JP2017220618A - 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】リン酸水溶液の濃度を変化させることなく、リン酸水溶液の沸騰状態を一定に保って、エッチング均一性を図る。【解決手段】基板液処理装置１は液処理部３９と、処理液循環ライン４２と、液処理部３９の処理槽３４に設けられた沸騰状態検出部７０とを有する。沸騰状態検出部７０からの信号に基づいて制御部７は、処理液循環ライン４２の供給ポンプ５１を制御し、供給される流路内のリン酸水溶液の圧力を調整してリン酸水溶液の沸騰状態を所望の状態に調整する。【選択図】図２
Description
本発明は、処理液を用いて基板を液処理する基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体に関する。
半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する際には、基板液処理装置を用いて半導体ウエハや液晶基板などの基板に対してエッチング液等の処理液を用いてエッチング等の処理を施す。
たとえば、特許文献１に開示された基板液処理装置では、処理槽に貯留した処理液（エッチング液：リン酸水溶液）に基板を浸漬させて、基板の表面に形成したシリコン窒化膜をエッチングする処理を行う。
この基板液処理装置では、処理液としてリン酸を純水で所定の濃度に希釈したリン酸水溶液を用いている。そして、基板液処理装置では、リン酸水溶液を所定の濃度と所定の温度で加熱して沸騰させてエッチング処理を行う。
しかし、これだけではエッチング均一性を確保することはむずかしく、エッチング均一性という面では改善が必要である。
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、リン酸水溶液の処理において、エッチング均一性の向上を図ることができる基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体を提供することを目的とする。
本発明は、リン酸水溶液からなる処理液および基板を収納するとともに、当該処理液を用いて前記基板を処理する液処理部と、前記液処理部に対して前記処理液を供給する供給ポンプを含む処理液供給部と、前記液処理部に設置され、前記処理液の沸騰状態を検出する沸騰状態検出部と、前記沸騰状態検出部からの信号に基づいて前記供給ポンプを制御して前記処理液供給部から前記液処理部へ供給される流路内の処理液の圧力を調整する制御部とを備えたことを特徴とする基板液処理装置である。
本発明は、リン酸水溶液からなる処理液および基板を収納する液処理部において、当該処理液を用いて前記基板を処理する工程と、前記液処理部に対して供給ポンプを含む処理液供給部により処理液を供給する工程と、前記液処理部に設置され、前記処理液の沸騰状態を沸騰状態検出部により検出する工程と、前記沸騰状態検出部からの信号に基づいて前記供給ポンプを制御部により制御して前記処理液供給部から前記液処理部へ供給される流路内の処理液の圧力を調整する工程とを備えたことを特徴とする基板液処理方法である。
本発明は、コンピュータに基板液処理方法を実行させるための記憶媒体において、前記基板液処理方法は、リン酸水溶液からなる処理液および基板を収納する液処理部において、当該処理液を用いて前記基板を処理する工程と、前記液処理部に対して供給ポンプを含む処理液供給部により処理液を供給する工程と、前記液処理部に設置され、前記処理液の沸騰状態を沸騰状態検出部により検出する工程と、前記沸騰状態検出部からの信号に基づいて前記供給ポンプを制御部により制御して前記処理液供給部から前記液処理部へ供給される流路内の処理液の圧力を調整する工程とを備えたことを特徴とする基板液処理方法である。
本発明によれば、リン酸水溶液の濃度を変化させることなく、リン酸水溶液の沸騰状態を所望の状態に調整することで、エッチング均一性を図ることができる。
以下、本発明の実施の形態について、図１乃至図４により説明する。まず本発明による基板液処理装置１が組込まれた基板液処理システム１Ａ全体について述べる。
図１に示すように、基板液処理システム１Ａは、キャリア搬入出部２と、ロット形成部３と、ロット載置部４と、ロット搬送部５と、ロット処理部６と、制御部７とを有する。
このうちキャリア搬入出部２は、複数枚（たとえば、２５枚）の基板（シリコンウエハ）８を水平姿勢で上下に並べて収容したキャリア９の搬入及び搬出を行う。
