JPH11265873A - 基板乾燥装置およびそれを用いた基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 乾燥効率および装置設定の再現性がよく、溶
剤の消費量の少ない基板乾燥装置およびそれを用いた基
板処理装置を提供する。 【解決手段】 多機能処理部５ｄのチャンバ１０の上面
１３には、複数の供給口１３ａがその全面に面内均一に
設けられており、チャンバ１０の上面１３の上方にはそ
の上面１３を被覆するケーシング２１が設けられ、ケー
シング２１内部には供給管２２が設けられ、さらに供給
管２２の側面には複数の吹出しノズル２２ａが設けられ
ている。また、供給管２２上面には配管Ｐ８が接続され
ている。ＩＰＡベーパーとＮ2ガスの混合気体は配管Ｐ
８を通じてケーシング２１に供給された後、供給口１３
ａからチャンバ１０内に面内均一に供給されるため乾燥
効率がよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、処理室内に供給
された溶剤蒸気を含む雰囲気を通過する際に、処理液に
よる処理後の半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基
板、液晶表示用ガラス基板、光ディスク用基板等の基板
（以下、単に「基板」という。）を乾燥させる基板乾燥
装置およびそれを用いた基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図５は従来の基板乾燥装置の構造の一例
を示す模式図である。この装置は、チャンバ９１内に設
けられた処理槽９２に貯留されたフッ酸（ＨＦ）等の処
理液に基板Ｗを浸漬処理した後、処理槽９２内の処理液
を純水等の洗浄液と置換し、それにより基板Ｗを洗浄し
た後、処理槽９２上方に基板Ｗを図示しない基板搬送機
構で処理槽９２から引き上げて基板Ｗを乾燥させる装置
である。そして、従来の装置ではチャンバ９１内の対向
する２つの側面近くに、それら側面に沿って設けられた
配管９３に供給口９３ａを斜め下方に向けて設けてお
き、そこから、処理槽９２上方に引き上げられた基板Ｗ
に向けてＩＰＡ（イソプロピルアルコール）ベーパーを
Ｎ2ガス等のキャリアガスとともに吹き付けて基板Ｗを
乾燥する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来装
置では基板Ｗに対してその両側方からＩＰＡベーパーを
含んだガスを吹き付けるので両者の気流がぶつかり合
い、基板Ｗ付近で乱流を生じてＩＰＡベーパーの供給が
不均一となり、基板Ｗ表面の洗浄液へのＩＰＡの凝縮に
不均一が生じ、乾燥効率の低下を招いていた。

【０００４】また、それに伴いこの装置を複数台用いて
同様の乾燥処理を行う場合に、装置ごとに乾燥条件を同
じにするためにはＩＰＡベーパーを含んだガスの供給方
向を同じにするための配管９３の微妙な調整を要し、装
置設定の再現性に乏しかった。

【０００５】さらに、ＩＰＡベーパーの供給が不均一と
なるため、所定程度の乾燥状態を得ようとすると必要以
上にＩＰＡベーパーを含んだガスを供給しなければなら
ずＩＰＡのロスが大きかった。

【０００６】この発明は、従来技術における上述の問題
の克服を意図しており、乾燥効率および装置設定の再現
性がよく、溶剤の消費量の少ない基板乾燥装置およびそ
れを用いた基板処理装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の請求項１に記載の装置は、溶剤蒸気を含
む処理室内の雰囲気を通過する際に、処理液による処理
後の基板を乾燥させる基板乾燥装置であって、平面視で
ほぼ面内均一に分布した複数の穴から溶剤蒸気を処理室
内に供給する溶剤蒸気供給手段を備える。

【０００８】また、この発明の請求項２に記載の装置
は、請求項１に記載の基板乾燥装置であって、複数の穴
が処理室の上面に形成されていることを特徴とする。

【０００９】また、この発明の請求項３に記載の装置
は、請求項２に記載の基板乾燥装置であって、溶剤蒸気
供給手段がさらに、処理室の上面の上方にほぼ閉空間を
形成するケーシングと、ほぼ閉空間内に溶剤蒸気を供給
する溶剤蒸気供給径路と、を備える。

