JP2002299310A

JP2002299310A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2002299310A
Application number: JP2001095537A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Motomura; 雅洋基村
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-03-29
Filing date: 2001-03-29
Publication date: 2002-10-11

Abstract

(57)【要約】【課題】ＩＰＡ等の有機溶剤の供給用配管における結露
を防止し、有機溶剤の蒸気の純水への溶解を防止してパ
ーティクルの転写を抑制する。【解決手段】純水による洗浄処理が終了した基板の乾燥
処理を行う基板処理装置であって、純水を貯留し、純水
中に基板Ｗを浸漬して洗浄処理を行う処理槽２０と、処
理槽を収容する収容器１０と、収容器１０内に設けら
れ、収容器１０内に高温の窒素ガスを供給するととも
に、高温の窒素ガスの供給後にＩＰＡの蒸気を供給して
処理槽２０の上方にＩＰＡの蒸気を含む雰囲気を形成す
る第１供給ノズル４０と、収容器１０内の第１供給ノズ
ル４０よりも下方に設けられ、略水平方向にガスを吐出
して前記処理槽の純水の表面を覆う気流を形成する第２
供給ノズル５０と、洗浄処理が終了した基板Ｗを処理槽
２０から気流を通過させてＩＰＡの蒸気を含む雰囲気中
に引き上げる昇降機構３０と、を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、純水による洗浄処
理が終了した半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、
フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以
下、単に「基板」と称する）の乾燥処理を行う基板処理
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、基板の製造工程においては、
フッ酸等の薬液による処理および純水による洗浄処理を
順次行った後、純水から基板を引き出しつつイソプロピ
ルアルコール（以下、「ＩＰＡ」と称する）等の有機溶
剤の蒸気を基板の周辺に供給して乾燥処理を行う基板処
理装置が用いられている。特に、基板上に形成されるパ
ターンの構造の複雑化、微細化が進展している近年にお
いては、ＩＰＡの蒸気を供給しつつ純水から基板を引き
揚げる引き上げる乾燥方式が主流になりつつある。

【０００３】従来の引き揚げ乾燥方式の基板処理装置
は、純水による洗浄処理を行う処理槽を収容器の内部に
収容している。処理槽における洗浄処理終了後に、ＩＰ
Ａ供給用配管を介して収容器の内部にＩＰＡ蒸気を供給
し、処理槽の上方にＩＰＡの雰囲気を形成する。その
後、処理槽に貯留されている純水からＩＰＡ雰囲気中に
基板を引き上げる。この過程において基板に付着した純
水がＩＰＡに置換され、ＩＰＡが蒸発することによって
基板の乾燥処理が行われることとなる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
引き上げ乾燥方式の基板処理装置においては、処理槽の
上方に供給されたＩＰＡ蒸気が処理槽内部の純水に溶解
することによって基板間にてパーティクルの転写が生じ
るという問題がある。

【０００５】また、ＩＰＡが収容器の内部へ供給される
際に、ＩＰＡ供給用配管にＩＰＡが結露してしまうとい
う問題もある。

【０００６】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、ＩＰＡ等の有機溶剤の供給用配管における結露
を防止し、有機溶剤の蒸気の純水への溶解を防止してパ
ーティクルの転写を抑制することができる基板処理装置
を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の基板処理装置は、純水による洗浄
処理が終了した基板の乾燥処理を行う基板処理装置であ
って、純水を貯留し、純水中に基板を浸漬して洗浄処理
を行う処理槽と、前記処理槽を収容する収容器と、前記
収容器内に設けられ、前記収容器内に高温の不活性ガス
を供給するとともに、高温の不活性ガスの供給後に有機
溶剤の蒸気を供給して前記処理槽の上方に有機溶剤の蒸
気を含む雰囲気を形成する第１供給手段と、前記収容器
内の前記第１供給手段よりも下方に設けられ、略水平方
向にガスを吐出して前記処理槽の純水の表面を覆う気流
を形成する第２供給手段と、前記洗浄処理が終了した基
板を前記処理槽から前記気流を通過させて前記有機溶剤
の蒸気を含む雰囲気中に引き上げる引き上げ手段と、を
備えることを特徴とするものである。なお、ここでいう
「高温」とは、結露防止のため５０℃以上、有機溶剤の
性質により２００℃以下に、さらに望ましくは９０℃〜
１５０℃の温度をいう。

【０００８】また、請求項２に記載の基板処理装置は、
請求項１記載の基板処理装置において、前記第１供給手
段が、イソプロピルアルコールの蒸気を吐出して前記処
理槽の上方にイソプロピルアルコールの蒸気を含む雰囲
気を形成することを特徴とするものである。

【０００９】また、請求項３に記載の基板処理装置は、
請求項２に記載の基板処理装置において、前記第１供給
手段によりイソプロピルアルコールの蒸気を吐出してい
る際に、前記第２供給手段が、不活性ガスを供給するこ
とを特徴とするものである。

【００１０】また、請求項４に記載の基板処理装置は、
請求項２に記載の基板処理装置において、前記第１供給
手段により高温の不活性ガスを供給している際に、前記
第２供給手段が、不活性ガスを供給するとともに、前記
第１供給手段によりイソプロピルアルコールの蒸気を吐
出している際に、前記第２供給手段が、イソプロピルア
ルコールの蒸気を吐出していることを特徴とするもので
ある。

【００１１】また、請求項５に記載の基板処理装置は、
請求項２に記載の基板処理装置において、前記第１供給
手段によりイソプロピルアルコールの蒸気を吐出してい
る際に、前記第２供給手段が、二酸化炭素を供給するこ
とを特徴とするものである。

【００１２】また、請求項６に記載の基板処理装置は、
請求項２に記載の基板処理装置において、前記第１供給
手段により高温の不活性ガスを供給している際に、前記
第２供給手段が、不活性ガスを供給するとともに、前記
第１供給手段によりイソプロピルアルコールの蒸気を吐
出している際に、前記第２供給手段が、高温の不活性ガ
スを供給していることを特徴とするものである。

