CN111668136A - 基片处理装置、基片处理方法和存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽中的多个基片移动至比处理液的液面靠上方的位置。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放有机溶剂的蒸气的释放流量随着多个基片的上升而变化。由此，在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，能够提高处理液与有机溶剂的置换效率。

Description

基片处理装置、基片处理方法和存储介质
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
背景技术
一直以来，已知有在通过使有机溶剂的蒸气与液处理后的基片接触而将附着于基片的处理液置换成有机溶剂后，通过使附着于基片的有机溶剂挥发而使基片干燥的基片处理装置。
在专利文献1中公开了一种基片处理装置，其包括：贮存处理液的液处理槽；配置在液处理槽的上方的干燥室，其设置有有机溶剂的蒸气的供给部；和使多个基片在液处理槽与干燥室之间移动的移动机构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-91301号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种技术，其在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，能够提高处理液与有机溶剂的置换效率。
用于解决技术问题的技术手段
本发明的一个方式的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽中的多个基片移动至比处理液的液面靠上方的位置。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放蒸气的释放流量随着多个基片的上升而变化。
发明效果
依照本发明，能够在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，提高处理液与有机溶剂的置换效率。
附图说明
图1是实施方式的基片处理装置的截面图。
图2是表示实施方式的释放部的结构的图。
图3是表示实施方式的基片处理装置执行的处理的顺序的一例的流程图。
图4是表示送入处理的动作例的图。
图5是表示液处理的动作例的图。
图6是表示提升前处理的动作例的图。
图7是表示提升处理的动作例的图。
图8是表示提升处理的动作例的图。
图9是表示与多个晶片的上升相应地改变IPA蒸气的释放流量的情形的一例的图。
图10是表示与多个晶片的上升相应地改变IPA蒸气的释放流量的情形的一例的图。
图11是表示与多个晶片的上升相应地改变IPA蒸气的释放流量的情形的一例的图。
图12是表示与多个晶片的上升相应地改变IPA蒸气的释放流量的情形的一例的图。
图13是表示提升后处理的动作例的图。
图14是表示送出处理的动作例的图。
图15是表示贮存处理的动作例的图。
图16是表示贮存处理的动作例的图。
附图标记的说明
W 晶片
1 基片处理装置
2 液处理槽
3 干燥室
4 保持部
5 移动机构
6 气体释放部
7 控制装置
61 下层喷嘴
62 中层喷嘴
63 上层喷嘴
64 第1供给系统
65 第2供给系统
具体实施方式
以下，参照附图，对用于实施本发明的基片处理装置、基片处理方法和存储介质的方式(以下，记作“实施方式”)进行详细说明。另外，本发明的基片处理装置、基片处理方法和存储介质并不由本实施方式限定。此外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当地组合。此外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，省略重复的说明。
此外，以下参照的各附图中，为了使说明容易理解，有时示出规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向，以Z轴正方向为铅垂向上的方向的直角坐标系。
