JP2000031106A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2000031106A
JP2000031106A JP10200127A JP20012798A JP2000031106A JP 2000031106 A JP2000031106 A JP 2000031106A JP 10200127 A JP10200127 A JP 10200127A JP 20012798 A JP20012798 A JP 20012798A JP 2000031106 A JP2000031106 A JP 2000031106A
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Takeshi Aiba
武 相場
Mitsuhiro Nishizaki
光広 西崎
Akira Kojima
明 小島
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板処理装置の小型化を実現する。 【解決手段】 被処理基板1を薬液処理する薬液処理ユ
ニット2,4と、被処理基板1を水洗処理する処理ユニ
ット3,5,6と、被処理基板1を乾燥処理する処理ユ
ニット7とを直線的に並設した基板処理装置において、
それらの処理ユニット2〜7内で被処理基板1を垂直に
保持する構成とした。また、各処理ユニット2〜7内で
垂直に保持した被処理基板1の表裏面に対し、各処理ユ
ニットのノズル2a〜7aから処理媒体を噴き付ける構
成とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体装置
や液晶表示装置の製造に用いられる基板処理装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体装置の製造においては、
被処理基板となる半導体基板(ウエハ)表面のパーティ
クル除去や酸化膜・レジストの剥離、さらには金属汚染
や有機汚染の除去などを目的に、多くの工程で薬液処理
が行われている。この薬液処理で使用される薬液は、基
板の処理目的に応じて適宜選択される。このような薬液
処理は、この処理に続いて行われる水洗処理やその後の
乾燥処理を含めて基板処理と総称され、それらの処理を
行う装置は基板処理装置と総称されている。
【0003】従来、この種の基板処理装置としては、図
10に示すように、薬液槽50a,50bと水洗槽51
a,51bとを交互に配置して薬液処理と水洗処理とを
交互に行い、その後に最終の水洗槽52に続いて乾燥槽
53を設けてそこで乾燥処理を行い、一連の基板処理を
終了させるものが主流となっている。この基板処理装置
は、複数枚の被処理基板をキャリア等の容器に縦に並べ
て収容し、その容器ごと複数枚の被処理基板を薬液槽5
0a,50bや水洗槽51a,51b,52に浸漬させ
て処理するもので、一般には多槽浸漬式処理装置と呼ば
れている。また、この多槽浸漬式処理装置では、被処理
基板を収容した容器を搬送ロボット等を用いて、図の矢
印で示すように、ある処理槽に被処理基板(容器)を一
定時間浸漬させた後、その処理槽から一旦被処理基板を
上方に引き上げ、次いで、被処理基板を水平方向に搬送
して次(隣)の処理槽に浸漬させる搬送方式が採用され
ている。
【0004】ところで、半導体業界では、生産性の向上
による製造コストの削減を主眼に、半導体基板の大口径
化が積極的に進められている。また、液晶基板のサイズ
についても、その用途が表示機器であることから、表示
機器の大型化に伴って大きくなってきている。ちなみに
現在では、半導体基板の量産レベルでのサイズ径が20
0mmから300mmに移行する動きがある。また、液
晶基板のサイズ(縦×横)としても、600mm×72
0mm、650mm×830mmといった大型の基板が
製造工程に導入され、今後も大型化の傾向が進むものと
予想される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記多
槽浸漬式の基板処理装置の場合は、複数枚の被処理基板
を一括して処理できることから、特に生産性に優れると
いう利点はあるものの、複数の処理槽を一方向に並べて
設置してあるため、被処理基板の大型化に伴って装置全
体が大型になるという問題がある。さらに、被処理基板
の大型化に伴い、各々の処理槽の容量が増加するため、
1回の処理に要する薬液使用量が増大するという問題も
ある。この薬液使用量に関しては、薬液を循環濾過する