【００１３】さらに、請求項７に記載の基板処理装置
は、請求項２に記載の基板処理装置において、前記第１
供給手段によりイソプロピルアルコールの蒸気を吐出し
ている際に、前記第２供給手段が、液体窒素を供給する
ことを特徴とする。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１５】＜１．第１実施形態＞図１は本発明にかか
る基板処理装置の正面図である。また、図２は図１の基
板処理装置の平面図である。なお、図１および以下の各
図にはそれらの方向関係を明確にするため、ＸＹ平面を
水平面としＺ軸方向を鉛直方向とするＸＹＺ直交座標系
を適宜付している。

【００１６】この基板処理装置は、純水による洗浄処理
が終了した基板をＩＰＡにより乾燥させる装置であっ
て、主として収容器１０と、処理槽２０と、昇降機構３
０と、第１供給ノズル４０と、第２供給ノズル５０とを
備えている。

【００１７】処理槽２０は、フッ酸等の薬液または純水
（以下、これらを総称して「処理液」とする）を貯留し
て基板に順次表面処理を行う槽であり、収容器１０の内
部に収容されている。処理槽２０の底部近傍には処理液
吐出ノズル（図示省略）が配置されており、図外の処理
液供給源からその処理液吐出ノズルを介して処理槽２０
内に処理液を供給することができる。処理液は処理槽２
０の底部から供給されて処理槽２０の上端部から溢れ出
る。また、処理槽２０には図示を省略する急速排液機構
も設けられており、処理槽２０内に貯留されている処理
液を強制的に急速に排出することもできる。

【００１８】収容器１０は、その内部に処理槽２０、昇
降機構３０、第１供給ノズル４０、第２供給ノズル５０
等を収容する筐体である。収容器１０の上部は図示を省
略するスライド式開閉機構によって開閉可能とされてい
る。収容器１０の上部を開放した状態では、その開放部
分から基板の搬出入を行うことができる。一方、収容器
１０の上部を閉鎖した状態では、その内部を密閉空間と
することができる。

【００１９】昇降機構３０は、処理槽２０に貯留されて
いる処理液に一組の複数の基板Ｗ（ロット）を浸漬させ
る機構である。昇降機構３０は、リフター３１と、リフ
ターアーム３２と、基板Ｗを保持する３本の保持棒３
３、３４、３５とを備えている。３本の保持棒３３、３
４、３５のそれぞれには基板Ｗの外縁部がはまり込んで
基板Ｗを起立姿勢にて保持する複数の保持溝が所定間隔
にてＸ方向に配列して設けられている。それぞれの保持
溝は、切欠状の溝である。３本の保持棒３３、３４、３
５はリフターアーム３２に固設され、リフターアーム３
２はリフター３１によって鉛直方向（Ｚ方向）に昇降可
能に設けられている。

【００２０】このような構成により、昇降機構３０は３
本の保持棒３３、３４、３５によってＸ方向に相互に平
行に配列されて保持された複数の基板Ｗを処理槽２０に
貯留されている処理液に浸漬する位置（図１の実線位
置）とその処理液から引き揚げた位置（図１の２点鎖線
位置）との間で昇降させることができる。なお、リフタ
ー３１には、リフターアーム３２を昇降させる機構とし
て、ボールネジを用いた送りネジ機構やプーリやベルト
を用いたベルト機構など種々の公知の機構を採用するこ
とが可能である。また、昇降機構３０を図１の２点鎖線
位置に位置させるとともに、収容器１０の上部を開放す
ることにより、装置外部の基板搬送ロボットと昇降機構
３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

【００２１】また、収容器１０の内部には２本の第１供
給ノズル４０が設けられている。２本の第１供給ノズル
４０は、それぞれ第２供給ノズル５０の上方に設けられ
ている。第１供給ノズル４０のそれぞれは、Ｘ方向に沿
って伸びる中空の管状部材であり、Ｘ方向に等間隔にて
配列された複数の吐出孔４１を備えている。複数の吐出
孔４１のそれぞれは、吐出方向を鉛直方向上側に向けて
形成されている。そして、第１供給ノズル４０のそれぞ
れは、複数の吐出孔４１から上方に向けて有機溶剤の蒸
気を吐出し、処理槽２０の上方に当該有機溶剤の蒸気を
含む雰囲気を形成することができる。第１実施形態で
は、第１供給ノズル４０からＩＰＡの蒸気を吐出して、
処理槽２０の上方にＩＰＡの蒸気を含む雰囲気を形成す
る。

【００２２】さらに、収容器１０の内部であって処理槽
２０の上端よりも外側上方には２本の第２供給ノズル５
０が設けられている。第２供給ノズル５０は、昇降機構
３０によって引き揚げられつつある複数の基板Ｗの両側
の側方のそれぞれに設けられている。第２供給ノズル５
０のそれぞれは、Ｘ方向に沿って伸びる中空の管状部材
であり、Ｘ方向に等間隔にて配列された複数の吐出孔５
１を備えている。複数の吐出孔５１のそれぞれは、吐出
方向をＹ方向（水平方向）に沿った処理槽２０側に向け
て形成されている。そして、第２供給ノズル５０のそれ
ぞれは、複数の吐出孔５１から略水平方向にガスを吐出
して処理槽２０に貯留された純水の表面を覆う気流を形
成することができる。第１実施形態では、第２供給ノズ
ル５０から窒素ガス（Ｎ２）を吐出して処理槽２０に貯
留された純水の表面を覆う不活性ガスである窒素ガス流
を形成する。

【００２３】第１供給ノズル４０および第２供給ノズル
５０には、収容器１０外部の供給機構からＩＰＡ蒸気や
窒素ガス等を供給することができる。図３は、第１供給
ノズル４０および第２供給ノズル５０へのガス等の供給
機構を示す図である。第１供給ノズル４０は、ＩＰＡ供
給源４２および窒素ガス供給源４４と配管を介して接続
されている。ＩＰＡバルブ４３を開放することによっ
て、ＩＰＡ供給源４２から第１供給ノズル４０にＩＰＡ
蒸気を供給することができる。第１供給ノズル４０に供
給されたＩＰＡ蒸気は、複数の吐出孔４１のそれぞれか
ら上方に向けて吐出される。

【００２４】また、窒素ガスバルブ４６を開放すること
によって、窒素ガス供給源４４から第１供給ノズル４０
に窒素ガスを供給することができる。第１供給ノズル４
０に供給された窒素ガスは、複数の吐出孔４１のそれぞ
れから上方に向けて吐出される。なお、本明細書におい
て単に「窒素ガス」というときには室温の窒素ガスを示
すものとする。