＜基片处理装置的结构＞
首先，参照图1、2对实施方式的基片处理装置的结构进行说明。图1是实施方式的基片处理装置的示意的截面图。图2是表示实施方式的释放部的结构的图。
如图1所示，实施方式的基片处理装置1包括液处理槽2、干燥室3、保持部4、移动机构5、气体释放部6和控制装置7。
(液处理槽2)
液处理槽2包括贮存槽21、溢出槽22和密封槽23。液处理槽2可收纳以垂直姿态(纵向的状态)排列的多个半导体基片(下面，记载为“晶片W”)。在液处理槽2中，进行通过使多个晶片W浸渍于贮存在内部的处理液来处理多个晶片W的液处理。此处，使用去离子水作为处理液。此外，将用去离子水进行的多个晶片W的清洗处理作为液处理进行。
在贮存槽21设置有进行处理液的供给的液释放部24和进行处理液的排出的排液机构25。
液释放部24包括多个(此处为2个)喷嘴241、供给通路242、处理液供给源243、冷却部244、阀245和流量调节器246。2个喷嘴241设置在贮存槽21的内侧底部。供给通路242将2个喷嘴241与处理液供给源243连接。处理液供给源243对2个喷嘴241供给处理液。
冷却部244例如是冷机等，将从处理液供给源243供给的处理液冷却。例如，从处理液供给源243供给的处理液的温度为室温，冷却部244将从处理液供给源243供给的处理液冷却至室温以下的温度(例如20度以下)。
阀245用于开闭供给通路242。流量调节器246调节在供给通路242中流动的处理液的流量。冷却部244、阀245和流量调节器246与控制装置7的控制部71电连接，由控制部71控制。
排液机构25包括排液口251、排液通路252和阀253。排液口251设置在贮存槽21的内侧底部中央。排液通路252与排液口251连接。阀253设置在排液通路252的中途部，用于开闭排液通路252。阀253与控制部71电连接，由控制部71进行开闭控制。
溢出槽22形成在贮存槽21的上端外周部，贮存从贮存槽21溢出的处理液。密封槽23形成在溢出槽22的上端外周部，例如贮存水等液体。通过使后述的密封壁333浸渍于密封槽23所贮存的液体，能够将液处理槽2的内部与外部隔开。
(干燥室3)
干燥室3配置在比液处理槽2靠上方的位置，具有与贮存槽21连通的内部空间。干燥室3包括主体部31、盖部32和遮断部33。主体部31的上方和下方开口。在主体部31设置有多个(此处，2个)排气口311。2个排气口311左右对称地设置在位于与多个晶片W的排列方向(Y轴方向)正交的方向(X轴方向)上的主体部31的侧面下部。2个排气口311与排气通路312连接，干燥室3内的气氛经排气口311和排气通路312被排出到外部。
盖部32配置在主体部31的上方，关闭主体部31的上部开口。盖部32构成为能够通过未图示的移动机构升降，能够通过使盖部32上升而将多个晶片W送入干燥室3或从干燥室3送出。
遮挡部33配置在主体部31的下方。遮挡部33包括遮挡门331和壳体332。遮挡门331构成为能够通过未图示的移动机构在壳体332的内部沿水平方向(此处为X轴方向)移动，关闭或打开主体部31的下部开口。
壳体332设置在液处理槽2与主体部31之间，在内部收纳遮挡门331。在壳体332的上部，形成有与主体部31的下部开口连通的开口，在壳体332的下部，形成有与贮存槽21的上方区域连通的开口。
在壳体332的下部设置有向下方突出的密封壁333。密封壁333浸渍于密封槽23所贮存的液体中。由此，能够将液处理槽2内部与外部隔开。
(保持部4)
保持部4包括保持体41和支承保持体41的轴42。保持体41以垂直姿态保持多个晶片W。此外，保持体41以使多个晶片W在水平方向(此处为Y轴方向)上以一定的间隔并排的状态保持它们。轴42沿铅垂方向延伸，在下部支承保持体41。轴42可滑动地插通于设置在盖部32的上部的未图示的开口。
(移动机构5)
移动机构5例如包括电动机、滚珠螺杆、气缸等，与保持部4的轴42连接，使轴42升降。通过利用移动机构5使得轴42升降，由轴42支承的保持体41进行升降。由此，移动机构5能够使保持在保持体41的多个晶片W在贮存槽21与干燥室3之间移动。移动机构5与控制装置7的控制部71电连接，由控制部71控制。
