CN110634770A - 基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 - Google Patents

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质 Download PDF

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Abstract

本发明涉及基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，提供一种在搬送表面形成有液膜的晶圆时能够抑制搬送时间混乱的技术。一个方式的基板处理装置具备多个第一处理部、多个第二处理部、搬送部以及控制部。多个第一处理部对基板实施第一处理。多个第二处理部对被实施了第一处理的基板实施第二处理。搬送部供多个第一处理部和多个第二处理部共同使用，向多个第一处理部和多个第二处理部搬送基板。控制部控制多个第一处理部、多个第二处理部以及搬送部。控制部控制向第一处理部搬送基板的第一搬送处理的开始定时，以使在进行第一处理之后从第一处理部向第二处理部搬送形成有液膜的基板的第二搬送处理的定时不与利用搬送部搬送其它基板的定时重叠。

Description

基板处理装置、基板处理方法以及存储介质
技术领域
公开的实施方式涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
以往，已知如下一种基板处理装置：在作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圆。)等的表面形成防干燥用的液膜，使形成有该液膜的晶圆与超临界状态的处理流体接触来进行干燥处理(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2013-12538号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种在对表面形成有液膜的晶圆进行搬送时能够抑制搬送时间混乱的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的基板处理装置具备多个第一处理部、多个第二处理部、搬送部以及控制部。所述多个第一处理部用于对基板实施第一处理。多个第二处理部用于对被实施了所述第一处理的所述基板实施第二处理。搬送部供所述多个第一处理部和所述多个第二处理部共同使用，用于向所述多个第一处理部和所述多个第二处理部搬送所述基板。控制部控制所述多个第一处理部、所述多个第二处理部以及所述搬送部。而且，所述控制部控制向所述第一处理部搬送所述基板的第一搬送处理的开始定时，以使在进行所述第一处理之后从所述第一处理部向所述第二处理部搬送形成有液膜的所述基板的第二搬送处理的定时不与利用所述搬送部搬送其它的所述基板的定时重叠。
发明的效果
根据本公开，在对表面形成有液膜的晶圆进行搬送时能够抑制搬送时间混乱。
附图说明
图1是从上方观察实施方式所涉及的基板处理系统的示意性的截面图。
图2是从侧方观察实施方式所涉及的基板处理系统的示意性的截面图。
图3是表示液处理单元的结构例的图。
图4是表示干燥单元的结构例的示意立体图。
图5是表示在实施方式所涉及的基板处理系统中执行的一系列的基板处理的过程的流程图。
图6是用于说明实施方式所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的时序图(1)。
图7是用于说明实施方式所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的时序图(2)。
图8是用于说明实施方式所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的时序图(3)。
图9是用于说明实施方式所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的时序图(4)。
图10是用于说明实施方式所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的时序图(5)。
图11是用于说明实施方式所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的时序图(6)。
图12是表示实施方式所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的过程的流程图。
图13是用于说明实施方式的变形例1所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的过程的时序图。
图14是用于说明实施方式的变形例2所涉及的前待机处理和后待机处理的追加处理的图。
图15是用于说明实施方式的变形例2所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的过程的时序图。
图16是表示实施方式的变形例1和变形例2所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的过程的流程图。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明本申请公开的基板处理装置和基板处理方法的实施方式。此外，本公开不限定于以下所示的实施方式。另外，需注意的是，附图是示意性的，各要素的尺寸关系、各要素的比率等有时与实际不同。并且，附图之间有时也包括尺寸关系、比率互不相同的部分。
