KR102513202B1 - 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 - Google Patents

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 Download PDF

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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 농도 계측부에 의해 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 측정할 수 없는 경우에도 기판의 액처리를 계속해서 행하여 수율의 향상을 도모하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에서는, 기판(8)을 희석액으로 희석된 처리액으로 처리하는 액처리부(38)와, 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부(39)와, 상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부(40)와, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 계측하는 농도 계측부[농도 센서(54)]와, 상기 농도 계측부에 의해 계측한 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도에 따라 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하는 제어부(7)를 갖고, 상기 액처리부에서 상기 기판의 처리 중에 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하는 것으로 하였다.

Description

기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE LIQUID PROCESSING METHOD, AND COMPUTER-READABLE STORAGE MEDIUM STORING SUBSTRATE LIQUID PROCESSING PROGRAM}
본 발명은 기판을 처리하기 위한 처리액이 흐르는 처리액 유로를 세정 유체로 세정하는 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 부품이나 플랫 패널 디스플레이 등의 제조에는, 반도체 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판을 세정액이나 에칭액 등의 처리액으로 처리하는 기판 액처리 장치가 이용되고 있다.
예컨대, 특허문헌 1에 개시된 기판 액처리 장치에서는, 처리조에 저류한 처리액(에칭액: 인산 수용액)에 기판을 침지시켜, 기판의 표면에 형성한 질화막을 에칭하는 처리를 행한다.
이 기판 액처리 장치에서는, 처리액으로서 인산을 순수(純水)로 미리 정해진 농도로 희석한 인산 수용액을 이용하고 있다. 그리고, 기판 액처리 장치에서는, 인산 수용액을 미리 정해진 농도로 할 때에, 인산을 순수로 희석한 인산 수용액을 미리 정해진 온도로 가열하여 비등시키고, 인산 수용액의 농도를 그 온도(비점)에 있어서의 농도가 되도록 제어한다. 또한, 인산 수용액을 가열하여 비등시켰을 때에 수분의 증발에 의해 농도가 변동하기 때문에, 인산 수용액에 순수를 보급하여 인산 수용액이 미리 정해진 농도가 되도록 제어한다. 그 때문에, 기판 액처리 장치에는, 처리액의 농도를 계측하기 위한 농도 센서가 설치되어 있다. 그리고, 기판 액처리 장치에서는, 농도 센서에 의해 계측한 처리액의 농도에 따라 처리액이나 희석액의 공급을 제어한다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2013-93478호 공보
그러나, 상기 종래의 기판 액처리 장치에서는, 농도 센서의 고장이나 배선의 절단이나 농도 센서의 접액(接液) 부분의 더러워짐 등에 의해 농도 센서에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없게 된 경우, 기판의 액처리를 중단하고, 액처리 도중의 기판을 폐기하고 있다. 이에 의해, 종래의 기판 액처리 장치에서는, 기판의 처리에 낭비가 발생하여, 수율의 저하를 초래할 우려가 있다.
또한, 농도 센서의 고장 등에 대비하여 미리 예비의 농도 센서를 설치해 둔다고 하는 대책도 고려되지만, 그에 의해 기판 액처리 장치의 비용 상승이 발생해 버린다.
그래서, 본 발명에서는, 기판 액처리 장치에 있어서, 기판을 희석액으로 희석된 처리액으로 처리하는 액처리부와, 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부와, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 계측하는 농도 계측부와, 상기 농도 계측부에 의해 계측한 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도에 따라 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하는 제어부를 갖고, 상기 제어부는, 상기 액처리부에서 상기 기판의 처리 중에 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하도록 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하는 것으로 하였다.
또한, 상기 미리 결정된 공급 상태는,
(1) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 상기 처리액 및 희석액과 동일한 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,
(2) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서의 평균한 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,
(3) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서 변동하는 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 변동시켜 공급하는 상태
중 어느 하나인 것으로 하였다.
또한, 대기압을 계측하는 대기압 계측부를 더 갖고, 상기 제어부는, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 미리 정해진 범위 내인 경우, 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 미리 정해진 범위 외인 경우, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하도록 제어하는 것으로 하였다.
또한, 상기 제어부는, 상기 농도 계측부에 의해 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 있는 경우, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 제1 미리 정해진 범위 내일 때와 제1 미리 정해진 범위 외일 때에서 상이한 처리를 행하고, 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없는 경우, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 제2 미리 정해진 범위 내일 때에 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 제2 미리 정해진 범위 외일 때에, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하며, 상기 제1 미리 정해진 범위보다 제2 미리 정해진 범위를 좁은 범위로 하는 것으로 하였다.
또한, 상기 희석액은, 상기 처리액의 가열에 의해 증발되는 수분을 보충하는 순수인 것으로 하였다.
또한, 본 발명에서는, 기판 액처리 방법에 있어서, 액처리부에서 희석액으로 희석된 처리액을 이용하여 기판을 처리하고, 상기 기판의 처리 중에 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없게 된 경우에, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하는 것으로 하였다.
또한, 상기 미리 결정된 공급 상태는,
(1) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 상기 처리액 및 희석액과 동일한 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,
(2) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서의 평균한 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,
(3) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서 변동하는 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 변동시켜 공급하는 상태
중 어느 하나인 것으로 하였다.
또한, 대기압을 계측하여, 대기압이 미리 정해진 범위 내인 경우, 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 대기압이 미리 정해진 범위 외인 경우, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하는 것으로 하였다.
