JP2002246292A - 液処理方法及び液処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液を基板に供給する装置内における処理
液等の飛散を抑制する。 【解決手段】 カップ６２の上面を塞ぐ蓋体６６を設け
る。蓋体６６には，上下動可能にする昇降機構６９を設
ける。また蓋体６６には，現像液供給ノズル７０〜７２
及び洗浄液供給ノズル７３〜７５を進入させるためのス
リット６７を設ける。現像液供給ノズル７０〜７２及び
洗浄液供給ノズル７３〜７５は，各処理液を噴霧するス
プレー方式のものが用いられる。そして，蓋体６６が下
降し，カップ６２の上面が塞がれた後，現像液供給ノズ
ル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５が蓋体６
６内に進入し，蓋体６６内のウェハＷに現像液及び洗浄
液が順次吹き付けられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，基板の液処理方法
及び液処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程では，基板である例え
ば半導体ウェハ（以下「ウェハ」とする）表面に塗布液
を供給し，塗布液の膜を形成する塗布処理，露光後のウ
ェハに現像液等を供給して現像する現像処理等の液処理
が行われている。

【０００３】上述した現像処理は，通常現像処理装置で
行われており，当該現像処理装置内には，例えばウェハ
に現像液を供給するノズルと，ウェハを載置し，回転さ
せるスピンチャックと，ウェハの側方を囲み，回転する
ウェハから飛散する現像液等を受け止めるカップ等が設
けられている。そして，ウェハの現像処理は，スピンチ
ャック上にウェハが載置され，ノズルから当該ウェハ上
に現像液が供給され，その後ウェハが洗浄，乾燥される
ことによって行われる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，カップ
の上面は開放されているため，ノズルから吐出された現
像液やそのミストが飛散したり浮遊したりして，現像処
理装置内を汚染していた。当該現像処理装置内の汚れ
は，当該装置内のパーティクルとなり，現像処理装置内
に搬入されたウェハに付着し，ウェハの現像欠陥等の原
因になる。また，かかる現像欠陥を防止するため，前記
現像処理装置のメンテナンスを頻繁に行う必要があり，
このためにウェハの処理の中断を余儀なくされ，スルー
プットの低下を招いている。

【０００５】本発明，かかる点に鑑みてなされたもので
あり，現像液等の処理液による液処理装置内の汚染を抑
制する液処理方法と当該液処理方法を実施可能な液処理
装置を提供することをその目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば，基板に処理液を供給して，基板を処理する液処理方
法であって，上面が開口した処理容器内に基板を搬入す
る工程と，前記処理容器の上面を蓋体によって塞ぐ工程
と，当該上面が塞がれた処理容器内に処理液供給ノズル
を進入させる工程と，当該処理液供給ノズルから前記処
理容器内の基板に処理液を供給する工程とを有すること
を特徴とする液処理方法が提供される。

【０００７】請求項１によれば，処理容器内に基板が搬
入された後，処理容器の上面が蓋体によって塞がれ，そ
の後当該処理容器内に処理液供給ノズルが進入し，処理
容器内の基板に処理液が供給される。こうすることによ
って，処理液供給ノズルからの処理液の吐出が閉鎖され
た空間内で行われるため，当該処理液やそのミストが飛
散したり浮遊したりして，他の周辺部材を汚染すること
が抑制できる。これによって，周辺部材のメンテナンス
の回数や時間を減らすことができる。また，周辺部材の
汚染物がパーティクルとなり，処理容器内に搬入された
基板を汚染させることが抑制できる。

【０００８】かかる請求項１の発明において，請求項２
のように基板に処理液を供給する際に，前記処理容器内
の雰囲気を排気するようにしてもよい。このように，上
面が閉鎖された処理容器内の雰囲気を排気することによ
って，局所化された空間内の雰囲気が排気されるので，
処理容器内に飛散又は浮遊した処理液やそのミスト等を
効率的に排出することができる。

【０００９】請求項３の発明によれば，基板に処理液を
供給して基板を処理する液処理装置において，基板を処
理する上面が開口した処理容器と，当該処理容器内の基
板に処理液を供給する処理液供給ノズルと，当該処理容
器の上面を塞ぐ蓋体とを有し，前記蓋体には，前記処理
液供給ノズルを前記蓋体の内側に進入させるための進入
口が設けられていることを特徴とする液処理装置が提供
される。

