JP2023012573A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板上へのパーティクルの付着に伴うパターン倒壊を抑制する。【解決手段】本開示による基板処理装置は、濡れた状態の複数の基板を一括して乾燥処理する基板処理装置である。実施形態に係る基板処理装置は、チャンバと、保持部と、疎水化剤ノズルと、第１有機溶剤ノズルと、第２有機溶剤ノズルと、排気口とを備える。チャンバは、複数の基板を収容可能な気密空間を有する。保持部は、気密空間のうち液体が貯留される貯留領域と、気密空間のうち貯留領域の上方に位置する乾燥領域との間で、複数の基板を昇降させる。疎水化剤ノズルは、乾燥領域に対して疎水化剤の蒸気を供給する。第１有機溶剤ノズルは、乾燥領域から貯留領域に向けて有機溶剤を供給する。第２有機溶剤ノズルは、乾燥領域に対して有機溶剤の蒸気を供給する。排気口は、気密空間内の気体を排出する。【選択図】図１

Description

本開示は、基板処理装置に関する。
半導体ウエハ等の基板を乾燥させる乾燥処理では、基板の表面に形成された回路パターン（以下、単に「パターン」と呼称する）が液体の表面張力によって倒壊するおそれがある。
そこで、有機溶剤を蒸気化させた有機溶剤蒸気を液処理後の基板に接触させて基板上の処理液を有機溶剤に置換した後、基板上から揮発等によって有機溶剤を除去することにより、パターン倒壊を抑制しつつ基板を乾燥させる技術が知られている。
特開２０１３－０５８６９６号公報
本開示は、基板上へのパーティクルの付着に伴うパターン倒壊を抑制することができる技術を提供する。
本開示の一態様による基板処理装置は、濡れた状態の複数の基板を一括して乾燥処理する基板処理装置である。実施形態に係る基板処理装置は、チャンバと、保持部と、疎水化剤ノズルと、第１有機溶剤ノズルと、第２有機溶剤ノズルと、排気口とを備える。チャンバは、複数の基板を収容可能な気密空間を有する。保持部は、気密空間のうち液体が貯留される貯留領域と、気密空間のうち貯留領域の上方に位置する乾燥領域との間で、複数の基板を昇降させる。疎水化剤ノズルは、乾燥領域に対して疎水化剤の蒸気を供給する。第１有機溶剤ノズルは、乾燥領域から貯留領域に向けて有機溶剤を供給する。第２有機溶剤ノズルは、乾燥領域に対して有機溶剤の蒸気を供給する。排気口は、気密空間内の気体を排出する。
本開示によれば、基板上へのパーティクルの付着に伴うパターン倒壊を抑制することができる。
図１は、実施形態に係る基板処理装置の模式的な断面図である。 図２は、実施形態に係る疎水化剤ノズルおよび第２有機溶剤ノズルの構成を示す模式的な側面図である。 図３は、実施形態に係る基板処理装置が実行する処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図４は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図５は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図６は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図７は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図８は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図９は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図１０は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図１１は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図１２は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図１３は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図１４は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図１５は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図１６は、実施形態に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図１７は、第１変形例に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図１８は、第１変形例に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図１９は、第２変形例に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図２０は、第２変形例に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図２１は、第２変形例に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図２２は、第２変形例に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図２３は、第３変形例に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図２４は、第３変形例に係る基板処理装置の動作例を示す図である。 図２５は、第４変形例に係る疎水化剤ノズルおよび第２有機溶剤ノズルの構成を示す模式的な側面図である。
以下に、本開示による基板処理装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、例えば製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。
＜基板処理装置の構成＞
まず、実施形態に係る基板処理装置の構成について図１を参照して説明する。図１は、実施形態に係る基板処理装置の模式的な断面図である。
図１に示す実施形態に係る基板処理装置１００は、液処理後の濡れた状態の複数の半導体基板（以下、基板Ｗと記載する）を一括して乾燥処理する。液処理は、特に限定されないが、たとえば、エッチング処理や洗浄処理等である。
各基板Ｗの表面には、パターンが形成されており、単純に乾燥させた場合、パターン間に入り込んだ液体の表面張力によってパターンが倒壊するおそれがある。このため、基板処理装置１００は、有機溶剤の蒸気を液処理後の基板に接触させて基板上の処理液を乾燥液に置換した後、基板上から揮発等によって有機溶剤を除去する。これにより、基板処理装置１００は、パターン倒壊を抑制しながら基板を乾燥させることができる。
