JPH11253894A

JPH11253894A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH11253894A
Application number: JP6518398A
Authority: JP
Inventors: Yusuke Muraoka; 祐介村岡; Seiichiro Sato; 誠一郎佐藤
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1998-03-16
Filing date: 1998-03-16
Publication date: 1999-09-21

Abstract

(57)【要約】【課題】パーティクルの発生を防止して、密閉容器内
で薬液処理および減圧乾燥処理を行う基板処理装置を提
供する。【解決手段】処理槽３２０において、複数の薬液を順
次入れ替えて複数の薬液処理を行う基板処理装置におい
て、第１気体供給部３５０と、気体排出部３７０とを備
える。薬液処理中において、第１気体供給部３５０は空
気供給管３５２を介して容器３１０の内部の壁面に沿っ
て空気を供給し、気体排出部３７０は排気管３７２を介
して排気する。これにより壁面に沿って空気の流れが形
成されるので、気化した薬液が壁面に付着することがな
い。したがって、容器３１０内において使用される複数
の薬液が混合することなどによるパーティクルの発生を
防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、
光ディスク用基板等の基板（以下「基板」という）に対
して、密閉容器内において薬液処理を施した後に、同一
密閉容器の内部圧力を減少することによって基板の乾燥
処理を行う基板処理装置において、パーティクルの発生
を抑制する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板を処理槽内に貯留される薬液等に浸
漬して基板処理を行う基板処理装置において、複数の薬
液処理を同一の処理槽において行う装置が存在する。こ
のような装置においては、処理槽内に貯留する薬液を順
次に入れ替えることにより複数の処理が行われる。

【０００３】薬液処理が施された基板に対しては、さら
に純水による洗浄処理が施される。洗浄処理は、処理槽
内の薬液を純水と置換することによって行われる。

【０００４】そして、引き続いて基板の乾燥処理が行わ
れる。乾燥処理は、基板を処理槽内の処理液から引き上
げた後に行われる。この際、ＩＰＡ（イソプロピルアル
コール）ベーパーを供給することによって効率的に乾燥
処理を行うことができる。また、この乾燥処理は密閉容
器内で行われるが、密閉容器内部の圧力を減少すること
によって、基板表面に付着する液滴をより完全に除去す
ることができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記のような基板処理
装置において、パーティクルの発生が問題となることが
ある。いくつかの原因が考えられるが、本発明の発明者
は、以下のような原因を知得した。

【０００６】上記装置の処理槽での複数の薬液処理に用
いられる複数の薬液は、処理槽における処理の進行に応
じて所定の薬液に順次変更される。異なる薬液処理を行
うにあたって、異種の薬液が互いに化学反応を生じるも
のについては、その処理と処理との間に純水による洗浄
処理を行うことなどによって、処理槽内では複数の薬液
の混合によるパーティクルの発生を回避することができ
る。

【０００７】しかしながら、処理槽に貯留される薬液の
一部は、気化して密閉容器内に散乱し、密閉容器の内部
壁面において再度液化して液滴として付着することがあ
る。その後、別の薬液を用いた処理が同一の密閉容器内
で行われる場合に、その別の薬液の一部が密閉容器内で
気化すると、両薬液の反応生成物が生成されて密閉容器
の内部壁面に付着することがある。たとえば、同一の密
閉容器内で、酸性の薬液や塩基性（アルカリ性）の薬液
を順次、切り換えて供給する場合において、酸と塩基と
の反応により生成される塩が密閉容器の内部壁面にパー
ティクルとして付着することがある。

【０００８】さらに、最終段階での減圧乾燥時において
は、密閉容器内は急激な圧力変動を伴う。この圧力変動
などに伴って、壁面に付着していたパーティクルが壁面
から剥離されて密閉空間内を浮遊し、それらの一部が基
板に付着する場合がある。これが、基板のパーティクル
の発生原因の１つである。