【００２５】窒素ガス供給源４４から導かれる配管の経
路途中にはヒータ４５が設けられている。ヒータ４５を
作動させることによって、窒素ガス供給源４４から第１
供給ノズル４０に供給する窒素ガスを加熱することがで
きる。なお、窒素ガス結露防止のため５０℃以上、有機
溶剤の性質により２００℃以下に、さらに望ましくは９
０℃〜１５０℃の温度に加熱される。これにより、第１
供給ノズル４０の複数の吐出孔４１のそれぞれから上方
に向けて高温窒素ガスを吐出することができ、ＩＰＡ蒸
気の配管の経路での結露を防止できる。

【００２６】すなわち、窒素ガスバルブ４６を閉鎖して
ＩＰＡバルブ４３を開放すれば第１供給ノズル４０から
上方に向けてＩＰＡ蒸気を供給することができ、逆にＩ
ＰＡバルブ４３を閉鎖して窒素ガスバルブ４６を開放す
れば上方に向けて窒素ガスを供給することができる。そ
して、さらにヒータ４５を作動させれば、第１供給ノズ
ル４０から高温窒素ガスを吐出することができ、ＩＰＡ
蒸気の配管の経路での結露を防止できるのである。

【００２７】第２供給ノズル５０は、ＩＰＡ供給源５
２、窒素ガス供給源５４、炭酸ガス供給源５７および液
体窒素供給源５９と配管を介して接続されている。ＩＰ
Ａバルブ５３を開放することによって、ＩＰＡ供給源５
２から第２供給ノズル５０にＩＰＡ蒸気を供給すること
ができる。第２供給ノズル５０に供給されたＩＰＡ蒸気
は、複数の吐出孔５１のそれぞれから水平方向かつ処理
槽２０側に向けて吐出される。

【００２８】また、窒素ガスバルブ５６を開放すること
によって、窒素ガス供給源５４から第２供給ノズル５０
に窒素ガスを供給することができる。第２供給ノズル５
０に供給された窒素ガスは、複数の吐出孔５１のそれぞ
れから水平方向かつ処理槽２０側に向けて吐出される。

【００２９】窒素ガス供給源５４から導かれる配管の経
路途中にはヒータ５５が設けられている。ヒータ５５を
作動させることによって、窒素ガス供給源５４から第２
供給ノズル５０に供給する窒素ガスを加熱することがで
きる。なお、窒素ガス結露防止のため５０℃以上、有機
溶剤の性質により２００℃以下に、さらに望ましくは９
０℃〜１５０℃の温度に加熱される。これにより、第２
供給ノズル５０の複数の吐出孔５１のそれぞれから上方
に向けて高温窒素ガスを吐出することができ、ＩＰＡ蒸
気の配管の経路での結露を防止できる。

【００３０】また、炭酸ガスバルブ５８を開放すること
によって、炭酸ガス供給源５７から第２供給ノズル５０
に二酸化炭素（ＣＯ２）を供給することができる。第２
供給ノズル５０に供給された二酸化炭素は、複数の吐出
孔５１のそれぞれから水平方向かつ処理槽２０側に向け
て吐出される。

【００３１】さらに、液体窒素バルブ６０を開放するこ
とによって、液体窒素供給源５９から第２供給ノズル５
０に液体窒素を供給することができる。第２供給ノズル
５０に供給された液体窒素は、複数の吐出孔５１のそれ
ぞれから水平方向かつ処理槽２０側に向けて吐出され
る。

【００３２】すなわち、ＩＰＡバルブ５３を開放して他
のバルブを閉鎖すれば第２供給ノズル５０から水平方向
にＩＰＡ蒸気を吐出することができ、窒素ガスバルブ５
６を開放して他のバルブを閉鎖すれば水平方向に窒素ガ
スを吐出することができ、炭酸ガスバルブ５８を開放し
て他のバルブを閉鎖すれば水平方向に二酸化炭素を吐出
することができ、液体窒素バルブ６０を開放して他のバ
ルブを閉鎖すれば水平方向に液体窒素を吐出することが
できる。そして、さらにヒータ５５を作動させれば、第
２供給ノズル５０から高温窒素ガスを吐出することがで
きるのである。なお、図３に示すＩＰＡバルブ４３、窒
素ガスバルブ４６、ヒータ４５、ＩＰＡバルブ５３、窒
素ガスバルブ５６、炭酸ガスバルブ５８、液体窒素バル
ブ６０およびヒータ５５は、いずれも図外の制御部によ
ってその動作を制御されている。

【００３３】第１実施形態においては、第１供給ノズル
４０が第１供給手段に相当し、第２供給ノズル５０第２
供給手段に相当し、昇降機構３０が引き上げ手段に相当
する。

【００３４】次に、上記の基板処理装置の第１実施形態
における処理手順について図４から図８を参照しつつ説
明する。図４から図７は、上記の基板処理装置における
処理の様子を説明する図である。また、図８（ａ）は、
第１実施形態におけるガス供給態様を示す。

【００３５】上記の基板処理装置において基板Ｗに処理
を行うときは、まず、昇降機構３０が図外の基板搬送ロ
ボットから複数の基板Ｗを受け取る。そして、収容器１
０が密閉されるとともに、昇降機構３０がＸ方向に平行
配列させて保持した複数の基板Ｗを降下させて処理槽２
０に貯留された純水中に浸漬させる。この段階において
は、処理槽２０に純水が供給され続けており、処理槽２
０の上端からは純水が溢れ出し続けている。処理槽２０
から溢れ出した純水は、処理槽２０の上端部外側に設け
られた回収部によって回収され、装置外の廃液ラインに
排出される。

【００３６】次に、処理槽２０に貯留された純水に複数
の基板Ｗを浸漬した状態を維持しつつ、処理槽２０に薬
液または純水を順次供給することによりエッチングや洗
浄処理を予め定められた順序に従って進行させる（図４
の状態）。この段階においても、処理槽２０の上端から
薬液または純水が溢れ出し続けており、溢れ出した処理
液は上記の回収部によって回収される。