또한, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 있는 경우, 대기압이 제1 미리 정해진 범위 내일 때와 제1 미리 정해진 범위 외일 때에서 상이한 처리를 행하고, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없는 경우, 대기압이 제2 미리 정해진 범위 내일 때에 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 대기압이 제2 미리 정해진 범위 외일 때에, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하며, 상기 제1 미리 정해진 범위보다 제2 미리 정해진 범위를 좁은 범위로 하는 것으로 하였다.
또한, 상기 희석액은, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 가열에 의해 증발되는 수분을 보충하는 순수인 것으로 하였다.
또한, 본 발명에서는, 기판을 희석액으로 희석된 처리액으로 처리하는 액처리부와, 상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부와, 상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부와, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 계측하는 농도 계측부를 갖는 기판 액처리 장치를 이용하여 기판 액처리 방법을 실행시키는 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서, 상기 액처리부에서 상기 기판의 처리 중에 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하도록 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하는 것으로 하였다.
본 발명에서는, 기판의 처리 중에 농도 계측부의 고장이나 배선의 절단이나 농도 센서의 접액 부분의 더러워짐 등에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없게 되어도 기판의 처리를 계속해서 행할 수 있기 때문에, 비용 상승을 초래하지 않고 수율의 저하를 억제할 수 있다.
도 1은 기판 액처리 장치를 도시한 평면 설명도이다.
도 2는 에칭 처리 장치를 도시한 설명도이다.
도 3은 기판 액처리 프로그램을 도시한 흐름도이다.
도 4는 에칭 처리 장치의 처리액 순환시의 동작을 도시한 설명도이다.
도 5는 에칭 처리 장치의 농도 계측시의 동작을 도시한 설명도이다.
도 6은 에칭 처리 장치의 처리액 및 희석액의 공급시의 동작을 도시한 설명도이다.
이하에, 본 발명에 따른 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램의 구체적인 구성에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 기판 액처리 장치(1)는, 캐리어 반입 반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6), 제어부(7)를 갖는다.
캐리어 반입 반출부(2)는, 복수 매(예컨대, 25매)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 나란히 수용한 캐리어(9)의 반입 및 반출을 행한다.
이 캐리어 반입 반출부(2)에는, 복수 개의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 설치되어 있다. 여기서, 캐리어 스톡(12)은, 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리하기 전에 일시적으로 보관한다. 또한, 캐리어 스톡(13)은, 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리한 후에 일시적으로 보관한다.
그리고, 캐리어 반입 반출부(2)는, 외부로부터 캐리어 스테이지(10)에 반입된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12)이나 캐리어 배치대(14)에 반송한다. 또한, 캐리어 반입 반출부(2)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)를 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13)이나 캐리어 스테이지(10)에 반송한다. 캐리어 스테이지(10)에 반송된 캐리어(9)는, 외부로 반출된다.
로트 형성부(3)는, 1 또는 복수의 캐리어(9)에 수용된 기판(8)을 조합하여 동시에 처리되는 복수 매(예컨대, 50매)의 기판(8)으로 이루어지는 로트를 형성한다.
이 로트 형성부(3)에는, 복수 매의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 설치되어 있다. 한편, 기판 반송 기구(15)는, 기판(8)의 반송 도중에 기판(8)의 자세를 수평 자세로부터 수직 자세 및 수직 자세로부터 수평 자세로 변경시킬 수 있다.
그리고, 로트 형성부(3)는, 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 기판 반송 기구(15)를 이용하여 기판(8)을 로트 배치부(4)에 반송하고, 로트 배치부(4)에서 로트를 형성한다. 또한, 로트 형성부(3)는, 로트 배치부(4)에 배치된 로트를 기판 반송 기구(15)에 의해 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)에 반송한다. 한편, 기판 반송 기구(15)는, 복수 매의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 처리 전[로트 반송부(5)에 의해 반송되기 전]의 기판(8)을 지지하는 처리 전 기판 지지부와, 처리 후[로트 반송부(5)에 의해 반송된 후]의 기판(8)을 지지하는 처리 후 기판 지지부의 2종류를 갖고 있다. 이에 의해, 처리 전의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 기판(8) 등에 전착되는 것을 방지한다.
로트 배치부(4)는, 로트 반송부(5)에 의해 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6) 사이에서 반송되는 로트를 일시적으로 배치(대기)한다.
이 로트 배치부(4)에는, 처리 전[로트 반송부(5)에 의해 반송되기 전]의 로트를 배치하는 반입측 로트 배치대(17)와, 처리 후[로트 반송부(5)에 의해 반송된 후]의 로트를 배치하는 반출측 로트 배치대(18)가 설치되어 있다. 반입측 로트 배치대(17) 및 반출측 로트 배치대(18)에는, 1로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 앞뒤로 나란히 배치된다.
그리고, 로트 배치부(4)에서는, 로트 형성부(3)에서 형성한 로트가 반입측 로트 배치대(17)에 배치되고, 그 로트가 로트 반송부(5)를 통해 로트 처리부(6)에 반입된다. 또한, 로트 배치부(4)에서는, 로트 처리부(6)로부터 로트 반송부(5)를 통해 반출된 로트가 반출측 로트 배치대(18)에 배치되고, 그 로트가 로트 형성부(3)에 반송된다.
