JP5511190B2 - 基板処理装置の運転方法 - Google Patents
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Description
上記参考例の好ましい態様は、異常が前記洗浄部の前記複数の洗浄機の1つで検知されたとき、前記研磨部および前記基板搬送機構の運転を継続しつつ、前記基板処理装置内に新規基板を投入する動作及び前記洗浄部の動作を停止し、前記洗浄部の前記洗浄機内に存在する前記基板、及び前記研磨部で処理され前記基板搬送機構によって前記洗浄部に搬送された基板を前記基板処理装置から取り出し、前記基板処理装置から取り出した前記基板を正常に動作している他の基板処理装置の洗浄部で洗浄することを特徴とする。
本発明の他の参考例は、研磨部、洗浄部及び搬送機構を有する基板処理装置の運転方法であって、前記研磨部、洗浄部及び搬送機構のいずれかで異常を検知した際に基板に対する処理を途中で停止し、洗浄が終了していない基板を、基板処理装置から排出し洗浄部が正常に運転される新たな基板処理装置の洗浄部で洗浄することを特徴とする基板処理装置の運転方法である。
これにより、正常運転中であっても、所定の操作を行うことで、基板出入れ用扉を開けて装置外部からの基板の出入れを行い、これによって、例えば第2処理部のみを使用した装置外部の基板に対する割込み処理を行うことができる。
前記基板出入れ用扉510は、正常運転時にあっても、割込み処理信号に応じて、開錠することにより開くことが可能で、操作パネルの画面上でロック解除の操作を行う電磁ロックにより安全かつ容易に開閉できるようになっている。
図11(b)に示す基板保持の検知は、基板を受渡した後、搬送ロボット22のハンド上に基板が残っていないかの確認にも使用される。
この構成は、洗浄部4の反転機41にあっても同様であり、また洗浄部4の搬送ユニット46の各チャッキングユニット461〜464にもほぼ同様な構成が備えられている。
この構成は、他のプッシャ34,37,38にあっても同様であり、またリフタ32にもほぼ同様な構成が備えられている。
例えば、図14に示す、第1研磨ユニット30Aの下方に配置したドレンパン570内に設置した2つの漏液センサ572a,572bの内の上方に設置した漏液センサ572aが作動した時、第1研磨ユニット30Aに多量の砥液が漏洩する重大な事故が発生したとして、装置全体の動作を停止させる。他の研磨ユニット30B,30C,30Dにおいても同様である。また、図15に示す、ドレンパン588,592及び596内の上方に設置した漏液センサ590a,594a及び598aの少なくとも1つの漏液センサが作動した時もほぼ同様に、薬液供給設備に薬液漏洩の重大な事故が発生したとして、装置全体の動作を停止させる。
例えば、図14に示す、第1研磨ユニット30Aの下方に配置したドレンパン570内に設置した2つの漏液センサ572a,572bのうち下方に設置した漏液センサ572bが作動した時は、研磨装置に重大な事故が発生したとみなすことなく、第1研磨ユニット30Aに少量の砥液が漏洩する故障が発生したとして、装置全体の動作を停止させることなく、フロントロード部20の基板カセットからの新規基板の投入のみを停止させる。つまり、研磨装置内に存在する基板に対する処理を継続して、フロントロード部20の基板カセットに洗浄し乾燥させて回収する。そして、研磨装置内に存在する基板をフロントロード部20の基板カセット内に全て回収した後、研磨装置の動作を全て停止させ、研磨装置の復旧作業を行う。他の研磨ユニット30B,30C,30Dにおいても同様である。また、図15に示す、ドレンパン588,592及び596内の下方に設置した漏液センサ590b,594b及び598bの少なくとも1つの漏液センサが作動した時もほぼ同様に、少量の薬液が漏洩する故障が発生したとして、装置全体の動作を停止させることなく、フロントロード部20の基板カセットからの新規基板の投入のみを停止させる。そして、研磨装置内に存在する基板を全て回収した後、研磨装置の動作を全て停止させ、研磨装置の復旧作業を行う。
図14に示す排気圧センサ568、及び図15に示す排気圧センサ586a,586b,586cの少なくとも一つの排気圧センサで排気圧が規定値を下回ることを検知した時、装置内の雰囲気が外に漏れる心配がない限り装置を停止させることなく、フロントロード部20の基板カセットからの新規基板の投入のみを停止させる。そして、研磨装置内に存在する基板を全て回収した後、研磨装置の動作を全て停止させ、研磨装置の復旧作業を行う。
図17に「×」で示すように、搬送ロボット22が故障すると、フロントロード部20の基板カセットからの新規基板を投入する処理、及び洗浄部4で洗浄し乾燥した後の基板をフロントロード部20の基板カセットに回収する処理ができなくなる。そこで、搬送ロボット22が故障したことをセンサで検知した場合、フロントロード部20の基板カセットからの新規基板の投入を停止させ、更に、洗浄部4の動作を停止させる。つまり、第1研磨部3a、第2研磨部3b及びスイングトランスポータ7の運転は継続させる。そして、第1研磨部3a及び第2研磨部3bに存在する基板が、スイングトランスポータ7の運転に伴って、洗浄部4の反転機41まで搬送される毎に、操作パネルの画面を介して、図8に示すように、反転機41の前面の基板出入れ用扉510の電磁ロックを解除して該扉510を開き、更に反転機用扉512を開いて、反転機41上の基板を手で装置から外部に取出して回収する。
