JPH10154687A - 洗浄装置及び洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被処理基板表面にウォーターマークが発生す
るのを極力抑えることができる洗浄装置及び洗浄方法を
提供。 【解決手段】 乾燥室４２においてＤＩＷで濯がれたウ
エハＷを冷却系で乾燥するようにしたので、例えばＩＰ
ＡとＤＩＷとウエハＷ表面のＳｉとの反応が鈍化してウ
エハ表面が酸化され難くなり、ウォーターマークの発生
を極力抑えることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハやＬＣＤ用ガラス基板等の被処理基板を薬液や濯ぎ液
等に浸漬して乾燥する洗浄装置及び洗浄方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えばＬＳＩ等の半導体デバイスの製造
工程における洗浄処理を例にとって説明すると、従来か
ら半導体ウエハ（以下、「ウエハ」という。）表面のパ
ーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネー
ションを除去するためには洗浄装置が使用されており、
その中でとりわけウエット洗浄装置は、上記のコンタミ
ネーションを効果的に除去できしかもバッチ処理が可能
でスループットが良好なため、幅広く普及している。

【０００３】かかるウエット洗浄装置においては、被洗
浄処理体であるウエハに対してアンモニア処理、フッ酸
処理、硫酸処理等の薬液洗浄処理、純水等による水洗洗
浄処理、イソプロピルアルコール（以下、「ＩＰＡ」い
う。）等による乾燥処理が行われるように構成されてお
り、例えば処理順に配列された処理槽、乾燥室にそれぞ
れ薬液、純水、ＩＰＡを供給するように構成し、例えば
５０枚単位でウエハを処理槽に順次浸漬し、乾燥してい
くバッチ処理方式が広く採用されている。

【０００４】しかしながら、各処理毎に処理槽や乾燥室
を設けることは、装置の大型化を招き、しかもウエハを
搬送する機会、すなわち大気に晒される機会が多いため
パーティクルが付着する可能性も高い。

【０００５】そのため、例えば特開昭６４−８１２３０
号公報や特開平６−３２６０７３号公報等においては、
処理槽と乾燥室とを一体化して薬液処理等と乾燥処理と
を同一チャンバー内で行う洗浄装置が提唱されている。
これらの洗浄装置は、要するに図２６に示すようにチャ
ンバー２００の下部２０１において薬液２０２等を貯留
してウエハＷを浸漬し、その後ウエハＷを引上げ、チャ
ンバー２００の上部２０３においてＩＰＡ等を使った乾
燥処理が行われるように構成されている。

【０００６】ところで、上述したＩＰＡによる乾燥処理
においては、上記の特開昭６４−８１２３０号公報や特
開平６−３２６０７３号公報に記載されているように、
ＩＰＡを加熱して沸騰させた処理蒸気を用いると共にチ
ャンバー内をヒータ等により加熱することで、ＩＰＡと
水との置換を促進し、乾燥をより急速に行うことが一般
的である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように加熱をしながら乾燥処理を行う場合には、ＩＰ
Ａと水との置換が促進される一方で、水とウエハ表面の
Ｓｉとの反応が促進してウエハ表面が酸化し、ウォータ
ーマークによる不良が発生するおそれがある。

【０００８】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理基板表面にウォーターマークが発生するのを
極力抑えることができる洗浄装置及び洗浄方法を提供す
ることを目的としている。

【０００９】また、本発明は、乾燥処理の際に薬液処理
による悪影響を受けることがない洗浄装置及び洗浄方法
を提供することを目的としている。

【００１０】本発明のさらなる目的は、設計の自由度が
高く、洗浄処理の最適化や装置のさらなる小形化等を図
ることができる洗浄装置及び洗浄方法を提供することに
ある。 本発明の別の目的は、より効率良く乾燥処理を
行うことができる洗浄装置及び洗浄方法を提供すること
にある。

【００１１】本発明の別の目的は、処理槽部と乾燥部を
分けることにより、処理液のミスト等が乾燥室に入るこ
とを防止し、安定的な乾燥性能が得られる洗浄装置及び
洗浄方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１によれば、被処理基板を濯ぎ液で濯ぐ濯ぎ
手段と、前記濯ぎ手段により濯がれた被処理基板を冷却
しながら乾燥する乾燥手段とを具備することを特徴とす
る、洗浄装置が提供される。

【００１３】請求項２によれば、被処理基板を濯ぎ液で
濯ぐ濯ぎ手段と、前記濯ぎ手段により濯がれた被処理基
板に対して有機溶剤と不活性ガスとの混合ガスを冷却し
た気体を吹き付ける吹付手段と、前記被処理基板に対し
て不活性ガスを含む冷却された気体を吹き付けて乾燥す
る乾燥手段と、前記乾燥手段により乾燥された被処理基
板に対して不活性ガスを含む常温の気体を吹き付けて常
温化する常温化手段とを具備することを特徴とする、洗
浄装置が提供される。

【００１４】請求項３によれば、被処理基板を濯ぎ液で
濯ぐ工程と、前記濯がれた被処理基板を冷却系で乾燥す
る工程とを具備することを特徴とする、洗浄方法が提供
される。

【００１５】請求項４によれば、被処理基板を濯ぎ液で
濯ぐ工程と、前記濯がれた被処理基板に対して有機溶剤
と不活性ガスとの混合ガスを冷却した気体を吹き付ける
工程と、前記混合ガスで乾燥された被処理基板に対して
不活性ガスを含む冷却された気体を吹き付けて乾燥する
工程と、前記不活性ガスで乾燥された被処理基板に対し
て不活性ガスを含む常温の気体を吹き付けて常温化する
工程とを具備することを特徴とする、洗浄方法が提供さ
れる。

【００１６】請求項５によれば、処理液を貯留し、貯留
した処理液に被処理基板が浸漬される処理槽と、前記処
理槽の上方に配置され、処理槽との間で被処理基板を移
送するための開閉自在な開口部が設けられた乾燥室と、
前記開口部を介して前記処理槽と前記乾燥室との間で被
処理基板を移送する移送手段と、前記乾燥室内に配置さ
れ、前記被処理基板に対して冷却された不活性ガスを含
んだ気体を吹き付ける気体吹付手段とを具備することを
特徴とする、洗浄装置が提供される。

【００１７】かかる場合に、請求項６に記載したよう
に、前記処理槽と前記乾燥室との間に配置され、処理槽
から乾燥室へ移送される被処理基板に対して冷却された
不活性ガスを含んだ気体を吹き付ける手段をさらに設け
てもよい。

【００１８】また、請求項７に記載したように、前記乾
燥室内に配置された冷却手段をさらに設けてもよい。

【００１９】また、請求項８に記載したように、前記気
体吹付手段が、前記被処理基板に対して冷却された不活
性ガスを含んだ気体を前記乾燥室内の上部よりダウンフ
ロー状態に吹き付けるものであって、前記気体吹付手段
より吹き出された不活性ガスを含んだ気体を前記乾燥室
内の下部に設けられた排出口より排出する気体排出手段
をさらに設けてもよい。この場合、請求項９に記載した
ように、前記排出口に連通し、前記気体吹付手段より吹
き出された冷却された不活性ガスを含んだ気体を前記乾
燥室内の下部より取り込むための複数の取り込み口を有
する整流手段をさらに設けてもよい。