このキャリア搬入出部２には、複数個のキャリア９を載置するキャリアステージ１０と、キャリア９の搬送を行うキャリア搬送機構１１と、キャリア９を一時的に保管するキャリアストック１２，１３と、キャリア９を載置するキャリア載置台１４とが設けられている。ここで、キャリアストック１２は、製品となる基板８をロット処理部６で処理する前に一時的に保管する。また、キャリアストック１３は、製品となる基板８をロット処理部６で処理した後に一時的に保管する。
そして、キャリア搬入出部２は、外部からキャリアステージ１０に搬入されたキャリア９をキャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１２やキャリア載置台１４に搬送する。また、キャリア搬入出部２は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９をキャリア搬送機構１１を用いてキャリアストック１３やキャリアステージ１０に搬送する。キャリアステージ１０に搬送されたキャリア９は、外部へ搬出される。
ロット形成部３は、１又は複数のキャリア９に収容された基板８を組合せて同時に処理される複数枚（たとえば、５０枚）の基板８からなるロットを形成する。なお、ロットを形成するときは、基板８の表面にパターンが形成されている面を互いに対向するようにロットを形成してもよく、また、基板８の表面にパターンが形成されている面がすべて一方を向くようにロットを形成してもよい。
このロット形成部３には、複数枚の基板８を搬送する基板搬送機構１５が設けられている。なお、基板搬送機構１５は、基板８の搬送途中で基板８の姿勢を水平姿勢から垂直姿勢及び垂直姿勢から水平姿勢に変更させることができる。
そして、ロット形成部３は、キャリア載置台１４に載置されたキャリア９から基板搬送機構１５を用いて基板８をロット載置部４に搬送し、ロットを形成する基板８をロット載置部４に載置する。また、ロット形成部３は、ロット載置部４に載置されたロットを基板搬送機構１５でキャリア載置台１４に載置されたキャリア９へ搬送する。なお、基板搬送機構１５は、複数枚の基板８を支持するための基板支持部として、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）の基板８を支持する処理前基板支持部と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）の基板８を支持する処理後基板支持部の２種類を有している。これにより、処理前の基板８等に付着したパーティクル等が処理後の基板８等に転着するのを防止する。
ロット載置部４は、ロット搬送部５によってロット形成部３とロット処理部６との間で搬送されるロットをロット載置台１６で一時的に載置（待機）する。
このロット載置部４には、処理前（ロット搬送部５で搬送される前）のロットを載置する搬入側ロット載置台１７と、処理後（ロット搬送部５で搬送された後）のロットを載置する搬出側ロット載置台１８とが設けられている。搬入側ロット載置台１７及び搬出側ロット載置台１８には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて載置される。
そして、ロット載置部４では、ロット形成部３で形成したロットが搬入側ロット載置台１７に載置され、そのロットがロット搬送部５を介してロット処理部６に搬入される。また、ロット載置部４では、ロット処理部６からロット搬送部５を介して搬出されたロットが搬出側ロット載置台１８に載置され、そのロットがロット形成部３に搬送される。
ロット搬送部５は、ロット載置部４とロット処理部６との間やロット処理部６の内部間でロットの搬送を行う。
このロット搬送部５には、ロットの搬送を行うロット搬送機構１９が設けられている。ロット搬送機構１９は、ロット載置部４とロット処理部６に沿わせて配置したレール２０と、複数枚の基板８を保持しながらレール２０に沿って移動する移動体２１とで構成する。移動体２１には、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を保持する基板保持体２２が進退自在に設けられている。
そして、ロット搬送部５は、搬入側ロット載置台１７に載置されたロットをロット搬送機構１９の基板保持体２２で受取り、そのロットをロット処理部６に受渡す。また、ロット搬送部５は、ロット処理部６で処理されたロットをロット搬送機構１９の基板保持体２２で受取り、そのロットを搬出側ロット載置台１８に受渡す。さらに、ロット搬送部５は、ロット搬送機構１９を用いてロット処理部６の内部においてロットの搬送を行う。
ロット処理部６は、垂直姿勢で前後に並んだ複数枚の基板８を１ロットとしてエッチングや洗浄や乾燥などの処理を行う。
