CN107492511A - 基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。不改变磷酸水溶液的浓度地将磷酸水溶液的沸腾状态保持固定，实现蚀刻均匀性。基板液处理装置(1)具有液处理部(39)、处理液循环线(42)以及调整设置于液处理部(39)的处理槽(34)的沸腾状态检测部(70)。控制部(7)基于来自沸腾状态检测部(70)的信号对处理液循环线(42)的供给泵(51)进行控制来对供给的流路内的磷酸水溶液的压力进行调整，从而将磷酸水溶液的沸腾状态调整为期望的状态。

Description

基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质
技术领域
本发明涉及利用处理液对基板进行液处理的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。
背景技术
在制造半导体部件、平板显示器等时，使用基板液处理装置利用蚀刻液等处理液对半导体晶圆、液晶基板等基板实施蚀刻等处理。
例如，在专利文献1所公开的基板液处理装置中，进行如下处理：使基板浸在处理槽内贮存的处理液(蚀刻液：磷酸水溶液)中，来对形成于基板的表面的氮化硅膜进行蚀刻。
在该基板液处理装置中，将利用纯水将磷酸稀释为规定的浓度而成的磷酸水溶液用作处理液。而且，在基板液处理装置中，以规定的浓度和规定的温度对磷酸水溶液进行加热使其沸腾，来进行蚀刻处理。
但是，仅仅这样难以确保蚀刻均匀性，在蚀刻均匀性方面需要改进。
专利文献1：日本特开2013-93478号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明是考虑这样的问题而完成的，其目的在于提供一种在磷酸水溶液的处理中能够实现蚀刻均匀性的提高的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。
用于解决问题的方案
本发明是一种基板液处理装置，其特征在于，具备：液处理部，其容纳含有磷酸水溶液的处理液以及基板，并且使用该处理液对所述基板进行处理；处理液供给部，其包括用于向所述液处理部供给所述处理液的供给泵；沸腾状态检测部，其设置于所述液处理部，对所述处理液的沸腾状态进行检测；以及控制部，其基于来自所述沸腾状态检测部的信号对所述供给泵进行控制来对从所述处理液供给部向所述液处理部供给的流路内的处理液的压力进行调整。
本发明是一种基板液处理方法，其特征在于，具备以下工序：在容纳含有磷酸水溶液的处理液以及基板的液处理部中，使用该处理液对所述基板进行处理的工序；通过包括供给泵的处理液供给部向所述液处理部供给处理液的工序；通过设置于所述液处理部的沸腾状态检测部检测所述处理液的沸腾状态的工序；以及通过控制部基于来自所述沸腾状态检测部的信号对所述供给泵进行控制来对从所述处理液供给部向所述液处理部供给的流路内的处理液的压力进行调整的工序。
本发明是一种用于使计算机执行基板液处理方法的存储介质，其特征在于，所述基板液处理方法具备以下工序：在容纳含有磷酸水溶液的处理液以及基板的液处理部中，使用该处理液对所述基板进行处理的工序；通过包括供给泵的处理液供给部向所述液处理部供给处理液的工序；通过设置于所述液处理部的沸腾状态检测部检测所述处理液的沸腾状态的工序；以及通过控制部基于来自所述沸腾状态检测部的信号对所述供给泵进行控制来对从所述处理液供给部向所述液处理部供给的流路内的处理液的压力进行调整的工序。
发明的效果
根据本发明，通过不改变磷酸水溶液的浓度地将磷酸水溶液的沸腾状态调整为期望的状态，能够实现蚀刻均匀性。
附图说明
图1是表示基板液处理系统整体的俯视图。
图2是表示基板液处理装置的侧视图。
图3是表示基板液处理装置的俯视图。
图4的(a)、图4的(b)是表示磷酸水溶液的沸腾状态的图。
附图标记说明
1：蚀刻处理装置(基板液处理装置)；1A：基板液处理系统；7：控制部；8：基板；34：处理槽；39：液处理部；40：磷酸水溶液供给部；41：纯水供给部；42：处理液循环线；44：外槽；51：供给泵；52：过滤器；53：加热器；70：沸腾状态检测部；71：气体喷出管；72：气体供给部；73：背压指示计。
