JP2008078501A - 半導体基板の乾燥装置及び乾燥方法 - Google Patents

半導体基板の乾燥装置及び乾燥方法 Download PDF

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義宏 小川
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Abstract

【課題】IPA濃度の変動を抑え、安定した乾燥処理が可能な半導体基板の乾燥装置及び乾燥方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態の半導体基板の乾燥装置は、半導体基板(W)の乾燥を行なう乾燥チャンバー(1)内のIPA濃度を直接または間接的に測定する測定手段(6)と、前記半導体基板の表面状態を認識する認識手段と、前記乾燥チャンバー内のIPA濃度を制御する制御手段(100)と、を備え、前記測定手段は、前記IPA濃度の測定結果を前記制御手段にフィードバックし、前記制御手段は、前記測定結果と前記認識手段で認識された表面状態とを基に前記IPA濃度を制御する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、半導体基板の乾燥装置及び乾燥方法に関し、特に微細パターンが存在するような半導体基板の液体処理後の乾燥に使用される乾燥装置及び乾燥方法に関する。
半導体基板の乾燥においては、Water Mark(ウォーターマーク)のない清浄な表面を得ることが必要である。微細パターンが存在する半導体基板に用いられるIPA(イソプロピルアルコール)乾燥では、経験的に一律に決定された量のIPAを供給することにより、乾燥性能を保証していた。
図3は、IPAベーパー乾燥で必要とされるIPA中の水分濃度の処理バッチ数依存性を示す図であり、図4は、IPA供給時間とチャンバー内のIPA濃度の変動を示す図である。実際には、図3に示すように、ウェハの枚数や表面状態などに起因して乾燥で必要とされるIPA量は変動するし、図4に示すように、チャンバー内の圧力や廃液、排気動作によってもウェハ近傍のIPA濃度は変動する。
これらの変動のために、パターンによってはWater Markが発生し、安定した乾燥性能を保つことが困難であった。また、これらの変動の影響を受けないIPA濃度に一律に決定することによって安定性能を保つために、IPAの使用量が増加するという問題があった。
なお、特許文献1は半導体ウェハの乾燥処理に関する。乾燥ガスを検出する濃度センサが処理室内に配設される。濃度センサにより検出された検出信号によって検出された検出信号を制御手段に送り、予め記憶された情報と比較演算された出力信号により流量制御手段でIPAタンクから所定量のIPAを乾燥ガス生成器に供給する。
特許文献2は半導体ウェハの乾燥処理に関する。IPAセンサは吸気口に配置され、吸気口を通過するガスに含まれるIPA蒸気の濃度を検出し、検出された濃度に応じた信号を検出信号として送出する。制御部はIPA蒸気濃度が目標値を下回るとヒータ出力が高まり、目標値を上回るとヒータ出力が引き下げられる。
特許文献3はシリコンウェハ等の基板処理に関する。蒸発槽ではIPAの蒸気と窒素ガスとの混合ガスが生成される。配管が蒸発槽の一方の端に接続され、他方端がチャンバ吐出管に接続され混合ガスを導く。チャンバ近傍には混合ガス内に含まれるIPA蒸気の実際の濃度を測定して測定結果を中央演算処理部に出力する濃度センサが介設される。測定結果は中央演算処理部がMFC流量を制御する時に用いられる。
特許文献4は薄膜の膜厚および屈折率の観察方法に関する。
特開平10−22259号公報 特開平10−321584号公報 特開平11−191549号公報 特開平7−12523号公報
本発明の目的は、IPA濃度の変動を抑え、安定した乾燥処理が可能な半導体基板の乾燥装置及び乾燥方法を提供することにある。
本発明の一形態の半導体基板の乾燥装置は、半導体基板の乾燥を行なう乾燥チャンバー内のIPA濃度を直接または間接的に測定する測定手段と、前記半導体基板の表面状態を認識する認識手段と、前記乾燥チャンバー内のIPA濃度を制御する制御手段と、を備え、前記測定手段は、前記IPA濃度の測定結果を前記制御手段にフィードバックし、前記制御手段は、前記測定結果と前記認識手段で認識された表面状態とを基に前記IPA濃度を制御する。
本発明の他の形態の半導体基板の乾燥方法は、半導体基板の乾燥を行なう乾燥チャンバー内のIPA濃度を直接または間接的に測定し、前記半導体基板の表面状態を認識し、
フィードバックされた前記IPA濃度の測定結果と認識された前記表面状態とを基に前記IPA濃度を制御する。
本発明によれば、IPA濃度の変動を抑え、安定した乾燥処理が可能な半導体基板の乾燥装置及び乾燥方法を提供できる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1は、本実施の形態に係るIPA乾燥装置の構成を示す図である。このIPA乾燥装置の動作は、コンピュータ100により制御される。乾燥チャンバー1は、複数のウェハWをバッチ処理にて乾燥する。バッファータンク2にはIPA液21が収容されている。