(气体释放部6)
气体释放部6包括在干燥室3的内部多层配置的多个喷嘴61～63。多个喷嘴61～63配置于由移动机构5导致的多个晶片W的移动路径的侧方，向通过移动机构5上升的多个晶片W释放有机溶剂的蒸气。此处，作为有机溶剂使用IPA(异丙醇)。即，气体释放部6向多个晶片W释放IPA的蒸气(以下，记作“IPA蒸气”)。另外，有机溶剂并不限定于IPA。
如图2所示，喷嘴61～63具有沿多个晶片W的排列方向(Y轴方向)延伸的长条形状。在喷嘴61～63，沿长度方向设置有多个释放口600。作为释放口600，除了单纯的开口以外，还可以使用使IPA蒸气以雾状喷洒的喷洒用喷洒头(nozzle chip)。此外，喷嘴61～63也可以代替多个释放口600而具有沿长度方向延伸的狭缝状的释放口。
喷嘴61～63中配置在最下层的下层喷嘴61与第1供给系统64连接。第1供给系统64包括IPA供给源641、N2供给源642、阀643、644和加热部645。IPA供给源641供给液体状态的IPA，N2供给源642供给作为非活性气体的N2气体。
IPA供给源641经阀643与加热部645连接，N2供给源642经阀644与加热部645连接。阀643、644与控制部71电连接，由控制部71进行开闭控制。
在同时打开阀643、644的情况下，对加热部645供给从IPA供给源641供给的IPA与从N2供给源642供给的N2气体的混合流体。加热部645对该混合流体进行加热，由此生成IPA蒸气。此外，在阀643的后层设置有未图示的双流体喷嘴，对加热部645供给雾状的IPA与N2气体的混合流体。
另一方面，在仅打开阀644的情况下，从N2供给源642对加热部645供给N2气体。在这种情况下，加热部645对N2气体进行加热，由此生成热N2气体。加热部645与下层喷嘴61连接，供给IPA蒸气或热N2气体。
流量调节器646对供给至加热部645的气体的流量进行调节。例如，流量调节器646包括流量计、恒定流量阀、电动气动调节器等，通过对供给至电动气动调节器的气体(N2气体)等的压力进行调节，能够调节供给至加热部645的气体的流量。流量调节器646与控制部71电连接，被控制部71控制。
喷嘴61～63中配置在最上层的上层喷嘴63和配置在下层喷嘴61与上层喷嘴63之间的中层喷嘴62，与第2供给系统65连接。
第2供给系统65包括IPA供给源651、N2供给源652、阀653、654、656、657和加热部655。IPA供给源651供给液体状态的IPA，N2供给源652供给作为非活性气体的N2气体。
IPA供给源651经阀653与加热部655连接，N2供给源652经阀654与加热部655连接。阀653、654与制部71电连接，由控制部71进行开闭控制。
在阀653、654两者均打开了的情况下，加热部655对从IPA供给源651供给的IPA和从N2供给源652供给的N2气体的混合流体进行加热而生成IPA蒸气。此外，在仅打开阀654的情况下，加热部645对从N2供给源652供给的N2气体进行加热而生成热N2气体。
加热部655经阀656与中层喷嘴62连接，经阀657与上层喷嘴63连接。阀656、657与控制部71电连接，被控制部71进行开闭控制。
流量调节器658对供给至加热部655的气体的流量进行调节。例如，流量调节器658包括流量计、恒定流量阀、电动气动调节器等，通过对供给至电动气动调节器的气体(N2气体)等的压力进行调节，能够调节供给至加热部655的气体的流量。流量调节器658与控制部71电连接，被控制部71控制。
此处给出了具有对中层喷嘴62和上层喷嘴63供给IPA蒸气或热N2气体的第2供给系统65的情况的例子。并不限定于此，也可以为，气体释放部6包括对中层喷嘴62供给IPA蒸气或热N2气体的供给部和对上层喷嘴63供给IPA蒸气或热N2气体的供给部。
如图1所示，气体释放部6将喷嘴61～63各设置例如2个。2个下层喷嘴61左右对称地设置在位于与多个晶片W的排列方向正交的方向(X轴方向)的干燥室3的侧面。2个中层喷嘴62和2个上层喷嘴63也是一样的。
