CN115621160A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置，抑制伴随微粒向基板上附着而产生的图案倒塌。本公开的基板处理装置是对湿润的状态下的多个基板统一地进行干燥处理的基板处理装置。实施方式所涉及的基板处理装置具备腔室、保持部、疏水化剂喷嘴、第一有机溶剂喷嘴、第二有机溶剂喷嘴以及排气口。腔室具有能够收容多个基板的气密空间。保持部使多个基板在气密空间中的用于贮存液体的贮存区域与气密空间中的位于贮存区域的上方的干燥区域之间进行升降。疏水化剂喷嘴对干燥区域供给疏水化剂的蒸气。第一有机溶剂喷嘴从干燥区域朝向贮存区域供给有机溶剂。第二有机溶剂喷嘴对干燥区域供给有机溶剂的蒸气。排气口将气密空间内的气体排出。

Description

基板处理装置
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置。
背景技术
在使半导体晶圆等基板干燥的干燥处理中，形成于基板的表面的电路图案(下面，简称为“图案”)有可能由于液体的表面张力而倒塌。
因此，已知如下一种技术：在使对有机溶剂进行蒸气化而得到的有机溶剂蒸气与液处理后的基板接触来将基板上的处理液置换为有机溶剂后，通过挥发等来从基板上去除有机溶剂，由此在抑制图案倒塌并且使基板干燥。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-058696号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种能够抑制伴随微粒向基板上附着而产生的图案倒塌的技术。
用于解决问题的方案
本公开的一个方式的基板处理装置是对湿润的状态下的多个基板统一地进行干燥处理的基板处理装置。实施方式所涉及的基板处理装置具备腔室、保持部、疏水化剂喷嘴、第一有机溶剂喷嘴、第二有机溶剂喷嘴以及排气口。腔室具有能够收容多个基板的气密空间。保持部使多个基板在气密空间中的用于贮存液体的贮存区域与气密空间中的位于贮存区域的上方的干燥区域之间进行升降。疏水化剂喷嘴对干燥区域供给疏水化剂的蒸气。第一有机溶剂喷嘴从干燥区域朝向贮存区域供给有机溶剂。第二有机溶剂喷嘴对干燥区域供给有机溶剂的蒸气。排气口将气密空间内的气体排出。
发明的效果
根据本公开，能够抑制伴随微粒向基板上附着而产生的图案倒塌。
附图说明
图1是实施方式所涉及的基板处理装置的示意性的截面图。
图2是表示实施方式所涉及的疏水化剂喷嘴和第二有机溶剂喷嘴的结构的示意性的侧视图。
图3是表示实施方式所涉及的基板处理装置执行的处理的过程的一例的流程图。
图4是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图5是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图6是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图7是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图8是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图9是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图10是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图11是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图12是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图13是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图14是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图15是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图16是表示实施方式所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图17是表示第一变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图18是表示第一变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图19是表示第二变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图20是表示第二变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图21是表示第二变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图22是表示第二变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图23是表示第三变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图24是表示第三变形例所涉及的基板处理装置的动作例的图。
图25是表示第四变形例所涉及的疏水化剂喷嘴和第二有机溶剂喷嘴的结构的示意性的侧视图。
具体实施方式
下面，参照附图来详细地说明用于实施本公开的基板处理装置的方式(下面，记载为“实施方式”)。此外，并不通过该实施方式来限定本公开。另外，各实施方式能够在不使处理内容矛盾的范围内适当地进行组合。另外，在以下的各实施方式中，对相同的部位标注相同的附图标记，并且省略重复的说明。