【００１０】このように，処理容器の上面を塞ぐ蓋体
と，処理液供給ノズルを前記蓋体内に進入させるための
進入口を設けることによって，請求項１に記載した液処
理方法を実行することができる。したがって，処理液供
給ノズルから吐出された処理液によって，他の周辺部材
が汚染されることが抑制され，これによって，周辺部材
のメンテナンスの回数等を減少させることができる。ま
た，周辺部材が汚染されることによって，パーティクル
が発生し，当該パーティクルによって基板が汚染される
ことを抑制できる。

【００１１】かかる請求項３の発明において，請求項４
のように前記進入口が，スリット状に形成されていても
よい。また，当該進入口は，請求項５のように処理容器
内の基板の直径に対向する位置に設けられていてもよ
い。このように，スリットを基板の直径に対向する位置
に設けることによって，例えば処理液供給ノズルが複数
ある場合に，当該処理液供給ノズルを基板の直径上に並
べて配置できるので，処理液を基板全面に均一に供給す
ることができる。

【００１２】また，請求項３の発明において，請求項６
のように前記進入口が，前記処理液供給ノズルの形状に
適合した穴形状を有するようにしてもよい。このように
進入口を処理液供給ノズルの形状に適合した穴形状にす
ることによって，進入口の開口面積を減少させることが
できるので，蓋体によって塞がれた処理容器内の閉鎖性
が向上し，他の周辺部材の汚染をより効果的に抑制でき
る。

【００１３】請求項６によれば，請求項７のように前記
進入口が，複数設けられており，これらの進入口は，処
理容器内の基板の直径に対向する直線上に設けられてい
てもよい。このように，穴形状の進入口を基板の直径に
対向する直線上に設けることによって，例えば処理液供
給ノズルが複数設けられている場合に，それらの処理液
供給ノズルを直線上に並べて配置し，処理容器内に進入
させることができる。これによって，処理液を基板全面
に均一に供給することができる。

【００１４】請求項８の発明によれば，基板に処理液を
供給して，基板を処理する液処理装置において，基板を
処理する上面が開口した処理容器と，当該処理容器内の
基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと，当該処理
容器の上面を塞ぐ蓋体とを有し，前記処理液供給ノズル
は，前記蓋体の内側に設けられていることを特徴とする
液処理装置が提供される。

【００１５】このように，処理容器の上面を塞ぐ蓋体の
内側に処理液供給ノズルを設けることによって，閉鎖さ
れた処理容器内で，基板に処理液を供給することができ
る。これによって，処理液供給ノズルから吐出された処
理液又はそのミストが飛散し，浮遊して，他の周辺部材
を汚染することが防止できる。したがって，周辺部材に
付着した汚染物がパーティクルとなって基板に再付着す
ることが防止される。また，周辺部材のメンテナンス回
数や時間が減少されるため，その分基板処理を連続して
行うことができる。

【００１６】上述した請求項３〜８の各液処理装置にお
いて，請求項９のように前記蓋体を昇降させる昇降機構
を有するようにしてもよい。このように，蓋体を昇降可
能にすることによって，蓋体を上昇させた状態で，基板
を処理容器内に搬入出することができる。したがって，
蓋体自体に基板の搬送口を設ける必要がないため，蓋体
の閉鎖性をより向上できる。

【００１７】かかる請求項３〜９の発明において，請求
項１０のように前記処理容器内の雰囲気を排気する排気
機構を有するようにしてもよい。このように，排気機構
を設けることによって，処理容器内の雰囲気を排気する
ことができるので，請求項２に記載した液処理方法が実
行できる。これによって，局所化された処理容器内に供
給され，飛散又は浮遊した処理液やそのミスト等を効果
的に排出することができる。

【００１８】上述した請求項３〜１０の液処理装置にお
いて，請求項１１のように前記蓋体の内側が，中央に行
くにつれて高くなる形状を有するようにしてもよい。こ
のように蓋体の内側をかかる形状にすることによって，
処理容器内の処理液等が蓋体の内側に付着した場合に，
当該処理液は前記蓋体の内壁に伝って流れ，蓋体の下端
部から排出される。これによって，蓋体の内側に付着し
た処理液が直接基板上に落下して，基板に悪影響を与え
ることが抑制される。

