TWI463545B - 基板處理裝置之操作方法及基板處理裝置 - Google Patents

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Description

基板處理裝置之操作方法及基板處理裝置
本發明係有關基板處理裝置之操作方法以及基板處理裝置，並且更具體的是有關於用於研磨基板(例如半導體晶圓)成為平坦鏡面表面的基板處理裝置之操作方法和基板處理裝置。
用於研磨半導體晶圓的表面成為平坦鏡面的基板處理裝置(例如研磨裝置)，一般是組構成連續地供給基板至該裝置中，繼而對每個基板執行一系列的處理，並且在該處理之後將該基板退出該裝置。在該裝置中一旦發生嚴重失效時，一般的慣例是停止所有對基板(例如半導體晶圓)的操作，接著在消除該裝置失效的成因後重新該操作。如果該失效是夠輕微而能繼續該裝置的操作時，即使在裝置失效發生時，一般的慣例也是繼續連續供給基板至該裝置並繼續對每個基板進行一系列的處理。
例如半導體晶圓的基板的成本是隨著用於該基板的處理製程進行而增加。當失效發生在裝置的零件中時，有時會耗費一天到一個禮拜以消除該失效的成因和修復該裝置的零件。因此，假如用於基板的所有操作在該種裝置失效發生時停止，並且該基板被留置在該裝置中經過一段長時間，某些基板可能會變成有缺陷(例如由於腐蝕)而招致巨大損失。
基板處理裝置一般設有清潔區段用於在相繼傳送該基板時清潔基板。基板無法在該清潔區段中傳送，除非有一個平台(stage)(基板傳送機構)設置在該清潔區段中，以在正常操作中相繼地接收和傳輸基板。一旦在用於執行清潔製程的清潔設備中發生失效，清潔與回收基板也會變得不可能。在該種情況下，需要將基板取出該清潔區段並在不同的清潔區段中清潔該基板。雖然在基板處理裝置中設置有門，然而為了安全的理由，一般係設計成不容易打開。因此，一般而言要藉由將該基板從清潔區段取出或供給回收的基板進入清潔區段以清潔該基板是困難的。
本發明是有鑑於上述在相關技術中的情況而研創者。因此，本發明的第一個目的是提供基板處理裝置之操作方法，該操作方法在該裝置發生非緊要失效時，能夠繼續部分的裝置操作讓基板得以清潔和回收基板或容易地從該裝置退出基板，而不須停止整個裝置，因此降低了基板變成有缺陷的風險。
本發明的第二個目的是提供基板處理裝置，該基板處理裝置在裝置失效發生時，會讓工作人員安全且容易地進入該裝置以從該裝置回收基板。
為了達到第一個目的，本發明提供具有研磨區段、清潔區段和傳送機構的基板處理裝置之操作方法。該方法包括一旦在任何的該研磨區段、該清潔區段和該傳送機構中偵測到故障時，便依據該故障的地點和該基板在該基板處理裝置中的位置將該基板分類；以及在偵測到該故障之後對每個該基板執行操作，該操作依據該基板之分類而變化。
依據這個方法，變得能夠在偵測到任何的該研磨區段、該清潔區段和該傳送機構中的故障後，繼續部分的裝置操作而讓基板得以，例如清潔和回收或容易地從該裝置退出基板，而不須停止整個裝置。這可以減少缺陷基板的數量，因此降低了經濟損失。
在偵測到該故障之後，對每個基板執行的操作是，(1)針對處理之前的基板：(i)接續處理的操作或(ii)停止繼續處理的操作；或(2)針對處理中的基板：(i)停止處理的操作、(ii)繼續處理的操作、(iii)傳送該基板至處理區段或該傳送機構的操作、或(iv)先清潔在該清潔區段中的該基板，然後從該基板研磨裝置中退出的操作。
本發明提供另一個具有複數個清潔設備的基板處理裝置的操作方法。該方法包括一旦在清潔設備中偵測到故障便停止在該清潔設備中的清潔，並且當基板出現在該清潔設備中時，便將該基板從該清潔設備裡取出，以及在其它正常操作之清潔設備中將該基板予以清潔，並且在清潔後從該基板處理裝置退出該基板。