로트 반송부(5)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6) 사이나 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다.
이 로트 반송부(5)에는, 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 설치되어 있다. 로트 반송 기구(19)는, 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)를 따르게 하여 배치한 레일(20)과, 복수 매의 기판(8)을 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)로 구성한다. 이동체(21)에는, 수직 자세로 앞뒤로 늘어선 복수 매의 기판(8)을 유지하는 기판 유지체(22)가 진퇴 가능하게 설치되어 있다.
그리고, 로트 반송부(5)는, 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 의해 수취하고, 그 로트를 로트 처리부(6)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는, 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 의해 수취하고, 그 로트를 반출측 로트 배치대(18)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는, 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6)의 내부에 있어서 로트의 반송을 행한다.
로트 처리부(6)는, 수직 자세로 앞뒤로 늘어선 복수 매의 기판(8)을 1로트로 하여 에칭이나 세정이나 건조 등의 처리를 행한다.
이 로트 처리부(6)에는, 기판(8)의 건조 처리를 행하는 건조 처리 장치(23)와, 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행하는 기판 유지체 세정 처리 장치(24)와, 기판(8)의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치(25)와, 기판(8)의 에칭 처리를 행하는 2대의 에칭 처리 장치(26)가 나란히 설치되어 있다.
건조 처리 장치(23)는, 처리조(27)에 기판 승강 기구(28)를 승강 가능하게 설치하고 있다. 처리조(27)에는, 건조용의 처리 가스[IPA(이소프로필알코올) 등]가 공급된다. 기판 승강 기구(28)에는, 1로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 앞뒤로 나란히 유지된다. 건조 처리 장치(23)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(28)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(28)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써, 처리조(27)에 공급한 건조용의 처리 가스로 기판(8)의 건조 처리를 행한다. 또한, 건조 처리 장치(23)는, 기판 승강 기구(28)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
기판 유지체 세정 처리 장치(24)는, 처리조(29)에 세정용의 처리액 및 건조 가스를 공급할 수 있도록 되어 있고, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용의 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다.
세정 처리 장치(25)는, 세정용의 처리조(30)와 린스용의 처리조(31)를 갖고, 각 처리조(30, 31)에 기판 승강 기구(32, 33)를 승강 가능하게 설치하고 있다. 세정용의 처리조(30)에는, 세정용의 처리액(SC-1 등)이 저류된다. 린스용의 처리조(31)에는, 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.
에칭 처리 장치(26)는, 에칭용의 처리조(34)와 린스용의 처리조(35)를 갖고, 각 처리조(34, 35)에 기판 승강 기구(36, 37)를 승강 가능하게 설치하고 있다. 에칭용의 처리조(34)에는, 에칭용의 처리액(인산 수용액)이 저류된다. 린스용의 처리조(35)에는, 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.
이들 세정 처리 장치(25)와 에칭 처리 장치(26)는, 동일한 구성으로 되어 있다. 에칭 처리 장치(26)에 대해 설명하면, 기판 승강 기구(36, 37)에는, 1로트분의 복수 매의 기판(8)이 수직 자세로 앞뒤로 나란히 유지된다. 에칭 처리 장치(26)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(36)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(34)의 에칭용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 에칭 처리를 행한다. 그 후, 에칭 처리 장치(26)는, 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다. 또한, 에칭 처리 장치(26)는, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(37)에 의해 수취하고, 기판 승강 기구(37)에 의해 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(35)의 린스용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 린스 처리를 행한다. 그 후, 에칭 처리 장치(26)는, 기판 승강 기구(37)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
이 에칭 처리 장치(26)에서는, 미리 정해진 농도의 약제(인산)의 수용액(88.3 중량%의 인산 수용액)을 처리액(에칭액)으로서 이용하여 기판(8)을 액처리(에칭 처리)한다.
에칭 처리 장치(26)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 미리 정해진 농도의 인산 수용액(88.3 중량%의 인산 수용액)으로 이루어지는 처리액을 저류하고, 기판(8)을 처리하기 위한 액처리부(38)와, 액처리부(38)에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급부(39)와, 처리액을 희석하는 희석액을 공급하기 위한 희석액 공급부(40)와, 액처리부(38)에 저류된 처리액을 순환시키기 위한 처리액 순환부(41)와, 액처리부(38)로부터 처리액을 배출하는 처리액 배출부(42)를 갖는다.
액처리부(38)는, 상부를 개방시킨 처리조(34)의 상부 주위에 상부를 개방시킨 외부조(43)를 형성하고, 처리조(34)와 외부조(43)에 처리액을 저류한다. 처리조(34)에서는, 기판(8)을 기판 승강 기구(36)에 의해 침지시킴으로써 액처리하는 처리액을 저류한다. 외부조(43)에서는, 처리조(34)로부터 오버플로우한 처리액을 저류하고, 처리액 순환부(41)에 의해 처리조(34)에 처리액을 공급한다.
처리액 공급부(39)는, 액처리부(38)에 처리액과는 상이한 농도(처리액보다 낮은 농도)의 약제(인산)의 수용액(85 중량%의 인산 수용액)을 공급한다. 이 처리액 공급부(39)는, 미리 정해진 농도(85 중량%) 및 미리 정해진 온도(25℃)의 인산 수용액을 공급하기 위한 수용액 공급원(44)을 액처리부(38)의 외부조(43)에 유량 조정기(45)를 통해 접속한다. 유량 조정기(45)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다.