【０００９】また、酸と塩基との中和反応によって生成
される塩以外にも、パーティクルの発生原因となる反応
生成物が存在し得る。たとえば、薬液処理に用いられ蒸
発等により密閉容器の内部壁面に付着したフッ酸と、後
工程において基板乾燥処理に用いられるＩＰＡベーパー
とが反応して生成される物質が、パーティクルとなるこ
とが考えられる。パーティクルは壁面において生成され
た後、上記と同様、減圧乾燥時の減圧のショックなどに
よって壁面から剥離されて、いくつかのパーティクルが
基板に付着することが考えられる。その他、以上のよう
な反応がなくても、気化して壁面に付着した薬液が、減
圧時の再気化によって薬液ペーパとなり、基板に到達し
て、基板を汚染することも考えられる。

【００１０】上記のような原因によって生成されるパー
ティクルが基板に付着すると、不良基板が発生すること
になる。したがって、基板処理装置における処理の歩留
まりが悪化するなどの問題がある。

【００１１】そこで、本発明は前記問題点に鑑み、パー
ティクルの発生を防止して、密閉容器内で薬液処理およ
び減圧乾燥処理を行う基板処理装置を提供することを目
的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の基板処理装置は、所定の密閉容器
内において、基板に対して薬液処理を施した後に、前記
密閉容器内の減圧を伴って基板の乾燥処理を行う基板処
理装置において、前記密閉容器の内部壁面に薬液が付着
することを防止する薬液付着防止手段、を備えることを
特徴とする。

【００１３】請求項２に記載の基板処理装置は、請求項
１に記載の基板処理装置において、前記薬液付着防止手
段は、気体供給手段を有しており、前記気体供給手段
は、前記内部壁面に沿った流れを形成するように気体を
供給することによって、前記内部壁面への薬液の付着を
防止することを特徴とする。

【００１４】請求項３に記載の基板処理装置は、請求項
２に記載の基板処理装置において、前記気体供給手段
は、前記密閉容器の内部の側壁面に沿って気体を供給す
ることによって、前記側壁面に薬液が付着することを防
止することを特徴とする。

【００１５】請求項４に記載の基板処理装置は、請求項
３に記載の基板処理装置において、前記気体供給手段
は、前記密閉容器内の上部側に配設される供給管を有
し、当該供給管の下部に設けられる複数の供給口を経由
して気体を下方へ供給することを特徴とする。

【００１６】請求項５に記載の基板処理装置は、請求項
４に記載の基板処理装置において、前記気体排出部は、
前記供給管に対向するように前記密閉容器内の下部側に
配設される排気管を有し、当該排気管の上部に設けられ
る複数の排気口から気体を排出することを特徴とする。

【００１７】請求項６に記載の基板処理装置は、請求項
２に記載の基板処理装置において、前記気体供給手段
は、前記密閉容器の内部の上壁面に沿って気体を供給す
ることによって、前記上壁面に薬液が付着することを防
止することを特徴とする。

【００１８】請求項７に記載の基板処理装置は、請求項
２に記載の基板処理装置において、前記気体供給手段に
よって供給される気体は、空気であることを特徴とす
る。

【００１９】請求項８に記載の基板処理装置は、請求項
１に記載の基板処理装置において、前記薬液処理におい
て、酸性の薬液と塩基性の薬液とが用いられることを特
徴とする。

【００２０】請求項９に記載の基板処理装置は、請求項
１に記載の基板処理装置において、前記薬液処理におい
てフッ酸が用いられ、前記乾燥処理においてＩＰＡベー
パーが用いられることを特徴とする。

【００２１】ここで、「付着することを防止する」と
は、付着という現象自体を回避すること、および一旦付
着したものを除去することにより継続して付着している
状態を防止することをも含む概念であるものとする。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。

【００２３】＜Ａ．装置＞図１は、実施の形態の基板処
理装置の構成を示す平面図である。図示のように、この
装置は、未処理基板を収納しているカセットＣが投入さ
れるカセット搬入部１０と、このカセット搬入部１０か
らのカセットＣが載置され内部から複数の基板が同時に
取り出される基板取出部２０と、カセットＣから取り出
された未処理基板が順次洗浄処理される基板処理部３０
と、洗浄処理後の複数の処理済み基板が同時にカセット
中に収納される基板収納部４０と、処理済み基板を収納
しているカセットＣが払い出されるカセット搬出部５０
とを備える。さらに、装置の前側には、基板取出部２０
から基板収納部４０に亙って基板搬送機構６０が配置さ
れており、基板処理前および洗浄処理後の基板を一箇所
から別の箇所に搬送したり移載したりする。