【００２０】以上のように構成された洗浄装置におい
て、請求項１０に記載したように、前記処理槽に貯留さ
れる処理液が、脱気処理された濯ぎ液であることが好ま
しい。また、請求項１１に記載したように、前記処理槽
に貯留される処理液が、冷却された濯ぎ液であることが
好ましい。

【００２１】請求項１２によれば、処理液を貯留し、貯
留した処理液に被処理基板が浸漬される処理槽と、前記
処理槽の上方に配置され、処理槽との間で被処理基板を
移送するための開閉自在な開口部が設けられた乾燥室
と、前記開口部を介して前記処理槽と前記乾燥室との間
で被処理基板を移送する移送手段と、前記被処理基板に
対して有機溶剤と不活性ガスとの混合ガスを冷却した気
体を吹き付ける吹付手段と、前記被処理基板に対して不
活性ガスを含む冷却された気体を吹き付けて乾燥する乾
燥手段と、前記乾燥手段により乾燥された被処理基板に
対して不活性ガスを含む常温の気体を吹き付けて常温化
する常温化手段とを具備することを特徴とする、洗浄装
置が提供される。

【００２２】請求項１３によれば、（ａ）処理液が貯留
された処理槽に被処理基板を浸漬する工程と、（ｂ）前
記処理槽の上方に配置された乾燥室内へ開閉自在な開口
部を介して前記処理槽より被処理基板を移送する工程
と、（ｃ）前記乾燥室内へ被処理基板を移送した後に前
記開口部を閉じる工程と、（ｄ）前記乾燥室内へ移送さ
れた被処理基板に対して冷却された不活性ガスを含んだ
気体を吹き付ける工程とを具備することを特徴とする、
洗浄方法が提供される。

【００２３】請求項１４によれば、（ａ）処理液が貯留
された処理槽に被処理基板を浸漬する工程と、（ｂ）前
記処理槽の上方に配置された乾燥室内へ開閉自在な開口
部を介して前記処理槽より被処理基板を移送する工程
と、（ｃ）前記乾燥室内へ被処理基板を移送した後に前
記開口部を閉じる工程と、（ｄ）前記乾燥室内へ移送さ
れた被処理基板に対して有機溶剤と不活性ガスとの混合
ガスを冷却した気体を吹き付ける工程と、（ｅ）前記被
処理基板に対して不活性ガスを含む冷却された気体を吹
き付けて乾燥する工程と、（ｆ）前記不活性ガスで乾燥
された被処理基板に対して不活性ガスを含む常温の気体
を吹き付けて常温化する工程とを具備することを特徴と
する、洗浄方法が提供される。

【００２４】かかる場合に、請求項１３または１４に記
載したように、前記（ｂ）工程より前に、前記乾燥室内
を、予め稀薄で冷却した有機溶剤の雰囲気にしておくこ
とが好ましい。

【００２５】請求項１、３によれば、濯ぎ液で濯がれた
被処理基板を冷却系で乾燥するようにしたので、例えば
水とウエハ表面のＳｉとの反応が鈍化してウエハ表面が
酸化され難くなり、ウォーターマークの発生を極力抑え
ることができる。

【００２６】請求項２、４によれば、濯ぎ液で濯がれた
被処理基板を冷却系で乾燥するようにしたので、例えば
水とウエハ表面のＳｉとの反応が鈍化してウエハ表面が
酸化され難くなり、ウォーターマークの発生を極力抑え
ることができる。また、冷却した上記気混ガスにより被
処理基板をある程度濯ぎ液と置換した後、不活性ガスを
含む冷却した気体により濯ぎ液を吹き飛ばすように構成
したので、例えば水とウエハ表面のＳｉとの反応が鈍化
してウエハ表面が酸化され難くなり、ウォーターマーク
の発生を極力抑えることができる。なぜならば、不活性
ガスを含む冷却した気体は酸化を抑えることができるか
らである。さらに、乾燥された被処理基板に対して不活
性ガスを含む常温の気体を吹き付けて常温化しているの
で、被処理基板表面に水分が付着するのを防止できる。

【００２７】請求項５、１３によれば、濯ぎ液で濯がれ
た被処理基板に対して冷却された不活性ガスを含んだ気
体を吹き付けて乾燥するようにしたので、例えば水とウ
エハ表面のＳｉとの反応が鈍化してウエハ表面が酸化さ
れ難くなり、ウォーターマークの発生を極力抑えること
ができる。また、乾燥室と処理槽とをそれぞれ上下に分
離すると共に、乾燥室の空間と処理槽の空間とを開閉自
在な開口部により遮蔽可能としているので、乾燥処理の
際に薬液処理による悪影響を受けないようにすることが
できる。

【００２８】請求項６によれば、処理槽から乾燥室へ移
送される被処理基板に対して不活性ガスを含んだ気体を
吹き付ける手段が補助的に被処理基板を乾燥させる役割
を果たすので、より効率良く乾燥処理を行うことができ
る。しかも、不活性ガスを含んだ気体として冷却された
ものを用いているので、ウエハ表面が酸化され難くな
り、ウォーターマークの発生を極力抑えることができ
る。

【００２９】請求項７によれば、乾燥室内をより低温に
できるので、ウエハ表面がより酸化され難くなり、ウォ
ーターマークの発生を極力抑えることができる。

【００３０】請求項８によれば、ダウンフローの不活性
ガスを含んだ気体によって被処理基板表面の処理液を吹
き飛ばすことができるので、より効率良く乾燥処理を行
うことができる。

【００３１】請求項９によれば、整流手段によりダウン
フローの不活性ガスを含んだ気体を各被処理基板に均一
に流し込むことができ、より効率良く乾燥処理を行うこ
とができる。

【００３２】請求項１０によれば、処理槽に貯留される
処理液が脱気された濯ぎ液としたことで、例えば被処理
基板がＳｉからなるような場合に被処理基板表面が酸化
されるのを防止することがきる。

【００３３】請求項１１によれば、処理槽に貯留される
処理液が、冷却された濯ぎ液であるので、ウォーターマ
ークの発生を極力抑えつつより効率良く乾燥処理を行う
ことができる。