このIPA乾燥装置では、バッファータンク2内のIPA液をポンプ3にて循環させ、フィルター4で異物を除去し、配管10に設けられたヒーター51によって温調することによって、IPAベーパー(蒸気)が発生する。マスフローでコントロールされたキャリアガスのNを配管10を介してバッファータンク2に送り込むことによって、IPAベーパーは配管10に設けられたヒーター52を介して乾燥チャンバー1内に送り込まれる。
乾燥チャンバー1中の雰囲気が図示しないポンプによりIPA濃度モニター6側へ吸引されることによって、乾燥チャンバー1内のIPAの濃度がインラインで測定される。IPA濃度モニター6はIPA濃度の測定結果をコンピュータ100にフィードバックする。その後、コンピュータ100は、フィードバックされたIPA濃度の測定結果を基に、乾燥に必要なIPA濃度になるように自動的に計算して、キャリアガスの流量、投入時間、IPAの循環温度を自動的にコントロールする。
また、乾燥チャンバー1に設けられたドレインライン11から排水中のIPAの濃度と乾燥チャンバー1に設けられた排気ラインから排気中のIPAの濃度を測定することによって、乾燥チャンバー1中のIPA濃度を類推して同じコントロールを行なってもよい。
さらに、乾燥チャンバー1内に圧力計を設け、乾燥中のチャンバーの内圧をモニタリングし、この内圧とIPA供給量との関係から乾燥チャンバー1中のIPA濃度を類推して同じコントロールを行なってもよい。
なお、本第1の実施の形態ではバッチタイプの乾燥装置を示したが、同様の機構を備えた枚葉タイプの乾燥装置でも適用できる。
図2は、上述したIPA乾燥装置の動作手順を示す図である。
レシピがスタートすると、ステップS1で、コンピュータ100は乾燥チャンバー1に投入されるウェハWの枚数をカウントする。このウェハの枚数は、レシピがスタートする前にカウントしてもよい。ステップS2で、ウェハWが乾燥チャンバー1に投入される以前に、各ウェハWの表面状態を調べる。
乾燥チャンバー1にウェハWが投入されると、ステップS3で、コンピュータ100により乾燥時のIPA濃度が決定される。ステップS4で、コンピュータ100の制御により、乾燥中に所望のIPA濃度になるように、IPA投入時間、IPA循環温度、キャリアN流量、バッファータンク2の表面積等を変化させる。最後にステップS5で、乾燥したウェハWを乾燥チャンバー1から搬出する。
この動作手順では、(1)ウェハ枚数をカウントし、(2)ウェハの表面状態を調べ、(3)ウェハ乾燥時のチャンバーのIPA濃度を決定することがポイントである。(1)(2)は乾燥装置外で行なってあらかじめ情報を与えても構わないし、乾燥装置内で(1)(2)を行なう機能をもっていても構わない。その場合、(2)は膜厚測定と同様に非接触UV光、レーザー等をウェハに当て、SiO、SiNなどの膜質を把握することも可能である。これらの膜が混在する場合も、ウェハ面内をスキャンすることによって膜の存在比(疎水面/親水面など)を把握できる。また、ウェハをリンス槽から乾燥槽に移動する際の水の持ち出し量をリンス槽の水の減少量などで把握してもよい。また、接触角を測定することによって行なってもよい。
以上のように本実施の形態によれば、半導体基板製造における洗浄工程、ウェットエッチング工程、CMP工程などの液体処理後のIPA(イソプロピルアルコール)乾燥工程において、乾燥チャンバー内IPA濃度を直接、間接的に測定し、そこで得られる濃度情報からIPA供給濃度をコントロールしながら乾燥を行う。チャンバー内のIPA濃度を測定する手段としては、直接チャンバー内の雰囲気を測定するか、排水、廃液中のIPA濃度や、チャンバー圧力からチャンバー内のIPA濃度を推測する。IPA供給濃度をコントロールする手段としては、IPA循環温度、投入時間、タンク内表面積、キャリアガス量、チャンバー圧力などを用いる。
また、投入するウェハの枚数をあらかじめ認識し、ウェハ乾燥に使用するIPAの量をあらかじめ認識してIPAの濃度をコントロールするか、さらには、ウェハの表面(親水性、疎水性またはその存在比率など)状態を例えば光学的にあらかじめ認識して、IPAの濃度をコントロールすることもできる。すなわち、認識したウェハ枚数およびウェハの表面状態とIPA濃度モニター6からフィードバックされたIPA濃度とを基に、IPAの濃度をコントロールすることもできる。ウェハの枚数や表面状態を認識する手段は、乾燥装置内に具備しても、他から情報を得られるようにしても構わない。ウェハの表面情報を光学的に知る具体例として、屈折率測定があげられる。例えば、親水面となるSiOの屈折率が1.4前後なのに対し、疎水面となるSiの屈折率は3.4前後と高い。この場合、ウェハ表面を洗浄、乾燥する前にスキャンすることによって、ウェハ全面の膜情報(屈折率と膜厚)を得ることができる。
これにより、ウェハ枚数、表面状態、チャンバー温度、圧力などを基にチャンバーIPA濃度の変動を抑えることが可能になり、安定した乾燥処理が可能になる。また、乾燥に使用されるIPAの量が削減できる。
本発明は、上記実施の形態のみに限定されず、要旨を変更しない範囲で適宜変形して実施できる。
実施の形態に係るIPA乾燥装置の構成を示す図。 実施の形態に係るIPA乾燥装置の動作手順を示す図。 従来例に係るIPAベーパー乾燥で必要とされるIPA中の水分濃度の処理バッチ数依存性を示す図。 従来例に係るIPA供給時間とチャンバー内のIPA濃度の変動を示す図。
符号の説明
100…コンピュータ 1…乾燥チャンバー 2…バッファータンク 21…IPA液 3…ポンプ 4…フィルター 51,52,53…ヒーター 6…IPA濃度モニター 10…配管 W…ウェハ