【００２４】カセット搬入部１０には、未処理基板を収
納しているカセットＣが投入され、所定位置に載置され
る。カセット搬入部１０は、水平移動、昇降移動及び垂
直軸回りの回転が可能なカセット移載ロボットＣＲ１を
備えている。このカセット移載ロボットＣＲ１によっ
て、一対のカセットＣに収容されている基板が基板取出
部２０に移載される。

【００２５】基板取出部２０は、昇降移動する一対のホ
ルダ２０ａ、２０ｂを備える。そして、各ホルダ２０
ａ、２０ｂの上面にはガイド溝が刻設されており、カセ
ットＣ中の未処理基板を垂直かつ互いに平行に支持する
ことを可能にする。したがって、ホルダ２０ａ、２０ｂ
が上昇すると、載置されたカセットＣ中から複数の基板
が同時に取り出される。そして、カセットＣ中から取り
出された基板は、基板搬送機構６０に設けられた搬送ロ
ボットＴＲに受け渡され、水平移動後に基板処理部３０
に投入される。

【００２６】基板処理部３０においては、薬液処理や水
洗処理などの洗浄処理、ならびに減圧乾燥処理が行われ
る。基板処理部３０は、単一槽内で各種の薬液処理や水
洗処理を行う処理槽３２０（図２参照）を備える。処理
槽３２０においては、搬送ロボットＴＲから受け取った
未処理基板が処理槽３２０内に浸漬されて、順次洗浄処
理される。その後、処理槽３２０から引き上げられた基
板に対して、減圧乾燥処理が行われる。これらの基板
は、このような各種処理が施された後、搬送ロボットＴ
Ｒによって、基板収納部４０へと搬送される。

【００２７】基板収納部４０は、基板取出部２０と同様
の構造を有し、昇降可能な一対のホルダ４０ａ、４０ｂ
によって、搬送ロボットＴＲに把持された処理済み基板
を受け取ってカセットＣ中に収納する。

【００２８】また、カセット搬出部５０は、カセット搬
入部１０と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載
ロボットＣＲ２を備える。基板収納部４０上に載置され
たカセットは、カセット移載ロボットＣＲ２によって、
カセット搬出部５０の所定位置に移載された後、搬出さ
れる。

【００２９】このような概略の基板処理装置において、
各種処理が行われる。以下では、本発明の特徴部であ
る、基板処理部３０について、詳述する。

【００３０】＜基板処理部３０＞図２から図４までは、
基板処理部３０を示す図である。図２は、基板処理部３
０の内部構成を示す斜視図である。また、図３は、基板
処理部３０のＹＺ平面に平行な面における縦断面図であ
り、図４は、基板処理部３０のＸＺ平面に平行な面にお
ける縦断面図である。

【００３１】図２に示すように、基板処理部３０は、容
器３１０と、処理槽３２０と、処理液供給部３４０と、
第１気体供給部３５０と、第２気体供給部３６０と、気
体排出部３７０とを備える。

【００３２】処理槽３２０は、各種処理に用いられる薬
液および純水などの液体（以下、「処理液」という）
を、その内部に貯留することが可能である。処理槽３２
０は、処理槽本体３２２と処理液回収溝３２４とを有す
る。処理液回収溝３２４は、処理槽本体３２２の外部壁
面上部の周囲にわたって設けられており、処理槽本体３
２２から溢れ出た処理液を回収する。

【００３３】上記の処理液は、処理液供給部３４０によ
って供給される。処理液供給部３４０は、一対の処理液
供給管３４２を処理槽本体３２２の両側部に有してい
る。処理液供給管３４２の一部は、処理槽本体３２２の
内側に露出しており、その露出部分には供給口が設けら
れている。必要な処理液は、この処理槽本体３２２内側
の供給口を通じて、処理槽本体３２２へと供給される。

