KR20070088970A - 탈이온수 공급시스템 및 방법 - Google Patents

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KR20070088970A KR1020060018904A KR20060018904A KR20070088970A KR 20070088970 A KR20070088970 A KR 20070088970A KR 1020060018904 A KR1020060018904 A KR 1020060018904A KR 20060018904 A KR20060018904 A KR 20060018904A KR 20070088970 A KR20070088970 A KR 20070088970A
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박정수
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 탈이온수 공급시스템에 관한 것으로, 본 발명에 따른 탈이온수 공급시스템은 내부에 탈이온수를 저장하는 공간을 가지는 저장 용기, 탈이온수 공급원으로부터 상기 저장 용기로 탈이온수를 공급하며, 펌프 및 밸브가 설치되는 공급라인, 상기 저장용기로부터 상기 반도체 제조 설비로 탈이온수를 공급하는 공급관, 상기 저장용기 내 탈이온수의 저장량을 측정하는 측정 부재, 그리고 상기 측정 부재가 측정한 탈이온수의 저장량이 기설정된 저장량 이하로 내려가면 상기 저장 용기 내 탈이온수를 충진하도록 상기 펌프 및 상기 밸브를 제어하는 제어부를 포함한다. 본 발명에 따른 탈이온수 공급시스템에 의하면, 반도체 제조 설비를 냉각하기 위한 탈이온수 공급시스템의 저장 용기 내 탈이온수 보충이 자동으로 이루어지고, 저장 용기 내 탈이온수 저장량 및 탈이온수의 공급 상태를 모니터링할 수 있다.
탈이온수, 초순수, 냉각, 냉각수, 냉각유체, 이온 주입, 열교환

Description

탈이온수 공급시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD FOR SUPPLYING A DEIONIZED WATER}
도 1은 본 발명에 따른 탈이온수 공급시스템을 개략적으로 도시한 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 탈이온수 공급방법을 보여주는 순서도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탈이온수 공급방법을 보여주는 순서도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100 : 탈이온수 공급시스템 116 : 레벨관
110 : 탈이온수 공급실 116a : 제 1 센서
112 : 저장 용기 116b : 제 2 센서
114 : 공급관 118 : 탈이온수 공급원
115 : 공급라인 120 : 제어부
115a : 밸브 130 : 표시부재
115b : 펌프
본 발명은 탈이온수 공급시스템 및 방법에 관한 것이다.
일반적인 반도체 제조 공정은 실리콘 재질의 웨이퍼에 일련의 처리 공정을 수행함으로써 반도체 소자 또는 반도체 칩을 생산한다. 일련의 처리 공정은 세정 공정, 도포 공정, 광리소그래피 공정, 이온주입공정, 연마 공정 등을 수행하는 다수의 반도체 제조 설비에 의해 이루어진다.
각각의 반도체 제조 설비들은 공정시 웨이퍼를 수용하여 웨이퍼상에 상술한 처리 공정을 순차적, 반복적으로 수행한다. 이때, 반도체 제조 설비에 구비되는 공정 장치들 중 일부는 공정 진행시 고온의 열이 발생한다. 예컨대, 이온 주입 장치, 노광 설비, 그리고 플라즈마 처리설비에 구비되는 공정 장치들은 공정시 고온으로 가열되므로, 이러한 공정 장치를 가지는 반도체 제조 설비에는 공정 장치로부터 발생되는 열을 냉각하는 수단이 제공되어야 한다. 따라서, 반도체 제조 설비에는 공정시 발열이 일어나는 장치 주변으로 탈이온수를 순환시켜 열을 냉각시키기 위해 공정 장치로 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급시스템이 구비된다.
탈이온수 공급시스템은 탈이온수를 저장하는 저장 용기 및 저장 용기에 저장된 탈이온수를 공정 장치로 공급하는 공급관을 가진다. 탈이온수 공급시스템은 저장 용기에 탈이온수를 충진시킨 후 공급관으로 탈이온수를 공급하여 공정 장치를 냉각한다. 보통 공급관으로 공급된 탈이온수는 상기 장치를 냉각한 후 저장 용기로 회수되거나 설비 외부로 배출된다. 따라서, 공정 장치의 냉각을 수행함에 따라 저장 용기 내 탈이온수가 감소하게 되므로, 저장 용기에 주기적으로 탈이온수를 보충해주어야 한다.