以往，已知如下一种基板处理装置：在作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圆。)等的表面形成防干燥用的液膜，使形成有该液膜的晶圆与超临界状态的处理流体接触来进行干燥处理。
然而，当向接下来的干燥单元搬送在表面形成有液膜的晶圆的定时正在对其它晶圆进行搬送处理时，形成有液膜的晶圆必须保持待机直到其它晶圆的搬送处理完成为止。
而且，在待机期间由于液膜干燥等而晶圆表面的液膜状态发生了变化的情况下，在之后的干燥处理中会发生形成在晶圆上的图案破损等不良状况，因此存在晶圆的成品率下降的担忧。
因此，期待在对表面形成有液膜的晶圆进行搬送时抑制搬送时间混乱。
<基板处理系统的结构>
首先，参照图1和图2来说明实施方式所涉及的基板处理系统1(基板处理装置的一例)的结构。图1是从上方观察实施方式所涉及的基板处理系统1的示意性的截面图。另外，图2是从侧方观察实施方式所涉及的基板处理系统1的示意性的截面图。此外，下面为了明确位置关系而规定彼此正交的X轴、Y轴以及Z轴，并将Z轴正方向设为铅垂向上的方向。
如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2与处理站3邻接地设置。
搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11载置有将多张半导体晶圆W(以下记载为“晶圆W”)以水平状态收容的多个承载件C。
搬送部12与承载件载置部11邻接地设置。在搬送部12的内部配置搬送装置13和交接部14。
搬送装置13具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，搬送装置13能够沿水平方向和铅垂方向移动并且能够以铅垂轴为中心旋转，使用晶圆保持机构来在承载件C与交接部14之间进行晶圆W的搬送。
处理站3与搬送部12邻接地设置。处理站3具备搬送块4和多个处理块5。
搬送块4具备搬送区15和搬送装置16。搬送区15例如是沿搬入搬出站2和处理站3的排列方向(X轴方向)延伸的长方体状的区域。在搬送区15配置搬送装置16。
搬送装置16具备用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，搬送装置16能够沿水平方向和铅垂方向移动并且能够以铅垂轴为中心旋转，使用晶圆保持机构来在交接部14与多个处理块5之间进行晶圆W的搬送。
多个处理块5在搬送区15的一侧与搬送区15邻接地配置。具体地说，多个处理块5配置于搬送区15的与搬入搬出站2和处理站3的排列方向(X轴方向)正交的方向(Y轴方向)上的一侧(图中为Y轴负方向侧)。
另外，如图2所示，多个处理块5沿铅垂方向配置为多层。在实施方式中，多个处理块5的层数是三层，但多个处理块5的层数不限定为三层。
这样，在实施方式所涉及的基板处理系统1中，多个处理块5在搬送块4的一侧配置为多层。而且，配置于各层的处理块5与交接部14之间进行的晶圆W的搬送由配置于搬送块4的共用的搬送装置16来进行。
各处理块5具备液处理单元17和干燥单元18。液处理单元17是第一处理部的一例，干燥单元18是第二处理部的一例。
液处理单元17进行对作为晶圆W的图案形成面的上表面进行清洗的清洗处理。该清洗处理是第一处理的一例。此外，在以下说明的实施方式中，示出进行清洗处理来作为第一处理的例子，但是该第一处理不限于清洗处理。
并且，液处理单元17进行在清洗处理后的晶圆W的上表面形成液膜的液膜形成处理。在后文中叙述液处理单元17的结构。
干燥单元18对液膜形成处理后的晶圆W进行超临界干燥处理。具体地说，干燥单元18通过使液膜形成处理后的晶圆W与超临界状态的处理流体(以下也称为“超临界流体”。)接触来使该晶圆W干燥。该超临界干燥处理是第二处理的一例。
此外，在以下说明的实施方式中，示出进行超临界干燥处理来作为第二处理的例子，但是该第二处理不限于超临界干燥处理，也可以是旋转干燥处理等其它干燥处理。并且，第二处理不限于干燥处理，也可以是液处理等。在后文中叙述干燥单元18的结构。
此外，虽在图1和图2中未图示，但基板处理系统1具有向干燥单元18供给处理流体的供给单元。具体地说，该供给单元具备包括流量计、流量调整器、背压阀、加热器等的供给设备组和收容供给设备组的壳体。在实施方式中，供给单元向干燥单元18供给CO2来作为处理流体。
液处理单元17和干燥单元18沿搬送区15(即，沿X轴方向)排列。液处理单元17和干燥单元18中的液处理单元17配置于接近搬入搬出站2的位置，干燥单元18配置于远离搬入搬出站2的位置。
这样，各处理块5分别具备液处理单元17和干燥单元18各一个。即，在基板处理系统1设置有相同数量的液处理单元17和干燥单元18。
如图1所示，基板处理系统1具备控制装置6。控制装置6例如是计算机，具备控制部61和存储部62。
控制部61包括各种电路、具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微计算机。该微计算机的CPU通过读出ROM中存储的程序并执行该程序来实现搬送装置13及16、液处理单元17以及干燥单元18等的控制。
此外，该程序既可以存储于计算机可读取的存储介质中，也可以从该存储介质安装到控制装置6的存储部62。作为计算机可读取的存储介质，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