【００３７】そして、図４の状態においては、図８
（ａ）の第１ステップのガス供給が行われている。すな
わち、図４中矢印ＡＲ４にて示すように、第１供給ノズ
ル４０から高温窒素ガスを上方に向けて吐出している。
これにより、第１供給ノズル４０及びＩＰＡの配管の経
路が暖められるとともに、収容器１０内部が窒素雰囲気
とされ、窒素雰囲気下にて基板Ｗの表面処理が進行する
こととなる。なお、第１ステップでは、第２供給ノズル
５０からのガス供給は行われていない。

【００３８】基板Ｗに対する表面処理が進行すると、や
がて最終の仕上洗浄処理に至る。本実施形態では、仕上
洗浄処理も通常の洗浄処理と同じく、処理槽２０に純水
を貯留し、その純水中に複数の基板Ｗを浸漬することに
よって行われる。なお、最終の仕上洗浄処理の段階にお
いても表１の第１ステップのガス供給が行われており、
第１供給ノズル４０から高温窒素ガスが吐出され、窒素
雰囲気下にて仕上洗浄処理が行われる。

【００３９】そして、図５に示すように、処理槽２０内
における洗浄処理を終了して昇降機構３０が基板Ｗを純
水から引き揚げる前に、図８（ａ）の第２ステップのガ
ス供給が開始される。すなわち、図５中矢印ＡＲ５１に
て示すように第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気を上方
に向けて吐出するとともに、矢印ＡＲ５２にて示すよう
に第２供給ノズル５０から窒素ガスを水平方向に向けて
吐出する。第２供給ノズル５０から窒素ガスを水平方向
に向けて吐出することにより、処理槽２０に貯留された
純水の表面を覆う窒素ガス流ＦＬが形成される。

【００４０】この窒素ガス流ＦＬは、処理槽２０に貯留
された純水の表面とほぼ平行に気液界面上に形成される
ものであり、その表面のうち少なくとも昇降機構３０に
よって複数の基板Ｗが引き上げられる領域を覆うように
形成されることとなる。また、第１供給ノズル４０から
ＩＰＡ蒸気を上方に向けて吐出することにより、処理槽
２０の上方にＩＰＡ蒸気を含む雰囲気ＡＴが形成され
る。

【００４１】窒素ガス流ＦＬおよびＩＰＡ蒸気を含む雰
囲気ＡＴが形成された後、図６に示すように、昇降機構
３０が複数の基板Ｗの引き上げを開始し、それら基板Ｗ
を処理槽２０内の純水から引き上げて窒素ガス流ＦＬ中
を通過させる。このときにも勿論、表１の第２ステップ
のガス供給が行われており、第１供給ノズル４０からＩ
ＰＡ蒸気が上方に向けて吐出されるとともに、第２供給
ノズル５０から窒素ガスが水平方向かつ処理槽２０側に
向けて吐出される。従って、昇降機構３０による引き上
げ途中の基板Ｗに対しては、その上端部から下端部にわ
たって順に窒素ガスが直接吹き付けられることとなる。

【００４２】昇降機構３０が複数の基板Ｗの引き上げを
継続し、やがて基板Ｗの下端部が窒素ガス流ＦＬ中を通
過すると、図７に示すように、基板Ｗの全体がＩＰＡ蒸
気を含む雰囲気ＡＴ中に移動する。その結果、基板Ｗの
全体がＩＰＡ蒸気を含む雰囲気中ＡＴに曝されることと
なり、それぞれの基板Ｗの表面にはＩＰＡ蒸気が凝縮
し、当該表面に付着していた水滴と置換する。なお、こ
の段階においても図８（ａ）の第２ステップのガス供給
が行われている。

【００４３】その後、基板Ｗが図１中の２点鎖線位置に
まで到達した時点で、昇降機構３０が停止し、基板Ｗの
引き上げが完了する。この時点においては、第１供給ノ
ズル４０および第２供給ノズル５０からのガス供給が停
止される。また、処理槽２０内に貯留されていた純水は
急速排水される。その後、収容器１０内を減圧雰囲気と
することにより、基板Ｗの表面に凝縮していたＩＰＡが
完全に蒸発して乾燥する。減圧乾燥処理後の基板Ｗは基
板搬送ロボットに渡されて一連の処理が終了する。な
お、基板Ｗを引き上げた時点で、その基板Ｗの清浄度が
十分でない場合は、処理槽２０内に再び純水を貯留し、
図４から図７にて説明した工程（但し、薬液供給による
薬液処理を除く）を繰り返すことも可能である。

【００４４】以上の第１実施形態においては、第２供給
ノズル５０から窒素ガスを水平方向に向けて吐出するこ
とにより処理槽２０に貯留された純水の表面を覆う窒素
ガス流ＦＬを形成するとともに、第１供給ノズル４０か
らＩＰＡ蒸気を上方に向けて吐出することにより窒素ガ
ス流ＦＬの上にＩＰＡ蒸気を含む雰囲気ＡＴを形成して
いる。換言すれば、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気
を直接純水に向けて吐出せず、さらに窒素ガス流ＦＬに
よってＩＰＡ蒸気を含む雰囲気ＡＴと純水とを遮断し、
それらの接触を防止している。従って、ＩＰＡ蒸気の純
水への溶解を防止することができ、その結果、ＩＰＡ蒸
気の溶解に起因する基板Ｗ間のパーティクルの転写を抑
制することができる。

【００４５】また、基板Ｗの引き上げ時に、純水との気
液界面上にて第２供給ノズル５０から窒素ガスが直接基
板Ｗに吹き付けられることとなるため、乾燥時間を短縮
して乾燥効率を向上させることができ、ウォーターマー
ク等の乾燥不良をも抑制することができる。

【００４６】また、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気
を吐出する前に高温窒素ガスを吐出しているため、高温
窒素ガスによって暖められた第１供給ノズル４０からＩ
ＰＡ蒸気が吐出されることとなり、第１供給ノズル４０
へのＩＰＡの結露を防止することができる。その結果、
ＩＰＡの結露に起因した処理遅延を防ぐことができる。

【００４７】＜２．第２実施形態＞次に、本発明の第２
実施形態について説明する。第２実施形態の基板処理装
置の構成は第１実施形態と全く同じであり、その説明は
省略する。第２実施形態が第１実施形態と異なるのは、
第１供給ノズル４０および第２供給ノズル５０からのガ
ス供給態様である。図８（ｂ）に第２実施形態における
ガス供給態様を示す。