그러나, 종래에는 상술한 저장 용기 내 탈이온수 보충이 작업자에 의해 수동으로 수행되었다. 즉, 저장 용기 내 탈이온수 저장량이 기설정된 저장량 이하로 떨어지면 작업자는 반도체 제조 설비가 설치된 청정실에 소용량의 탈이온수 저장탱크를 운반하여 저장 용기에 탈이온수를 보충하였다. 따라서, 탈이온수 보충에 많은 시간이 소모되고 작업자의 유지 보수 부담이 크다. 특히, 탈이온수 공급시스템은 다수의 반도체 제조 설비에 설치되므로 탈이온수 보충에 따른 작업자의 부담이 매우 크다.
또한, 탈이온수 공급시스템에는 저장 용기 내 탈이온수의 저장량을 모니터링할 수 있는 수단이 없었다. 즉, 탈이온수 공급시스템의 관리는 작업자의 정기적인 검사에 의해 수행되었다. 따라서, 탈이온수의 저장 및 공급에 이상 발생시 작업자가 즉각적으로 인지하기 어렵고, 탈이온수의 저장 및 공급에 이상이 발생하여도 이를 판단할 수 있는 수단이 없어 반도체 제조 설비의 손상을 방지하기 어려웠다.
상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 탈이온수 공급시스템의 저장 용기 내 탈이온수 보충이 자동으로 이루어지는 탈이온수 공급시스템을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은 저장 용기 내 탈이온수 저장량 및 탈이온수의 공급 상태의 모니터링이 가능한 탈이온수 공급시스템을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 복수의 반도체 제조 설비들의 냉각이 가능한 탈이온수 공급시스템을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 작업자의 유지 보수 부담이 적은 탈이온수 공급시스템을 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 탈이온수 공급시스템은 내부에 탈이온수를 저장하는 공간을 가지는 저장 용기, 탈이온수 공급원으로부터 상기 저장 용기로 탈이온수를 공급하는, 그리고 펌프 및 밸브가 설치되는 공급라인, 상기 저장용기로부터 상기 반도체 제조 설비로 탈이온수를 공급하는 공급관, 상기 저장용기 내 탈이온수의 저장량을 측정하는 측정 부재, 그리고 상기 측정 부재가 측정한 탈이온수의 저장량이 기설정된 저장량 이하로 내려가면, 상기 저장 용기 내 탈이온수를 충진하도록 상기 펌프 및 상기 밸브를 제어하는 제어부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도체 제조 설비는 이온 주입 공정을 수행할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 탈이온수는 상기 설비의 공정 진행시 발생되는 열을 냉각하기 위한 냉각수이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 제어부는 상기 저장 용기로 탈이온수를 공급하는 횟수 및 상기 저장 용기에 탈이온수가 충진되는 시간이 기설정된 횟수 또는 시간을 벗어나면 이를 표시 부재에 표시한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 공급관은 복수의 설비들로 탈이온수를 공급하는 복수의 라인들을 가지고, 상기 제어부는 상기 각각의 라인들에 설치된 밸브를 제어한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 탈이온수 공급방법은 탈이온수를 저장하는 저장 용기 내 탈이온수의 저장량을 측정하여, 측정한 탈이온수의 저장량이 기설정된 저장량 이하이면, 상기 저장 용기로 탈이온수를 공급하는 공급라인에 설치되는 밸브 및 펌프를 제어하여 상기 저장 용기로 탈이온수를 충진시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 반도체 제조 설비는 이온 주입 공정을 수행할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 탈이온수는 상기 설비의 공정 진행시 발생되는 열을 냉각하기 위한 냉각수이다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 탈이온수 공급방법은 상기 저장 용기로 탈이온수를 공급하는 횟수 및 상기 저장 용기에 탈이온수가 충진되는 시간이 기설정된 횟수 또는 시간을 벗어나면 이를 표시 부재에 표시한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 처리장치를 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보 다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상은 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 탈이온수 공급시스템을 개략적으로 도시한 구성도이다. 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 탈이온수 공급시스템(100)은 탈이온수 처리실(110) 및 제어부(120), 그리고 표시부재(130)를 가진다. 탈이온수 처리실(110)은 소정의 처리 공정을 수행하는 반도체 제조 설비의 냉각을 위해 제공된다. 탈이온수 처리실(110)은 청정실(1)에 설치된 공정실(10)과 인접하게 배치된다. 공정실(10)은 반도체 처리 공정을 수행하며, 내부에는 공정을 수행하는 공정 장치들을 구비된다. 이러한 공정 장치들 중에는 공정시 고온의 열을 발생하며 탈이온수 처리실(110)은 발열이 일어나는 공정 장치의 냉각을 수행한다. 이를 위해, 탈이온수 처리실(110)은 공정실(10) 내 공정 장치의 냉각을 수행하기 용이하도록 공정실(10)과 인접하도록 설치되는 것이 바람직하다.
