WO2017150038A1 - 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 Download PDF

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WO2017150038A1
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substrate
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supercritical
ipa
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佳祐 江頭
広基 大野
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東京エレクトロン株式会社
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a technique for removing liquid adhering to the surface of a substrate by bringing a high-pressure fluid into contact therewith.
  • a minute dust or a natural oxide film on the wafer surface is removed by a cleaning liquid such as a chemical solution.
  • a liquid processing step for processing the wafer surface using a liquid is provided.
  • a drying prevention liquid made of IPA, for example is supplied to the wafer in the previous step, and the drying prevention liquid is supplied. Liquid is deposited on the wafer surface.
  • the wafer on which the liquid for preventing drying is loaded is loaded into a substrate processing container for supercritical processing, and the wafer is subjected to supercritical processing using the supercritical fluid in the substrate processing container.
  • the present invention has been made in consideration of such points, and when supercritical processing is performed on a substrate in a substrate processing container for supercritical processing, a liquid for preventing drying and a supercritical fluid are sufficient.
  • the substrate processing apparatus, the substrate processing method, and the memory capable of reliably preventing the pattern collapse even when not replaced with the substrate and reducing the time required for replacing the drying prevention liquid with the supercritical fluid
  • the purpose is to provide a medium.
  • the present invention includes a step of supplying a silylating agent to the surface of a substrate on which a pattern is formed to silylate the surface of the object to be processed, and supplying a liquid for preventing drying to the surface of the substrate to A step of depositing a liquid for preventing drying on the surface, a step of bringing the substrate on which the liquid for preventing drying is deposited into a substrate processing vessel for supercritical processing, and the substrate in the substrate processing vessel
  • a substrate processing method comprising: a step of performing supercritical processing on the substrate.
  • the present invention provides a silylation treatment unit that supplies a silylating agent to the surface of a substrate on which a pattern is formed to silylate the surface of the object to be processed, and supplies a liquid for preventing drying to the surface of the substrate.
  • a liquid supply section for depositing a liquid for preventing drying on the surface of the substrate; a substrate processing container for supercritical processing for performing a supercritical process on the substrate on which the liquid for preventing drying is deposited; And a substrate carry-in mechanism for carrying a substrate from the liquid supply unit into the substrate processing container.
  • the present invention provides a storage medium for causing a computer to execute a substrate processing method, wherein the substrate processing method supplies a silylating agent to the surface of a substrate on which a pattern is formed to silylate the surface of the object to be processed.
  • a step of supplying a liquid for preventing drying to the surface of the substrate and depositing the liquid for preventing drying on the surface of the substrate; and supercritical processing the substrate on which the liquid for preventing drying is accumulated A storage medium comprising: a step of carrying the substrate into a substrate processing container for use; and a step of performing a supercritical process on the substrate in the substrate processing container.
  • the pattern collapse can be reliably prevented.
  • the time required to replace the liquid for preventing drying with the supercritical fluid can be shortened.
  • FIG. 1 is a cross-sectional plan view of a cleaning processing system according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a longitudinal side view of a cleaning apparatus provided in the cleaning processing system.
  • FIG. 3 is a configuration diagram of a supercritical processing apparatus.
  • FIG. 4 is an external perspective view of the substrate processing container of the supercritical processing apparatus.
  • FIGS. 5A to 5H are diagrams showing the operation of the present embodiment.
  • FIGS. 6A to 6D are views showing the operation of the present embodiment.
  • FIGS. 7A to 7D are views showing the operation of the comparative example.
  • FIGS. 8A to 8D are diagrams showing the operation of the modified example.
  • FIG. 9 is a diagram showing a model showing the relationship between elastic recovery energy and adhesive energy.
  • FIG. 10 is a diagram showing a Laplace pressure.
  • a cleaning apparatus 2 that supplies a cleaning liquid to a wafer W, which is a substrate to be processed, and performs a cleaning process, and a drying prevention adhering to the wafer W after the cleaning process
  • a cleaning processing system 1 including a supercritical processing apparatus 3 that removes the liquid (IPA) in contact with supercritical CO 2 will be described.
  • FIG. 1 is a cross-sectional plan view showing the entire configuration of the cleaning processing system 1, and the lower side in the figure is the front.
  • the FOUP 100 is mounted on the mounting unit 11, and a plurality of wafers W having a diameter of, for example, 300 mm stored in the FOUP 100 are transferred to the subsequent cleaning processing unit via the loading / unloading unit 12 and the transfer unit 13.
  • 14 is transferred to and from the supercritical processing unit 15 and is sequentially carried into the cleaning device 2 and the supercritical processing device 3 to perform a cleaning process and a process for removing the liquid for preventing drying.
  • reference numeral 121 denotes a first transfer mechanism for transferring a wafer W between the FOUP 100 and the transfer unit 13, and 131 denotes a wafer transferred between the loading / unloading unit 12, the cleaning processing unit 14, and the supercritical processing unit 15.
  • W is a delivery shelf that serves as a buffer on which W is temporarily placed.
  • the cleaning processing unit 14 and the supercritical processing unit 15 are provided in this order from the front along the wafer transfer path 162 extending in the front-rear direction from the opening between the cleaning processing unit 14 and the transfer unit 13.
  • one cleaning device 2 is disposed across the wafer transfer path 162.
  • six supercritical processing apparatuses 3 which are substrate processing apparatuses according to the present embodiment, are arranged in three units with the wafer transfer path 162 interposed therebetween.
  • the wafer W is transferred between each of the cleaning devices 2, the supercritical processing device 3, and the delivery unit 13 by the second transfer mechanism 161 arranged in the wafer transfer path 162.
  • the number of cleaning apparatuses 2 and supercritical processing apparatuses 3 arranged in the cleaning processing section 14 and the supercritical processing section 15 is the same as the number of wafers W processed per unit time, the cleaning apparatus 2 and the supercritical processing apparatus 3.
  • the optimum layout is selected according to the number of the cleaning apparatuses 2 and supercritical processing apparatuses 3 arranged.
  • the cleaning apparatus 2 is configured as a single wafer cleaning apparatus 2 that cleans wafers W one by one by spin cleaning, for example, and is disposed in an outer chamber 21 that forms a processing space, as shown in a vertical side view of FIG.
  • the wafer holding mechanism 23 holds the wafer W substantially horizontally, and the wafer W is rotated by rotating the wafer holding mechanism 23 around the vertical axis.