另外，在以下所示的实施方式中，有时使用“固定”、“正交”、“垂直”或者“平行”之类的表达，但这些表达无需严密地为“固定”、“正交”、“垂直”或者“平行”。即，上述的各表达例如设为容许制造精度、设置精度等的偏差。
另外，在下面进行参照的各附图中，为了使说明容易理解，规定彼此正交的X轴方向、Y轴方向以及Z轴方向，有时表示出以Z轴正方向为铅垂向上方向的正交坐标系。
<基板处理装置的结构>
首先，参照图1对实施方式所涉及的基板处理装置的结构进行说明。图1是实施方式所涉及的基板处理装置的示意性的截面图。
图1所示的实施方式所涉及的基板处理装置100对液处理后的湿润的状态下的多个半导体基板(下面，记载为基板W)统一地进行干燥处理。关于液处理没有特别限定，例如为蚀刻处理、清洗处理等。
在各基板W的表面形成有图案，并且在单纯地进行基板W的干燥的情况下，有可能由于进入图案间的液体的表面张力而使得图案倒塌。因此，基板处理装置100在使有机溶剂的蒸气与液处理后的基板接触来将基板上的处理液置换为干燥液后，通过挥发等从基板上去除有机溶剂。由此，基板处理装置100能够抑制图案倒塌并且使基板干燥。
在此，本申请发明人经过深入研究，发现在基板上的微粒与图案倒塌之间存在相关性。具体地说，本申请发明人对基板设置沿着基板的径向的微粒量的梯度，并沿着基板的径向(即沿着微粒量的梯度)测量了图案的倒塌个数。其结果，本申请发明人发现：随着微粒量增加，图案的倒塌个数增加。像这样，本申请发明人发现：基板上的微粒是引起图案倒塌的主要原因之一。
关于微粒向基板上附着，例如是由于附着于用于进行基板的干燥处理的腔室的内部的微粒转印到基板上而产生的。因此，在实施方式所涉及的基板处理装置100中，设为了通过设置用于清洗腔室的内部的机构，来抑制腔室内的微粒污染，由此，实现进一步抑制基板上的图案倒塌。
如图1所示，基板处理装置100具备腔室1和保持部2。另外，基板处理装置100具备多个冲洗喷嘴3、多个疏水化剂喷嘴4、多个第一有机溶剂喷嘴5、多个第二有机溶剂喷嘴6以及至少一个第三有机溶剂喷嘴7。另外，基板处理装置100具备控制装置8。
(腔室1)
腔室1具备处理槽11和盖体12。处理槽11为上方开放的容器，能够收容以垂直姿势(纵向的状态)排列的多个基板W。处理槽11能够贮存从后述的冲洗喷嘴3供给的冲洗液。冲洗液例如为DIW(去离子水)。盖体12为覆盖处理槽11的上方的构件，并且构成为能够与后述的保持部2一同升降。盖体12构成为能够通过后述的移动机构23进行升降，能够通过使盖体12上升，来将多个基板W搬入腔室1或从腔室1搬出。
通过在处理槽11的上部载置盖体12，在腔室1的内部形成能够收容多个基板W的气密空间13。此外，腔室1可以在处理槽11与盖体12之间具有O形环等密封构件14。通过设为该结构，能够维持气密空间13的气密性。
气密空间13具有用于贮存从后述的冲洗喷嘴3供给的DIW的贮存区域131以及位于该贮存区域131的上方的干燥区域132。具体地说，将能够使在气密空间13内下降至能够通过保持部2移动到的最低位置的多个基板W整体浸渍且不与在气密空间13内上升至能够通过保持部2移动到的最高位置的多个基板W接触的水位设为水位L。在该情况下，贮存区域131为气密空间13中的比水位L靠下方的区域。另外，干燥区域132为气密空间13中的比水位L靠上方的区域。此外，后述的第三有机溶剂喷嘴7配置于比该水位L稍靠上方的位置。因而，可以将贮存区域131定义为比后述的第三有机溶剂喷嘴7靠下方的区域，将干燥区域132定义为比第三有机溶剂喷嘴7靠上方的区域。
在处理槽11的底壁设置有用于从处理槽11排出DIW的排液口15。在排液口15连接有排液路151。在排液路151的中途部设置有用于将排液路151进行开闭的阀152。阀152与后述的控制部81电连接，被控制部81进行开闭控制。
另外，在处理槽11的侧壁设置有用于排出气密空间13内的气体的多个排气口16。排气口16经由排气路161来与真空泵等未图示的排气机构连接。气密空间13内的气氛通过排气机构经由排气口16和排气路161向外部排出。
多个排气口16配置于比后述的疏水化剂喷嘴4靠上方的位置。另外，多个排气口16配置于比后述的第二有机溶剂喷嘴6靠下方的位置。通过设为该结构，能够将充满了干燥区域132的蒸气(疏水化剂的蒸气和有机溶剂的蒸气)高效地排出。
(保持部2)
保持部2具备保持体21、支承保持体21的轴22以及使轴22升降的移动机构23。保持体21将多个基板W以垂直姿势保持。另外，保持体21将多个基板W以在水平方向(在此为Y轴方向)上以固定的间隔进行排列的状态保持。轴22沿着铅垂方向(在此为Z轴方向)延伸，并且在该轴22的下部支承保持体21。轴22以能够滑动的方式贯穿被设置于盖体12的上部的未图示的开口。
移动机构23例如具备马达、滚珠丝杠、气缸等，该移动机构23与保持部2的轴22连接，用于使轴22升降。通过由移动机构23使轴22升降，来使被轴22支承的保持体21升降。由此，移动机构23能够使被保持体21保持的多个基板W在贮存区域131与干燥区域132之间进行升降。移动机构23与控制装置8的控制部81电连接，被控制部81控制。
(各种喷嘴)
多个冲洗喷嘴3配置于贮存区域131。具体地说，多个冲洗喷嘴3设置于处理槽11的底部。冲洗喷嘴3经由供给路31来与冲洗液供给源32连接。冲洗液供给源32对两个冲洗喷嘴3供给DIW。
在供给路31中设置阀34和流量调整器35。阀34将供给路31进行开闭。流量调整器35调整在供给路31中流动的处理液的流量。阀34和流量调整器35与控制装置8的控制部81电连接，被控制部81控制。
多个疏水化剂喷嘴4、多个第一有机溶剂喷嘴5、多个第二有机溶剂喷嘴6以及第三有机溶剂喷嘴7配置于干燥区域132。具体地说，这些喷嘴配置于腔室1中的干燥区域132的两侧壁。