탈이온수 처리실(110)은 저장 용기(112), 공급관(114), 공급라인(115), 레벨관(116), 그리고 탈이온수 공급원(118)을 가진다. 저장 용기(112)는 내부에 탈이온수를 저장하는 공간을 가진다. 저장 용기(112)는 공급라인(115)으로부터 탈이온수를 공급받아 이를 저장하며, 저장된 탈이온수는 공급관(114)을 통해 반도체 제조 설비(10)로 공급된다. 저장 용기(112)는 탈이온수 공급시 저장 용기(112) 내부로 불활성 가스가 퍼지(purge)되도록 제작되어 탈이온수 공급에 따른 내부 압력 증가 를 방지한다.
공급관(114)은 저장 용기(112) 내 저장된 탈이온수를 공정 장치와 인접한 영역에 공급한다. 공급관(114)은 공정 장치와 인접한 영역에 탈이온수를 공급하여 탈이온수와 공정시 공정 장치들로부터 발생되는 열 상호간에 효율적인 열교환이 이루어지도록 한다. 공급관(114)에 의해 열교환이 이루어진 탈이온수는 설비 외부로 배출된다. 또는, 열교환이 이루어진 탈이온수는 회수 라인(미도시됨)에 의해 저장 용기(112)로 회수될 수 있다.
공급관(114)에는 탈이온수의 흐름을 차단 및 개방하는 밸브(114b)가 설치된다. 밸브(114b)로는 기설정된 프로그램에 의해 자동으로 개폐가 이루어지는 자동 밸브(auto valve)가 사용될 수 있다. 일 실시예로서, 밸브(114b)는 제어부(120)에 의해 제어될 수 있다. 또한, 공급관(114)에는 펌프와 같은 가압 부재(미도시됨)가 설치될 수 있다. 즉, 공급관(114)은 펌핑(pumping)에 의해 저장 용기(112)에 저장된 탈이온수를 공급할 수 있다. 그러나, 탈이온수의 공급은 저장 용기(112)의 가압에 의해 이루어질 수도 있다.
여기서, 본 실시예에서는 공급관(114)이 하나의 반도체 제조 설비(10)로 탈이온수를 공급하는 것을 예로 들어 설명하였으나, 공급관(114)은 다수의 반도체 제조 설비(10)로 탈이온수를 공급할 수 있다. 즉, 공급관(114)은 다수의 라인들을 포함하며, 각각의 라인들은 복수의 반도체 제조 설비(10)에 사용되는 공정 장치들의 냉각을 수행한다. 따라서, 탈이온수 공급시스템(100)은 다수의 반도체 제조 설비(10)의 냉각을 수행할 수 있다.
공급라인(115)은 탈이온수 공급원(118)으로부터 저장 용기(112)로 탈이온수를 공급한다. 공급라인(115)에는 밸브(115a) 및 펌프(115b)가 설치된다. 밸브(115a)는 상술한 밸브(114b)와 같은 구성이며 제어부(120)에 의해 개폐가 이루어진다. 펌프(115b)는 탈이온수 공급원(118)에 저장된 탈이온수를 저장 용기(112)로 공급하도록 공급라인(115)에 유동압을 제공한다.
레벨관(116)은 저장 용기(112) 내 탈이온수의 저장량을 측정하기 위해 제공된다. 이를 위해, 레벨관(116)의 일단은 저장 용기(112)의 하단과 통하고, 타단은 저장 용기(112)의 상단과 통한다. 레벨관(116) 내 탈이온수의 수면은 저장 용기(112) 내 탈이온수의 수면과 동일하도록 제작된다. 그리고, 레벨관(116)에는 복수의 레벨 센서들이 설치된다. 각각의 레벨 센서들은 레벨관(116)을 따라 소정의 간격이 이격되어 설치되며, 각각의 설치 높이에서 레벨관(116) 내 탈이온수의 수면을 감지한다. 즉, 레벨 센서는 탈이온수의 유무에 따라 온/오프(on/off)가 이루어지며, 레벨관(116)의 지정된 높이에서 레벨관(116) 내 탈이온수의 유무를 감지한다.
