CN117043914A - 基片液处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基片液处理装置，其具备：处理槽，在内部贮存用于基片的液处理的处理液；拍摄部，取得处理槽的内部的处理液的图像；和图像处理部，具有进行图像的图像处理以取得表示处理液中的气泡的状态的气泡数据的气泡数据取得部。

Description

基片液处理装置

技术领域

本发明涉及基片液处理装置。

背景技术

通过控制伴随着处理液的沸腾而产生的气泡、向处理液中喷出的气泡(非活性气体等)，能够促进基片的液处理。

例如在专利文献1所公开的基片液处理装置中，检测处理液的沸腾状态，根据沸腾状态调整处理液的压力，调节处理液的沸腾状态。由此，实现基片刻蚀的均匀性的提高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2017-220618号公报

发明内容

即使是工程师，通过目视来判别处理液中的气泡的状态也不简单。特别是，由于工程师的感觉存在个体差异，因此难以通过目视准确且稳定地判别处理液中的气泡的状态。

本公开提供一种有利于准确地判别处理液中的气泡的状态，从而能够稳定地进行基片的液处理的技术。

本公开的一个方式涉及一种基片液处理装置，其具备：处理槽，在内部贮存用于基片的液处理的处理液；拍摄部，取得处理槽的内部的处理液的图像；和图像处理部，具有进行图像的图像处理以取得表示处理液中的气泡的状态的气泡数据的气泡数据取得部。

本公开有利于准确地判别处理液中的气泡的状态，从而稳定地进行基片的液处理。

附图说明

图1是表示基片液处理系统的一例的整体构成的概要俯视图。

图2是表示组装于基片液处理系统的刻蚀装置的一例的构成的系统图。

图3是刻蚀装置的处理槽的一例的概要横断方向纵截面图。

图4是处理槽的一例的概要长度方向纵截面图。

图5是处理槽的一例的概要俯视图。

图6是仅取出位于封闭位置的盖体及其周边的部件而详细示出的处理槽的一例的横断方向纵截面图。

图7是表示由拍摄部取得的拍摄图像的一例的图。

图8是表示通过对图7所示的拍摄图像进行图像处理而得到的处理图像的一例的图。

图9是表示通过对图7所示的拍摄图像进行图像处理而得到的处理图像的另一例的图。

图10表示由多个图像各自的像素值(特别是各个像素的亮度值)的代表值(特别是平均值)制作的图像数据(即，气泡数据)的一例。

图11是表示第一实施方式的图像处理部的一例的功能框图。

图12是表示第一实施方式的基片液处理方法(特别是处理液调整方法)的一例的流程图。

图13是表示第二实施方式的图像处理部的一例的功能框图。

图14是表示第二实施方式的基片液处理方法(特别是鼓泡状态判定方法)的一例的流程图。

图15是表示第三实施方式的图像处理部的一例的功能框图。

图16是表示第三实施方式的基片液处理方法(特别是鼓泡状态调整方法)的一例的流程图。

图17是表示基片的液处理的流程的一例的流程图。

图18是表示第四实施方式的鼓泡部的一例的图。

图19是表示第四实施方式的图像处理部的一例的功能框图。

具体实施方式

首先，对组装有刻蚀处理装置(基片液处理装置)1的基片液处理系统1A的整体进行叙述。

如图1所示，基片液处理系统1A具有载体搬入搬出部2、基片批形成部(基片组形成部/基片批次形成部/批量形成部)3、基片批载置部(基片组载置部/基片批次载置部/批量载置部)4、基片批搬送部(基片组搬送部/基片批次搬送部/批量搬送部)5、基片批处理部(基片组处理部/基片批次处理部/批量处理部)6和控制部7。

其中，载体搬入搬出部2进行将多片(例如，25片)基片(硅晶圆)8以水平姿势上下排列收纳的载体9的搬入和搬出。

在该载体搬入搬出部2设置：载体台10，载置多个载体9；载体搬送机构11，进行载体9的搬送；载体存放部(载体栈)12、13，暂时保管载体9；和载体载置台14，用来载置载体9。这里，载体存放部12在由基片批处理部6处理之前暂时保管收纳成为产品的基片8。此外，载体存放部13在由基片批处理部6处理之后暂时保管成为产品的基片8。

此外，载体搬入搬出部2使用载体搬送机构11将从外部搬入载体台10的载体9搬送到载体存放部12、载体载置台14。此外，载体搬入搬出部2使用载体搬送机构11将载置于载体载置台14的载体9搬送到载体存放部13、载体台10。搬送到载体台10的载体9被搬出外部。

基片批形成部3形成由将收纳于一个或多个载体9的基片8组合以同时处理的多片(例如，50片)基片8构成的基片批。另外，在形成基片批时，可以以相邻两片基片8的形成有图案的表面相互对置的方式形成基片批，或者，可以以形成有图案的基片8的表面全部朝向相同方向的方式形成基片批。

在该基片批形成部3设置有搬送多片基片8的基片搬送机构15。另外，基片搬送机构15能够在基片8的搬送途中使基片8的姿势从水平姿势变更为垂直姿势和从垂直姿势变更为水平姿势。

此外，基片批形成部3从载置于载体载置台14的载体9使用基片搬送机构15将基片8搬送到基片批载置部4，将形成基片批的基片8载置于基片批载置部4。此外，基片批形成部3通过基片搬送机构15将载置于基片批载置部4的基片批向载置于载体载置台14的载体9搬送。基片搬送机构15作为用于支承多片基片8的基片支承部，具有支承处理前(基片批搬送部5搬送前)的基片8的处理前基片支承部和支承处理后(基片批搬送部5搬送后)的基片8的处理后基片支承部这两种。由此，防止附着于处理前的基片8等的颗粒等转移到处理后的基片8等。

基片批载置部4利用基片批载置台16暂时载置(待机)由基片批搬送部5在基片批形成部3与基片批处理部6之间搬送的基片批。

在该基片批载置部4设置有载置处理前(基片批搬送部5搬送前)的基片批的搬入侧基片批载置台17和载置处理后(基片批搬送部5搬送后)的基片批的搬出侧基片批载置台18。在搬入侧基片批载置台17和搬出侧基片批载置台18，以垂直姿势前后排列地载置1基片批量的多片基片8。

此外，在基片批载置部4中，由基片批形成部3形成的基片批载置于搬入侧基片批载置台17，该基片批(基片组/基片批次/批量)经由基片批搬送部5搬入基片批处理部6。此外，在基片批载置部4中，从基片批处理部6经由基片批搬送部5搬出的基片批载置于搬出侧基片批载置台18，该基片批被搬送到基片批形成部3。

基片批搬送部5在基片批载置部4与基片批处理部6之间、基片批处理部6的内部之间进行基片批的搬送。

在该基片批搬送部5设置有进行基片批的搬送的基片批搬送机构19。基片批搬送机构19由沿着基片批载置部4和基片批处理部6配置的轨道20和一边保持多片基片8一边沿着轨道20移动的移动体21构成。在移动体21可进退地设置有基片保持体22，该基片保持体22保持以垂直姿势前后排列的多片基片8。

此外，基片批搬送部5利用基片批搬送机构19的基片保持体22收取载置于搬入侧基片批载置台17的基片批，将该基片批交接到基片批处理部6。此外，基片批搬送部5利用基片批搬送机构19的基片保持体22收取由基片批处理部6处理后的基片批，将该基片批交接到搬出侧基片批载置台18。进一步地，基片批搬送部5使用基片批搬送机构19在基片批处理部6的内部进行基片批的搬送。

基片批处理部6将以垂直姿势前后排列的多片基片8作为1基片批进行刻蚀、清洗、干燥等处理。

在基片批处理部6排列设置有：进行基片8的干燥处理的干燥处理装置23；进行基片保持体22的清洗处理的基片保持体清洗处理装置24；进行基片8的清洗处理的清洗处理装置25；和进行基片8的刻蚀处理的两台刻蚀处理装置1。

干燥处理装置23具有处理槽27和可升降地设置于处理槽27的基片升降机构28。向处理槽27供给干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)。在基片升降机构28，1基片批量的多片基片8以垂直姿势前后排列保持。干燥处理装置23利用基片升降机构28从基片批搬送机构19的基片保持体22收取基片批，利用基片升降机构28使该基片批升降，从而利用供给到处理槽27的干燥用的处理气体进行基片8的干燥处理。此外，干燥处理装置23从基片升降机构28向基片批搬送机构19的基片保持体22交接基片批。

基片保持体清洗处理装置24具有处理槽29，能够向该处理槽29供给清洗用的处理液和干燥气体，在向基片批搬送机构19的基片保持体22供给清洗用的处理液之后，通过供给干燥气体来进行基片保持体22的清洗处理。

清洗处理装置25具有清洗用的处理槽30和冲洗用的处理槽31，在各处理槽30、31，可升降地设置有基片升降机构32、33。在清洗用的处理槽30贮存清洗用的处理液(SC-1等)。在冲洗用的处理槽31贮存冲洗用的处理液(纯水等)。

刻蚀处理装置1具有刻蚀用的处理槽34和冲洗用的处理槽35，在各处理槽34、35可升降地设置有基片升降机构36、37。在刻蚀用的处理槽34贮存刻蚀用的处理液(磷酸水溶液)。在冲洗用的处理槽35贮存冲洗用的处理液(纯水等)。