【００３４】請求項１２、１４によれば、濯ぎ液で濯が
れた被処理基板に対して冷却された不活性ガスを含んだ
気体を吹き付けて乾燥するようにしたので、例えば水と
ウエハ表面のＳｉとの反応が鈍化してウエハ表面が酸化
され難くなり、ウォーターマークの発生を極力抑えるこ
とができる。また、冷却した上記気混ガスにより被処理
基板をある程度濯ぎ液と置換した後、不活性ガスを含む
冷却した気体により濯ぎ液を吹き飛ばすように構成した
ので、例えば水とウエハ表面のＳｉとの反応が鈍化して
ウエハ表面が酸化され難くなり、ウォーターマークの発
生を極力抑えることができる。さらに、乾燥された被処
理基板に対して不活性ガスを含む常温の気体を吹き付け
て常温化しているので、被処理基板表面に霜が付着する
のを防止できる。また、乾燥室と処理槽とをそれぞれ上
下に分離すると共に、乾燥室の空間と処理槽の空間とを
開閉自在な開口部により遮蔽可能としているので、乾燥
処理の際に薬液処理による悪影響を受けることはない。
また、乾燥処理の時に次の処理槽での処理の準備がで
き、スループットの向上を図ることができる。また、乾
燥室と処理槽とをそれぞれ別個の条件下で設計すること
ができるので、設計の自由度が高く、洗浄処理の最適化
や装置のさらなる小形化等を図ることができる。さら
に、冷却された不活性ガスを含んだ気体を被処理基板に
吹き付けて被処理基板表面の処理液を吹き飛ばすように
構成したので、より効率良く乾燥処理を行うことができ
る。そして、被処理基板に吹き付けて乾燥を行う空間
は、処理槽の空間とは別個にされているので、かかる空
間をより小さくすることができ、より効率良く乾燥処理
を行うことができる。

【００３５】請求項１５によれば、乾燥室内を、被処理
基板が乾燥室に移送される以前にすでに稀薄で冷却した
有機溶剤の雰囲気にしているので、乾燥処理をより効率
良く行うことができる。しかも上記溶剤を稀薄な蒸気と
したので、上記溶剤が凝縮することはない。

【００３６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面も
基づいて説明すると、本実施形態は半導体ウエハ（以
下、「ウエハ」という。）の洗浄処理装置において適用
された例であり、まずその洗浄処理装置について説明す
ると、この洗浄処理装置１全体は、図１及び図２に示し
たように、洗浄処理前のウエハをキャリア単位で収容す
る搬入部２と、ウエハの洗浄処理が行われる洗浄処理部
３と、洗浄処理後のウエハをカセット単位で取り出すた
めの搬出部４の、３つのゾーンによって構成される。

【００３７】前記搬入部２には、洗浄処理前のウエハが
所定枚数、例えば２５枚収容されたキャリア５を待機さ
せる待機部６と、キャリア５からのウエハの取り出し、
オリフラ合わせ及び枚葉検出等を行うローダ部７が設け
られており、さらに外部から搬送ロボット等によって搬
入されるキャリア５の前記待機部６への搬送、及びこの
待機部６と前記ローダ部７との間で、キャリア５の搬送
を行うための搬送アーム８が設けられている。

【００３８】前記洗浄処理部３には、その前面側（図１
における手前側）に３つのウエハ搬送装置１１、１２、
１３が配置されており、またその背面側に隔壁を介して
薬液等の処理液を収容するタンクや各種の配管群等を収
容する配管領域１４が形成されている。

【００３９】一方、搬出部４には、洗浄処理部３で洗浄
処理されたウエハをキャリア５に収容するアンローダ部
１５と、洗浄処理後のウエハが収容されたキャリア５を
待機させる待機部１６と、アンローダ部１５と待機部１
６との間で、キャリア５の搬送を行うための搬送アーム
１７が設けられている。

【００４０】なお、洗浄処理装置１には、搬入部２で空
になったキャリア５を搬出部４に搬送するキャリア搬送
部１８が設けられている。キャリア搬送部１８は、洗浄
処理部３の上部に設けられたキャリアコンベア１９と、
搬入部２においてローダ部７から搬送アーム８によって
空のキャリア５を受け取りウエハの入ったキャリア及び
ウエハの入っていないキャリアをストックするキャリア
ストック２０と、搬出部４においてキャリアコンベア１
９から搬送アーム１７によって空のキャリア５を受け取
りアンローダ部１５に受け渡すキャリア受け渡し部（図
示せず。）とを備える。

【００４１】洗浄処理部３には、ローダ部７側から順
に、ウエハ搬送装置１１のウエハチャック２１を洗浄、
乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽２２、ウエハ表面の
有機汚染物、金属不純物、パーティクル等の不純物を薬
液、例えばＮＨ₄ ／Ｈ₂ Ｏ₂ ／Ｈ₂ Ｏ混合液によって洗
浄処理する薬液洗浄処理槽２３、薬液洗浄処理槽２３で
洗浄されたウエハを例えば純水によって洗浄する水洗洗
浄処理槽２４、ウエハ表面の金属汚染除去を薬液、例え
ばＨＣｌ／Ｈ₂ Ｏ₂ ／Ｈ₂ Ｏ混合液によって洗浄処理す
る薬液洗浄処理槽２５、薬液洗浄処理槽２５で洗浄され
たウエハを例えば純水によって洗浄する水洗洗浄処理槽
２６、ウエハ表面の酸化膜除去を薬液、例えばＨＦ／Ｈ
₂ Ｏ混合液によって洗浄処理すると共に、洗浄されたウ
エハを濯ぎ液、例えば純水によって洗浄し、さらに濯ぎ
洗浄されたウエハの乾燥処理を行う本発明に係る洗浄装
置２７、ウエハ搬送装置１３のウエハチャック（図示せ
ず。）を洗浄、乾燥するチャック洗浄・乾燥処理槽２８
がそれぞれ配置されている。

【００４２】なお、ローダ部７とチャック洗浄・乾燥処
理槽２２との間、水洗洗浄処理槽２４と薬液洗浄処理槽
２５との間、水洗洗浄処理槽２６と洗浄装置２７との
間、チャック洗浄・乾燥処理槽２８とアンローダ部１５
との間には、それぞれこれらの間を仕切る仕切り板２
９、３０、３１、３２が設けられている。仕切る仕切り
板２９、３０、３１、３２は、例えばウエハ受け渡しの
際にそれぞれ図示を省略した駆動機構によって上下に開
閉するようになっている。これにより隣接する空間への
薬液の雰囲気の拡散を防止することができる。

【００４３】本発明に係る洗浄装置２７の構成を図３〜
図１１に基づいて説明すると、この洗浄装置２７は、処
理液、例えばＨＦ／Ｈ₂ Ｏ混合液等の薬液や純水等の濯
ぎ液を貯留し、貯留した処理液に被処理基板としてのウ
エハＷが浸漬される処理槽としての洗浄槽４１と、前記
洗浄槽４１の上方に配置され、洗浄槽４１から移送され
たウエハＷの乾燥処理を行う円筒形状の乾燥室４２とを
備える。

【００４４】上記洗浄槽４１は、後述するウエハガイド
４３と共にウエハガイド４３に保持された例えば５０枚
のウエハＷを収容する。洗浄槽４１の底部の両側には、
収容した各ウエハＷに向けて処理液を噴射するノズル４
４、４５が設けられている。なお、ノズル４４、４５
は、それぞれウエハＷの配列方向に沿って例えば隣接す
るウエハＷ間の間隔と同一のピッチで設けられた噴出穴
を有するパイプにより構成することができる。ノズル４
４、４５には、切換弁４６の切換えにより図１及び図２
に示した配管領域１４よりＨＦ／Ｈ₂ Ｏ混合液等の薬液
や冷却された純水（ＤＩＷ：deionized water ）等の濯
ぎ液のうち一方が供給されるようになっている。切換弁
４６の切換制御は、例えば図示を省略した制御部によっ
て所定のタイミングで行われる。なお、濯ぎ液として
は、ウエハＷの酸化防止のために、脱気したＤＩＷを用
いた方がよい。