存储部62例如由RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储器元件或者硬盘、光盘等存储装置来实现。
<液处理单元的结构>
接着，参照图3来说明液处理单元17的结构。图3是表示液处理单元17的结构例的图。液处理单元17例如构成为通过对晶圆W进行旋转清洗来逐张地清洗晶圆W的单片式清洗装置。
如图3所示，液处理单元17通过在形成处理空间的外腔室23内配置的晶圆保持机构25来将晶圆W保持为大致水平，通过使该晶圆保持机构25绕铅垂轴旋转来使晶圆W旋转。
而且，液处理单元17使喷嘴臂26进入旋转的晶圆W的上方，按预定的顺序从设置于该喷嘴臂26的顶端部的药液喷嘴26a供给药液、冲洗液，由此对晶圆W上表面进行清洗处理。
另外，在液处理单元17且晶圆保持机构25的内部也形成有药液供给通路25a。而且，利用从该药液供给通路25a供给的药液、冲洗液对晶圆W的下表面也进行清洗。
在清洗处理中，例如，首先利用作为碱性药液的SC1液(氨和过氧化水的混合液)来进行微粒、有机性污染物质的去除。接着，利用作为冲洗液的去离子水(DeIonized Water：以下记载为“DIW”)来进行冲洗清洗。
接着，利用作为酸性药液的稀释氢氟酸水溶液(Diluted HydroFluoric acid：以下记载为“DHF”)来进行自然氧化膜的去除，接着，利用DIW来进行冲洗清洗。
上述的各种药液被外腔室23、配置在外腔室23内的内杯24接住后从设置于外腔室23的底部的排液口23a、设置于内杯24的底部的排液口24a排出。并且，外腔室23内的气氛气体从设置于外腔室23的底部的排气口23b排出。
在清洗处理中的冲洗处理之后进行液膜形成处理。具体地说，液处理单元17一边使晶圆保持机构25旋转，一边向晶圆W的上表面和下表面供给液体状态的IPA(以下也称为“IPA液体”)。由此，残留于晶圆W的两个表面的DIW被置换为IPA。之后，液处理单元17使晶圆保持机构25的旋转缓慢地停止。
结束了液膜形成处理的晶圆W在其上表面形成有IPA液体的液膜的状态下，通过设置于晶圆保持机构25的未图示的交接机构被交接给搬送装置16，进而从液处理单元17搬出。
形成在晶圆W上的液膜防止在从液处理单元17向干燥单元18搬送晶圆W的期间、向干燥单元18进行搬入的搬入动作中由于晶圆W上表面的液体蒸发(汽化)而导致图案破损。
<干燥单元的概要>
接着，参照图4来说明干燥单元18的结构。图4是表示干燥单元18的结构例的示意立体图。
干燥单元18具有主体31、保持板32以及盖构件33。在箱状的主体31形成有用于搬入搬出晶圆W的开口部34。保持板32沿水平方向保持作为处理对象的晶圆W。盖构件33支承该保持板32，并且在将晶圆W搬入至主体31内时将开口部34封闭。
主体31例如是在内部形成有能够收容直径300mm的晶圆W的处理空间的容器，在其壁部设置有供给端口35、36和排出端口37。供给端口35、36以及排出端口37分别与用于使超临界流体在干燥单元18中流通的供给流路及排出流路连接。
供给端口35在箱状的主体31中与同开口部34相反一侧的侧面连接。另外，供给端口36连接于主体31的底面。并且，排出端口37连接于开口部34的下方侧。此外，图4中图示出两个供给端口35、36以及一个排出端口37，但是关于供给端口35、36、排出端口37的数量没有特别限定。
另外，在主体31的内部设置有流体供给集管38、39以及流体排出集管40。而且，在流体供给集管38、39沿该流体供给集管38、39的长度方向并排形成有多个供给口，在流体排出集管40以沿该流体排出集管40的长度方向排列的方式形成有多个排出口。
流体供给集管38与供给端口35连接，在箱状的主体31内部与同开口部34相反一侧的侧面邻接地设置。另外，并排形成于流体供给集管38的多个供给口朝向开口部34侧。
流体供给集管39与供给端口36连接，设置于箱状的主体31内部的底面的中央部。另外，并排形成于流体供给集管39的多个供给口朝向上方。
流体排出集管40与排出端口37连接，在箱状的主体31内部与靠开口部34侧的侧面邻接，并且设置于开口部34的下方。另外，并排形成于流体排出集管40的多个排出口朝向上方。
流体供给集管38、39用于向主体31内供给超临界流体。另外，流体排出集管40用于将主体31内的超临界流体导向主体31的外部后排出。此外，经由流体排出集管40排出到主体31的外部的超临界流体中含有从晶圆W的表面溶入超临界状态的超临界流体中的IPA液体。
在该干燥单元18内，形成在晶圆W上的图案之间的IPA液体通过与高压状态(例如16MPa)的超临界流体接触而逐渐溶解于超临界流体，图案之间逐渐被置换为超临界流体。而且，图案之间最终仅填满超临界流体。
而且，从图案之间去除IPA液体之后，将主体31内部的压力从高压状态减压至大气压，由此，CO2从超临界状态转变为气体状态，图案之间仅被气体占据。通过这样，图案之间的IPA液体被去除，晶圆W的干燥处理完成。
在此，超临界流体与液体(例如IPA液体)相比粘度小且使液体溶解的能力也高，除此以外，在超临界流体与处于平衡状态的液体、气体之间不存在界面。由此，在使用超临界流体进行的干燥处理中，能够不受表面张力的影响地使液体干燥。因而，根据实施方式，在干燥处理时能够抑制图案破损。
此外，在实施方式中示出将IPA液体用作防干燥用的液体且将超临界状态的CO2用作处理流体的例子，但也可以将IPA以外的液体用作防干燥用的液体，也可以将超临界状态的CO2以外的流体用作处理流体。
