JP5646419B2 - 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明は、バッチ式の基板処理装置において、基板を洗浄するための洗浄液を貯留する洗浄槽を有する洗浄処理部と、前記洗浄槽の上方に設けられた乾燥処理部と、を備え、前記乾燥処理部は、その中で基板の乾燥が行われる乾燥チャンバーと、前記乾燥チャンバー内で基板を保持する基板保持具と、前記乾燥チャンバー内に揮発性有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段と、前記乾燥チャンバー内の温度を調整するための加熱用気体または冷却用気体を前記乾燥チャンバー内に供給する温調気体供給手段と、前記乾燥チャンバー内の温度を測定する温度センサと、前記温調気体供給手段の動作を制御する制御部と、を有しており、前記制御部は、予め定められたバッチサイズと基板搬入時乾燥チャンバー内温度との関係に基づいて、前記乾燥チャンバー内で次に行われるバッチ処理のバッチサイズに対応する基板搬入時乾燥チャンバー内温度を設定し、次に行われるバッチ処理のために基板が前記乾燥チャンバー内に搬入される前に、前記乾燥チャンバー内の温度が前記設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度となるように前記温調気体供給手段を制御するように構成されている、基板処理装置を提供する。
なお、図示された実施形態においては、温調気体としての冷却用気体を供給するために、N2ガスノズル71および配管81に設けられた各種機器を、流体ノズル70および配管80(配管80a、80b)に設けられた各種機器とは別個に設けたが、これに限定されるものではなく、流体ノズル70および配管80に設けられた各種機器を、温調気体としての冷却用気体を供給する手段としても用いることができる。すなわち、蒸気発生器88からの有機溶剤蒸気の発生を停止するとともに、配管80aに設けられた加熱器87を停止させることにより、流体ノズル70からコールドN2ガスを乾燥チャンバー65内に噴射することができる。この場合、流体ノズル70および配管80に設けられた各種機器は、「揮発性有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段」、「基板に付着した乾燥ガスを除去するために不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段」および「温調気体としての加熱用気体を供給する温調気体供給手段」であることに加えて、「温調気体としての冷却用気体を供給する温調気体供給手段」でもあるということになる。
上記実施形態では、洗浄処理部62の洗浄槽69内では、純水リンス処理のみを行うようにしていたが、洗浄処理部62に薬液(例えばDHF,APF、SPM)を供給することを可能とする構成(薬液供給機構)を付加して、洗浄乾燥装置60に前述した第1〜第3の薬液槽31、33、35による薬液処理の一部を受け持たせてもよい。この場合、洗浄槽69内に搬入されたウエハWに少なくとも1種類の薬液処理が施された後、洗浄槽69内の薬液が純水(DIW)に置換されてウエハWに純水リンス処理が施され、その後、ウエハWが乾燥処理部62の乾燥チャンバー65内に移動されて、ウエハWに乾燥処理が施される。この場合には、ウエハWが洗浄槽69内に搬入されてシャッター63が閉じられてから、ウエハWを洗浄槽69から乾燥チャンバー65に移すときに再びシャッター63が開かれるまでの間の時間が長くなる。このことにより、時間的余裕をもって乾燥チャンバー65内の温調を行うことができ、温調に関与する機構の負担を小さくでき、また、温調に付随して発生する費用を低く抑えることができる。例えば、ホットN2ガスの温度を低く抑えて電力消費を抑制することができ、ホットN2ガス(コールドN2ガス)の流量を小さくしてN2ガスの消費を抑制することができ、あるいは昇温のために高価なIPAを用いる必要がなくなる。
62 洗浄処理部
65 乾燥チャンバー
69 洗浄槽
71 基板保持具(ウエハガイド)
70,80,83,86,92 乾燥ガス供給手段、温調気体供給手段
70,80,82,85,87,91 温調気体供給手段
71,81,84,89,93 不活性ガス供給手段、温調気体供給手段
94 温度センサ
100 制御部(コントローラ、制御コンピュータ)
101 記憶媒体
Claims (6)
- バッチ式の基板処理装置において、
基板を洗浄するための洗浄液を貯留する洗浄槽を有する洗浄処理部と、
前記洗浄槽の上方に設けられた乾燥処理部と、を備え、
前記乾燥処理部は、
その中で基板の乾燥が行われる乾燥チャンバーと、
前記乾燥チャンバー内で基板を保持する基板保持具と、
前記乾燥チャンバー内に揮発性有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給手段と、