【００１９】また，請求項３〜１１の発明において，請
求項１２のように，前記処理液供給ノズルが，前記処理
液を噴霧するものであってもよい。従来，スプレー状の
処理液供給ノズルを用いた場合には，処理液が飛散や浮
遊し易く，周辺部材の汚染が顕著であったが，当該処理
液供給ノズルに，上述した請求項３〜１１の液処理装置
を用いることによって，処理液等の飛散等が抑制され，
周辺部材の汚染を抑えることができる。

【００２０】前記液処理装置は，前記処理容器内の基板
に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルを有していても
い。前記処理容器内に洗浄液供給ノズルを設けることに
よって，基板に処理液を供給した後に，洗浄液を供給
し，基板の洗浄を好適に行うことができる。

【００２１】前記処理液供給ノズルと前記洗浄液供給ノ
ズルは，前記処理容器内の基板の同一直径上に対向する
位置に交互に配置されていてもよい。このように，処理
液供給ノズルと洗浄液供給ノズルが基板の直径上に対向
する位置に交互に配置されることによって，基板上に満
遍なく処理液と洗浄液を供給することができ，基板に対
する処理液の供給と，基板に対する洗浄液の供給とを好
適に行うことができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下，本発明の好ましい実施の形
態について説明する。図１は，本発明にかかる液処理装
置を有する塗布現像処理システム１の平面図であり，図
２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３
は，塗布現像処理システム１の背面図である。

【００２３】塗布現像処理システム１は，図１に示すよ
うに，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部か
ら塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセ
ットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットス
テーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定
の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステ
ーション３と，この処理ステーション３に隣接して設け
られている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け
渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構
成を有している。

【００２４】カセットステーション２では，載置部とな
るカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセット
ＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在とな
っている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）と
カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ
方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が
搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセッ
トＣに対して選択的にアクセスできるようになってい
る。

【００２５】ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせ
を行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送
体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処
理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対し
てもアクセスできるように構成されている。

【００２６】処理ステーション３では，その中心部に主
搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の
周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を
構成している。該塗布現像処理システム１においては，
４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第
１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム
１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセッ
トステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置
群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されてい
る。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装
置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬
送装置１３は，これらの処理装置群Ｇ１，Ｇ３，Ｇ４，
Ｇ５に配置されている後述する各種処理装置に対して，
ウェハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や
配置は，ウェハＷに施される処理の種類によって異な
り，処理装置群の数は，１つ以上であれば４つで無くて
もよい。

【００２７】第１の処理装置群G1では，例えば図２に示
すように，ウェハＷに塗布液，例えばポリイミド樹脂を
塗布する塗布装置１７と，感光性ポリイミドを現像処理
する本実施の形態にかかる液処理装置としての現像処理
装置１８とが下から順に２段に配置されている。処理装
置群G2の場合も同様に，塗布処理装置１９と，現像処理
装置２０とが下から順に２段に積み重ねられている。

【００２８】第３の処理装置群G3では，例えば図３に示
すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３
０，３１，ウェハＷを待機させるエクステンション装置
３２，塗布液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置
３３，３４及び現像処理後の加熱処理を施すポストベー
キング装置３５等が下から順に例えば６段に重ねられて
いる。

【００２９】第４の処理装置群G4では，例えばクーリン
グ装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクス
テンション・クーリング装置４１，エクステンション装
置４２，露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャ
ーベーキング装置４３，４４，ポストベーキング装置４
５等が下から順に例えば６段に積み重ねられている。

【００３０】インターフェイス部４の中央部にはウェハ
搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０は
Ｘ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移
動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在
にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に
属するエクステンション・クーリング装置４１，エクス
テンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない
露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷ
を搬送できるように構成されている。

【００３１】次に，上述した現像処理装置１８の構成に
ついて詳しく説明する。図４は，現像処理装置１８の構
成の概略を示す縦断面の説明図であり，図５は，現像処
理装置１８の横断面の説明図である。