具体实施方式
下面，参照图1至图4来对本发明的实施方式进行说明。首先对组装有基于本发明的基板液处理装置1的基板液处理系统1A整体进行叙述。
如图1所示，基板液处理系统1A具有承载件输入输出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组输送部5、基板组处理部6以及控制部7。
其中，承载件输入输出部2用于进行承载件9的输入以及输出，该承载件9将多张(例如25张)基板(硅晶圆)8以水平姿势上下排列地容纳。
在该承载件输入输出部2设置有用于载置多个承载件9的承载件台10、用于进行承载件9的输送的承载件输送机构11、暂时保管承载件9的承载件存储部12及13、以及用于载置承载件9的承载件载置台14。在此，承载件存储部12用于在利用基板组处理部6对要成为产品的基板8进行处理之前暂时保管该基板8。另外，承载件存储部13用于在利用基板组处理部6对要成为产品的基板8进行了处理之后暂时保管该基板8。
并且，承载件输入输出部2使用承载件输送机构11将从外部输入到承载件台10的承载件9向承载件存储部12、承载件载置台14输送。另外，承载件输入输出部2使用承载件输送机构11将载置于承载件载置台14的承载件9向承载件存储部13、承载件台10输送。输送到承载件台10的承载件9被输出到外部。
基板组形成部3将容纳于一个或多个承载件9的基板8组合来形成包括同时被处理的多张(例如50张)基板8的基板组。此外，在形成基板组时，既可以使基板8的表面上形成有图案的面彼此相向地形成基板组，另外也可以使基板8的表面上形成有图案的面全部朝向一个方向地形成基板组。
在该基板组形成部3设置有用于输送多张基板8的基板输送机构15。此外，基板输送机构15能够在基板8的输送中途使基板8的姿势从水平姿势变更成垂直姿势或者从垂直姿势变更成水平姿势。
并且，基板组形成部3使用基板输送机构15将基板8从载置于承载件载置台14的承载件9向基板组载置部4输送，将形成基板组的基板8载置到基板组载置部4。另外，基板组形成部3利用基板输送机构15将载置于基板组载置部4的基板组向载置于承载件载置台14的承载件9输送。此外，基板输送机构15具有用于支承处理前(利用基板组输送部5输送之前)的基板8的处理前基板支承部和用于支承处理后(利用基板组输送部5输送之后)的基板8的处理后基板支承部这两种基板支承部来作为用于支承多张基板8的基板支承部。由此，防止附着于处理前的基板8等的微粒等转附到处理后的基板8等。
基板组载置部4将要利用基板组输送部5在基板组形成部3与基板组处理部6之间输送的基板组暂时载置(待机)于基板组载置台16。
在该基板组载置部4设置有用于载置处理前(利用基板组输送部5输送之前)的基板组的输入侧基板组载置台17和用于载置处理后(利用基板组输送部5输送之后)的基板组的输出侧基板组载置台18。1个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地载置于输入侧基板组载置台17以及输出侧基板组载置台18。
而且，在基板组载置部4中，利用基板组形成部3形成的基板组被载置于输入侧基板组载置台17，经由基板组输送部5向基板组处理部6输入该基板组。另外，在基板组载置部4中，从基板组处理部6经由基板组输送部5输出的基板组被载置于输出侧基板组载置台18，向基板组形成部3输送该基板组。
基板组输送部5在基板组载置部4与基板组处理部6之间、基板组处理部6的内部之间进行基板组的输送。
在该基板组输送部5设置有进行基板组的输送的基板组输送机构19。基板组输送机构19包括沿着基板组载置部4和基板组处理部6配置的轨道20以及一边保持多张基板8一边沿着轨道20移动的移动体21。用于保持以垂直姿势前后排列的多张基板8的基板保持体22以进退自如的方式设置于移动体21。
而且，基板组输送部5利用基板组输送机构19的基板保持体22接收被载置于输入侧基板组载置台17的基板组，将该基板组向基板组处理部6交接。另外，基板组输送部5利用基板组输送机构19的基板保持体22接收利用基板组处理部6处理后的基板组，将该基板组向输出侧基板组载置台18交接。并且，基板组输送部5使用基板组输送机构19在基板组处理部6的内部进行基板组的输送。