【００１０】また、この発明の請求項４に記載の装置
は、請求項２または請求項３に記載の基板乾燥装置であ
って、処理室の上面が多孔質繊維を備える。

【００１１】また、この発明の請求項５に記載の装置
は、請求項２または請求項３に記載の基板乾燥装置であ
って、処理室の上面が多孔質樹脂を備える。

【００１２】さらに、この発明の請求項６に記載の基板
処理装置は、基板に対して処理液による処理を施す基板
処理部と、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の
基板乾燥装置を用いて構成された基板乾燥部と、を備え
る。

【００１３】なお、ここでいう「穴」は多孔質繊維にお
ける繊維の隙間や多孔質樹脂における微細な孔等の気体
の通過可能な径路一般を含むものである。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
面に基づいて説明する。

【００１５】＜１．実施の形態の機構的構成と装置配列
＞図１は、この発明の一つの実施の形態である基板処理
装置１の構成を示す斜視図である。図示のように、この
装置は、未処理基板を収納しているカセットＣが投入さ
れるカセット搬入部２と、このカセット搬入部２からの
カセットＣが載置され内部から複数の基板が同時に取り
出される基板取出部３と、カセットＣから取り出された
未処理基板が順次洗浄処理される基板処理部５と、洗浄
処理後の複数の処理済み基板が同時にカセット中に収納
される基板収納部７と、処理済み基板を収納しているカ
セットＣが払い出されるカセット搬出部８とを備える。
さらに、装置の前側には、基板取出部３から基板収納部
７に亙って基板移載搬送機構９が配置されており、洗浄
処理前、洗浄処理中及び洗浄処理後の基板を一箇所から
別の箇所に搬送したり移載したりする。

【００１６】カセット搬入部２は、水平移動、昇降移動
及び垂直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットＣ
Ｒ1を備え、カセットステージ２ａ上の所定位置に載置
された一対のカセットＣを基板取出部３に移載する。

【００１７】基板取出部３は、昇降移動する一対のホル
ダ３ａ、３ｂを備える。そして、各ホルダ３ａ、３ｂの
上面にはガイド溝が刻設されており、カセットＣ中の未
処理基板を垂直かつ互いに平行に支持することを可能に
する。したがって、ホルダ３ａ、３ｂが上昇すると、カ
セットＣ中から基板が取り出される。カセットＣ中から
取り出された基板は、基板移載搬送機構９に設けた搬送
ロボットＴＲに受け渡され、水平移動後に基板処理部５
に投入される。

【００１８】基板処理部５は、薬液を収容する薬液槽Ｃ
Ｂを備える薬液処理部５ａと、純水を収容する水洗槽Ｗ
Ｂを備える水洗処理部５ｂ（薬液処理部５ａおよび水洗
処理部５ｂが「基板処理部」に相当する）と、単一槽内
で各種の薬液処理や水洗処理を行う処理槽１１を備える
後に詳述する多機能処理部５ｄ（「基板乾燥装置」およ
び「基板乾燥部」に相当する）とから構成される。

【００１９】基板処理部５において、薬液処理部５ａ及
び水洗処理部５ｂの後方側には、第１基板浸漬機構５ｃ
が配置されており、これに設けた上下動及び横行可能な
リフタヘッドＬＨ1によって、搬送ロボットＴＲから受
け取った基板を薬液処理部５ａの薬液槽ＣＢに浸漬した
り、水洗処理部５ｂの水洗槽ＷＢに浸漬したりする。ま
た、多機能処理部５ｄ内部における後述するリフタ１４
の上下動可能なリフタヘッド１４ａによって、搬送ロボ
ットＴＲから受け取った基板を多機能処理部５ｄの処理
槽１１内に支持する。

【００２０】基板収納部７は、基板取出部３と同様の構
造を有し、昇降可能な一対のホルダ７ａ、７ｂによっ
て、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板を受け
取ってカセットＣ中に収納する。

【００２１】また、カセット搬出部８は、カセット搬入
部２と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボ
ットＣＲ2を備え、基板収納部７上に載置された一対の
カセットをカセットステージ８ａ上の所定位置に移載す
る。

【００２２】基板移載搬送機構９は、水平移動及び昇降
移動が可能な搬送ロボットＴＲを備える。そして、この
搬送ロボットＴＲに設けた一対の回転可能なハンド９
ａ、９ｂよって基板を把持することにより、基板取出部
３のホルダ３ａ、３ｂに支持された基板を基板処理部５
の第１基板浸漬機構５ｃに設けたリフタヘッドＬＨ1側
に移載したり、このリフタヘッドＬＨ1側から隣りの多
機能処理部５ｄに設けたリフタヘッド１４ａ側に移載し
たり、このリフタヘッド１４ａ側から基板収納部７のホ
ルダ７ａ、７ｂに移載したりする。