희석액 공급부(40)는, 처리액의 가열(비등)에 의해 증발된 수분을 보급하기 위한 순수를 공급한다. 이 희석액 공급부(40)는, 미리 정해진 온도(25℃)의 순수를 공급하기 위한 물 공급원(46)을 액처리부(38)의 외부조(43)에 유량 조정기(47)를 통해 접속한다. 유량 조정기(47)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어 및 유량 제어된다.
처리액 순환부(41)는, 액처리부(38)의 외부조(43)의 바닥부와 처리조(34)의 바닥부 사이에 순환 유로(48)를 형성한다. 순환 유로(48)에는, 펌프(49), 필터(50), 히터(51)가 순서대로 설치되어 있다. 펌프(49) 및 히터(51)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 구동 제어된다. 그리고, 처리액 순환부(41)는, 펌프(49)를 구동시킴으로써 외부조(43)로부터 처리조(34)에 처리액을 순환시킨다. 그때에, 히터(51)에 의해 처리액을 미리 정해진 온도(165℃)로 가열한다.
또한, 처리액 순환부(41)는, 순환 유로(48)의 도중[히터(51)보다 하류측]과 외부조(43) 사이에 농도 계측 유로(52)를 형성한다. 농도 계측 유로(52)에는, 상류측 개폐 밸브(53), 농도 센서(54)(농도 계측부), 하류측 개폐 밸브(55)가 순서대로 설치되어 있다. 상류측 개폐 밸브(53)와 농도 센서(54) 사이에는, 농도 센서(54)를 세정하기 위한 세정 유체(여기서는, 상온의 순수)를 공급하는 세정 유체 공급부(56)가 접속되어 있다. 이 세정 유체 공급부(56)는, 세정 유체를 공급하기 위한 세정 유체 공급원(57)을 상류측 개폐 밸브(53)와 농도 센서(54) 사이에 공급 개폐 밸브(58)를 통해 접속한다. 또한, 농도 센서(54)와 하류측 개폐 밸브(55) 사이에는, 세정 유체를 배출하는 세정 유체 배출부(59)가 접속되어 있다. 이 세정 유체 배출부(59)는, 농도 센서(54)와 하류측 개폐 밸브(55) 사이에 외부의 배액관(排液管)과 연통되는 배출 유로(60)를 접속하고, 배출 유로(60)에 배출 개폐 밸브(61)를 설치하고 있다. 상류측 개폐 밸브(53), 하류측 개폐 밸브(55), 공급 개폐 밸브(58), 및 배출 개폐 밸브(61)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다. 또한, 농도 센서(54)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)로부터의 지시에 의해 농도 계측 유로(52)를 흐르는 처리액의 농도를 계측하여 제어부(7)에 통지한다. 한편, 세정 유체 배출부(59)는, 주로 세정 유체를 배출하지만, 농도 계측 유로(52)에 체류하는 처리액도 배출한다.
처리액 배출부(42)는, 액처리부(38)의 처리조(34)의 바닥부에 외부의 배액관과 연통되는 배액 유로(62)를 접속하고, 배액 유로(62)에 개폐 밸브(63)를 설치하고 있다. 개폐 밸브(63)는, 제어부(7)에 접속되어 있고, 제어부(7)에 의해 개폐 제어된다.
제어부(7)는, 기판 액처리 장치(1)의 각부[캐리어 반입 반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6) 등]의 동작을 제어한다. 제어부(7)에는, 대기 압력을 계측하기 위한 대기압 센서(64)(대기압 계측부)가 접속되어 있다. 대기압 센서(64)는, 제어부(7)로부터의 지시에 의해 기판 액처리 장치(1)의 설치 장소에서의 대기 압력을 계측하여 제어부(7)에 통지한다.
이 제어부(7)는, 예컨대 컴퓨터이며, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(65)를 구비한다. 기억 매체(65)에는, 기판 액처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종의 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(7)는, 기억 매체(65)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 액처리 장치(1)의 동작을 제어한다. 한편, 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(65)에 기억되어 있던 것이며, 다른 기억 매체로부터 제어부(7)의 기억 매체(65)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(65)로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
기판 액처리 장치(1)는, 이상으로 설명한 바와 같이 구성하고 있으며, 기억 매체(65)에 기억된 기판 액처리 프로그램 등에 따라 제어부(7)에 의해 각부[캐리어 반입 반출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6) 등]의 동작을 제어함으로써, 기판(8)을 처리한다.
이 기판 액처리 장치(1)에 의해 기판(8)을 에칭 처리하는 경우에는, 에칭 처리 장치(26)의 처리액 공급부(39)에 의해 미리 정해진 농도(85 중량%) 및 미리 정해진 온도(25℃)의 인산 수용액을 액처리부(38)에 공급하고, 처리액 순환부(41)에 의해 미리 정해진 농도(88.3 중량%) 및 미리 정해진 온도(165℃)가 되도록 가열하여 처리액을 생성하며, 처리액을 액처리부(38)에 저류한다. 그때에, 가열에 의해 수분이 증발되어 처리액의 농도가 증가하기 때문에, 가열에 의해 증발되는 수분의 양에 상응하는 양의 순수를 희석액 공급부(40)에 의해 액처리부(38)에 공급하여, 처리액을 희석액으로 희석한다. 그리고, 미리 정해진 농도(88.3 중량%) 및 미리 정해진 온도(165℃)의 처리액이 저류된 처리조(34)에 기판 승강 기구(36)에 의해 기판(8)을 침지시킴으로써, 처리액으로 기판(8)을 에칭 처리(액처리)한다.