【００４５】また、上記洗浄槽４１の周囲には、洗浄槽
４１から溢れた処理液を回収するための回収槽４７が設
けられている。回収槽４７で回収された処理液は、切換
弁４８、ポンプ４９、フィルタ５０、切換弁５１を介し
てノズル４４、４５に循環されるようになっている。切
換弁４８は、回収槽４７で回収された処理液を上記の如
く循環させるか排出するかを切換える。切換弁５１は、
回収槽４７で回収された処理液を上記の如く循環させる
か冷却器５５で０℃〜常温、より好ましくは５℃程度の
温度に冷却されたＤＩＷをノズル４４、４５に供給する
かを切換える。なお、ポンプ４９とフィルタ５０との間
にはダンパー５２が設けられている。また洗浄槽４１の
最下部には、処理液を排出するための排出口５３が設け
られており、切換弁５４によって処理液を排出口５３よ
り排出するかどうかの切換が行われる。

【００４６】一方、乾燥室４２の上部及び下部には、そ
れぞれウエハＷの受け渡しを行うための例えば矩形の開
口部６１、６２が設けられており、上部の開口部６１に
は蓋６３が配置され、下部の開口部６２にはスライド扉
機構６４が設けられている。蓋６３はＰＶＣ（ポリ塩化
ビニル）やＰＰ（ポリプロピレン）等の樹脂からなり、
図５に示すように内外共に円筒を縦方向に切断した形状
をなしている。これにより、蓋６３により塞がれた乾燥
室４２の内側を円筒形状とし、後述するウエハＷに吹き
付けられる窒素ガス等の気流が乱流になることを防止
し、各ウエハＷに対して均一に窒素ガス等が吹き付けら
れるようにしている。また、図６に示すように、開口部
６１の周囲に沿ってＯリング６５が配置され、開口部６
１を蓋６３で塞いだ際の密閉性が高められている。

【００４７】また、乾燥室４２の近傍には、蓋６３を開
閉駆動する蓋駆動部６６が設けられている。蓋駆動部６
６は、図７に示すように、蓋６３を先端に固定する回転
アーム６７を回転駆動するシリンダ６８と、これらの蓋
６３及びこれらの回転機構を上下動するシリンダ６９と
を備える。蓋駆動部６６は、開口部６１を塞ぐ蓋６３を
まず上方向に移動し（図７）、この後蓋６３を開口部
６１より外れた位置に回転移動し（図７）、その蓋６
３を下方向に移動する（図７）。開口部６１を蓋６３
で塞ぐときにはこの逆の動作を行う（図７→→
）。

【００４８】スライド扉機構６４は、図８に示すように
洗浄槽４１と乾燥室４２との間に配置された矩形のフラ
ンジ７０と、フランジ７０に設けられた開口部７１より
挿抜されてフランジ７０内を開閉するスライド扉７２
と、スライド扉７２を挿抜駆動するシリンダ７３とを備
える。スライド扉７２は、蓋６３と同様にＰＶＣ（ポリ
塩化ビニル）やＰＰ（ポリプロピレン）等の樹脂からな
り、開口部６２とほぼ同じ形状の矩形をなしている。

【００４９】ウエハガイド４３は、図９に示すように支
持部材７４の下端に、例えば５０枚のウエハＷを保持す
るウエハ保持部７５を設けてなる。ウエハ保持部７５
は、中央下端部に架設される中央保持棒７６と左右両側
端部に互いに平行に架設される２本の側部保持棒７７、
７８とをこれらの両端で固定してなるもので、一端は支
持部材７４の下端に固定され、他端は固定部部材７９で
固定される。中央保持棒７６及び側部保持棒７７、７８
には、それぞれ長手方向に所定の間隔をおいて複数個例
えば５０個のウエハ保持溝８０、８０…が設けられてい
る。ウエハガイド４３は、耐食性、耐熱性及び耐強度性
に優れた材質、例えばＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテル
ケトン）やＱｚ等からなる。

【００５０】また、ウエハガイド４３の上端部には、ガ
イド上下棒８１が固定されている。このガイド上下棒８
１は、図４及び図５に示すように乾燥室４２の上部に設
けられた孔８２に介して外側に上下動可能に突き出てい
る。ガイド上下棒８１の上端は、乾燥室４２の背後に設
けられたウエハガイドＺ軸機構８３に接続されている。
ウエハガイドＺ軸機構８３は、ガイド上下棒８１を上下
動することで下部の開口部６２を介し洗浄槽４１と乾燥
室４２との間でウエハガイド４３に保持されたウエハＷ
を移送する。また、図４に示すようにこの洗浄装置２７
の正面には、図２に示したウエハ搬送装置１３が配置さ
れている。ウエハ搬送装置１３に設けられたウエハチャ
ック８４は、図９に示すように隣接する水洗洗浄処理槽
２６から例えば５０枚のウエハＷを受け取り、乾燥室４
２内のウエハガイド４３に受け渡し、また乾燥室４２内
のウエハガイド４３から例えば５０枚のウエハＷを受け
取り、搬出部４のアンローダ部１５に受け渡す。

【００５１】図３及び図１０に示すように、乾燥室４２
内の上部の両側には、乾燥室４２内でウエハガイド４３
に保持されたウエハＷに対して冷却された窒素ガス等を
ダウンフローに吹き付けるノズル８５、８６が設けられ
ている。ノズル８５、８６は、それぞれウエハＷの配列
方向に沿って例えば隣接するウエハＷ間の間隔と同一の
ピッチで設けられた噴出穴８７を有するパイプ８８によ
り構成することができる。ノズル４４、４５には、ＩＰ
Ａ蒸発器８９より制御弁９０及びフィルタ９１を介して
０℃〜常温、より好ましくは５℃程度の温度に冷却され
たＩＰＡと窒素との混合ガスが供給されるようになって
いる。ここで「常温」とは環境温度、例えばクリーンル
ームの温度をいい、具体的には２３℃がこれに該当す
る。

【００５２】ＩＰＡ蒸発器８９には、窒素冷却器９２及
び制御弁９３を介して冷却した窒素が供給され、ＩＰＡ
タンク９４より制御弁９５を介してＩＰＡが供給される
ようになっている。ＩＰＡタンク９４には、制御弁９６
を介して窒素が補充され、制御弁９７を介してＩＰＡが
補充されるようになっている。これら制御弁の制御は、
図示を省略した制御部によって行われるようになってい
る。