  • the nozzle arm 24 is advanced above the rotating wafer W, and the chemical liquid and the rinsing liquid are supplied in a predetermined order from the chemical liquid nozzle 241 provided at the tip of the wafer arm 24, whereby the wafer surface is cleaned.
  • a chemical solution supply path 231 is also formed inside the wafer holding mechanism 23, and the back surface of the wafer W is cleaned by the chemical solution and the rinsing solution supplied therefrom.
  • the cleaning process is, for example, removal of particles and organic pollutants with SC1 solution (a mixture of ammonia and hydrogen peroxide solution), which is an alkaline chemical solution, and rinse with deionized water (DIW), which is a rinse solution.
  • SC1 solution a mixture of ammonia and hydrogen peroxide solution
  • DIW deionized water
  • DIW deionized water
  • a silylating agent is supplied from the chemical solution nozzle 241 of the nozzle arm 24 to the surface of the wafer W, and the silylation process is performed on the surface of the wafer W.
  • the surface of the wafer W is rinsed again with D / W.
  • IPA IsoPropyl Alcohol
  • the wafer W that has been cleaned in this manner has a delivery mechanism (not shown) provided in the wafer holding mechanism 23 in a state in which IPA is accumulated on the surface (a state in which an IPA liquid film is formed on the surface of the wafer W). Is transferred to the second transport mechanism 161 and unloaded from the cleaning device 2.
  • the IPA accumulated on the surface of the wafer W by the cleaning apparatus 2 evaporates during the transfer of the wafer W from the cleaning apparatus 2 to the supercritical processing apparatus 3 or during the loading operation to the supercritical processing apparatus 3 ( It plays a role as an anti-drying liquid that prevents pattern collapse from occurring due to vaporization.
  • the silylating agent is supplied to the surface of the wafer W that has been cleaned by the cleaning apparatus 2 in this way, and the silylation process is performed on the surface of the wafer W.
  • IPA for preventing dryness is accumulated on the surface of the wafer W, and then the wafer W is transferred to the supercritical processing apparatus 3 to bring the supercritical CO2 into contact with the IPA on the surface of the wafer W in the substrate processing container 31.
  • the IPA is dissolved and removed in supercritical CO 2 and the wafer W is dried.
  • the configuration of the supercritical processing apparatus 3 will be described with reference to FIGS. 3 and 4.
  • the supercritical processing apparatus 3 is a substrate processing container 31 in which processing for removing IPA, which is a liquid for preventing drying, attached to the surface of the wafer W is performed, and the substrate processing container 31 is a high-pressure fluid. And a fluid supply source 37 for supplying supercritical CO 2.
  • the substrate processing container 31 includes a housing-like container body 31 ⁇ / b> A in which an opening 31 a for loading and unloading a wafer W is formed on a side surface, and a lid device 40 that seals the opening 31 a.
  • the lid device 40 includes a lid member 41 that seals the opening 31a when the wafer W is carried into the container main body 31A, and a holding plate (holding) that is connected to the lid member 41 and holds the wafer W to be processed sideways. Member) 42.
  • the container main body 31A is a container in which a processing space is formed that can accommodate, for example, a wafer W having a diameter of 300 mm.
  • a fluid supply path) and a discharge line 34 (discharge path) for discharging the fluid in the substrate processing container 31 are connected.
  • the substrate processing container 31 is not shown for sealing the processing space by pressing the lid member 41 toward the container main body 31A against the internal pressure received from the high-pressure fluid in the high-pressure state supplied into the processing space.
  • a pressing mechanism is provided.
  • a fluid supply line 35 connected to the substrate processing container 31 is connected to a fluid supply source 37 via an on-off valve 35a, a filter 35b, and a flow rate adjusting valve 35c that open and close in accordance with the supply and stop of high-pressure fluid to the substrate processing container 31. It is connected.
  • the fluid supply source 37 includes, for example, a CO2 cylinder that stores liquid CO2 and a booster pump that includes a syringe pump or a diaphragm pump for boosting the liquid CO2 supplied from the CO2 cylinder to a supercritical state. ing. In FIG. 3 and the like, the CO2 cylinder and the booster pump are generally shown in a cylinder shape.
  • the supercritical CO 2 supplied from the fluid supply source 37 is supplied to the substrate processing container 31 after the flow rate is adjusted by the flow rate adjusting valve 35c.
  • the flow rate adjusting valve 35c is constituted by, for example, a needle valve and is also used as a shut-off unit that shuts off the supply of supercritical CO 2 from the fluid supply source 37.
  • the pressure reducing valve 34 a of the discharge line 34 is connected to a pressure controller 34 b, and the pressure controller 34 b includes the measurement result of the pressure in the substrate processing container 31 acquired from the pressure gauge 38 provided in the substrate processing container 31.
  • a feedback control function for adjusting the opening based on a comparison result with a preset pressure is provided.
  • the cleaning system 1, the cleaning device 2, and the supercritical processing device 3 having the above-described configuration are connected to the control unit 4 as shown in FIGS.
  • the control unit 4 includes a computer 4a having a CPU and a storage unit, and the storage unit 2 takes out the wafer W from the action of the cleaning processing system 1, the cleaning apparatus 2, and the supercritical processing apparatus 3, that is, the FOUP 100, and the cleaning apparatus 2. Steps (commands) for control related to operations from the time when the wafer W is dried in the supercritical processing apparatus 3 until the wafer W is loaded into the FOUP 100 are assembled.
  • the program is recorded.
  • This program is stored in a storage medium 4b such as a hard disk, a compact disk, a magnetic optical disk, or a memory card, and is installed in the computer therefrom.
  • FIG. 5 (a) in the cleaning apparatus 2, the wafer W having the pattern WP is rotated, the nozzle arm 24 enters above the wafer W, and from the chemical solution nozzle 241 provided at the tip thereof.
  • a chemical liquid such as SC1 and DHF and a rinse liquid composed of DIW are supplied in a predetermined order, and the wafer W is subjected to a cleaning process.
  • the back surface of the wafer W is also cleaned by supplying a chemical liquid such as SC1 and DHF and a rinsing liquid made of DIW from a chemical liquid supply path 231 inside the wafer holding mechanism 23.
  • IPA is supplied from the chemical liquid nozzle 241 of the nozzle arm 24 to the surface of the wafer W while rotating the wafer W, and DIW on the wafer W is replaced with IPA.
  • a liquid silylating agent is supplied from the chemical solution nozzle 2341 of the nozzle arm 24 to the wafer W, and the IPA on the wafer W is replaced with the silylating agent. Since IPA is compatible with the silylating agent, IPA that has entered the pattern WP of the wafer W is replaced with the silylating agent.