ことで削減を図ることも考えられるが、大型の被処理基
板を薬液槽に浸漬させて処理した場合に処理の均一性を
確保することが非常に難しいという側面もある。したが
って、液晶等の大型基板の処理において、樹来のシリコ
ン基板と同様な装置構成(多槽浸漬式)とすることは難
しい。
【0006】そこで、被処理基板を1枚ずつ水平搬送し
て各処理ユニットに供給し、各々の処理ユニットで被処
理基板の表裏面に処理液を噴き付ける、シャワー散布方
式(スプレー式)の基板処理装置も提案されている。例
えば、液晶基板(矩形基板)を処理する基板処理装置と
しては、図11に示すように、水平搬送される被処理基
板60の搬送方向に沿って薬液処理ユニット61a,6
1bと水洗処理ユニット62a,62bとを交互に配置
して薬液処理と水洗処理とを交互に行い、最後に乾燥ユ
ニット63を設けてそこで乾燥処理を行うものがある。
薬液処理ユニット61aには薬液吐出用のノズル61c
が設けられ、水洗処理ユニット62aには水洗液吐出用
のノズル62cが設けられている。この基板処理装置で
は、例えば図示のように複数の搬送ローラ64を連続的
に配置し、これら複数の搬送ローラ64によって被処理
基板60を水平搬送することから、一般に水平搬送式処
理装置と呼ばれている。
【0007】なお、図11においては、前段の処理ユニ
ット61a,62aにのみノズル61c,62cを示し
てあるが、後段のユニット61b,62bにも同様のノ
ズルが設けられている。また、搬送ローラ64について
も、前段の薬液処理ユニット61aから最終の乾燥処理
ユニット63にわたって連続的に設けられている。
【0008】しかしながら、図11に示す基板処理装置
においても、被処理基板60が大型化すると、これに伴
って装置サイズが大型化するという問題があった。こう
した基板処理装置の大型化は、これをクリーンルーム等
に設置する際に、装置の占有面積(フットプリント等)
の拡大を招く。特に、図11に示す基板処理装置の場合
は、装置全体が長手方向と奥行き方向の双方に大型化す
るため、占有面積としては益々拡大することになる。
【0009】これに対して、半導体製造や液晶製造にお
いては、製造時に必要とされる雰囲気の清浄度が非常に
高いため、製造エリアの清浄度を高レベルに維持するの
に多大なコストを費やしている。したがって、クリーン
ルーム等の維持費を削減するうえでも、基板処理装置を
小型化することが急務となっている。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためになされたもので、被処理基板を薬液処理す
る処理機能と被処理基板を水洗処理する処理機能と被処
理基板を乾燥処理する処理機能とを組み合わせてなる複
数の処理ユニットを備え、これら複数の処理ユニットを
直線的に並設した基板処理装置において、複数の処理ユ
ニットの各々は、該処理ユニット内で被処理基板を垂直
に保持するとともに、この垂直に保持した被処理基板の
表裏面に処理媒体を噴き付けるノズルを有した構成とな
っている。
【0011】上記構成の基板処理装置においては、各々
の処理ユニット内で被処理基板が垂直に保持され、この
垂直に保持された被処理基板の表裏面にノズルから処理
媒体(薬液、水洗液、乾燥用ガス等)が噴き付けられる
ことで、所定の処理(薬液処理、水洗処理、乾燥処理)
が行われる。このとき、各処理ユニット内で被処理基板
を垂直に保持する際の基板の向きとして、被処理基板を
ユニット並び方向と平行に保持する構成とすれば、装置
の奥行き方向の寸法を小さくすることが可能となり、被
処理基板をユニット並び方向と直交する状態で保持する
構成とすれば、装置の長手方向の寸法を小さくすること
が可能となる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しつつ詳細に説明する。図1は本発明に係
る基板処理装置の一実施形態を説明する図であり、
(a)はその平面図、(a)はその側面図である。図示
した基板処理装置は、被処理基板1を薬液(A)を用い
て薬液処理する第1の薬液処理ユニット2と、そこで薬
液処理された被処理基板1を水洗処理する第1の水洗処
理ユニット3と、そこで水洗処理された被処理基板1を
薬液(B)を用いて薬液処理する第2の薬液処理ユニッ
ト4と、そこで薬液処理された被処理基板1を水洗処理
する第2の水洗処理ユニット5と、そこで水洗処理され
た被処理基板1を最終的に水洗処理する最終水洗処理ユ
ニット6と、そこで水洗処理された被処理基板1を乾燥
処理する乾燥処理ユニット7とを備えている。