このロット処理部６には、基板８の乾燥処理を行う乾燥処理装置２３と、基板保持体２２の洗浄処理を行う基板保持体洗浄処理装置２４と、基板８の洗浄処理を行う洗浄処理装置２５と、基板８のエッチング処理を行う２台の本発明によるエッチング処理装置（基板液処理装置）１とが並べて設けられている。
乾燥処理装置２３は、処理槽２７と、処理槽２７に昇降自在に設けられた基板昇降機構２８とを有する。処理槽２７には、乾燥用の処理ガス（ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等）が供給される。基板昇降機構２８には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。乾燥処理装置２３は、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構２８で受取り、基板昇降機構２８でそのロットを昇降させることで、処理槽２７に供給した乾燥用の処理ガスで基板８の乾燥処理を行う。また、乾燥処理装置２３は、基板昇降機構２８からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受渡す。
基板保持体洗浄処理装置２４は、処理槽２９を有し、この処理槽２９に洗浄用の処理液及び乾燥ガスを供給できるようになっており、ロット搬送機構１９の基板保持体２２に洗浄用の処理液を供給した後、乾燥ガスを供給することで基板保持体２２の洗浄処理を行う。
洗浄処理装置２５は、洗浄用の処理槽３０とリンス用の処理槽３１とを有し、各処理槽３０，３１に基板昇降機構３２，３３を昇降自在に設けている。洗浄用の処理槽３０には、洗浄用の処理液（ＳＣ−１等）が貯留される。リンス用の処理槽３１には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。
エッチング処理装置１は、エッチング用の処理槽３４とリンス用の処理槽３５とを有し、各処理槽３４，３５に基板昇降機構３６，３７が昇降自在に設けられている。エッチング用の処理槽３４には、エッチング用の処理液（リン酸水溶液）が貯留される。リンス用の処理槽３５には、リンス用の処理液（純水等）が貯留される。上述のように、エッチング処理装置１は本発明による基板液処理装置を構成する。
これら洗浄処理装置２５とエッチング処理装置１は、同様の構成となっている。このうち、エッチング処理装置（基板液処理装置）１について説明すると、基板昇降機構３６には、１ロット分の複数枚の基板８が垂直姿勢で前後に並べて保持される。エッチング処理装置１において、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３６で受取り、基板昇降機構３６でそのロットを昇降させることでロットを処理槽３４のエッチング用の処理液に浸漬させて基板８のエッチング処理を行う。その後、エッチング処理装置１は、基板昇降機構３６からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受渡す。また、ロット搬送機構１９の基板保持体２２からロットを基板昇降機構３７で受取り、基板昇降機構３７でそのロットを昇降させることでロットを処理槽３５のリンス用の処理液に浸漬させて基板８のリンス処理を行う。その後、基板昇降機構３７からロット搬送機構１９の基板保持体２２にロットを受渡す。
制御部７は、基板液処理装置１Ａの各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６、エッチング処理装置１）の動作を制御する。
この制御部７は、たとえばコンピュータからなり、コンピュータで読み取り可能な記憶媒体３８を備える。記憶媒体３８には、基板液処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部７は、記憶媒体３８に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板液処理装置１の動作を制御する。なお、プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体３８に記憶されていたものであって、他の記憶媒体から制御部７の記憶媒体３８にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体３８としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上述のようにエッチング処理装置１の処理槽３４では、所定濃度の薬剤（リン酸）の水溶液（リン酸水溶液）を処理液（エッチング液）として用いて基板８を液処理（エッチング処理）する。