【００５３】一方、図３及び図１０に示すように、乾燥
室４２内の下部の両側には、ノズル８５、８６より吹き
出された窒素ガス等を排出するための排出口９８、９９
が設けられている。排出口９８、９９が図示を省略した
排気ポンプに接続されている。また、排出口９８、９９
には、ノズル８５、８６より吹き出された窒素ガス等を
乾燥室４２内の下部の各部より均一に取り込むための複
数の取り込み口１００、１００…を有する整流手段とし
ての整流板１０１、１０２がそれぞれ連通している。こ
れにより、図１１に示すように、各ノズル８５、８６の
各噴出穴８７より吹き出された窒素ガス等は、同図点線
の如く各ウエハＷの表面を通り、各整流板１０１、１０
２の取り込み口１００より取り込まれる。すなわち、窒
素ガス等の流れに乱流が生じることがなくなる。なお、
乾燥室４２内の下部には、液体を排出する排出口（図示
せず。）が設けられている。

【００５４】また、図３に示すように、乾燥室４２内の
中部両側には、一対のパネルクーラ１０３、１０４が設
けられている。これらのパネルクーラ１０３、１０４に
は、パネルコントローラ１０５が接続され、温度コント
ロールが行われるようになっている。これにより、乾燥
室４２内は例えば０℃〜常温、より好ましくは５℃程度
の温度にコントロールされる。

【００５５】また、図３に示すように、洗浄槽４１と乾
燥室４２との間、例えば洗浄槽４１の液面より上部の両
側には、洗浄槽４１から乾燥室４２へ移送されるウエハ
Ｗに対して例えばＩＰＡと窒素の混合ガスを吹き付ける
ノズル１０６、１０７が設けられている。これらのノズ
ル１０６、１０７も上述したノズル８５、８６とほぼ同
様の構成とされている。ノズル１０６、１０７には、冷
却器１０８及び制御弁１０９を介して０℃〜常温、より
好ましくは５℃程度の温度に冷却されたＩＰＡと窒素が
供給されるようになっている。そのため、窒素ガスとＩ
ＰＡの混合ガスとしてノズル１０６、１０７から噴霧し
て供給し、洗浄槽４１の液面より上部の空間に窒素及び
ＩＰＡの混合気体の雰囲気を形成することができる。

【００５６】また、同様に窒素ガスとＩＰＡの混合ガス
としてノズル１０６、１０７から噴霧して滴下させ洗浄
槽４１の液面表面にＩＰＡ膜を形成することも可能であ
る。次に、以上のように構成された洗浄装置２７の動作
を図１２に示す処理フローに基づき説明する。なお、以
下の動作制御は、例えば図示を省略した制御部によって
行われる。

【００５７】まず、乾燥室４２下部のスライド扉７２を
閉じた状態で、乾燥室４２上部の蓋６３を開ける（ステ
ップ１２０１、図１３）。この状態で窒素ガスを供給
し、乾燥室４２内を窒素ガスでパージする。なお、この
窒素ガスによるパージは上気蓋６３を開ける前に行なっ
ても良い。

【００５８】次に、ウエハチャック８４が乾燥室４２内
に降下し、乾燥室４２内のウエハガイド４３にウエハＷ
を受け渡す（ステップ１２０２、図１４）。次に、乾燥
室４２上部の蓋６３を閉じて、乾燥室４２下部のスライ
ド扉７２を開ける（ステップ１２０３、図１５）。そし
て、ウエハＷが保持されたウエハガイド４３を下降し、
ウエハＷを洗浄槽４１内に移送し（ステップ１２０４、
図１６）、乾燥室４２下部のスライド扉７２を閉じる
（ステップ１２０５、図１７）。

【００５９】この後、洗浄層４１内では、ＨＦ／Ｈ₂ Ｏ
混合液をノズル４４、４５より噴出してＨＦ／Ｈ₂ Ｏ混
合液を貯留し、貯留したＨＦ／Ｈ₂ Ｏ混合液にウエハＷ
に浸漬して薬液による洗浄を行う（ステップ１２０６、
図１８）。

【００６０】なお、この実施形態ではウエハＷを洗浄槽
４１内に移送してからＨＦ／Ｈ₂ Ｏ混合液を洗浄層４１
内に供給する構成としたが、これ以外の方法として、予
め洗浄槽４１内をＨＦ／Ｈ₂ Ｏ混合液で満しておいて、
この中にウエハＷを洗浄槽４１内に移送する方法も採用
可能である。このとき、上気いずれの方法においても、
ノズル４４、４５より噴出されたＨＦ／Ｈ₂ Ｏ混合液
は、洗浄層４１内においてウエハＷに向かう対流を形成
し、薬液洗浄を促進する。

【００６１】次いで、ＨＦ／Ｈ₂ Ｏ混合液を排出し、そ
の後冷却されたＤＩＷをノズル４４、４５より噴出し、
濯ぎ処理を行う（ステップ１２０７、図１８）。同様に
ノズル４４、４５より噴出されたＤＩＷは、洗浄層４１
内においてウエハＷに向かう対流を形成し、濯ぎ処理を
促進する。なお、ＨＦ／Ｈ₂ Ｏ混合液を排出することな
く、ＨＦ／Ｈ₂ Ｏ混合液を貯留した状態からそのままＤ
ＩＷを噴出し、徐々にＨＦ／Ｈ₂ Ｏ混合液を薄くするよ
うにしてもよい。一方、このような洗浄処理が行われて
いる間に、乾燥室４２内ではノズル８５、８６より冷却
されたＩＰＡが吹き出され、乾燥室４２内が稀薄なＩＰ
Ａ蒸気の雰囲気にされている（ステップ１２０８、図１
８）。

【００６２】その後、乾燥室４２下部のスライド扉７２
を開け（ステップ１２０９、図１９）、ウエハＷが保持
されたウエハガイド４３を上昇してウエハＷを乾燥室４
２内に移送する（ステップ１２１０、図２０、）。その
際、ノズル１０６、１０７から洗浄槽４１から乾燥室４
２へ移送されるウエハＷに対して冷却された窒素ガスま
たは窒素ガスとＩＰＡとの混合ガスが吹き付けられる。
次に、乾燥室４２下部のスライド扉７２を閉じ（ステッ
プ１２１１、図２１）、乾燥室４２内のウエハＷに対し
てノズル８５、８６から窒素ガス等がダウンフローに吹
き付けられる（ステップ１２１２〜１２１４、図２
２）。具体的には、まずウエハＷに対して冷却されたＩ
ＰＡと窒素の混合ガスが吹き付けられ（ステップ１２１
２）、冷却された窒素ガスが吹き付けられ（ステップ１
２１３）、最後に常温の窒素ガスが吹き付けられる（ス
テップ１２１４）。なお、冷却された窒素ガスの吹き付
け工程では、自然排気とされる。また、ステップ１２１
０においてウエハＷを乾燥室４２内に移送する以前より
ステップ１２１２におけるＩＰＡと窒素の混合ガスの吹
き出しを開始してもよい。