【００３２】現像処理装置１８は，ケーシング１８ａを
有し，当該ケーシング１８ａの中央部には，ウェハＷを
吸着保持する保持手段であるスピンチャック６０が設け
られている。スピンチャック６０の下方には，当該スピ
ンチャック６０を所定の速度で回転可能とする，例えば
モータ等を備えた駆動機構６１が設けられている。ま
た，駆動機構６１は，シリンダ等の昇降機構を有してお
り，スピンチャック６０を上下に移動させることができ
る。

【００３３】スピンチャック６０の外方には，上面が開
口した円筒状の処理容器としてのカップ６２がスピンチ
ャック６０を取り囲むようにして設けられている。これ
によって，ウェハＷが回転された際に飛散される現像液
等が捕集され，ケーシング１８ａ内の汚染を防止できる
ようになっている。カップ６２の下面は，斜めに傾斜さ
れており，その低い部分には，カップ６２で捕集した現
像液等を排液するドレイン管６３が設けられている。ま
た，カップ６２の下面には，ケーシング１８ａ内及びカ
ップ６２内の雰囲気を排気する排気機構としての排気管
６４が設けられている。

【００３４】カップ６２には，スピンチャック６０上の
ウェハＷの裏面に対して洗浄液を供給し，ウェハＷの裏
面を洗浄する裏面洗浄ノズル６５が設けられている。

【００３５】カップ６２の上方には，カップ６２の上面
を塞く蓋体６６が設けられている。蓋体６６は，下面側
が開口した略半球状の形態を有している。蓋体６６の下
端部は，カップ６２の上端部と合致するように形成され
ており，蓋体６６が下降して，蓋体６６の下端部がカッ
プ６２の上端部と密着し，カップ６２の上面を塞ぐこと
ができるようになっている。また，蓋体６６の内側は，
中央に行くにつれ高くなるように形成されており，蓋体
６６の内側に付着した処理液としての現像液等は，蓋体
６６の内壁を伝って，蓋体６６の下端部からカップ６２
内に流れるようになっている。

【００３６】蓋体６６の天井部には，図５及び図６に示
すように進入口としてのスリット６７が設けられてい
る。スリット６７は，平面から見てＸ方向に長い四角形
状に開口されている。また，スリット６７は，スピンチ
ャック６０に保持されたウェハＷの直径に対向する位置
に設けられており，スリット６７の長手方向の長さは，
ウェハＷの直径程度の長さを有している。これによっ
て，後述する複数の現像液供給ノズル７０〜７２等が当
該スリット６７から蓋体６６内に進入し，ウェハＷに現
像液等を供給できるようになっている。

【００３７】蓋体６６には，当該蓋体６６を昇降可能と
する，例えばシリンダ等を備えた昇降機構６９が設けら
れている。これによって，蓋体６６を昇降させ，カップ
６２の上面を開閉することができる。

【００３８】カップ６２のＹ方向側の外方に位置する待
機位置Ｔには，図５に示すように処理液供給ノズルとし
ての現像液供給ノズル７０，７１，７２及びウェハＷに
洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル７３，７４，７５が
待機されている。現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄
液供給ノズル７３〜７５には，各現像処理液と高圧の気
体とを一緒に噴出させる，いわゆるスプレー方式が用い
られる。したがって，ウェハＷに現像液等が供給される
際には，現像液供給ノズル７０〜７２や洗浄液供給ノズ
ル７３〜７５から各現像処理液がミスト状になって勢い
よく噴出し，当該現像処理液がウェハＷ表面に吹き付け
られる。

【００３９】現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供
給ノズル７３〜７５は，Ｘ方向に伸びるアーム７７に交
互に並べられて保持されている。現像液供給ノズル７０
〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５は，図７に示す
ようにウェハＷの直径上方におよそ等しい間隔で配置さ
れている。また，各現像液供給ノズル７０〜７２及び各
洗浄液供給ノズル７３〜７５毎に，各現像処理液を供給
するウェハＷ上の担当エリアが定められており，現像液
供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５
は，各々の担当エリアに適切に各現像処理液を供給でき
るように，鉛直方向から所定角度傾けられて設けられて
いる。これによって，ウェハＷを回転させながら，各現
像液供給ノズル７０〜７２から各担当エリアに対して現
像液等を供給することによって，現像液等がウェハＷ全
面に均一に供給されるようになっている。