这些清洗处理装置25和刻蚀处理装置1为相同的构成。当关于刻蚀处理装置1进行说明，在基片升降机构36以垂直姿势前后排列地保持1基片批的多片基片8。在刻蚀处理装置1中，利用基片升降机构36从基片批搬送机构19的基片保持体22收取基片批，通过利用基片升降机构36使该基片批升降，使基片批浸渍于处理槽34的刻蚀用的处理液以进行基片8的刻蚀处理。之后，刻蚀处理装置1从基片升降机构36向基片批搬送机构19的基片保持体22交接基片批。此外，利用基片升降机构37从基片批搬送机构19的基片保持体22收取基片批，通过利用基片升降机构37使该基片批升降，使基片批浸渍于处理槽35的冲洗用的处理液以进行基片8的冲洗处理。之后，从基片升降机构37向基片批搬送机构19的基片保持体22交接基片批。

控制部7控制基片液处理系统1A的各部分(载体搬入搬出部2、基片批形成部3、基片批载置部4、基片批搬送部5、基片批处理部6、刻蚀处理装置1)的动作。

该控制部7例如由计算机构成，具备计算机可读存储介质38。在存储介质38存储对在刻蚀处理装置1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部7通过读出并执行存储于存储介质38的程序来控制刻蚀处理装置1的动作。另外，程序可以存储于计算机可读存储介质38，并从其他存储介质安装于控制部7的存储介质38。作为计算机可读存储介质38，例如有硬盘(HD)、软盘(FD)、压缩盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。

如上所述，在刻蚀处理装置1的处理槽34中，使用规定浓度的药剂(磷酸)的水溶液(磷酸水溶液)作为处理液(刻蚀液)对基片8实施液处理(刻蚀处理)。

接着，参照图2对刻蚀处理装置1的概要构成和配管系统进行说明。

刻蚀处理装置1具有储存规定浓度的磷酸水溶液作为处理液的前述的处理槽34。处理槽34具有内槽34A和外槽34B。从内槽34A溢出的磷酸水溶液流入外槽34B。外槽34B的液位维持为比内槽34A的液位低。

在外槽34B的底部连接有循环管线50的上游端。循环管线50的下游端与设置于内槽34A内的处理液供给喷嘴49连接。在循环管线50，从上游侧起依次设置有泵51、加热器52和过滤器53。通过驱动泵51，形成从外槽34B经由循环管线50和处理液供给喷嘴49送到内槽34A内，之后再次从内槽34A向外槽34B流出的磷酸水溶液的循环流。

由处理槽34、循环管线50和循环管线50内的设备(51、52、53等)形成液处理部39。此外，由处理槽34和循环管线50构成循环系统。

在内槽34A内的处理液供给喷嘴49的下方设置有用于向位于内槽34A内的磷酸水溶液中吐出非活性气体(例如，氮气)的气泡的(用于进行鼓泡的)气体喷嘴60。从气体供给源60B经由由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成的流量调节器60C向气体喷嘴60供给非活性气体(例如，氮气)。

在处理槽34附设有前述的基片升降机构36。基片升降机构36能够以将多个基片8垂直地立起的姿势在水平方向上隔开间隔地排列的状态进行保持，另外，能够在该状态下进行升降。

刻蚀处理装置1具有向液处理部39供给磷酸水溶液的磷酸水溶液供给部40和向液处理部39供给纯水的纯水供给部41。此外，刻蚀处理装置1具有向液处理部39供给硅溶液的硅供给部42和从液处理部39排出磷酸水溶液的磷酸水溶液排出部43。

磷酸水溶液供给部40向由处理槽34和循环管线50构成的循环系统内，即液处理部39内的任意地方，优选如图所示向外槽34B供给规定浓度的磷酸水溶液。磷酸水溶液供给部40具有：磷酸水溶液供给源40A，由贮存磷酸水溶液的罐构成；和磷酸水溶液供给管线40B，连接磷酸水溶液供给源40A和外槽34B。此外，磷酸水溶液供给部40具有从上游侧依次设置于磷酸水溶液供给管线40B的流量计40C、流量控制阀40D和开闭阀40E。磷酸水溶液供给部40能够经由流量计40C和流量控制阀40D，以受控制的流量向外槽34B供给磷酸水溶液。

纯水供给部41为了补给因加热磷酸水溶液而蒸发的水分而供给纯水。该纯水供给部41包括供给规定温度的纯水的纯水供给源41A，该纯水供给源41A经由流量调节器41B与外槽34B连接。流量调节器41B能够由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。

硅供给部42具有由贮存含硅化合物溶液(例如，分散有胶硅的液)的罐构成的硅供给源42A和流量调节器42B。流量调节器42B可以由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。

磷酸水溶液排出部43是为了排出位于由液处理部39和循环管线50构成的循环系统内，即液处理部39内的磷酸水溶液而设置的。磷酸水溶液排出部43具有从循环管线50分支的排出管线43A和从上游侧依次设置于排出管线43A的流量计43B、流量控制阀43C、开闭阀43D及冷却罐43E。磷酸水溶液排出部43能够经由流量计43B和流量控制阀43C，以受控制的流量排出磷酸水溶液。

冷却罐43E暂时贮存在排出管线43A中流过来的磷酸水溶液并且进行冷却。从冷却罐43E流出的磷酸水溶液(参照符号43F)可以向工厂废液系统(未图示)废弃，也可以在利用再生装置(未图示)将该磷酸水溶液中含有的硅去除之后，送到磷酸水溶液供给源40A再利用。

在图示例中，排出管线43A与循环管线50(在图中为过滤器排放器的位置)连接，但不限于此，可以与循环系统内的其他地方(例如，内槽34A的底部)连接。

在排出管线43A设置有测量磷酸水溶液中的硅浓度的硅浓度计43G。此外，在从循环管线50分支而与外槽34B连接的分支管线55A设置有测量磷酸水溶液中的磷酸浓度的磷酸浓度计55B。在外槽34B设置有检测外槽34B内的液位的液位计44。

接着，参照图3～图6对刻蚀处理装置1的处理槽34的构成进行详细说明。为了便于说明，设定XYZ正交坐标系，根据需要进行参照。另外，有时也将X负方向称为“前侧”或“前方”，将X正方向称为“后侧”或“后方”，将Y负方向称为“右侧”或“右方”，将Y正方向称为“左侧”或“左方”。

如前所述，处理槽34具有上部开放的内槽34A和上部开放的外槽34B。内槽34A收纳于外槽34B的内部。从内槽34A溢出的磷酸水溶液流入外槽34B。在执行液处理的期间，包括内槽34A的底部的大部分浸渍于外槽34B内的磷酸水溶液中。

外槽34B收纳于液接收容器(水槽)80的内部，在外槽34B与液接收容器80之间形成有排放空间81。在排放空间81的底部连接有排放管线82。

处理液供给喷嘴49由在内槽34A内沿X方向(水平方向)延伸的筒状体构成。处理液供给喷嘴49从穿设于其周面的多个吐出口49D(参照图3和图4)朝向保持于基片升降机构36的基片8吐出处理液。在图中设置有两根处理液供给喷嘴49，但可以设置三根以上的处理液供给喷嘴49。从沿铅垂方向延伸的配管49A向处理液供给喷嘴49供给处理液(磷酸水溶液)。

气体喷嘴60由在比内槽34A内的处理液供给喷嘴49低的高度位置沿X方向(水平方向)延伸的筒状体构成。气体喷嘴60从穿设于其周面的多个吐出口60D(参照图3和图4)吐出非活性气体(例如，氮气)的气泡。通过非活性气体的鼓泡，能够使内槽34A内的磷酸水溶液的沸腾状态稳定化。从沿铅垂方向延伸的配管60A向气体喷嘴60供给非活性气体。

基片升降机构36具有：支承板36A，通过未图示的升降机构升降，沿铅垂方向(Z方向)延伸；和一对基片支承部件36B，一端由支承板36A支承，沿水平方向(X方向)延伸。各基片支承部件36B具有在水平方向(X方向)上隔开间隔地排列的多个(例如，50～52个)基片支承沟(基片支承槽)(未图示)。在基片支承沟插入基片8的周缘部。基片升降机构36能够以铅垂姿势在水平方向(X方向)上隔开间隔的状态保持多个(例如，50～52片)基片8。这样的基片升降机构36在该技术领域中是公知的，省略详细的构造的图示和说明。

在处理槽34设置有用于对内槽34A的上部开口进行开闭的第一盖体71和第二盖体72。第一盖体71和第二盖体72分别与沿水平方向(X方向)延伸的旋转轴71S、72S结合。旋转轴71S、72S与固定于液接收容器80的轴承83和旋转致动器84(参照图4、图5)连结。通过使旋转致动器84动作，第一盖体71和第二盖体72能够以沿水平方向(X方向)延伸的各个旋转轴线为中心旋转(回旋)(参照图3中的箭头SW1、SW2)。第一盖体71和第二盖体72在覆盖内槽34A的上部开口的第一区域(左半部)和第二区域(右半部)的封闭位置(图3和图6所示的位置)和成为大致直立状态以开放内槽34A的上部开口的第一区域和第二区域的开放位置之间旋转。

第一盖体71和第二盖体72不覆盖内槽34A的上部开口中的设置有支承板36A、配管49A、60A的区域。

在刻蚀处理装置1的通常运转中，除了进行由基片升降机构36保持的基片8向内槽34A的搬入/搬出时以外，第一盖体71和第二盖体72位于封闭位置。由此，防止位于内槽34A内的磷酸水溶液的温度降低，并且抑制从沸腾的磷酸水溶液产生的水蒸气向处理槽34的外部逸出。