<基板处理流程>
接着，参照图5来说明上述的基板处理系统1中的晶圆W的处理流程。图5是表示在实施方式所涉及的基板处理系统1中执行的一系列的基板处理的过程的流程图。此外，按照控制部61的控制来执行图5所示的一系列的基板处理。
在基板处理系统1中，首先，搬送装置13将晶圆W从承载件C取出后载置于交接部14(步骤S101)。接下来，在基板处理系统1中，由搬送装置16进行将晶圆W从交接部14取出后搬送到液处理单元17的第一搬送处理(步骤S102)。此外，在以后的附图中，将该第一搬送处理也记载为“T1”。
接下来，在基板处理系统1中，在液处理单元17中进行第一处理(在实施方式中为清洗处理)(步骤S103)。液处理单元17例如通过向晶圆W的作为图案形成面的上表面供给各种处理液来从晶圆W的上表面去除微粒、自然氧化膜等。
接下来，在基板处理系统1中，在液处理单元17中进行液膜形成处理(步骤S104)。液处理单元17例如通过向清洗处理后的晶圆W的上表面供给IPA液体来在晶圆W的上表面形成IPA液体的液膜。此外，在以后的附图中，将由液处理单元17实施的第一处理和液膜形成处理也统称为“SPIN”。
接下来，在基板处理系统1中，由搬送装置16进行将形成有液膜的晶圆W从液处理单元17取出后搬送到干燥单元18的第二搬送处理(步骤S105)。此外，在以后的附图中，将该第二搬送处理也记载为“T2”。
然后，在基板处理系统1中，在干燥单元18中进行第二处理(在实施方式为超临界干燥处理)(步骤S106)。在该超临界干燥处理中，干燥单元18通过使液膜形成处理后的晶圆W与超临界流体接触来使液膜形成处理后的晶圆W干燥。此外，在以后的附图中，将该第二处理也记载为“SCC”。
接下来，在基板处理系统1中，由搬送装置16进行将被进行了超临界干燥处理的晶圆W从干燥单元18取出后搬送到交接部14的第三搬送处理(步骤S107)。此外，在以后的附图中，将该第三搬送处理也记载为“T3”。
最后，在基板处理系统1中，搬送装置13将晶圆W从交接部14取出后搬出到承载件C(步骤S108)。当结束该搬出处理时，对一张晶圆W的一系列的基板处理结束。
在此，在这一系列的基板处理中，在对被进行了液膜形成处理的晶圆W进行第二搬送处理的定时利用搬送装置16对其它晶圆W进行搬送处理时，形成有液膜的晶圆W必须保持待机直到其它晶圆W的搬送处理完成为止。
而且，在待机期间由于液膜干燥等而晶圆W表面的液膜状态发生了变化的情况下，在之后的超临界干燥处理中会发生形成在晶圆W上的图案破损等不良状况，因此存在晶圆W的成品率下降的担忧。
因此，在实施方式中，在对晶圆W进行第一搬送处理之前，进行按规定的过程来设定第一搬送处理的开始定时的开始定时设定处理。通过该处理，能够抑制在对被进行了液膜形成处理的晶圆W进行第二搬送处理的定时利用搬送装置16对其它晶圆W进行搬送处理。
<开始定时设定处理的详情>
接着，参照图6～图11来说明第一搬送处理的开始定时设定处理的详情。图6～图11是用于说明实施方式所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的时序图(1)～时序图(6)。此外，按照控制部61的控制来执行图6～图11所示的第一搬送处理的开始定时设定处理。
另外，在以下所示的实施方式中，示出三组液处理单元17和干燥单元18中的各组液处理单元17和干燥单元18成对地连续进行基板处理的情况。而且，将由第一组的液处理单元17进行的第一处理和液膜形成处理记载为“SPIN1”，将由第一组的干燥单元18进行的超临界干燥处理记载为“SCC1”。
同样地，将由第二组的液处理单元17进行的第一处理和液膜形成处理记载为“SPIN2”，将由第二组的干燥单元18进行的超临界干燥处理记载为“SCC2”。并且，将由第三组的液处理单元17进行的第一处理和液膜形成处理记载为“SPIN3”，将由第三组的干燥单元18进行的超临界干燥处理记载为“SCC3”。
如图6的(a)所示，在利用基板处理系统1开始对第一张晶圆W1进行第一搬送处理(T1)之后、开始对第二张晶圆W2进行第一搬送处理之前，针对该晶圆W2进行第一搬送处理的开始定时设定处理。
首先，控制部61将对刚刚投入的晶圆W1进行的第一搬送处理结束的定时Ta设定为晶圆W2的第一搬送处理的开始定时。接着，控制部61判定是否处于利用预定对晶圆W2进行第一处理的第二组的液处理单元17(即SPIN2)对其它晶圆W进行处理的期间。
在此，在图6的(a)所示的状态下，不处于预定对晶圆W2进行第一处理的第二组的液处理单元17对其它晶圆W进行处理的期间。因此，控制部61判定对晶圆W2进行第一搬送处理的定时是否与对其它晶圆W进行搬送处理的定时重叠。
在此，在图6的(a)所示的状态下，晶圆W2的第一搬送处理不与其它晶圆W的搬送处理重叠。因此，控制部61判定对晶圆W2进行第二搬送处理(T2)的定时是否与对其它晶圆W进行搬送处理的定时重叠。
在此，在图6的(a)所示的状态下，在晶圆W2的第二搬送处理的开始定时Tb正在对晶圆W1进行第二搬送处理。因此，如图6的(b)所示那样，控制部61将晶圆W2的第二搬送处理的开始定时切换为晶圆W1的第二搬送处理的结束定时Tc。
这是因为，晶圆W1的第二搬送处理的结束定时Tc是不与其它晶圆W的搬送处理重叠的最早的定时。通过像这样切换为不与其它晶圆W的搬送处理重叠的最早的定时，多余的待机时间减少，因此能够提高基板处理系统1中的晶圆W的生产率。
然后，随着该第二搬送处理的切换，控制部61将晶圆W2的第一搬送处理的开始定时从Ta切换为Td。