エッチング処理装置（基板液処理装置）１は、図２および図３に示すように、所定濃度のリン酸水溶液からなる処理液を貯留するとともに基板８を処理するための液処理部３９と、液処理部３９にリン酸水溶液を供給するためのリン酸水溶液供給部４０と、リン酸水溶液を希釈する純水を供給するための純水供給部４１と、液処理部３９に貯留された処理液を循環させるための処理液循環ライン４２と、液処理部３９から処理液を排出する処理液排出部４３とを有する。
このうち、液処理部３９は、エッチング用の上部を開放させた処理槽３４と、この処理槽３４の上部周囲に設けられるとともに上部を開放させた外槽４４とを有し、処理槽３４と外槽４４に処理液を貯留する。処理槽３４では、基板８を基板昇降機構３６によって浸漬させることで液処理するための処理液を貯留する。外槽４４は、処理槽３４からオーバーフローした処理液を貯留するとともに、処理液循環ライン４２によって処理槽３４に処理液を供給する。なお、基板昇降機構３６において、複数の基板８が垂直に起立した姿勢で水平方向に間隔をあけて配列させた状態で保持される。
リン酸水溶液供給部４０は、液処理部３９に処理液よりも低い濃度の薬剤（リン酸）の水溶液（リン酸水溶液）を供給する。このリン酸水溶液供給部４０は、所定濃度及び所定温度のリン酸水溶液を供給するための水溶液供給源４５を含み、この水溶液供給源４５は液処理部３９の外槽４４に流量調節器４６を介して接続されている。流量調節器４６は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御及び流量制御される。
純水供給部４１は、処理液の加熱（沸騰）によって蒸発した水分を補給するための純水を供給する。この純水供給部４１は、所定温度の純水を供給するための純水供給源４７を含み、この純水供給源４７は液処理部３９の外槽４４に流量調節器４８を介して接続されている。流量調節器４８は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御及び流量制御される。
処理液循環ライン４２は、処理槽３４の内部において基板昇降機構３６で保持された基板８よりも下方に配置された処理液供給ノズル４９と、液処理部３９の外槽４４の底部と処理液供給ノズル４９との間に形成された循環流路５０とを含む。循環流路５０には、供給ポンプ５１と、フィルタ５２と、ヒータ５３とが順次に設けられている。供給ポンプ５１及びヒータ５３は、制御部７に接続されており、制御部７で駆動制御される。そして、処理液循環ライン４２は、供給ポンプ５１を駆動させることで外槽４４から処理槽３４に処理液を循環させる。その際に、ヒータ５３で処理液を所定温度に加熱する。なお、供給ポンプ５１と、フィルタ５２と、ヒータ５３とを有する処理液循環ライン４２は、処理液を液処理部３９へ供給する処理液供給部として機能する。
図３に示すように、処理液供給ノズル４９は、複数枚の基板８の配列方向に延びる筒形状を有している。そして、その周面に穿設された複数の吐出口８１から、基板昇降機構３６に保持された基板８に向かって処理液を吐出するように構成されている。
また、処理液循環ライン４２には、循環流路５０ヒータ５３よりも下流側と外槽４４との間に形成された濃度計測流路５４が接続されている。濃度計測流路５４には、上流側開閉弁５５、濃度センサ５６（濃度計測部）、下流側開閉弁５７が順に設けられている。上流側開閉弁５５と濃度センサ５６との間には、濃度センサ５６を洗浄するための洗浄流体（ここでは、常温の純水）を供給する洗浄流体供給部５８が接続されている。この洗浄流体供給部５８は、洗浄流体を供給するための洗浄流体供給源５９を有し、この洗浄流体供給源５９は上流側開閉弁５５と濃度センサ５６との間に供給開閉弁６０を介して接続されている。また、濃度センサ５６と下流側開閉弁５７との間には、洗浄流体を排出する洗浄流体排出部６１が接続されている。この洗浄流体排出部６１は、濃度センサ５６と下流側開閉弁５７との間に接続され外部の排液管と連通する排出流路６２を有し、排出流路６２に排出開閉弁６３が設けられている。上流側開閉弁５５、下流側開閉弁５７、供給開閉弁６０、及び排出開閉弁６３は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御される。また、濃度センサ５６は、制御部７に接続されており、制御部７からの指示で濃度計測流路５４を流れる処理液の濃度を計測して制御部７に通知する。なお、洗浄流体排出部６１は、主に洗浄流体を排出するが、濃度計測流路５４に滞留する処理液も排出する。
処理液排出部４３は、液処理部３９の処理槽３４の底部に接続され外部の排液管と連通する排液流路６４を有し、排液流路６４に開閉弁６５が設けられている。開閉弁６５は、制御部７に接続されており、制御部７で開閉制御される。