喷嘴61～63中，下层喷嘴61配置在贮存槽21所贮存的处理液的液面的附近。具体而言，配置在比多个晶片W的上半部分从处理液的液面完全露出时的多个晶片W的上端的高度位置低的位置。例如，中层喷嘴62和上层喷嘴63设置在干燥室3的主体部31，与此相对，下层喷嘴61设置在更靠近贮存槽21的干燥室3的遮挡部33。具体而言，下层喷嘴61例如设置于在遮挡部33的壳体332的下部形成的、与贮存槽21的上方区域连通的开口的边缘部。
2个下层喷嘴61和2个中层喷嘴62向着多个晶片W水平地释放IPA蒸气或热N2气体。2个上层喷嘴63向着多个晶片W向斜上方释放IPA蒸气或热N2气体。
(控制装置7)
控制装置7例如是计算机，包括控制部71和存储部72。存储部72例如由RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件、或者硬盘、光盘等存储装置实现，存储控制基片处理装置1中执行的各种处理的程序。控制部71包括具有CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微型计算机和各种电路，通过读取并执行存储部72中存储的程序来控制基片处理装置1的动作。
另外，该程序也可以记录于计算机可读取的存储介质中，从该存储介质安装至控制装置7的存储部72。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
＜基片处理装置的具体的动作＞
接着，参照图3～图13，说明实施方式的基片处理装置1的具体的动作。图3是表示实施方式的基片处理装置1执行的处理的顺序的一例的流程图。图4是表示送入处理的动作例的图，图5是表示液处理的动作例的图，图6是表示提升前处理的动作例的图，图7和图8是表示提升处理的动作例的图。图9～图12是表示与多个晶片的上升相应地改变IPA蒸气的释放流量的情形的一例的图。图13是表示提升后处理的动作例的图，图14是表示实施方式的送出处理的动作例的图，图15和图16是表示实施方式的贮存处理的动作例的图。
在图5～图16中，从喷嘴61～63延伸的箭头中，从喷嘴61～63延伸的箭头中，空心的箭头表示从喷嘴61～63释放热N2气体，实心的箭头表示从喷嘴61～63释放IPA蒸气。
如图3所示，在基片处理装置1中，进行将多个晶片W送入贮存槽21的送入处理(步骤S101)。具体而言，控制部71控制运送多个晶片W的未图示的基片运送装置，将多个晶片W交接到保持部4的保持体41(参照图4)。之后，控制部71控制移动机构5等使盖部32和轴42下降。由此，干燥室3的主体部31的上部开口被盖部32关闭，干燥室3成为密闭状态。
接着，在基片处理装置1中，进行利用处理液处理多个晶片W的液处理(步骤S102)。具体而言，控制部71控制移动机构5使轴42下降，由此使多个晶片W浸渍于贮存槽21所贮存的处理液(参照图5)。由此，多个晶片W被处理液处理。此处，对多个晶片W进行利用去离子水的冲洗处理。
控制部71在液处理中通过控制第1供给系统64和第2供给系统65，从喷嘴61～63向干燥室3内释放热N2气体。由此，能够将干燥室3内的氧从排气口311排出。此外，能够在后续的干燥处理之前对喷嘴61～63进行预热。
接着，在基片处理装置1中，进行使多个晶片W干燥的干燥处理。具体而言，作为干燥处理进行提升前处理(步骤S103)、提升处理(步骤S104)和提升后处理(步骤S105)。
首先，在步骤S103的提升前处理中，控制部71通过控制第1供给系统64，使从下层喷嘴61释放的气体从热N2气体切换为IPA蒸气(参照图6)。由此，通过从下层喷嘴61释放IPA蒸气，能够在贮存槽21所贮存的处理液的液面形成IPA的液膜。
接着，进行提升处理(步骤S104)。在提升处理中，控制部71控制移动机构5使轴42上升。由此，多个晶片W开始从处理液的液面露出(参照图7)。如上所述，下层喷嘴61配置在贮存槽21所贮存的处理液的液面的附近。因此，下层喷嘴61能够在多个晶片W从处理液的液面露出后立刻对多个晶片W供给IPA蒸气。此外，由于在提升前处理中已经开始IPA蒸气的释放，所以能够对从处理液的液面刚露出后的多个晶片W可靠地供给IPA蒸气。通过使IPA蒸气接触多个晶片W的表面，附着在多个晶片W的表面上的处理液被置换成IPA。