이 액처리 중에 있어서, 기판 액처리 장치(1)는, 도 3에 도시된 기판 액처리 프로그램에 따라 처리액 공급부(39) 및 희석액 공급부(40)를 제어부(7)에 의해 제어함으로써, 처리액을 미리 정해진 농도(88.3 중량%) 및 미리 정해진 온도(165℃)로 유지한다.
먼저, 제어부(7)는, 도 4에 도시된 바와 같이, 펌프(49)를 구동시켜 처리액을 순환 유로(48)에서 순환시키고, 히터(51)를 구동시켜 처리액의 온도를 미리 정해진 온도(165℃)로 유지시키며, 기판(8)의 액처리를 개시한다(액처리 개시 단계 S1).
액처리 개시 후의 미리 정해진 타이밍에서 제어부(7)는, 처리액의 농도를 농도 센서(54)에 의해 계측한다(농도 계측 단계 S2). 이 농도 계측 단계 S2에서는, 도 5에 도시된 바와 같이, 액처리시와 마찬가지로 펌프(49)를 구동시켜 처리액을 순환 유로(48)에서 순환시키고, 히터(51)를 구동시켜 처리액의 온도를 미리 정해진 온도(165℃)로 유지시킨다. 또한, 상류측 개폐 밸브(53)와 하류측 개폐 밸브(55)를 개방한 상태로 하여, 순환 유로(48)를 흐르는 처리액의 일부를 농도 계측 유로(52)로 흘리고, 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 계측한다. 한편, 농도 계측 후에는, 상류측 개폐 밸브(53)와 하류측 개폐 밸브(55)를 폐색한 상태로 되돌려, 모든 처리액을 순환 유로(48)에서 순환시킨다.
다음으로, 제어부(7)는, 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 있었는지의 여부를 판단한다(농도 센서 정상 판단 단계 S3). 이 농도 센서 정상 판단 단계 S3에 있어서, 제어부(7)는, 농도 계측 단계 S2에 있어서 농도 센서(54)로부터 이상을 나타내는 신호를 받은 경우나, 농도 계측 단계 S2에 있어서 농도 센서(54)에 의해 계측된 농도가 미리 정해진 범위 외인 경우나, 농도 계측 단계 S2에 있어서 농도 센서(54)로부터 아무런 신호를 수취하지 못한 경우에, 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한다.
이 농도 센서 정상 판단 단계 S3에 있어서, 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 있다고 판단한 경우에는, 이하에 설명하는 통상 처리를 행하고, 한편, 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우에는, 후술하는 이상 처리를 행한다.
농도 센서 정상 판단 단계 S3에서 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 있다고 판단한 경우, 제어부(7)는, 농도 계측 단계 S2에 있어서 농도 센서(54)에 의해 계측한 처리액의 농도에 기초하여 처리액의 농도를 조정할지의 여부를 판단한다(처리액 조정 판단 단계 S4). 이 처리액 조정 판단 단계 S4에 있어서, 처리액의 농도가 미리 정해진 범위 내인 경우에는, 처리액의 조정이 불필요하다고 판단하여 후술하는 액처리 종료 판단 단계 S9로 진행하고, 한편, 처리액의 농도가 미리 정해진 범위 외인 경우에는, 처리액의 조정이 필요하다고 판단한다.
처리액 조정 판단 단계 S4에서 처리액의 조정이 필요하다고 판단한 경우, 제어부(7)는, 대기압 센서(64)에 의해 대기압을 계측하고(대기압 계측 단계 S5), 계측한 대기압이 미리 설정한 미리 정해진 범위(제1 미리 정해진 범위: 예컨대, 1013±10 hPa) 내인지의 여부를 판단한다(대기압 판단 단계 S6).
대기압 판단 단계 S6에서 대기압이 제1 미리 정해진 범위 내라고 판단한 경우, 제어부(7)는, 농도 계측 단계 S2에 있어서 농도 센서(54)에 의해 계측한 처리액의 농도에 기초하여 처리액 및 희석액의 공급량을 결정한다. 한편, 대기압 판단 단계 S6에서 대기압이 제1 미리 정해진 범위 외라고 판단한 경우, 제어부(7)는, 농도 계측 단계 S2에 있어서 농도 센서(54)에 의해 계측한 처리액의 농도에 기초하여 처리액 및 희석액의 공급량을 결정한 후에, 대기압 계측 단계 S5에서 계측한 대기압에 기초하여 처리액 및 희석액의 공급량을 보정한다(공급량 보정 단계 S7). 이 공급량 보정 단계 S7에서는, 대기압으로부터 처리액의 포화 농도를 구하고, 처리액이 그 포화 농도가 되도록 처리액 및 희석액의 공급량을 보정한다. 이에 의해, 대기압에 변동이 발생해도 처리액의 농도를 적정하게 유지할 수 있어, 기판(8)을 양호하게 처리할 수 있다.