ここで、本願発明者は、鋭意研究の結果、基板上のパーティクルとパターン倒壊との間に相関があることを見出した。具体的には、本願発明者は、基板に対して基板の径方向に沿ったパーティクル量の勾配を設け、基板の径方向に沿って（すなわちパーティクル量の勾配に沿って）パターンの倒壊個数を計測した。その結果、本願発明者は、パーティクル量が増加するにつれて、パターンの倒壊個数が増加することを発見した。このように、本願発明者は、基板上のパーティクルが、パターン倒壊を引き起こす要因の一つとなっていることを見出した。
基板上へのパーティクルの付着は、たとえば、基板の乾燥処理が行われるチャンバの内部に付着したパーティクルが基板上に転写することによって生じる。そこで、実施形態に係る基板処理装置１００では、チャンバの内部を洗浄する機構を設けることで、チャンバ内のパーティクル汚染を抑制し、これをもって基板上のパターン倒壊のさらなる抑制を図ることとした。
図１に示すように、基板処理装置１００は、チャンバ１と、保持部２とを備える。また、基板処理装置１００は、複数のリンスノズル３と、複数の疎水化剤ノズル４と、複数の第１有機溶剤ノズル５と、複数の第２有機溶剤ノズル６と、少なくとも１つの第３有機溶剤ノズル７とを備える。また、基板処理装置１００は、制御装置８を備える。
（チャンバ１）
チャンバ１は、処理槽１１と、蓋体１２とを備える。処理槽１１は、上方が開放された容器であり、垂直姿勢（縦向きの状態）で並べられた複数の基板Ｗを収容可能である。処理槽１１は、後述するリンスノズル３から供給されるリンス液を貯留可能である。リンス液は、たとえば、ＤＩＷ（脱イオン水）である。蓋体１２は、処理槽１１の上方を覆う部材であり、後述する保持部２とともに昇降可能に構成されている。蓋体１２は、後述する移動機構２３によって昇降可能に構成されており、蓋体１２を上昇させることにより、複数の基板Ｗをチャンバ１に搬入したりチャンバ１から搬出したりすることができる。
処理槽１１の上部に蓋体１２が載置されることで、チャンバ１の内部には、複数の基板Ｗを収容可能な気密空間１３が形成される。なお、チャンバ１は、処理槽１１と蓋体１２との間にＯリング等のシール部材１４を有していてもよい。かかる構成とすることにより、気密空間１３の気密性を維持することができる。
気密空間１３は、後述するリンスノズル３から供給されるＤＩＷが貯留される貯留領域１３１と、この貯留領域１３１の上方に位置する乾燥領域１３２とを有する。具体的には、気密空間１３内において保持部２により移動可能な最低位置まで降下させた複数の基板Ｗの全体を浸漬させることができ、かつ、気密空間１３内において保持部２により移動可能な最高位置まで上昇させた複数の基板Ｗに接触しない水位を水位Ｌとする。この場合において、貯留領域１３１は、気密空間１３のうち水位Ｌよりも下方の領域である。また、乾燥領域１３２は、気密空間１３のうち水位Ｌよりも上方の領域である。なお、後述する第３有機溶剤ノズル７は、かかる水位Ｌのわずかに上方の位置に配置される。よって、貯留領域１３１は、後述する第３有機溶剤ノズル７よりも下方の領域であり、乾燥領域１３２は、第３有機溶剤ノズル７よりも上方の領域と定義されても良い。
処理槽１１の底壁には、処理槽１１からＤＩＷを排出するための排液口１５が設けられている。排液口１５には、排液路１５１が接続されている。排液路１５１の中途部には、排液路１５１を開閉するバルブ１５２が設けられている。バルブ１５２は、後述する制御部８１に電気的に接続され、制御部８１によって開閉制御される。
また、処理槽１１の側壁には、気密空間１３内の気体を排出する複数の排気口１６が設けられている。排気口１６は、排気路１６１を介して真空ポンプ等の図示しない排気機構に接続されている。気密空間１３内の雰囲気は、排気機構によって排気口１６および排気路１６１を介して外部へ排出される。
複数の排気口１６は、後述する疎水化剤ノズル４よりも上方に配置される。また、複数の排気口１６は、後述する第２有機溶剤ノズル６よりも下方に配置される。かかる構成とすることにより、乾燥領域１３２に充満した蒸気（疎水化剤の蒸気および有機溶剤の蒸気）を効率良く排出することができる。
（保持部２）
保持部２は、保持体２１と、保持体２１を支持するシャフト２２と、シャフト２２を昇降させる移動機構２３とを備える。保持体２１は、複数の基板Ｗを垂直姿勢で保持する。また、保持体２１は、複数の基板Ｗを水平方向（ここでは、Ｙ軸方向）に一定の間隔で並べられた状態で保持する。シャフト２２は、鉛直方向（ここでは、Ｚ軸方向）に沿って延在し、下部において保持体２１を支持する。シャフト２２は、蓋体１２の上部に設けられた図示しない開口に対して摺動可能に挿通される。
移動機構２３は、たとえばモータ、ボールネジ、シリンダ等を備えており、保持部２のシャフト２２に接続され、シャフト２２を昇降させる。移動機構２３によってシャフト２２が昇降することにより、シャフト２２に支持された保持体２１が昇降する。これにより、移動機構２３は、保持体２１に保持された複数の基板Ｗを貯留領域１３１と乾燥領域１３２との間で昇降させることができる。移動機構２３は、制御装置８の制御部８１に電気的に接続されており、制御部８１によって制御される。
（各種ノズル）
複数のリンスノズル３は、貯留領域１３１に配置される。具体的には、複数のリンスノズル３は、処理槽１１の底部に設けられる。リンスノズル３には、供給路３１を介してリンス液供給源３２が接続される。リンス液供給源３２は、２つのリンスノズル３に対してＤＩＷを供給する。
供給路３１には、バルブ３４と、流量調整器３５とが設けられる。バルブ３４は、供給路３１を開閉する。流量調整器３５は、供給路３１を流れる処理液の流量を調整する。バルブ３４および流量調整器３５は、制御装置８の制御部８１に電気的に接続されており、制御部８１によって制御される。
複数の疎水化剤ノズル４、複数の第１有機溶剤ノズル５、複数の第２有機溶剤ノズル６および第３有機溶剤ノズル７は、乾燥領域１３２に配置される。具体的には、これらは、チャンバ１における乾燥領域１３２の両側壁に配置される。
これらは、乾燥領域１３２の下方から上方に向かって、第３有機溶剤ノズル７、疎水化剤ノズル４、第１有機溶剤ノズル５および第２有機溶剤ノズル６の順番で配置される。
疎水化剤ノズル４は、乾燥領域１３２に対して疎水化剤の蒸気を供給する。具体的には、疎水化剤ノズル４は、チャンバ１における乾燥領域１３２の側壁付近から乾燥領域１３２の内方に向けて水平に疎水化剤の蒸気を吐出する。なお、疎水化剤の蒸気の供給系については後述する。
第１有機溶剤ノズル５は、疎水化剤ノズル４よりも上方に配置される。第１有機溶剤ノズル５は、乾燥領域１３２から貯留領域１３１に向けて有機溶剤の液体を供給する。具体的には、第１有機溶剤ノズル５は、スプレーノズルであり、有機溶剤の液体を円錐状または扇状に噴霧する。複数の第１有機溶剤ノズル５は、複数の基板Ｗの配列方向（Ｙ軸方向）に沿って並べられている。これにより、複数の第１有機溶剤ノズル５は、複数の基板Ｗの全面に有機溶剤の液体を効率良く供給することができる。