  • a silylation treatment is performed to hydrophobize (silylate) the surface of the wafer W including the surface of the concave portion of the pattern WP.
  • the cleaning device 2 functions as a silylation processing unit.
  • TMSDMA trimethylsilyldimethylamine
  • BDMSDMA butyldimethylsilyldimethylamine
  • ODMSDMA octyldimethylsilyldimethylamine
  • the silylation treatment can be performed on the wafer W, and thus the surface of the wafer W can be made hydrophobic (water repellency). In addition, the surface energy of the surface of the wafer W can be reduced.
  • the cleaning device 2 functions as a liquid supply unit that supplies IPA as a liquid for preventing drying.
  • the surface of the wafer W is in a state where IPA is accumulated (a state where an IPA liquid film is formed on the wafer surface) (see FIGS. 5B and 6A).
  • the IPA has penetrated into the pattern WP on the surface of the wafer W.
  • the wafer W having the IPA for preventing drying on the surface is transferred from the wafer holding mechanism 23 to the second transport mechanism 161.
  • the second transfer mechanism 161 enters the housing in which the supercritical processing apparatus 3 capable of receiving the wafer W is disposed.
  • the supercritical processing apparatus 3 before carrying in the wafer W opens the substrate processing container 31 to the atmosphere and then closes the opening / closing valve 35a of the fluid supply line 35 and the pressure reducing valve 34a of the discharge line 34. Waiting.
  • the fluid supply line 35 has been previously opened to the atmosphere, and the on-off valve 35a and the flow rate adjustment valve 35c are closed in a state where high-pressure CO2 does not remain inside.
  • the holding plate 42 of the lid device 40 is moved to the outside of the container main body 31A as shown in FIG. Then, the wafer W is transferred from the transfer arm of the second transfer mechanism 161 to the holding plate 42 via a support pin (not shown). Then, the holding plate 42 is moved to carry the wafer W into the container main body 31A through the opening 31a, and the opening 31a is closed by the lid member 41 to seal the inside of the substrate processing container 31 (FIG. 5C). ) And FIG. 6B).
  • the on-off valve 35a of the fluid supply line 35 is opened, and the opening degree of the flow rate adjusting valve 35c is adjusted, so that supercritical CO2 heated and pressurized to 31 ° C. and 7.5 MPa or more at a predetermined flow rate is obtained. It introduce
  • moisture and oil contained in the raw material CO2 are also brought into the substrate processing vessel 31, but by introducing supercritical CO2, the inside of the substrate processing vessel 31 is increased from atmospheric pressure to a pressure higher than the critical pressure of CO2. Since the pressure is increased, the moisture and oil components are maintained in the supercritical CO 2 (see FIGS. 5 (e) and 6 (c)). In this case, IPA and supercritical CO 2 enter the pattern WP of the wafer W.
  • a target pressure in the substrate processing container 31 is set in the pressure controller 34b.
  • the pressure reducing valve 34a is opened to open the supercritical CO2 in the substrate processing container 31. Is extracted from the discharge line 34 to adjust the pressure in the substrate processing container 31 (see FIG. 5F).
  • the IPA accumulated in the wafer W comes into contact with the supercritical CO 2 and is extracted to the supercritical CO 2 so that the IPA is removed from the surface of the wafer W.
  • the supercritical CO2 enters the pattern WP formed on the surface of the wafer W, and extracts and removes the IPA in the pattern.
  • the IPA that has filled the pattern WP is replaced with supercritical CO 2 and removed from the surface of the wafer W.
  • the pressure reducing valve 34a is opened to discharge the supercritical CO2 inside the pipes of the substrate processing container 31 and the fluid supply line 35, whereby the substrate processing container 31 and the fluid supply line 35 are connected. At the same time, the pressure is reduced to atmospheric pressure (see FIG. 5 (f) and FIG. 6 (d)). In this operation, the supercritical CO 2 remaining in the substrate processing container 31 and the fluid supply line 35 changes as “supercritical CO 2 ⁇ high pressure CO 2 gas ⁇ low pressure CO 2 gas” as the pressure decreases, and retains moisture and oil content. The ability will decline.
  • the liquid IPA is removed from the pattern WP in the substrate processing container 31 that has been depressurized to atmospheric pressure, and the wafer W that has been dried can be obtained.
  • a heating unit such as a tape heater is provided in the container main body 31A, the temperature in the substrate processing container 31 is maintained at a temperature higher than the dew point of IPA, and the IPA to the surface of the wafer W accompanying a temperature decrease due to adiabatic expansion of CO 2 is performed. Condensation may be prevented.
  • the holding plate 42 of the lid device 40 is moved to carry out the wafer W from the container main body 31A of the substrate processing container 31, and the second The wafer W is delivered to the transfer arm of the transfer mechanism 161. Thereafter, the wafer W is transferred to the first transfer mechanism 121 via the buffer 131 and stored in the FOUP 100 through a path opposite to that at the time of loading, and a series of operations on the wafer W is completed.
  • the silylating agent is supplied to the surface of the wafer W, the surface of the wafer W is made hydrophobic (water repellency), and the surface energy of the surface of the wafer W is reduced. Thereafter, IPA is supplied onto the wafer W, and the IPA is deposited on the wafer W. Thereafter, the wafer W on which the IPA is accumulated is loaded into the substrate processing container 31, and then supercritical processing is performed in the substrate processing container 31 using a supercritical fluid (supercritical CO2). For this reason, even if IPA is not sufficiently replaced with supercritical CO 2 on the wafer W in the substrate processing container 31, the surface has hydrophobicity and the surface energy is reduced in the pattern WP of the wafer W. Therefore, the pattern WP is not collapsed by the surface tension of the residual IPA in the pattern WP.
  • supercritical fluid supercritical CO2
  • the cleaning apparatus 2 supplies IPA to the wafer W to pour IPA (see FIG. 7A).
  • IPA does not sufficiently replace the supercritical CO2 on the wafer W, the pattern WP may collapse due to the surface tension of the residual IPA in the pattern WP (see FIG. 7D). .
  • the present invention even if IPA remains in the pattern WP by performing a silylation process on the wafer W to make the surface of the wafer W hydrophobic and reduce the surface energy, The pattern WP does not collapse.
  • pattern collapse can be prevented by keeping the surface energy of the wafer W small.
  • the wafer W accumulated in IPA is loaded into the substrate processing container 31, and supercritical processing is performed in the substrate processing container 31 using supercritical CO2.