第一盖体71具有从正上方看大致矩形的本体部71A、沿X方向延伸的第一飞沫遮蔽部71B、第二飞沫遮蔽部71C和封闭部71D、以及沿Y方向延伸的第三飞沫遮蔽部71E。同样地，第二盖体72具有大致矩形的本体部72A、沿X方向延伸的第一飞沫遮蔽部72B、第二飞沫遮蔽部72C和封闭部72D、以及沿Y方向延伸的第三飞沫遮蔽部72E。

在本体部71A的上表面形成有大的矩形的凹部71R。凹部71R由底壁711R和四个侧壁712R、713R、714R、715R划定。在本体部72A的上表面形成有大的矩形的凹部72R。凹部72R由底壁721R和四个侧壁722R、723R、724R、725R划定。

当第一盖体71位于封闭位置时，为了不妨碍磷酸水溶液从内槽34A向外槽34B溢出(参照图6的箭头OF)，在内槽34A的侧壁和与其接近地面对的侧壁712R、713R之间设置有间隙。另外，虽然未图示，但在内槽34A的四个侧壁的上端，以顺畅地进行溢出的方式隔开间隔地形成有多个V字形的切口。

第一盖体71的底壁711R以随着在Y方向上远离第二盖体72(随着在Y方向上靠近内槽34A的侧壁)而变高的方式倾斜。通过该倾斜，顺畅地进行上述的溢出。

由于内槽34A内的磷酸水溶液处于沸腾状态，因此磷酸水溶液的飞沫也与从内槽34A向外槽34B溢出的磷酸水溶液一起从内槽34A飞出。该飞出的飞沫与位于封闭位置的第一盖体71的第一飞沫遮蔽部71B碰撞，落到内槽34A的侧壁与外槽34B的侧壁之间的空间，不向外槽34B的外侧飞散。位于封闭位置的第一盖体71的第一飞沫遮蔽部71B的下端优选位于比接近的内槽34A的侧壁的上端至少低的位置。

当第一盖体71位于开放位置时，第二飞沫遮蔽部71C起到与第一盖体71位于封闭位置时的第一飞沫遮蔽部71B同样的作用。位于开放位置的第一盖体71的第一飞沫遮蔽部71B的下端优选位于比接近的内槽34A的侧壁的上端至少低的位置。

当第一盖体71位于开放位置时，封闭部71D覆盖内槽34A的侧壁的上端与外槽34B的侧壁的上端之间的间隙中的从旋转轴71S到外槽34B的侧壁为止的区域的上方。封闭部71D将在第一盖体71位于封闭位置时附着于本体部71A的上表面的液体在第一盖体71位于开放位置时引导到外槽34B与液接收容器80之间的排放空间81。由此，例如在润湿了的基片通过处理槽34的上方时，从该基片落下的液被引导到排放空间81，防止该液流入外槽34B内。进入排放空间81的液从排放管线82废弃。

第三飞沫遮蔽部71E在远离基片升降机构36的一侧以在内槽34A的侧壁与外槽34B的侧壁之间的空间的上方延伸的方式设置。第三飞沫遮蔽部71E沿着第一盖体71的端缘跨该端缘的全长，从旋转轴71S沿Y方向延伸。第三飞沫遮蔽部71E在第一盖体71位于封闭位置时起到与第一飞沫遮蔽部71B同样的作用。位于开放位置的第一盖体71的第三飞沫遮蔽部71E的下端优选位于比接近的内槽34A的侧壁的上端至少低的位置。

可以不在靠近基片升降机构36的一侧设置沿着第一盖体71的沿Y方向延伸的端缘延伸的飞沫遮蔽部。这是因为，向X正方向飞散的磷酸水溶液与基片升降机构36的支承板36A、配管49A、60A等碰撞，因此几乎不到达外槽34B。

第二盖体72相对于第一盖体71实质上形成为镜面对称，第一盖体71和第二盖体72的构造彼此实质上相同。因此，关于第一盖体71的构成和作用的说明能够援用于关于第二盖体72的构成和作用的说明。在第一盖体71和第二盖体72的相互对应的部件(位于对称位置的部件、具有相同功能的部件)的参照符号的末尾赋予相同的字母，仅参照符号的头两位是“71”还是“72”而不同。

如图6所示，当第一盖体71和第二盖体72位于封闭位置时，从第一盖体71的底壁711R向上方延伸的侧壁712R与从第二盖体72的底壁721R向上方延伸的侧壁722R相互面对，在两侧壁之间形成高度H的间隙G。通过设置凹部71R、72R，能够抑制因设置高度H的间隙而引起的第一盖体71和第二盖体72的重量的增大。

考察如图6所示，位于封闭位置的第一盖体71的本体部71A的下表面(底壁711R的下表面)和第二盖体72的本体部72A的下表面(底壁721R的下表面)与内槽34A内的处理液的液面接触的情况。在这种情况下，有时沸腾的磷酸水溶液从第一盖体71与第二盖体之间的间隙向上方飞出，向周围飞散。然而，通过如上述那样设置高度H的间隙G，沸腾的处理液难以从间隙G向外侧飞出。为了实现该效果，高度H例如可以设为约5cm以上。

在内槽34A内的处理液为处于沸腾状态的磷酸水溶液的情况下，第一盖体71和第二盖体72中的至少本体部71A、72A由不被处理液侵蚀的材料(例如，石英等)形成。在本体部71A、72A由石英形成的情况下，有可能石英彼此碰撞而产生裂纹、缺口。为了防止这种情况，期望在第一盖体71和第二盖体72位于封闭位置时，以本体部71A、72A彼此不接触的方式在两者之间设置间隙。在本体部71A、72A彼此之间设置了间隙的情况下，处理槽34内、特别是内槽34A内的磷酸水溶液有可能通过该间隙向外侧飞散。然而，通过设置上述那样的高度H的间隙G，能够至少大幅度地抑制磷酸水溶液从间隙G的飞散。

为了使溢出顺畅，考察如前所述使底壁711R(721R)倾斜，并且使底壁711R(721R)与内槽34A内的磷酸水溶液接触的情况。在没有从底壁711R(721R)向上方延伸的侧壁712R(722R)的情况下，底壁711R(721R)的前端没入磷酸水溶液中。然而，通过如上述那样设置从底壁711R(721R)向上方延伸的侧壁712R(722R)，能够使磷酸水溶液的液面的高度位置比侧壁712R(722R)的上端低。

如图6所示，优选在第一盖体71的本体部71A和第二盖体72的本体部72A中的任一方(这里为本体部71A)设置延伸到另一方(这里为本体部72A)的前端的上方或越过上方，并从上方覆盖间隙G的覆盖部73。通过设置覆盖部73，能够防止处理液从间隙G向上方飞出。另外，在图3～图5中，为了防止附图的复杂化，请注意未记载覆盖部73(和板状体73P)。

另外，由于间隙G具有高度H，因此从内槽34A内的磷酸水溶液的液面飞散的处理液的液滴的势头在与覆盖部73碰撞之前减弱。因此，与覆盖部73碰撞的处理液不会向侧方飞出。

例如如图6所示，覆盖部73能够通过将具有与第一盖体71的凹部71R的轮廓匹配的大致矩形的切除部73Q的板状体73P安装于第一盖体71的本体部71A的上表面来设置。在这种情况下，由板状体73P的端缘部构成覆盖部73。

如图6所示，可以是，当第一盖体71和第二盖体72位于封闭位置时，在覆盖部73与第二盖体72之间设置有间隙。取而代之，可以是，当第一盖体71和第二盖体72位于封闭位置时，覆盖部73与第二盖体72接触。在这种情况下，覆盖部73起到作为堵塞间隙G的上端部的密封件的作用。

在使覆盖部73与第二盖体72接触的情况下，优选由以下树脂材料形成覆盖部73：具有即使与石英碰撞也不会产生损伤且也不会损伤石英的程度的柔软性，并且具有比较高的耐腐蚀性。作为这样的树脂材料，例如可以列举PTFE、PFA等氟系树脂材料。

可以将覆盖部73与第一盖体71一体地形成。此外，可以不设置覆盖部73。在不设置覆盖部73的情况下，与设置的情况相比，优选使上述高度H更高。

此外，可以在第一盖体71的本体部71A和第二盖体72的本体部72A中的任一方(这里为第二盖体72的本体部72A的前端部)设置基片按压部74。在基片按压部74的下表面，沿着基片8的排列方向(X方向)形成有多个基片保持沟74G，该多个基片保持沟74G以与基片支承部件36B的基片支承沟(未图示)相同的间距配置于相同的X方向位置。在基片保持沟74G各自收纳有一片基片8的周缘部。

在图示的实施方式中，基片按压部74由与第二盖体72分开地形成的细长的板状体构成，通过上螺丝而固定于第二盖体72的本体部72A。取而代之，可以将基片按压部74与第二盖体72形成为一体。在任一情况下，基片按压部74都构成第二盖体72的本体部72A的侧壁722R的一部分。

在对基片8进行处理时，设置在位于封闭位置的第二盖体72的基片按压部74与由基片支承部件36B支承的基片8卡合，从而防止或抑制该基片8向上方移位。因此，即使从处理液供给喷嘴49以大流量吐出处理液，或者内槽34A内的处理液的沸腾水平变高，或者激烈地进行氮气鼓泡，基片8也不会从基片支承部件36B脱落。