【００６３】しかる後に、乾燥室４２上部の蓋６３を開
け（ステップ１２１５、図２３）、ウエハチャック８４
が乾燥室４２内に降下して乾燥室４２内のウエハガイド
４３よりウエハＷを受け取り（ステップ１２１６、図２
４）、ウエハチャック８４が上昇してウエハＷを乾燥室
４２の外側に搬出する（ステップ１２１７、図２５）。
このように本実施形態に係る洗浄装置２７では、乾燥
室４２においてＤＩＷで濯がれたウエハＷを冷却系で乾
燥するようにしたので、例えばＤＩＷとウエハＷ表面の
Ｓｉとの反応が鈍化してウエハ表面が酸化され難くな
り、ウォーターマークの発生を極力抑えることができ
る。また、冷却したＩＰＡと窒素の混ガスによりウエハ
Ｗをある程度ＤＩＷと置換した後、冷却した窒素ガスに
よりウエハＷ表面のＤＩＷを吹き飛ばすように構成した
ので、例えばＤＩＷとウエハ表面のＳｉとの反応が鈍化
してウエハ表面が酸化され難くなり、ウォーターマーク
の発生を極力抑えることができる。さらに、乾燥された
ウエハＷに対して常温の窒素ガスを吹き付けて常温化し
ているので、ウエハＷ表面に霜が付着するのを防止で
き、これによってもウォーターマークの発生を抑えるこ
とができる。また、乾燥室４２と洗浄槽４１とをそれぞ
れ上下に分離すると共に、乾燥室４２の空間と洗浄槽４
１の空間とをスライド扉７２により遮蔽可能とし、それ
ぞれの処理をスライド扉７２により遮蔽して行うように
構成したので、乾燥室４２と洗浄槽４１との相互間で薬
液等による悪影響を及ぼし合うことはない。また、乾燥
室４２と洗浄槽４１とをそれぞれ別個の条件下で設計す
ることができるので、設計の自由度が高く、洗浄処理の
最適化や装置のさらなる小形化等を図ることができる。
例えば、乾燥室４２内にパネルクーラ１０３、１０４を
取り付けて乾燥室４２内を冷却して乾燥処理を不具合な
く行うようにすることも可能であるし、洗浄槽４２でウ
エハＷの洗浄を行っている際に乾燥室４２内をＩＰＡ蒸
気で置換しておいて乾燥処理を短時間で行うようにする
ことも可能である。また、処理槽と乾燥室とが同一の室
内で行われていた従来の洗浄装置に比べ乾燥室４２を小
形にできるので、より効率良く乾燥処理を行うことがで
きる。

【００６４】なお、本発明は上述した実施形態に限定さ
れることなく、その技術思想の範囲内で様々な変形が可
能である。

【００６５】例えば、上述した実施形態では、不活性ガ
スとして窒素を用いていたが、アルゴンやヘリウム等の
他の不活性ガスを用いることも可能である。

【００６６】また、上述した実施形態では、水溶性でか
つ被処理基板に対する純水の表面張力を低下させる作用
を有する有機溶剤としてＩＰＡを用いていたが、ＩＰＡ
等のアルコール類の他に、ジエチルケトン等のケトン類
やメチルエーテル、エチルエーテル等のエーテル類、エ
チレングリコール等の多価アルコール等の有機溶剤を用
いることが可能である。

【００６７】また、上述した実施形態では、洗浄装置２
７においてＨＦ／Ｈ₂ Ｏ混合液による薬液処理と純水に
よる濯ぎ処理と乾燥処理とを行うものであったが、少な
くとも乾燥処理とその他の１つ以上の処理を行うものが
本発明の技術的範囲に含まれるものである。その他の処
理とは、ＨＦ／Ｈ₂ Ｏ混合液による薬液処理、純水によ
る濯ぎ処理、ＮＨ₄ ／Ｈ₂ Ｏ₂ ／Ｈ₂ Ｏ混合液による薬
液処理、ＨＣｌ／Ｈ₂Ｏ₂ ／Ｈ₂ Ｏ混合液による薬液処
理等がある。従って、本発明に係る洗浄装置では、例え
ばＮＨ₄ ／Ｈ₂ Ｏ₂ ／Ｈ₂ Ｏ混合液による薬液処理とＨ
Ｃｌ／Ｈ₂ Ｏ₂／Ｈ₂ Ｏ混合液による薬液処理とＨＦ／
Ｈ₂ Ｏ混合液による薬液処理と純水による濯ぎ処理と乾
燥処理とを行うように構成しても勿論よい。

【００６８】また、上述した実施形態では、処理順に処
理槽を連接した洗浄処理装置に本発明に係る洗浄装置を
組み合わせた例を説明したが、本発明に係る洗浄装置を
スタンドアローンタイプの装置として用いることも可能
である。この場合、例えばローダ部とアンローダ部とを
兼ねた搬送部と本発明に係る洗浄装置とを連接して構成
することができる。

【００６９】また、被処理基板も半導体ウエハに限るも
のでなく、ＬＣＤ基板、ガラス基板、ＣＤ基板、フォト
マスク、プリント基板、セラミック基板等でも可能であ
る。

【００７０】

【発明の効果】以上詳述したように、請求項１によれ
ば、被処理基板を濯ぎ液で濯ぐ濯ぎ手段と、前記濯ぎ手
段により濯がれた被処理基板を冷却しながら乾燥する乾
燥手段とを具備したので、ウォーターマークの発生を極
力抑えることができる。

【００７１】請求項２によれば、被処理基板を濯ぎ液で
濯ぐ濯ぎ手段と、前記濯ぎ手段により濯がれた被処理基
板に対して有機溶剤と不活性ガスとの混合ガスを冷却し
た気体を吹き付ける吹付手段と、前記被処理基板に対し
て不活性ガスを含む冷却された気体を吹き付けて乾燥す
る乾燥手段と、前記乾燥手段により乾燥された被処理基
板に対して不活性ガスを含む常温の気体を吹き付けて常
温化する常温化手段とを具備したので、ウォーターマー
クの発生を極力抑えることができ、また被処理基板表面
に霜が付着するのを防止できる。

【００７２】請求項３によれば、被処理基板を濯ぎ液で
濯ぐ工程と、前記濯がれた被処理基板を冷却系で乾燥す
る工程とを具備したので、ウォーターマークの発生を極
力抑えることができる。

【００７３】請求項４によれば、被処理基板を濯ぎ液で
濯ぐ工程と、前記濯がれた被処理基板に対して有機溶剤
と不活性ガスとの混合ガスを冷却した気体を吹き付けて
乾燥する工程と、前記混合ガスで乾燥された被処理基板
に対して不活性ガスを含む冷却された気体を吹き付けて
乾燥する工程と、前記不活性ガスで乾燥された被処理基
板に対して不活性ガスを含む常温の気体を吹き付けて常
温化する工程とを具備したので、ウォーターマークの発
生を極力抑えることができ、また被処理基板表面に霜が
付着するのを防止できる。