また、液処理部３９の処理槽３４には、リン酸水溶液の沸騰状態を検出する沸騰状態検出部７０が設置されている。
沸騰状態検出部７０は、気泡式液面計やガスパージ式液位検出器等と称されている市販品を応用可能であるが、対象薬液に応じて活性ガスを使用したり、ガス吐出管の材質等に対する配慮が必要となる。好ましくは、図２に示すように、不活性ガスを所定流量で送るガス供給部７２と、不活性ガスを処理液の一定深さ位置にパージするガス吐出管７１と、ガス吐出管７１に接続された背圧指示計７３と、ガス吐出管７１に設けられて管内の不活性ガスを放出する開閉弁７５とを有する。
このような沸騰状態検出部７０において、処理液中へガス吐出管７１から不活性ガスをパージしたときの背圧を背圧指示計７３により測定する。この場合、処理液の沸騰度合が進むに伴って背圧も比例して低くなる。前記背圧の変動は、例えば、沸騰していないときと、激しく沸いているときとで、１０ｍｍＡｑ以上の差が認められる。このため、背圧指示計７３で検出された検出値に基づいて、処理液の沸騰度合を評価可能にすることができる。
背圧指示計７３で検出された検出値は、制御部７へ送られる。
基板液処理装置１は、以上に説明したように構成しており、記憶媒体３８に記憶された基板液処理プログラム等に従って制御部７で各部（キャリア搬入出部２、ロット形成部３、ロット載置部４、ロット搬送部５、ロット処理部６、エッチング処理装置１）の動作を制御することで、基板８を処理する。
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用、すなわち基板液処理方法について説明する。まずエッチング処理装置１のリン酸水溶液供給部４０によって所定濃度及び所定温度のリン酸水溶液（処理液）を液処理部３９の外槽４４に供給する。次に処理液循環ライン４２のヒータ５３によって外槽４４からの処理液を所定濃度（例えば８７．４ｗｔ％）及び所定温度（例えば１６０℃）になるように加熱し、処理液を液処理部３９の処理槽３４に貯留する。その際に、ヒータ５３の加熱によって水分が蒸発して気泡となって処理液中を上昇し、処理液は沸騰状態となる。この場合、処理液の濃度が増加するため、加熱によって蒸発する水分の量に相応する量の純水を純水供給部４１によって液処理部３９の外槽４４に供給して、処理液を純水で希釈する。そして、所定濃度及び所定温度の処理液が貯留された処理槽３４に基板昇降機構３６によって基板８を浸漬させることで、処理液で基板８をエッチング処理（液処理）する。この際、水分が蒸発して生じた気泡が処理液中を上昇し、上昇する気泡により処理液が循環するため、処理液によるエッチング処理が促進される。
この液処理中において、リン酸水溶液供給部４０、純水供給部４１、処理液循環ライン４２の供給ポンプ５１およびヒータ５３を制御部７で制御することで、処理液を所定濃度及び所定温度に維持する。
この場合、制御部７は、供給ポンプ５１を駆動させて処理液を循環流路５０で循環させるとともに、ヒータ５３を駆動させて処理液の温度を所定温度に維持させて、基板８の液処理を開始する。
液処理開始後の所定のタイミングで制御部７は、処理液の濃度を濃度センサ５６で計測する。液処理時と同様に供給ポンプ５１を駆動させて処理液を循環流路５０で循環させるとともに、ヒータ５３を駆動させて処理液の温度を所定温度に維持させる。さらに、上流側開閉弁５５と下流側開閉弁５７とを開放した状態にして、循環流路５０を流れる処理液の一部を濃度計測流路５４に流し、濃度センサ５６で処理液の濃度を計測する。なお、濃度計測後には、上流側開閉弁５５と下流側開閉弁５７とを閉塞した状態に戻して、全ての処理液を循環流路５０で循環させる。
この間、沸騰状態検出部７０の背圧指示計７３により不活性ガスの背圧を測定しておき、この背圧指示計７３により測定された不活性ガスの背圧により、処理槽３４内の処理液の沸騰状態を検出する。
処理槽３４内に収納されたシリコンウエハからなる基板８に対してリン酸水溶液からなる処理液を用いてエッチング処理する場合、処理液の沸騰状態はエッチング均一性に大きな影響を及ぼすため、本実施の形態においては制御部７により供給ポンプ５１を制御することにより処理液の沸騰状態を調整する。
具体的には沸騰状態検出部７０の背圧指示計７３により測定した不活性ガスの背圧に基づいて、制御部７は予め設定された基準となる基準背圧と、背圧指示計７３で測定された測定背圧とを比較して、処理液の沸騰状態を判定する。
制御部７は基準背圧と測定背圧を比較して、処理液Ｌの沸騰状態が激しいと判断した場合（図４（ａ））、供給ポンプ５１を制御して処理液の流量および圧力を上昇させる。処理液の加熱温度が一定の場合、このように処理液Ｌの圧力を上昇させることにより、水分の蒸発が抑えられ、水分の蒸発により生成する気泡ｇの量が減少して処理液の沸騰状態は穏やかになる。
