~4L]針對在液體處理單元執行之一連串步驟進行說明的概略圖。 [圖5]顯示供給至基板表面的處理液迴繞至背面之態樣的概略圖。

CL:清洗液

DIW:純水

F2,F4:表面噴嘴

IPA:異丙醇

L,R:臂體

W:基板

Claims (12)

1. 一種基板處理方法，包括以下步驟： 液膜形成步驟，對於已施行藉由處理液之液體處理步驟後的基板之表面，供給保護該基板之表面之圖案的保護液，以形成包覆該基板之表面的該保護液之液膜； 基板搬入步驟，在該液膜形成步驟之後，將該基板以形成有該保護液之該液膜的狀態，搬入處理容器內； 基板乾燥步驟，在該基板搬入步驟之後，一方面對該處理容器供給加壓之處理流體以使該處理容器內的壓力維持在使該處理流體維持超臨界狀態的壓力，一方面對該處理容器供給加壓之該處理流體以使該基板上的該處理液置換成該處理流體，並從該處理容器排出該處理流體，而使該基板乾燥；以及 背面清洗步驟，對該基板之背面，供給清洗該基板之背面的清洗液； 該背面清洗步驟，係至少在實施該液膜形成步驟的期間實施。
2. 如請求項1之基板處理方法，其中，該處理液係使該基板之表面撥水化的撥水化劑。
3. 如請求項2之基板處理方法，其中，該清洗液係純水、IPA及純水與IPA的混合液中之任一者。
4. 如請求項2之基板處理方法，其中，該清洗液係IPA，該保護液亦為IPA。
5. 如請求項3或4之基板處理方法，其中，該清洗液為20℃～80℃。
6. 如請求項1之基板處理方法，其中，正在對該基板之該表面實施該液膜形成步驟，且正在對該基板之該背面實施該背面清洗步驟時，對該表面的該保護液之供給流量，係在對該背面之該清洗液的供給流量以上。
7. 如請求項1之基板處理方法，其中，該背面清洗步驟，係在從液膜形成步驟之開始經過了預先設定之時間後結束。
8. 如請求項2之基板處理方法，其中，該背面清洗步驟中之該清洗液之供給，係在為了從使用該撥水化劑作為該處理液之該液體處理步驟切換成該液膜形成步驟而對該基板之表面同時供給該撥水化劑及該保護液之時開始。
9. 如請求項2之基板處理方法，其中，該背面清洗步驟中之該清洗液之供給，係在從使用該撥水化劑作為該處理液之該液體處理步驟切換至該液膜形成步驟之切換結束的時間點開始，亦即與該撥水化劑停止供給之時同時開始。
10. 如請求項1之基板處理方法，其中，該保護液，係供給至旋轉中之該基板之表面的中心；而該清洗液，係供給至與旋轉中之該基板之背面的中心有距離的位置、且係抵達該背面後擴散的該清洗液會到達該基板之背面的中心之位置。
11. 一種基板處理裝置，包括： 至少1個液體處理單元；以及 至少1個超臨界乾燥單元； 該液體處理單元，包括： 基板固持旋轉機構，將基板以水平態勢加以固持的同時，使該基板繞鉛直軸線旋轉；以及 處理流體供給部，具備至少1個表面噴嘴、至少1個背面噴嘴以及處理流體供給機構；該至少1個表面噴嘴可對受到該基板固持旋轉機構固持而旋轉的基板之表面，至少供給處理液及保護液；該至少1個背面噴嘴可對受到該基板固持旋轉機構固持而旋轉的基板之背面，至少供給清洗液；該處理流體供給機構對該至少1個表面噴嘴及該至少1個背面噴嘴供給用於處理所需的液體； 該基板處理裝置，更具備控制部，該控制部藉由控制該液體處理單元及該超臨界乾燥單元的動作，以使該基板處理裝置執行如請求項1至10中任一項之基板處理方法。
12. 一種電腦可讀取的記錄媒體，儲存著電腦程式，該電腦程式一旦被構成基板處理裝置之控制部的電腦執行，該電腦即控制該基板處理裝置以使該基板處理裝置執行如請求項1至10中任一項之基板處理方法。