前記乾燥チャンバー内の温度を調整するための加熱用気体を前記乾燥チャンバー内に供給する加熱用気体供給手段と、前記乾燥チャンバー内の温度を調整するための冷却用気体を前記乾燥チャンバー内に供給する冷却用気体供給手段とを有する温調気体供給手段と、
前記乾燥チャンバー内の温度を測定する温度センサと、
前記温調気体供給手段の動作を制御する制御部と、を有しており、
前記制御部は、予め定められたバッチサイズと基板搬入時乾燥チャンバー内温度との関係に基づいて、前記乾燥チャンバー内で次に行われるバッチ処理のバッチサイズに対応する基板搬入時乾燥チャンバー内温度を設定し、次に行われるバッチ処理のために基板が前記乾燥チャンバー内に搬入される前に、前記乾燥チャンバー内の温度が前記設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度となるように前記温調気体供給手段を制御し、このとき、前記制御部は、前記温度センサにより測定された前記乾燥チャンバー内の温度が前記設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度より高い場合には前記冷却用気体供給手段により冷却用気体を前記乾燥チャンバー内に供給し、前記温度センサにより測定された前記乾燥チャンバー内の温度が前記設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度より低い場合には前記加熱用気体供給手段により加熱用気体を前記乾燥チャンバー内に供給する、基板処理装置。 - 基板に付着した前記乾燥ガスを除去するための不活性ガスを前記乾燥チャンバー内に供給する不活性ガス供給手段をさらに備え、前記乾燥ガス供給手段および前記不活性ガス供給手段の少なくとも一方が、前記温調気体供給手段の少なくとも一部を構成している、請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記制御部は、前記温度センサにより測定された前記乾燥チャンバー内の実際温度と、設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度との差に基づいて、温調に必要な時間を算出し、それに基づいて温調の開始時点を決定するように構成されている、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 基板のバッチ処理方法において、
基板にリンス処理を施す工程と、
乾燥チャンバー内に温調気体を供給して、乾燥チャンバー内の温度を調整する工程と、
温度が調整された前記乾燥チャンバー内にリンス処理後の基板を搬入する工程と、
前記基板に揮発性有機溶剤の蒸気からなる乾燥ガスを供給して、前記基板に付着しているリンス液を前記乾燥ガスで置換する工程と、
前記基板に不活性ガスを供給して、前記基板に付着している乾燥ガスを除去する工程と、
を備え、
前記乾燥チャンバー内の温度を調整する工程は、予め定められたバッチサイズと基板搬入時乾燥チャンバー内温度との関係に基づいて、前記乾燥チャンバー内で次に行われるバッチ処理のバッチサイズに応じて設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度に、前記乾燥チャンバー内の温度を調整する工程であり、
前記乾燥チャンバー内の温度を調整する工程は、前記乾燥チャンバー内の温度を測定する工程と、測定された前記乾燥チャンバー内の温度が設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度よりも高い場合には前記乾燥チャンバー内に冷却用気体を供給し、測定された前記乾燥チャンバー内の温度が設定された基板搬入時乾燥チャンバー内温度よりも低い場合には前記乾燥チャンバー内に加熱用気体を供給する工程とを有している、基板のバッチ処理方法。 - 前記乾燥ガスおよび前記不活性ガスの少なくとも一方を、温調気体としても利用する、請求項4に記載の基板のバッチ処理方法。
- 基板を洗浄するための洗浄液を貯留する洗浄槽を有する洗浄処理部と、前記洗浄槽の上方に設けられた乾燥処理部と、を備えたバッチ式の基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記録された記憶媒体であって、前記プログラムを実行することによって前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板のバッチ処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板のバッチ処理方法が、請求項4または5に記載の基板のバッチ処理方法である記憶媒体。
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