【００４０】アーム７７には，当該アーム７７を上下動
可能とする移動機構７８が設けられている。これによっ
て，アーム７７を上下動させて，現像液供給ノズル７０
〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５を蓋体６６のス
リット６７から蓋体６６内に進入，退出させることがで
きるようになっている。また，移動機構７８は，図５に
示すようにＹ方向に沿って設けられたレール７９上を移
動自在に設けられている。移動機構７８自体は，移動機
構７８内に設けられているモータ等によってＹ方向に移
動可能に構成されている。これによって，待機位置Ｔで
待機していた現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄液供
給ノズル７３〜７５がスリット６７上まで移動し，その
後下降して，ウェハＷ表面に現像処理液である，例えば
ＩＰＡ（イソプロピルアルコール），ＭＥＫ（メチルエ
チルケトン）又はアルカリ現像液等を供給できるように
なっている。

【００４１】一方，ケーシング１８ａの上面には，ケー
シング１８ａ内に気体，例えばエアを供給するエア供給
管８０が設けられている。これによって，図示しない温
湿度調節装置によって所定の温度，湿度に調節され，清
浄化されたエアがケーシング１８ａ内に供給され，ケー
シング１８ａ内の雰囲気を制御できるようになってい
る。

【００４２】また，上述した待機位置Ｔには，現像液供
給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５を
洗浄する洗浄槽８１が設けられている。この洗浄槽８１
は，直線上に並べられた現像液供給ノズル７０〜７２及
び洗浄液供給ノズル７３〜７５を受容できるように細長
形状で断面が凹状に形成されている。洗浄槽８１内に
は，現像液供給ノズル７０〜７２等に付着した現像液等
を洗浄するための所定の溶剤が貯留されている。

【００４３】次に，以上のように構成されている現像処
理装置１８の作用について，塗布現像処理システム１で
行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説
明する。

【００４４】先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未
処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に
属するエクステンション装置３２に搬送する。次いでウ
ェハＷは，主搬送装置１３によって塗布装置１７又１９
に搬送され，ポリイミド樹脂が塗布される。次にウェハ
Ｗは，プリベーキング装置３３又は３４に搬送され，加
熱される。その後，ウェハＷはエクステンション・クー
リング装置４１に搬送される。

【００４５】次いで，ウェハＷはエクステンション・ク
ーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出
され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示
せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，
ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬
送された後，主搬送装置１３に保持される。次いで，こ
のウェハＷはポストエクスポージャーベーキング装置４
３又は４４，クーリング装置４０に順次搬送され，各処
理装置で所定の処理が施された後，現像処理装置１８又
は２０に搬送される。

【００４６】そして現像処理の終了したウェハＷは，主
搬送装置１３によってポストベーキング装置３５又は４
５，クーリング装置３０と順次搬送され，各処理装置に
おいて所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エ
クステンション装置３２を介して，ウェハ搬送体７によ
ってカセットＣに戻され，一連の所定の塗布現像処理が
終了する。

【００４７】次に上述した現像処理装置１８の作用につ
いて詳しく説明する。先ず，現像処理装置１８内にウェ
ハＷが搬入される前に，エア供給管８０から所定の温
度，湿度に調節されたエアが供給され，ケーシング１８
ａ内の雰囲気が所定の雰囲気に制御される。

【００４８】そして，前工程である冷却処理が終了し，
ウェハＷが現像処理装置１８内に搬入されると，主搬送
装置１３によってカップ６２の中央部上方まで搬送さ
れ，予め上昇して待機していたスピンチャック６０に受
け渡される。そしてスピンチャック６０がカップ６２内
の所定位置まで下降し，ウェハＷがカップ６２内に収容
される。

【００４９】次に，昇降機構６９によって蓋体６６が下
降され，カップ６２の上面が塞がれ，閉鎖された処理室
Ｓが形成される。次に，移動機構７８によって待機位置
Ｔで待機していた現像液供給ノズル７０〜７２及び洗浄
液供給ノズル７３〜７５がＹ方向に移動され，蓋体６６
のスリット６７の上方まで移動される。そして，アーム
７７が下降され，図８に示すように現像液供給ノズル７
０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５がスリット６
７から処理室Ｓ内に進入し，所定の位置に位置される。
このとき，排気管６４からの排気が開始され，処理室Ｓ
内の雰囲気が排気される。