図18に「×」で示すように、第1研磨部3aの、例えば反転機31が故障すると、第1研磨部3aでの基板の処理ができなくなる。そこで、このように、第1研磨部3aの、例えば反転機31が故障したことをセンサで検知した場合、フロントロード部20の基板カセットからの新規基板の投入を停止させ、更に、第1研磨部3aの動作を停止させる。つまり、第2研磨部3b、スイングトランスポータ7、及び洗浄部4の運転を継続し、これによって、第1研磨部3a以外に基板を、洗浄部4の洗浄機42〜45で洗浄し乾燥させて、フロントロード部20の基板カセットに回収する。
これにより、研磨部から回収された基板等、装置の故障に伴って洗浄部で洗浄させずに装置の内部から回収された基板が、洗浄されることなく長時間放置されてしまうことを防止することができる。
図20に「×」に示すように、スイングトランスポータ7が故障すると、第1研磨部3aのリニアトランスポータ5と洗浄部4の反転機41との間の基板の受渡し、及び第2研磨部3bのリニアトランスポータ6と洗浄部4の反転機41との間の基板の受渡しができなくなる。そこで、スイングトランスポータ7が故障したことをセンサで検知した場合、フロントロード部20の基板カセットからの新規基板の投入を停止させ、更に、第1研磨部3a及び第2研磨部3bの動作を停止させる。つまり、洗浄部4の運転のみを継続し、これによって、洗浄部4にある基板を洗浄機42〜45で洗浄し乾燥させて、フロントロード部20の基板カセットに回収する。
図21に「×」で示すように、第2研磨部3bの、例えばリニアトランスポータ6またはプッシャ38が故障すると、第2研磨部3bでの基板の処理ができなくなる。そこで、このように、第2研磨部3bの、例えばリニアトランスポータ6またはプッシャ38が故障したことをセンサで検知した場合、フロントロード部20の基板カセットからの新規基板の投入を停止させ、更に、第2研磨部3bの動作を停止させる。つまり、第1研磨部3a、スイングトランスポータ7、及び洗浄部4の運転を継続し、これによって、第2研磨部3b以外に基板を、洗浄部4の洗浄機42〜45で洗浄し乾燥させて、フロントロード部20の基板カセットに回収する。
図22に「×」に示すように、洗浄部4の反転機41が故障すると、第1研磨部3a及び第2研磨部3bで研磨した基板を反転させて洗浄部4の搬送ユニット46に受渡すことができなくなる。そこで、このように、洗浄部4の反転機41が故障したことをセンサで検知した場合、フロントロード部20の基板カセットからの新規基板の投入を停止させ、更に、洗浄部4以外の動作を停止させる。つまり、洗浄部4のみの運転を継続し、これによって、洗浄部4にある基板を洗浄部4の洗浄機42〜45で洗浄し乾燥させて、フロントロード部20の基板カセットに回収する。
図23に「×」に示すように、洗浄部4の、例えば乾燥機能を有する洗浄機45が故障すると、乾燥後の基板の回収ができなくなる。そこで、洗浄部4の、例えば乾燥機能を有する洗浄機45が故障したことをセンサで検知した場合、フロントロード部20の基板カセットからの新規基板の投入を停止させ、更に、洗浄部4の動作を停止させる。つまり、第1研磨部3a、第2研磨部3b及びスイングトランスポータ7の運転を継続する。そして、第1研磨部3a及び第2研磨部3bに存在する基板が、スイングトランスポータ7の運転に伴って、洗浄部4の反転機41まで搬送される毎に、操作パネルの画面を介して、図8に示すように、反転機41の前面の基板出入れ用扉510の電磁ロックを解除して該扉510を開き、更に反転機用小扉512を開いて、反転機41上の基板を手で装置から外部に取出す。
この時、前述と同様に、装置外壁の基板出入れ用扉510の上方に、例えば赤のランプと緑のランプを設け、ロック解除の操作後、例えば回収する基板が反転機41に搬送されていなかったりして、機器が動作中である間は、基板出入れ用扉510がロックされていることを示す赤のランプを点灯させ、例えば回収する基板が反転機41に搬送されてきて、基板出入れ用扉510を開ける準備ができた時にロックの解除ができたことを示す緑のランプを点灯させるようにすることが好ましい。
図24に「×」に示すように、洗浄部4の第1洗浄機42が故障すると、この第1洗浄機42による洗浄処理が行えなくなる。そこで、洗浄部4の第1洗浄機42が故障したことをセンサで検知した場合、第1洗浄機42の運転のみを停止させる。つまり、図5に示すように、第1洗浄機42のローラ421は、第1洗浄機42の運転を停止しても、基板を載置して保持する保持台としての役割を果たし、基板が落ちないため基板の搬送を継続することが可能となる。これにより、故障した第1洗浄機42をスキップしながら基板を順次搬送し、正常な洗浄機43〜45による洗浄処理を行って、基板を洗浄し乾燥させて、フロントロード部20の基板カセット回収することができる。
このように、故障した基板処理装置から回収された基板を、正常な運転を継続している他の基板処理装置の洗浄部で洗浄することで、洗浄前の基板を一刻も早く洗浄したいという要請に応えることができる。
これまで本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施されてよいことは言うまでもない。
2 ロード/アンロード部
3 研磨部
3a 第1研磨部
3b 第2研磨部
4 洗浄部
5 第1リニアトランスポータ
6 第2リニアトランスポータ
7 スイングトランスポータ
20 フロントロード部
22 搬送ロボット
30A,30B,30C,30D 研磨ユニット
31,41 反転機
32 リフタ
33,34,37,38 プッシャ
42〜45 洗浄機
46 搬送ユニット
500,502,504,506,508 メンテナンス用扉
510,514,516,518,520 基板出入れ用扉
Claims (1)
- 研磨部、基板を反転させる反転機と研磨後の基板を洗浄する複数の洗浄機とを含む洗浄部、及び前記基板を前記研磨部から前記洗浄部に搬送する基板搬送機構を有する基板処理装置の運転方法であって、