基板组处理部6将以垂直姿势前后排列的多张基板8作为1个基板组进行蚀刻、清洗、干燥等处理。
在该基板组处理部6中排列设置有进行基板8的干燥处理的干燥处理装置23、进行基板保持体22的清洗处理的基板保持体清洗处理装置24、进行基板8的清洗处理的清洗处理装置25、进行基板8的蚀刻处理的两台基于本发明的蚀刻处理装置(基板液处理装置)1。
干燥处理装置23具有处理槽27和以升降自如的方式设置于处理槽27的基板升降机构28。向处理槽27供给干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)。1个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地保持于基板升降机构28。干燥处理装置23利用基板升降机构28从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构28使该基板组升降，由此利用供给到处理槽27的干燥用的处理气体进行基板8的干燥处理。另外，干燥处理装置23将基板组从基板升降机构28向基板组输送机构19的基板保持体22交接。
基板保持体清洗处理装置24具有处理槽29，能够向该处理槽29供给清洗用的处理液以及干燥气体，在向基板组输送机构19的基板保持体22供给清洗用的处理液之后供给干燥气体，由此进行基板保持体22的清洗处理。
清洗处理装置25具有清洗用的处理槽30和冲洗用的处理槽31，基板升降机构32、33以升降自如的方式设置于各处理槽30、31。在清洗用的处理槽30中贮存有清洗用的处理液(SC-1等)。在冲洗用的处理槽31中贮存有冲洗用的处理液(纯水等)。
蚀刻处理装置1具有蚀刻用的处理槽34和冲洗用的处理槽35，基板升降机构36、37以升降自如的方式设置于各处理槽34、35。在蚀刻用的处理槽34中贮存有蚀刻用的处理液(磷酸水溶液)。在冲洗用的处理槽35中贮存有冲洗用的处理液(纯水等)。如上文所述，蚀刻处理装置1构成基于本发明的基板液处理装置。
这些清洗处理装置25和蚀刻处理装置1为同样的结构。其中，对蚀刻处理装置(基板液处理装置)1进行说明，1个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地保持于基板升降机构36。在蚀刻处理装置1中，利用基板升降机构36从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构36使该基板组升降，由此使基板组浸在处理槽34的蚀刻用的处理液中来进行基板8的蚀刻处理。之后，蚀刻处理装置1将基板组从基板升降机构36向基板组输送机构19的基板保持体22交接。另外，利用基板升降机构37从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构37使该基板组升降，由此使基板组浸在处理槽35的冲洗用的处理液中来进行基板8的冲洗处理。之后，将基板组从基板升降机构37向基板组输送机构19的基板保持体22交接。
控制部7对基板液处理装置1A的各部分(承载件输入输出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组输送部5、基板组处理部6、蚀刻处理装置1)的动作进行控制。
该控制部7例如包括计算机，具备计算机可读取的存储介质38。在存储介质38中保存有对在基板液处理装置1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部7通过读出并执行存储介质38中存储的程序来对基板液处理装置1的动作进行控制。此外，程序既可以是存储于计算机可读取的存储介质38的程序，也可以是从其它存储介质安装到控制部7的存储介质38中的程序。作为计算机可读取的存储介质38，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
如上所述，在蚀刻处理装置1的处理槽34中，将规定浓度的药剂(磷酸)的水溶液(磷酸水溶液)用作处理液(蚀刻液)来对基板8进行液处理(蚀刻处理)。