【００５０】次に，スピンチャック６０によってウェハ
Ｗが所定速度，例えば１００ｒｐｍで回転される。そし
て，現像液供給ノズル７０〜７２による現像液の噴出が
開始され，霧状の現像液がウェハＷに吹き付けられる。
これによって，ウェハＷ全面に現像液が供給され，ウェ
ハＷ上に現像液の液膜が形成される。その後，現像液供
給ノズル７０〜７２からの噴出が停止され，所定時間経
過後，洗浄液供給ノズル７３〜７５による洗浄液の噴出
が開始される。このとき，裏面洗浄ノズル６５からも洗
浄液が噴出され，ウェハＷの裏面にも洗浄液が供給され
る。

【００５１】そして，所定時間ウェハＷに対して洗浄液
が噴出され続け，ウェハＷが洗浄された後，洗浄液の噴
出が停止される。その後，ウェハＷの回転速度が増大さ
れて，ウェハＷ上の洗浄液が遠心力によって振り切られ
て，ウェハＷが乾燥される。所定時間，当該振り切り・
乾燥処理が行われた後，スピンチャック６０の回転が停
止され，ウェハＷの現像が終了する。

【００５２】次いで，アーム７７が上昇され，現像液供
給ノズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５が
蓋体６６内から退避する。そして，現像液供給ノズル７
０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５は，待機位置
Ｔの洗浄槽８１内に戻される。一方，蓋体６６は，現像
液供給ノズル７０〜７２等が退避した後に，上昇され，
カップ６２の上面が開放される。この後，排気管６４に
よる排気が停止される。

【００５３】その後，ウェハＷはスピンチャック６０に
よって所定位置まで上昇され，ケーシング１８ａ内に進
入してきた主搬送装置１３に受け渡される。そして，ウ
ェハＷが主搬送装置１３によってケーシング１８ａ外に
搬送されて，一連の処理が終了する。

【００５４】以上の実施の形態によれば，カップ６２の
上方にカップ６２の上面を塞ぐ蓋体６６を設けたので，
現像液供給時の現像液の飛散が抑制され，周辺部材の汚
染が抑制できる。

【００５５】また，当該蓋体６６に現像液供給ノズル７
０〜７２が進入するスリット６７を設けたので，現像液
供給ノズル７０が蓋体６６の外部から進入自在となり，
閉鎖された処理室Ｓ内での現像液等の供給を好適に行う
ことができる。スピンチャック６０上のウェハＷの直径
に対向する位置に，細長のスリット６７を設けたので，
現像液供給ノズルを複数配置し，ウェハＷ全面に均一に
現像液を供給することができる。

【００５６】さらに，蓋体６６に昇降機構６９を設けた
ので，ウェハＷを搬入出する際に蓋体６６を昇降させ，
ウェハＷの搬入出を好適に行うことができる。

【００５７】また，蓋体６６の内側を中央に行くにつれ
高くなるように形成したので，現像液等のミストが蓋体
６６の内側に付着した場合に，当該現像液が当該内壁を
伝って，蓋体６６の下端部から排出できる。このため，
蓋体６６の内壁に付着した現像液等がウェハＷ上に落下
して，現像欠陥を引き起こすことが抑制される。

【００５８】カップ６２内の雰囲気を排気する排気管６
４を設けたので，蓋体６６によって容積が減少し局所化
された処理室Ｓ内の雰囲気を，効率よく排気することが
できる。

【００５９】以上の実施の形態では，蓋体６６にスリッ
ト６７を設けたが，スリット６７に代えて現像液供給ノ
ズル７０〜７２及び洗浄液供給ノズル７３〜７５の形状
に適合した複数の穴形状の進入口を設けるようにしても
よい。このような場合，例えば図９，図１０に示すよう
に，蓋体９０の上部に現像液供給ノズル７０〜７２及び
洗浄液供給ノズル７３〜７５の各進入口９１〜９６を並
べて設ける。これらの進入口９１〜９６は，スピンチャ
ック６０上のウェハＷの直径に対向する直線上に設けら
れる。これによって，各現像液供給ノズル７０〜７２及
び洗浄液供給ノズル７３〜７５からの噴出によって，現
像液等がウェハＷ表面全体に均一に供給される。