異常が前記研磨部で検知されたとき、前記洗浄部および前記基板搬送機構の運転を継続しつつ、前記基板処理装置内に新規基板を投入する動作及び前記研磨部の動作を停止し、
前記洗浄部および前記基板搬送機構の動作によって前記洗浄部及び前記基板搬送機構に存在するすべての基板が前記基板処理装置から取り出された後、前記研磨部内に存在する基板を前記研磨部から取り出し、
前記研磨部から取り出した前記基板を前記洗浄部または正常に動作している他の基板処理装置の洗浄部で洗浄し、
前記基板搬送機構または前記洗浄部の前記反転機で異常が検知されたとき、前記洗浄部の前記洗浄機の運転を継続しつつ、前記基板処理装置内に新規基板を投入する動作及び前記研磨部の動作を停止し、
前記洗浄部の動作によって前記洗浄部の前記洗浄機に存在するすべての基板が前記基板処理装置から取り出された後、前記研磨部内に存在する基板を前記研磨部から取り出し、
前記研磨部から取り出した前記基板を前記洗浄部または正常に動作している他の基板処理装置の洗浄部で洗浄し、
異常が前記洗浄部の前記複数の洗浄機の1つで検知されたとき、前記研磨部及び前記基板搬送機構の運転を継続しつつ、前記基板処理装置内に新規基板を投入する動作及び前記洗浄部の動作を停止し、
前記洗浄部の前記洗浄機内に存在する前記基板、及び前記研磨部で処理され前記基板搬送機構によって前記洗浄部に搬送された基板を前記基板処理装置から取り出し、
前記基板処理装置から取り出した前記基板を正常に動作している他の基板処理装置の洗浄部で洗浄することを特徴とする基板処理装置の運転方法。
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JP5473736B2 (ja) * | 2010-04-07 | 2014-04-16 | 株式会社ディスコ | 研削装置の運転方法 |
US9530676B2 (en) * | 2011-06-01 | 2016-12-27 | Ebara Corporation | Substrate processing apparatus, substrate transfer method and substrate transfer device |
JP5459279B2 (ja) * | 2011-09-02 | 2014-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP6093328B2 (ja) * | 2013-06-13 | 2017-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP6101175B2 (ja) | 2013-08-28 | 2017-03-22 | Sumco Techxiv株式会社 | 半導体ウェーハの研磨方法 |
TWI645446B (zh) * | 2014-01-07 | 2018-12-21 | 荏原製作所股份有限公司 | 基板處理裝置之控制裝置、基板處理裝置及顯示控制裝置 |
JP6250406B2 (ja) * | 2014-01-15 | 2017-12-20 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置の異常検出装置、及び基板処理装置 |
JP6159282B2 (ja) * | 2014-03-27 | 2017-07-05 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、および基板処理装置の配管洗浄方法 |
JP6259698B2 (ja) | 2014-03-28 | 2018-01-10 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理方法 |
JP2015201598A (ja) | 2014-04-10 | 2015-11-12 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
CN105529284A (zh) * | 2014-09-29 | 2016-04-27 | 盛美半导体设备(上海)有限公司 | 一种抛光及清洗晶圆的半导体设备及方法 |
CN105807732B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-11-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺控制方法及半导体工艺控制系统 |
JP6294256B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2018-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
CN107443174B (zh) * | 2016-05-31 | 2019-06-07 | 无锡华润上华科技有限公司 | 利用研磨机台研磨异常晶圆片的方法 |
JP6727044B2 (ja) * | 2016-06-30 | 2020-07-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
JP6878056B2 (ja) | 2017-03-14 | 2021-05-26 | 株式会社荏原製作所 | めっき方法 |
CN108857858A (zh) * | 2017-05-15 | 2018-11-23 | 株式会社荏原制作所 | 清洗基板的背面的装置和方法、背面清洗装置和基板处理装置 |
JP7158877B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-10-24 | 日本電産サンキョー株式会社 | 産業用ロボットおよび産業用ロボットの制御方法 |