【0013】これらの処理ユニット2〜7は、互いに隣
接(連続)したかたちで直線的に並設されており、その
ユニット並び方向(図の左右方向)に沿って被処理基板
1が搬送されるようになっている。被処理基板1の搬送
には、図示せぬ搬送ロボットが採用され、この搬送ロボ
ットにより被処理基板1が常時、垂直(縦向き)に保持
されて各々の処理ユニット2〜7に搬送されるものとな
っている。
【0014】また、各々の処理ユニット2〜7では、図
示せぬ搬送ロボットにより各ユニット内に搬送された被
処理基板1が、搬送時の姿勢(垂直)のまま保持される
ようになっている。ちなみに、基板搬送時においては、
例えば図4に示すように、門形の搬送アーム20の両側
にそれぞれL字形のフック21と支持片22を設け、フ
ック21で被処理基板1の下端部を支持し、支持片22
で被処理基板1の上端側を支持して被処理基板1を垂直
に保持する機構を採用すればよい。また、基板処理時に
おいては、上記図4に示す基板保持機構で被処理基板1
を垂直に保持したまま処理を行ってもよいし、各処理ユ
ニットに別途、被処理基板1を垂直に保持する機構を設
けるようにしてもよい。
【0015】第1,第2の薬液処理ユニット2,4に
は、上述のようにユニット内で垂直に保持される被処理
基板1に対し、その表裏面に対向する状態でノズル2
a,4aが設けられている。一方のノズル2aは、被処
理基板1の表裏面に、処理媒体となる薬液(A)を噴き
付けるもので、他方のノズルノズル4aは、被処理基板
1の表裏面に、処理媒体となる薬液(B)を噴き付ける
ものである。
【0016】一方、第1,第2の水洗処理ユニット3,
5と最終水洗処理ユニット6には、上述のようにユニッ
ト内で垂直に保持される被処理基板1に対し、その表裏
面に対向する状態でノズル3a,5a,6aが設けられ
ている。これらのノズル3a,5a,6aは、いずれも
被処理基板1の表裏面に、処理媒体となる水洗液(純水
等)を噴き付けるものである。
【0017】さらに、乾燥処理ユニット7には、上述の
ようにユニット内で垂直に保持される被処理基板1に対
し、その表裏面に対向する状態でノズル7aが設けられ
ている。このノズル7aは、被処理基板1の表裏面に、
処理媒体となる乾燥用のガス、例えば乾燥空気や乾燥不
活性ガス(窒素ガス等)、あるいは温風やこれらを併用
したガスを噴き付けるものである。
【0018】また、各々の処理ユニット2〜7は、被処
理基板1をユニット内に取り込むための基板取込位置
と、被処理基板1をユニット外に取り出すための基板取
出位置とに開閉可能なシャッタ機構8を有している。
【0019】図2はシャッター機構8の具体的な構造説
明図であり、(a)はその平面図、(b)はその側面図
である。また、図3は図2のA−A断面図である。な
お、図2及び図3においては、第2の薬液処理ユニット
4とこれに隣接する第1,第2の水洗処理ユニット3,
5との境界部に設けられたシャッター機構8の詳細を示
しており、これと同様のシャッター機構が他の処理ユニ
ット(図に表れていない処理ユニット)に対しても設け
られている。
【0020】図において、各々の処理ユニット3〜5の
境界部分には、それぞれシャッター機構8の主要部品と
なる2枚の仕切板8a,8bが所定の隙間を隔てて対向
状態に設けられている。一方の仕切板8aは、各処理ユ
ニット(4,5)の基板取込位置に配設され、他方の仕
切板8bは、各処理ユニット(3,4)の基板取出位置
に配設されている。
【0021】各々の仕切板8a,8bは、平面視略L字
形をなすもので、ユニット前面プレート9に設けられた
縦長のガイド穴10に嵌挿されている。一方、ユニット
裏面プレート11には、上記ガイド穴10と対向する位
置に突き当て部材12が取り付けられている。突き当て
部材12には、仕切板8a,8bの板厚寸法よりも若干
幅広の凹溝12aが形成され、該凹溝12aに仕切板8
a,8bの端部が嵌まり込む構造になっている。
【0022】また、各々の仕切板8a,8bは、図示せ
ぬアクチュエータ(例えばシリンダ、ソレノイド、モー
タ、バネ等)とリニアガイド機構により、装置奥行き方
向(図のX矢視方向)に直動可能に支持されている。そ
して、仕切板8a,8bの直動動作により、各処理ユニ
ットの基板取込位置と基板取出位置とが開閉される構造
になっている。また、仕切板8a,8bを閉じる際に
は、それぞれの端部が突き当て部材12の凹溝12aに
突き当たり、その反対側の端部はユニット前面プレート
9に突き当たるようになっている。
【0023】このとき、仕切板8a,8bの突き当て部