그 후, 제어부(7)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 처리액 공급부(39) 및 희석액 공급부(40)로부터 액처리부(38)에 처리액 및 희석액을 공급한다(공급 단계 S8). 한편, 공급 단계 S8에서는, 전술한 처리액의 농도에 기초하여 결정한 처리액 및 희석액의 공급량 또는 대기압에 기초하여 보정한 처리액 및 희석액의 공급량으로 처리액 및 희석액을 공급한다. 그 때문에, 처리액 공급부(39)와 희석액 공급부(40)로부터 처리액과 희석액을 양방 모두 공급하는 경우에 한정되지 않고, 처리액 공급부(39)로부터 처리액만을 공급하는 경우(희석액의 공급량이 0인 경우)도 있고, 또한, 희석액 공급부(40)로부터 희석액만을 공급하는 경우(처리액의 공급량이 0인 경우)도 있다.
그 후, 제어부(7)는, 기판(8)의 액처리를 종료할지의 여부를 판단한다(액처리 종료 판단 단계 S9). 이 액처리 종료 판단 단계 S9에서는, 제어부(7)는, 내장하는 타이머에 의해 기판(8)을 처리액에 침지시킨 시간을 계측하여, 미리 정해진 시간 이상 경과하고 있는 경우에는 기판(8)의 액처리를 종료한다고 판단하고, 한편, 미리 정해진 시간 이상 경과하지 않은 경우에는 전술한 농도 계측 단계 S2로 되돌아간다. 통상 처리에 있어서는, 기판(8)의 액처리가 종료될 때까지 공급 단계 S8이 반복해서 실행되어, 처리액 및 희석액이 반복해서 공급된다. 그때마다, 처리액 및 희석액은, 처리액의 농도나 대기압에 따른 공급량으로 공급된다. 그 때문에, 처리액 및 희석액의 공급량은, 시간과 함께 변동한다(한편, 처리액의 농도나 대기압의 변동이 적은 경우에 처리액 및 희석액의 공급량이 시간에 관계없이 일정해지는 경우도 있을 수 있다).
한편, 전술한 농도 센서 정상 판단 단계 S3에 있어서, 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우에는, 이하에 설명하는 이상 처리를 행한다.
농도 센서 정상 판단 단계 S3에서 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우, 제어부(7)는, 대기압 센서(64)에 의해 대기압을 계측하고(대기압 계측 단계 S10), 계측한 대기압이 미리 설정한 미리 정해진 범위(제2 미리 정해진 범위: 제1 미리 정해진 범위보다 좁은 범위. 예컨대, 1013±5 hPa) 내인지의 여부를 판단한다(대기압 판단 단계 S11).
대기압 판단 단계 S11에서 대기압이 제2 미리 정해진 범위 내라고 판단한 경우, 도 6에 도시된 바와 같이, 처리액 공급부(39) 및 희석액 공급부(40)로부터 액처리부(38)에 처리액 및 희석액을 공급한다(공급 상태 유지 단계 S12). 이 공급 상태 유지 단계 S12에서는, 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지한다. 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지한다란, 예비적인 실험 등에 의해 구해진 일정한 또는 시간적으로 변동하는 공급량으로 처리액 및 희석액을 공급하는 상태를 유지하는 것이어도 좋고, 또한, 전술한 정상 처리에 있어서 공급 단계 S8에서 실행한 처리액 및 희석액의 공급 상태[기판(8)의 처리 중에 있어서의 처리액 및 희석액의 공급 상태]를 유지하는 것이어도 좋다.
여기서, 정상 처리시의 처리액 및 희석액의 공급량(공급 단계 S8에서 반복해서 공급하는 처리액 및 희석액의 공급량)이 시간과 함께 변동하기 때문에, 공급 상태 유지 단계 S12에서 유지하는 처리액 및 희석액의 공급 상태로서는, 주로 이하의 상태가 고려된다.
(1) 농도 센서 정상 판단 단계 S3의 실행 시점(농도 계측부[농도 센서(54)]에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점)보다 이전의 공급 단계 S8에서 실행한 처리액 및 희석액과 동일한 공급량으로 처리액 및 희석액을 공급하는 상태.
(2) 농도 센서 정상 판단 단계 S3의 실행 시점(농도 계측부[농도 센서(54)]에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점)보다 이전의 미리 정해진 기간(예컨대, 10초간)에서 공급 단계 S8에서 실행한 처리액 및 희석액의 공급량을 평균한 양으로 처리액 및 희석액을 공급하는 상태.
(3) 농도 센서 정상 판단 단계 S3의 실행 시점(농도 계측부[농도 센서(54)]에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점)보다 이전의 미리 정해진 기간(예컨대, 20초간)에서 공급 단계 S8에서 실행한 시간과 함께 변동하는 처리액 및 희석액의 공급량으로 처리액 및 희석액을 변동시켜 공급하는 상태.
공급 상태 유지 단계 S12에서는, 제어부(7)는, 상기 (1)∼(3) 중 어느 하나의 공급 상태를 미리 결정해 두고, 그 공급 상태를 유지하도록 처리액 공급부(39) 및 희석액 공급부(40)로부터 액처리부(38)에 처리액 및 희석액을 공급한다. 한편, 공급 상태 유지 단계 S12에서는, 정상 처리시의 공급 단계 S8에서 실행한 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하기 때문에, 공급 단계 S8과 마찬가지로, 처리액 공급부(39)와 희석액 공급부(40)로부터 처리액과 희석액을 양방 모두 공급하는 경우에 한정되지 않고, 처리액 공급부(39)로부터 처리액만을 공급하는 경우(희석액의 공급량이 0인 경우)도 있고, 또한, 희석액 공급부(40)로부터 희석액만을 공급하는 경우(처리액의 공급량이 0인 경우)도 있다.