CN108422323A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-08-21 | 上海华力微电子有限公司 | 一种改善铜研磨机台报警造成制品报废的装置及方法 |
WO2020003995A1 (ja) * | 2018-06-26 | 2020-01-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 加工装置、加工方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JP7289596B2 (ja) * | 2019-05-28 | 2023-06-12 | 株式会社ディスコ | 加工装置及び加工方法 |
JP7303678B2 (ja) * | 2019-07-08 | 2023-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム及び基板処理方法 |
JP7224265B2 (ja) * | 2019-09-18 | 2023-02-17 | 株式会社荏原製作所 | 機械学習装置、基板処理装置、学習済みモデル、機械学習方法、機械学習プログラム |
JP7394821B2 (ja) * | 2020-06-30 | 2023-12-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
JP7491805B2 (ja) | 2020-10-05 | 2024-05-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
US20220111485A1 (en) * | 2020-10-08 | 2022-04-14 | Kctech Co., Ltd. | Substrate processing system |
KR102565731B1 (ko) * | 2020-11-16 | 2023-08-17 | (주)에스티아이 | 포드 세정챔버 |
USD973737S1 (en) * | 2020-11-17 | 2022-12-27 | Applied Materials, Inc. | Mainframe of substrate processing system |
USD973116S1 (en) | 2020-11-17 | 2022-12-20 | Applied Materials, Inc. | Mainframe of substrate processing system |
JP7561057B2 (ja) | 2021-02-24 | 2024-10-03 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
WO2022201831A1 (ja) * | 2021-03-25 | 2022-09-29 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液キャビネットの排気制御方法および基板処理装置 |
JP6952920B1 (ja) * | 2021-04-20 | 2021-10-27 | 株式会社ブイテックス | デュアルゲートバルブ |
CN114178971A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-03-15 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种抛光模组故障处理方法、装置及抛光设备 |
USD1029066S1 (en) * | 2022-03-11 | 2024-05-28 | Applied Materials, Inc. | Mainframe of dual-robot substrate processing system |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4687542A (en) * | 1985-10-24 | 1987-08-18 | Texas Instruments Incorporated | Vacuum processing system |
US4822450A (en) * | 1987-07-16 | 1989-04-18 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
US5138973A (en) * | 1987-07-16 | 1992-08-18 | Texas Instruments Incorporated | Wafer processing apparatus having independently controllable energy sources |
US5248636A (en) * | 1987-07-16 | 1993-09-28 | Texas Instruments Incorporated | Processing method using both a remotely generated plasma and an in-situ plasma with UV irradiation |
US4916091A (en) * | 1987-11-05 | 1990-04-10 | Texas Instruments Incorporated | Plasma and plasma UV deposition of SiO2 |
DE3806189A1 (de) * | 1988-02-26 | 1989-09-07 | Schunk Metall & Kunststoff | Verriegelungsvorrichtung |