接着，控制部61判定对晶圆W2进行第一搬送处理的新的定时是否与对其它晶圆W进行搬送处理的定时重叠。在此，在图6的(b)所示的状态下，在晶圆W2的第一搬送处理的定时未对其它晶圆W进行搬送处理。
即，在图6的(b)所示的状态下，晶圆W2的第一搬送处理和第二搬送处理均不与其它晶圆W的搬送处理重叠。因而，控制部61将新设定的开始定时Td设定为晶圆W2的第一搬送处理的开始定时。然后，控制部61在所设定的开始定时Td开始晶圆W2的第一搬送处理。
接下来，如图7的(a)所示那样，在开始对第三张晶圆W3进行第一搬送处理之前，针对该晶圆W3进行第一搬送处理的开始定时设定处理。
首先，控制部61将对刚刚投入的晶圆W2进行的第一搬送处理结束的定时Te设定为晶圆W3的第一搬送处理的开始定时。接着，控制部61判定是否处于利用预定对晶圆W3进行第一处理的第三组的液处理单元17(即SPIN3)对其它晶圆W进行处理的期间。
在此，在图7的(a)所示的状态下，不处于预定对晶圆W3进行第一处理的第三组的液处理单元17对其它晶圆W进行处理的期间。因此，控制部61判定对晶圆W3进行第一搬送处理的定时是否与对其它晶圆W进行搬送处理的定时重叠。
在此，在图7的(a)所示的状态下，晶圆W3的第一搬送处理不与其它晶圆W的搬送处理重叠。因此，控制部61判定对晶圆W3进行第二搬送处理的定时是否与对其它晶圆W进行搬送处理的定时重叠。
在此，在图7的(a)所示的状态下，在晶圆W3的第二搬送处理的开始定时Tf正在对晶圆W2进行第二搬送处理。因此，如图7的(b)所示那样，控制部61将晶圆W3的第二搬送处理的开始定时切换为晶圆W2的第二搬送处理的结束定时Tg。
然后，随着该第二搬送处理的切换，控制部61将晶圆W3的第一搬送处理的开始定时从Te切换为Th。
接着，控制部61判定对晶圆W3进行第一搬送处理的新的定时是否与对其它晶圆W进行搬送处理的定时重叠。在此，在图7的(b)所示的状态下，在晶圆W3的第一搬送处理的定时未对其它晶圆W进行搬送处理。
即，在图7(b)所示的状态下，晶圆W3的第一搬送处理和第二搬送处理均不与其它晶圆W的搬送处理重叠。因而，控制部61将新设定的开始定时Th设定为晶圆W3的第一搬送处理的开始定时。然后，控制部61在所设定的开始定时Th开始晶圆W3的第一搬送处理。
接下来，如图8的(a)所示那样，在开始对第四张晶圆W4进行第一搬送处理之前，针对该晶圆W4进行第一搬送处理的开始定时设定处理。
首先，控制部61将对刚刚投入的晶圆W3进行的第一搬送处理结束的定时Ti设定为晶圆W4的第一搬送处理的开始定时。接着，控制部61判定是否处于利用预定对晶圆W4进行第一处理的第一组的液处理单元17(即SPIN1)对其它晶圆W进行处理的期间。
在此，在图8的(a)所示的状态下，处于预定对晶圆W4进行第一处理的第一组的液处理单元17正在对其它晶圆W1进行处理的期间。因此，如图8的(b)所示那样，控制部61将晶圆W4的第一搬送处理的开始定时切换为晶圆W3的第二搬送处理的结束定时Tj。
这是因为，晶圆W3的第二搬送处理的结束定时Tj是不与利用第一组的液处理单元17进行的处理以及其它晶圆W的搬送处理重叠的最早的定时。
通过像这样切换为不与利用要使用的液处理单元17进行的处理以及其它晶圆W的搬送处理重叠的最早的定时，多余的待机时间减少，因此能够提高基板处理系统1中的晶圆W的生产率。
接着，控制部61判定对晶圆W4进行第二搬送处理的定时是否与对其它晶圆W进行搬送处理的定时重叠。
在此，在图8的(b)所示的状态下，在晶圆W4的第二搬送处理的定时中的定时Tk对晶圆W3进行第三搬送处理。因此，如图8的(c)所示那样，控制部61将晶圆W4的第二搬送处理的开始定时切换为晶圆W3的第三搬送处理的结束定时Tl。
然后，随着该第二搬送处理的切换，控制部61将晶圆W4的第一搬送处理的开始定时从Tj切换为Tm。
接着，控制部61判定对晶圆W4进行第一搬送处理的新的定时是否与对其它晶圆W进行搬送处理的定时重叠。在此，在图8的(c)所示的状态下，在晶圆W4的第一搬送处理的定时未对其它晶圆W进行搬送处理。
即，在图8的(c)所示的状态下，晶圆W4的第一搬送处理和第二搬送处理均不与其它晶圆W的搬送处理重叠。因而，控制部61将新设定的开始定时Tm设定为晶圆W4的第一搬送处理的开始定时。然后，控制部61在所设定的开始定时Tm开始晶圆W4的第一搬送处理。
接下来，如图9的(a)所示那样，在开始对第五张晶圆W5进行第一搬送处理之前，针对该晶圆W5进行第一搬送处理的开始定时设定处理。
首先，控制部61将对刚刚投入的晶圆W4进行的第一搬送处理结束的定时Tn设定为晶圆W5的第一搬送处理的开始定时。接着，控制部61判定是否处于利用预定对晶圆W5进行第一处理的第二组的液处理单元17对其它晶圆W进行处理的期间。
在此，在图9的(a)所示的状态下，不处于预定对晶圆W5进行第一处理的第二组的液处理单元17对其它晶圆W进行处理的期间。因此，控制部61判定对晶圆W5进行第一搬送处理的定时是否与对其它晶圆W进行搬送处理的定时重叠。
在此，在图9的(a)所示的状态下，晶圆W5的第一搬送处理不与其它晶圆W的搬送处理重叠。因此，控制部61判定对晶圆W5进行第二搬送处理的定时是否与对其它晶圆W进行搬送处理的定时重叠。
在此，在图9的(a)所示的状态下，在晶圆W5的第二搬送处理的开始定时To正在对晶圆W4进行第二搬送处理。因此，如图9的(b)所示那样，控制部61将晶圆W5的第二搬送处理的开始定时切换为晶圆W4的第二搬送处理的结束定时Tp。
然后，随着该第二搬送处理的切换，控制部61将晶圆W5的第一搬送处理的开始定时从Tn切换为Tq。