【００４８】第２実施形態においては、処理槽２０にて
基板Ｗの洗浄処理等を行っている段階（図４の段階）で
は図８（ｂ）の第１ステップのガス供給が行われてい
る。すなわち、第１供給ノズル４０から高温窒素ガスを
上方に向けて吐出するとともに、第２供給ノズル５０か
らも高温窒素ガスを水平方向に向けて吐出する。これに
より、ＩＰＡの配管の経路、第１供給ノズル４０および
第２供給ノズル５０が高温窒素ガスによって暖められる
とともに、収容器１０内部が窒素雰囲気とされ、窒素雰
囲気下にて基板Ｗの洗浄処理等が進行することとなる。

【００４９】そして、処理槽２０に貯留されている純水
から基板Ｗを引き上げる段階（図５以降の段階）では図
８（ｂ）の第２ステップのガス供給が行われる。すなわ
ち、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気が上方に向けて
吐出されるとともに、第２供給ノズル５０から希薄ＩＰ
Ａ蒸気が水平方向に向けて吐出される。ここで、第２供
給ノズル５０から吐出される希薄ＩＰＡ蒸気のＩＰＡ濃
度は第１供給ノズル４０から吐出されるＩＰＡ蒸気のＩ
ＰＡ濃度よりも低濃度である。これにより、処理槽２０
に貯留された純水の表面を覆う希薄ＩＰＡガス流が形成
されるとともに、処理槽２０の上方にＩＰＡ蒸気を含む
雰囲気が形成される。昇降機構３０によって処理槽２０
から引き上げられる基板Ｗは希薄ＩＰＡガス流を通過し
てＩＰＡ蒸気を含む雰囲気に到達する。上記以外の処理
手順は、第１実施形態と同じである。

【００５０】以上の第２実施形態においても、第１供給
ノズル４０からＩＰＡ蒸気を直接純水に向けて吐出せ
ず、さらに希薄ＩＰＡガス流によってＩＰＡ蒸気を含む
雰囲気ＡＴと純水とを遮断し、それらの直接接触を防止
している。希薄ＩＰＡガス流は処理槽２０に貯留された
純水に直接接触することとなるが、そのＩＰＡ濃度は低
濃度であるためＩＰＡ蒸気の純水への溶解は無視できる
程度に小さい。従って、ＩＰＡ蒸気の純水への溶解を防
止することができ、その結果、ＩＰＡ蒸気の溶解に起因
する基板Ｗ間のパーティクルの転写を抑制することがで
きる。

【００５１】また、基板Ｗの引き上げ時に、純水との気
液界面上にて第２供給ノズル５０から希薄ＩＰＡガス流
が直接基板Ｗに吹き付けられることとなるため、ＩＰＡ
による置換が迅速に進行し、乾燥時間を短縮して乾燥効
率を向上させることができ、ウォーターマーク等の乾燥
不良をも抑制することができる。

【００５２】また、第１供給ノズル４０および第２供給
ノズル５０からＩＰＡ蒸気を吐出する前に高温窒素ガス
を吐出しているため、高温窒素ガスによって暖められた
第１供給ノズル４０および第２供給ノズル５０からＩＰ
Ａ蒸気が吐出されることとなり、それらへのＩＰＡの結
露を防止することができる。

【００５３】＜３．第３実施形態＞次に、本発明の第３
実施形態について説明する。第３実施形態の基板処理装
置の構成も第１実施形態と全く同じであり、その説明は
省略する。第３実施形態が第１実施形態と異なるのは、
第１供給ノズル４０および第２供給ノズル５０からのガ
ス供給態様である。図８（ｃ）に第３実施形態における
ガス供給態様を示す。

【００５４】第３実施形態においては、処理槽２０にて
基板Ｗの洗浄処理等を行っている段階（図４の段階）で
は図８（ｃ）の第１ステップのガス供給が行われてい
る。すなわち、第１供給ノズル４０から高温窒素ガスを
上方に向けて吐出する一方、第２供給ノズル５０からは
ガス供給を行っていない。これにより、第１供給ノズル
４０が高温窒素ガスによって暖められるとともに、収容
器１０内部が窒素雰囲気とされ、窒素雰囲気下にて基板
Ｗの洗浄処理等が進行することとなる。

【００５５】そして、処理槽２０に貯留されている純水
から基板Ｗを引き上げる段階（図５以降の段階）では図
８（ｃ）の第２ステップのガス供給が行われる。すなわ
ち、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気が上方に向けて
吐出されるとともに、第２供給ノズル５０から二酸化炭
素が水平方向に向けて吐出される。これにより、処理槽
２０に貯留された純水の表面を覆う二酸化炭素ガス流が
形成されるとともに、処理槽２０の上方にＩＰＡ蒸気を
含む雰囲気が形成される。昇降機構３０によって処理槽
２０から引き揚げられる基板Ｗは二酸化炭素ガス流を通
過してＩＰＡ蒸気を含む雰囲気に到達する。上記以外の
処理手順は、第１実施形態と同じである。

【００５６】以上の第３実施形態においても、第１供給
ノズル４０からＩＰＡ蒸気を直接純水に向けて吐出せ
ず、さらに二酸化炭素ガス流によってＩＰＡ蒸気を含む
雰囲気ＡＴと純水とを遮断し、それらの直接接触を防止
している。従って、ＩＰＡ蒸気の純水への溶解を防止す
ることができ、その結果、ＩＰＡ蒸気の溶解に起因する
基板Ｗ間のパーティクルの転写を抑制することができ
る。

【００５７】また、基板Ｗの引き上げ時に、純水との気
液界面上にて第２供給ノズル５０から二酸化炭素ガス流
が直接基板Ｗに吹き付けられることとなるため、乾燥時
間を短縮して乾燥効率を向上させることができ、ウォー
ターマーク等の乾燥不良をも抑制することができる。