依據這個方法，當失效發生於複數個清潔設備的其中之一時，基板可以相繼地傳送，同時略過有問題的清潔設備，接著於在正常操作中在其它清潔設備中清潔和乾燥，並從該基板處理裝置回收。
本發明又提供另外一個具有研磨區段、清潔區段和傳送機構的基板處理裝置的操作方法。該方法包括在任何的 該研磨區段、該清潔區段和該傳送機構中，一旦偵測到故障便停止對基板的操作，以及將該基板從該基板處理裝置退出，並且在另一個基板處理裝置的清潔區段中清潔該基板，其中，該清潔區段是處於正常操作。
依據這個方法，由於裝置失效，基板會被回收，例如從該基板處理裝置的該研磨區段回收而不須在該清潔區段中被清潔，而可以在清潔區段是處於正常操作的另一個基板處理裝置中予以清潔和乾燥。
本發明提供又另外一個具有研磨區段、清潔區段和傳送機構的基板處理裝置的操作方法。該方法包括回應中斷處理信號，而停止從該研磨區段傳送基板至該清潔區段，並且從該基板處理裝置外部攜帶基板進入該清潔區段，以及在該清潔區段中清潔該基板。
例如，當失效發生在兩個基板處理裝置的其中之一，並且某些在清潔前的基板已經從有問題的基板處理裝置回收時，所回收的基板可以在處於正常操作的其它基板處理裝置的清潔區段中予以清潔。這可以滿足在清潔前盡快清潔該基板的要求。
為了達到該第二個目的，本發明提供用於處理基板的裝置，包括執行基板的第一處理的第一處理區段，執行該基板的第二處理的第二處理區段，以及傳輸該基板的傳送機構。該基板處理裝置進一步包括在該裝置的正常操作期間是鎖住的門，並且在偵測到該裝置中有故障發生時，該門可以開鎖並打開以在該第一處理之前或之後從該裝置回收該基板，並且供給該基板至該裝置以執行該基板的該第二處理。
使用此門可以避免工作人員在該裝置的正常操作期間不小心打開該門的風險，並且在偵測到故障之後，當已確保安全時可以快速打開該門並且容易地從該裝置回收基板。
在本發明的一個較佳的態樣中，該門包括維修門或基板攜入/攜出門，並且即使是在該裝置的正常操作期間該基板攜入/攜出門可以回應中斷處理信號而開鎖並打開。
因此，藉由執行預設操作，即使是在該裝置的正常操作期間，該基板攜入/攜出門可以打開以便經過打開後的門攜帶基板進入或離開該裝置。這樣便達成了基板的中斷處理，該基板已經從該裝置外部被攜入，例如藉由只使用該第二處理區段。
該第一處理區段例如是研磨區段，而該第二處理區段例如是清潔區段。較佳地，該門是藉由電磁鎖(electromagnetic lock)而鎖住/開鎖。
依據本發明的基板處理裝置之操作方法，即使在該裝置的零件中發生失效並且演變成不可能繼續一連串用於基板的處理，部份用於基板的該裝置之操作還是可以繼續，並且基板可以快速回收而不須停止整個裝置，因此降低了基板變成有缺陷的風險。依據本發明的基板處理裝置，該門在偵測到故障之後可以安全地且快速地打開，並且基板可以從該裝置容易地回收。本發明因此達成有可能減少缺陷產品的數量，因而降低了經濟損失。
現將參照圖式描述本發明的較佳實施例。以下之描述說明採用研磨裝置來研磨基板(例如半導體晶圓)之表面成為平坦鏡面。
第1圖係顯示依據本發明的實施例的研磨裝置(基板處理裝置)的整體構造之平面圖，而第2圖係顯示於第1圖中的該研磨裝置的示意透視圖。如同第1圖中所顯示，此實施例的研磨裝置具有實質上為矩形形狀的外殼1。該外殼1的內部空間藉由分隔壁件1a、1b和1c分成裝載(loading)/卸載(unloading)區段2、研磨區段3(3a、3b)以及清潔區段4。該裝載/卸載區段2、該研磨區段3(3a、3b)以及該清潔區段4係各自獨立組裝，而空氣是從這些各自獨立的區段排出。