分に対して、例えばシール用のパッキン13を設けるこ
とにより、ユニット前面プレート9とユニット裏面プレ
ート11における密封性を高めることができる。また、
仕切板8a,8bがパッキン13を介して突き当て部に
当たることで、ダストの発生を減ずることもできる。ま
た、上述のアクチュエータによって仕切板8a,8bを
直動させる構成では、例えばショックアブソーバ等の緩
衝装置を用いて、仕切板8a,8bの動作完了を緩やか
にするのが好ましい。
【0024】さらに、ユニット上面プレート14とユニ
ット下面プレート15には、それぞれ装置奥行き方向に
沿ってガイド部材16,16が取り付けられている。各
々のガイド部材16,16には、仕切板8a,8bの板
厚寸法よりも若干幅広のガイド溝16a,16aが形成
されている。そして、各ガイド溝16a,16aに仕切
板8a,8bの上縁部と下縁部とが嵌合し、この状態で
仕切板8a,8bがガイド溝16a,16aに沿って移
動するようになっている。
【0025】ここで、仕切板8a,8bの移動に際して
は、機械的な接触による部材間のコスレによってダスト
が発生することが懸念される。特に、凹溝12aやガイ
ド穴10、さらにはガイド溝16aとの間で仕切板8
a,8bのコスレが発生しやすい。そこで本実施形態に
おいては、ユニット前面プレート9の外側に、必要十分
な剛性をもつガイドユニット(不図示)とアクチュエー
タ(モータ、シリンダ等)を設け、ガイドユニット(不
図示)により仕切板8a,8bを支持しつつ、アクチュ
エータにより仕切板8a,8bを直動させる構成を採用
することにより、凹溝12a、ガイド穴10及びガイド
溝16aと仕切板8a,8bとの間に適度な隙間を確保
している。これにより、仕切板8a,8bを移動(開
閉)させても、各々の部材間が非接触の状態に保持され
るため、コスレによるダスト発生の懸念を解消できる。
【0026】さらに、ユニット上面プレート14とユニ
ット下面プレート15、及びこれらに取り付けられたガ
イド部材16,16には、それぞれガイド溝16a,1
6aに連通する状態で排液口17,17が穿設されてい
る。この排液口17,17は、単に各処理ユニット内の
液体を排出するだけでなく、各処理ユニット内の雰囲気
ガスを排気する排気口としての機能も兼ね備えている。
【0027】続いて、上記構成からなる基板処理装置の
動作について説明する。先ず、被処理基板1は上記基板
保持機構により垂直に保持された状態で、図示せぬロー
ダーから第1の薬液処理ユニット2に取り込まれる。こ
のとき、第1の薬液処理ユニット2の基板取込位置でシ
ャッター機構8が開閉動作するが、その開状態にて被処
理基板1の取り込みが行われる。そして、取り込み完了
とともにシャッター機構8が閉じ動作を行い、これによ
って第1の薬液処理ユニット2が密閉状態に保持され
る。
【0028】こうして第1の薬液処理ユニット2に取り
込まれた被処理基板1は、そのユニット内で垂直に保持
され、この状態でユニット内のノズル2aから被処理基
板1の表裏面に薬液(A)が噴き付けられる。これによ
り、薬液(A)を用いた被処理基板1の薬液処理が行わ
れる。その後、所定の時間が経過すると、ノズル2aか
らの薬液(A)の噴き付けが停止する。
【0029】ここで、第1の薬液処理ユニット2の処理
中においては、ノズル2aから吐出される薬液(A)や
ユニット内の雰囲気ガスが、上述のようにガイド溝16
aに連通して設けられた排液口(排気口)17から排出
されるため、隣接する処理ユニット(この場合は第1の
水洗処理ユニット3)に薬液等が流れ込むのを阻止する
ことができる。こうした流れ込み防止効果は、第1の薬
液処理ユニット2と第1の水洗処理ユニット3との間だ
けでなく、他の処理ユニット間でも同様に得られる。
【0030】次に、第1の薬液処理ユニット2と第1の
水洗処理ユニット3との境界部に設けられたシャッター
機構8を開動作させる。このとき、第1の薬液処理ユニ
ット2内の薬液雰囲気等の汚染が懸念される場合は、そ
の薬液雰囲気を排気した時点でシャッター機構8を開動
作させる。これにより、第1の薬液処理ユニット2と第
1の水洗処理ユニット3とが連通した状態となるため、
この状態で被処理基板1が第1の薬液処理ユニット2か
ら第1の水洗処理ユニット3へと送り込まれる。その
後、ユニット境界部のシャッター機構8の閉動作によ
り、再びユニット間が仕切板8a,8bで隔離された状
態となる。
【0031】以降、上記同様の動作の繰り返しにより、
被処理基板1が第2の薬液処理ユニット4、第2の水洗