这些喷嘴从干燥区域132的下方朝向上方按照第三有机溶剂喷嘴7、疏水化剂喷嘴4、第一有机溶剂喷嘴5以及第二有机溶剂喷嘴6的顺序进行配置。
疏水化剂喷嘴4对干燥区域132供给疏水化剂的蒸气。具体地说，疏水化剂喷嘴4从腔室1中的干燥区域132的侧壁附近朝向干燥区域132的内侧水平地喷出疏水化剂的蒸气。此外，在后文叙述疏水化剂的蒸气的供给系统。
第一有机溶剂喷嘴5配置于比疏水化剂喷嘴4靠上方的位置。第一有机溶剂喷嘴5从干燥区域132朝向贮存区域131供给有机溶剂的液体。具体地说，第一有机溶剂喷嘴5为喷射喷嘴，将有机溶剂的液体呈圆锥状或扇状地雾状喷出。多个第一有机溶剂喷嘴5沿着多个基板W的排列方向(Y轴方向)排列。由此，多个第一有机溶剂喷嘴5能够向多个基板W的整面高效地供给有机溶剂的液体。
第一有机溶剂喷嘴5经由供给路51来与有机溶剂供给源52连接。有机溶剂供给源52对多个第一有机溶剂喷嘴5供给有机溶剂的液体。在实施方式中，有机溶剂供给源52对第一有机溶剂喷嘴5供给IPA(异丙醇)的液体。下面，将IPA的液体称作“IPA液体”。
在供给路51中设置阀54和流量调整器55。阀54将供给路51进行开闭。流量调整器55调整在供给路51中流动的IPA液体的流量。阀54和流量调整器55与控制装置8的控制部81电连接，被控制部81控制。
第二有机溶剂喷嘴6配置于比第一有机溶剂喷嘴5靠上方的位置。第二有机溶剂喷嘴6对干燥区域132供给有机溶剂的蒸气。具体地说，第二有机溶剂喷嘴6从腔室1中的干燥区域132的侧壁附近朝向干燥区域132的上方即朝向盖体12向上方或斜上方喷出有机溶剂的蒸气。此外，在图1中表示出第二有机溶剂喷嘴6向斜方向喷出有机溶剂的蒸气的情况的例子。此外，在后文叙述有机溶剂的蒸气的供给系统。
第三有机溶剂喷嘴7配置于比疏水化剂喷嘴4靠下方的位置。具体地说，第三有机溶剂喷嘴7配置于比贮存于贮存区域131中的DIW的液面(水位L)稍高的位置。第三有机溶剂喷嘴7对贮存于贮存区域131中的DIW的液面供给有机溶剂的液体。由此，第三有机溶剂喷嘴7在贮存于贮存区域131中的DIW的液面形成有机溶剂的液膜。
第三有机溶剂喷嘴7经由供给路71来与有机溶剂供给源72连接。有机溶剂供给源72对第三有机溶剂喷嘴7供给有机溶剂的液体。在实施方式中，有机溶剂供给源72对第三有机溶剂喷嘴7供给IPA液体。
在供给路71中设置阀74和流量调整器75。阀74将供给路71进行开闭。流量调整器75调整在供给路71中流动的IPA液体的流量。阀74和流量调整器75与控制装置8的控制部81电连接，被控制部81控制。
(控制装置8)
控制装置8例如为计算机，并且具备控制部81和存储部82。存储部82例如通过RAM、闪存(Flash Memory)等半导体存储元件、或者硬盘、光盘等存储装置实现，用于存储对在基板处理装置100中执行的各种处理进行控制的程序。控制部81包括具有CPU(CentralProcessing Unit：中央处理单元)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、RAM(RandomAccess Memory：随机存取存储器)、输入输出端口等的微计算机、各种电路，通过读出并执行存储部82中存储的程序来控制基板处理装置100的动作。
此外，该程序可以存储于计算机可读取的存储介质中，并从该存储介质安装到控制装置8的存储部82。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
(疏水化剂喷嘴4和第二有机溶剂喷嘴6的供给系统)
图2是表示实施方式所涉及的疏水化剂喷嘴4和第二有机溶剂喷嘴6的结构的示意性的侧视图。
如图2所示，疏水化剂喷嘴4具备：长条筒状的主体部41，其沿着多个基板W的排列方向(Y轴方向)延伸；以及多个喷出口42，该多个喷出口42沿着多个基板的排列方向以隔开间隔的方式形成于该主体部41。作为喷出口42，除了单纯的开口以外，还可以使用使疏水化剂的蒸气雾状喷出的喷射用喷头等。另外，疏水化剂喷嘴4可以具有沿着多个基板W的排列方向延伸的狭缝状的喷出口来代替多个喷出口42。
同样地，第二有机溶剂喷嘴6具备：长条筒状的主体部61，其沿着多个基板W的排列方向(Y轴方向)延伸；以及多个喷出口62，该多个喷出口62沿着多个基板的排列方向以隔开间隔的方式形成于该主体部61。作为喷出口62，除了单纯的开口以外，还可以使用使有机溶剂的蒸气雾状喷出的喷射用喷头等。另外，第二有机溶剂喷嘴6可以具有沿着多个基板W的排列方向延伸的狭缝状的喷出口来代替多个喷出口62。
疏水化剂喷嘴4经由供给路46(疏水化剂供给路的一例)来与蒸气供给系统45连接。蒸气供给系统45具备疏水化剂供给源451、气体供给源452、阀453、454、加热部455以及流量调整器456。疏水化剂供给源451供给液体状态的疏水化剂，气体供给源452供给非活性气体即N2(氮)气体(干燥气体的一例)。
在此，疏水化剂例如是指利用稀释剂将用于使基板W的表面疏水化的疏水化剂稀释到规定的浓度而得到的疏水化剂。作为原料的疏水化剂，例如能够使用甲硅烷基化剂或硅烷偶联剂等。
具体地说，例如，能够使用TMSDMA(三甲基甲硅烷基二甲胺)、DMSD MA(二甲基甲硅烷基二甲胺)、TMSDEA(三甲基甲硅烷基二乙胺)、HMDS(六甲基二硅氮烷)等作为原料的疏水化剂。
另外，作为稀释剂，能够使用醚类溶剂、属于酮的有机溶剂等。具体地说，例如，能够使用PGMEA(丙二醇单甲醚醋酸酯)、环己酮、HFE(氢氟醚)等作为稀释剂。
疏水化剂供给源451经由阀453来与加热部455连接，气体供给源452经由阀454来与加热部455连接。阀453、454与控制部81电连接，被控制部81进行开闭控制。