接下来，对上述刻蚀处理装置1的作用进行说明。首先，磷酸水溶液供给部40向液处理部39的外槽34B供给磷酸水溶液。在磷酸水溶液的供给开始后经过规定时间时，循环管线50的泵51工作，形成在上述的循环系统内循环的循环流。

进一步地，循环管线50的加热器52工作，以使内槽34A内的磷酸水溶液成为规定温度(例如，160℃)的方式加热磷酸水溶液。最迟在加热器52的加热开始时刻之前，使第一盖体71和第二盖体72位于封闭位置。160℃的磷酸水溶液成为沸腾状态。在通过磷酸浓度计55B检测到因沸腾所致的水分的蒸发而磷酸浓度超过了预定的管理上限值的情况下，从纯水供给部41供给纯水。

在将1个基片批的基片8投入到内槽34A内的磷酸水溶液中之前，进行存在于循环系统(包括内槽34A、外槽34B和循环管线50)内的磷酸水溶液中的硅浓度的调整。该硅浓度对氮化硅膜相对于氧化硅膜的刻蚀选择比造成影响。硅浓度的调节可以通过将虚设基片浸渍于内槽34A内的磷酸水溶液中，或者从硅供给部42向外槽34B供给含硅化合物溶液来进行。为了确认存在于循环系统内的磷酸水溶液中的硅浓度处于预定的范围内，可以使磷酸水溶液流入排出管线43A，利用硅浓度计43G测量硅浓度。

硅浓度调整结束后，将第一盖体71和第二盖体72移动到开放位置。然后，使形成基片升降机构36所保持的多片、即一个基片批(也称为处理基片批或批次或基片组)的多个(例如，50片)基片8浸渍在内槽34A内的磷酸水溶液中。之后，第一盖体71和第二盖体72即刻返回到封闭位置。通过将基片8浸渍在磷酸水溶液规定时间，对基片8实施湿式刻蚀处理(液处理)。

通过在基片8的刻蚀处理中使第一盖体71和第二盖体72位于封闭位置，能够抑制内槽34A内的磷酸水溶液的液面附近的温度降低，由此，将内槽34A内的磷酸水溶液的温度分布抑制得小。此外，由于内槽34A浸渍在外槽34B内的磷酸水溶液中，因此能够抑制内槽34A内的磷酸水溶液因自内槽34A的壁体的散热而温度降低，另外，将内槽34A内的磷酸水溶液的温度分布抑制得小。因此，能够将基片8的刻蚀量的面内均匀性和面间均匀性维持得高。

在一个基片批的基片8的处理中，由于硅从基片8溶出，因此存在于循环系统内的磷酸水溶液中的硅浓度上升。在一个基片批的处理中，为了维持或有意地使存在于循环系统的磷酸水溶液中的硅浓度改变，可以一边利用磷酸水溶液排出部43排出磷酸水溶液，一边利用磷酸水溶液供给部40供给磷酸水溶液。

在如上述那样一个基片批的基片8的处理结束后，将第一盖体71和第二盖体72移动到开放位置，从内槽34A搬出基片8。

之后，再次将第一盖体71和第二盖体72移动到封闭位置，在进行了处于循环系统内的磷酸水溶液的温度、磷酸浓度、硅浓度的调节之后，与上述同样地进行其他基片批的基片8的处理。

如图3、图4和图6所示，上述的刻蚀处理装置1还具备：拍摄部(相机)100，取得内槽(处理槽)34A的内部的图像；和图像处理部101，进行拍摄部100所取得的图像的图像处理。

本例的拍摄部100由未图示的支承框架固定地支承于在内部贮存用于基片8的液处理(特别是刻蚀处理)的处理液的内槽34A的上方，在控制部7的控制下从上方取得内槽34A的内部的图像。

本例的第一盖体71和第二盖体72(特别是本体部71A、72A)由石英那样的透明材料构成。拍摄部100接收透过第一盖体71和第二盖体72的拍摄光，取得内槽34A的内部的处理液的图像。

拍摄部100所取得的图像可以是动态图像，也可以是静态图像。

拍摄部100的设置位置和拍摄方向没有限制，可以设置拍摄方向不同的多个拍摄部100。如图4所示，可以通过设置在内槽34A的侧方(例如，X方向)或下方的拍摄部100，从侧方或下方取得内槽34A的内部的图像。在内槽34A的侧方、下方设置拍摄部100的情况下，介于拍摄部100与内槽34A的内部之间的部件(即，内槽34A、外槽34B和容器80)由能够透过拍摄光的透明材料构成。

图像处理部101可以由控制部7构成，也可以与控制部7分体设置。在图像处理部101与控制部7分体设置的情况下，图像处理部101可以在控制部7的控制下进行各种处理。

图像处理部101具有气泡数据取得部(参照后述的图11等)。气泡数据取得部进行内槽34A的内部的拍摄图像(即，处理液的拍摄图像)的图像处理，取得表示处理液中的气泡的状态的气泡数据。

气泡数据的种类和取得方法没有限制。气泡数据典型地包括与气泡的个数、密度和尺寸中的至少一个以上相关的数据。

图7是表示由拍摄部100取得的拍摄图像Dg1的一例的图。图8是表示通过对图7所示的拍摄图像Dg1进行图像处理而得到的处理图像Dg2的一例的图。图9是表示通过对图7所示的拍摄图像Dg1进行图像处理而得到的处理图像Dg2的另一例的图。

气泡数据取得部可以进行从拍摄图像Dg1(参照图7)仅提取气泡90的图像的图像处理来取得处理图像Dg2(参照图8)。根据图8所示的处理图像Dg2，通过气泡数据取得部进行进一步的图像处理，能够取得与处理液中的气泡的个数、密度和尺寸相关的数据作为气泡数据。

气泡数据取得部可以利用气泡在图像中映现为白色的特性，基于图像的灰度值取得气泡数据。

例如，在拍摄部100取得灰度图像作为内槽34A的内部的拍摄图像Dg1的情况下，气泡数据取得部能够根据从拍摄部100送来的拍摄图像(灰度图像)直接取得气泡数据。

另一方面，在拍摄部100取得彩色图像作为内槽34A的内部的拍摄图像Dg1的情况下，气泡数据取得部能够将拍摄图像Dg1(彩色图像)转换为灰度图像，从该灰度图像取得气泡数据。

此外，气泡数据取得部可以进行拍摄图像Dg1(参照图7)的二值化处理来取得处理图像Dg2(参照图9)。在二值化后的处理图像Dg2中，白色地方基本上表示气泡90。因此，在二值化后的处理图像Dg2中的白色地方的数量、面积大的情况下，处理液中的气泡的程度强。

在瞬间拍摄内槽34A的内部而得到的单一图像中，未必恰当地反映了处理液中的气泡的状态。因此，气泡数据取得部可以取得表示从内槽34A的内部的多个图像(可以包括多个视频帧)得到的处理液中的气泡的状态的数据的代表值(例如，平均值或中值)作为气泡数据。

作为一例，在拍摄部100取得内槽34A的内部的视频的情况下，气泡数据取得部能够基于从在某时间(例如，1分钟)得到的各视频帧得到的气泡的状态数据的平均值或中央值，取得气泡数据。

此外，气泡数据取得部可以取得从内槽34A的内部的处理液的多个图像制作的数据(例如，图像数据)作为气泡数据。例如，气泡数据取得部可以关于各像素，导出多个图像各自的像素值的代表值(例如，平均值或中央值)，取得以集合的方式包含各个像素的代表值的数据作为气泡数据。

图10表示由多个图像各自的像素值(特别是各个像素的亮度值)的代表值(特别是平均值)制作的图像数据(即，气泡数据)的一例。在图10中示出，越接近黑色的地方气泡量越少，越接近白色的地方气泡量越多。

即使在难以从拍摄图像直接取得处理液中的各个气泡的数据的情况下，根据从各个像素的代表值的集合得到的气泡数据，也能够高精度地确定处理液中的气泡的状态。

能够基于处理液的拍摄图像客观地确定和评价处理液中的气泡的状态的上述刻蚀处理装置1能够以各种方式工作。

以下，对刻蚀处理装置1的工作的典型例进行说明。

[第一实施方式]

本实施方式的刻蚀处理装置1调整处理液的浓度和温度，将处理液的沸腾状态调节到期望状态。

图11是表示第一实施方式的图像处理部101的一例的功能框图。

图像处理部101包括气泡数据取得部111、沸腾状态判别部112和调整量导出部113。

气泡数据取得部111接收拍摄部100所取得的内槽34A的内部的图像(即，处理液的图像)，进行该图像的图像处理以取得气泡数据(例如，与气泡的数量、密度或尺寸相关的数据，或者像素代表值数据等)。

沸腾状态判别部112基于由气泡数据取得部111取得的气泡数据，判别处理液的沸腾的状态。处理液的沸腾状态是否恰当的判别能够基于气泡数据是否处于容许范围内来进行。

例如，在气泡数据为与气泡90的个数相关的数据的情况下，如果由气泡数据表示的气泡90的数量在容许范围的下限值以上且上限值以下，则可以判别为处理液的沸腾状态恰当。另一方面，在由气泡数据表示的气泡90的数量小于容许范围的下限值的情况或大于上限值的情况下，可以判别为处理液的沸腾状态不恰当。

此外，沸腾状态判别部112可以通过将气泡数据与后述的参考数据进行对照，来判别处理液的沸腾状态是否恰当。作为一例，如果气泡数据(例如，后述的平均灰度值、中央灰度值)与参考数据之差的绝对值小于容许值，则可以判别为处理液的沸腾状态恰当。