【００２３】図２はこの実施の形態における多機能処理
部５ｄの機構的構成を示す模式図である。まず、図２を
用いてこの多機能処理部５ｄの機構的構成について説明
する。

【００２４】図示のようにこの多機能処理部５ｄは、主
にチャンバ１０、ガス供給部２０、Ｎ2供給源３０、Ｉ
ＰＡ供給源４０、ＤＩＷ供給源５０、ＨＦ供給源６０、
制御部７０を備えている。

【００２５】チャンバ１０（「処理室」に相当）はその
内部にＨＦ供給源６０から供給されるＨＦ（フッ酸）ま
たはＤＩＷ供給源５０から供給される純水ＤＩＷ等の処
理液を貯留し、それらにより基板Ｗの処理を行うための
処理槽１１を備えており、処理槽１１の側面上端には処
理槽１１から溢れた処理液を回収するための処理液回収
溝１２が設けられている。また、チャンバ１０内には前
述のリフタ１４も設けられており、図示しない駆動機構
によりリフタヘッド１４ａが昇降し、そのリフタヘッド
１４ａは基板Ｗを多数保持可能となっている。

【００２６】ガス供給部２０はチャンバ１０の上面１３
に設けられており、チャンバ１０内にＮ2供給源３０か
らのＮ2ガスをキャリアガスとしてＩＰＡ供給源４０か
らの有機溶剤の蒸気であるＩＰＡベーパー（以下、併せ
て「混合ガス」という）とともに供給したり、Ｎ2ガス
のみ（以下、これらのガスを総称する場合は「処理ガ
ス」という）を供給したりする。なお、ガス供給部２０
の詳細は後述する。

【００２７】さらに、制御部７０は（以下の各部との接
続は図示省略）Ｎ2供給源３０、ＩＰＡ供給源４０、Ｄ
ＩＷ供給源５０、ＨＦ供給源６０とチャンバ１０とを接
続する配管Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４に介挿されたバルブ
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４の開閉により、それぞれ処理ガ
スや処理液のチャンバ１０内への供給を制御する。ま
た、この装置の設置される施設内の排気ラインに接続さ
れた配管Ｐ５に介挿された気圧計ＡＰの計測結果信号に
基づき、同じく配管Ｐ５に介挿されたバルブＶ５を制御
したり、施設内の排液ラインに接続された配管Ｐ６に介
挿されたバルブＶ６の制御、処理液の循環用の配管Ｐ７
に介挿されたバルブＶ７やポンプＰの制御を行う。な
お、処理液循環用の配管Ｐ７にはフィルタＦが設けら
れ、回収された処理液は浄化されて処理槽１１に戻され
る。

【００２８】つぎに、この装置の主要部についてさらに
詳細に説明する。

【００２９】図３はこの発明の実施の形態における多機
能処理部５ｄのチャンバ１０上部およびガス供給部２０
の斜視図であり、図４はこの多機能処理部５ｄのチャン
バ１０の上面１３（すなわち、ガス供給部２０の下面）
の平面図である。図示のように、この多機能処理部５ｄ
のチャンバ１０の上面１３には、処理ガスをチャンバ１
０内に供給するための複数の穴である供給口１３ａ（図
４中において参照符号一部省略）がその全面、すなわ
ち、チャンバ１０の上面１３の全域にわたって面内均一
に分布して設けられている。そして、チャンバ１０の上
面１３上方には、ほぼ閉空間を形成するガス供給部２０
が設けられている。

【００３０】ガス供給部２０はチャンバ１０の上面１３
を被覆するケーシング２１と、その内部において、それ
を横断するようにその中央上部に設けられた供給管２２
とを備えている。この供給管２２の側面にはその長手方
向に複数の開孔である吹出しノズル２２ａ（図４中にお
いて参照符号一部省略）が設けられている。また、供給
管２２上面中央には配管Ｐ１およびＰ２に接続された配
管Ｐ８（「溶剤蒸気供給径路」に相当するとともに、ガ
ス供給部２０およびチャンバ１０の上面１３とあわせて
「溶剤蒸気供給手段」に相当する）がケーシング２１上
面を貫通して接続されている。