如图2以及图3所示，蚀刻处理装置(基板液处理装置)1具有用于贮存含有规定浓度的磷酸水溶液的处理液并且对基板8进行处理的液处理部39、用于向液处理部39供给磷酸水溶液的磷酸水溶液供给部40、用于供给稀释磷酸水溶液的纯水的纯水供给部41、用于使液处理部39中贮存的处理液循环的处理液循环线42、以及将处理液从液处理部39排出的处理液排出部43。
其中，液处理部39具有蚀刻用的上部开放的处理槽34和设置于该处理槽34的上部周围并且上部开放的外槽44，在处理槽34和外槽44中贮存处理液。在处理槽34中贮存处理液，通过利用基板升降机构36使基板8浸在该处理液中来对该基板8进行液处理。外槽44贮存从处理槽34溢出的处理液，并且通过处理液循环线42向处理槽34供给处理液。此外，在基板升降机构36中，多个基板8被保持为以垂直地立起的姿势在水平方向上隔开间隔地排列的状态。
磷酸水溶液供给部40向液处理部39供给浓度低于处理液的浓度的药剂(磷酸)的水溶液(磷酸水溶液)。该磷酸水溶液供给部40包括用于供给规定浓度以及规定温度的磷酸水溶液的水溶液供给源45，该水溶液供给源45经由流量调节器46而与液处理部39的外槽44连接。流量调节器46与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制以及流量控制。
纯水供给部41供给用于对因处理液的加热(沸腾)而蒸发的水分进行补给的纯水。该纯水供给部41包括用于供给规定温度的纯水的纯水供给源47，该纯水供给源47经由流量调节器48而与液处理部39的外槽44连接。流量调节器48与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制以及流量控制。
处理液循环线42包括配置于处理槽34的内部的比被基板升降机构36保持的基板8靠下方的位置的处理液供给喷嘴49以及形成于液处理部39的外槽44的底部与处理液供给喷嘴49之间的循环流路50。在循环流路50上依次设置有供给泵51、过滤器52、加热器53。供给泵51以及加热器53与控制部7连接，由控制部7进行驱动控制。而且，在处理液循环线42中，通过驱动供给泵51使处理液从外槽44向处理槽34循环。此时，利用加热器53将处理液加热到规定温度。此外，具有供给泵51、过滤器52、加热器53的处理液循环线42作为将处理液向液处理部39供给的处理液供给部发挥功能。
如图3所示，处理液供给喷嘴49具有沿多张基板8的排列方向延伸的筒形状。而且，构成为从贯穿设置于处理液供给喷嘴49的周面的多个喷出口81向保持于基板升降机构36的基板8喷出处理液。
另外，在处理液循环线42上连接有形成于比循环流路50的加热器53靠下游侧的位置与外槽44之间的浓度测量流路54。在浓度测量流路54上依次设置有上游侧开闭阀55、浓度传感器56(浓度测量部)、下游侧开闭阀57。在上游侧开闭阀55与浓度传感器56之间连接有供给用于清洗浓度传感器56的清洗流体(在此为常温的纯水)的清洗流体供给部58。该清洗流体供给部58具有用于供给清洗流体的清洗流体供给源59，该清洗流体供给源59经由供给开闭阀60而连接到上游侧开闭阀55与浓度传感器56之间。另外，在浓度传感器56与下游侧开闭阀57之间连接有排出清洗流体的清洗流体排出部61。该清洗流体排出部61具有连接于浓度传感器56与下游侧开闭阀57之间并且与外部的排液管连通的排出流路62，在排出流路62上设置有排出开闭阀63。上游侧开闭阀55、下游侧开闭阀57、供给开闭阀60以及排出开闭阀63与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制。另外，浓度传感器56与控制部7连接，按照来自控制部7的指示来测量在浓度测量流路54中流动的处理液的浓度，并通知给控制部7。此外，清洗流体排出部61虽然主要排出清洗流体，但是也排出滞留在浓度测量流路54中的处理液。
处理液排出部43具有与液处理部39的处理槽34的底部连接并且与外部的排液管连通的排液流路64，在排液流路64上设置有开闭阀65。开闭阀65与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制。