调整量导出部113基于沸腾状态判别部112的判别结果(即，处理液的沸腾的状态)，导出处理液的浓度的调整数据。由调整量导出部113导出的调整数据被送到处理液调整部102。

处理液调整部102基于从调整量导出部113(图像处理部101)送来的调整数据，将内槽34A的内部的处理液的浓度调整到期望浓度。本例的处理液调整部102调整流量控制阀40D、开闭阀40E、泵51和/或流量调节器41B，以调整内槽34A的内部的处理液的浓度。

图12是表示第一实施方式的基片液处理方法(特别是处理液调整方法)的一例的流程图。

以下说明的处理液调整方法通过控制部7合适控制各种设备来进行。

在本例的处理液调整方法中，流量调节器60C由控制部7控制，在不从气体喷嘴60的多个吐出口60D(参照图2～图5)向处理液中吐出气体(以下也称为“鼓泡气泡”)的状态下进行。

首先，在控制部7的控制下由处理液调整部102开始将处理液调整到某目标浓度和目标温度的处理(即，处理液调整处理)(图12的S1)。控制部7监视内槽34A的内部的处理液的浓度(例如，磷酸浓度计55B的测量结果)和温度(例如，未图示的温度计的测量结果)，基于该监视结果控制处理液调整部102，由此进行处理液调整处理。

本步骤(S1)中使用的目标浓度和目标温度例如设定为认为实现成为目标的处理液的沸腾状态所需的浓度和温度。本步骤(S1)中使用的目标浓度和目标温度可以基于各种条件，由刻蚀处理装置1(例如，控制部7)自动设定，也可以由工程师手动设定。

然后，进行以调整后的温度和浓度使处理液稳定化的处理液稳定化处理(S2)。作为处理液稳定化处理的一例，持续进行上述的处理液调整处理，直到处理液的温度和浓度的偏差(即，某时间内的变动幅度)充分降低。

之后，沸腾状态判别部112基于上述气泡数据，判别处理液的沸腾状态是否恰当(S3)。

在判别为处理液的沸腾状态恰当的情况下(S3的“是”)，处理液的调整完成。

另一方面，在判别为处理液的沸腾状态不恰当的情况下(S3的“否”)，通过调整量导出部113进行目标浓度的重新设定(S4)，进行基于重新设定的目标浓度的处理液调整处理(S1和S2)。即，将与重新设定的目标浓度对应的调整数据从调整量导出部113送到处理液调整部102，处理液调整部102基于该调整数据再次进行处理液调整处理。

在本例中，重新设定的目标浓度和调整数据基于气泡数据与容许范围的比较来决定。具体而言，调整量导出部113决定重新设定的目标浓度和调整数据，使得气泡数据所表示的处理液的沸腾状态接近目标沸腾状态。特别是，调整量导出部113决定重新设定的目标浓度和调整数据，使得气泡数据从容许范围的偏离越大，当前的目标浓度与重新设定的目标浓度之间的差越大。

如以上说明的那样，根据本实施方式，通过拍摄取得处理液的图像，通过解析该图像来对处理液的沸腾的状态进行定量化。由此，能够通过基于拍摄图像导出的数值来表示处理液的沸腾的状态(例如，沸腾的强度)。

因此，能够基于数值客观且高精度地掌握处理液的沸腾状态，能够完全排除基于工程师的主观的装置控制，并且将处理液调整到期望状态。由此，能够稳定且均匀地进行基片8的液处理。此外，在使用多个刻蚀处理装置1进行基片8的液处理的情况下，在刻蚀处理装置1之间也能够均匀地进行基片8的液处理。

此外，机械地进行处理液的拍摄、基于图像解析取得气泡数据、基于气泡数据判别处理液的沸腾状态、以及导出用于处理液浓度的调整的调整数据。因此，通过使一系列的这些处理自动化，能够减轻工程师的负担。特别是在本实施方式中，由于基于调整数据的处理液浓度的调整也以机械方式进行，因此完全不经由人手，内槽34A的内部的处理液被自动调整到期望状态。

在改变处理液的浓度和温度后通过目视确认处理液中的气泡的状态的情况下，工程师需要等待处理液的状态稳定后确认处理液中的气泡的状态。有时在处理液稳定之前也需要长时间(例如，1小时以上)，为了通过目视确认处理液中的气泡状态，工程师会长时间受约束。

另一方面，根据本实施方式，即使在改变处理液的浓度和温度后到处理液稳定为止需要长时间的情况下，工程师也几乎或完全不受约束。

[第二实施方式]

在本实施方式中，对与上述第一实施方式相同或对应的要素赋予相同的符号，省略其详细的说明。

在本实施方式中，评价从气体喷嘴60(鼓泡部)向内槽34A的内部的处理液送出的气体(鼓泡气泡)在处理液中的状态，进行根据该评价的通知。

在磷酸刻蚀工艺中，通过恰当地进行向处理液中放出鼓泡气泡(即，鼓泡)，能够抑制再生长、促进磷酸刻蚀。然而，由于气体喷嘴60的堵塞、流动路径的变动，鼓泡的状态可能变动。若鼓泡的状态变动，则刻蚀处理装置1的再生长抑制性能和刻蚀性能变动。因此，从保证刻蚀处理装置1的再生长抑制性能和刻蚀性能的观点出发，优选检测鼓泡状态的异常。

图13是表示第二实施方式的图像处理部101的一例的功能框图。

图像处理部101包括气泡数据取得部111和鼓泡状态判别部121。

气泡数据取得部111接收拍摄部100所取得的内槽34A的内部的图像(即，处理液的图像)，进行该图像的图像处理以取得气泡数据。

本例的气泡数据取得部111关于各像素，导出多个图像各自的像素值的代表值，取得由各个像素的代表值的集合制作的图像数据作为气泡数据(参照上述的图10)。基于各个像素的亮度值取得的气泡数据(图像数据)通过图像对比度来表示处理液中的气泡的状态，将处理液中的气泡多的地方表示得发白。由此，即使在从拍摄部100所取得的图像数据难以直接判别处理液中的气泡的数量、密度和尺寸的情况下，也能够恰当地判别处理液中的气泡的状态。

鼓泡状态判别部121基于气泡数据判别从气体喷嘴60向内槽34A的内部的处理液送出的鼓泡气泡在处理液中的状态。本例的鼓泡状态判别部121通过将气泡数据与参考数据进行比较，来判别处理液中的鼓泡气泡的状态。

这里使用的参考数据是基于鼓泡气泡的基准状态的数据，由鼓泡状态判别部121存储。典型地，将处理液中的鼓泡气泡的状态为正常的情况下的气泡数据(参照图10)用作参考数据。在这种情况下，鼓泡状态判别部121可以计算从作为评价对象的处理液的拍摄图像得到的气泡数据的像素值与参考数据的像素值之间的差值(以下也称为“像素差值/像素差分值”)。

鼓泡状态判别部121能够根据各个像素的像素差值来判别处理液中的鼓泡气泡的状态。即，鼓泡状态判别部121能够基于像素差值大的像素(例如，表示比规定值大的像素差值的像素)的个数和/分布，判别处理液中的鼓泡气泡的状态。鼓泡状态判别部121在像素差值大的像素的个数或密度大于规定值的情况下，可以判别为处理液中的鼓泡气泡的状态产生了异常。

特别是，本例的鼓泡状态判别部121基于气泡数据，判别以处理液的整体范围为基准的鼓泡气泡的状态和以处理液的局部范围为基准的鼓泡气泡的状态。由此，鼓泡状态判别部121在判别为鼓泡气泡的状态产生了异常的情况下，能够取得被认为有可能产生异常的因素的信息。

例如，在整个拍摄图像(特别是处理液图像)存在像素差值大的像素的情况下，认为在整个处理液鼓泡气泡的状态产生了异常。因此，认为对处理液的整体造成影响的因素有可能产生了异常。例如，认为从气体喷嘴60向处理液中吐出的气体的流量、处理液的浓度和/或处理液的温度有可能产生了异常。

这里，“平均灰度值”和“中央灰度值”是通过图像解析而导出的灰度值，是图像整体的各个像素的灰度值的平均值和中央值，能够表示处理液中的气泡的状态。在本例中，黑色的像素值为最小值(例如，零(0))，白色的像素值为最大值。因此，平均灰度值和中央灰度值越大，处理液中存在的气泡(气液界面)的量越大，平均灰度值和中央灰度值越小，处理液中存在的气泡的量越小。

在从气体喷嘴60向处理液中吐出鼓泡气泡的状态下由拍摄部100拍摄的处理液的图像的平均灰度值和中央灰度值根据气体流量、处理液温度和处理液浓度而变动。即，平均灰度值和中央灰度值如以下那样，能够通过以气体流量、处理液温度和处理液浓度为变量的函数f、f’来表现。

平均灰度值＝f(气体流量、处理液温度、处理液浓度)

中央灰度值＝f’(气体流量、处理液温度、处理液浓度)

平均灰度值和中央灰度值的函数f、f’能够以一次式、二次式、三次以上的式、指数函数等各种形式进行建模，例如能够通过以下的多元一次式来表现。

平均灰度值＝α+β1气体流量+β2处理液温度+β3处理液浓度

中央灰度值＝α’+β1’气体流量+β2’处理液温度+β3’处理液浓度

在上述平均灰度值和中央灰度值的式子中，“α”和“α’”对应于在处理液中没有产生气泡(包括鼓泡气泡和因处理液的沸腾引起的气泡)的状态下的灰度值。因此，由于装置的硬件构成而在拍摄图像中写入的浓淡信息(例如，背景(background)等信息)被反映在“α”和“α’”中。