接着，控制部61判定对晶圆W5进行第一搬送处理的新的定时是否与对其它晶圆W进行搬送处理的定时重叠。在此，在图9的(b)所示的状态下，在晶圆W5的第一搬送处理的定时未对其它晶圆W进行搬送处理。
即，在图9的(b)所示的状态下，晶圆W5的第一搬送处理和第二搬送处理均不与其它晶圆W的搬送处理重叠。因而，控制部61将新设定的开始定时Tq设定为晶圆W5的第一搬送处理的开始定时。然后，控制部61在所设定的开始定时Tq开始晶圆W5的第一搬送处理。
接着，如图10的(a)所示，在开始对第六张晶圆W6进行第一搬送处理之前，针对该晶圆W6进行第一搬送处理的开始定时设定处理。
首先，控制部61将对刚刚投入的晶圆W5进行的第一搬送处理结束的定时Tr设定为晶圆W6的第一搬送处理的开始定时。接着，控制部61判定是否处于利用预定对晶圆W6进行第一处理的第三组的液处理单元17对其它晶圆W进行处理的期间。
在此，在图10的(a)所示的状态下，不处于预定对晶圆W6进行第一处理的第三组的液处理单元17对其它晶圆W进行处理的期间。因此，控制部61判定对晶圆W6进行第一搬送处理的定时是否与对其它晶圆W进行搬送处理的定时重叠。
在此，在图10的(a)所示的状态下，在晶圆W6的第一搬送处理的定时中的定时Ts对晶圆W1进行第三搬送处理。因此，如图10的(b)所示那样，控制部61将晶圆W6的第一搬送处理的开始定时切换为晶圆W5的第二搬送处理的结束定时Tt。
这是因为，晶圆W5的第二搬送处理的结束定时Tt是不与其它晶圆W的搬送处理重叠的最早的定时。
接着，控制部61判定对晶圆W6进行第二搬送处理的定时是否与对其它晶圆W进行搬送处理的定时重叠。
在此，在图10的(b)所示的状态下，在晶圆W6的第二搬送处理的定时中的定时Tu对晶圆W5进行第三搬送处理。因此，如图11所示，控制部61将晶圆W6的第二搬送处理的开始定时切换为晶圆W5的第三搬送处理的结束定时Tv。
然后，随着该第二搬送处理的切换，控制部61将晶圆W6的第一搬送处理的开始定时从Tt切换为Tw。
接着，控制部61判定对晶圆W6进行第一搬送处理的新的定时是否与对其它晶圆W进行搬送处理的定时重叠。在此，在图11所示的状态下，在晶圆W6的第一搬送处理的定时未对其它晶圆W进行搬送处理。
即，在图11所示的状态下，晶圆W6的第一搬送处理和第二搬送处理均不与其它晶圆W的搬送处理重叠。因而，控制部61将新设定的开始定时Tw设定为晶圆W6的第一搬送处理的开始定时。然后，控制部61在所设定的开始定时Tw开始晶圆W6的第一搬送处理。
通过进行目前为止所说明的处理，在多对的液处理单元17和干燥单元18与交接部14之间通过供液处理单元17和干燥单元18共同使用的搬送装置16进行多个晶圆W的搬送的情况下，能够抑制各晶圆W的搬送处理重叠。
即，能够抑制在对被进行了液膜形成处理的晶圆W进行第二搬送处理的定时利用搬送装置16对其它晶圆W进行搬送处理。因而，根据实施方式，在对表面形成有液膜的晶圆W进行搬送时能够抑制搬送时间混乱。
<开始定时设定处理的过程>
接下来，参照图12来说明实施方式所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的过程。图12是表示实施方式所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的过程的流程图。
首先，控制部61将作为对象的晶圆W的第一搬送处理的开始定时设定为前一个晶圆W的第一搬送处理结束的定时(步骤S201)。接着，判定在作为对象的晶圆W预定使用的液处理单元17是否正在被其它晶圆W使用(步骤S202)。
然后，在预定使用的液处理单元17未被其它晶圆W使用的情况下(步骤S202：“是”)，控制部61判定作为对象的晶圆W的第一搬送处理是否与其它晶圆W的搬送处理重叠(步骤S203)。
然后，在作为对象的晶圆W的第一搬送处理不与其它晶圆W的搬送处理重叠的情况下(步骤S203：“是”)，控制部61判定作为对象的晶圆W的第二搬送处理是否与其它晶圆W的搬送处理重叠(步骤S204)。
然后，在作为对象的晶圆W的第二搬送处理不与其它晶圆W的搬送处理重叠的情况下(步骤S204：“是”)，控制部61在所设定的第一搬送处理的开始定时开始对作为对象的晶圆W进行第一搬送处理(步骤S205)。然后，完成作为对象的晶圆W的开始定时设定处理。
另一方面，在步骤S202中判定为正在被其它晶圆W使用的情况下(步骤S202：“否”)，控制部61将作为对象的晶圆W的第一搬送处理的开始定时设定为预定使用的液处理单元17空闲的最早的定时(步骤S206)。然后，转到步骤S203的处理。
另外，在步骤S203中判定为第一搬送处理与其它晶圆W的搬送处理重叠的情况下(步骤S203：“否”)，控制部61将第一搬送处理的开始定时设定为第一搬送处理不与其它晶圆W的搬送处理重叠的最早的定时(步骤S207)。然后，转到步骤S204的处理。
另外，在步骤S204中判定为第二搬送处理与其它晶圆W的搬送处理重叠的情况下(步骤S204：“否”)，控制部61将第一搬送处理的开始定时设定为第二搬送处理不与其它晶圆W的搬送处理重叠的最早的定时(步骤S208)。然后，返回到步骤S202的处理。