処理ユニット5を経て最終水洗処理ユニット6に送ら
れ、最後に乾燥処理ユニット7で乾燥処理されたのち、
図示せぬアンローダにより取り出される。なお、ここで
は装置動作を分かりやすくするために、1枚の被処理基
板1を各処理ユニット2〜7に順に送って処理する場合
について説明したが、実際には各処理ユニット2〜7内
にそれぞれ1枚ずつ被処理基板1が収容された状態で、
複数枚の被処理基板1が同時進行的に処理される。そし
て、処理完了後は各処理ユニット2〜7内の被処理基板
1が、それぞれ次の処理ユニットに同時に搬送される。
【0032】このように本実施形態の基板処理装置にお
いては、各々の処理ユニット2〜7で被処理基板1を垂
直に保持して、所定の処理(薬液処理、水洗処理、乾燥
処理)を行うことから、従来の水平搬送式の基板処理装
置(図11)に比較して、装置の奥行き寸法を小さくす
ることができる。また、被処理基板1を上下動させずに
水平方向(ユニット並び方向)にのみ搬送することか
ら、装置の上下方向の寸法(高さ寸法)についても極力
小さくすることができる。特に、被処理基板1を搬送す
る搬送ロボット等については、被処理基板1の移動(搬
送)を1軸のみで行うことができるため、構成がシンプ
ルで、しかも小型軽量のメカ機構を採用することが可能
となる。
【0033】さらに、各々の処理ユニット間に、仕切板
8a,8bによるシャッター機構8を設けるようにした
ので、組成の異なる液体や気体同士の接触による混合物
の発生を有効に防止することができる。ただし、隣接す
る処理ユニット間で被処理基板1を移動する際には、各
々の処理ユニット内の雰囲気の接触により混合物の発生
が懸念される。そこで、シャッター8(仕切板8a,8
b)を開ける前に、隣接する処理ユニット内の雰囲気
を、例えば乾燥空気や不活性ガス(窒素等)で置換して
おけば、混合物の発生を抑えることができる。
【0034】これに加えて、例えば図5に示すように、
ユニット上面プレート14とこれに取り付けられたガイ
ド部材16に対し、上記排液口17,17の間を通るよ
うにガス供給口18を穿設し、そのガス供給口18か
ら、これに隣接する処理ユニット内の気圧よりも高い陽
圧の不活性ガス(乾燥空気、窒素等)を供給するように
すれば、隣接する処理ユニット間に陽圧の部分が介在
し、これによって双方の処理ユニット内の雰囲気がユニ
ット外部に出ることを阻止できるため、処理ユニット相
互間での雰囲気の混合をより確実に防止することが可能
となる。
【0035】なお、上記実施形態においては、一つの処
理ユニットにそれぞれ単一の処理機能を持たせた構成に
ついて説明したが、本発明の応用例として、一つの処理
ユニットに複数種の処理機能を持たせることも可能であ
る。具体的には、例えば図6に示すように、第1の処理
ユニット31に薬液(A)処理と水洗処理の機能を持た
せ、第2の処理ユニット32に薬液(B)処理と水洗処
理の機能を持たせ、最後に乾燥処理ユニット33を設け
た構成を採用することが可能である。この場合、装置全
体での処理ユニットの数が減少するため、その分だけ装
置の長手方向(ユニット並び方向)の寸法を小さくする
ことができる。
【0036】また、上記実施形態においては、シャッタ
ー機構8の構成として、直動式の仕切板8a,8bを採
用したが、これ以外にも、例えば図7に示すように、各
々の仕切板8a,8bの一端側を回転支軸19とし、こ
の回転支軸19を中心にして図示せぬアクチュエータ
(モータ、シリンダ等)の動力により仕切板8a,8b
を回転動作させ、これによって各処理ユニット3〜5の
基板取込位置と基板取出位置とを開閉する構成を採用す
ることも可能である。また、各々の仕切板8a,8bの
突き当て部分にシール用のパッキン13を装着すること
で、各処理ユニット3〜5内の密封性を高めることがで
き、それと同時にダストの発生を減ずることもできる。
【0037】図8は本発明に係る基板処理装置の他の実
施形態を示す平面図である。図示した基板処理装置にお
いては、特に先述の実施形態との比較において、被処理
基板1を各処理ユニット2〜7で垂直に保持するに際
し、被処理基板1をユニット並び方向(図の左右方向)
と直交する状態で保持する点に特徴がある。この場合、
各処理ユニット2〜7に対する被処理基板1の出し入れ
は、それぞれユニット前面部(基板取込位置&基板取出
位置)に設けられたシャッター機構8の開閉動作に連動
して行われる。
【0038】この図8に示す装置構成を採用した場合
は、ユニット並び方向における被処理基板1の寸法が板