【００７４】請求項５によれば、処理液を貯留し、貯留
した処理液に被処理基板が浸漬される処理槽と、前記処
理槽の上方に配置され、処理槽との間で被処理基板を移
送するための開閉自在な開口部が設けられた乾燥室と、
前記開口部を介して前記処理槽と前記乾燥室との間で被
処理基板を移送する移送手段と、前記乾燥室内に配置さ
れ、前記被処理基板に対して冷却された不活性ガスを吹
き付ける気体吹付手段とを具備したので、ウォーターマ
ークの発生を極力抑えることができ、乾燥処理の際に薬
液処理による悪影響を受けることはなく、また設計の自
由度が高く、洗浄処理の最適化や装置のさらなる小形化
等を図ることができ、さらにより効率良く乾燥処理を行
うことができる。

【００７５】請求項６によれば、前記処理槽と前記乾燥
室との間に配置され、処理槽から乾燥室へ移送される被
処理基板に対して冷却された不活性ガスを吹き付ける手
段をさらに具備したので、効率良く乾燥処理を行うこと
ができ、かつウエハ表面が酸化され難くなり、ウォータ
ーマークの発生を極力抑えることができる。

【００７６】請求項７によれば、前記乾燥室内に配置さ
れた冷却手段をさらに具備したので、ウォーターマーク
の発生を極力抑えることができる。

【００７７】請求項８によれば、前記気体吹付手段が、
前記被処理基板に対して冷却された不活性ガスを前記乾
燥室内の上部よりダウンフロー状態に吹き付けるもので
あって、前記気体吹付手段より吹き出された不活性ガス
を前記乾燥室内の下部に設けられた排出口より排出する
気体排出手段をさらに具備したので、より効率良く乾燥
処理を行うことができる。

【００７８】請求項９によれば、前記排出口に連通し、
前記気体吹付手段より吹き出された冷却された不活性ガ
スを前記乾燥室内の下部より取り込むための複数の取り
込み口を有する整流手段をさらに具備したので、より効
率良く乾燥処理を行うことができる。

【００７９】請求項１０によれば、前記処理槽に貯留さ
れる処理液が、脱気処理された濯ぎ液であるので、被処
理基板表面が酸化されるのを防止することがきる。

【００８０】請求項１１によれば、前記処理槽に貯留さ
れる処理液が、冷却された濯ぎ液であるので、ウォータ
ーマークの発生を極力抑えつつより効率良く乾燥処理を
行うことができる。

【００８１】請求項１２によれば、処理液を貯留し、貯
留した処理液に被処理基板が浸漬される処理槽と、前記
処理槽の上方に配置され、処理槽との間で被処理基板を
移送するための開閉自在な開口部が設けられた乾燥室
と、前記開口部を介して前記処理槽と前記乾燥室との間
で被処理基板を移送する移送手段と、前記処理槽から受
け渡された被処理基板に対して有機溶剤と不活性ガスと
の混合ガスを冷却した気体を吹き付ける吹付手段と、前
記被処理基板に対して不活性ガスを含む冷却された気体
を吹き付けて乾燥する乾燥手段と、前記乾燥手段により
乾燥された被処理基板に対して不活性ガスを含む常温の
気体を吹き付けて常温化する常温化手段とを具備したの
で、ウォーターマークの発生を極力抑えることができ、
被処理基板表面に霜が付着するのを防止でき、乾燥処理
の際に薬液処理による悪影響を受けることはなく、また
設計の自由度が高く、洗浄処理の最適化や装置のさらな
る小形化等を図ることができ、さらにより効率良く乾燥
処理を行うことができる。

【００８２】請求項１３によれば、（ａ）処理液が貯留
された処理槽に被処理基板を浸漬する工程と、（ｂ）前
記処理槽の上方に配置された乾燥室内へ開閉自在な開口
部を介して前記処理槽より被処理基板を移送する工程
と、（ｃ）前記乾燥室内へ被処理基板を移送した後に前
記開口部を閉じる工程と、（ｄ）前記乾燥室内へ移送さ
れた被処理基板に対して冷却された不活性ガスを吹き付
ける工程とを具備したので、ウォーターマークの発生を
極力抑えることができ、乾燥処理の際に薬液処理による
悪影響を受けることはなく、また設計の自由度が高く、
洗浄処理の最適化や装置のさらなる小形化等を図ること
ができ、さらにより効率良く乾燥処理を行うことができ
る。

【００８３】請求項１４によれば、（ａ）処理液が貯留
された処理槽に被処理基板を浸漬する工程と、（ｂ）前
記処理槽の上方に配置された乾燥室内へ開閉自在な開口
部を介して前記処理槽より被処理基板を移送する工程
と、（ｃ）前記乾燥室内へ被処理基板を移送した後に前
記開口部を閉じる工程と、（ｄ）前記乾燥室内へ移送さ
れた被処理基板に対して有機溶剤と不活性ガスとの混合
ガスを冷却した気体を吹き付ける工程と、（ｅ）前記被
処理基板に対して不活性ガスを含む冷却された気体を吹
き付けて乾燥する工程と、（ｆ）前記不活性ガスで乾燥
された被処理基板に対して不活性ガスを含む常温の気体
を吹き付けて常温化する工程とを具備したので、ウォー
ターマークの発生を極力抑えることができ、被処理基板
表面に霜が付着するのを防止でき、乾燥処理の際に薬液
処理による悪影響を受けることはなく、また設計の自由
度が高く、洗浄処理の最適化や装置のさらなる小形化等
を図ることができ、さらにより効率良く乾燥処理を行う
ことができる。

【００８４】請求項１５によれば、前記（ｂ）工程より
前に、前記乾燥室内を、稀薄で冷却した有機溶剤の雰囲
気にしておくので、乾燥処理をより効率良く行うことが
でき、しかも上記溶剤が凝縮することはない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る本実施形態は半導体
ウエハの洗浄処理装置の斜視図である。

【図２】図１に示した洗浄処理装置の平面図である。

【図３】図１の示した洗浄処理装置おける洗浄装置の縦
断正面図である。

【図４】図３に示した洗浄装置の縦断側面図である。

【図５】図３に示した洗浄装置の斜視図である。

【図６】図３に示した洗浄装置の上部の蓋の近傍を示す
斜視図である。

【図７】図３に示した洗浄装置の蓋駆動部の概略構成を
示す図である。

【図８】図３に示した洗浄装置のスライド扉機構を示す
斜視図である。

【図９】図３に示した洗浄装置のウエハガイドを示す斜
視図である。

【図１０】図３に示した洗浄装置のノズルと排出口を示
す斜視図である。

【図１１】図３に示した洗浄装置の整流板の作用を説明
するための図である。

【図１２】図３に示した洗浄装置の動作を処理フローで
ある。

【図１３】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１２のステップ１２０１に対応）。

【図１４】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１２のステップ１２０２に対応）。

【図１５】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１２のステップ１２０３に対応）。

【図１６】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１２のステップ１２０４に対応）。

【図１７】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１２のステップ１２０５に対応）。

【図１８】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１２のステップ１２０６〜１２０８に対応）。

【図１９】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１２のステップ１２０９に対応）。

【図２０】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１２のステップ１２１０に対応）。

【図２１】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１２のステップ１２１１に対応）。

【図２２】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１２のステップ１２１２〜１２１４に対応）。

【図２３】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１２のステップ１２１５に対応）。

【図２４】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１２のステップ１２１６に対応）。

【図２５】図３に示した洗浄装置の動作を示す概略図で
ある（図１２のステップ１２１７に対応）。

【図２６】従来の洗浄装置を示す概略図である。

【符号の説明】

２７ 洗浄装置 ４１ 洗浄槽 ４２ 乾燥室 ４３ ウエハガイド ４４、４５ ノズル ６１ 乾燥室上部の開口部 ６２ 乾燥室下部の開口部 ６３ 蓋 ６４ スライド扉機構 ６６ 蓋駆動部 ７２ スライド扉 ８５、８６ ノズル ９８、９９ 排出口 １０１、１０２ 整流板 １０３、１０４ パネルクーラ １０６、１０７ ノズル