【００５８】特に、第３実施形態においては、純水から
引き揚げられた基板Ｗが二酸化炭素ガス流を通過すると
きに基板Ｗに付着した水滴に二酸化炭素が溶解し、その
水滴が弱酸性の炭酸水に変化する。ウォーターマーク
は、基板Ｗに付着した水分とシリコン（Ｓｉ）と空気中
の酸素とが反応して発生するものであるが、基板Ｗに付
着した水分が酸性であればその反応が抑制されウォータ
ーマークをより効果的に防止することができる。

【００５９】また、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気
を吐出する前に高温窒素ガスを吐出しているため、高温
窒素ガスによって暖められた第１供給ノズル４０からＩ
ＰＡ蒸気が吐出されることとなり、第１供給ノズル４０
へのＩＰＡの結露を防止することができる。

【００６０】＜４．第４実施形態＞次に、本発明の第４
実施形態について説明する。第４実施形態の基板処理装
置の構成も第１実施形態と全く同じであり、その説明は
省略する。第４実施形態が第１実施形態と異なるのは、
第１供給ノズル４０および第２供給ノズル５０からのガ
ス供給態様である。図８（ｄ）に第４実施形態における
ガス供給態様を示す。

【００６１】第４実施形態においては、処理槽２０にて
基板Ｗの洗浄処理等を行っている段階（図４の段階）で
は図８（ｄ）の第１ステップのガス供給が行われてい
る。すなわち、第１供給ノズル４０から高温窒素ガスを
上方に向けて吐出するとともに、第２供給ノズル５０か
らも高温窒素ガスを水平方向に向けて吐出する。これに
より、第１供給ノズル４０および第２供給ノズル５０が
高温窒素ガスによって暖められるとともに、収容器１０
内部が窒素雰囲気とされ、窒素雰囲気下にて基板Ｗの洗
浄処理等が進行することとなる。

【００６２】そして、処理槽２０に貯留されている純水
から基板Ｗを引き上げる段階（図５以降の段階）では図
８（ｄ）の第２ステップのガス供給が行われる。すなわ
ち、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気が上方に向けて
吐出されるとともに、第２供給ノズル５０から高温窒素
ガスが水平方向に向けて吐出される。つまり、第２供給
ノズル５０からは、高温窒素ガスが継続して吐出される
こととなる。ここで、第２供給ノズル５０から吐出され
る高温窒素ガスは、処理槽２０に貯留された純水の温度
よりも高温の窒素ガスである。これにより、処理槽２０
に貯留された純水の表面を覆う高温窒素ガス流が形成さ
れるとともに、処理槽２０の上方にＩＰＡ蒸気を含む雰
囲気が形成される。昇降機構３０によって処理槽２０か
ら引き上げられる基板Ｗは高温窒素ガス流を通過してＩ
ＰＡ蒸気を含む雰囲気に到達する。上記以外の処理手順
は、第１実施形態と同じである。

【００６３】以上の第４実施形態においても、第１供給
ノズル４０からＩＰＡ蒸気を直接純水に向けて吐出せ
ず、さらに高温窒素ガス流によってＩＰＡ蒸気を含む雰
囲気ＡＴと純水とを遮断し、それらの直接接触を防止し
ている。従って、ＩＰＡ蒸気の純水への溶解を防止する
ことができ、その結果、ＩＰＡ蒸気の溶解に起因する基
板Ｗ間のパーティクルの転写を抑制することができる。

【００６４】また、基板Ｗの引き上げ時に、純水との気
液界面上にて第２供給ノズル５０から高温窒素ガス流が
直接基板Ｗに吹き付けられることとなるため、乾燥時間
を短縮して乾燥効率を向上させることができ、ウォータ
ーマーク等の乾燥不良をも抑制することができる。

【００６５】特に、第４実施形態においては、処理槽２
０に貯留された純水の気液界面に高温窒素ガス流が形成
されるため、純水表面の水温が上昇する。一般に、水温
が上昇すると気体の溶解度は低下する。ＩＰＡ蒸気の場
合も同様であり、処理槽２０に貯留された純水の表面温
度が上昇すると、ＩＰＡ蒸気の溶解度が低下することと
なる。その結果、ＩＰＡ蒸気の純水への溶解をより効果
的に防止することができ、ＩＰＡ蒸気の溶解に起因する
基板Ｗ間のパーティクルの転写をさらに抑制することが
できる。

【００６６】また、基板Ｗが高温窒素ガス流を通過する
ことによって、基板Ｗに付着した水滴の温度も上昇し、
乾燥効率をより向上させることができる。

【００６７】また、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気
を吐出する前に高温窒素ガスを吐出しているため、高温
窒素ガスによって暖められた第１供給ノズル４０からＩ
ＰＡ蒸気が吐出されることとなり、第１供給ノズル４０
へのＩＰＡの結露を防止することができる。

【００６８】＜５．第５実施形態＞次に、本発明の第５
実施形態について説明する。第５実施形態の基板処理装
置の構成も第１実施形態と全く同じであり、その説明は
省略する。第５実施形態が第１実施形態と異なるのは、
第１供給ノズル４０および第２供給ノズル５０からのガ
ス供給態様である。図８（ｅ）に第５実施形態における
ガス供給態様を示す。

【００６９】第５実施形態においては、処理槽２０にて
基板Ｗの洗浄処理等を行っている段階（図４の段階）で
は図８（ｅ）の第１ステップのガス供給が行われてい
る。すなわち、第１供給ノズル４０から高温窒素ガスを
上方に向けて吐出する一方、第２供給ノズル５０からは
ガス供給を行っていない。これにより、第１供給ノズル
４０が高温窒素ガスによって暖められるとともに、収容
器１０内部が窒素雰囲気とされ、窒素雰囲気下にて基板
Ｗの洗浄処理等が進行することとなる。

【００７０】そして、処理槽２０に貯留されている純水
から基板Ｗを引き上げる段階（図５以降の段階）では図
８（ｅ）の第２ステップのガス供給が行われる。すなわ
ち、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気が上方に向けて
吐出されるとともに、第２供給ノズル５０から液体窒素
が水平方向に向けて吐出される。これにより、処理槽２
０に貯留された純水の表面を覆う液体窒素流が形成され
るとともに、処理槽２０の上方にＩＰＡ蒸気を含む雰囲
気が形成される。昇降機構３０によって処理槽２０から
引き上げられる基板Ｗは液体窒素流を通過してＩＰＡ蒸
気を含む雰囲気に到達する。上記以外の処理手順は、第
１実施形態と同じである。