他方、制御部７が沸騰状態検出部７０からの信号に基づいて処理液Ｌの沸騰状態が穏やかであると判断した場合（図４（ｂ））、供給ポンプ５１を制御して処理液Ｌの流量および圧力を低下させる。このように処理液Ｌの圧力を低下させることにより、水分の蒸発が活発化し、気泡ｇの量が増加して処理液の沸騰状態は激しくなる。
以上のように本実施の形態によれば、制御部７０が供給ポンプ５１を制御して循環流路５０内の処理液Ｌの圧力を調整することにより、水分が蒸発して生成される気泡ｇの量を変化させて処理液Ｌの沸騰状態を所望の状態に調整することができる。このように処理液Ｌの沸騰状態を所望の状態に調整することができるので、基板８に対するエッチングの均一性を図ることができる。
また、処理液Ｌの沸騰状態を変化させるために処理液の濃度を変化させることも考えられるが、処理液の濃度変化により基板８のエッチングの均一性も変化する。
これに対して本実施の形態によれば、処理液Ｌの沸騰状態を変化させるために処理液の濃度を変えたり複雑な調整を行うことなく、容易かつ簡単に処理液の沸騰状態を変化させて、基板８に対するエッチングの均一性を図ることができる。
１ エッチング処理装置（基板液処理装置）
１Ａ 基板液処理システム
７ 制御部
８ 基板
３４ 処理槽
３９ 液処理部
４０ リン酸水溶液供給部
４１ 純水供給部
４２ 処理液循環ライン
４４ 外槽
５１ 供給ポンプ
５２ フィルタ
５３ ヒータ
７０ 沸騰状態検出部
７１ ガス吐出管
７２ ガス供給部
７３ 背圧指示計
１Ａ 基板液処理システム
７ 制御部
８ 基板
３４ 処理槽
３９ 液処理部
４０ リン酸水溶液供給部
４１ 純水供給部
４２ 処理液循環ライン
４４ 外槽
５１ 供給ポンプ
５２ フィルタ
５３ ヒータ
７０ 沸騰状態検出部
７１ ガス吐出管
７２ ガス供給部
７３ 背圧指示計
Claims (9)
- リン酸水溶液からなる処理液および基板を収納するとともに、当該処理液を用いて前記基板を処理する液処理部と、
前記液処理部に対して前記処理液を供給する供給ポンプを含む処理液供給部と、
前記液処理部に設置され、前記処理液の沸騰状態を検出する沸騰状態検出部と、
前記沸騰状態検出部からの信号に基づいて前記供給ポンプを制御して前記処理液供給部から前記液処理部へ供給される流路内の処理液の圧力を調整する制御部とを備えたことを特徴とする基板液処理装置。 - 前記制御部は前記沸騰状態検出部からの信号に基づいて、前記処理液の沸騰状態が激しい場合に、前記供給ポンプからの前記処理液の圧力を大きくして流路内の前記処理液の沸騰状態を抑え、
前記処理液の沸騰状態が穏やかな場合に、前記供給ポンプからの前記処理液の圧力を小さくして流路内の前記処理液の沸騰状態を促進することを特徴とする請求項１記載の基板液処理装置。 - 前記処理液供給部は前記液処理部に接続された処理液循環ラインを含み、
前記供給ポンプはこの処理液循環ラインに設置されていることを特徴とする請求項１または２記載の基板液処理装置。 - 前記処理液供給部に、リン酸水溶液を供給するリン酸水溶液供給部と、純水を供給する純水供給部とが接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の基板液処理装置。
- リン酸水溶液からなる処理液および基板を収納する液処理部において、当該処理液を用いて前記基板を処理する工程と、
前記液処理部に対して供給ポンプを含む処理液供給部により処理液を供給する工程と、
前記液処理部に設置され、前記処理液の沸騰状態を沸騰状態検出部により検出する工程と、
前記沸騰状態検出部からの信号に基づいて前記供給ポンプを制御部により制御して前記処理液供給部から前記液処理部へ供給される流路内の処理液の圧力を調整する工程とを備えたことを特徴とする基板液処理方法。 - 前記制御部は前記沸騰状態検出部からの信号に基づいて、前記処理液の沸騰状態が激しい場合に、前記供給ポンプからの流路内の前記処理液の圧力を大きくして前記処理液の沸騰状態を抑え、
前記処理液の沸騰状態が穏やかな場合に、前記供給ポンプからの流路内の前記処理液の圧力を小さくして前記処理液の沸騰状態を促進することを特徴とする請求項５記載の基板液処理方法。 - 前記処理液供給部は前記液処理部に接続された処理液循環ラインを含み、
前記供給ポンプはこの処理液循環ラインに設置されていることを特徴とする請求項５または６記載の基板液処理方法。 - 前記処理液供給部に、リン酸水溶液を供給するリン酸水溶液供給部と、純水を供給する純水供給部とが接続されていることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか記載の基板液処理方法。