該裝載/卸載區段2具有兩個或更多個前方裝載部份20(在第1圖中有三個)，在該前方裝載部份20上置放有基板盒匣(cassette)，每個該基板盒匣儲存有一些基板(半導體晶圓)。該前方裝載部份20安置成沿著該研磨裝置的寬度方向(與該研磨裝置的長度方向垂直的方向)而互相相鄰。每個前方裝載部份20可在其上接收開啟的盒匣、SMIF(標準製造界面；Standard Manufacturing Interface)傳送盒(pod)或FOUP(前開式晶圓盒Front Opening Unified Pod)。該SMIF和FOUP是隔絕密封的容器，其內儲放基板盒匣並以分隔壁件覆蓋以提供與外部空間隔絕的內部環境。
該裝載/卸載區段2具有沿著該前方裝載部份20的安置方向延伸之移動機構21。傳送機械手22是安裝在該移動機構21上並可沿著該前方裝載部份20的該安置方向移動。該傳送機械手22是操作成可以在該移動機構21上移動以便接取固設在該前方裝載部份20上的該基板盒匣中的該基板。此傳送機械手22具有垂直安置且分開使用的兩個手部。例如，上方手部可用來將研磨過的基板歸回至該基板盒匣，而下方手部可用來傳送未研磨過的基板。
該裝載/卸載區段2必須是最潔淨的區域。因此，在該裝載/卸載區段2的內部壓力係一直保持在比該裝置的外部空間、該研磨區段3和該清潔區段4還高。此外，過濾風扇單元(未顯示於圖式中)具有潔淨空氣濾清器，例如設置於該傳送機械手22的該移動機構21之上的HEPA濾清器或ULPA濾清器。這個過濾風扇單元從空氣中移除微粒(particle)、毒性蒸氣和毒性氣體以產生潔淨的空氣並一直形成向下的潔淨空氣流。
該研磨區段3是基板被研磨的區域。該研磨區段3包含：第一研磨區段3a，其內具有第一研磨單元30A和第二研磨單元30B；以及第二研磨區段3b，其內具有第三研磨單元30C和第四研磨單元30D。如同第1圖所示，該第一研磨單元30A、該第二研磨單元.30B、該第三研磨單元30C以及該第四研磨單元30D是沿著該研磨裝置的長度方向安置。
如同第1圖所示，該第一研磨單元30A包含具有研磨表面的研磨台300A、用於握持基板並將該基板壓抵該研磨台300A以便研磨該基板的頂環301A、用於供應漿液或敷蓋液體(dressing liquid)(例如純水)至該研磨台300A上的漿液(slurry)供應噴嘴302A、用於敷蓋該研磨台300A的上漿器(dresser)303A以及具有一個或多個噴嘴用以射出在微粒狀態(atomized stste)的液體(例如純水)和氣體(例如氮氣)的混合物至該研磨表面的噴霧器(atomizer)304A。同樣地，該第二研磨單元30B包含研磨台300B、頂環301B、漿液供應噴嘴302B、上漿器303B以及噴霧器304B。該第三研磨單元30C包含研磨台300C、頂環301C、漿液供應噴嘴302C、上漿器303C以及噴霧器304C。該第四研磨單元30D包含研磨台300D、頂環301D、漿液供應噴嘴302D、上漿器303D以及噴霧器304D。
在該第一研磨區段3a中的該第一研磨單元30A和該第二研磨單元30B與該清潔區段4之間設置第一線性傳送器5。這個第一線性傳送器5是組構成位在沿著該研磨裝置的長度方向的四個傳送位置之間(在此之後，這四個傳送位置會依照離該裝載/卸載區段2的順序被稱為第一傳送位置TP1、第二傳送位置TP2、第三傳送位置TP3以及第四傳送位置TP4)傳送基板。用於翻轉從在裝載/卸載區段2中的該傳送機械手22傳來的基板之翻轉機器31係配置在該第一線性傳送器5的該第一傳送位置TP1之上。垂直可移式舉升器32是配置在該第一傳送位置TP1之下。垂直可移式推送器33是配置在該第二傳送位置TP2之下，以及一個垂直可移式推送器34是配置在該第三傳送位置TP3之下。擋門(shutter)12是設置於該第三傳送位置TP3和該第四傳送位置TP4之間。