实施方式所涉及的基板处理装置(基板处理系统1)具备多个第一处理部(液处理单元17)、多个第二处理部(干燥单元18)、搬送部(搬送装置16)以及控制部61。多个第一处理部用于对基板(晶圆W)实施第一处理(清洗处理)。多个第二处理部用于对被实施了第一处理的基板实施第二处理(超临界干燥处理)。搬送部供多个第一处理部和多个第二处理部共同使用，用于向多个第一处理部和多个第二处理部搬送基板。控制部61控制多个第一处理部、多个第二处理部以及搬送部。控制部61控制第一搬送处理的开始定时，以使第二搬送处理的定时不与其它基板被搬送部搬送的定时重叠。此外，第一搬送处理是向第一处理部搬送基板的处理，第二搬送处理是在进行第一处理之后从第一处理部向第二处理部搬送形成有液膜的基板的处理。由此，在对表面形成有液膜的晶圆W进行搬送时能够抑制搬送时间混乱。
另外，在实施方式所涉及的基板处理装置中，控制部61将基板的第一搬送处理的开始定时设定为基板(晶圆W)的第一搬送处理和第二搬送处理均不与利用搬送部搬送其它基板的定时重叠的最早的定时。由此，能够提高基板处理系统1中的晶圆W的生产率。
另外，在实施方式所涉及的基板处理装置中，第一处理是清洗处理，第二处理是使形成有液膜的基板(晶圆W)与超临界流体接触来使基板干燥的处理(超临界干燥处理)。由此，在干燥处理时能够抑制晶圆W的图案破损。
实施方式所涉及的基板处理方法包括第一搬送处理、第二搬送处理以及第三搬送处理。在第一搬送处理中，将基板(晶圆W)搬入用于实施第一处理(清洗处理)的多个第一处理部(液处理单元17)中的任一个第一处理部。在第二搬送处理中，将基板从第一处理部搬送至用于实施第二处理(超临界干燥处理)的多个第二处理部(干燥单元18)中的任一个第二处理部。在第三搬送处理中，将基板从第二处理部搬出。然后，控制基板的第一搬送处理的开始定时，以使在进行了第一处理之后对形成有液膜的基板进行第二搬送处理的定时不与搬送其它基板的定时重叠。由此，在对表面形成有液膜的晶圆W进行搬送时能够抑制搬送时间混乱。
<变形例>
接着，参照图13～图16来说明实施方式的各种变形例。图13是用于说明实施方式的变形例1所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的过程的时序图。此外，在以下所示的各种变形例中，示出两组液处理单元17和干燥单元18中的各组处理单元17和干燥单元18成对地连续进行基板处理的情况。
如图13所示，在基于相同的处理制程对多个晶圆W的全部晶圆W进行处理的情况下，控制部61只要计算使处理中的晶圆W的搬送处理均不重叠的固定的间隔I1并使晶圆W的第一搬送处理每隔该固定的间隔I1开始即可。
例如，控制部61能够根据晶圆W的处理制程中的第一搬送处理、第二搬送处理及第三搬送处理的处理时间、以及清洗处理、液膜形成处理及超临界干燥处理的处理时间来计算上述的固定的间隔I1。
由此，不管对晶圆W的处理连续进行多久，在多对的液处理单元17和干燥单元18与交接部14之间通过供液处理单元17和干燥单元18共同使用的搬送装置16进行多个晶圆W的搬送的情况下，都能够抑制各晶圆W的搬送处理重叠。
即，能够抑制在对被进行了液膜形成处理的晶圆W进行第二搬送处理的定时利用搬送装置16对其它晶圆W进行搬送处理。因而，根据变形例1，在对表面形成有液膜的晶圆W进行搬送时能够抑制搬送时间混乱。
图14是用于说明实施方式的变形例2所涉及的前待机处理和后待机处理的追加处理的图。如图14的(a)所示，在以将处理时间各不相同的处理制程A和处理制程B混合的方式对多个晶圆W连续进行处理的情况下，无法如变形例1那样直接计算固定的间隔I1。
因此，在变形例2中，如图14的(b)所示那样进行对处理制程A和处理制程B分别追加前待机处理和后待机处理的追加处理。首先，求出预定使用的全部的处理制程(在此为处理制程A和处理制程B)中的处理时间最长的基板处理(在此为处理制程A的超临界干燥处理)。
接着，在全部的处理制程的清洗处理和液膜形成处理(SPIN)之前追加前待机处理，在全部的处理制程的超临界干燥处理(SCC)之后追加后待机处理，以与求出的最长的基板处理的处理时间一致。由此，如图14的(b)所示，能够将处理时间不同的处理制程A和处理制程B变更为处理时间实际上相同的处理制程A2和处理制程B2。
因而，如图15所示，在变形例2中能够与变形例1同样地计算使处理中的晶圆W的搬送处理均不重叠的固定的间隔I2，并使晶圆W的第一搬送处理每隔该固定的间隔I2开始。
由此，能够抑制在对被进行了液膜形成处理的晶圆W进行第二搬送处理的定时利用搬送装置16对其它晶圆W进行搬送处理。因而，根据变形例2，在对表面形成有液膜的晶圆W进行搬送时能够抑制搬送时间混乱。
此外，即使在清洗处理和液膜形成处理之前追加前待机处理，进行清洗处理之前的晶圆W也只是在液处理单元17内待机，因此该前待机处理对晶圆W造成的影响小。
另外，即使在超临界干燥处理之后追加后待机处理，完成了超临界干燥处理的晶圆W也只是在干燥单元18内待机，因此该后待机处理对晶圆W造成的影响小。
另外，在变形例2中，也可以如图15所示那样在作为对象的晶圆W(例如晶圆W1)的第三搬送处理之后立即进行两张之后的晶圆W(在此为晶圆W3)的第二搬送处理。并且，在变形例2中，也可以在该两张之后的晶圆W(在此晶圆W3)的第二搬送处理之后立即进行再两张之后的晶圆W(在此晶圆W5)的第一搬送处理。
通过像这样连续进行不同的晶圆W的搬送处理，搬送装置16的多余的待机时间减少，因此能够提高基板处理系统1中的晶圆W的生产率。
图16是表示实施方式的变形例1和变形例2所涉及的第一搬送处理的开始定时设定处理的过程的流程图。首先，控制部61判定预定实施的处理制程中是否混合存在不同的处理制程(步骤S301)。
然后，在并非混合存在不同的处理制程的情况下(步骤S301：“是”)，控制部61计算使作为对象的晶圆W的全部的搬送处理不与其它晶圆W的搬送处理重叠的固定的间隔(步骤S302)。