- コンピュータに基板液処理方法を実行させるための記憶媒体において、
前記基板液処理方法は、
リン酸水溶液からなる処理液および基板を収納する液処理部において、当該処理液を用いて前記基板を処理する工程と、
前記液処理部に対して供給ポンプを含む処理液供給部により処理液を供給する工程と、
前記液処理部に設置され、前記処理液の沸騰状態を沸騰状態検出部により検出する工程と、
前記沸騰状態検出部からの信号に基づいて前記供給ポンプを制御部により制御して前記処理液供給部から前記液処理部へ供給される流路内の処理液の圧力を調整する工程とを備えたことを特徴とする基板液処理方法。
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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| WO2021192990A1 (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
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| JP7466372B2 (ja) * | 2020-05-13 | 2024-04-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0296334A (ja) * | 1988-10-01 | 1990-04-09 | Nisso Eng Kk | 高温エッチング液の循環方法 |
| JP2004153164A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | M Fsi Kk | 沸騰薬液の管理方法 |
| JP2006269616A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2014510417A (ja) * | 2011-03-30 | 2014-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | マスク層のエッチング速度と選択性の増大 |
| JP2016513887A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-05-16 | ティーイーエル エフエスアイ，インコーポレイティド | 加熱されたエッチング液を提供するためのプロセシングシステムおよび方法 |
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0296334A (ja) * | 1988-10-01 | 1990-04-09 | Nisso Eng Kk | 高温エッチング液の循環方法 |
| JP2004153164A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | M Fsi Kk | 沸騰薬液の管理方法 |
| JP2006269616A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2014510417A (ja) * | 2011-03-30 | 2014-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | マスク層のエッチング速度と選択性の増大 |
| JP2016513887A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-05-16 | ティーイーエル エフエスアイ，インコーポレイティド | 加熱されたエッチング液を提供するためのプロセシングシステムおよび方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110556294A (zh) * | 2018-05-31 | 2019-12-10 | 东京毅力科创株式会社 | 基板液处理方法、基板液处理装置以及存储介质 |
| WO2021192990A1 (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP7378578B2 (ja) | 2020-03-23 | 2023-11-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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