在該第二研磨區段3b中，第二線性傳送器6是設置在該第一線性傳送器5旁邊。這個第二線性傳送器6是組構成在位於沿著該研磨裝置的長度方向的三個傳送位置之間(在此之後，這三個傳送位置會依照離該裝載/卸載區段2的順序被稱為第五傳送位置TP5、第六傳送位置TP6以及第七傳送位置TP7)傳送基板。推送器37是配置於該第二線性傳送器6的該第六傳送位置TP6之下，而推送器38是配置於該第七傳送位置TP7之下。擋門13是設置於該第五傳送位置TP5與該第六傳送位置TP6之間。
從會在研磨期間使用摩擦性(abrasive)液體(漿液)的事實來看，該研磨區段3是最髒的區域。因此，在這個實施例中，為了防止微粒散佈到該研磨區段3外部，會從各別的研磨台的周遭空間排出氣體。此外，該研磨區段3的內部之壓力是設定成比位於該裝置的外部、該清潔區段4以及該裝載/卸載區段2的壓力還要低，從而避免了微粒的散射。一般而言，排放導管(未於圖中顯示)係分別設置於該研磨台之下，而濾清器(未於圖中顯示)係設置於該研磨台之上，因此潔淨空氣的向下流會從該濾清器至該排放導管而形成。
該研磨單元30A、30B、30C和30D係藉由分隔壁件而個別隔離並封閉，並且空氣是從每個封閉的研磨單元30A、30B、30C和30D獨立排出。因此，基板可以在封閉的研磨單元30A、30B、30C或30D中處理而不會受到漿液的環境所影響。這達成了該基板的良好研磨。如同第1圖所顯示，在該研磨單元30A、30B、30C和30D之間的分隔壁件，每個都具有用於該線性傳送器5、6的通道之開口。也有可能設置每個開口具有擋門，並且只有當基板通過穿越該開口時才打開該擋門。
該清潔區段4是研磨過的基板被清潔的區域。該清潔區段4包含：翻轉機器41，用以翻轉基板；四個清潔設備42至45，用以清潔研磨過的基板；以及傳送單元46，用以在該翻轉機器41和該清潔設備42至45之間傳送基板。該翻轉機器41和該清潔設備42至45是沿著該研磨裝置的長度方向連續配置。具有潔淨空氣濾清器的濾清器風扇單元(未顯示於圖中)是設置在該清潔設備42至45之上。這個濾清器風扇單元是組構成從空氣裡移除微粒以產生潔淨空氣，並且一直形成該潔淨空氣的向下流。在該清潔區段4的內部壓力是保持高於在該研磨區段3中的壓力，使得避免在該研磨區段3的微粒流進該清潔區段4。
如同第1圖所顯示，在該第一線性傳送器5和該第二線性傳送器6之間設置有擺動傳送器(swing transporter)(基板傳送機構)7，用以在該第一線性傳送器5、該第二線性傳送器6和該清潔區段4的該翻轉機器41之間傳送基板。該擺動傳送器7可以將基板從該第一線性傳送器5的該第四傳送位置TP4傳送至該第二線性傳送器6的該第五傳送位置TP5、從該第二線性傳送器6的該第五傳送位置TP5傳送至該翻轉機器41、以及從該第一線性傳送器5的該第四傳送位置TP4傳送至該翻轉機器41。
一個由汽缸(cylinder)垂直驅動的擋門(未顯示)係設置於該裝置與固設在該前方裝載部份20的該基板盒匣的開口之間。除了該傳送機械手22運載基板進入或離開該基板盒匣時之外，該擋門是關閉的。
如同第1圖所顯示，用於測量基板的膜厚度的膜厚度測量設備[ITM(線性厚度監視器(in-line thickness monitor))]8是設置在該裝載/卸載區段2旁。該傳送機械手22可以伸及該膜厚度測量設備8。該膜厚度測量設備8在研磨之前或之後從該傳送機械手22接收基板，並測量該基板的膜之厚度。研磨的精確度可以藉由依據該膜厚度測量設備8的測量結果而適當的調整研磨的條件等等來強化。
以下將敘述在該研磨區段3的該研磨單元30A、30B、30C和30D。這些研磨單元30A、30B、30C和30D具有實質上相同的結構，而且以下將只有描述該第一研磨單元30A。