厚分のみとなるため、ユニット並び方向において各々の
処理ユニット2〜7の寸法を縮めることができ、その分
だけ装置の長手方向(ユニット並び方向)の寸法を小さ
くすることができる。また、被処理基板1のサイズ(縦
横サイズ、外径等)が大型化しても、その板厚寸法が極
端に厚くなることはないため、基板サイズの大型化に伴
って装置の長手寸法を拡大する必要もない。
【0039】さらに応用例として、例えば図9に示すよ
うに、第1の処理ユニット31に薬液(A)処理と水洗
処理の機能を持たせ、第2の処理ユニット32に薬液
(B)処理と水洗処理の機能を持たせ、最後に乾燥処理
ユニット33を設けるなど、一つの処理ユニットに複数
種の処理機能を持たせることにより、装置の長手寸法を
より一層小さくすることができる。
【0040】なお、本発明に係る基板処理装置は、半導
体基板や液晶基板を処理するものに限らず、例えばPD
P(プラズマ・ディスプレイ・パネル)やFED(フィ
ールド・エミッション・ディスプレイ)等のFDP(フ
ラット・ディスプレイ・パネル)など、各種基板の処理
装置として広く適用可能である。
【0041】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る基板
処理装置によれば、各々の処理ユニット内で被処理基板
を垂直に保持し、ノズルからの処理媒体(薬液、水洗
液、乾燥ガス等)の噴き付けにより所定の処理(薬液処
理、水洗処理、乾燥処理)を行う構成としたので、従来
よりも装置全体を小型化することができる。その結果、
基板処理装置をクリーンルームに設置するにあたって
は、装置の占有面積(フットプリント)が小さくなるた
め、(イ)クリーンルームのレイアウトの自由度が高ま
る、(ロ)クリーンルームの維持費を削減できる、
(ハ)被処理基板の大型化に容易に対応できる、などの
優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る基板処理装置の一実施形態を説明
する図である。
【図2】シャッター機構の構造説明図である。
【図3】図2のA−A断面図である。
【図4】基板保持機構の一例を示す側面図である。
【図5】シャッター機構の部分断面図である。
【図6】本発明の一実施形態における応用例を説明する
図である。
【図7】シャッター機構の他の例を説明する図である。
【図8】本発明に係る基板処理装置の他の実施形態を説
明する図である。
【図9】本発明の他の実施形態における応用例を説明す
る図である。
【図10】従来の基板処理装置の一例を説明する図であ
る。
【図11】従来の基板処理装置の他の例を説明する図で
ある。
【符号の説明】
1…被処理基板、2〜7…処理ユニット、2a〜7a…
ノズル、8…シャッター機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小島 明 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 Fターム(参考) 3B201 AA02 AA03 AB13 AB44 BB25 BB33 BB93 BB95 CB15 CC01 CC12 CD11 CD24 CD33

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被処理基板を薬液処理する処理機能と被
    処理基板を水洗処理する処理機能と被処理基板を乾燥処
    理する処理機能とを組み合わせてなる複数の処理ユニッ
    トを備え、これら複数の処理ユニットを直線的に並設し
    た基板処理装置において、 前記複数の処理ユニットの各々は、該処理ユニット内で
    前記被処理基板を垂直に保持するとともに、この垂直に
    保持した被処理基板の表裏面に処理媒体を噴き付けるノ
    ズルを有することを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 前記複数の処理ユニットの各々は、該処
    理ユニットにおける基板取込位置と基板取出位置とを開
    閉するシャッター機構を有することを特徴とする請求項
    1記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 前記複数の処理ユニットのうち、少なく
    ともいずれか一つの処理ユニットが複数の処理機能を有
    することを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】 前記複数の処理ユニットの相互間で、前