在打开阀453、454这两方的情况下，向加热部455供给从疏水化剂供给源451供给的疏水化剂的液体与从气体供给源452供给的N2气体的混合流体。加热部455通过加热该混合流体，来生成疏水化剂的蒸气(下面，称作“疏水化剂蒸气”)。此外，在阀453的后级设置有未图示的双流体喷嘴，通过该双流体喷嘴向加热部455供给被雾化的混合流体。
另一方面，在仅打开阀454的情况下，从气体供给源452向加热部455供给N2气体。在该情况下，加热部455通过加热N2气体来生成热N2气体。加热部455经由供给路46来与疏水化剂喷嘴4连接，将疏水化剂蒸气或热N2气体供给到疏水化剂喷嘴4。
流量调整器456调整向加热部455供给的气体的流量。例如，流量调整器456构成为包括流量计、定流量阀、电动空气调节器等，能够通过调整向电动空气调节器供给的气体(N2气体)等的压力，来调整向加热部455供给的气体的流量。流量调整器456与控制部81电连接，被控制部81控制。
第二有机溶剂喷嘴6经由供给路66(第二有机溶剂供给路的一例)来与蒸气供给系统65连接。蒸气供给系统65具备有机溶剂供给源651、气体供给源652、阀653、654、加热部655以及流量调整器656。有机溶剂供给源651供给有机溶剂的液体，气体供给源652供给非活性气体即N2气体。在实施方式中，有机溶剂供给源651供给IPA液体。
有机溶剂供给源651经由阀653来与加热部655连接，气体供给源652经由阀654来与加热部655连接。阀653、654与控制部81电连接，被控制部81进行开闭控制。
在打开阀653、654这两方的情况下，向加热部655供给从有机溶剂供给源651供给的IPA液体与从气体供给源652供给的N2气体的混合流体。加热部655通过加热该混合流体，来生成IPA蒸气。此外，在阀653的后级设置有未图示的双流体喷嘴，通过该双流体喷嘴向加热部655供给被雾化的混合流体。
另一方面，在仅打开阀654的情况下，从气体供给源652向加热部655供给N2气体。在该情况下，加热部655通过加热N2气体，来生成热N2气体。加热部655经由供给路66来与第二有机溶剂喷嘴6连接，将IPA蒸气或热N2气体供给到第二有机溶剂喷嘴6。
流量调整器656调整向加热部655供给的气体的流量。例如，流量调整器656构成为包括流量计、定流量阀、电动空气调节器等，能够通过调整向电动空气调节器供给的气体(N2气体)等的压力，来调整向加热部655供给的气体的流量。流量调整器656与控制部81电连接，被控制部81控制。
疏水化剂喷嘴4朝向多个基板W水平地喷出疏水化剂蒸气或热N2气体。另外，第二有机溶剂喷嘴6朝向多个基板W向上方或斜上方喷出IPA蒸气或热N2气体。
<基板处理装置的具体的动作>
接着，参照图3～图17对实施方式所涉及的基板处理装置100的具体的动作进行说明。图3是表示实施方式所涉及的基板处理装置100执行的处理的过程的一例的流程图。另外，图4～图17是表示实施方式所涉及的基板处理装置100的动作例的图。
如图3所示，在基板处理装置100中，进行预冲洗处理(步骤S101)。预冲洗处理相当于第一配置工序的一例。具体地说，控制部81在将多个基板W搬入到腔室1之前，通过打开阀34从冲洗液供给源32向腔室1的处理槽11供给DIW，在处理槽11中贮存DIW。之后，控制部81控制移动机构23来使盖体12和轴22下降。由此，通过盖体12来封闭处理槽11的上部开口，从而在腔室1内形成气密空间13。
接着，控制部81通过控制移动机构23使轴22下降，来使多个基板W浸渍于处理槽11中贮存的DIW中(参照图4)。像这样，能够通过使多个基板W浸渍于DIW中，来抑制多个基板W干燥。
接着，在基板处理装置100中，进行调湿处理(步骤S102)。具体地说，控制部81控制蒸气供给系统45来从疏水化剂喷嘴4向干燥区域132内供给热N2气体(参照图5)。能够通过向干燥区域132内供给热N2气体，来使干燥区域132内的湿度下降。由此，能够抑制疏水化剂的失活。
此外，与预冲洗处理同时开始或者从预冲洗处理的开始前开始向干燥区域132内进行的热N2气体的供给。另外，直到即将开始后述的疏水化处理前持续从疏水化剂喷嘴4向干燥区域132内进行的热N2气体的供给。
接着，在基板处理装置100中，进行将多个基板W上的液体从DIW置换为IPA液体的第一IPA置换处理(步骤S103)。第一IPA置换处理相当于第一置换工序的一例。
具体地说，控制部81通过打开阀152(参照图1)将DIW从处理槽11排出，来使多个基板W从DIW露出(参照图6)。然后，控制部81通过打开阀54(参照图1)，来从第一有机溶剂喷嘴5对从DIW露出的多个基板W供给IPA液体(参照图7)。
接着，控制部81在从多个第二有机溶剂喷嘴6喷出IPA液体的状态下，控制移动机构23，来使多个基板W在贮存区域131与干燥区域132之间往复移动。像这样，通过使多个基板W移动，能够对多个基板W没有遗漏地供给IPA。
使多个基板W往复的次数可以为一次，也可以为二次以上。另外，多个基板W的移动可以为从贮存区域131向干燥区域132的一次移动。另外，控制部81不一定需要使多个基板W移动。
使多个基板W移动的情况下的移动速度例如可以为1mm/sec以上且300mm/sec以下的速度。像这样，通过使多个基板W以比较缓慢的速度移动，能够对多个基板W更没有遗漏地供给IPA液体。
当结束第一IPA置换处理时，控制部81关闭阀54，来停止从第一有机溶剂喷嘴5向气密空间13喷出IPA液体。
接着，控制部81控制移动机构23，来使多个基板W从贮存区域131向干燥区域132移动(步骤S104)。步骤S104的处理相当于第二配置工序的一例。
此外，在多个基板W位于干燥区域132的状态下结束第一IPA置换处理(步骤S103)的情况下，省略步骤S104的处理。在该情况下，第一IPA置换处理相当于第二配置工序的一例。