“β1”～“β3”和“β1’”～“β3’”是表示气体流量、处理液温度和处理液浓度的影响度的值，是根据刻蚀处理装置1的具体构成而确定的值。

“气体流量”是从气体喷嘴60向处理液吐出的气体(在本例中为非活性气体)的流量(即，每单位时间的鼓泡气泡的吐出量)。

“处理液温度”在本例中是内槽34A内的磷酸水溶液的温度。

“处理液浓度”在本例中是内槽34A内的磷酸水溶液的浓度。

根据上述模型式，随着从气体喷嘴60向处理液吐出的气体的流量增大，平均灰度值和中央灰度值增大。此外，随着处理液的温度上升，平均灰度值和中央灰度值增大。另一方面，随着处理液的浓度上升，平均灰度值和中央灰度值降低。

这样，根据上述模型式可知，从气体喷嘴60向处理液中吐出的鼓泡气泡的流量、处理液的浓度和处理液的温度也是可能对处理液的整体造成影响的因素。

另一方面，在仅在处理液的局部范围内判别为鼓泡气泡的状态存在异常的情况下，认为有可能仅对这样的局部范围造成影响的因素产生了异常。

在本例的拍摄图像Dg1中，如图7所示，内槽34A经由覆盖部73被分离并描绘为两个部分(即，第一内槽34A-1和第二内槽34A-2)。在气泡数据中像素差值大的像素多数仅存在于第一内槽34A-1和第二内槽34A-2中的一方，另一方几乎或完全不存在的情况下，认为有可能仅对一方的内槽部造成影响的因素产生了异常。具体而言，认为有可能发生了仅存在于一方的内槽部的气体喷嘴60的局部堵塞、破损，仅存在于一方的内槽部的气体喷嘴60中的气体的流量不足，和/或LFN喷嘴的破损等。

这样得到的鼓泡状态判别部121的判别结果被送到通知部122(参照图13)。

通知部122基于鼓泡状态判别部121的判别结果进行通知处理。通知处理的具体内容和通知方法没有限制。

通知部122例如可以进行经由声音、视觉显示向工程师通知处理液中的鼓泡气泡的状态为正常和/或异常的通知处理。向工程师通知的通知信息除了与鼓泡状态的异常的有无相关的信息以外，还可以包括被认为有可能产生异常的因素的信息(例如，有可能产生不良情况的装置的信息)、其他信息。此外，在处理液中的鼓泡气泡的状态存在异常的情况下，可以在通知信息中包括促使工程师进行维护的信息。

通知部122可以通过将表示处理液中的鼓泡气泡的状态为正常和/或异常的数据(也可以包括图像数据)存储于存储部(例如，图1所示的存储介质38)来进行通知处理。例如，在处理液中的鼓泡气泡的状态存在异常的情况下，通知部122可以将使用这样的异常状态的处理液接受了液处理的基片8的识别数据与异常标志数据相互关联地存储于存储部。这样存储于存储部的异常标志数据可以为了后级的处理而适宜读出、使用。

图14是表示第二实施方式的基片液处理方法(特别是鼓泡状态判定方法)的一例的流程图。

首先，在从气体喷嘴60向内槽34A的内部的处理液中吐出鼓泡气泡的状态(即，鼓泡状态)下，通过拍摄部100取得内槽34A的内部的处理液的图像(图14的S11)。

在本例中，在未产生因处理液的沸腾引起的气泡(即，处理液的沸腾气体：以下也可以称为“沸腾气泡”)的状态下，进行拍摄部100的拍摄。因此，由拍摄部100取得的图像中拍到的气泡基本上是从气体喷嘴60吐出的鼓泡气泡。因此，根据本例的鼓泡状态判定方法，能够高精度地判别从气体喷嘴60向处理液吐出的鼓泡气泡的状态(例如，鼓泡气泡的量、不均匀)。

拍摄部100的拍摄图像的取得在本例中在处理液不沸腾的状态下进行，但可以在处理液沸腾且未产生能够拍摄的沸腾气泡的状态下进行。

由拍摄部100取得的处理液的图像被送到气泡数据取得部111。

然后，气泡数据取得部111进行从拍摄部100送来的图像的图像解析，取得气泡数据(S12)。

然后，鼓泡状态判别部121基于气泡数据，判别鼓泡状态是否正常(S13)。

在判别为鼓泡状态正常的情况下(S13的“是”)，鼓泡状态判别部121将由拍摄部100取得的图像用于自身保持的参考数据(S14)。

在本步骤(S14)中，将由拍摄部100本次取得的图像用于参考数据的具体方法没有限制。例如，鼓泡状态判别部121可以将本次取得的图像用作下次以后的处理(即，使用由拍摄部100下次以后取得的图像的处理)的参考数据。或者，鼓泡状态判别部121可以使用本次取得的图像来进行参考数据的更新处理(即，修正参考数据的处理)。

另一方面，在判别为鼓泡状态异常的情况下(S13的“否”)，通过通知部122进行上述通知处理(S15)。由此工程师能够认识到鼓泡状态的异常，适时研究维护的必要性。

如以上说明的那样，根据本实施方式，通过拍摄取得处理液的图像，通过解析该图像来对处理液的鼓泡状态进行定量化。由此，能够通过基于拍摄图像导出的数值来表示处理液的鼓泡状态(例如，鼓泡气泡的量、分布)。

因此，能够基于数值客观且高精度地掌握处理液的鼓泡状态，能够将鼓泡状态调整到期望状态。由此，能够稳定且均匀地进行基片8的液处理。

此外，通过将鼓泡状态的高精度的判别结果用于装置异常的检测，能够适时检测装置异常的发生。

此外，通过将判别为鼓泡状态正常的处理液的拍摄图像用于参考数据，能够提高鼓泡状态的判别精度。

[第三实施方式]

在本实施方式中，对与上述第一实施方式和第二实施方式相同或者对应的要素赋予相同的符号，省略其详细的说明。

在本实施方式中，评价从气体喷嘴60向处理液送出的鼓泡气泡的状态，根据该评价来调整从气体喷嘴60向处理液的鼓泡气泡的送出量，进行鼓泡状态的最优化。

通常，处理液的沸点根据处理液的浓度和施加于处理液的压力(环境压力(例如，大气压))而改变。因此，在液处理期间积极地产生因处理液的沸腾引起的气泡(即，沸腾气泡)的情况下，处理液中的沸腾气泡的状态根据环境压而改变。

由于处理液中的气泡的状态改变，刻蚀处理装置1的再生长抑制性能和刻蚀性能改变，基片8的液处理变得不稳定，或变得无法恰当地进行基片8的液处理。为了使处理液中的沸腾气泡的状态稳定，需要将处理液的沸腾状态保持为恒定。

例如，通过根据环境压力来改变处理液的浓度，能够将处理液的沸腾状态保持为恒定。然而，由于处理液浓度改变，基片8的液处理状态(例如，刻蚀速率)改变，基片8的液处理状态有时产生偏差。

鉴于这样的情况，在本实施方式中，不改变处理液的浓度，而是通过调整从气体喷嘴60向处理液吐出的鼓泡气泡的流量，来使进行液处理时的处理液的鼓泡状态最优化。

在以下说明的例子中，在处理液具有即使发生可设想的环境压力的变化也不产生沸腾气泡这样的温度和浓度的状态下，进行拍摄部100的拍摄和基片8的液处理。因此，进行拍摄部100的拍摄和基片8的液处理期间的处理液的鼓泡状态基本上由从气体喷嘴60向处理液吐出的鼓泡气泡带来。

图15是表示第三实施方式的图像处理部101的一例的功能框图。

图像处理部101包括气泡数据取得部111和鼓泡状态判别部121。气泡数据取得部111和鼓泡状态判别部121与上述第二实施方式同样地发挥功能。

即，气泡数据取得部111接收拍摄部100取得的内槽34A的内部的图像(即，处理液的图像)，进行该图像的图像处理以取得气泡数据。

鼓泡状态判别部121基于气泡数据判别从气体喷嘴60(鼓泡部)向内槽34A的内部的处理液送出的鼓泡气泡在处理液中的状态。具体而言，鼓泡状态判别部121通过将气泡数据与参考数据进行比较来判别处理液中的鼓泡气泡的状态。

本实施方式的鼓泡状态判别部121将判别结果发送到鼓泡控制部131。从鼓泡状态判别部121送到鼓泡控制部131的判别结果包括与当前的鼓泡气泡的状态和期望的鼓泡气泡的状态之差相关的信息(即，与当前的气泡数据和参考数据之差相关的信息)。

图15所示的鼓泡控制部131作为控制部7的一部分而设置，基于鼓泡状态判别部的判别结果来控制鼓泡部。另外，鼓泡控制部131可以与控制部7分体设置。在这种情况下，鼓泡控制部131可以由控制部7控制。

鼓泡部由对向内槽34A的内部的处理液送出鼓泡气泡作出贡献的一个或多个装置构成。本例的鼓泡部包括图2和图3等所示的气体喷嘴60、配管60A、气体供给源60B和流量调节器60C。鼓泡控制部131控制流量调节器60C，调整从气体喷嘴60的喷出口60D向处理液中的鼓泡气泡的喷出量(即，气体喷嘴60中的鼓泡气泡的流量)。