【００３４】第１気体供給部３５０は、容器３１０の４
つの側壁面に沿うように形成される空気供給管３５２を
有しており、この空気供給管３５２は、容器３１０内の
上部に配置されている。図４にも示すように、空気供給
管３５２の下部には、比較的口径の大きな複数の孔３５
２ａが設けられており、空気供給管３５２の内側側部に
は、比較的口径の複数の小さな孔３５２ｂが設けられて
いる。空気供給源３５６から供給される空気は、これら
の孔３５２ａ、３５２ｂを供給口として、容器３１０の
側部壁面および上部壁面に沿うように吐出される。孔３
５２ａから供給された空気は、内部の側壁面に沿うよう
な矢印ＡＲ１の向きの流れを形成し、孔３５２ｂから供
給された空気は、上部壁面に沿うような矢印ＡＲ２の向
きの流れを形成する。なお、空気供給源３５６から供給
される空気は、フィルタを通過してパーティクルが除去
された清浄な空気である。

【００３５】また、気体排出部３７０は、排気管３７２
を有している。排気管３７２は、空気供給管３５２と同
様に、容器３１０の４つの側壁面に沿うような形状に形
成されている。排気管３７２は、空気供給管３５２と対
向するように、容器３１０内の下部に配置されている。
また、排気管３７２の上部には、比較的口径の大きな孔
３７２ａが設けられている。空気供給管３５２の孔３５
２ａから供給される空気は、排気口としての孔３７２ａ
から吸気され、さらに工場内の排気ラインへと導かれて
排出される。これにより、容器３１０の側壁面に沿うよ
うな空気の流れが形成される。

【００３６】第２気体供給部３６０は供給管３６２を有
しており、供給管３６２は複数の孔３６２ａを有してい
る。後に説明するように、これらの孔３６２ａを介し
て、窒素ガスやＩＰＡベーパーなどが容器３１０内の基
板に対して供給される。

【００３７】また、図３に示すように、基板処理部３０
は、さらに基板昇降部３３０を有している。なお、図２
においては、図の簡単化のため基板昇降部３３０を図示
していない。この基板昇降部３３０は、リフタヘッド３
３２と保持板３３３と基板ガイド３３４とリフタ駆動部
３３６とを有している。

【００３８】基板昇降部３３０は、リフタヘッド３３２
と保持板３３３との間に、基板Ｗを保持する保持溝を多
数備えた基板ガイド３３４を３本備えている。基板ガイ
ド３３４は、複数の基板がその基板面が対向するように
配列した状態で保持される。

【００３９】リフタ駆動部３３６はサーボモータ３３６
ａに取り付けられたタイミングベルト３３６ｂに、その
長手方向が鉛直方向となっているシャフト３３６ｃが連
結され、シャフト３３６ｃの上端はリフタヘッド３３２
に連結されている。サーボモータ３３６ａの駆動によ
り、リフタヘッド３３２と、保持板３３３と、基板ガイ
ド３３４と、基板ガイド３３４に保持された複数の基板
Ｗとが昇降する。この昇降動作によって、図４に示すよ
うな、基板Ｗの搬送ロボットＴＲとの受け渡し位置Ｔ
Ｐ、基板Ｗの乾燥位置ＤＲ、基板Ｗの処理液Ｌへの浸漬
位置ＤＰに位置させることが可能である。

【００４０】また、図４に示すように、容器３１０の上
部には、開閉可能なシャッタ３１２が設けられている。
シャッタ３１２を閉じた状態では、容器３１０の内部空
間をその外部空間と遮断して密閉した状態にすることが
できる。したがって、基板処理中においては、シャッタ
３１２を閉じて容器３１０の内部空間を密閉状態にでき
る。また、基板処理の前後においては、シャッタ３１２
を開状態にすることにより、搬送ロボットＴＲとの間で
基板を受け渡すことができる。

【００４１】＜供給系・排出系＞図５は、基板処理部３
０における各種処理液および各種供給気体についての、
供給系統および排出系統を示す図である。

【００４２】第１気体供給部３５０は、空気供給管３５
２とバルブ３５４と空気供給源３５６とを有し、空気供
給源３５６から供給される空気がバルブ３５４の開閉に
応じて空気供給管３５２へと導かれて供給される。な
お、空気供給源３５６は、基板処理装置１内に備えても
良いが、工場内の共通設備として別途設けられるものを
利用してもよい。

【００４３】また、気体排出部３７０は、排気管３７２
とバルブ３７４とを有し、容器３１０内の気体をバルブ
３７４の開閉に応じて排気管３７２を介して工場内の排
気ラインへと排出する。