【００７１】以上の第５実施形態においても、第１供給
ノズル４０からＩＰＡ蒸気を直接純水に向けて吐出せ
ず、さらに液体窒素流によってＩＰＡ蒸気を含む雰囲気
ＡＴと純水とを遮断し、それらの直接接触を防止してい
る。従って、ＩＰＡ蒸気の純水への溶解を防止すること
ができ、その結果、ＩＰＡ蒸気の溶解に起因する基板Ｗ
間のパーティクルの転写を抑制することができる。

【００７２】また、特に第５実施形態では、基板Ｗの引
き揚げ時に、純水との気液界面上にて第２供給ノズル５
０から液体窒素流が直接基板Ｗに吹き付けられることと
なるため、基板Ｗが急速に冷却される。その結果、基板
ＷへのＩＰＡ蒸気の凝縮効率が向上し、乾燥時間を短縮
して乾燥効率を向上させることができ、ウォーターマー
ク等の乾燥不良をも効果的に抑制することができる。

【００７３】また、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気
を吐出する前に高温窒素ガスを吐出しているため、高温
窒素ガスによって暖められた第１供給ノズル４０からＩ
ＰＡ蒸気が吐出されることとなり、第１供給ノズル４０
へのＩＰＡの結露を防止することができる。

【００７４】＜６．第６実施形態＞次に、本発明の第６
実施形態について説明する。第６実施形態の基板処理装
置の構成も第１実施形態と全く同じであり、その説明は
省略する。第６実施形態が第１実施形態と異なるのは、
第１供給ノズル４０および第２供給ノズル５０からのガ
ス供給態様である。図８（ｆ）に第６実施形態における
ガス供給態様を示す。

【００７５】第６実施形態においては、処理槽２０にて
基板Ｗの洗浄処理等を行っている段階（図４の段階）で
は図８（ｆ）の第１ステップのガス供給が行われてい
る。すなわち、第１供給ノズル４０から高温窒素ガスを
上方に向けて吐出するとともに、第２供給ノズル５０か
らも高温窒素ガスを水平方向に向けて吐出する。これに
より、第１供給ノズル４０および第２供給ノズル５０が
高温窒素ガスによって暖められるとともに、収容器１０
内部が窒素雰囲気とされ、窒素雰囲気下にて基板Ｗの洗
浄処理等が進行することとなる。

【００７６】そして、処理槽２０に貯留されている純水
から基板Ｗを引き上げる段階（図５以降の段階）では図
８（ｆ）の第２ステップのガス供給が行われる。すなわ
ち、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気が上方に向けて
吐出されるとともに、第２供給ノズル５０から高温窒素
ガスが水平方向に向けて吐出される。つまり、第２供給
ノズル５０からは、高温窒素ガスが継続して吐出される
こととなる。ここで、第２供給ノズル５０から吐出され
る高温窒素ガスは、処理槽２０に貯留された純水の温度
よりも高温の窒素ガスである。これにより、処理槽２０
に貯留された純水の表面を覆う高温窒素ガス流が形成さ
れるとともに、処理槽２０の上方にＩＰＡ蒸気を含む雰
囲気が形成される。昇降機構３０によって処理槽２０か
ら引き上げられる基板Ｗは高温窒素ガス流を通過してＩ
ＰＡ蒸気を含む雰囲気に到達する。

【００７７】次に、基板Ｗの全体が処理槽２０の純水か
ら離脱した後であって、減圧乾燥処理が実行される前
に、表６の第３ステップのガス供給が行われる。すなわ
ち、第１供給ノズル４０から窒素ガスが上方に向けて吐
出されるとともに、第２供給ノズル５０からＩＰＡ蒸気
が水平方向に向けて吐出される。そして、所定時間の第
３ステップのガス供給が行われた後、減圧乾燥処理が実
行される。上記以外の処理手順は、第１実施形態と同じ
である。

【００７８】以上の第６実施形態においても、第１供給
ノズル４０からＩＰＡ蒸気を直接純水に向けて吐出せ
ず、さらに高温窒素ガス流によってＩＰＡ蒸気を含む雰
囲気ＡＴと純水とを遮断し、それらの直接接触を防止し
ている。従って、ＩＰＡ蒸気の純水への溶解を防止する
ことができ、その結果、ＩＰＡ蒸気の溶解に起因する基
板Ｗ間のパーティクルの転写を抑制することができる。

【００７９】また、基板Ｗの引き上げ時に、純水との気
液界面上にて第２供給ノズル５０から高温窒素ガス流が
直接基板Ｗに吹き付けられることとなるため、乾燥時間
を短縮して乾燥効率を向上させることができ、ウォータ
ーマーク等の乾燥不良をも抑制することができる。

【００８０】特に、第６実施形態においては、第４実施
形態と同様に、処理槽２０に貯留された純水の気液界面
に高温窒素ガス流が形成されるため、純水表面の水温が
上昇する。従って、処理槽２０に貯留された純水の表面
へのＩＰＡ蒸気の溶解度が低下し、その結果、ＩＰＡ蒸
気の純水への溶解をより効果的に防止することができ、
ＩＰＡ蒸気の溶解に起因する基板Ｗ間のパーティクルの
転写をさらに抑制することができる。

【００８１】また、基板Ｗが高温窒素ガス流を通過する
ことによって、基板Ｗに付着した水滴の温度も上昇し、
乾燥効率をより向上させることができる。

【００８２】また、第１供給ノズル４０からＩＰＡ蒸気
を吐出する前に高温窒素ガスを吐出しているため、高温
窒素ガスによって暖められた第１供給ノズル４０からＩ
ＰＡ蒸気が吐出されることとなり、第１供給ノズル４０
へのＩＰＡの結露を防止することができる。

【００８３】さらに、第６実施形態においては、基板Ｗ
の全体が処理槽２０の純水から離脱した後に第２供給ノ
ズル５０からＩＰＡ蒸気が水平方向に向けて吐出され
る。このＩＰＡ蒸気は主として基板Ｗを保持する３本の
保持棒３３、３４、３５の周辺に供給され、保持棒３
３、３４、３５に凝縮して水滴と置換する。従って、基
板Ｗと直接接触する３本の保持棒３３、３４、３５が迅
速に乾燥し、乾燥処理全体に要する時間を短縮して乾燥
効率を向上させることができる。