  • the substrate processing container is not limited to this, as shown in FIGS. 5A to 5C and FIGS. 5G to 5H.
  • the supercritical treatment can also be performed using IPA heated and pressurized at 235 ° C. or higher and 4.8 MPa or higher.
  • the silylating agent is supplied to the wafer W by the cleaning apparatus 2 to perform the silylation process, and then IPA is supplied onto the wafer W to provide the IPA on the wafer W.
  • IPA is supplied onto the wafer W to provide the IPA on the wafer W.
  • a liquid for preventing drying having a surface tension lower than that of IPA for example, PFC or HFE, is supplied onto the wafer W to prevent the liquid from being dried on the wafer W. May be served.
  • a silylation process is performed by supplying a silylating agent to the wafer W, and then the wafer W subjected to the silylation process is dried.
  • a silylation process is performed by supplying a silylating agent to the wafer W, and then the wafer W subjected to the silylation process is dried.
  • PEC or HFE is supplied and liquid for preventing drying is deposited on the wafer W (see FIG. 8A).
  • the wafer W on which the liquid for preventing drying is deposited is carried into the substrate processing container 31 (see FIG. 8B), and then supercritical CO 2 is supplied into the substrate processing container 31 so that the wafer W The liquid for preventing drying is replaced with supercritical CO2 in the pattern WP (see FIG. 8C).
  • the inside of the substrate processing container 31 is depressurized to atmospheric pressure, and the supercritical CO 2 in the pattern WP is released from the substrate processing container 31 to the outside (see FIG. 8D).
  • the anti-drying liquid since a liquid having a surface tension lower than that of IPA is used as the anti-drying liquid, even if the anti-drying liquid that does not replace the supercritical CO 2 remains in the pattern WP of the wafer W, the anti-drying liquid is used. Since the surface tension of the liquid is lower than that of IPA, pattern collapse does not occur. In addition, it is not necessary to sufficiently replace the liquid for preventing drying with the supercritical fluid, and the processing time can be shortened.
  • the Laplace pressure applied to the pattern WP from the liquid between the patterns WP on the wafer W is as follows.
  • Y surface tension of liquid between patterns WP
  • ⁇ contact angle s: space

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Abstract

【課題】乾燥防止用の液体と超臨界流体とが十分に置換しない場合であっても、確実にパターン倒れを防止する。また、乾燥防止用の液体を超臨界流体と置換するために要する時間を短縮することできる。 【解決手段】基板処理方法は前工程で洗浄されたウエハＷの表面に対してシリル化剤を供給してシリル化処理を施す工程と、シリル化処理が施されたウエハＷの表面にＩＰＡを供給してＩＰＡの液盛りする工程と、ＩＰＡの液盛りが形成されたウエハを基板処理容器３１内に搬入し、超臨界処理を施す工程とを備える。

Description

基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
　本発明は、高圧流体を接触させて基板の表面に付着した液体を除去する技術に関する。
　基板である半導体ウエハ（以下、ウエハという）などの表面に集積回路の積層構造を形成する半導体装置の製造工程においては、薬液などの洗浄液によりウエハ表面の微小なごみや自然酸化膜を除去するなど、液体を利用してウエハ表面を処理する液処理工程が設けられている。