接着，控制部61以使第一搬送处理每隔计算出的固定间隔开始的方式设定晶圆W的第一搬送处理的开始定时(步骤S303)。最后，控制部61在所设定的开始定时开始晶圆W的搬送(步骤S304)，结束处理。
另一方面，在步骤S301中，在混合存在不同的处理制程的情况下(步骤S301：“否”)，控制部61对全部的处理制程追加前待机处理和后待机处理，以与不同的处理制程中最长的基板处理的处理时间一致(步骤S305)。然后，移至步骤S302的处理。
在变形例所涉及的基板处理装置中，控制部61基于全部的搬送处理的处理时间和全部的基板处理的处理时间来计算使基板(晶圆W)的全部的搬送处理的定时不与利用搬送部对其它基板进行搬送的定时重叠的固定的间隔。此外，上述的全部的搬送处理是第一搬送处理、第二搬送处理以及第三搬送处理，上述的全部的基板处理是第一处理(清洗处理)和第二处理(干燥处理)。然后，控制部61以使第一搬送处理每隔计算出的固定间隔开始的方式设定基板的上述第一搬送处理的开始定时。由此，不管对晶圆W的处理连续进行多久，在多对的液处理单元17和干燥单元18与交接部14之间通过供液处理单元17和干燥单元18共同使用的搬送装置16进行多个晶圆W的搬送的情况下，都能够抑制各晶圆W的搬送处理重叠。
另外，在变形例所涉及的基板处理装置中，控制部61在根据基板(晶圆W)预先设定有不同的处理制程的情况下，在第一处理之前追加前待机处理以与多个第一处理和第二处理中的最长的处理时间一致。并且，控制部61在第二处理之后追加后待机处理。由此，即使在混合存在不同的处理制程的情况下，也能够计算使处理中的晶圆W的搬送处理均不重叠的固定的间隔I2，并使晶圆W的第一搬送处理每隔该固定的间隔I2开始。
以上说明了本公开的实施方式，但是本公开不限定于上述实施方式，能够在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。例如，在上述的实施方式中，示出设置有一个搬送装置16的基板处理系统1，但是搬送装置16的数量不限于一个，只要设置为供多对的液处理单元17和干燥单元18共同使用即可，搬送装置16也可以是多个。
应该理解的是，本次公开的实施方式在所有方面均为例示，并非限定性的。实际上，上述的实施方式能够通过多种方式来具体实现。另外，上述的实施方式可以在不脱离权利要求书及其主旨的范围内以各种方式进行省略、置换、变更。

Claims (7)

1.一种基板处理装置，具备：
多个第一处理部，所述多个第一处理部用于对基板实施第一处理；
多个第二处理部，所述多个第二处理部用于对被实施了所述第一处理的所述基板实施第二处理；
搬送部，其供所述多个第一处理部和所述多个第二处理部共同使用，用于向所述多个第一处理部和所述多个第二处理部搬送所述基板；以及
控制部，其控制所述多个第一处理部、所述多个第二处理部以及所述搬送部，
其中，所述控制部控制向所述第一处理部搬送所述基板的第一搬送处理的开始定时，以使在进行所述第一处理之后从所述第一处理部向所述第二处理部搬送形成有液膜的所述基板的第二搬送处理的定时不与利用所述搬送部搬送其它的所述基板的定时重叠。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部将所述基板的所述第一搬送处理的开始定时设定为所述基板的所述第一搬送处理和所述第二搬送处理的定时均不与利用所述搬送部搬送其它的所述基板的定时重叠的最早的定时。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部基于所述第一搬送处理的处理时间、所述第一处理的处理时间、所述第二搬送处理的处理时间、所述第二处理的处理时间以及从所述第二处理部搬出所述基板的第三搬送处理的处理时间，来计算使所述基板的所述第一搬送处理、所述第二搬送处理以及所述第三搬送处理的定时不与利用所述搬送部搬送其它的所述基板的定时重叠的固定间隔，
以使所述第一搬送处理每隔计算出的固定间隔开始的方式设定所述基板的所述第一搬送处理的开始定时。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
在预先设定有根据所述基板而不同的处理制程的情况下，所述控制部在全部的所述处理制程的所述第一处理之前追加前待机处理，在全部的所述处理制程的所述第二处理之后追加后待机处理，以使全部的所述处理制程的所述第一处理和所述第二处理的处理时间与多个所述第一处理和所述第二处理的处理时间中的最长的处理时间一致。
5.根据权利要求1～4中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一处理是清洗处理，所述第二处理是使形成有所述液膜的所述基板与超临界流体接触来使所述基板干燥的处理。
6.一种基板处理方法，包括以下处理：
第一搬送处理，将基板搬入用于实施第一处理的多个第一处理部中的任一个第一处理部；
第二搬送处理，将所述基板从所述第一处理部搬送至用于实施第二处理的多个第二处理部中的任一个第二处理部；以及
第三搬送处理，将所述基板从所述第二处理部搬出，
其中，控制所述基板的所述第一搬送处理的开始定时，以使在进行所述第一处理之后对形成有液膜的所述基板进行所述第二搬送处理的定时不与搬送其它的所述基板的定时重叠。
7.一种存储介质，存储有使计算机执行根据权利要求6所述的基板处理方法的程序。
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