第１有機溶剤ノズル５には、供給路５１を介して有機溶剤供給源５２が接続される。有機溶剤供給源５２は、複数の第１有機溶剤ノズル５に対して有機溶剤の液体を供給する。実施形態において、有機溶剤供給源５２は、第１有機溶剤ノズル５に対してＩＰＡ（イソプロピルアルコール）の液体を供給する。以下では、ＩＰＡの液体を「ＩＰＡ液体」と呼称する。
供給路５１には、バルブ５４と、流量調整器５５とが設けられる。バルブ５４は、供給路５１を開閉する。流量調整器５５は、供給路５１を流れるＩＰＡ液体の流量を調整する。バルブ３４および流量調整器３５は、制御装置８の制御部８１に電気的に接続されており、制御部８１によって制御される。
第２有機溶剤ノズル６は、第１有機溶剤ノズル５よりも上方に配置される。第２有機溶剤ノズル６は、乾燥領域１３２に対して有機溶剤の蒸気を供給する。具体的には、第２有機溶剤ノズル６は、チャンバ１における乾燥領域１３２の側壁付近から乾燥領域１３２の上方すなわち蓋体１２に向けて上方または斜め上方に有機溶剤の蒸気を吐出する。なお、図１には、第２有機溶剤ノズル６が有機溶剤の蒸気を斜め方向に吐出する場合の例を示している。なお、有機溶剤の蒸気の供給系については後述する。
第３有機溶剤ノズル７は、疎水化剤ノズル４よりも下方に配置される。具体的には、第３有機溶剤ノズル７は、貯留領域１３１に貯留されるＤＩＷの液面（水位Ｌ）よりも僅かに高い位置に配置される。第３有機溶剤ノズル７は、貯留領域１３１に貯留されたＤＩＷの液面に対して有機溶剤の液体を供給する。これにより、第３有機溶剤ノズル７は、貯留領域１３１に貯留されたＤＩＷの液面に有機溶剤の液膜を形成する。
第３有機溶剤ノズル７には、供給路７１を介して有機溶剤供給源７２が接続される。有機溶剤供給源７２は、第３有機溶剤ノズル７に対して有機溶剤の液体を供給する。実施形態において、有機溶剤供給源７２は、第３有機溶剤ノズル７に対してＩＰＡ液体を供給する。
供給路７１には、バルブ７４と、流量調整器７５とが設けられる。バルブ７４は、供給路７１を開閉する。流量調整器７５は、供給路７１を流れるＩＰＡ液体の流量を調整する。バルブ７４および流量調整器７５は、制御装置８の制御部８１に電気的に接続されており、制御部８１によって制御される。
（制御装置８）
制御装置８は、たとえばコンピュータであり、制御部８１と記憶部８２とを備える。記憶部８２は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）等の半導体メモリ素子、又は、ハードディスク、光ディスク等の記憶装置によって実現され、基板処理装置１００において実行される各種の処理を制御するプログラムを記憶する。制御部８１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含み、記憶部８２に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理装置１００の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置８の記憶部８２にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
（疎水化剤ノズル４および第２有機溶剤ノズル６の供給系）
図２は、実施形態に係る疎水化剤ノズル４および第２有機溶剤ノズル６の構成を示す模式的な側面図である。
図２に示すように、疎水化剤ノズル４は、複数の基板Ｗの配列方向（Ｙ軸方向）に沿って延在する長尺筒状の本体部４１と、この本体部４１に対し、複数の基板の配列方向に沿って間隔をあけて形成された複数の吐出口４２とを備える。吐出口４２としては、単純な開口の他、疎水化剤の蒸気をミスト状に噴霧させるスプレー用ノズルチップ等が用いられてもよい。また、疎水化剤ノズル４は、複数の吐出口４２に代えて、複数の基板Ｗの配列方向に沿って延在するスリット状の吐出口を有していてもよい。
同様に、第２有機溶剤ノズル６は、複数の基板Ｗの配列方向（Ｙ軸方向）に沿って延在する長尺筒状の本体部６１と、この本体部６１に対し、複数の基板の配列方向に沿って間隔をあけて形成された複数の吐出口６２とを備える。吐出口６２としては、単純な開口の他、有機溶剤の蒸気をミスト状に噴霧させるスプレー用ノズルチップ等が用いられてもよい。また、第２有機溶剤ノズル６は、複数の吐出口６２に代えて、複数の基板Ｗの配列方向に沿って延在するスリット状の吐出口を有していてもよい。
疎水化剤ノズル４は、供給路４６（疎水化剤供給路の一例）を介して蒸気供給系統４５に接続される。蒸気供給系統４５は、疎水化剤供給源４５１と、気体供給源４５２と、バルブ４５３，４５４と、加熱部４５５と、流量調整器４５６とを備える。疎水化剤供給源４５１は、液体状態の疎水化剤を供給し、気体供給源４５２は、不活性ガスであるＮ２（窒素）ガス（乾燥気体の一例）を供給する。
ここで、疎水化剤とは、たとえば、基板Ｗの表面を疎水化するための疎水化剤をシンナーで所定の濃度に希釈したものである。原料の疎水化剤としては、たとえば、シリル化剤またはシランカップリング剤等を用いることができる。
具体的には、例えば、ＴＭＳＤＭＡ（トリメチルシリルジメチルアミン）、ＤＭＳＤＭＡ（ジメチルシリルジメチルアミン）、ＴＭＳＤＥＡ（トリメチルシリルジエチルアミン）、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジンラザン）等を原料の疎水化剤として用いることができる。
また、シンナーとしては、エーテル類溶媒や、ケトンに属する有機溶媒などを用いることができる。具体的には、たとえば、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）、シクロヘキサノン、ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）などをシンナーとして用いることができる。
疎水化剤供給源４５１は、バルブ４５３を介して加熱部４５５に接続され、気体供給源４５２は、バルブ４５４を介して加熱部４５５に接続される。バルブ４５３，４５４は、制御部８１に電気的に接続され、制御部８１によって開閉制御される。
バルブ４５３，４５４の両方が開かれた場合、加熱部４５５には、疎水化剤供給源４５１から供給される疎水化剤の液体と、気体供給源４５２から供給されるＮ２ガスとの混合流体が供給される。加熱部４５５は、かかる混合流体を加熱することによって、疎水化剤の蒸気（以下、「疎水化剤蒸気」と呼称する）を生成する。なお、バルブ４５３の後段には図示しない二流体ノズルが設けられており、かかる二流体ノズルによってミスト化された混合流体が加熱部４５５に供給される。
一方、バルブ４５４のみが開かれた場合、加熱部４５５には、気体供給源４５２からＮ２ガスが供給される。この場合、加熱部４５５は、Ｎ２ガスを加熱することによって、ホットＮ２ガスを生成する。加熱部４５５は、供給路４６を介して疎水化剤ノズル４に接続され、疎水化剤蒸気またはホットＮ２ガスを疎水化剤ノズル４に供給する。