【００６０】このように，進入口９１〜９６を穴形状に
設けると，スリットに比べて蓋体９０上部の開口面積が
減少されるので，現像液等の飛散がより抑制され，周辺
部材の汚染を抑制できる。

【００６１】また，以上の実施の形態では，現像液供給
ノズル７０〜７２等を移動可能にし，当該現像液供給ノ
ズル７０〜７２等を蓋体６６内に進入自在にしていた
が，現像液供給ノズル等を蓋体内に固定して設けるよう
にしてもよい。このような場合，例えば，図１１に示す
ように，蓋体１００の内側上部に，現像液供給ノズル１
０１〜１０３及び洗浄液供給ノズル１０４〜１０６を保
持するための細長形状の水平ホルダ１０７を設ける。当
該水平ホルダ１０７は，スピンチャック６０上のウェハ
Ｗの直径に対向する位置に設けられる。当該水平ホルダ
１０７には，前記実施の形態と同様に現像液供給ノズル
１０１〜１０３及び洗浄液供給ノズル１０４〜１０６が
交互に並べられて設けられる。

【００６２】そして，ウェハＷが現像処理される際に
は，前記実施の形態と同様にしてウェハＷがスピンチャ
ック６０に保持された後，蓋体１００が下降されて，カ
ップ６２の上面が塞がれる。その後，ウェハＷが回転さ
れ，当該ウェハＷに現像液供給ノズル１０１〜１０３か
ら現像液が供給され，次いで洗浄液供給ノズル１０４〜
１０６から洗浄液が供給される。そしてウェハＷが振り
切り乾燥され，現像処理が終了する。

【００６３】かかる場合においても，蓋体１００によっ
て現像液等の飛散が抑制され，周辺部材の汚染が抑制さ
れる。また，前記実施に形態で記載したようなスリット
６７が無いため，現像液等の飛散がより効果的に抑制さ
れる。

【００６４】なお，以上の実施の形態では，現像液供給
ノズル及び洗浄液供給ノズルをそれぞれ３つずつ合計６
つ使用していたが，当然これに限定されるものではな
く，適宜必要に応じて，数を増減してもよい。また単数
であってもよい。

【００６５】以上の実施の形態は，本発明を現像処理装
置１８について適用した例であったが，他の液処理装
置，例えば現像処理装置１９，塗布処理装置１７，２０
等にも本発明を適用できる。

【００６６】また，以上で説明した実施の形態は，半導
体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー
工程におけるウェハの液処理装置について適用したもの
であったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬ
ＣＤ基板の液処理装置においても適用できる。

【００６７】

【発明の効果】本発明によれば，処理液やそのミストが
他の周辺部材に付着し，周辺部材を汚染することが抑制
できるので，メンテナンスが減少，短縮されて，その分
スループットが向上される。また，周辺部材の汚染に起
因する基板の汚染が抑制されるため，歩留まりの向上が
図られる。

【図面の簡単な説明】 【符号の説明】

【図１】本実施の形態にかかる現像処理装置を有する塗
布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。