【００４４】空気供給管３５２から供給された空気は、
内部の側壁面に沿うような矢印ＡＲ１の向きの流れと、
上部壁面に沿うような矢印ＡＲ２の向きの流れとを形成
する。したがって、処理槽に貯留される薬液の一部が気
化して容器３１０内を浮遊したとしても、その気化した
薬液は空気の流れに吸い込まれて気体排出部３７０へと
排気されるので、壁面に付着することがない。また、何
らかの理由により、壁面に薬液が付着した場合にあって
も、空気の流れによって再度気化して、排出され得る。
あるいは、壁面に液滴として付着した薬液は、液体のま
ま空気の流れによって下方に押し流される場合もある。
この場合には、この薬液を排液ラインへ排出するための
排出口をさらに別に設けておくことによって、薬液を排
出することができる。

【００４５】以上のように、壁面に沿った空気の流れを
形成することによって、気化した薬液が壁面に付着する
ことを防止することできる。

【００４６】また、第２気体供給部３６０は、上述した
ように、供給管３６２を有している。窒素供給源３６６
からバルブ３６４ａを介して供給される窒素ガスと、Ｉ
ＰＡ供給源からバルブ３６４ｂを介して供給されるＩＰ
Ａベーパーとが、供給管３６２を介して容器３１０内へ
と供給される。

【００４７】さらに、処理液供給部３４０は、各種処理
液を供給するため、各種処理液の供給源３４６とそれら
の供給を制御するバルブ３４４と、純水および各種薬液
を混合して供給するためのミキシングバルブ３４８とを
有する。図５においては、供給源３４６として、ＳＣ−
１供給源３４６ａと、ＳＣ−２供給源３４６ｂと、フッ
酸（ＨＦ）供給源３４６ｃと、純水（ＤＩＷ）供給源３
４６ｄとを備えており、それぞれの供給を制御するバル
ブ３４４としてバルブ３４４ａ〜３４４ｄを備えている
場合が示されている。上記の供給系によって、所定の処
理液が処理液供給管３４２を介して、処理槽本体３２２
の内部へと供給される。なお、「ＳＣ−１」は、アンモ
ニアと過酸化水素と水との混合溶液であり、「ＳＣ−
２」は、塩酸と過酸化水素と水との混合溶液である。

【００４８】処理槽本体３２２から溢れ出た処理液の一
部は、処理液回収溝３２４を介して回収され、バルブ３
４９ａと、ポンプ３４９ｂと、フィルタ３４９ｃとを介
して、処理槽本体３２２へと還流することができる。こ
れにより処理液の消費量を抑制できる。不要な処理液
は、バルブ３４９ａを切り換えることにより、排液ライ
ンへと排出できる。

【００４９】また、処理槽本体３２２内の処理液は、処
理槽本体３２２の下部に設けられた排出口３４３に設け
たバルブ３４５を開けることにより、排出口３４３から
排液ラインへと直接排出することができる。

【００５０】＜Ｂ．処理手順＞以下において、本基板処
理装置を用いた処理手順について説明する。ここでは、
処理槽３２０において基板に対して異なる３つの薬液処
理を行った後、減圧乾燥処理を行う場合を想定する。図
６は、その処理手順を示すタイミングチャートであり、
左側に列挙された各動作の動作タイミングなどを表す図
である。以下では、主に図６を参照しながら説明を進め
る。

【００５１】まず、処理対象の基板が基板処理部３０に
投入される。すなわち、受け渡し位置ＴＰ（図４参照）
において、複数の基板Ｗが、搬送ロボットＴＲ（図１参
照）から基板昇降部３３０の基板ガイド３３４へと受け
渡される。その後、これらの基板Ｗは、基板ガイド３３
４に保持されたまま、リフタ駆動部３３６の駆動によっ
て、浸漬位置ＤＰにまで下降する。また、開放状態であ
ったシャッタ３１２は閉じられ、容器３１０内は外部雰
囲気から遮断されて密閉状態になる。これらは、図６に
おいて、「基板位置」の時刻ｔ₀から時刻ｔ₁に至るまで
の動作として示されている。