接着，在基板处理装置100中，进行通过将多个基板W上的液体从IPA置换为疏水化剂来使多个基板W疏水化的疏水化处理(步骤S105)。步骤S105的疏水化处理相当于第二置换工序的一例。
具体地说，控制部81打开阀34来向处理槽11中贮存DIW，并且控制蒸气供给系统45从疏水化剂喷嘴4向干燥区域132供给疏水化剂蒸气(参照图8)。疏水化剂蒸气的供给在结束向处理槽11贮存DIW后也继续进行(参照图9)。将干燥区域132内的气体从排气口16排出，并且向干燥区域132内供给疏水化剂蒸气，由此将干燥区域132内的气氛置换为疏水化剂蒸气。由此，多个基板W上的IPA被置换为疏水化剂，使得多个基板W疏水化。
在实施方式所涉及的基板处理装置100中，在疏水化处理中，能够通过在处理槽11中贮存有DIW的状态下向干燥区域132供给疏水化剂蒸气，来抑制疏水化剂的残渣附着于处理槽11的内壁。
接着，控制部81控制蒸气供给系统45，来停止从疏水化剂喷嘴4向干燥区域132供给疏水化剂蒸气。之后，控制部81打开阀152从处理槽11排出DIW，并且打开阀54来从第二有机溶剂喷嘴6向气密空间13供给IPA液体(参照图10)。第二有机溶剂喷嘴6将IPA液体从干燥区域132朝向贮存区域131呈圆锥状或扇状地雾状喷出。由此，能够大范围地去除附着于腔室1的内壁的疏水化剂。
此外，控制部81在停止供给疏水化剂蒸气后，控制蒸气供给系统65来开始从第二有机溶剂喷嘴6向气密空间13供给热N2气体。
接着，控制部81控制移动机构23，来使多个基板W从干燥区域132向贮存区域131移动(步骤S106)。步骤S106的处理相当于第三配置工序的一例。
接着，在基板处理装置100中，进行将多个基板W上的疏水化剂置换为IPA的第二IPA置换处理(步骤S107)。第二IPA置换处理相当于第三置换工序的一例。
具体地说，控制部81在步骤S105中从第二有机溶剂喷嘴6向贮存区域131供给IPA液体。另外，控制部81在步骤S106中使多个基板W配置于贮存区域131。其结果，在第二IPA置换处理中，向多个基板W供给IPA液体，通过IPA来冲洗掉多个基板W上的疏水化剂。
另外，控制部81在从多个第二有机溶剂喷嘴6喷出IPA液体的状态下，控制移动机构23，来使多个基板W在贮存区域131与干燥区域132之间往复移动(参照图11)。像这样，通过使多个基板W移动，能够对多个基板W没有遗漏地供给IPA。
使多个基板W往复的次数可以为一次，也可以为两次以上。另外，多个基板W的移动可以为从贮存区域131向干燥区域132的一次移动。另外，控制部81不一定需要使多个基板W移动。
使多个基板W移动的情况下的移动速度例如可以为1mm/sec以上且300mm/sec以下的速度。像这样，通过使多个基板W以比较缓慢的速度移动，能够对多个基板W更没有遗漏地供给IPA液体。
控制部81在多个基板W位于贮存区域131的状态下，停止通过移动机构23使多个基板W移动。另外，控制部81一边继续从第二有机溶剂喷嘴6向气密空间13供给IPA液体，一边打开阀34向处理槽11贮存DIW。由此，多个基板W浸渍于DIW中，通过DIW冲洗掉附着于多个基板W的IPA(参照图12)。
接着，在基板处理装置100中，进行通过IPA去除附着于腔室1的内壁的疏水化剂的腔室清洗处理(步骤S108)。
具体地说，控制部81控制蒸气供给系统65，从第二有机溶剂喷嘴6对气密空间13(干燥区域132)供给IPA蒸气(参照图13)。通过将干燥区域132内的气体从排气口16排出并且向干燥区域132内供给IPA蒸气，来将干燥区域132内的气氛置换为IPA蒸气。由此，通过IPA蒸气从腔室1的内壁去除附着于腔室1的内壁的疏水化剂。即，腔室1的内壁被清洗。
像这样，实施方式所涉及的基板处理装置100通过IPA蒸气来去除附着于腔室1的内壁的疏水化剂。由此，抑制疏水化剂的残渣附着于腔室1的内壁，与此相伴，抑制疏水化剂的残渣从腔室1转印于多个基板W上。因而，根据实施方式所涉及的基板处理装置100，能够抑制伴随微粒向多个基板W上附着而产生的图案倒塌。
另外，在腔室清洗处理中，多个基板W成为浸渍于贮存在处理槽11中的DIW中的状态。像这样，在供给IPA蒸气的期间，能够通过使多个基板W浸渍于水中，来抑制从腔室1去除的疏水化剂附着于多个基板W。
在此，在腔室清洗处理中，设为了通过使多个基板W浸渍于DIW中来保护多个基板W。但不限于此，在腔室清洗处理中使多个基板W进行浸渍的液体可以为DIW以外的液体。例如，基板处理装置100可以在腔室清洗处理中向处理槽11中贮存IPA，来使多个基板W浸渍于IPA中。
在腔室清洗处理中，控制部81将处理槽11内的DIW从排液口15排出并且从冲洗喷嘴3向处理槽11供给DIW。由此，基板处理装置100能够在腔室清洗处理中将处理槽11内的DIW保持为洁净的状态。
之后，控制部81控制蒸气供给系统65，来停止从第二有机溶剂喷嘴6向气密空间13供给IPA蒸气，结束腔室清洗处理。
接着，在基板处理装置100中进行冲洗处理(步骤S109)。具体地说，控制部81使将处理槽11内的DIW从排液口15排出并且从冲洗喷嘴3向处理槽11供给DIW的处理持续固定时间(参照图14)。由此，能够将从腔室1的内壁去除的疏水化剂、在腔室1的清洗中所使用的IPA与DIW一同从腔室1排出。
另外，控制部81控制蒸气供给系统65从第二有机溶剂喷嘴6向气密空间13供给热N2气体。由此，将气密空间13内的气氛置换为非活性气氛。
接着，在基板处理装置100中，进行第三IPA置换处理(步骤S110)。具体地说，控制部81控制移动机构23来使多个基板W从贮存区域131向干燥区域132移动，并且控制蒸气供给系统65从第二有机溶剂喷嘴6向气密空间13供给IPA蒸气(参照图15)。通过IPA蒸气与多个基板W的表面接触，将附着于多个基板W的表面的DIW置换为IPA。