另外，对液处理部39的处理槽34设置有用于检测磷酸水溶液的沸腾状态的沸腾状态检测部70。
关于沸腾状态检测部70，能够应用被称为气泡式液位计、气体吹扫式液位检测器等市场销售产品，但是需要根据对象药液而使用非活性气体或者考虑气体喷出管的材质等。优选的是，如图2所示，具有以规定流量输送非活性气体的气体供给部72、向处理液的固定深度位置吹扫非活性气体的气体喷出管71、与气体喷出管71连接的背压指示计73、设置于气体喷出管71并排出管内的非活性气体的开闭阀75。
在这样的沸腾状态检测部70中，通过背压指示计73测定从气体喷出管71向处理液中吹扫非活性气体时的背压。在该情况下，伴随处理液的沸腾程度加剧，背压也成比例地降低。关于所述背压的变动，例如认为在未沸腾时与激烈沸腾时存在10mmAq以上的差。因此，能够基于利用背压指示计73检测出的检测值来评价处理液的沸腾程度。
利用背压指示计73检测出的检测值被发送到控制部7。
基板液处理装置1如以上所说明的那样构成，按照存储介质38中存储的基板液处理程序等利用控制部7对各部(承载件输入输出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组输送部5、基板组处理部6、蚀刻处理装置1)的动作进行控制，由此对基板8进行处理。
接着，对包括这样的结构的本实施方式的作用、即基板液处理方法进行说明。首先，通过蚀刻处理装置1的磷酸水溶液供给部40将规定浓度以及规定温度的磷酸水溶液(处理液)供给至液处理部39的外槽44。接着，通过处理液循环线42的加热器53进行加热以使来自外槽44的处理液成为规定浓度(例如87.4wt％)以及规定温度(例如160℃)，将处理液贮存于液处理部39的处理槽34。此时，由于加热器53的加热而水分蒸发成为气泡并在处理液中上升，处理液成为沸腾状态。在该情况下，处理液的浓度增加，因此通过纯水供给部41将与因加热而蒸发的水分的量相应的量的纯水供给至液处理部39的外槽44，利用纯水稀释处理液。而且，通过基板升降机构36使基板8浸在贮存有规定浓度以及规定温度的处理液的处理槽34中，由此利用处理液对基板8进行蚀刻处理(液处理)。此时，水分蒸发而产生的气泡在处理液中上升，通过上升的气泡而处理液进行循环，因此促进利用处理液进行的蚀刻处理。
在该液处理中，利用控制部7控制磷酸水溶液供给部40、纯水供给部41、处理液循环线42的供给泵51以及加热器53，由此将处理液维持在规定浓度以及规定温度。
在该情况下，控制部7驱动供给泵51来使处理液在循环流路50中循环，并且控制部7驱动加热器53来使处理液的温度维持在规定温度，开始基板8的液处理。
在液处理开始后的规定的定时，控制部7利用浓度传感器56测量处理液的浓度。与液处理时同样地驱动供给泵51来使处理液在循环流路50中循环，并且驱动加热器53来使处理液的温度维持在规定温度。并且，使上游侧开闭阀55和下游侧开闭阀57为打开的状态，使在循环流路50中流动的处理液的一部分流至浓度测量流路54，利用浓度传感器56测量处理液的浓度。此外，在测量浓度后，返回到使上游侧开闭阀55和下游侧开闭阀57关闭的状态，使全部处理液在循环流路50中循环。
在此期间，通过沸腾状态检测部70的背压指示计73事先测定非活性气体的背压，根据由该背压指示计73测定出的非活性气体的背压来检测处理槽34内的处理液的沸腾状态。
在使用含有磷酸水溶液的处理液对容纳在处理槽34内的包括硅晶圆的基板8进行蚀刻处理的情况下，处理液的沸腾状态对蚀刻均匀性产生很大的影响，因此在本实施方式中，通过利用控制部7控制供给泵51来调整处理液的沸腾状态。
具体地说，控制部7基于由沸腾状态检测部70的背压指示计73测定出的非活性气体的背压，对预先设定的成为基准的基准背压与由背压指示计73测定出的测定背压进行比较，来判定处理液的沸腾状态。
控制部7在将基准背压与测定背压进行比较而判断为处理液L的沸腾状态激烈的情况下(图4的(a))，控制供给泵51来使处理液的流量以及压力上升。在处理液的加热温度固定的情况下，通过像这样使处理液L的压力上升，能够抑制水分的蒸发，因水分的蒸发而生成的气泡g的量减少从而处理液的沸腾状态变得平和。