【００５２】＜薬液処理＞そして、第１の薬液処理が行
われる。第１の薬液処理は、「ＳＣ−１」を用いて行わ
れる。時刻ｔ₁から時刻ｔ₂に至るまで、「ＳＣ−１」が
処理槽３２０に対して供給され、処理槽３２０内で薬液
処理が施される。図６においては、「ＳＣ−１」の供給
は、時刻ｔ₁から時刻ｔ₂に至るまでの斜線部分として示
されている。また同時に、空気（ＡＩＲ）が、第１気体
供給部３５０によって供給され、容器３１０の内部壁面
に沿うような空気の流れ（矢印ＡＲ１）を形成する。気
化した薬液は、この空気の流れに沿って気体排出部３７
０へと排出されるので、壁面に付着することがない。時
刻ｔ₂においてＳＣ−１の供給が停止され後も、純水
（ＤＩＷ）が処理槽３２０に供給される。これによっ
て、処理槽３２０の内部は、一旦、純水によって置換さ
れる。したがって、処理槽内において、「ＳＣ−１」と
次の第２の薬液処理で用いられる「ＳＣ−２」とが混合
することによる反応は生じない。また、基板は純水中に
浸漬されており容器３１０内の雰囲気中に露出しないの
で、容器３１０内の雰囲気中に存在する物質と反応する
こともない。

【００５３】次に、時刻ｔ₃において「ＳＣ−２」の供
給が開始され、基板に対して第２の薬液処理が行われ
る。第２の薬液処理中においても、第１気体供給部３５
０による空気の供給を行う。これにより、気化した薬液
は、気体排出部３７０へと排出され、壁面に付着するこ
とがない。

【００５４】ここで、仮に、ＳＣ−１中のアンモニアと
水との混合液成分が壁面に付着していた場合を想定す
る。この場合、ＳＣ−２に含まれる塩酸と水との混合溶
液が気化すると、両混合液は中和反応を起こして、中和
塩である塩化アンモニウムが壁面において生成される。
ここで、ＳＣ−１は塩基性の水溶液であり、ＳＣ−２は
酸性の水溶液である。したがって、酸と塩基との中和反
応による塩が生成されるのである。生成された塩はパー
ティクルとなり、後工程で行われる減圧時の衝撃によっ
て壁面から剥離して、処理基板に再付着するおそれがあ
る。処理基板に再付着した場合には、歩留まりの悪化や
基板不良などの問題の原因となる。しかしながら、本実
施形態においては、第１気体供給部３５０による空気の
供給によって、壁面に沿う空気の流れが形成されるた
め、気化した薬液が壁面に付着しないので、中和反応に
よるパーティクルの発生を防止できる。

【００５５】再び、本実施形態の処理手順についての説
明に戻る。ＳＣ−２の供給は、時刻ｔ₄において停止さ
れる。その後も、純水（ＤＩＷ）のみが処理槽３２０に
供給され、処理槽３２０の内部は、一旦、純水によって
置換される。

【００５６】次に、第３の薬液処理が施される。第３の
薬液処理は、薬液としてフッ酸（ＨＦ）を用いる。時刻
ｔ₅から時刻ｔ₆に至るまで、フッ酸の供給が行われた
後、フッ酸の供給を停止して、純水のみを処理槽３２０
に供給し、処理槽３２０の薬液を純水に置換する。

【００５７】第１気体供給部３５０による空気の供給
は、所定時間にわたって継続した後、時刻ｔ₇において
停止される。これは、処理槽３２０内の処理液の純水へ
の置換が完了する時期に対応する。つまり、この時点
（時刻ｔ₇）においては、処理槽内の処理液はほぼ純水
のみとなっておりフッ酸はほとんど残留していないの
で、処理槽３２０からフッ酸が気化することがない。し
たがって、第１気体供給部３５０による空気の供給を停
止しても、壁面におけるパーティクルの発生もあり得な
い。なお、この後時刻ｔ₈に至るまで純水による洗浄処
理は続行されるが、これは純水によるイオンレベルでの
洗浄処理を行うためのものである。