这里，在现有技术中，预先使干燥室为充满了IPA蒸气的状态，通过将液处理后的晶片提升至由IPA蒸气充满了的干燥室，将附着在晶片上的处理液置换成IPA。但是，近年来，随着图案的微小化和高深宽比化，直至完成晶片的提升为止的期间，图案发生倒塌的可能性变高。
而在基片处理装置1中，在处理液的液面的附近配置下层喷嘴61，对刚从处理液的液面露出后的晶片W立刻从下层喷嘴61供给IPA蒸气。因此，在液处理结束后，在直至完成多个晶片W的提升为止的期间，能够抑制图案发生倒塌。
此外，IPA蒸气通过与晶片W的表面接触而被冷却。由此，在晶片W的表面发生IPA蒸气的冷凝，在晶片W的表面吸附液体状的IPA，附着在晶片W的表面的处理液被置换成IPA。这样，为了将附着在晶片W的表面上的处理液置换成IPA，优选IPA蒸气与晶片W的温度差较大。另一方面，由于干燥室3内的温度比处理液的温度高，因此多个晶片W通过从处理液提升而使温度上升。即，IPA蒸气与晶片W的温度差逐渐变小。
而在基片处理装置1中，由于对于刚从处理液的液面露出后的晶片W立刻从下层喷嘴61供给IPA蒸气，因此能够对更接近处理液的温度的状态的晶片W供给高温的IPA蒸气。因此，能够将附着在晶片W的表面上的处理液高效地置换成IPA。实施方式的基片处理装置1由于具有将供给至贮存槽21的处理液冷却的冷却部244，因此例如与使用室温程度的处理液的情况相比，能够使IPA蒸气与晶片W的温度差更大。
在现有技术中，通过从设置在干燥室内的喷嘴朝向干燥室的顶部释放IPA蒸气，使干燥室整体充満IPA蒸气。而在基片处理装置1中，对多个晶片W直接供给IPA蒸气。因此，与现有技术相比，能够提高对晶片W供给IPA蒸气的供给效率。换言之，能够减少IPA蒸气的消耗量。
进而，在基片处理装置1中，通过提升前处理在处理液的液面形成IPA的液膜，在提升处理中从处理液提升晶片W的过程中，能够使处于处理液的液面的IPA附着在晶片W的表面。由此，能够减少残留在晶片W的表面的处理液的量，因此与不进行提升前处理的情况相比，能够提高从处理液置换为IPA的置换效率。
多个晶片W随着由移动机构5进行的提升，从上部起依次从处理液的液面露出。因此，从下层喷嘴61释放的IPA蒸气，从上部其被依次供给至多个晶片W。然后，如图8所示，在多个晶片W全部从处理液的液面露出时，成为从下层喷嘴61释放的IPA蒸气被供给至多个晶片W整体的状态，即，处理液与IPA的置换完成了的状态。
晶片W是圆形，以垂直姿态被提升。因此，每单位时间从处理液的液面露出的晶片W的板面的面积，在直至晶片W的上半部分从液面露出为止的期间增加，之后减少。因此，当假设从下层喷嘴61以固定的释放流量释放IPA蒸气时，例如，在每单位时间从处理液的液面露出的晶片W的板面的面积变小时，存在对晶片W供给需要量以上的IPA蒸气的问题。
于是，在实施方式的基片处理装置1中，使下层喷嘴61释放IPA蒸气的释放流量随着多个晶片W的上升而变化。
具体而言，如图9和图10所示，控制部71控制第1供给系统64，多个晶片W开始从液面露出起至多个晶片W的上半部分露出结束为止的期间，IPA蒸气的释放流量随着多个晶片W的上升而增加。
之后，如图11和图12所示，控制部71控制第1供给系统64，多个晶片W的下半部分开始从液面露出起至多个晶片W全部露出结束为止的期间，使IPA蒸气的释放流量随着多个晶片W的上升而减少。
这样，通过使来自下层喷嘴61的IPA蒸气的释放流量随着多个晶片W的上升而变化，能够使每单位面积的IPA蒸气的供给量均匀。因此，能够提高处理液与IPA的置换效率。
控制部71例如能够基于来自设置在保持部4或移动机构5的编码器等位置检测部的输出信号检测多个晶片W的高度位置。控制部71使来自下层喷嘴61的IPA蒸气的释放流量随着检测到的多个晶片W的高度位置而变化。控制部71也可以基于从开始提升多个晶片W的高度位置的提升处理起的开始时间与作为已知值的多个晶片W的提升速度计算多个晶片W的高度位置。