이와 같이, 이상 처리시에 있어서 정상 처리시의 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지함으로써, 농도 센서(54)에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없는 경우에도 기판(8)의 액처리를 계속해서 행할 수 있다. 이에 의해, 보다 많은 기판(8)을 양호하게 액처리할 수 있다.
그 후, 제어부(7)는, 기판(8)의 액처리를 종료할지의 여부를 판단한다(액처리 종료 판단 단계 S13). 이 액처리 종료 판단 단계 S13에서는, 제어부(7)는, 내장하는 타이머에 의해 기판(8)을 처리액에 침지시킨 시간을 계측하여, 미리 정해진 시간 이상 경과하고 있는 경우에는 기판(8)의 액처리를 종료한다고 판단하고, 한편, 미리 정해진 시간 이상 경과하지 않은 경우에는 전술한 공급 상태 유지 단계 S12로 되돌아간다. 이상 처리에 있어서는, 기판(8)의 액처리가 종료될 때까지 공급 상태 유지 단계 S12에 있어서의 처리액 및 희석액의 공급 상태를 계속 유지한다.
한편, 대기압 판단 단계 S11에서 대기압이 제2 미리 정해진 범위 외라고 판단한 경우, 제어부(7)는, 액처리부(38)에서의 기판(8)의 액처리를 강제적으로 중단하고(처리 중단 단계 S14), 액처리를 종료한다. 이와 같이, 제어부(7)는, 이상 처리시에 대기압이 제2 미리 정해진 범위 외인 경우, 전술한 공급 상태 유지 단계 S12를 실행하여 기판(8)의 액처리를 계속해서 행해도 기판(8)을 양호하게 처리할 수 없다(처리 불량이 발생한다)고 판단하여, 기판(8)의 액처리를 종료한다. 이에 의해, 기판(8)을 쓸데없이 액처리하는 시간을 생략할 수 있다. 특히, 정상 처리시에 있어서의 대기압의 제1 미리 정해진 범위보다 이상 처리시에 있어서의 대기압의 제2 미리 정해진 범위를 좁게 함으로써, 보다 엄격한 조건으로 이상 처리(공급 상태 유지)를 속행할 수 있어, 보다 한층 기판(8)을 쓸데없이 액처리하는 시간을 생략할 수 있다.
한편, 기판 액처리 장치(1)는, 이상 처리시에 오퍼레이터에게 통지하여, 오퍼레이터가 이상 처리된 기판(8)의 처리 상태를 확인할 수 있도록 하고 있다.
이상으로 설명한 바와 같이, 기판 액처리 장치(1)에서는, 액처리부(38)에서 기판(8)의 처리 중에 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 농도 계측부[농도 센서(54)]에 의해 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우, 미리 결정된 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하도록 처리액 공급부(39) 및 희석액 공급부(40)를 제어한다.
그 때문에, 기판 액처리 장치(1)에서는, 농도 계측부[농도 센서(54)]의 고장이나 배선의 절단이나 농도 센서(54)의 접액 부분의 더러워짐 등의 고장이나 이상 등에 의해 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없는 경우에도 기판(8)의 액처리를 계속해서 행할 수 있다. 종래와 같이 처리 중인 기판(8)을 전부 폐기해 버리는 경우에 비해, 보다 많은 기판(8)을 양호하게 액처리할 수 있기 때문에, 기판 액처리 장치(1)의 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 예비의 농도 계측부를 설치할 필요가 없기 때문에, 기판 액처리 장치(1)의 비용 상승을 초래하는 일도 없다.
1: 기판 액처리 장치 7: 제어부
8: 기판 38: 액처리부
39: 처리액 공급부 40: 희석액 공급부
54: 농도 센서(농도 계측부) 64: 대기압 센서(대기압 계측부)

Claims (11)

  1. 기판 액처리 장치에 있어서,
    기판을 희석액으로 희석된 처리액으로 처리하는 액처리부,
    상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부,
    상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부,
    상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 계측하는 농도 계측부, 및
    상기 농도 계측부에 의해 계측한 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도에 따라 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하는 제어부
    를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 액처리부에서 상기 기판의 처리 중에 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하도록 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하고,
    상기 미리 결정된 공급 상태는,
    (1) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 상기 처리액 및 희석액과 동일한 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,
    (2) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서의 평균한 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,
    (3) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서 변동하는 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 변동시켜 공급하는 상태
    중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 장치.
  2. 삭제
  3. 기판 액처리 장치에 있어서,
    기판을 희석액으로 희석된 처리액으로 처리하는 액처리부,
    상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부,
    상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부,
    상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 계측하는 농도 계측부, 및
    상기 농도 계측부에 의해 계측한 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도에 따라 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하는 제어부
    를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 액처리부에서 상기 기판의 처리 중에 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하도록 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하고,
    상기 기판 액처리 장치는, 대기압을 계측하는 대기압 계측부를 더 갖고,
    상기 제어부는, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 미리 정해진 범위 내인 경우, 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 미리 정해진 범위 외인 경우, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하도록 제어하는 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제어부는,
    상기 농도 계측부에 의해 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 있는 경우, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 제1 미리 정해진 범위 내일 때와 제1 미리 정해진 범위 외일 때에서 상이한 처리를 행하고,
    상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없는 경우, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 제2 미리 정해진 범위 내일 때에 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 상기 대기압 계측부에 의해 계측한 대기압이 제2 미리 정해진 범위 외일 때에, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하며,
    상기 제1 미리 정해진 범위보다 제2 미리 정해진 범위를 좁은 범위로 한 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 희석액은, 상기 처리액의 가열에 의해 증발되는 수분을 보충하는 순수(純水)인 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 장치.