【００５８】＜乾燥処理＞次に、前述の３つの薬液処理
が施された基板に対して乾燥処理を行う。

【００５９】まず、第２気体供給部３６０によって、窒
素（Ｎ₂）ガスを供給することにより、容器３１０の内
部を窒素ガスで満たす。これによって、純水中に浸漬さ
れている基板が容器３１０内部の雰囲気中に露出したと
きに、雰囲気中に含まれている物質（例えば、酸素）と
基板上の物質（例えば、純水およびシリコン）とが反応
することなどによるパーティクルの発生を防止する。な
お、窒素ガスの供給は、図６において高さの低い斜線部
で示すように、時刻ｔ₇以前にも行われているが、これ
は供給管３６２を温めるためなどの目的で微少量が供給
されるものである。

【００６０】そして、時刻ｔ₈から第２気体供給部３６
０によるＩＰＡベーパーの供給が開始される。ＩＰＡベ
ーパーを供給した上で、基板を純水から引き上げて乾燥
位置ＤＲにまで上昇させる（時刻ｔ₉〜時刻ｔ₁₀）。Ｉ
ＰＡベーパー中で純水から引き上げることによって基板
上に残留する液滴が減少するので、基板の乾燥効率を向
上させることができる。

【００６１】ここで、仮に、フッ酸と水との混合液成分
が壁面などに付着しているとすると、ＩＰＡベーパーと
反応して、パーティクルが壁面に発生する。このパーテ
ィクルは、後工程で行われる減圧時の衝撃によって壁面
から剥離して、処理基板に再付着するおそれがある。パ
ーティクルが付着すると基板不良の原因となる。しかし
ながら、本実施形態においては、第１気体供給部３５０
による空気の供給によって、壁面に沿う空気の流れが形
成されるため、気化したフッ酸が壁面に付着しない。し
たがって、フッ酸とＩＰＡとの反応によるパーティクル
の発生を防止できる。

【００６２】そして、基板Ｗは乾燥位置ＤＲに位置させ
たまま、容器３１０内部の圧力を減少させて、基板に対
して減圧乾燥処理を行う（時刻ｔ₁₀〜時刻ｔ₁₁）。基板
上に残留する液体（純水）の気化を促進することによ
り、基板の乾燥処理を行うものである。上述したよう
に、壁面にパーティクルが付着している場合には、この
減圧処理において急激に圧力が減少されると、その衝撃
でパーティクルが壁面から離脱して、巻き上げられたパ
ーティクルの一部は、基板に再付着する可能性がある。
しかしながら、本発明によれば、壁面に薬液が付着する
ことが防止されるので、壁面においてパーティクルが発
生することがない。したがって、上記課題を解決するこ
とができる。

【００６３】その後、圧力を大気圧に戻すと共に、窒素
ガスを供給する。これによりＩＰＡを排気する。そし
て、シャッタ３１２が再び開放され（時刻ｔ₁₂）、基板
は、受け渡し位置ＴＰ（図４参照）にまで上昇される
（時刻ｔ₁₃）。基板は、搬送ロボットＴＲへと受け渡さ
れ、基板収納部４０およびカセット搬出部５０を経由し
て基板処理装置１から搬出される（図１参照）。

【００６４】＜その他の変形例＞上記実施形態において
は、第１気体供給部３５０によって供給される気体とし
ては空気が用いられていたが、空気の代わりに他の気体
を用いることも可能である。例えば窒素ガスを用いるこ
とも可能である。ただし、第１気体供給部３５０によっ
て供給される空気は大量である。そのため、コスト面を
考慮すると、第１気体供給部３５０によって供給される
気体は、空気であることが好ましい。

【００６５】また、上記実施形態においては、壁面に沿
った気体（空気）の流れを形成することにより、容器３
１０の内部壁面に薬液が付着することを防止していた
が、これに限定されない。たとえば、容器３１０の内部
壁面上に純水を流すことによって、薬液が付着すること
を防止することも可能である。

【００６６】

【発明の効果】以上のように、請求項１ないし請求項９
に記載の基板処理装置によれば、所定の密閉容器内にお
いて、基板に対して薬液処理を施した後に、密閉容器内
の減圧を伴って基板の乾燥処理を行う基板処理装置にお
いて、薬液付着防止手段によって、密閉容器の内部壁面
に薬液が付着することを防止する。したがって、異なる
薬液の相互の反応によるパーティクルの発生が防止でき
る。