일 실시예로서, 레벨관(116)에는 레벨관(116)의 상부에 설치되는 제 1 센서(116a) 및 레벨관(116)의 하부에 설치되는 제 2 센서(116b)를 가진다. 제 1 센서(116a)는 저장 용기(112) 내 탈이온수의 최대 저장량을 측정하도록 설치되며, 제 2 센서(116b)는 저장 용기(112) 내 탈이온수의 최저 저장량을 측정하도록 설치된다. 따라서, 공정시 저장 용기(112) 내 탈이온수의 수면이 제 2 센서(116b)가 측정하는 기설정된 탈이온수의 수면 이하로 내려가면 제 2 센서(116)는 오프(off)된다. 그리고, 공정시 저장 용기(112)로 탈이온수 공급시 제 1 센서(116a)가 측정하는 기설정 된 탈이온수의 수면 이상이 되면, 제 2 센서(116a)는 온(on)된다. 이러한, 제 1 및 제 2 센서(116a, 116b)의 온/오프 여부는 제어부(120)로 전송되며, 제어부(120)는 제 1 및 제 2 센서(116a, 116b)의 온/오프 여부에 따라 밸브(114a, 115a) 및 펌프(115b)를 제어한다. 제어부(120)의 제어 방법은 후술하겠다.
본 실시예에서는 레벨관(116)에 제 1 및 제 2 센서(116a, 116b)가 설치되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 레벨 센서들의 설치 개수 및 설치 위치는 다양하게 응용될 수 있다. 또한, 본 실시예에서는 저장 용기(112) 내 탈이온수의 저장량 측정을 복수의 레벨 센서들을 사용하는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 저장 용기(112) 내 탈이온수 저장량 측정은 다양한 방식이 적용될 수 있다. 예컨대, 로드셀(load-cell)과 같은 하중 측정 장치를 사용하여, 저장 용기(112)의 하중의 변화량에 따른 저장 용기(112) 내 탈이온수의 저장량을 감지할 수 있다.
탈이온수 공급원(118)은 탈이온수를 저장한다. 탈이온수 공급원(118)으로는 내벽이 불소수지 재질로 처리된 라이닝 탱크(lining tank)가 사용될 수 있다. 탈이온수 공급원(118)은 서브 팹(2)에 설치된다. 이는 탈이온수 공급원(118)은 고청정도가 요구되는 정밀 장치가 아니므로 서프 팹(2)에 설치함으로써 청정실(1) 내 공간을 확보하기 위함이다.
제어부(120)는 저장 용기(112) 내 탈이온수 보충 및 저장 용기(112)에 저장된 탈이온수의 공급을 제어한다. 이를 위해, 제어부(120)는 제 1 및 제 2 센서(116a, 116b)의 온/오프 여부를 전송받아 밸브(114a, 115a) 및 펌프(115b)를 제어하고, 이를 표시 부재(130)에 표시한다. 또한, 제어부(120)는 탈이온수 공급시스템 (110)의 이상 발생시 설비의 공정 진행을 중단할 수 있다. 제어부(120)의 탈이온수 공급시스템(100)의 제어 방법에 대한 상세한 설명은 후술하겠다.
표시 부재(130)는 저장 용기(112) 내 탈이온수의 저장량 및 탈이온수의 공급 이상 유무 등이 표시된다. 표시 부재(130)는 제어부(120)에 의해 제어된다. 표시 부재(130)로는 마이컴 등의 디스플레이 부재가 사용될 수 있다. 또는, 표시 부재(130)는 설비의 이상 유무를 작업자가 인지하도록 표시하는 경보 장치일 수 있다.
이하, 상술한 구성을 가지는 탈이온수 공급시스템의 작동 과정 및 효과를 도면 2 및 3을 참조하여 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성과 동일한 구성에 대한 참조번호는 동일하게 병기한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 탈이온수 공급방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 탈이온수 공급방법은 설비의 공정이 개시되면, 공급관(114)은 저장 용기(112) 내 탈이온수를 적어도 하나의 공정실(10) 내 공정 장치들과 인접한 영역으로 공급한다. 탈이온수의 공급이 진행됨에 따라 저장 용기(112) 내 탈이온수의 저장량이 감소한다. 따라서, 저장 용기(112) 내 탈이온수의 저장량을 측정한다(S110). 탈이온수의 저장량 측정은 레벨관(116)에 설치된 제 1 및 제 2 센서(116a, 116b)에 의해 이루어진다.