  6. 기판 액처리 방법에 있어서,
    액처리부에서 희석액으로 희석된 처리액을 이용하여 기판을 처리하고, 상기 기판의 처리 중에 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없게 된 경우에, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하고,
    상기 미리 결정된 공급 상태는,
    (1) 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 상기 처리액 및 희석액과 동일한 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,
    (2) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서의 평균한 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,
    (3) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서 변동하는 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 변동시켜 공급하는 상태
    중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 방법.
  7. 삭제
  8. 기판 액처리 방법에 있어서,
    액처리부에서 희석액으로 희석된 처리액을 이용하여 기판을 처리하고, 상기 기판의 처리 중에 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없게 된 경우에, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하고,
    대기압을 계측하여, 대기압이 미리 정해진 범위 내인 경우, 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 대기압이 미리 정해진 범위 외인 경우, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하는 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 있는 경우, 대기압이 제1 미리 정해진 범위 내일 때와 제1 미리 정해진 범위 외일 때에서 상이한 처리를 행하고,
    상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없는 경우, 대기압이 제2 미리 정해진 범위 내일 때에 상기 기판의 처리 중에 있어서의 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 유지하고, 대기압이 제2 미리 정해진 범위 외일 때에, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 중단하며,
    상기 제1 미리 정해진 범위보다 제2 미리 정해진 범위를 좁은 범위로 한 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 희석액은, 상기 희석액으로 희석된 처리액의 가열에 의해 증발되는 수분을 보충하는 순수인 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 방법.
  11. 기판 액처리 장치를 이용하여 기판 액처리 방법을 실행시키는 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 있어서,
    상기 기판 액처리 장치는,
    기판을 희석액으로 희석된 처리액으로 처리하는 액처리부,
    상기 처리액을 공급하는 처리액 공급부,
    상기 처리액을 희석하기 위한 희석액을 공급하는 희석액 공급부,
    상기 희석액으로 희석된 처리액의 농도를 계측하는 농도 계측부
    를 포함하고,
    상기 액처리부에서 상기 기판의 처리 중에 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 경우, 상기 처리액 및 희석액의 공급 상태를 미리 결정된 공급 상태로 유지하도록 상기 처리액 공급부 및 희석액 공급부를 제어하여, 상기 액처리부에서의 상기 기판의 처리를 계속하고,
    상기 미리 결정된 공급 상태는,
    (1) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 상기 처리액 및 희석액과 동일한 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,
    (2) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서의 평균한 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 공급하는 상태,
    (3) 상기 농도 계측부에 의해 상기 처리액의 농도를 정상적으로 계측할 수 없다고 판단한 시점보다 이전의 미리 정해진 기간에서 변동하는 상기 처리액 및 희석액의 공급량으로 상기 처리액 및 희석액을 변동시켜 공급하는 상태
    중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108511368B (zh) * 2017-02-28 2023-09-01 东京毅力科创株式会社 基板液处理装置
JP6857526B2 (ja) * 2017-03-27 2021-04-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、基板処理方法
CN108695201B (zh) * 2017-03-30 2023-08-08 东京毅力科创株式会社 称量装置及方法、基板液处理装置及方法和存储介质
JP7101083B2 (ja) * 2018-08-23 2022-07-14 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
JP7209556B2 (ja) * 2019-02-05 2023-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7264729B2 (ja) * 2019-05-31 2023-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN113921418A (zh) * 2020-07-10 2022-01-11 长鑫存储技术有限公司 供液系统及供液方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000021838A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6699400B1 (en) * 1999-06-04 2004-03-02 Arne W. Ballantine Etch process and apparatus therefor
JP3472745B2 (ja) * 2000-04-26 2003-12-02 東邦化成株式会社 エッチング処理装置及び方法
TW512131B (en) * 2000-06-08 2002-12-01 Mosel Vitelic Inc Apparatus and method for controlling boiling conditions of hot phosphoric acid solution with pressure adjustment
JP3972015B2 (ja) * 2003-04-11 2007-09-05 シャープ株式会社 薬液装置
JP4535967B2 (ja) * 2005-08-19 2010-09-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4907400B2 (ja) * 2006-07-25 2012-03-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2008235812A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置の供給異常検知方法及びそれを用いた基板処理装置
JP2009158786A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5511190B2 (ja) * 2008-01-23 2014-06-04 株式会社荏原製作所 基板処理装置の運転方法
JP5095570B2 (ja) * 2008-09-26 2012-12-12 大日本スクリーン製造株式会社 濃度制御系の故障検知方法及びそれを用いた基板処理装置
US8282766B2 (en) * 2008-11-19 2012-10-09 Austriamicrosystems Ag Etch apparatus and method of etching silicon nitride
JP5715546B2 (ja) 2011-10-27 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6244277B2 (ja) * 2014-08-11 2017-12-06 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000021838A (ja) * 1998-06-29 2000-01-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

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