接着，进行提升后处理(步骤S105)。在提升后处理中，控制部71通过控制遮挡部33使遮挡门331移动，使遮挡门331配置在关闭干燥室3的主体部31的下部开口的位置。由此，成为干燥室3被盖部32和遮挡门331密闭的状态(参照图13)。此外，控制部71控制第2供给系统65，从上层喷嘴63释放热N2气体。由此促使在多个晶片W的表面残存的IPA挥发而使得多个晶片W干燥。
另外，在提升后处理中，控制部71通过控制排液机构25将阀253打开，将处理液从贮存槽21排出。此时，控制部71控制第1供给系统64，从下层喷嘴61释放热N2气体。
接着，在基片处理装置1中，进行送出处理(步骤S106)。在送出处理中，控制部71控制第2供给系统65，以停止从上层喷嘴63释放热N2气体。此外，控制部71控制移动机构5等，使盖部32和保持部4上升(图14参照)。之后，控制部71控制未图示的基片运送装置，以将多个晶片W从保持体41交接到基片运送装置。
接着，在基片处理装置1中，进行贮存处理(步骤S107)。在贮存处理中，控制部71通过控制移动机构5等使盖部32和保持部4下降，将干燥室3密闭。此外，控制部71控制第1供给系统64和第2供给系统65，从喷嘴61～63释放热N2气体(参照图15)。然后，控制部71通过控制液释放部24将阀245打开，以对贮存槽21供给处理液。由此，处理液被贮存在贮存槽21中(参照图16)。当贮存处理结束时，控制部71结束一系列的基片处理。
(其他实施方式)
在上述的实施方式中，对下层喷嘴61水平地释放IPA蒸气的情况的例子进行了说明，但是下层喷嘴61也可以向斜下方释放IPA蒸气。通过从下层喷嘴61向斜下方释放IPA蒸气，能够对从处理液的液面露出了的多个晶片W更早地供给IPA蒸气。此外，通过从下层喷嘴61向斜下方释放IPA蒸气，在提升前处理中，能够在处理液的液面以良好的效率形成IPA的液膜。
此外，在上述的实施方式中，对在提升处理中，从中层喷嘴62和上层喷嘴63释放热N2气体的情况的例子进行了说明，但是控制部71也可以在提升处理中从中层喷嘴62和上层喷嘴63释放IPA蒸气。
例如，控制部71在多个晶片W上升至从中层喷嘴62释放的热N2气体被供给至多个晶片W的上端部的位置的情况下，控制第2供给系统65将来自中层喷嘴62的气体从热N2气体切换至IPA蒸气。此时，控制部71既可以停止从上层喷嘴63释放热N2气体，也可以与中层喷嘴62一起从上层喷嘴63释放IPA蒸气。
这样，通过在多个晶片W的上升的同时使IPA蒸气的释放位置上升，能够一直持续地从晶片W的附近释放IPA蒸气。因此，能够以良好的效率对正在提升的晶片W供给IPA蒸气。
如上所述，实施方式的基片处理装置(一例是基片处理装置1)包括液处理槽(一例是液处理槽2)、移动机构(一例是移动机构5)、释放部(一例是气体释放部6)和控制部(一例是控制装置7)。液处理槽贮存处理液(一例是去离子水)。移动机构使浸渍于液处理槽中的多个基片(一例是晶片W)移动至比处理液的液面靠上方的位置。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂(一例是IPA)的蒸气。控制部使释放部释放有机溶剂的蒸气的释放流量随着多个基片的上升而变化。
由此，能够使对多个基片供给的每单位面积的有机溶剂的蒸气的供给量均匀，因此能够提高处理液与有机溶剂的置换效率。
控制部(一例是控制装置7)也可以在多个基片开始从液面露出起至多个基片的上半部分从液面露出结束为止的期间，使释放部(一例是气体释放部6)释放有机溶剂的蒸气的释放流量随着多个基片的上升而增加，之后，使释放部释放蒸气的释放流量随着多个基片的上升而减少。由此，能够使对多个基片供给的每单位面积的有机溶剂的供给量均匀。
释放部也可以配置在比多个基片的上半部分从液面露出结束时的多个基片的上端的高度位置低的位置。这样，通过将释放部配置在处理液的液面的附近，能够在多个基片刚从处理液的液面露出后就对多个基片供给有机溶剂的蒸气。
释放部(一例是气体释放部6)也可以配置在移动机构(一例是移动机构5)使多个基片移动的移动路径的侧方，向着多个基片水平或向斜下方释放蒸气。由此，能够对从处理液的液面露出的多个基片迅速地供给有机溶剂的蒸气。