流量調整器４５６は、加熱部４５５に供給される気体の流量を調整する。たとえば、流量調整器４５６は、流量計、定流量弁、電空レギュレータ等を含んで構成され、電空レギュレータに供給する気体（Ｎ２ガス）などの圧力を調整することにより、加熱部４５５に供給される気体の流量を調整することができる。流量調整器４５６は、制御部８１に電気的に接続され、制御部８１によって制御される。
第２有機溶剤ノズル６は、供給路６６（第２有機溶剤供給路の一例）を介して蒸気供給系統６５に接続される。蒸気供給系統６５は、有機溶剤供給源６５１と、気体供給源６５２と、バルブ６５３，６５４と、加熱部６５５と、流量調整器６５６とを備える。有機溶剤供給源６５１は、有機溶剤の液体を供給し、気体供給源４５２は、不活性ガスであるＮ２ガスを供給する。実施形態において、有機溶剤供給源６５１は、ＩＰＡ液体を供給する。
有機溶剤供給源６５１は、バルブ６５３を介して加熱部６５５に接続され、気体供給源６５２は、バルブ６５４を介して加熱部６５５に接続される。バルブ６５３，６５４は、制御部８１に電気的に接続され、制御部８１によって開閉制御される。
バルブ６５３，６５４の両方が開かれた場合、加熱部６５５には、有機溶剤供給源６５１から供給されるＩＰＡ液体と、気体供給源４５２から供給されるＮ２ガスとの混合流体が供給される。加熱部４５５は、かかる混合流体を加熱することによって、ＩＰＡ蒸気を生成する。なお、バルブ６５３の後段には図示しない二流体ノズルが設けられており、かかる二流体ノズルによってミスト化された混合流体が加熱部６５５に供給される。
一方、バルブ６５４のみが開かれた場合、加熱部６５５には、気体供給源６５２からＮ２ガスが供給される。この場合、加熱部６５５は、Ｎ２ガスを加熱することによって、ホットＮ２ガスを生成する。加熱部６５５は、供給路６６を介して第２有機溶剤ノズル６に接続され、ＩＰＡ蒸気またはホットＮ２ガスを第２有機溶剤ノズル６に供給する。
流量調整器６５６は、加熱部６５５に供給される気体の流量を調整する。たとえば、流量調整器６５６は、流量計、定流量弁、電空レギュレータ等を含んで構成され、電空レギュレータに供給する気体（Ｎ２ガス）などの圧力を調整することにより、加熱部６５５に供給される気体の流量を調整することができる。流量調整器６５６は、制御部８１に電気的に接続され、制御部８１によって制御される。
疎水化剤ノズル４は、複数の基板Ｗに向けて疎水化剤蒸気またはホットＮ２ガスを水平に吐出する。また、第２有機溶剤ノズル６は、複数の基板Ｗに向けてＩＰＡ蒸気またはホットＮ２ガスを上方または斜め上方に吐出する。
＜基板処理装置の具体的動作＞
次に、実施形態に係る基板処理装置１００の具体的動作について図３～図１７を参照して説明する。図３は、実施形態に係る基板処理装置１００が実行する処理の手順の一例を示すフローチャートである。また、図４～図１７は、実施形態に係る基板処理装置１００の動作例を示す図である。
図３に示すように、基板処理装置１００では、プレリンス処理が行われる（ステップＳ１０１）。プレリンス処理は、第１配置工程の一例に相当する。具体的には、制御部８１は、複数の基板Ｗがチャンバ１に搬入される前に、バルブ３４を開いてリンス液供給源３２からチャンバ１の処理槽１１にＤＩＷを供給することにより、処理槽１１にＤＩＷを貯留しておく。その後、制御部８１は、移動機構２３を制御して蓋体１２およびシャフト２２を下降させる。これにより、処理槽１１の上部開口が蓋体１２によって塞がれて、チャンバ１内に気密空間１３が形成される。
つづいて、制御部８１は、移動機構２３を制御してシャフト２２を下降させることにより、複数の基板Ｗを処理槽１１に貯留されたＤＩＷに浸漬させる（図４参照）。このように、複数の基板ＷをＤＩＷに浸漬させることで、複数の基板Ｗの乾燥を抑制することができる。
つづいて、基板処理装置１００では、調湿処理が行われる（ステップＳ１０２）。具体的には、制御部８１は、蒸気供給系統４５を制御して、疎水化剤ノズル４から乾燥領域１３２内にホットＮ２ガスを供給する（図５参照）。乾燥領域１３２内にホットＮ２ガスを供給することで、乾燥領域１３２内の湿度を低下させることができる。これにより、疎水化剤の失活を抑制することができる。
なお、乾燥領域１３２内へのホットＮ２ガスの供給は、プレリンス処理と同時に、または、プレリンス処理の開始前から開始される。また、疎水化剤ノズル４から乾燥領域１３２内へのホットＮ２ガスの供給は、後述する疎水化処理が開始される直前まで継続される。
つづいて、基板処理装置１００では、複数の基板Ｗ上の液体をＤＩＷからＩＰＡ液体に置換する第１ＩＰＡ置換処理が行われる（ステップＳ１０３）。第１ＩＰＡ置換処理は、第１置換工程の一例に相当する。
具体的には、制御部８１は、バルブ１５２（図１参照）を開いて処理槽１１からＤＩＷを排出することにより、複数の基板ＷをＤＩＷから露出させる（図６参照）。そして、制御部８１は、バルブ５４（図１参照）を開くことにより、ＤＩＷから露出した複数の基板Ｗに対し、第１有機溶剤ノズル５からＩＰＡ液体を供給する（図７参照）。
つづいて、制御部８１は、複数の第２有機溶剤ノズル６からＩＰＡ液体が吐出されている状態で、移動機構２３を制御して、貯留領域１３１と乾燥領域１３２との間で複数の基板Ｗを往復移動させる。このように、複数の基板Ｗを移動させることにより、複数の基板Ｗに対してＩＰＡを満遍なく供給することができる。
複数の基板Ｗを往復させる回数は、１回であってもよいし、２回以上であってもよい。また、複数の基板Ｗの移動は、貯留領域１３１から乾燥領域１３２への１回の移動であってもよい。また、制御部８１は、必ずしも複数の基板Ｗを移動させることを要しない。
複数の基板Ｗを移動させる場合の移動速度は、たとえば、１ｍｍ／ｓｅｃ以上３００ｍｍ／ｓｅｃ以下の速度であってもよい。このように、比較的緩やかな速度で複数の基板Ｗを移動させることで、複数の基板Ｗに対してＩＰＡ液体をより満遍なく供給することができる。
第１ＩＰＡ置換処理を終えると、制御部８１は、バルブ５４を閉じて第１有機溶剤ノズル５から気密空間１３へのＩＰＡ液体の吐出を停止する。
つづいて、制御部８１は、移動機構２３を制御して、複数の基板Ｗを貯留領域１３１から乾燥領域１３２へ移動させる（ステップＳ１０４）。ステップＳ１０４の処理は、第２配置工程の一例に相当する。
なお、複数の基板Ｗが乾燥領域１３２に位置した状態で第１ＩＰＡ置換処理（ステップＳ１０３）を終えた場合、ステップＳ１０４の処理は省略される。この場合、第１ＩＰＡ置換処理が、第２配置工程の一例に相当する。
つづいて、基板処理装置１００では、複数の基板Ｗ上の液体をＩＰＡから疎水化剤に置換することによって複数の基板Ｗを疎水化する疎水化処理が行われる（ステップＳ１０５）。ステップＳ１０５の疎水化処理は、第２置換工程の一例に相当する。