Claims (3)

  1. 半導体基板の乾燥を行なう乾燥チャンバー内のIPA濃度を直接または間接的に測定する測定手段と、
    前記半導体基板の表面状態を認識する認識手段と、
    前記乾燥チャンバー内のIPA濃度を制御する制御手段と、を備え、
    前記測定手段は、前記IPA濃度の測定結果を前記制御手段にフィードバックし、
    前記制御手段は、前記測定結果と前記認識手段で認識された表面状態とを基に前記IPA濃度を制御することを特徴とする半導体基板の乾燥装置。
  2. 前記半導体基板の枚数を認識する認識手段を備え、
    前記制御手段は、前記認識手段で認識された枚数を基に前記IPA濃度を制御することを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の乾燥装置。
  3. 半導体基板の乾燥を行なう乾燥チャンバー内のIPA濃度を直接または間接的に測定し、
    前記半導体基板の表面状態を認識し、
    フィードバックされた前記IPA濃度の測定結果と認識された前記表面状態とを基に前記IPA濃度を制御することを特徴とする半導体基板の乾燥方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010067811A (ja) * 2008-09-11 2010-03-25 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板乾燥装置及び濃度算出方法
JP2010137156A (ja) * 2008-12-10 2010-06-24 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 紙素子からのイソプロピルアルコールの除去装置
JP2013058696A (ja) * 2011-09-09 2013-03-28 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP2016139681A (ja) * 2015-01-27 2016-08-04 株式会社Screenホールディングス 蒸気供給装置、蒸気乾燥装置、蒸気供給方法および蒸気乾燥方法

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