控制部81以与向气密空间13进行的IPA蒸气的供给和多个基板W的提起并行的方式将处理槽11中贮存的DIW从排液口15排出。
接着，在基板处理装置100中进行干燥气体供给处理(步骤S111)。具体地说，控制部81控制蒸气供给系统65，来从第二有机溶剂喷嘴6向气密空间13供给热N2气体(参照图16)。由此，促进残留于多个基板W的表面的IPA的挥发，使得多个基板W干燥。
接着，在基板处理装置100中进行搬出处理(步骤S112)。具体地说，控制部81控制移动机构23，来使盖体12和保持部2上升。之后，控制部81控制未图示的基板搬送装置，来将多个基板W从保持体21向未图示的基板搬送装置交接。
(第一变形例)
接着，对实施方式所涉及的基板处理装置100的第一变形例进行说明。图17和图18是表示第一变形例所涉及的基板处理装置100的动作例的图。
在上述的实施方式中，对作为预冲洗处理而在处理槽11中贮存DIW来使搬入的多个基板W浸渍于DIW中的情况的例子进行了说明，但基板处理装置100不一定需要使搬入的多个基板W浸渍于DIW中。
例如，控制部81使搬入到腔室1的多个基板W配置于空的状态(即、未贮存有DIW)的贮存区域131(参照图17)。然后，控制部81例如可以省略调湿处理(步骤S102)，而控制蒸气供给系统65从第二有机溶剂喷嘴6对气密空间13供给IPA液体(参照图18)来作为第一IPA置换处理(步骤S103)。
像这样，第一变形例所涉及的基板处理装置100能够通过省略预冲洗处理，来抑制气密空间13的湿度的上升。因而，根据第一变形例所涉及的基板处理装置100，能够省略调湿处理(步骤S102)(或者缩短调湿处理的时间)。
(第二变形例)
接着，对实施方式所涉及的基板处理装置100的第二变形例进行说明。图19～图22是表示第二变形例所涉及的基板处理装置100的动作例的图。
基板处理装置100例如可以在步骤S109的冲洗处理之后且步骤S110的第三IPA置换处理之前进行IPA液膜清洗处理。
具体地说，控制部81在步骤S109的冲洗处理之后，打开阀74，来从第三有机溶剂喷嘴7对贮存于处理槽11中的DIW的液面供给IPA液体。由此，在DIW的液面形成IPA的液膜(参照图19)。
接着，控制部81控制移动机构23，来使多个基板W上升，由此使多个基板W通过IPA的液膜(参照图20)。
像这样，通过在DIW的液面形成IPA的液膜，能够在之后从DIW提起多个基板W的过程中使存在于DIW的液面的IPA附着于多个基板W的表面。由此，能够减少残留于基板W的表面的DIW的量，因此能够提高从DIW向IPA的置换效率。
此外，控制部81可以通过使多个基板W在贮存区域131与干燥区域132之间往复移动，来使多个基板W多次通过IPA的液膜。
接着，控制部81打开阀152，来从处理槽11排出DIW。另外，控制部81打开阀54，从第一有机溶剂喷嘴5向气密空间13供给IPA液体(参照图21)。由此，能够冲洗掉附着于多个基板W上的IPA的残渣。
之后，控制部81从第一有机溶剂喷嘴5向气密空间13供给IPA液体并且打开阀34来向处理槽11中贮存DIW(参照图22)。由此，多个基板W浸渍于DIW中，通过DIW将附着于多个基板W的IPA冲洗掉。
(第三变形例)
接着，对实施方式所涉及的基板处理装置100的第三变形例进行说明。图23和图24是表示第三变形例所涉及的基板处理装置100的动作例的图。
基板处理装置100例如可以在步骤S109的冲洗处理后且步骤S110的第三IPA置换处理前进行IPA液膜清洗处理。
具体地说，控制部81在步骤S109的冲洗处理后，打开阀74，来从第三有机溶剂喷嘴7对处理槽11中贮存的DIW的液面供给IPA液体。由此，在DIW的液面形成IPA的液膜(参照图23)。
接着，控制部81打开阀152，来从处理槽11排出DIW(参照图24)。由此，伴随着DIW的液面下降，IPA的液膜的位置也下降。此时，IPA的液膜通过多个基板W，由此IPA附着于多个基板W的表面。
像这样，能够通过在DIW的液面形成IPA的液膜并在之后使DIW的液面下降，使存在于DIW的液面的IPA附着于多个基板W的表面。由此，能够减少残留于基板W的表面的DIW的量，因此能够提高从DIW向IPA的置换效率。此外，之后的处理与上述的第二变形例相同，因此省略说明。
(第四变形例)
接着，对实施方式所涉及的基板处理装置100的第四变形例进行说明。图25是表示第四变形例所涉及的疏水化剂喷嘴4和第二有机溶剂喷嘴6的结构的示意性的侧视图。
如图25所示，基板处理装置100可以具有将供给路46的中途部与供给路66的中途部连接的连接路90。另外，基板处理装置100可以具备第一阀47、第二阀67以及第三阀91。第一阀47设置于供给路46。例如，第一阀47设置于供给路46与连接路90之间的连接部同疏水化剂喷嘴4之间。第二阀67设置于供给路66。例如，第二阀67设置于供给路66与连接路90之间的连接部同第二有机溶剂喷嘴6之间。第三阀91设置于连接路90。这些第一阀47、第二阀67以及第三阀91相当于切换部的一例。
在第四变形例所涉及的基板处理装置100中，控制部81能够通过控制第一阀47、第二阀67以及第三阀91，来使IPA蒸气的流出目的地在第二有机溶剂喷嘴6与疏水化剂喷嘴4之间进行切换。即，控制部81能够通过关闭第一阀47和第三阀91并打开第二阀67，来使IPA蒸气从第二有机溶剂喷嘴6喷出。另一方面，控制部81能够通过关闭第二阀67并打开第一阀47和第三阀91，来使IPA蒸气从疏水化剂喷嘴4喷出。
由此，第四变形例所涉及的基板处理装置100能够通过IPA蒸气将残留于疏水化剂喷嘴4、供给路46的疏水化剂去除。
另外，控制部81可以在腔室清洗处理(步骤S108)、第三IPA置换处理(步骤S110)中，使IPA蒸气的流出目的地在第二有机溶剂喷嘴6与疏水化剂喷嘴4之间交替地进行切换。能够通过这样，来使IPA蒸气没有遗漏地遍及干燥区域132。