該研磨台300A具有拋光布(polishing cloth)或磨石(grinding stone)附接於其上，並且該研磨墊或該磨石形成研磨表面用以研磨基板。在研磨時，漿液會從該漿液供應噴嘴302A供應至該研磨台300A的該研磨表面上。要研磨的基板會被該頂環301A壓抵該研磨表面而執行研磨。一個或多個研磨單元具有呈皮帶(belt)或線帶(tape)形式的研磨表面，並且呈皮帶或線帶的研磨表面會與呈平台形式的研磨表面結合。
該頂環301A是藉由真空吸住基板W而吸引並且握持住該基板，其中該基板W已經被傳送至該推送器33。該頂環301A接著從在該推送器33之上的位置擺動至在該研磨台300A的該研磨表面之上的位置。在該頂環301移動至該研磨台300A之上的位置後(頂環301A在該位置可以研磨該基板)，該頂環301A會以預設的旋轉速度旋轉並且接著降低至該研磨台300A的上表面。當該頂環301A與該研磨台300A的上表面接觸時，該頂環301A係壓抵該研磨台300A而施予壓力至該基板。同時，漿液會從該漿液供應噴嘴302A敷設到該研磨台300A的上表面上，因此而研磨該基板的表面。
當研磨完成時，該頂環301A會舉起。之後，該頂環301A開始擺動運動而移動至該推送器33之上的位置，並且將該基板傳送至該推送器33。在該基板傳送至該推送器33之後，清潔液體會向下、水平或向上朝著該頂環301A射出以清潔該頂環301A的基板握持表面、研磨過的基板和周遭區域。
該擺動傳送器7是設置在該第一研磨區段3a的殼的框架上並且具有基板夾持機構以在該第一線性傳送器5、該第二傳送器6和該清潔區段4之間夾持和傳送基板。
如同第2圖所顯示，在該第一研磨區段3a中的該第一線性傳送器5具有四個傳送段(可以往復(reciprocating)方式線性移動)：TS1(第一段)、TS2(第二段)、TS3(第三段)和TS4(第四段)。這些傳送段具有包含上方線(upper line)和下方線(lower line)的二線結構。具體而言，該第一傳送段TS1、該第二傳送段TS2和該第三傳送段TS3是配置在該下方線上，而該第四傳送段TS4是配置在該上方線上。
該下方傳送段TS1、TS2和TS3以及該上方傳送段TS4可以自由運動而不會互相干擾，因為它們是設置在不同高度。該第一傳送段TS1在該第一傳送位置TP1(該翻轉機器31和該舉升器32係配置於此)和該第二傳送位置TP2(是基板接收/傳遞位置並且該推送器33係設置於此)之間傳送基板。該第二傳送段TS2在該第二傳送位置TP2與該第三傳送位置TP3(是基板接收/傳遞位置並且該推送器34係設置於此)之間傳送基板。該第三傳送段TS3在該第三傳送位置TP3和該第四傳送位置TP4之間傳送基板。該第四傳送段TS4在該第一傳送位置TP1和該第四傳送位置TP4之間傳送基板。
該第一線性傳送器5設置有空氣汽缸(未顯示)用以線性往復上方階層的第四傳送段TS4。該第四傳送段TS4受到控制而與該空氣汽缸同步(simultaneously)運動並且是朝與下方階層傳送段TS1、TS2和TS3的運動之相反的方向。只有是從該第三傳送段TS3或該第四傳送段TS4移動或移動至該第四傳送位置TP4時，該擋門12才會打開。這樣可以將氣流從高度污染的研磨區段3a流進高度潔淨的該清潔區段4的情形最小化，因此避免污染在該清潔區段4中的基板並且因此相較於傳統研磨裝置增加了產能(throughput)。
如同第2圖所顯示，在該第二研磨區段6中的該第二線性傳送器6具有三個傳送段(可以往復方式線性移動)：TS5(第五段)、TS6(第六段)和TS7(第七段)。這些傳送段具有包含上方線和下方線的二線結構。具體而言，第五傳送段TS5和第六傳送段TS6是配置在該上方線上，而第七傳送段TS7是配置在該下方線上。