만약, 저장 용기(112) 내 탈이온수의 저장량이 기설정된 저장량 이하로 감소되면 제 2 센서(116b)가 오프(off)되고, 제어부(120)는 이를 전송받아 저장 용기(120) 내 탈이온수 저장량이 기설정된 저장량 이하로 떨어진 것으로 인지한다(S120). 따라서, 제 2 센서(116b)가 오프(off)되면, 제어부(120)는 밸브(115a)를 오픈시키고 펌프(115b)를 가동시켜 저장 용기(112)에 탈이온수를 충진시킨다(S130). 탈이온수의 충진시 저장 용기(112) 내 탈이온수의 수면이 제 1 센서(116a)가 측정하는 기설정된 수면이상으로 충진되면 제 1 센서(116a)는 온(on)된다. 제 1 센서(116a)가 온(on)되면, 제어부(120)는 밸브(115a)를 클로우즈하고 펌프(115b)의 가동을 중단한다.
상술한 탈이온수 공급방법은 제 1 및 제 2 센서(116a, 116b)가 저장 용기(112) 내 탈이온수의 저장량을 감지하고, 이에 따라 제어부(120)가 탈이온수를 저장 용기(112)에 자동으로 충진시킨다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 탈이온수 공급방법은 반도체 제조 설비를 냉각하기 위한 탈이온수 공급시스템의 저장 용기 내 탈이온수 보충이 자동으로 이루어진다.
이하, 본 발명의 다른 실시예에 따른 탈이온수 공급방법을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 본 발명의 일 실시예에 따른 탈이온수 공급방법과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 탈이온수 공급방법을 설명하기 위한 순서도이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 탈이온수 공급방법은 설비의 공정이 개시되면, 공급관(114)은 저장 용기(112) 내 탈이온수를 적어도 하나의 공정실(10)로 공급하며, 레벨관(116)에 설치된 제 1 및 제 2 센서(116a, 116b)는 저장 용기(112) 내 탈이온수 저장량을 측정한다(S210). 만약, 제 2 센서(116b)가 오프(off)되면, 제어부(120)는 이를 전송받아 저장 용기(120) 내 탈이온수 저장량이 기설정된 저장량 이하로 떨어진 것으로 인지한다(S220). 따라서, 제 2 센서(116b)가 오프(off)되면, 제어부(120)는 밸브(115a)를 오픈시키고 펌프(115b)를 가동시켜 저장 용기(112)에 탈이온수를 충진시킨다(S230). 이때, 제 1 센서(116a)가 온(on)되면, 제어부(120)는 밸브(115a)를 클로우즈하고 펌프(115b)의 가동을 중단하여 탈이온수의 충진을 중단한다. 그리고, 제어부(120)는 상술한 탈이온수의 충진 과정을 작업자가 인지하도록 표시 부재(130)에 표시한다.
여기서, 제어부(120)는 상술한 탈이온수의 충진 횟수 및 탈이온수의 충진 시간이 기설정된 횟수 및 시간을 벗어나는지 여부를 판단한다(S240). 예컨대, 제어부(120)에는 단위 시간당 탈이온수의 충진 횟수가 설정되어 있다. 여기서, 상기 단위 시간은 탈이온수 공급시스템(100)의 정상적인 공정 진행시 저장 용기(112)에 탈이온수가 충진되는 주기일 수 있다. 또한, 제어부(120)에는 저장 용기(112) 내 탈이온수가 공급되는 충진 시간이 설정될 수 있다. 여기서, 충진 시간이란 탈이온수 공급시스템(100)의 정상적인 공정 진행시 저장 용기(112)에 탈이온수가 충진되는 시간일 수 있다. 즉, 충진 시간은 제 2 센서(116b)가 오프(off)된 시간부터 제 1 센서(116a)가 온(on)되는 시간일 수 있다.