如上述的那样，实施方式所涉及的基板处理装置(作为一例，基板处理装置100)是对湿润的状态下的多个基板(作为一例，基板W)统一地进行干燥处理的基板处理装置。实施方式所涉及的基板处理装置具备腔室(作为一例，腔室1)、保持部(作为一例，保持部2)、疏水化剂喷嘴(作为一例，疏水化剂喷嘴4)、第一有机溶剂喷嘴(作为一例，第一有机溶剂喷嘴5)、第二有机溶剂喷嘴(作为一例，第二有机溶剂喷嘴6)以及排气口(作为一例，排气口16)。腔室具有能够收容多个基板的气密空间(作为一例，气密空间13)。保持部使多个基板在气密空间中的用于贮存液体(作为一例，DIW)的贮存区域(作为一例，贮存区域131)与气密空间中的位于贮存区域的上方的干燥区域(作为一例，干燥区域132)之间进行升降。疏水化剂喷嘴对干燥区域供给疏水化剂的蒸气。第一有机溶剂喷嘴从干燥区域朝向贮存区域供给有机溶剂(作为一例，IPA液体)。第二有机溶剂喷嘴对干燥区域供给有机溶剂的蒸气(作为一例，IPA蒸气)。排气口将气密空间内的气体排出。
实施方式所涉及的基板处理装置能够使用从第二有机溶剂喷嘴供给的有机溶剂的蒸气来去除附着于腔室的内壁的疏水化剂。由此，来抑制疏水化剂的残渣附着于干燥腔室的内壁，因此能够抑制疏水化剂的残渣从腔室向基板上转印。因而，根据实施方式所涉及的基板处理装置，能够抑制伴随微粒向基板上附着而产生的图案倒塌。
也可以是，第一有机溶剂喷嘴和第二有机溶剂喷嘴配置于比疏水化剂喷嘴靠上方的位置。
能够通过将第二有机溶剂喷嘴配置于比疏水化剂喷嘴靠上方的位置，来使用有机溶剂的蒸气高效地清洗腔室的位于比较靠上方的内壁。另外，通过将第一有机溶剂喷嘴配置于比疏水化剂喷嘴靠上方的位置，能够高效地清洗腔室的位于比较靠下方的内壁。
也可以是，第二有机溶剂喷嘴朝向上方或斜上方供给有机溶剂的蒸气。能够通过设为该结构，来高效地清洗腔室的位于比较靠上方的内壁。
实施方式所涉及的基板处理装置具备连接路(作为一例，连接路90)和切换部(作为一例，第一阀47、第二阀67以及第三阀91)。连接路将向第二有机溶剂喷嘴供给有机溶剂的蒸气的第二有机溶剂供给路(作为一例，供给路66)的中途部与向疏水化剂喷嘴供给疏水化剂的疏水化剂供给路(作为一例，供给路46)的中途部连接。切换部使有机溶剂的蒸气的流出目的地在第二有机溶剂喷嘴与疏水化剂喷嘴之间进行切换。
通过设为该结构，能够更没有遗漏地清洗腔室的内壁。另外，能够通过有机溶剂的蒸气去除残留于疏水化剂供给路的内部的疏水化剂。因此，能够抑制疏水化剂的残渣附着于疏水化剂供给路的内部以及附着于疏水化剂供给路的内部的疏水化剂的残渣转印到基板上。因而，根据实施方式所涉及的基板处理装置，能够进一步抑制伴随微粒向基板上附着而产生的图案倒塌。
也可以是，实施方式所涉及的基板处理装置具备：第一气化器(作为一例，蒸气供给系统65)，其使疏水化剂气化；以及第二气化器(作为一例，蒸气供给系统45)，其使有机溶剂气化。
通过设为该结构，能够使疏水化剂和有机溶剂分别以适当的条件(温度等)气化。
也可以是，第一有机溶剂喷嘴将有机溶剂呈圆锥状或扇状地雾状喷出。
通过设为该结构，能够对多个基板高效地供给有机溶剂，并且能够对腔室的内壁高效地供给有机溶剂。
疏水化剂喷嘴和第二有机溶剂喷嘴具备主体部(作为一例，主体部41、61)以及多个喷出孔(作为一例，喷出口42、62)。主体部是沿着多个基板的排列方向延伸的筒状的构件。多个喷出孔沿着多个基板的排列方向以隔开间隔的方式形成于主体部。
根据该结构，能够以比较简易的结构向腔室内供给疏水化剂的蒸气和有机溶剂的蒸气。
也可以是，排气口配置于比疏水化剂喷嘴靠上方的位置。通过设为该结构，能够将充满了干燥区域的蒸气高效地排出。
另外，实施方式所涉及的基板处理方法是对湿润的状态下的多个基板统一地进行干燥处理的基板处理方法。实施方式所涉及的基板处理方法包括第一配置工序(作为一例，步骤S101)、第一置换工序(作为一例，步骤S103)、第二配置工序(作为一例，步骤S104)、第二置换工序(作为一例，步骤S105)、第三配置工序(作为一例，步骤S106)、第三置换工序(作为一例，步骤S107)、以及腔室清洗工序(作为一例，步骤S108)。第一配置工序在能够收容多个基板且具有包括贮存区域和干燥区域的气密空间的腔室中的贮存区域配置多个基板，该贮存区域用于贮存液体，该干燥区域位于贮存区域的上方。第一置换工序在第一配置工序之后，从第一有机溶剂喷嘴对多个基板供给有机溶剂，来将附着于多个基板的液体置换为有机溶剂。第二配置工序在第一置换工序之后，将多个基板配置于干燥区域。第二置换工序在第二配置工序之后，从疏水化剂喷嘴对多个基板供给疏水化剂的蒸气，来将附着于多个基板的有机溶剂置换为疏水化剂。第三配置工序在第二置换工序之后，将多个基板配置于贮存区域。第三置换工序在第三配置工序之后，从第一有机溶剂喷嘴对多个基板供给有机溶剂，来将附着于多个基板的疏水化剂置换为有机溶剂。腔室清洗工序在第三置换工序之后，在贮存区域贮存有液体(作为一例，DIW)，且使多个基板浸渍于液体的状态下，从第二有机溶剂喷嘴向干燥区域供给有机溶剂的蒸气，来清洗腔室。
因而，根据实施方式所涉及的基板处理方法，能够抑制伴随微粒向基板上附着而产生的图案倒塌。
也可以是，在第一配置工序中，使多个基板配置于贮存有液体的贮存区域，来使多个基板浸渍于液体。另外，实施方式所涉及的基板处理方法还包括调湿工序(作为一例，步骤S102)，该调湿工序至少在第一配置工序之后且第二置换工序之前的期间，对干燥区域供给干燥气体(作为一例，热N2气体)。
能够通过该结构，来抑制疏水化剂的失活。
也可以是，在第一置换工序中，一边使多个基板从贮存区域向干燥区域移动，一边从第一有机溶剂喷嘴对多个基板供给有机溶剂。
通过该结构，能够没有遗漏地对多个基板供给有机溶剂。