另一方面，控制部7在基于来自沸腾状态检测部70的信号而判断为处理液L的沸腾状态平和的情况下(图4的(b))，控制供给泵51来使处理液L的流量以及压力下降。通过像这样使处理液L的压力下降，水分的蒸发活跃，气泡g的量增加，从而处理液的沸腾状态变得激烈。
如上所述，根据本实施方式，控制部7控制供给泵51来调整循环流路50内的处理液L的压力，由此能够使水分蒸发而生成的气泡g的量变化来将处理液L的沸腾状态调整为期望的状态。由于能够像这样将处理液L的沸腾状态调整为期望的状态，因此能够实现针对基板8的蚀刻的均匀性。
另外，还可以考虑使处理液的浓度变化以使处理液L的沸腾状态变化，但是由于处理液的浓度变化而基板8的蚀刻的均匀性也变化。
与此相对，根据本实施方式，不必为了使处理液L的沸腾状态变化而进行改变处理液的浓度等复杂的调整，能够容易且简单地使处理液的沸腾状态变化，从而实现针对基板8的蚀刻的均匀性。

Claims (9)

1.一种基板液处理装置，其特征在于，具备：
液处理部，其容纳含有磷酸水溶液的处理液以及基板，并且使用该处理液对所述基板进行处理；
处理液供给部，其包括用于向所述液处理部供给所述处理液的供给泵；
沸腾状态检测部，其设置于所述液处理部，对所述处理液的沸腾状态进行检测；以及
控制部，其基于来自所述沸腾状态检测部的信号对所述供给泵进行控制来对从所述处理液供给部向所述液处理部供给的流路内的处理液的压力进行调整。
2.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，
基于来自所述沸腾状态检测部的信号，在所述处理液的沸腾状态激烈的情况下，所述控制部增大来自所述供给泵的所述处理液的压力来抑制流路内的所述处理液的沸腾状态，
在所述处理液的沸腾状态平和的情况下，所述控制部减小来自所述供给泵的所述处理液的压力来促进流路内的所述处理液的沸腾状态。
3.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部包括与所述液处理部连接的处理液循环线，
所述供给泵设置于该处理液循环线。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
在所述处理液供给部连接有供给磷酸水溶液的磷酸水溶液供给部和供给纯水的纯水供给部。
5.一种基板液处理方法，其特征在于，具备以下工序：
在容纳含有磷酸水溶液的处理液以及基板的液处理部中，使用该处理液对所述基板进行处理的工序；
通过包括供给泵的处理液供给部向所述液处理部供给处理液的工序；
通过设置于所述液处理部的沸腾状态检测部检测所述处理液的沸腾状态的工序；以及
通过控制部基于来自所述沸腾状态检测部的信号对所述供给泵进行控制来对从所述处理液供给部向所述液处理部供给的流路内的处理液的压力进行调整的工序。
6.根据权利要求5所述的基板液处理方法，其特征在于，
基于来自所述沸腾状态检测部的信号，在所述处理液的沸腾状态激烈的情况下，所述控制部增大来自所述供给泵的流路内的所述处理液的压力来抑制所述处理液的沸腾状态，
在所述处理液的沸腾状态平和的情况下，所述控制部减小来自所述供给泵的流路内的所述处理液的压力来促进所述处理液的沸腾状态。
7.根据权利要求5或6所述的基板液处理方法，其特征在于，
所述处理液供给部包括与所述液处理部连接的处理液循环线，
所述供给泵设置于该处理液循环线。
8.根据权利要求5至7中的任一项所述的基板液处理方法，其特征在于，
在所述处理液供给部连接有供给磷酸水溶液的磷酸水溶液供给部和供给纯水的纯水供给部。
9.一种用于使计算机执行基板液处理方法的存储介质，其特征在于，
所述基板液处理方法具备以下工序：
在容纳含有磷酸水溶液的处理液以及基板的液处理部中，使用该处理液对所述基板进行处理的工序；
通过包括供给泵的处理液供给部向所述液处理部供给处理液的工序；
通过设置于所述液处理部的沸腾状态检测部检测所述处理液的沸腾状态的工序；以及
通过控制部基于来自所述沸腾状态检测部的信号对所述供给泵进行控制来对从所述处理液供给部向所述液处理部供给的流路内的处理液的压力进行调整的工序。
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