    記被処理基板を水平方向に搬送可能に構成してなること
    を特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  5. 【請求項5】 前記複数の処理ユニットの各々は、該処
    理ユニット内でユニット並び方向と直交する状態で前記
    被処理基板を垂直に保持することを特徴とする請求項1
    記載の基板処理装置。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004140313A (ja) * 2002-08-22 2004-05-13 Jsr Corp 二層積層膜を用いた電極パッド上へのバンプ形成方法
WO2005077553A1 (ja) * 2004-02-18 2005-08-25 Kawasaki Plant Systems Kabushiki Kaisha 板材の洗浄設備
JP2007059866A (ja) * 2005-03-31 2007-03-08 Kaijo Corp 洗浄装置及び洗浄方法
JP2008091576A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Kaijo Corp 乾燥方法
CN102527656A (zh) * 2011-12-31 2012-07-04 绍兴县瑞群纺织机械科技有限公司 一种平网印花网版连续式清洗装置
KR20150077347A (ko) 2013-12-27 2015-07-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 셔터 기구 및 플라즈마 처리 장치
JP2016525927A (ja) * 2013-05-13 2016-09-01 スティールコー エスピーアー 物体を洗浄するトンネル型機械
WO2017034978A1 (en) * 2015-08-21 2017-03-02 Corning Incorporated Methods of processing a glass web

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004140313A (ja) * 2002-08-22 2004-05-13 Jsr Corp 二層積層膜を用いた電極パッド上へのバンプ形成方法
WO2005077553A1 (ja) * 2004-02-18 2005-08-25 Kawasaki Plant Systems Kabushiki Kaisha 板材の洗浄設備
EP1719561A1 (en) * 2004-02-18 2006-11-08 Kawasaki Plant Systems Kabushiki Kaisha Washing apparatus for plate material
EP1719561A4 (en) * 2004-02-18 2011-06-29 Kawasaki Heavy Ind Ltd WASHING APPARATUS FOR MULTIPLE RIBBED MATERIAL
JP2007059866A (ja) * 2005-03-31 2007-03-08 Kaijo Corp 洗浄装置及び洗浄方法
JP2008091576A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Kaijo Corp 乾燥方法
CN102527656A (zh) * 2011-12-31 2012-07-04 绍兴县瑞群纺织机械科技有限公司 一种平网印花网版连续式清洗装置
CN102527656B (zh) * 2011-12-31 2014-04-02 绍兴县瑞群纺织机械科技有限公司 一种平网印花网版连续式清洗装置
JP2016525927A (ja) * 2013-05-13 2016-09-01 スティールコー エスピーアー 物体を洗浄するトンネル型機械
KR20150077347A (ko) 2013-12-27 2015-07-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 셔터 기구 및 플라즈마 처리 장치
WO2017034978A1 (en) * 2015-08-21 2017-03-02 Corning Incorporated Methods of processing a glass web

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