【００３１】そして、配管Ｐ８を通じてＩＰＡ供給源４
０およびＮ2供給源３０からそれぞれ供給される処理ガ
スはガス供給部２０の供給管２２に至り、そこから供給
管２２の吹出しノズル２２ａを通じてケーシング２１内
に吹き出され、その内部に拡散する。そして、処理ガス
はケーシング２１内において供給管２２から吹き出した
際の流速に対して減速される。また、チャンバ１０の上
面１３の供給口１３ａからはそれら処理ガスの一部がケ
ーシング２１内の気圧により下方のチャンバ１０内に向
けて低速で押し出されてチャンバ１０内に供給される。
つまり、このガス供給部２０はこれら処理ガスを間接的
にチャンバ１０内に供給するためのバッファとして機能
する。そのため、配管Ｐ８をチャンバ１０の上面１３に
接続して直接、供給口１３ａから処理ガスをチャンバ１
０内に吹き出す場合のように、チャンバ１０内部の雰囲
気を乱すことが少ないため、処理ガス、とりわけＩＰＡ
ベーパーを含んだ混合ガスをチャンバ１０内に均一に供
給することができる。

【００３２】また、チャンバ１０の上面１３の供給口１
３ａは面内均一に分布して設けられている。そのため、
処理ガスとりわけＩＰＡベーパーを含んだ混合ガスをチ
ャンバ１０内にさらに面内均一に供給できる。

【００３３】なお、このチャンバ１０の上面１３および
ガス供給部２０および配管Ｐ８は一体となって図示しな
い駆動機構により移動可能であり、チャンバ１０上部は
それらを移動させることにより開閉することができる
（図１参照）。そして、チャンバ１０上部が開いた状態
で前述のようにして基板Ｗがチャンバ１０内に搬入およ
びチャンバ１０外に搬出される。

【００３４】＜２．実施の形態の基板乾燥処理および効
果＞つぎに、この実施の形態の多機能処理部５ｄにおけ
る基板乾燥処理について説明する。

【００３５】基板乾燥処理に先立ち、複数の基板Ｗが整
列して処理槽１１に貯留されたＨＦにより処理され、そ
の後、処理槽１１内のＨＦは排出され、代わりに洗浄液
である純水ＤＩＷが処理槽１１内に供給されて基板Ｗの
洗浄が行われる。この基板洗浄の間、処理槽１１内には
純水ＤＩＷの供給が続けられて、処理槽１１から純水Ｄ
ＩＷが溢れ、その溢れた純水ＤＩＷは処理液回収溝１２
に集められ、浄化された後処理槽１１に戻されている状
態（以下、「アップフロー状態」という）に維持されて
いる。

【００３６】そして、アップフロー状態でガス供給部２
０からは乾燥に適した温度に高められたＩＰＡベーパー
とＮ2ガスとの混合ガスがチャンバ１０内に供給され
る。このとき、ＩＰＡベーパーを含んだ混合ガスはガス
供給部２０よりチャンバ１０内において下方に向けて、
吹き付けられることなく供給速度を抑えて供給される。
そのため、処理槽１１内の純水ＤＩＷ表面に浮いた状態
で処理槽１１外縁において溢れようとしていた処理残渣
等の基板Ｗを汚染するパーティクルが、その混合ガスの
風圧により純水ＤＩＷ表面から再び処理槽１１内部に押
し戻されることが少ないので、処理液回収溝１２に純水
ＤＩＷとともに溢れ出て、純水ＤＩＷが処理槽１１に循
環される際にフィルタＦにより除去され、基板Ｗの品質
をより向上させることができる。

【００３７】つぎに、チャンバ１０内の雰囲気中のＩＰ
Ａベーパーの濃度が所定濃度程度になった後、リフタヘ
ッド１４ａの上昇により基板Ｗが処理槽１１の純水ＤＩ
Ｗ中から引き上げられる。この引き上げ時に基板Ｗに付
着した純水ＤＩＷおよびパーティクルの多くがＩＰＡの
凝縮により除去される。

【００３８】さらに、その後、チャンバ１０内において
処理槽１１上方に基板Ｗを位置させつつ、ＩＰＡベーパ
ーを含む混合ガスの供給を続け、それとともに、処理槽
１１内の純水ＤＩＷを排出する。

【００３９】つぎに、ガス供給部２０へのＩＰＡベーパ
ーの供給を停止し、Ｎ2ガスのみをチャンバ１０内に供
給し、チャンバ１０内の雰囲気を完全にＮ2ガスに置換
する。