　こうした液処理工程にてウエハの表面に付着した液体などを除去する際に、超臨界状態や亜臨界状態の流体（背景技術の説明では、これらをまとめて超臨界流体という）を用いる超臨界処理方法が知られている。　
　具体的には、ウエハに対して超臨界流体を用いて超臨界処理を施す場合、まず前工程でウエハに対して例えばＩＰＡからなる乾燥防止用の液体が供給されてこの乾燥防止用の液体がウエハ表面に液盛りされる。次に乾燥防止用の液体が液盛りされたウエハが超臨界処理用の基板処理容器内に搬入され、この基板処理容器内で超臨界流体を用いてウエハに対して超臨界処理が施される。
　しかしながらウエハ表面上において、乾燥防止用の液体が十分に超臨界流体と置換されないと、結局パターン倒れを回避することができない。また、乾燥防止用の液体が十分に超臨界流体と置換されるまでには長い時間を要するため処理時間の短縮が求められている
特開２０１３－１２５３８号公報
　本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、超臨界処理用の基板処理容器内において基板に対して超臨界処理を施した際、乾燥防止用の液体と超臨界流体が十分に置換されていない場合でも確実にパターン倒れを防止することができ、かつ、乾燥防止用の液体を超臨界流体と置換するために要する時間を短縮することできる基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体を提供することを目的とする。
　本発明は、パターンが形成された基板の表面にシリル化剤を供給して被処理体の表面をシリル化処理する工程と、前記基板の表面に乾燥防止用の液体を供給して前記基板の表面に乾燥防止用の液体の液盛りする工程と、乾燥防止用の液体が液盛りされた前記基板を超臨界処理用の基板処理容器内に搬入する工程と、前記基板処理容器内において前記基板に対して超臨界処理を施す工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法である。
　本発明は、パターンが形成された基板の表面にシリル化剤を供給して被処理体の表面をシリル化処理するシリル化処理部と、前記基板の表面に乾燥防止用の液体を供給して前記基板の表面に乾燥防止用の液体の液盛りする液体供給部と、乾燥防止用の液体が液盛りされた前記基板に対して超臨界処理を施す超臨界処理用の基板処理容器と、前記基板を前記液体供給部から前記基板処理容器内に搬入する基板搬入機構と、を備えたことを特徴とする基板処理装置である。
　本発明は、コンピュータに基板処理方法を実行させるための記憶媒体において、前記基板処理方法は、パターンが形成された基板の表面にシリル化剤を供給して被処理体の表面をシリル化処理する工程と、前記基板の表面に乾燥防止用の液体を供給して前記基板の表面に乾燥防止用の液体の液盛りする工程と、乾燥防止用の液体が液盛りされた前記基板を超臨界処理用の基板処理容器内に搬入する工程と、前記基板処理容器内において前記基板に対して超臨界処理を施す工程と、を備えたことを特徴とする記憶媒体である。
　本発明によれば、乾燥防止用の液体と超臨界流体が十分に置換されない場合でも、確実にパターン倒れを防止することができる。また、乾燥防止用の液体を超臨界流体と置換するために要する時間を短縮することできる。
図１は本実施の形態による洗浄処理システムの横断平面図。 図２は洗浄処理システムに設けられている洗浄装置の縦断側面図。 図３は超臨界処理装置の構成図。 図４は超臨界処理装置の基板処理容器の外観斜視図。 図５（ａ）～（ｈ）は本実施の形態の作用を示す図。 図６（ａ）～（ｄ）は本実施の形態の作用を示す図。 図７（ａ）～（ｄ）は比較例の作用を示す図。 図８（ａ）～（ｄ）は変形例の作用を示す図。 図９は弾性復元エネルギーと接着エネルギーの関係を示すモデルを示す図。 図１０はラプラス圧を示す図。
　以下、本実施の形態に係わる超臨界処理装置３を備えた洗浄処理システム１の構成について説明する。　
　はじめに、本実施の形態の基板処理システムの一例として、被処理基板であるウエハＷに洗浄液を供給して洗浄処理を行う洗浄装置２と、洗浄処理後のウエハＷに付着している乾燥防止用の液体（ＩＰＡ）を超臨界ＣＯ２と接触させて除去する超臨界処理装置３とを備えた洗浄処理システム１について説明する。
　図１は洗浄処理システム１の全体構成を示す横断平面図であり、この図に向かって下側を前方とする。洗浄処理システム１では、載置部１１にＦＯＵＰ１００が載置され、このＦＯＵＰ１００に格納された例えば直径３００ｍｍの複数枚のウエハＷが、搬入出部１２及び受け渡し部１３を介して後段の洗浄処理部１４、超臨界処理部１５との間で受け渡され、洗浄装置２、超臨界処理装置３内に順番に搬入されて洗浄処理や乾燥防止用の液体を除去する処理が行われる。図中、１２１はＦＯＵＰ１００と受け渡し部１３との間でウエハＷを搬送する第１の搬送機構、１３１は搬入出部１２と洗浄処理部１４、超臨界処理部１５との間を搬送されるウエハＷが一時的に載置されるバッファとしての役割を果たす受け渡し棚である。
　洗浄処理部１４及び超臨界処理部１５は、受け渡し部１３との間の開口部から前後方向に向かって伸びるウエハ搬送路１６２に沿って前方からこの順番に設けられている。洗浄処理部１４には、当該ウエハ搬送路１６２を挟んで洗浄装置２が１台ずつ配置されている。一方、超臨界処理部１５には、本実施の形態の基板処理装置である超臨界処理装置３が、ウエハ搬送路１６２を挟んで３台ずつ、合計６台配置されている。
　ウエハＷは、ウエハ搬送路１６２に配置された第２の搬送機構１６１によってこれら各洗浄装置２、超臨界処理装置３及び受け渡し部１３の間を搬送される。ここで洗浄処理部１４や超臨界処理部１５に配置される洗浄装置２や超臨界処理装置３の個数は、単位時間当たりのウエハＷの処理枚数や、洗浄装置２、超臨界処理装置３での処理時間の違いなどにより適宜選択され、これら洗浄装置２や超臨界処理装置３の配置数などに応じて最適なレイアウトが選択される。
　洗浄装置２は例えばスピン洗浄によりウエハＷを１枚ずつ洗浄する枚葉式の洗浄装置２として構成され、図２の縦断側面図に示すように、処理空間を形成するアウターチャンバー２１内に配置されたウエハ保持機構２３にてウエハＷをほぼ水平に保持し、このウエハ保持機構２３を鉛直軸周りに回転させることによりウエハＷを回転させる。そして回転するウエハＷの上方にノズルアーム２４を進入させ、その先端部に設けられた薬液ノズル２４１から薬液及びリンス液を予め定められた順に供給することによりウエハの面の洗浄処理が行われる。また、ウエハ保持機構２３の内部にも薬液供給路２３１が形成されており、ここから供給された薬液及びリンス液によってウエハＷの裏面洗浄が行われる。