具体的には、制御部８１は、バルブ３４を開いて処理槽１１にＤＩＷを貯留しつつ、蒸気供給系統４５を制御して疎水化剤ノズル４から乾燥領域１３２に疎水化剤蒸気を供給する（図８参照）。疎水化剤蒸気の供給は、処理槽１１にＤＩＷを貯留し終えた後も継続される（図９参照）。乾燥領域１３２内の気体を排気口１６から排出しつつ、乾燥領域１３２内に疎水化剤蒸気を供給することで、乾燥領域１３２内の雰囲気は疎水化剤蒸気に置換される。これにより、複数の基板Ｗ上のＩＰＡは、疎水化剤に置換され、複数の基板Ｗは疎水化される。
実施形態に係る基板処理装置１００では、疎水化処理において、処理槽１１にＤＩＷを貯留した状態で乾燥領域１３２に疎水化剤蒸気を供給することで、処理槽１１の内壁に疎水化剤の残渣が付着することを抑制することができる。
つづいて、制御部８１は、蒸気供給系統４５を制御して疎水化剤ノズル４から乾燥領域１３２への疎水化剤蒸気の供給を停止する。その後、制御部８１は、バルブ１５２を開いて処理槽１１からＤＩＷを排出しつつ、バルブ５４を開いて第２有機溶剤ノズル６から気密空間１３へＩＰＡ液体を供給する（図１０参照）。第２有機溶剤ノズル６は、乾燥領域１３２から貯留領域１３１に向けてＩＰＡ液体を円錐状または扇状に噴霧する。これにより、チャンバ１の内壁に付着した疎水化剤を広い範囲で除去することができる。
なお、制御部８１は、疎水化剤蒸気の供給を停止した後、蒸気供給系統６５を制御して、第２有機溶剤ノズル６から気密空間１３へのホットＮ２ガスの供給を開始する。
つづいて、制御部８１は、移動機構２３を制御して、複数の基板Ｗを乾燥領域１３２から貯留領域１３１へ移動させる（ステップＳ１０６）。ステップＳ１０６の処理は、第３配置工程の一例に相当する。
つづいて、基板処理装置１００では、複数の基板Ｗ上の疎水化剤をＩＰＡに置換する第２ＩＰＡ置換処理が行われる（ステップＳ１０７）。第２ＩＰＡ置換処理は、第３置換工程の一例に相当する。
具体的には、制御部８１は、ステップＳ１０５において第２有機溶剤ノズル６から貯留領域１３１へＩＰＡ液体を供給している。また、制御部８１は、ステップＳ１０６において複数の基板Ｗを貯留領域１３１に配置させている。この結果、第２ＩＰＡ置換処理では、複数の基板ＷにＩＰＡ液体が供給されて、複数の基板Ｗ上の疎水化剤がＩＰＡによって洗い流される。
また、制御部８１は、複数の第２有機溶剤ノズル６からＩＰＡ液体が吐出されている状態で、移動機構２３を制御して、貯留領域１３１と乾燥領域１３２との間で複数の基板Ｗを往復移動させる（図１１参照）。このように、複数の基板Ｗを移動させることにより、複数の基板Ｗに対してＩＰＡを満遍なく供給することができる。
複数の基板Ｗを往復させる回数は、１回であってもよいし、２回以上であってもよい。また、複数の基板Ｗの移動は、貯留領域１３１から乾燥領域１３２への１回の移動であってもよい。また、制御部８１は、必ずしも複数の基板Ｗを移動させることを要しない。
複数の基板Ｗを移動させる場合の移動速度は、たとえば、１ｍｍ／ｓｅｃ以上３００ｍｍ／ｓｅｃ以下の速度であってもよい。このように、比較的緩やかな速度で複数の基板Ｗを移動させることで、複数の基板Ｗに対してＩＰＡ液体をより満遍なく供給することができる。
制御部８１は、複数の基板Ｗが貯留領域１３１に位置した状態で、移動機構２３による複数の基板Ｗの移動を停止する。また、制御部８１は、第２有機溶剤ノズル６から気密空間１３へのＩＰＡ液体の供給を継続させながら、バルブ３４を開いて処理槽１１にＤＩＷを貯留する。これにより、複数の基板Ｗは、ＤＩＷに浸漬されて、複数の基板Ｗに付着したＩＰＡはＤＩＷによって洗い流される（図１２参照）。
つづいて、基板処理装置１００では、チャンバ１の内壁に付着した疎水化剤をＩＰＡで除去するチャンバ洗浄処理が行われる（ステップＳ１０８）。
具体的には、制御部８１は、蒸気供給系統６５を制御して、第２有機溶剤ノズル６から気密空間１３（乾燥領域１３２）に対してＩＰＡ蒸気を供給する（図１３参照）。乾燥領域１３２内の気体を排気口１６から排出しつつ、乾燥領域１３２内にＩＰＡ蒸気を供給することで、乾燥領域１３２内の雰囲気はＩＰＡ蒸気に置換される。これにより、チャンバ１の内壁に付着した疎水化剤は、ＩＰＡ蒸気によってチャンバ１の内壁から除去される。すなわち、チャンバ１の内壁は洗浄される。
このように、実施形態に係る基板処理装置１００は、チャンバ１の内壁に付着した疎水化剤をＩＰＡ蒸気により除去する。これにより、チャンバ１の内壁に疎水化剤の残渣が付着することが抑制され、これに伴い、チャンバ１から複数の基板Ｗ上への疎水化剤の残渣の転写が抑制される。したがって、実施形態に係る基板処理装置１００によれば、複数の基板Ｗ上へのパーティクルの付着に伴うパターン倒壊を抑制することができる。
また、チャンバ洗浄処理において、複数の基板Ｗは、処理槽１１に貯留されたＤＩＷに浸漬された状態となっている。このように、ＩＰＡ蒸気を供給する間、複数の基板Ｗを水に浸漬させておくことで、チャンバ１から除去された疎水化剤が複数の基板Ｗに付着することを抑制することができる。
ここでは、チャンバ洗浄処理において、複数の基板ＷをＤＩＷに浸漬させることで複数の基板Ｗを保護することとした。これに限らず、チャンバ洗浄処理において複数の基板Ｗを浸漬させる液体は、ＤＩＷ以外の液体であってもよい。たとえば、基板処理装置１００は、チャンバ洗浄処理において、処理槽１１にＩＰＡを貯留して、複数の基板ＷをＩＰＡに浸漬させてもよい。
チャンバ洗浄処理において、制御部８１は、処理槽１１内のＤＩＷを排液口１５から排出しつつ、リンスノズル３から処理槽１１へＤＩＷを供給する。これにより、基板処理装置１００は、チャンバ線状処理中において処理槽１１内のＤＩＷを清浄な状態に保つことができる。
その後、制御部８１は、蒸気供給系統６５を制御して第２有機溶剤ノズル６から気密空間１３へのＩＰＡ蒸気の供給を停止してチャンバ洗浄処理を終える。
つづいて、基板処理装置１００では、リンス処理が行われる（ステップＳ１０９）。具体的には、制御部８１は、処理槽１１内のＤＩＷを排液口１５から排出しつつ、リンスノズル３から処理槽１１へＤＩＷを供給する処理を一定時間継続する（図１４参照）。これにより、チャンバ１の内壁から除去された疎水化剤やチャンバ１の洗浄に用いられたＩＰＡをＤＩＷとともにチャンバ１から排出することができる。
また、制御部８１は、蒸気供給系統６５を制御して、第２有機溶剤ノズル６から気密空間１３にホットＮ２ガスを供給する。これにより、気密空間１３内の雰囲気は、不活性雰囲気に置換される。
つづいて、基板処理装置１００では、第３ＩＰＡ置換処理が行われる（ステップＳ１１０）。具体的には、制御部８１は、移動機構２３を制御して複数の基板Ｗを貯留領域１３１から乾燥領域１３２に移動させつつ、蒸気供給系統６５を制御して、第２有機溶剤ノズル６から気密空間１３にＩＰＡ蒸気を供給する（図１５参照）。複数の基板Ｗの表面にＩＰＡ蒸気が接触することで、複数の基板Ｗの表面に付着していたＤＩＷがＩＰＡに置換される。