【００４０】つぎに、チャンバ１０内の雰囲気を排気
し、内部気圧を減圧する。

【００４１】最後に、チャンバ１０内をＮ2にて大気解
放した後、チャンバ１０外に基板Ｗを搬出する。

【００４２】これで一連の基板Ｗの乾燥処理は終了し、
続いて搬入される別の基板Ｗについて同様の処理が繰返
される。

【００４３】以上説明したように、この実施の形態によ
れば、ガス供給部２０がチャンバ１０の上面１３に設け
られた平面視でほぼ面内均一に分布した複数の供給口１
３ａからＩＰＡベーパーを含んだ混合ガスをチャンバ１
０内に供給することにより、チャンバ１０内に均一にＩ
ＰＡベーパーの供給を行うことができるので、基板Ｗの
乾燥効率を向上させることができる。また、ＩＰＡベー
パーを均一に供給できるため、複数の装置間での供給方
向にバラツキが生じないので、装置設定の再現性がよ
く、それとともに、必要以上にＩＰＡベーパーを供給し
なくてもよいので、ＩＰＡの消費量を抑えることができ
る。実際の測定によれば、従来装置において数百個程度
のパーティクルを抑制するために必要なＩＰＡの消費量
が２００ｍｌ以上であったのに対し、上記実施の形態の
装置では１００ｍｌ以下の消費量に抑えられた。

【００４４】また、チャンバ１０の上面１３に面内均一
に分布した供給口１３ａが形成されているので、複数の
供給口１３ａを備えた特別な部材をチャンバ１０以外に
用意する必要がないため、装置の製造コストを抑えるこ
とができる。

【００４５】さらに、チャンバ１０の上面１３とケーシ
ング２１によるほぼ閉空間内に配管Ｐ８によりＩＰＡベ
ーパーを含んだ混合ガスを供給するため、それによりチ
ャンバ１０の上面１３の穴からチャンバ１０内に間接的
にＩＰＡベーパーを供給できるので、ＩＰＡベーパーの
供給速度を抑えて、チャンバ１０内の雰囲気を乱すこと
の少ない、より均一なＩＰＡベーパーの供給を行うこと
ができ、したがって、乾燥効率をより向上することがで
きる。

【００４６】＜３．その他の実施の形態＞以下、この発
明のその他の実施の形態である基板処理装置１の多機能
処理部５ｄについて説明する。上記実施の形態では多機
能処理部５ｄにおいてチャンバ１０の上面１３に面内均
一に複数の供給口１３ａを設けて処理ガスを供給するも
のとしたが、その代わりに多孔質の繊維状のポリプロピ
レン等で形成されたフィルタを処理室の上面に用いるこ
とができる。そして、その他の構成は上記実施の形態と
同様のものとする。この場合にも多孔質繊維において
は、繊維間の多数の隙間が空間的に均一に分布している
ため、上記実施の形態と同様にガス供給部２０のケーシ
ング２１内に供給された処理ガスは、フィルタを形成す
る繊維の隙間を通過してチャンバ１０内に均一に供給さ
れる。そのため、上記実施の形態と同様の効果を有する
とともに、市販のフィルタを用いることができ、上記実
施の形態のようにチャンバ１０の上面１３を加工して供
給口１３ａを設ける必要がなく、装置の製造コストをよ
り抑えることができる。

【００４７】さらに、上記実施の形態における多機能処
理部５ｄのチャンバ１０の上面１３に多孔質に形成した
フッ素樹脂等の多孔質樹脂を用いることもできる。そし
て、その他の構成は上記実施の形態と同様のものとす
る。この場合もフィルタを用いた場合と同様に多孔質樹
脂において均一に分布する多数の微細な孔を通じてケー
シング２１内の処理ガスがチャンバ１０内に供給され
る。そのため、これによってもフィルタを用いた場合と
同様の効果を得ることができる。

【００４８】＜４．変形例＞上記各実施の形態では、多
機能処理部５ｄのチャンバ１０の上面１３に面内均一に
供給口１３ａを設けるものとしたが、この発明はこれに
限られず、チャンバ１０内に別途、各実施の形態と同様
のガス供給部２０を設け、処理ガスの供給源に接続され
た配管Ｐ８をそれに接続するものとしてもよい。