本例的鼓泡控制部131以实现期望的鼓泡状态的方式控制流量调节器60C，从而调整向气体喷嘴60送出的非活性气体的流量。具体而言，鼓泡控制部131基于从鼓泡状态判别部121送来的“与当前的鼓泡气泡的状态和期望的鼓泡气泡的状态之差相关的信息”，控制流量调节器60C。由此，从气体喷嘴60向处理液吐出适量的鼓泡气泡，将处理液中的鼓泡气泡的状态调整到期望状态。

例如，鼓泡控制部131可以通过将鼓泡状态判别部121的判别结果与参考模型(reference model)进行对照来决定流量调节器60C的控制量，基于该控制量进行流量调节器60C的控制。参考模型例如基于向处理液中的鼓泡气泡的送出量、处理液的浓度和处理液的温度来确定。作为一例，可以基于上述平均灰度值或中央灰度值的模型式来确定参考模型。

或者，鼓泡控制部131可以通过将鼓泡状态判别部121的判别结果与参考表进行对照来决定流量调节器60C的控制量，基于该控制量进行流量调节器60C的控制。参考表将鼓泡气泡在处理液中的状态与鼓泡气泡向处理液中的送出量建立关联。

根据本实施方式的刻蚀处理装置1，即使环境压力变动，也能够调整从气体喷嘴60向处理液的鼓泡气泡的吐出状态，将处理液的鼓泡状态保持为期望状态。这样，通过不改变处理液的浓度而将鼓泡状态保持为期望状态，能够稳定地进行基片8的液处理。

图16是表示第三实施方式的基片液处理方法(特别是鼓泡状态调整方法)的一例的流程图。

在本例中，也与上述图14所示的基片液处理方法(第二实施方式)同样地，在鼓泡状态下通过拍摄部100取得处理液的图像(图16的S21)，通过气泡数据取得部111进行的图像解析取得气泡数据(S22)。在本例中，由气泡数据取得部111取得的气泡数据基于灰度值。

然后，鼓泡状态判别部121基于气泡数据，判别鼓泡状态是否正常(S23)。在判别为鼓泡状态正常的情况下(S23的“是”)，处理液的鼓泡状态的调整结束。

另一方面，在判别为鼓泡状态异常的情况下(S23的“否”)，鼓泡控制部131如上述那样控制鼓泡部(流量调节器60C)，以鼓泡状态接近期望状态的方式变更鼓泡气泡的流量(S24)。这样变更鼓泡气泡的流量后，重复上述的步骤S21～步骤S23，进行鼓泡状态的调整。

上述鼓泡状态的调整能够以各种调整方式实施。以下，对鼓泡状态的调整方式的典型例进行说明。

图17是表示基片8的液处理的流程的一例的流程图。

在图17所示的例子中，在向内槽34A的内部导入基片8之前，从气体喷嘴60吐出鼓泡气泡(预鼓泡处理；图17的S31)。

然后，向内槽34A的内部导入基片8(S32)。在本例中，如上所述，一次将多片基片8(基片批)导入内槽34A的内部。

之后，在内槽34A中进行基片批的液处理(刻蚀处理)(S33)。

之后，从内槽34A取出完成了液处理的基片批(S34)。

然后，在需要下一个基片批的液处理的情况下(S35的“是”)，重复上述的步骤S31～步骤S34。

另一方面，在不需要下一个基片批的液处理的情况下(S35的“否”)，基片8的液处理结束。

在上述图17所示的基片液处理方法中，能够如以下那样调整鼓泡状态。

[第一鼓泡状态调整方式]

处理液的拍摄、气泡数据的取得、鼓泡状态的判别和鼓泡部的控制全部可以在进行基片8(基片批)的液处理的期间(S33)，反复持续地进行。

在本方式中，拍摄部100在基片8(基片批)浸在处理液中并且从气体喷嘴60向处理液吐出鼓泡气泡的状态下，取得该处理液的拍摄图像。

气泡数据取得部111进行在基片8(基片批)浸在处理液中的状态下取得的图像的图像处理以取得气泡数据，鼓泡状态判别部121基于该气泡数据判别鼓泡状态。

鼓泡控制部131基于鼓泡状态判别部121的判别结果，控制鼓泡部(流量调节器60C)，使得向浸有基片8(基片批)的处理液中送出适量的鼓泡气泡。

根据本方式，处理液的拍摄～鼓泡部的控制(鼓泡气泡的送出量的调整)的一系列处理按每个基片批进行，因此能够将处理液调整到与基片批单独适应的鼓泡状态。

[第二鼓泡状态调整方式]

在本方式中，在进行第一基片批的液处理的期间(S33)，通过拍摄部100取得处理液的拍摄图像，基于该拍摄图像进行气泡数据的取得和鼓泡状态的判别。

基于这样得到的鼓泡状态的判别结果(即，基于第一基片批的液处理时的拍摄图像的鼓泡状态的判别结果)，进行用于第二基片批(第二基片)的液处理的鼓泡部的控制。即，基于第一基片批的液处理(S33)时的鼓泡状态的判别结果，进行用于第二基片批的液处理的预鼓泡处理(S31)和在第二基片批的液处理期间(S33)进行的鼓泡处理。

如上所述，根据本方式，气泡数据取得部111进行在第一基片组(第一基片)浸在处理液中的状态下取得的图像的图像处理，以取得气泡数据。

鼓泡控制部131基于鼓泡状态判别部121的判别结果，控制鼓泡部，使得将气体送出到浸有在从内槽34A取出第一基片批后导入内槽34A的第二基片批(第二基片)的处理液中。

这样，在本方式中，先行进行的基片(第一基片)8的液处理时的鼓泡状态的判别结果在之后进行的基片(第二基片)8的液处理中被反馈利用。

[第三鼓泡状态调整方式]

在本方式中，在预鼓泡处理(S31)中通过拍摄部100取得处理液的拍摄图像，基于该拍摄图像进行气泡数据的取得和鼓泡状态的判别。然后，在之后进行的基片批的液处理(S33)中，进行基于鼓泡状态的判别结果的鼓泡部的控制。

在本方式中，拍摄部100在基片8未浸于处理液的状态下，取得吐出鼓泡气泡的处理液的拍摄图像。

气泡数据取得部111进行在基片8未浸于处理液的状态下取得的拍摄图像的图像处理，以取得气泡数据。

鼓泡控制部131基于从该气泡数据导出的鼓泡状态判别部121的判别结果，控制鼓泡部，使得向浸有基片8的处理液中送出鼓泡气泡。

通常，进行预鼓泡处理(S31)的时机与进行基片批的液处理(S33)的时机之间为短时间，在该短时间期间，处理液的环境压力不会急剧改变。因此，在本方式中，实质上几乎没有或完全没有因进行处理液的拍摄～鼓泡状态的判别的阶段与进行鼓泡部的控制的阶段不同而引起的不良情况。

[第四实施方式]

在本实施方式中，对与上述第一实施方式～第三实施方式相同或对应的要素赋予相同的符号，省略其详细的说明。

在本实施方式中，评价从气体喷嘴60向处理液送出的鼓泡气泡的状态，根据该评价来调整自气体喷嘴60的鼓泡气泡的送出状态，改善各个基片8的液处理的平衡。

在各个基片8中液处理也未必均匀地进行，液处理的程度可能根据基片8的处理面的位置而改变。认为这样的各个基片8的液处理的偏差的主要原因是源自刻蚀处理装置1的构成的固定的原因。

实际上，对刻蚀处理装置1的液处理后的基片8的处理面进行了评价，结果各个基片8的处理不均匀的状态在基片8之间相似，特别是在内槽34A内的相同位置接受液处理的基片8之间处理不均匀的状态非常相似。由此还可知，作为各个基片8的液处理的偏差(即，处理不均匀)的原因，源自刻蚀处理装置1的构成的主要原因是支配性的，各基片8的液处理的偏差有再现性。

在一边从气体喷嘴60吐出鼓泡气泡一边进行基片8的液处理的情况下，处理液的鼓泡状态成为基片8的液处理的偏差的一个原因。当参照气泡在处理液中沿高度方向(特别是朝上方向)移动时，各个基片8的液处理的与水平方向相关的偏差能够通过调整自在水平方向上排列的多个气体喷嘴60的鼓泡气泡的吐出状态来改善。

图18是表示第四实施方式的鼓泡部的一例的图。

在本实施方式中，在内槽34A的内部的处理液设置有从在水平方向上不同的位置送出气体的第一鼓泡部和第二鼓泡部。

图18所示的鼓泡部包括气体供给源60B和安装于从气体供给源60B延伸的配管60A的第一流量调节器60C-1、第二流量调节器60C-2、第一气体喷嘴60-1和第二气体喷嘴60-2。从气体供给源60B延伸的一个配管60A在途中分支为两个配管60A。在一分支的配管60A设置第一流量调节器60C-1和第一气体喷嘴60-1，在另一分支的配管60A设置第二流量调节器60C-2和第二气体喷嘴60-2。

在图18所示的装置构成中，第一鼓泡部包括配管60A、气体供给源60B、第一流量调节器60C-1和第一气体喷嘴60-1。第二鼓泡部包括配管60A、气体供给源60B、第二流量调节器60C-2和第二气体喷嘴60-2。