US4875989A (en) * | 1988-12-05 | 1989-10-24 | Texas Instruments Incorporated | Wafer processing apparatus |
JP2908926B2 (ja) | 1992-01-14 | 1999-06-23 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置の基板搬送制御装置 |
JP3471071B2 (ja) * | 1994-04-12 | 2003-11-25 | 株式会社荏原製作所 | 回転機械の軸受潤滑装置 |
JP3494765B2 (ja) * | 1994-08-01 | 2004-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置およびその制御方法 |
US5887602A (en) | 1995-07-31 | 1999-03-30 | Tokyo Electron Limited | Cleaning machine and method of controlling the same |
US5885134A (en) | 1996-04-18 | 1999-03-23 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
JP3683345B2 (ja) * | 1996-06-14 | 2005-08-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板搬入搬出装置 |
JPH10135095A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体処理装置における独立運用方法 |
DE29704386U1 (de) * | 1997-03-11 | 1997-04-24 | Skf Gmbh, 97421 Schweinfurt | Vierreihiges Kegelrollenlager, insbesondere für Arbeitswalzen von Walzgerüsten |
JP3761673B2 (ja) | 1997-06-17 | 2006-03-29 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
JP4127346B2 (ja) * | 1999-08-20 | 2008-07-30 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置及び方法 |
JP2001153144A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-06-08 | Nsk Ltd | アンギュラ型玉軸受 |
JP2001096455A (ja) * | 1999-09-28 | 2001-04-10 | Ebara Corp | 研磨装置 |
JP2001189368A (ja) * | 1999-10-19 | 2001-07-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US7072034B2 (en) | 2001-06-08 | 2006-07-04 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for inspection of specimen surfaces |
JP2004022940A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨装置、研磨方法、ウェーハ待避プログラム |
JP4703141B2 (ja) | 2004-07-22 | 2011-06-15 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置、基板処理装置、基板飛び出し検知方法 |
JP4569956B2 (ja) * | 2005-01-24 | 2010-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の復旧処理方法,基板処理装置,プログラム |
US20090067959A1 (en) | 2006-02-22 | 2009-03-12 | Nobuyuki Takahashi | Substrate processing apparatus, substrate transfer apparatus, substrate clamp apparatus, and chemical liquid treatment apparatus |
JP4900904B2 (ja) * | 2006-02-28 | 2012-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理条件変更方法及び記憶媒体 |
JP2007301690A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Nikon Corp | 研磨装置 |
US7896602B2 (en) * | 2006-06-09 | 2011-03-01 | Lutz Rebstock | Workpiece stocker with circular configuration |
JP5422143B2 (ja) * | 2008-06-04 | 2014-02-19 | 株式会社荏原製作所 | 基板把持機構 |
-
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