也可以是，在第一置换工序中，一边使多个基板在贮存区域与干燥区域之间至少往复一次，一边从第一有机溶剂喷嘴对多个基板供给有机溶剂。
通过该结构，能够更没有遗漏地对多个基板供给有机溶剂。
也可以是，在第一置换工序中，使多个基板以1mm/sec以上且300mm/sec以下的速度移动。
通过使多个基板以比较缓慢的速度移动，能够更没有遗漏地对多个基板供给有机溶剂。
也可以是，在第三置换工序中，一边使多个基板从贮存区域向干燥区域移动，一边从第一有机溶剂喷嘴对多个基板供给有机溶剂。
通过该结构，能够没有遗漏地对多个基板供给有机溶剂。
也可以是，在第三置换工序中，一边使多个基板在贮存区域与干燥区域之间至少往复一次，一边从第一有机溶剂喷嘴对多个基板供给有机溶剂。
通过该结构，能够更没有遗漏地对多个基板供给有机溶剂。
也可以是，在第三置换工序中，使多个基板以1mm/sec以上且300mm/sec以下的速度移动。
通过使多个基板以比较缓慢的速度移动，能够更没有遗漏地对多个基板供给有机溶剂。
也可以是，在第一配置工序中，使多个基板配置于空的状态的贮存区域。
与使多个基板浸渍于贮存在贮存区域中的液体中的情况相比较，干燥区域的湿度难以上升，因此能够抑制疏水化剂的失活。
也可以是，实施方式所涉及的基板处理方法包括浸渍工序、液膜形成工序以及通过工序。浸渍工序在第三置换工序之后且腔室清洗工序之前在贮存区域贮存液体(作为一例，DIW)，并使多个基板浸渍于液体中。液膜形成工序在浸渍工序之后且腔室清洗工序之前在贮存于贮存区域中的液体的表面形成有机溶剂的液膜。通过工序在液膜形成工序之后且腔室清洗工序之前，通过使多个基板从贮存区域向干燥区域移动，来使多个基板通过液膜。
由此，能够更没有遗漏地对多个基板供给有机溶剂。
也可以是，在通过工序中，使多个基板在贮存区域与干燥区域之间至少往复一次。
能够更没有遗漏地对多个基板供给有机溶剂。
也可以是，实施方式所涉及的基板处理方法包括浸渍工序、液膜形成工序以及通过工序。浸渍工序在第三置换工序后且腔室清洗工序前，在贮存区域贮存液体(作为一例，DIW)，并使多个基板浸渍于液体中。液膜形成工序在浸渍工序后且腔室清洗工序前，在贮存于贮存区域中的液体的表面形成有机溶剂的液膜。通过工序在液膜形成工序后且腔室清洗工序前，通过将贮存于贮存区域中的液体从贮存区域排出，来使液膜的位置下降，从而使液膜通过多个基板。
能够更没有遗漏地对多个基板供给有机溶剂。
应当认为，本次公开的实施方式在所有方面均是例示而非限制性的。实际上，上述的实施方式能够以多种方式具体实现。另外，上述的实施方式也可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨地以各种方式进行省略、置换、变更。
附图标记说明
1：腔室；2：保持部；3：冲洗喷嘴；4：疏水化剂喷嘴；5：第一有机溶剂喷嘴；6：第二有机溶剂喷嘴；7：第三有机溶剂喷嘴；8：控制装置；11：处理槽；12：盖体；13：气密空间；14：密封构件；15：排液口；16：排气口；32：冲洗液供给源；45：蒸气供给系统；52：有机溶剂供给源；65：蒸气供给系统；72：有机溶剂供给源；81：控制部；82：存储部；100：基板处理装置；131：贮存区域；132：干燥区域；451：疏水化剂供给源；452：气体供给源；651：有机溶剂供给源；652：气体供给源；W：基板。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，对湿润的状态下的多个基板统一地进行干燥处理，所述基板处理装置具备：
腔室，其具有能够收容所述多个基板的气密空间；
保持部，其使所述多个基板在所述气密空间中的用于贮存液体的贮存区域与所述气密空间中的位于所述贮存区域的上方的干燥区域之间进行升降；
疏水化剂喷嘴，其对所述干燥区域供给疏水化剂的蒸气；
第一有机溶剂喷嘴，其从所述干燥区域朝向所述贮存区域供给有机溶剂；
第二有机溶剂喷嘴，其对所述干燥区域供给有机溶剂的蒸气；以及
排气口，其将所述气密空间内的气体排出。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一有机溶剂喷嘴和所述第二有机溶剂喷嘴配置于比所述疏水化剂喷嘴靠上方的位置。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二有机溶剂喷嘴朝向上方或斜上方供给有机溶剂的蒸气。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，还具备：
连接路，其将向所述第二有机溶剂喷嘴供给有机溶剂的蒸气的第二有机溶剂供给路的中途部与向所述疏水化剂喷嘴供给疏水化剂的疏水化剂供给路的中途部连接；以及
切换部，其使有机溶剂的蒸气的流出目的地在所述第二有机溶剂喷嘴与所述疏水化剂喷嘴之间进行切换。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，还具备：
第一气化器，其使疏水化剂气化；以及
第二气化器，其使有机溶剂气化。
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一有机溶剂喷嘴将有机溶剂呈圆锥状或扇状地雾状喷出。
7.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述疏水化剂喷嘴和所述第二有机溶剂喷嘴具备：
筒状的主体部，其沿着所述多个基板的排列方向延伸；以及
多个喷出孔，所述多个喷出孔沿着所述多个基板的排列方向以隔开间隔的方式形成于所述主体部。
8.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述排气口配置于比所述疏水化剂喷嘴靠上方的位置。
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