制御部８１は、気密空間１３へのＩＰＡ蒸気の供給および複数の基板Ｗの引き上げと並行して、処理槽１１に貯留されたＤＩＷを排液口１５から排出する。
つづいて、基板処理装置１００では、乾燥気体供給処理が行われる（ステップＳ１１１）。具体的には、制御部８１は、蒸気供給系統６５を制御して、第２有機溶剤ノズル６から気密空間１３にホットＮ２ガスを供給する（図１６参照）。これにより、複数の基板Ｗの表面に残存するＩＰＡの揮発が促進されて複数の基板Ｗが乾燥する。
つづいて、基板処理装置１００では、搬出処理が行われる（ステップＳ１１２）。具体的には、制御部８１は、移動機構２３を制御して、蓋体１２および保持部２を上昇させる。その後、制御部８１は、図示しない基板搬送装置を制御して、複数の基板Ｗを保持体２１から図示しない基板搬送装置へ受け渡す。
（第１変形例）
次に、実施形態に係る基板処理装置１００の第１変形例について説明する。図１７および図１８は、第１変形例に係る基板処理装置１００の動作例を示す図である。
上述した実施形態では、プレリンス処理として、処理槽１１にＤＩＷを貯留しておき、搬入した複数の基板ＷをＤＩＷに浸漬させる場合の例について説明したが、基板処理装置１００は、必ずしも搬入した複数の基板ＷをＤＩＷに浸漬させることを要しない。
たとえば、制御部８１は、チャンバ１に搬入した複数の基板Ｗを空の状態（すなわち、ＤＩＷが貯留されていない）貯留領域１３１に配置させる（図１７参照）。そして、制御部８１は、たとえば調湿処理（ステップＳ１０２）を省略し、第１ＩＰＡ置換処理（ステップＳ１０３）として、蒸気供給系統６５を制御して、第２有機溶剤ノズル６から気密空間１３に対してＩＰＡ液体を供給してもよい（図１８参照）。
このように、第１変形例に係る基板処理装置１００は、プレリンス処理を省略することで、気密空間１３の湿度の上昇を抑制することができる。したがって、第１変形例に係る基板処理装置１００によれば、調湿処理（ステップＳ１０２）を省略（あるいは時間短縮）することができる。
（第２変形例）
次に、実施形態に係る基板処理装置１００の第２変形例について説明する。図１９～図２２は、第２変形例に係る基板処理装置１００の動作例を示す図である。
基板処理装置１００は、たとえば、ステップＳ１０９のリンス処理の後、ステップＳ１１０の第３ＩＰＡ置換処理の前に、ＩＰＡ液膜洗浄処理を行ってもよい。
具体的には、制御部８１は、ステップＳ１０９のリンス処理の後、バルブ７４を開いて、第３有機溶剤ノズル７から処理槽１１に貯留されたＤＩＷの液面に対してＩＰＡ液体を供給する。これにより、ＤＩＷの液面には、ＩＰＡの液膜が形成される（図１９参照）。
つづいて、制御部８１は、移動機構２３を制御して、複数の基板Ｗを上昇させることによってＩＰＡの液膜を通過させる（図２０参照）。
このように、ＤＩＷの液面にＩＰＡの液膜を形成することで、その後、ＤＩＷから複数の基板Ｗを引き上げる過程で、ＤＩＷの液面に存在するＩＰＡを複数の基板Ｗの表面に付着させることができる。これにより、基板Ｗの表面に残存するＤＩＷの量を減らすことができるため、ＤＩＷからＩＰＡへの置換効率を高めることができる。
なお、制御部８１は、貯留領域１３１と乾燥領域１３２との間で複数の基板Ｗを往復移動させることで、複数の基板Ｗに対してＩＰＡの液膜を複数回通過させてもよい。
つづいて、制御部８１は、バルブ１５２を開いて処理槽１１からＤＩＷを排出する。また、制御部８１は、バルブ５４を開いて、第１有機溶剤ノズル５から気密空間１３にＩＰＡ液体を供給する（図２１参照）。これにより、複数の基板Ｗ上に付着したＩＰＡの残渣を洗い流すことができる。
その後、制御部８１は、第１有機溶剤ノズル５から気密空間１３にＩＰＡ液体を供給しつつ、バルブ３４を開いて処理槽１１にＤＩＷを貯留する（図２２参照）。これにより、複数の基板ＷがＤＩＷに浸漬されて、複数の基板Ｗに付着したＩＰＡがＤＩＷによって洗い流される。
（第３変形例）
次に、実施形態に係る基板処理装置１００の第３変形例について説明する。図２３および図２４は、第３変形例に係る基板処理装置１００の動作例を示す図である。
基板処理装置１００は、たとえば、ステップＳ１０９のリンス処理の後、ステップＳ１１０の第３ＩＰＡ置換処理の前に、ＩＰＡ液膜洗浄処理を行ってもよい。
具体的には、制御部８１は、ステップＳ１０９のリンス処理の後、バルブ７４を開いて、第３有機溶剤ノズル７から処理槽１１に貯留されたＤＩＷの液面に対してＩＰＡ液体を供給する。これにより、ＤＩＷの液面には、ＩＰＡの液膜が形成される（図２３参照）。
つづいて、制御部８１は、バルブ１５２を開いて、処理槽１１からＤＩＷを排出する（図２４参照）。これにより、ＤＩＷの液面が低下するのに伴ってＩＰＡの液膜の位置も低下する。このとき、ＩＰＡの液膜が複数の基板Ｗを通過することで、複数の基板Ｗの表面にＩＰＡが付着する。
このように、ＤＩＷの液面にＩＰＡの液膜を形成し、その後、ＤＩＷの液面を低下させることで、ＤＩＷの液面に存在するＩＰＡを複数の基板Ｗの表面に付着させることができる。これにより、基板Ｗの表面に残存するＤＩＷの量を減らすことができるため、ＤＩＷからＩＰＡへの置換効率を高めることができる。なお、その後の処理は、上述した第３変形例と同様であるため、説明を省略する。
（第４変形例）
次に、実施形態に係る基板処理装置１００の第４変形例について説明する。図２５は、第４変形例に係る疎水化剤ノズル４および第２有機溶剤ノズル６の構成を示す模式的な側面図である。
図２５に示すように、基板処理装置１００は、供給路４６の中途部と供給路６６の中途部とを接続する接続路９０を有していてもよい。また、基板処理装置１００は、第１バルブ４７、第２バルブ６７および第３バルブ９１を備えていてもよい。第１バルブ４７は、供給路４６に設けられる。たとえば、第１バルブ４７は、供給路４６と接続路９０との接続部と疎水化剤ノズル４との間に設けられる。第２バルブ６７は、供給路６６に設けられる。たとえば、第２バルブ６７は、供給路６６と接続路９０との接続部と第２有機溶剤ノズル６との間に設けられる。第３バルブ９１は、接続路９０に設けられる。これら第１バルブ４７、第２バルブ６７および第３バルブ９１は、切替部の一例に相当する。
第４変形例に係る基板処理装置１００において、制御部８１は、第１バルブ４７、第２バルブ６７および第３バルブ９１を制御することにより、ＩＰＡ蒸気の流出先を第２有機溶剤ノズル６と疎水化剤ノズル４との間で切り替えることができる。すなわち、制御部８１は、第１バルブ４７および第３バルブ９１を閉じ、第２バルブ６７を開くことで、ＩＰＡ蒸気を第２有機溶剤ノズル６から吐出させることができる。一方、制御部８１は、第２バルブ６７を閉じ、第１バルブ４７および第３バルブ９１を開くことで、ＩＰＡ蒸気を疎水化剤ノズル４から吐出させることができる。
これにより、第４変形例に係る基板処理装置１００は、疎水化剤ノズル４や供給路４６に残存する疎水化剤をＩＰＡ蒸気によって取り除くことができる。