　洗浄処理は、例えばアルカリ性の薬液であるＳＣ１液（アンモニアと過酸化水素水の混合液）によるパーティクルや有機性の汚染物質の除去→リンス液である脱イオン水（DeIonized Water：ＤＩＷ）によるリンス洗浄→酸性薬液である希フッ酸水溶液（以下、ＤＨＦ（Diluted HydroFluoric acid））による自然酸化膜の除去→ＤＩＷによるリンス洗浄が行われる。これらの薬液はアウターチャンバー２１内に配置されたインナーカップ２２やアウターチャンバー２１に受け止められて排液口２２１、２１１より排出される。またアウターチャンバー２１内の雰囲気は排気口２１２より排気されている。
　薬液による洗浄処理を終えたら、ウエハＷの表面にノズルアーム２４の薬液ノズル２４１からシリル化剤を供給し、ウエハＷの表面に対してシリル化処理を施す。ウエハＷの表面に対してシリル化処理を施した後、ウエハＷの表面を再度Ｄ／Ｗでリンス洗浄する。次にウエハ保持機構２３の回転を停止してからウエハＷの表面及び裏面にＩＰＡ（IsoPropyl Alcohol）を供給し、これらの面に残存しているＤＩＷと置換する。こうして洗浄処理を終えたウエハＷは、その表面にＩＰＡが液盛りされた状態（ウエハＷ表面にＩＰＡの液膜が形成された状態）のままウエハ保持機構２３に設けられた不図示の受け渡し機構により第２の搬送機構１６１に受け渡され、洗浄装置２より搬出される。
　洗浄装置２にてウエハＷ表面に液盛りされたＩＰＡは、洗浄装置２から超臨界処理装置３へのウエハＷの搬送中や、超臨界処理装置３への搬入動作中に当該ＩＰＡが蒸発（気化）することによってパターン倒れが発生することを防ぐ乾燥防止用の液体としての役割を果たしている。
　このように洗浄装置２での洗浄処理を終えたウエハＷに対してその表面にシリル化剤が供給され、ウエハＷ表面にシリル化処理が施される。次にウエハＷの表面に乾燥防止用のＩＰＡが液盛りされ、その後ウエハＷは、超臨界処理装置３に搬送され、基板処理容器３１内にてウエハＷ表面のＩＰＡに超臨界ＣＯ２を接触させることにより、当該ＩＰＡを超臨界ＣＯ２に溶解させて除去し、ウエハＷを乾燥する処理が行われる。以下、超臨界処理装置３の構成について図３、図４を参照しながら説明する。
　本実施の形態に係わる超臨界処理装置３は、ウエハＷ表面に付着した乾燥防止用の液体であるＩＰＡを除去する処理が行われる基板処理容器３１と、この基板処理容器３１に高圧流体である超臨界ＣＯ２を供給する流体供給源３７と、を備えている。
　図４に示すように基板処理容器３１は、側面にウエハＷの搬入出用の開口部３１ａが形成された筐体状の容器本体３１Ａと、開口部３１ａを密閉する蓋装置４０とを備えている。このうち蓋装置４０はウエハＷを容器本体３１Ａ内に搬入したとき前記開口部３１ａを密閉する蓋部材４１と、この蓋部材４１に連結され処理対象のウエハＷを横向きに保持する保持板（保持部材）４２とを有する。
　容器本体３１Ａは、例えば直径３００ｍｍのウエハＷを収容可能な、処理空間が形成された容器であり、その壁部には、基板処理容器３１内に高圧流体を供給するための流体供給ライン３５（流体供給路）と、基板処理容器３１内の流体を排出するための排出ライン３４（排出路）とが接続されている。また、基板処理容器３１には処理空間内に供給された高圧状態の高圧流体から受ける内圧に抗して、容器本体３１Ａに向けて蓋部材４１を押し付け、処理空間を密閉するための不図示の押圧機構が設けられている。
　基板処理容器３１に接続された流体供給ライン３５は、基板処理容器３１への高圧流体の供給、停止に合わせて開閉する開閉弁３５ａ、フィルター３５ｂ及び流量調整弁３５ｃを介して流体供給源３７に接続されている。流体供給源３７は、例えば液体ＣＯ２を貯留するＣＯ２ボンベと、このＣＯ２ボンベから供給された液体ＣＯ２を昇圧して超臨界状態とするための、シリンジポンプやダイヤフラムポンプなどからなる昇圧ポンプとを備えている。図３等には、これらＣＯ２ボンベや昇圧ポンプを総括的にボンベの形状で示してある。
　流体供給源３７から供給された超臨界ＣＯ２は、流量調整弁３５ｃにて流量を調節され、基板処理容器３１に供給される。この流量調整弁３５ｃ弁は、例えばニードルバルブなどから構成され、流体供給源３７からの超臨界ＣＯ２の供給を遮断する遮断部としても兼用されている。
　また、排出ライン３４の減圧弁３４ａは圧力コントローラー３４ｂと接続されており、この圧力コントローラー３４ｂは、基板処理容器３１に設けられた圧力計３８から取得した基板処理容器３１内の圧力の測定結果と、予め設定された設定圧力との比較結果に基づいて開度を調整するフィードバック制御機能を備えている。
　以上に説明した構成を備えた洗浄処理システム１や洗浄装置２、超臨界処理装置３は図１、図３に示すように制御部４に接続されている。制御部４はＣＰＵと記憶部とを備えたコンピュータ４ａからなり、記憶部にはこれら洗浄処理システム１や洗浄装置２、超臨界処理装置３の作用、即ちＦＯＵＰ１００からウエハＷを取り出して洗浄装置２にて洗浄処理を行い、次いで超臨界処理装置３にてウエハＷを乾燥する処理を行ってからＦＯＵＰ１００内にウエハＷを搬入するまでの動作に係わる制御についてのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカード等の記憶媒体４ｂに格納され、そこからコンピュータにインストールされる。
　次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について図５（ａ）～（ｆ）および図６（ａ）～（ｄ）により述べる。　
　まず図５（ａ）に示すように、洗浄装置２において、パターンＷＰを有するウエハＷを回転させ、このウエハＷの上方にノズルアーム２４が進入し、その先端部に設けられた薬液ノズル２４１からＳＣ１およびＤＨＦ等の薬液およびＤＩＷからなるリンス液が予め定められた順に供給され、ウエハＷに対して洗浄処理が行われる。またウエハ保持機構２３の内部の薬液供給路２３１からＳＣ１およびＤＨＦ等の薬液及びＤＩＷからなるリンス液を供給することにより、ウエハＷの裏面洗浄も行われる。
　薬液及びリンス液による洗浄処理が終了した段階で、ウエハＷを回転させながらウエハＷの表面にノズルアーム２４の薬液ノズル２４１からＩＰＡが供給され、ウエハＷ上のＤＩＷがＩＰＡと置換される。
　その後ウエハＷを引き続き回転させながら、ノズルアーム２４の薬液ノズル２３４１から液体状のシリル化剤をウエハＷに供給し、ウエハＷ上のＩＰＡをシリル化剤で置換する。ＩＰＡはシリル化剤に対しても相溶性を有しているので、ウエハＷのパターンＷＰ内に入り込んだＩＰＡがシリル化剤に置換される。このシリル化剤により、パターンＷＰの凹部の表面を含むウエハＷの表面を疎水化（シリル化）するシリル化処理が行われる。このように、洗浄装置２はシリル化処理部として機能する。
　シリル化剤について、たとえばトリメチルシリルジメチルアミン（ＴＭＳＤＭＡ）、ブチルジメチルシリルジメチルアミン（ＢＤＭＳＤＭＡ）、及びオクチルジメチルシリルジメチルアミン（ＯＤＭＳＤＭＡ）などを用いることができる。