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板を濯ぎ液で濯ぐ濯ぎ手段と、 前記濯ぎ手段により濯がれた被処理基板を冷却しながら
   乾燥する乾燥手段とを具備することを特徴とする洗浄装
   置。
2. 【請求項２】 被処理基板を濯ぎ液で濯ぐ濯ぎ手段と、 前記濯ぎ手段により濯がれた被処理基板に対して有機溶
   剤と不活性ガスとの混合ガスを冷却した気体を吹き付け
   る吹付手段と、 前記被処理基板に対して不活性ガスを含む冷却された気
   体を吹き付けて乾燥する乾燥手段と、 前記乾燥手段により乾燥された被処理基板に対して不活
   性ガスを含む常温の気体を吹き付けて常温化する常温化
   手段とを具備することを特徴とする洗浄装置。
3. 【請求項３】 被処理基板を濯ぎ液で濯ぐ工程と、 前記濯がれた被処理基板を冷却系で乾燥する工程とを具
   備することを特徴とする洗浄方法。
4. 【請求項４】 被処理基板を濯ぎ液で濯ぐ工程と、 前記濯がれた被処理基板に対して有機溶剤と不活性ガス
   との混合ガスを冷却した気体を吹き付ける工程と、 前記被処理基板に対して不活性ガスを含む冷却された気
   体を吹き付けて乾燥する工程と、 前記不活性ガスで乾燥された被処理基板に対して不活性
   ガスを含む常温の気体を吹き付けて常温化する工程とを
   具備することを特徴とする洗浄方法。
5. 【請求項５】 処理液を貯留し、貯留した処理液に被処
   理基板が浸漬される処理槽と、 前記処理槽の上方に配置され、処理槽との間で被処理基
   板を移送するための開閉自在な開口部が設けられた乾燥
   室と、 前記開口部を介して前記処理槽と前記乾燥室との間で被
   処理基板を移送する移送手段と、 前記乾燥室内に配置され、前記被処理基板に対して冷却
   された不活性ガスを含んだ気体を吹き付ける気体吹付手
   段とを具備することを特徴とする洗浄装置。
6. 【請求項６】 請求項５記載の洗浄装置において、 前記処理槽と前記乾燥室との間に配置され、処理槽から
   乾燥室へ移送される被処理基板に対して冷却された不活
   性ガスを含んだ気体を吹き付ける手段をさらに具備する
   ことを特徴とする洗浄装置。
7. 【請求項７】 請求項５記載の洗浄装置において、 前記乾燥室内に配置された冷却手段をさらに具備するこ
   とを特徴とする洗浄装置。
8. 【請求項８】 請求項５記載の洗浄装置において、 前記気体吹付手段が、前記被処理基板に対して冷却され
   た不活性ガスを含んだ気体を前記乾燥室内の上部よりダ
   ウンフロー状態に吹き付けるものであって、前記気体吹
   付手段より吹き出された不活性ガスを含んだ気体を前記
   乾燥室内の下部に設けられた排出口より排出する気体排
   出手段をさらに具備することを特徴とする洗浄装置。
9. 【請求項９】 請求項８記載の洗浄装置において、 前記排出口に連通し、前記気体吹付手段より吹き出され
   た冷却された不活性ガスを含んだ気体を前記乾燥室内の
   下部より取り込むための複数の取り込み口を有する整流
   手段をさらに具備することを特徴とする洗浄装置。
10. 【請求項１０】 請求項５記載の洗浄装置において、 前記処理槽に貯留される処理液が、脱気処理された濯ぎ
    液であることを特徴とする洗浄装置。
11. 【請求項１１】 請求項５記載の洗浄装置において、 前記処理槽に貯留される処理液が、冷却された濯ぎ液で
    あることを特徴とする洗浄装置。
12. 【請求項１２】 処理液を貯留し、貯留した処理液に被
    処理基板が浸漬される処理槽と、 前記処理槽の上方に配置され、処理槽との間で被処理基
    板を移送するための開閉自在な開口部が設けられた乾燥
    室と、 前記開口部を介して前記処理槽と前記乾燥室との間で被
    処理基板を移送する移送手段と、 前記処理槽から受け渡された被処理基板に対して有機溶
    剤と不活性ガスとの混合ガスを冷却した気体を吹き付け
    る吹付手段と、 前記被処理基板に対して不活性ガスを含む冷却された気
    体を吹き付けて乾燥する乾燥手段と、 前記乾燥手段により乾燥された被処理基板に対して不活
    性ガスを含む常温の気体を吹き付けて常温化する常温化
    手段とを具備することを特徴とする洗浄装置。
13. 【請求項１３】（ａ）処理液が貯留された処理槽に被処
    理基板を浸漬する工程と、（ｂ）前記処理槽の上方に配
    置された乾燥室内へ開閉自在な開口部を介して前記処理
    槽より被処理基板を移送する工程と、（ｃ）前記乾燥室
    内へ被処理基板を移送した後に前記開口部を閉じる工程
    と、（ｄ）前記乾燥室内へ移送された被処理基板に対し
    て冷却された不活性ガスを含んだ気体を吹き付ける工程
    とを具備することを特徴とする洗浄方法。
14. 【請求項１４】（ａ）処理液が貯留された処理槽に被処
    理基板を浸漬する工程と、（ｂ）前記処理槽の上方に配
    置された乾燥室内へ開閉自在な開口部を介して前記処理
    槽より被処理基板を移送する工程と、（ｃ）前記乾燥室
    内へ被処理基板を移送した後に前記開口部を閉じる工程
    と、（ｄ）前記乾燥室内へ移送された被処理基板に対し
    て有機溶剤と不活性ガスとの混合ガスを冷却した気体を
    吹き付ける工程と、（ｅ）前記被処理基板に対して不活
    性ガスを含む冷却された気体を吹き付けて乾燥する工程
    と、（ｆ）前記不活性ガスで乾燥された被処理基板に対
    して不活性ガスを含む常温の気体を吹き付けて常温化す
    る工程とを具備することを特徴とする洗浄方法。
15. 【請求項１５】 請求項１３または１４記載の洗浄方法
    において、 前記（ｂ）工程より前に、前記乾燥室内を予め稀薄で冷
    却した有機溶剤の雰囲気にしておくことを特徴とする洗
    浄方法。