释放部(一例是气体释放部6)也可以包括多层配置的多个喷嘴(一例是下层喷嘴61、中层喷嘴62、上层喷嘴63)。由此，例如，通过与多个基片的上升相应地从配置在下层的喷嘴起依次(一例是，按下层喷嘴61、中层喷嘴62的顺序)开始释放有机溶剂的蒸气，能够一直从多个基片的附近持续释放有机溶剂的蒸气。因此，能够进一步提高处理液与有机溶剂的置换效率。
释放部(一例是气体释放部6)也可以在多个基片从处理液的液面露出之前开始进行有机溶剂的蒸气的释放。由此，在多个基片从处理液的液面露出之前，能够在处理液的液面形成有机溶剂的液膜。因此，之后在从处理液提升多个基片的过程中，能够使处理液的液面上存在的有机溶剂附着到基片的表面。由此，能够减少在基片的表面残存的处理液的量，因此能够提高从处理液到有机溶剂的置换效率。
实施方式的基片处理装置(一例是基片处理装置1)也可以包括冷却处理液的冷却部(一例是冷却部244)。由此，与不对处理液进行冷却的情况相比，能够使有机溶剂的蒸气与基片的温度差更大。因此，能够提高从处理液到有机溶剂的置换效率。
应当认为，本发明的实施方式在所有方面均为例示而不具有限定性。实际上，上述的实施方式能够以多种方式实现。此外，上述的实施方式也可以在不脱离所附的申请的范围及其主旨的情况下以各种各样的方式省略、置换、变更。

Claims (9)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
贮存处理液的液处理槽；
移动机构，其使浸渍于所述液处理槽中的多个基片移动至比所述处理液的液面靠上方的位置；
释放部，其向所述多个基片的从所述液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气；和
控制部，其使所述释放部释放所述蒸气的释放流量随着所述多个基片的上升而变化。
2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：
所述控制部，在所述多个基片从所述液面开始露出起至所述多个基片的上半部分从所述液面露出结束为止的期间，使所述释放部释放所述蒸气的释放流量随着所述多个基片的上升而增加，之后，使所述释放部释放所述蒸气的释放流量随着所述多个基片的上升而减小。
3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：
所述释放部配置在比所述多个基片的上半部分从所述液面露出结束时的所述多个基片的上端的高度位置低的位置。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述释放部配置在所述移动机构使所述多个基片移动的移动路径的侧方，向着所述多个基片水平或向斜下方地释放所述蒸气。
5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述释放部包括多层配置的多个喷嘴。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
所述释放部在所述多个基片从所述处理液的液面露出之前，开始所述蒸气的供给。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：
包括冷却所述处理液的冷却部。
8.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
液处理步骤，使多个基片浸渍于液处理槽所贮存的处理液；
移动步骤，在所述液处理步骤后，使所述多个基片移动至比所述处理液的液面靠上方的位置；和
释放步骤，在所述移动步骤中，向所述多个基片的从所述液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气，
所述释放步骤使所述蒸气的释放流量随着所述多个基片的上升而变化。
9.一种计算机可读取的存储介质，其存储有可在计算机上运行的用于控制基片处理装置的程序，所述存储介质的特征在于：
所述程序在运行时使计算机控制所述基片处理装置，以进行权利要求8记载的基片处理方法。
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