　このようにウエハＷに対してシリル化剤を供給することにより、ウエハＷに対してシリル化処理を施すことができ、このことによりウエハＷの表面に疎水性（撥水性）をもたせることができ、かつウエハＷの表面の表面エネルギーを低減することができる。
　次にウエハＷの表面を再度ＤＩＷでリンス洗浄し、次にウエハ保持機構２３の回転を停止してからウエハＷの表面及び裏面にＩＰＡを供給し、これらの面に残存しているＤＩＷと置換する。このように、洗浄装置２は乾燥防止用の液体としてのＩＰＡを供給する液体供給部として、機能する。
　この場合、ウエハＷの表面はＩＰＡが液盛りされた状態（ウエハ表面にＩＰＡの液膜が形成された状態）となる（図５（ｂ）および図６（ａ）参照）。またＩＰＡはウエハＷ表面のパターンＷＰ内まで入り込んでいる。
　このように洗浄装置２における洗浄処理を終え、表面に乾燥防止用のＩＰＡが液盛りされたウエハＷは、ウエハ保持機構２３から第２の搬送機構１６１に受け渡される。次に第２の搬送機構１６１は、ウエハＷを受け入れ可能な超臨界処理装置３が配置されている筐体内に進入する。
　このときウエハＷの搬入が行われる前の超臨界処理装置３は、基板処理容器３１内を大気開放してから流体供給ライン３５の開閉弁３５ａ、排出ライン３４の減圧弁３４ａを閉じた状態で待機している。また、流体供給ライン３５についても予め大気開放操作が行われており、内部に高圧のＣＯ２が残存していない状態にて開閉弁３５ａ及び流量調整弁３５ｃが閉じられている。
　上記の状態で待機している基板処理容器３１にＩＰＡが液盛りされたウエハＷが搬入されてきたら、図４に示すように容器本体３１Ａの外方に蓋装置４０の保持板４２を移動させ、不図示の支持ピンを介して第２の搬送機構１６１の搬送アームから保持板４２にウエハＷを受け渡す。そして、保持板４２を移動させて開口部３１ａを介してウエハＷを容器本体３１Ａの内部に搬入し、蓋部材４１にて開口部３１ａを閉じ基板処理容器３１内を密閉する（図５（ｃ）および図６（ｂ）参照）。
　次いで、流体供給ライン３５の開閉弁３５ａを開くと共に、流量調整弁３５ｃの開度を調節して、予め定められた流量で３１℃、７．５ＭＰａ以上に加熱、加圧された超臨界ＣＯ２を基板処理容器３１内に導入する（図５（ｄ）および図６（ｃ）参照）。このとき、原料ＣＯ２に含まれていた水分や油分も基板処理容器３１内に持ち込まれるが、超臨界ＣＯ２を導入することにより、基板処理容器３１内は大気圧からＣＯ２の臨界圧以上の圧力まで昇圧されるので、これらの水分や油分は超臨界ＣＯ２に保持された状態を維持する（図５（ｅ）および図６（ｃ）参照）。この場合、ウエハＷのパターンＷＰ内には、ＩＰＡと超臨界ＣＯ２が入り込む。
　圧力コントローラー３４ｂには、基板処理容器３１内の目標圧力が設定されており、基板処理容器３１内の圧力が前記目標圧力を超えたら、減圧弁３４ａを開いて基板処理容器３１内の超臨界ＣＯ２の一部を排出ライン３４から抜き出すことにより、基板処理容器３１内の圧力調整を行う（図５（ｆ）参照）。このときウエハＷの表面では、ウエハＷに液盛りされたＩＰＡが超臨界ＣＯ２と接触して、超臨界ＣＯ２に抽出されウエハＷの表面からＩＰＡが除去されていく。
　やがて超臨界ＣＯ２は、ウエハＷの表面に形成されたパターンＷＰ内に進入して、当該パターン内のＩＰＡを抽出して除去する。この結果、パターンＷＰ内を満たしていたＩＰＡは、超臨界ＣＯ２に置換され、ウエハＷの表面から除去される。
　このとき、基板処理容器３１内でＩＰＡを抽出した超臨界ＣＯ２の一部を排出ライン３４から抜き出し、流体供給ライン３５からの新たな超臨界ＣＯ２の供給を継続する。これにより、基板処理容器３１内の超臨界ＣＯ２によるＩＰＡの抽出能力を大きく低下させずに、ＩＰＡを除去する処理を進行させることができる。
　こうして、パターンＷＰ内に入り込んだＩＰＡを抽出し、超臨界ＣＯ２にて置換するのに十分な時間が経過したら、圧力コントローラー３４ｂによる圧力制御を解除して排出ライン３４の減圧弁３４ａを閉じると共に、流量調整弁３５ｃを閉止して、流体供給源３７からの超臨界ＣＯ２の供給を遮断する。このとき、基板処理容器３１及び流体供給ライン３５の配管内部は超臨界ＣＯ２で満たされた状態となっている。
　超臨界ＣＯ２の供給が停止されたら、減圧弁３４ａを開いて基板処理容器３１及び流体供給ライン３５の配管の内部の超臨界ＣＯ２を排出することにより、基板処理容器３１と流体供給ライン３５とを併せて大気圧まで減圧する（図５（ｆ）および図６（ｄ）参照）。この操作において、基板処理容器３１や流体供給ライン３５内に残存する超臨界ＣＯ２は、圧力の低下に伴って「超臨界ＣＯ２→高圧ＣＯ２ガス→低圧ＣＯ２ガス」と変化し、水分や油分の保持能力が低下していく。
　このようにして、大気圧まで減圧された基板処理容器３１の内部において、パターンＷＰ内から液体ＩＰＡが除去され、乾燥した状態となったウエハＷを得ることができる。ここで、容器本体３１Ａにテープヒーターなどの加熱部を設け、基板処理容器３１内の温度をＩＰＡの露点よりも高い温度に維持し、ＣＯ２の断熱膨張による温度低下に伴うウエハＷ表面へのＩＰＡの結露を防止してもよい。
　基板処理容器３１内を大気開放して乾燥した状態のウエハＷが得られたら、蓋装置４０の保持板４２を移動させて基板処理容器３１の容器本体３１ＡからウエハＷを搬出し、第２の搬送機構１６１の搬送アームにウエハＷを受け渡す。しかる後、ウエハＷはバッファ１３１を介して第１の搬送機構１２１に受け渡され、搬入時とは逆の経路を通ってＦＯＵＰ１００内に格納され、ウエハＷに対する一連の動作が完了する。
　以上のように本実施の形態によれば、ウエハＷ表面に対してシリル化剤を供給し、ウエハＷ表面に疎水性（撥水性）をもたせ、かつウエハＷの表面の表面エネルギーを低減させた後、ウエハＷ上にＩＰＡを供給しウエハＷ上にＩＰＡを液盛りする。その後ＩＰＡが液盛りされたウエハＷを基板処理容器３１内に搬入した後、基板処理容器３１内において超臨界流体（超臨界ＣＯ２）を用いて超臨界処理を施す。このため基板処理容器３１内のウエハＷ上において、ＩＰＡが超臨界ＣＯ２と十分に置換しない場合であっても、ウエハＷのパターンＷＰ内において、その表面が疎水性をもち、かつ表面エネルギーが低減するため、パターンＷＰ内において残留ＩＰＡの表面張力によってパターンＷＰが倒壊することはない。
　すなわち、ウエハＷに対してシリル化剤を供給するシリル化処理を施すことなく、洗浄装置２においてウエハＷにＩＰＡを供給してＩＰＡを液盛りし（図７（ａ）参照）、ＩＰＡが液盛りされたウエハＷを基板処理容器３１内に搬入し（図７（ｂ）参照）、次に基板処理容器３１内において超臨界ＣＯ２を用いてウエハＷに対して超臨界処理を施す場合（図７（ｃ）参照）、ウエハＷ上においてＩＰＡが超臨界ＣＯ２と十分に置換しない場合、パターンＷＰ内において残留ＩＰＡの表面張力によってパターンＷＰが倒壊する可能性もある（図７（ｄ）参照）。