また、制御部８１は、チャンバ洗浄処理（ステップＳ１０８）や第３ＩＰＡ置換処理（ステップＳ１１０）において、ＩＰＡ蒸気の流出先を第２有機溶剤ノズル６と疎水化剤ノズル４との間で交互に切り替えてもよい。このようにすることで、乾燥領域１３２にＩＰＡ蒸気を満遍なく行き渡らせることができる。
上述してきたように、実施形態に係る基板処理装置（一例として、基板処理装置１００）は、濡れた状態の複数の基板（一例として、基板Ｗ）を一括して乾燥処理する基板処理装置である。実施形態に係る基板処理装置は、チャンバ（一例として、チャンバ１）と、保持部（一例として、保持部２）と、疎水化剤ノズル（一例として、疎水化剤ノズル４）と、第１有機溶剤ノズル（一例として、第１有機溶剤ノズル５）と、第２有機溶剤ノズル（一例として、第２有機溶剤ノズル６）と、排気口（一例として、排気口１６）とを備える。チャンバは、複数の基板を収容可能な気密空間（一例として、気密空間１３）を有する。保持部は、気密空間のうち液体（一例として、ＤＩＷ）が貯留される貯留領域（一例として、貯留領域１３１）と、気密空間のうち貯留領域の上方に位置する乾燥領域（一例として、乾燥領域１３２）との間で、複数の基板を昇降させる。疎水化剤ノズルは、乾燥領域に対して疎水化剤の蒸気を供給する。第１有機溶剤ノズルは、乾燥領域から貯留領域に向けて有機溶剤（一例として、ＩＰＡ液体）を供給する。第２有機溶剤ノズルは、乾燥領域に対して有機溶剤の蒸気（一例として、ＩＰＡ蒸気）を供給する。排気口は、気密空間内の気体を排出する。
実施形態に係る基板処理装置は、チャンバの内壁に付着した疎水化剤を第２有機溶剤ノズルから供給される有機溶剤の蒸気を用いて除去することができる。これにより、疎水化剤の残渣が乾燥チャンバの内壁に付着することが抑制されることから、チャンバから基板上への疎水化剤の残渣の転写を抑制することができる。したがって、実施形態に係る基板処理装置によれば、基板上へのパーティクルの付着に伴うパターン倒壊を抑制することができる。
第１有機溶剤ノズルおよび第２有機溶剤ノズルは、疎水化剤ノズルよりも上方に配置されてもよい。
第２有機溶剤ノズルを疎水化剤ノズルよりも上方に配置することで、チャンバの比較的上方に位置する内壁を有機溶剤の蒸気を用いて効率良く洗浄することができる。また、第１有機溶剤ノズルを疎水化剤ノズルよりも上方に配置することで、チャンバの比較的下方に位置する内壁を効率良く洗浄することができる。
第２有機溶剤ノズルは、上方または斜め上方に向けて有機溶剤の蒸気を供給してもよい。かかる構成とすることにより、チャンバの比較的上方に位置する内壁を効率良く洗浄することができる。
実施形態に係る基板処理装置は、接続路（一例として、接続路９０）と、切替部（一例として、第１バルブ４７、第２バルブ６７および第３バルブ９１）とを備える。接続路は、第２有機溶剤ノズルに有機溶剤の蒸気を供給する第２有機溶剤供給路（一例として、供給路６６）の中途部と、疎水化剤ノズルに疎水化剤を供給する疎水化剤供給路（一例として、供給路４６）の中途部とを接続する。切替部は、有機溶剤の蒸気の流出先を第２有機溶剤ノズルと疎水化剤ノズルとの間で切り替える。
かかる構成とすることにより、チャンバの内壁をより満遍なく洗浄することができる。また、疎水化剤供給路の内部に残存する疎水化剤を有機溶剤の蒸気によって除去することができる。このため、疎水化剤供給路の内部に疎水化剤の残渣が付着すること、および、疎水化剤供給路の内部に付着した疎水化剤の残渣が基板上に転写することを抑制することができる。したがって、実施形態に係る基板処理装置によれば、基板上へのパーティクルの付着に伴うパターン倒壊をさらに抑制することができる。
実施形態に係る基板処理装置は、疎水化剤を気化させる第１気化器（一例として、蒸気供給系統６５）と、有機溶剤を気化させる第２気化器（一例として、蒸気供給系統４５）とを備えていてもよい。
かかる構成とすることにより、疎水化剤と有機溶剤とをそれぞれ適切な条件（温度等）にて気化させることができる。
第１有機溶剤ノズルは、有機溶剤を円錐状または扇状に噴霧してもよい。
かかる構成とすることにより、複数の基板に対して有機溶剤を効率良く供給することができるとともに、チャンバの内壁に対しても有機溶剤を効率良く供給することができる。
疎水化剤ノズルおよび第２有機溶剤ノズルは、本体部（一例として、本体部４１，６１）と、複数の吐出穴（一例として、吐出口４２，６２）とを備える。本体部は、複数の基板の配列方向に沿って延在する筒状の部材である。複数の吐出穴は、本体部に対し、複数の基板の配列方向に沿って間隔をあけて形成される。
かかる構成によれば、比較的簡易な構成で、疎水化剤の蒸気および有機溶剤の蒸気をチャンバ内に供給することができる。
排気口は、疎水化剤ノズルよりも上方に配置されてもよい。かかる構成とすることにより、乾燥領域に充満した蒸気を効率良く排出することができる。
また、実施形態に係る基板処理方法は、濡れた状態の複数の基板を一括して乾燥処理する基板処理方法である。実施形態に係る基板処理方法は、第１配置工程（一例として、ステップＳ１０１）と、第１置換工程（一例として、ステップＳ１０３）と、第２配置工程（一例として、ステップＳ１０４）と、第２置換工程（一例として、ステップＳ１０５）と、第３配置工程（一例として、ステップＳ１０６）と、第３置換工程（一例として、ステップＳ１０７）と、チャンバ洗浄工程（一例として、ステップＳ１０８）とを含む。第１配置工程は、複数の基板を収容可能なチャンバであって、液体が貯留される貯留領域と貯留領域の上方に位置する乾燥領域とを含む気密空間を有するチャンバの貯留領域に複数の基板を配置する。第１置換工程は、第１配置工程の後、複数の基板に対し、第１有機溶剤ノズルから有機溶剤を供給して、複数の基板に付着した液体を有機溶剤に置換する。第２配置工程は、第１置換工程の後、複数の基板を乾燥領域に配置する。第２置換工程は、第２配置工程の後、複数の基板に対し、疎水化剤ノズルから疎水化剤の蒸気を供給して、複数の基板に付着した有機溶剤を疎水化剤に置換する。第３配置工程は、第２置換工程の後、複数の基板を貯留領域に配置する。第３置換工程は、第３配置工程の後、複数の基板に対し、第１有機溶剤ノズルから有機溶剤を供給して、複数の基板に付着した疎水化剤を有機溶剤に置換する。チャンバ洗浄工程は、第３置換工程の後、貯留領域に液体（一例として、ＤＩＷ）を貯留して、複数の基板を液体に浸漬させた状態で、第２有機溶剤ノズルから乾燥領域に有機溶剤の蒸気を供給して、チャンバを洗浄する。
したがって、実施形態に係る基板処理方法によれば、基板上へのパーティクルの付着に伴うパターン倒壊を抑制することができる。
第１配置工程は、液体が貯留された貯留領域に複数の基板を配置させて、複数の基板を液体に浸漬させてもよい。また、実施形態に係る基板処理方法は、少なくとも第１配置工程の後、第２置換工程の前までの期間において、乾燥領域に対して乾燥気体（一例として、ホットＮ２ガス）を供給する調湿工程（一例として、ステップＳ１０２）をさらに含んでいてもよい。