【００８４】＜７．変形例＞以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、上記の各実施形態において種々
のガス供給態様を示したが、これらに限定されるもので
はなく、処理槽の上方に形成されたＩＰＡ蒸気を含む雰
囲気と処理槽に貯留された純水とを遮断するようにその
純水の表面を覆う気流を形成するようなガス供給態様で
あれば様々なパターンを採用することが可能である。

【００８５】また、上記の第５実施形態においては、第
２供給ノズル５０から液体窒素を吐出するようにしてい
たが、液体窒素に代えて冷却された窒素ガスを吐出する
ようにしても良い。具体的には例えば、ヒータ５５の代
わりに冷却器を用いて窒素ガス供給源５４から供給され
る窒素ガスを冷却し、第２供給ノズル５０から水平方向
に向けて吐出する。このようにしても、基板Ｗの引き揚
げ時に、冷却された窒素ガスによって基板Ｗが冷却され
るため、基板ＷへのＩＰＡ蒸気の凝縮効率が向上し、乾
燥時間を短縮して乾燥効率を向上させることができる。

【００８６】また、上記の各実施形態においては、第１
供給ノズル４０から有機溶剤の蒸気としてＩＰＡ蒸気を
吐出するようにしていたが、これに限定されるものでは
なく、ＩＰＡ蒸気に代えて他のアルコール類等の蒸気を
有機溶剤の蒸気として第１供給ノズル４０から吐出する
ようにしても良い。

【００８７】また、上記各実施形態の基板処理装置は、
複数の基板Ｗに一括して処理を行ういわゆるバッチ式の
基板処理装置であったが、基板Ｗを１枚ずつ処理するい
わゆる枚葉式の基板処理装置であっても良い。

【００８８】さらに、上記各実施形態においては、１つ
の処理槽で薬液処理および純水による洗浄処理の双方を
行う、いわゆるワンバス式の処理装置であったが、本発
明にかかる技術は、薬液処理および純水洗浄処理を異な
る処理槽で行ういわゆる多槽式の処理装置であっても適
用可能である。多槽式の処理装置に適用する場合は、通
常、最終の仕上水洗槽に適用するのが効果的である。

【００８９】

【発明の効果】以上、説明したように、本発明にによれ
ば、第２供給手段により処理槽に貯留された純水の表面
を覆う気流を形成するとともに、第１供給手段により処
理槽の上方に有機溶剤の蒸気を含む雰囲気を形成し、洗
浄処理が終了した基板を処理槽から当該気流を通過させ
て有機溶剤の蒸気を含む雰囲気中に引き上げるため、そ
の気流によって有機溶剤の蒸気を含む雰囲気と処理槽中
の純水との接触が防止され、有機溶剤の蒸気の純水への
溶解を防止してパーティクルの転写を抑制することがで
きる。また、第１供給手段は、収容器内に高温の不活性
ガスを供給するとともに、高温の不活性ガスの供給後に
有機溶剤の蒸気を供給して処理槽の上方に有機溶剤の蒸
気を含む雰囲気を形成しているので、ＩＰＡ等の有機溶
剤の供給用配管における結露を防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる基板処理装置の正面図である。

【図２】図１の基板処理装置の平面図である。

【図３】第１供給ノズルおよび第２供給ノズルへのガス
等の供給機構を示す図である。

【図４】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図５】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図６】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図７】図１の基板処理装置における処理の様子を説明
する図である。

【図８】ガス供給の形態を示す図である。

【符号の説明】

１０収容器２０処理槽３０昇降機構４０第１供給ノズル５０第２供給ノズルＡＴＩＰＡ蒸気を含む雰囲気ＦＬ窒素ガス流Ｗ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】純水による洗浄処理が終了した基板の乾燥
処理を行う基板処理装置であって、純水を貯留し、純水中に基板を浸漬して洗浄処理を行う
処理槽と、前記処理槽を収容する収容器と、前記収容器内に設けられ、前記収容器内に高温の不活性
ガスを供給するとともに、高温の不活性ガスの供給後に
有機溶剤の蒸気を供給して前記処理槽の上方に有機溶剤
の蒸気を含む雰囲気を形成する第１供給手段と、前記収容器内の前記第１供給手段よりも下方に設けら
れ、略水平方向にガスを吐出して前記処理槽の純水の表
面を覆う気流を形成する第２供給手段と、前記洗浄処理が終了した基板を前記処理槽から前記気流
を通過させて前記有機溶剤の蒸気を含む雰囲気中に引き
上げる引き上げ手段と、を備えることを特徴とする基板
処理装置。
【請求項２】請求項１記載の基板処理装置において、前記第１供給手段は、イソプロピルアルコールの蒸気を
吐出して前記処理槽の上方にイソプロピルアルコールの
蒸気を含む雰囲気を形成することを特徴とする基板処理
装置。
【請求項３】請求項２に記載の基板処理装置において、前記第１供給手段によりイソプロピルアルコールの蒸気
を吐出している際に、前記第２供給手段は、不活性ガス
を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】請求項２に記載の基板処理装置において、前記第１供給手段により高温の不活性ガスを供給してい
る際に、前記第２供給手段は、不活性ガスを供給すると
ともに、前記第１供給手段によりイソプロピルアルコールの蒸気
を吐出している際に、前記第２供給手段は、イソプロピ
ルアルコールの蒸気を吐出していることを特徴とする基
板処理装置。
【請求項５】請求項２に記載の基板処理装置において、前記第１供給手段によりイソプロピルアルコールの蒸気
を吐出している際に、前記第２供給手段は、二酸化炭素
を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】請求項２に記載の基板処理装置において、前記第１供給手段により高温の不活性ガスを供給してい
る際に、前記第２供給手段は、不活性ガスを供給すると
ともに、前記第１供給手段によりイソプロピルアルコールの蒸気
を吐出している際に、前記第２供給手段は、高温の不活
性ガスを供給していることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】請求項２に記載の基板処理装置において、前記第１供給手段によりイソプロピルアルコールの蒸気
を吐出している際に、前記第２供給手段は、液体窒素を
供給することを特徴とする基板処理装置。