如图3所示，第一气体喷嘴60-1和第二气体喷嘴60-2在内槽34A的内部配置于在水平方向(Y方向)上相互不同的位置。在图3所示的例子中，第一气体喷嘴60-1位于第一内槽部34A-1，从第一气体喷嘴60-1吐出的鼓泡气泡大部分在第一内槽部34A-1中的处理液中移动。另一方面，第二气体喷嘴60-2位于第二内槽部34A-2，从第二气体喷嘴60-2吐出的鼓泡气泡大部分在第二内槽部34A-2中的处理液中移动。

这样，在内槽34A的内部，第一气体喷嘴60-1(第一鼓泡部)吐出气体的地方和第二气体喷嘴60-2(第二鼓泡部)吐出气体的地方以配置基片8的位置为基准，彼此在水平方向上位于相反侧。

另外，在图3等中，在内槽34A的内部设置有两个气体喷嘴60，但气体喷嘴60的数量没有限制，可以在水平方向(特别是Y方向)上排列两个以上的任意数量的气体喷嘴60。在这种情况下，优选将一个以上的气体喷嘴60分配给第一内槽34A-1，将一个以上的气体喷嘴60分配给第二内槽34A-2。

图19是表示第四实施方式的图像处理部101的一例的功能框图。

本例的图像处理部101具有与上述第三实施方式的图像处理部101(参照图15)同样的构成，包括气泡数据取得部111和鼓泡状态判别部121。

鼓泡状态判别部121基于气泡数据取得部111取得的气泡数据来判别鼓泡气泡在处理液中的状态，将判别结果发送到鼓泡控制部131。

本实施方式的鼓泡控制部131基于鼓泡状态判别部121的判别结果，控制第一流量调节器60C-1(第一鼓泡部)和第二流量调节器60C-2(第二鼓泡部)。

鼓泡状态判别部121的鼓泡状态的判别和鼓泡控制部131的控制基本上与上述第二实施方式同样地进行。即，鼓泡状态判别部121通过将气泡数据取得部111所取得的气泡数据与参考数据进行比较，来判别处理液中的鼓泡气泡的状态。鼓泡状态判别部121通过将气泡数据与参考数据进行比较，取得与当前的鼓泡气泡的状态与期望的鼓泡气泡的状态之差相关的信息。

本实施方式中使用的参考数据是处理液中的鼓泡气泡的状态为正常的情况下的气泡数据(参照图10)。特别是，可以将几乎没有或完全没有源自刻蚀处理装置1的构成的“基片8的液处理在水平方向上的偏差”的情况下的气泡数据用作参考数据。

在气泡数据和参考数据由灰度值图(参照图10)构成的情况下，可以取得气泡数据与参考数据之间的灰度差值作为“与当前的鼓泡气泡的状态与期望的鼓泡气泡的状态之差相关的信息”。

鼓泡控制部131基于从鼓泡状态判别部121送来的“与当前的鼓泡气泡的状态与期望的鼓泡气泡的状态之差相关的信息”，控制第一流量调节器60C-1和第二流量调节器60C-2。

这样，鼓泡状态判别部121从抑制液处理的水平方向偏差的观点出发，判别处理液中的鼓泡气泡的状态是否正常。然后，鼓泡控制部131以抑制液处理在水平方向上的偏差的方式控制第一流量调节器60C-1和第二流量调节器60C-2。

如以上说明的那样，根据本实施方式，在第一鼓泡部与第二鼓泡部之间进行鼓泡气泡的吐出流量的平衡的最优化，能够改善各个基片8的液处理的均匀性。

[变形例]

在上述实施方式中，处理液是磷酸水溶液，但不限于此，例如可以使用在SC1、磷酸水溶液中混合了醋酸等添加物的处理液。此外，在上述实施方式中，将被刻蚀的膜设为硅氮化膜，但不限于此，可以是其他成为刻蚀对象的膜。基片不限于半导体晶圆，可以是由玻璃、陶瓷等其他材料构成的基片。

应当注意，本说明书中所公开的实施方式和变形例在所有方面都只不过是例示性的，而并非限定性地解释。上述实施方式和变形例在不脱离所附的权利要求及其主旨的情况下，能够以各种方式进行省略、置换和变更。例如，上述实施方式和变形例可以部分地或整体地组合，另外，上述以外的实施方式可以与上述实施方式或变形例部分地或整体地组合。

此外，将上述技术思想具体化的技术类别没有限制。例如，上述基片液处理装置可以应用于其他装置。此外，可以通过用于使计算机执行上述基片液处理方法所包括的一个或多个工序(步骤)的计算机程序来具体化上述技术思想。此外，可以通过记录有这样的计算机程序的计算机可读非瞬时性(non-transitory)记录介质来具体化上述技术思想。

Claims (18)

1.一种基片液处理装置，其特征在于，包括：

处理槽，在内部贮存用于基片的液处理的处理液；

拍摄部，取得所述处理槽的所述内部的所述处理液的图像；和

图像处理部，具有进行所述图像的图像处理，以取得表示所述处理液中的气泡的状态的气泡数据的气泡数据取得部。

2.根据权利要求1所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述图像处理部包括沸腾状态判别部，所述沸腾状态判别部基于所述气泡数据来判别所述处理液的沸腾的状态。

3.根据权利要求2所述的基片液处理装置，其特征在于，包括：

调整量导出部，基于所述沸腾状态判别部的判别结果来导出所述处理液的浓度的调整数据。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基片液处理装置，其特征在于，包括：

向所述处理槽的所述内部的所述处理液送出气体的鼓泡部；和

进行通知处理的通知部，

所述图像处理部包括鼓泡状态判别部，所述鼓泡状态判别部基于所述气泡数据来判别所述处理液中的所述气体的状态，

所述通知部基于所述鼓泡状态判别部的判别结果来进行通知处理。

5.根据权利要求4所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述鼓泡状态判别部通过将所述气泡数据与基于所述处理液中的所述气体的基准状态的参考数据进行比较，来判别所述处理液中的所述气体的状态。

6.根据权利要求4或5所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述鼓泡状态判别部基于所述气泡数据，判别以所述处理液的整体范围为基准的气体的状态和以所述处理液的局部范围为基准的气体的状态。

7.根据权利要求1～6中的任一项所述的基片液处理装置，其特征在于，包括：

向所述处理槽的所述内部的所述处理液送出气体的鼓泡部；和

控制所述鼓泡部的鼓泡控制部，

所述图像处理部包括鼓泡状态判别部，所述鼓泡状态判别部基于所述气泡数据来判别所述处理液中的所述气体的状态，

所述鼓泡控制部基于所述鼓泡状态判别部的判别结果来控制所述鼓泡部。

8.根据权利要求7所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述气泡数据取得部进行在基片未浸于所述处理液的状态下取得的所述图像的所述图像处理，以取得所述气泡数据，

所述鼓泡控制部基于所述鼓泡状态判别部的判别结果，控制所述鼓泡部，使得向浸有基片的所述处理液中送出气体。

9.根据权利要求7所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述气泡数据取得部进行在第一基片浸于所述处理液的状态下取得的所述图像的所述图像处理，以取得所述气泡数据，

所述鼓泡控制部基于所述鼓泡状态判别部的判别结果，控制所述鼓泡部，以向浸有从所述处理槽取出所述第一基片后导入所述处理槽的第二基片的所述处理液中送出气体。

10.根据权利要求7所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述气泡数据取得部进行在基片浸于所述处理液的状态下取得的所述图像的所述图像处理，以取得所述气泡数据，

所述鼓泡控制部基于所述鼓泡状态判别部的判别结果，控制所述鼓泡部，以向浸有所述基片的所述处理液中送出气体。

11.根据权利要求1～3中的任一项所述的基片液处理装置，其特征在于，包括：

从在水平方向上不同的位置向所述处理槽的所述内部的所述处理液送出气体的第一鼓泡部和第二鼓泡部；和

控制所述第一鼓泡部和所述第二鼓泡部的鼓泡控制部，

所述图像处理部包括鼓泡状态判别部，所述鼓泡状态判别部基于所述气泡数据来判别所述气体在所述处理液中的状态，

所述鼓泡控制部基于所述鼓泡状态判别部的判别结果来控制所述第一鼓泡部和所述第二鼓泡部。

12.根据权利要求11所述的基片液处理装置，其特征在于：

在所述处理槽的所述内部，所述第一鼓泡部吐出气体的地方和所述第二鼓泡部吐出气体的地方以配置基片的位置为基准，彼此位于相反侧。

13.根据权利要求7～12中的任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述鼓泡控制部通过将所述鼓泡状态判别部的判别结果与参考模型进行对照来进行控制，

所述参考模型基于向所述处理液中的气体的送出量、所述处理液的浓度和所述处理液的温度来确定。

14.根据权利要求7～12中的任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述鼓泡控制部通过将所述鼓泡状态判别部的判别结果与参考表进行对照来进行控制，

参考表将所述气体在所述处理液中的状态与向所述处理液中的气体的送出量建立关联。

15.根据权利要求1～14中的任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述气泡数据包括与气泡的个数、密度和尺寸中的至少一个以上相关的数据。

16.根据权利要求1～15中的任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述气泡数据取得部基于所述图像的灰度值取得所述气泡数据。

17.根据权利要求1～16中的任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述拍摄部从上方取得所述处理槽的所述内部的所述图像。

18.根据权利要求1～16中的任一项所述的基片液处理装置，其特征在于：

所述拍摄部从侧方取得所述处理槽的所述内部的所述图像。