かかる構成により、疎水化剤の失活を抑制することができる。
第１置換工程は、複数の基板を貯留領域から乾燥領域へ移動させながら、複数の基板に対し、第１有機溶剤ノズルから有機溶剤を供給してもよい。
かかる構成により、複数の基板に対して有機溶剤を満遍なく供給することができる。
第１置換工程は、貯留領域および乾燥領域間で複数の基板を少なくとも１往復させながら、複数の基板に対し、第１有機溶剤ノズルから有機溶剤を供給してもよい。
かかる構成により、複数の基板に対して有機溶剤をより満遍なく供給することができる。
第１置換工程は、複数の基板を１ｍｍ／ｓｅｃ以上３００ｍｍ／ｓｅｃ以下の速度で移動させてもよい。
比較的緩やかな速度で複数の基板を移動させることで、複数の基板に対して有機溶剤をより満遍なく供給することができる。
第３置換工程は、複数の基板を貯留領域から乾燥領域へ移動させながら、複数の基板に対し、第１有機溶剤ノズルから有機溶剤を供給してもよい。
かかる構成により、複数の基板に対して有機溶剤を満遍なく供給することができる。
第３置換工程は、貯留領域および乾燥領域間で複数の基板を少なくとも１往復させながら、複数の基板に対し、第１有機溶剤ノズルから有機溶剤を供給してもよい。
かかる構成により、複数の基板に対して有機溶剤をより満遍なく供給することができる。
第３置換工程は、複数の基板を１ｍｍ／ｓｅｃ以上３００ｍｍ／ｓｅｃ以下の速度で移動させてもよい。
比較的緩やかな速度で複数の基板を移動させることで、複数の基板に対して有機溶剤をより満遍なく供給することができる。
第１配置工程は、空の状態の貯留領域に複数の基板を配置させてもよい。
貯留領域に貯留された液体に複数の基板を浸漬させる場合と比較して、乾燥領域の湿度が上がりにくいため、疎水化剤の失活を抑制することができる。
実施形態に係る基板処理方法は、浸漬工程と、液膜形成工程と、通過工程とを含んでいてもよい。浸漬工程は、第３置換工程の後、チャンバ洗浄工程の前に、貯留領域に液体（一例として、ＤＩＷ）を貯留して、複数の基板を液体に浸漬させる。液膜形成工程は、浸漬工程の後、チャンバ洗浄工程の前に、貯留領域に貯留された液体の表面に有機溶剤の液膜を形成する。通過工程は、液膜形成工程の後、チャンバ洗浄工程の前に、複数の基板を貯留領域から乾燥領域へ移動させることによって液膜を通過させる。
これにより、複数の基板に対して有機溶剤をより満遍なく供給することができる。
通過工程は、貯留領域および乾燥領域間で複数の基板を少なくとも１往復させてもよい。
複数の基板に対して有機溶剤をより満遍なく供給することができる。
実施形態に係る基板処理方法は、浸漬工程と、液膜形成工程と、通過工程とを含んでいてもよい。浸漬工程は、第３置換工程の後、チャンバ洗浄工程の前に、貯留領域に液体（一例として、ＤＩＷ）を貯留して、複数の基板を液体に浸漬させる。液膜形成工程は、浸漬工程の後、チャンバ洗浄工程の前に、貯留領域に貯留された液体の表面に有機溶剤の液膜を形成する。通過工程は、液膜形成工程の後、チャンバ洗浄工程の前に、貯留領域に貯留された液体を貯留領域から排出することによって液膜の位置を低下させて複数の基板を通過させる。
複数の基板に対して有機溶剤をより満遍なく供給することができる。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲およびその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１ チャンバ
２ 保持部
３ リンスノズル
４ 疎水化剤ノズル
５ 第１有機溶剤ノズル
６ 第２有機溶剤ノズル
７ 第３有機溶剤ノズル
８ 制御装置
１１ 処理槽
１２ 蓋体
１３ 気密空間
１４ シール部材
１５ 排液口
１６ 排気口
３２ リンス液供給源
４５ 蒸気供給系統
５２ 有機溶剤供給源
６５ 蒸気供給系統
７２ 有機溶剤供給源
８１ 制御部
８２ 記憶部
１００ 基板処理装置
１３１ 貯留領域
１３２ 乾燥領域
４５１ 疎水化剤供給源
４５２ 気体供給源
６５１ 有機溶剤供給源
６５２ 気体供給源
Ｗ 基板

Claims (8)

  1. 濡れた状態の複数の基板を一括して乾燥処理する基板処理装置であって、
    前記複数の基板を収容可能な気密空間を有するチャンバと、
    前記気密空間のうち液体が貯留される貯留領域と、前記気密空間のうち前記貯留領域の上方に位置する乾燥領域との間で、前記複数の基板を昇降させる保持部と、
    前記乾燥領域に対して疎水化剤の蒸気を供給する疎水化剤ノズルと、
    前記乾燥領域から前記貯留領域に向けて有機溶剤を供給する第１有機溶剤ノズルと、
    前記乾燥領域に対して有機溶剤の蒸気を供給する第２有機溶剤ノズルと、
    前記気密空間内の気体を排出する排気口と
    を備える、基板処理装置。
  2. 前記第１有機溶剤ノズルおよび前記第２有機溶剤ノズルは、前記疎水化剤ノズルよりも上方に配置される、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第２有機溶剤ノズルは、上方または斜め上方に向けて有機溶剤の蒸気を供給する、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記第２有機溶剤ノズルに有機溶剤の蒸気を供給する第２有機溶剤供給路の中途部と、前記疎水化剤ノズルに疎水化剤を供給する疎水化剤供給路の中途部とを接続する接続路と、
    有機溶剤の蒸気の流出先を前記第２有機溶剤ノズルと前記疎水化剤ノズルとの間で切り替える切替部と
    を備える、請求項１～３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  5. 疎水化剤を気化させる第１気化器と、
    有機溶剤を気化させる第２気化器と
    を備える、請求項１～４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  6. 前記第１有機溶剤ノズルは、有機溶剤を円錐状または扇状に噴霧する、請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  7. 前記疎水化剤ノズルおよび前記第２有機溶剤ノズルは、
    前記複数の基板の配列方向に沿って延在する筒状の本体部と、
    前記本体部に対し、前記複数の基板の配列方向に沿って間隔をあけて形成された複数の吐出穴と
    を備える、請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  8. 前記排気口は、前記疎水化剤ノズルよりも上方に配置される、請求項１～７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
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