　これに対して本願発明によれば、ウエハＷに対してシリル化処理を施して、ウエハＷの表面を疎水化し、かつ表面エネルギーを低下させることにより、パターンＷＰ内にＩＰＡが残っていても、パターンＷＰが倒壊することはない。
　ここでウエハＷのパターンＷＰが倒壊する原理を図９により説明する。
　図９に示すように、ウエハＷのパターンＷＰに関し、弾性復元エネルギーＵＥおよび接着エネルギーＵＳは以下のようになる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 ここでＥ：ヤング率
　　　Ｉ：断面２次モーメント
　　　ＹＳ：固体の表面エネルギー
　　　ｔ：パターン幅
　　　ｗ：パターン長さ
　　　ｓ：スペース（１／２）
　　　Ｌ：パターン高さ
　　　ｈ：接着部の長さ
　そして全エネルギーＵＴは
　ＵＴ＝ＵＥ＋ＵＳとなり、ＵＴが０より大きい場合（ＵＥ＞ＵＳ）、パターン接着はしない。
　以上のことから判るように、ウエハＷの表面エネルギーを小さく抑えることにより、パターン倒れを防ぐことができる。
　次に本発明の変形例について説明する。図５（ａ）～（ｃ）に示すように、ＩＰＡで液盛りされたウエハＷを基板処理容器３１内に搬入し、この基板処理容器３１内において超臨界ＣＯ２を用いて超臨界処理を施す例を示したが（図５（ｄ）～（ｆ）参照）、これに限らず、図５（ａ）～（ｃ）および図５（ｇ）～（ｈ）に示すように、基板処理容器３１内において２３５℃以上４．８ＭＰａ以上に加熱、加圧されたＩＰＡを用いて超臨界処理することもできる。
　次に図８（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）～図１０により他の変形例について説明する。　
　図１乃至図６に示す実施の形態において、洗浄装置２によりウエハＷに対してシリル化剤を供給してシリル化処理を施し、次にウエハＷ上にＩＰＡを供給してウエハＷ上にＩＰＡを液盛りする例を示したが、これに限らずウエハＷ上にＩＰＡより低い表面張力をもつ乾燥防止用の液体、例えばＰＦＣあるいはＨＦＥを供給してウエハＷ上に乾燥防止用の液体の液盛りしてもよい。
　例えば図８（ａ）に示すように、洗浄装置２において、ウエハＷに対してシリル化剤を供給することによりシリル化処理が施され、次にシリル化処理が施されたウエハＷに乾燥防止用の液体、例えばＰＥＣあるいはＨＦＥが供給されてウエハＷ上に乾燥防止用の液体の液盛りされる（図８（ａ）参照）。
　次に乾燥防止用の液体が液盛りされたウエハＷは基板処理容器３１内に搬入され（図８（ｂ）参照）、その後基板処理容器３１内に超臨界ＣＯ２が供給されて、ウエハＷのパターンＷＰ内において乾燥防止用の液体が超臨界ＣＯ２と置換される（図８（ｃ）参照）。
　その後、基板処理容器３１内が大気圧まで減圧され、パターンＷＰ内の超臨界ＣＯ２が基板処理容器３１から外方へ放出される（図８（ｄ）参照）。
　この場合、乾燥防止用の液体としてＩＰＡより低い表面張力をもつ液体を用いるため、ウエハＷのパターンＷＰ内に超臨界ＣＯ２と置換されない乾燥防止用の液体が残っていても、この乾燥防止用の液体の表面張力はＩＰＡより低いため、パターン倒れが生じることはない。また、乾燥防止用の液体を超臨界流体と十分に置換されなくともよく処理時間を短縮することできる。
　ここでウエハＷのパターンＷＰが倒壊する原理を図１０により説明する。
　図１０に示すように、ウエハＷのパターンＷＰ間の液体からパターンＷＰに加わるラプラス圧は以下のようになる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
 ここでＹ：パターンＷＰ間の液体の表面張力
　　　θ：接触角
　　　ｓ：スペース
　以上のことから判るように、ウエハＷのパターンＷＰ間の乾燥防止用の液体について、その表面張力が小さくなれば、この液体からパターンＷＰに加わるラプラス圧が小さくなり、パターン倒れが生じにくくなる。
Ｗ　　　　　ウエハ
ＷＰ　　　　パターン
１　　　　　洗浄システム
２　　　　　洗浄装置
３　　　　　超臨界処理装置
４　　　　　制御部
４ｂ　　　　記憶媒体
３１　　　　基板処理容器
３４　　　　排出ライン
３４ａ　　　減圧弁
３５　　　　流体供給ライン
３５ａ　　　開閉弁
３５ｃ　　　流量調整弁
３７　　　　流体供給源
４０　　　　蓋装置
４１　　　　蓋部材
４２　　　　保持部材

Claims (5)

  1. 　パターンが形成された基板の表面にシリル化剤を供給して被処理体の表面をシリル化処理する工程と、
    　前記基板の表面に乾燥防止用の液体を供給して前記基板の表面に乾燥防止用の液体の液盛りする工程と、
    　乾燥防止用の液体が液盛りされた前記基板を超臨界処理用の基板処理容器内に搬入する工程と、
    　前記基板処理容器内において前記基板に対して超臨界処理を施す工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法。
  2. 　前記乾燥防止用の液体としてＩＰＡを用いることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
  3. 　前記乾燥防止用の液体としてＩＰＡより低い表面張力を有する液体を用いることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
  4. 　パターンが形成された基板の表面にシリル化剤を供給して被処理体の表面をシリル化処理するシリル化処理部と、
    　前記基板の表面に乾燥防止用の液体を供給して前記基板の表面に乾燥防止用の液体の液盛りする液体供給部と、
    　乾燥防止用の液体が液盛りされた前記基板に対して超臨界処理を施す超臨界処理用の基板処理容器と、
    　前記基板を前記液体供給部から前記基板処理容器内に搬入する基板搬入機構と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  5. 　コンピュータに基板処理方法を実行させるための記憶媒体において、
    　前記基板処理方法は、パターンが形成された基板の表面にシリル化剤を供給して被処理体の表面をシリル化処理する工程と、
    　前記基板の表面に乾燥防止用の液体を供給して前記基板の表面に乾燥防止用の液体の液盛りする工程と、
    　乾燥防止用の液体が液盛りされた前記基板を超臨界処理用の基板処理容器内に搬入する工程と、
    　前記基板処理容器内において前記基板に対して超臨界処理を施す工程と、を備えたことを特徴とする記憶媒体。
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