【００４９】また、上記各実施の形態では、多機能処理
部５ｄのチャンバ１０の上面１３の上方に配管Ｐ８が接
続されたケーシング２１を設け、ケーシング２１とチャ
ンバ１０の上面１３とから形成される空間に処理ガスを
供給してそこから間接的にチャンバ１０内に処理ガスを
供給するものとしたが、この発明はこれに限られず、Ｉ
ＰＡ供給源４０やＮ2供給源３０に接続された複数の配
管をチャンバ１０の上面１３の複数の供給口１３ａのそ
れぞれに直接接続して、チャンバ１０内に処理ガスを直
接供給するものとしてもよい。

【００５０】さらに、上記各実施の形態では、多機能処
理部５ｄにおける基板Ｗの乾燥に使用する溶剤をＩＰＡ
としたが、この発明はこれに限られず、アルコール系、
ケトン系等の低沸点の有機溶剤等その他のものを用いて
もよい。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１ないし請
求項６の発明によれば、溶剤蒸気供給手段が平面視でほ
ぼ面内均一に分布した複数の穴から溶剤蒸気を処理室内
に供給するので、均一に溶剤蒸気を供給でき、基板の乾
燥効率を向上させることができる。また、面内均一に溶
剤蒸気を供給するため、複数の装置間での溶剤蒸気の供
給方向にバラツキが生じないので、装置設定の再現性が
よい。さらに、溶剤蒸気を均一に供給できるため、必要
以上に溶剤蒸気を供給しなくてもよいので、溶剤の消費
量を抑えることができる。

【００５２】また、請求項２および請求項３の発明によ
れば、複数の穴が処理室の上面に形成されているため、
特別な溶剤蒸気供給手段を設けなくともよいので、装置
の製造コストを抑えることができる。

【００５３】また、請求項３の発明によれば、処理室の
上面とその上方のケーシングによるほぼ閉空間内に溶剤
蒸気供給径路により溶剤蒸気を供給するため、それによ
り処理室上面の穴から処理室内に間接的に溶剤蒸気を供
給できるので、溶剤蒸気の供給速度を抑えて、処理室内
の雰囲気を乱すことの少ないより均一な溶剤蒸気の供給
を行うことができ、したがって、乾燥効率をより向上す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態である基板処理装置の構成
を示す斜視図である。

【図２】実施の形態の多機能処理部の全体構成を示す模
式図である。

【図３】実施の形態の多機能処理部のチャンバ上部およ
びガス供給部の斜視図である。

【図４】実施の形態の多機能処理部のチャンバの上面の
平面図である。

【図５】従来の基板乾燥装置の構造の一例を示す模式図
である。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 ５ａ 薬液処理部（基板処理部） ５ｂ 水洗処理部（基板処理部） ５ｄ 多機能処理部（基板乾燥部、基板乾燥装置） １０ チャンバ（処理室） １３ チャンバの上面 １３ａ 供給口（穴） ２０ ガス供給部（２０，Ｐ８と併せて溶剤蒸気供給手
段） ２１ ケーシング（被覆部材） Ｐ８ 配管（溶剤蒸気供給径路） Ｗ 基板

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 溶剤蒸気を含む処理室内の雰囲気を通過
   する際に、処理液による処理後の基板を乾燥させる基板
   乾燥装置であって、 平面視でほぼ面内均一に分布した複数の穴から溶剤蒸気
   を前記処理室内に供給する溶剤蒸気供給手段を備えるこ
   とを特徴とする基板乾燥装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板乾燥装置であっ
   て、 前記複数の穴が前記処理室の上面に形成されていること
   を特徴とする基板乾燥装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の基板乾燥装置であっ
   て、前記溶剤蒸気供給手段がさらに、 前記処理室の前記上面の上方にほぼ閉空間を形成するケ
   ーシングと、 前記ほぼ閉空間内に溶剤蒸気を供給する溶剤蒸気供給径
   路と、を備えることを特徴とする基板乾燥装置。
4. 【請求項４】 請求項２または請求項３に記載の基板乾
   燥装置であって、 前記処理室の前記上面が多孔質繊維を備えることを特徴
   とする基板乾燥装置。
5. 【請求項５】 請求項２または請求項３に記載の基板乾
   燥装置であって、 前記処理室の上面が多孔質樹脂を備えることを特徴とす
   る基板乾燥装置。
6. 【請求項６】 基板に対して処理液による処理を施す基
   板処理部と、 請求項１ないし請求項５に記載のいずれかの基板乾燥装
   置を用いて構成された基板乾燥部と、を備えることを特
   徴とする基板処理装置。