【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。

【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。

【図４】本実施の形態にかかる現像処理装置の縦断面の
説明図である。

【図５】本実施の形態にかかる現像処理装置の横断面の
説明図である。

【図６】蓋体の概略を示す斜視図である。

【図７】現像液供給ノズルと洗浄液供給ノズルの配置例
を示す説明図である。

【図８】現像液供給ノズル等が蓋体内に進入した状態を
示す現像処理装置の縦断面の説明図である。

【図９】蓋体に穴形状の進入口を設けた場合の現像処理
装置の横断面の説明図である。

【図１０】蓋体の進入口を穴形状に設けた場合の蓋体の
縦断面の説明図である。

【図１１】蓋体に現像液供給ノズル等と固定して設けた
場合の現像処理装置の縦断面の説明図である。

【符号の説明】

１ 塗布現像処理システム １８ 現像処理装置 ６０ スピンチャック ６２ カップ ６４ 排気管 ６６ 蓋体 ６７ スリット ６９ 昇降機構 ７０〜７２ 現像液供給ノズル ７３〜７５ 洗浄液供給ノズル ７７ アーム Ｓ 処理室 Ｗ ウェハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H096 AA00 AA25 CA12 GA02 GA18 GA21 4D075 AC65 AC73 AC84 BB65Z DA06 DB70 DC22 EA05 EA60 4F042 AA02 AA07 BA05 BA06 BA10 BA13 BA19 BA20 CB03 CC03 DC00 DE01 DE07 DE09 DF03 DF29 DF32 DF34 EB05 EB06 EB07 EB09 EB13 EB17 EB21 EB23 EB24 EB30 5F046 LA02 LA04 LA06 LA07 LA13 LA14 LA18

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に処理液を供給して，基板を処理す
   る液処理方法であって，上面が開口した処理容器内に基
   板を搬入する工程と，前記処理容器の上面を蓋体によっ
   て塞ぐ工程と，当該上面が塞がれた処理容器内に処理液
   供給ノズルを進入させる工程と，当該処理液供給ノズル
   から前記処理容器内の基板に処理液を供給する工程とを
   有することを特徴とする，液処理方法。
2. 【請求項２】 基板に処理液を供給する際に，前記処理
   容器内の雰囲気を排気することを特徴とする，請求項１
   に記載の液処理方法。
3. 【請求項３】 基板に処理液を供給して基板を処理する
   液処理装置において，基板を処理する上面が開口した処
   理容器と，当該処理容器内の基板に処理液を供給する処
   理液供給ノズルと，当該処理容器の上面を塞ぐ蓋体とを
   有し，前記蓋体には，前記処理液供給ノズルを前記蓋体
   の内側に進入させるための進入口が設けられていること
   を特徴とする，液処理装置。
4. 【請求項４】 前記進入口は，スリット状に形成されて
   いることを特徴とする，請求項３に記載の液処理装置。
5. 【請求項５】 前記進入口は，前記処理容器内の基板の
   直径に対向する位置に設けられていることを特徴とす
   る，請求項４に記載の液処理装置。
6. 【請求項６】 前記進入口は，前記処理液供給ノズルの
   形状に適合した穴形状を有することを特徴とする，請求
   項３に記載の液処理装置。
7. 【請求項７】 前記進入口は，複数設けられており，こ
   れらの進入口は，前記処理容器内の基板の直径に対向す
   る直線上に設けられていることを特徴とする，請求項６
   に記載の液処理装置。
8. 【請求項８】 基板に処理液を供給して，基板を処理す
   る液処理装置において，基板を処理する上面が開口した
   処理容器と，当該処理容器内の基板に処理液を供給する
   処理液供給ノズルと，当該処理容器の上面を塞ぐ蓋体と
   を有し，前記処理液供給ノズルは，前記蓋体の内側に設
   けられていることを特徴とする，液処理装置。
9. 【請求項９】 前記蓋体を昇降させる昇降機構を有する
   ことを特徴とする，請求項３，４，５，６，７又は８の
   いずれかに記載の液処理装置。
10. 【請求項１０】 前記処理容器内の雰囲気を排気する排
    気機構を有することを特徴とする，請求項３，４，５，
    ６，７，８又は９のいずれかに記載の液処理装置。
11. 【請求項１１】 前記蓋体の内側は，中央に行くにつれ
    て高くなる形状を有することを特徴とする，請求項３，
    ４，５，６，７，８，９又は１０のいずれかに記載の液
    処理装置。
12. 【請求項１２】 前記処理液供給ノズルは，前記処理液
    を噴霧するものであることを特徴とする，請求項３，
    ４，５，６，７，８，９，１０又は１１のいずれかに記
    載の液処理装置。
13. 【請求項１３】 前記処理容器内の基板に洗浄液を供給
    する洗浄液供給ノズルを有することを特徴とする，請求
    項３，４，５，６，７，８，９，１０，１１又は１２の
    いずれかに記載の液処理装置。
14. 【請求項１４】 前記処理液供給ノズルと前記洗浄液供
    給ノズルは，前記処理容器内の基板の同一直径上に対向
    する位置に，交互に配置されていることを特徴とする，
    請求項１３に記載の液処理装置。