【００６７】特に、請求項３ないし請求項５に記載の基
板処理装置によれば、気体供給手段によって、内部側壁
面に沿った流れが形成されので、密閉容器の内部側壁面
への薬液の付着が防止される。したがって、密閉容器内
における側壁面でのパーティクルの発生が防止できる。

【００６８】また、請求項６に記載の基板処理装置によ
れば、気体供給手段によって、内部上壁面に沿った流れ
が形成されので、密閉容器の内部上壁面への薬液の付着
が防止される。したがって、密閉容器内における上壁面
でのパーティクルの発生が防止できる。

【００６９】請求項７に記載の基板処理装置によれば、
気体供給手段によって供給される気体は空気であるの
で、コストを抑制することが可能である。

【００７０】請求項８に記載の基板処理装置によれば、
酸性の薬液と塩基性の薬液とが反応することがない。し
たがって、酸と塩基との中和塩がパーティクルとして生
成されることがない。

【００７１】請求項９に記載の基板処理装置によれば、
フッ酸とＩＰＡとが反応することがない。したがって、
フッ酸とＩＰＡとの反応生成物がパーティクルとして生
成されることがない。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態の基板処理装置の構成を示す
平面図である。

【図２】基板処理部３０の内部構成を示す斜視図であ
る。

【図３】基板処理部３０のＹＺ平面に平行な面における
縦断面図である。

【図４】基板処理部３０のＸＺ平面に平行な面における
縦断面図である。

【図５】基板処理部３０における供給系統および排出系
統を示す図である。

【図６】処理手順を示すタイミングチャートである。

【符号の説明】

１基板処理装置１０カセット搬入部２０基板取出部３０基板処理部４０基板収納部５０カセット搬出部６０基板搬送機構３１０ケーシング３１２シャッタ３２０処理槽３３０基板昇降部３４０処理液供給部３４２処理液供給管３５２空気供給管３５２ａ、３５２ｂ、３７２ａ孔３５６空気供給源３６２供給管３７０気体排出部３７２排気管ＣカセットＣＲ１，ＣＲ２カセット移載ロボットＷ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定の密閉容器内において、基板に対し
て薬液処理を施した後に、前記密閉容器内の減圧を伴っ
て基板の乾燥処理を行う基板処理装置において、前記密閉容器の内部壁面に薬液が付着することを防止す
る薬液付着防止手段、を備えることを特徴とする基板処
理装置。
【請求項２】請求項１に記載の基板処理装置におい
て、前記薬液付着防止手段は、気体供給手段を有しており、前記気体供給手段は、前記内部壁面に沿った流れを形成
するように気体を供給することによって、前記内部壁面
への薬液の付着を防止することを特徴とする基板処理装
置。
【請求項３】請求項２に記載の基板処理装置におい
て、前記気体供給手段は、前記密閉容器の内部の側壁面に沿
って気体を供給することによって、前記側壁面に薬液が
付着することを防止することを特徴とする基板処理装
置。
【請求項４】請求項３に記載の基板処理装置におい
て、前記気体供給手段は、前記密閉容器内の上部側に配設さ
れる供給管を有し、当該供給管の下部に設けられる複数
の供給口を経由して気体を下方へ供給することを特徴と
する基板処理装置。
【請求項５】請求項４に記載の基板処理装置におい
て、前記気体排出部は、前記供給管に対向するように前記密
閉容器内の下部側に配設される排気管を有し、当該排気
管の上部に設けられる複数の排気口から気体を排出する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】請求項２に記載の基板処理装置におい
て、前記気体供給手段は、前記密閉容器の内部の上壁面に沿
って気体を供給することによって、前記上壁面に薬液が
付着することを防止することを特徴とする基板処理装
置。
【請求項７】請求項２に記載の基板処理装置におい
て、前記気体供給手段によって供給される気体は、空気であ
ることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】請求項１に記載の基板処理装置におい
て、前記薬液処理において、酸性の薬液と塩基性の薬液とが
用いられることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】請求項１に記載の基板処理装置におい
て、前記薬液処理においてフッ酸が用いられ、前記乾燥処理
においてＩＰＡベーパーが用いられることを特徴とする
基板処理装置。