따라서, 제어부(120)에는 상술한 탈이온수의 충진 횟수 및 탈이온수의 충진 시간이 기설정되며, 탈이온수의 충진 횟수 및 탈이온수의 충진 시간이 기설정된 충진 횟수 및 충진 시간을 벗어나면, 작업자가 이를 인지하도록 표시 부재(130)에 표시한다(S250). 이때, 제어부(120)는 탈이온수 공급시스템(100)의 공정 진행을 중단시킬 수 있다. 표시 부재(130)는 측정된 충진 횟수 및 충진 시간이 표시되며, 작업자가 이를 인지하도록 경보를 발생시킨다.
상술한 탈이온수 공급방법은 제 1 및 제 2 센서(116a, 116b)가 저장 용기(112) 내 탈이온수의 저장량을 감지하고, 이에 따라 제어부(120)가 탈이온수를 저장 용기(112)에 자동으로 충진시킨다. 또한, 제어부(120)는 탈이온수의 충진 및 공급 상태를 모니터링할 수 있다. 또한, 복수의 반도체 제조 설비의 냉각이 가능하고, 탈이온수 공급의 자동화를 이룰 수 있어 작업자의 유지 보수 부담을 줄여준다.
즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 탈이온수 공급시스템 및 방법은 반도체 제조 설비를 냉각하기 위한 탈이온수 공급시스템의 저장 용기 내 탈이온수 보충이 자동으로 이루어진다.
또한, 본 발명에 따른 탈이온수 공급시스템 및 방법은 저장 용기 내 탈이온수 저장량 및 탈이온수의 공급 상태를 모니터링할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 탈이온수 공급시스템 및 방법은 복수의 반도체 제조 설비의 냉각이 가능하다.
또한, 본 발명에 따른 탈이온수 공급시스템 및 방법은 작업자의 유지 보수 부담이 적다.

Claims (8)

  1. 반도체 제조 설비로 탈이온수를 공급하는 탈이온수 공급시스템에 있어서,
    내부에 탈이온수를 저장하는 공간을 가지는 저장 용기와,
    탈이온수 공급원으로부터 상기 저장 용기로 탈이온수를 공급하는, 그리고 펌프 및 밸브가 설치되는 공급라인과,
    상기 저장용기로부터 상기 반도체 제조 설비로 탈이온수를 공급하는 공급관과,
    상기 저장용기 내 탈이온수의 저장량을 측정하는 측정 부재와,
    상기 측정 부재가 측정한 탈이온수의 저장량이 기설정된 저장량 이하로 내려가면, 상기 저장 용기 내 탈이온수를 충진하도록 상기 펌프 및 상기 밸브를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 탈이온수 공급시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반도체 제조 설비는,
    이온 주입 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 탈이온수 공급시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 탈이온수는,
    상기 설비의 공정 진행시 발생되는 열을 냉각하기 위한 냉각수인 것을 특징 으로 하는 탈이온수 공급시스템.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 저장 용기로 탈이온수를 공급하는 횟수 및 상기 저장 용기에 탈이온수가 충진되는 시간이 기설정된 횟수 또는 시간을 벗어나면 이를 표시 부재에 표시하는 것을 특징으로 하는 탈이온수 공급시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 공급관은,
    복수의 설비들로 탈이온수를 공급하는 복수의 라인들을 가지고,
    상기 제어부는,
    상기 각각의 라인들에 설치된 밸브를 제어하는 것을 특징으로 하는 탈이온수 공급시스템.
  6. 적어도 하나의 반도체 제조 설비로 탈이온수를 공급하는 방법에 있어서,
    탈이온수를 저장하는 저장 용기 내 탈이온수의 저장량을 측정하여, 측정한 탈이온수의 저장량이 기설정된 저장량 이하이면, 상기 저장 용기로 탈이온수를 공급하는 공급라인에 설치되는 밸브 및 펌프를 제어하여 상기 저장 용기로 탈이온수를 충진시키는 것을 특징으로 하는 탈이온수 공급방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 반도체 제조 설비는,
    이온 주입 공정을 수행하고,
    상기 탈이온수는,
    상기 이온 주입 공정시 발생되는 열을 냉각하기 위해 사용되는 것을 특징으로 하는 탈이온수 공급방법.
  8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,
    상기 탈이온수 공급방법은,
    상기 저장 용기로 탈이온수를 공급하는 횟수 및 상기 저장 용기에 탈이온수가 충진되는 시간이 기설정된 횟수 또는 시간을 벗어나면 이를 표시 부재에 표시하는 것을 특징으로 하는 탈이온수 공급방법.
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