該上方傳送段TS5、TS6以及該下方傳送段TS7可以自由運動而不會互相干擾，因為它們是設置在不同高度。該第五傳送段TS5在該第五傳送位置TP5和該第六傳送位置TP6(是基板接收/傳遞位置並且該推送器37係設置於此)之間傳送基板。該第六傳送段TS6在該第六傳送位置TP6與該第七傳送位置TP7(是基板接收/傳遞位置並且該推送器38係設置於此)之間傳送基板。該第七傳送段TS7在該第五傳送位置TP5和該第七傳送位置TP7之間傳送基板。
在該第一研磨區段3a中的該翻轉機器31是設置在位於該裝載/卸載區段2中的該傳送機械手22的手部可以接取的位置，並且用以從該傳送機械手22接收還未研磨的基板以及將基板翻轉成上下顛倒，並傳遞該基板至該舉升器32。
如同第1圖所顯示，擋門10係設置在該翻轉機器31與該傳送機械手22之間。當傳送基板時，該擋門10會打開，並且該基板是在該傳送機械手22與該翻轉機器31之間傳遞。當基板沒有被傳送時，該擋門10會關閉。該擋門10具有防水機構以使清潔該基板或清潔該傳送機械手22的手部。複數個噴嘴(未顯示)設置成環繞該翻轉機器31以避免基板乾掉。假使基板維持留置一段長時間，純水則會從該噴嘴射出以避免該基板乾掉。
該清潔區段4的該翻轉機器41是設置在該擺動傳送器7的該夾持部份可以伸及的位置。該翻轉機器41從該擺動傳送器7的夾持部份接收研磨後的基板，將該基板翻轉成上下顛倒，並且將該基板傳送至該傳送單元46。該翻轉機器41具有基本上與上述該第一研磨區段3a的翻轉機器31相同之結構。該翻轉機器41以與該翻轉機器31相同的方式操作，從該擺動傳送器7接收研磨後的基板，將該基板翻轉成上下顛倒，並且將該基板傳送至該傳送單元46。
在該第一研磨區段3a中的該舉升器32是設置在該傳送機械手22與該第一線性傳送器5可接取的位置，並且係作為用於在該傳送機械手22與該第一線性傳送器5之間接收和傳遞基板的接收/傳遞機構。具體而言，該舉升器32係作為將翻轉機器31所翻轉的基板傳遞至該第一線性傳送器5的該第一傳送段TS1或該第四傳送段TS4。
將被研磨的基板會從該傳送機械手22傳送至該翻轉機器31。接著，翻轉該基板使得該基板的圖案表面面朝下。該舉升器32朝著該翻轉機器31所握持的該基板舉起並在該基板正下方停止。當用於感測該舉升器的舉升之感測器偵測到該舉升器32停止於平台322於該基板正下方所座落的位置時，該翻轉機器31藉由打開夾子而釋放該基板，而該基板會置放在該舉升器32的平台上。之後，該舉升器32會降低且同時於其上握持該基板。當該基板降低時，該基板會傳送至該第一線性傳送器5的該傳送段TS1或TS4。在該基板傳送至該第一線性傳送器5之後，該舉升器32會繼續降低並且當該舉升器32降低到預設位置時便停止。
在該第一研磨區段3a的該推送器33係作為從該第一線性傳送器5的該傳送段TS1接收基板並且傳遞該基板至該第一研磨單元30A的該頂環301A，並且也作為從該第一研磨單元30A接收研磨過的基板並傳遞該基板至該第一線性傳送器5的該傳送段TS2。在該第一研磨區段3a中的該推送器34係作為從該第一線性傳送器5的該傳送段TS2接收基板並且傳遞該基板至該第二研磨單元30B的該頂環301B，以及也作為從該第二研磨單元30B接收研磨過的基板並且傳遞該基板至該第一線性傳送器5的該傳送段TS3。在該第二研磨區段3b中的該推送器37係作為從該第二線性傳送器6的該傳送段TS5接收基板並且傳遞該基板至該第三研磨單元30C的該頂環301C，以及也作為從該第三研磨單元30C接收研磨過的基板並傳遞該基板至該第二線性傳送器6的該傳送段TS6。該推送器38係作為從該第二線性傳送器6的該傳送段TS6接收基板並且傳遞該基板至該第四研磨單元30D的該頂環301D，以及也作為從該第四研磨單元30D接收研磨過的基板並且傳遞該基板至該第二線性傳送器6的該傳送段TS7。因此，該推送器33、34、37和38係作用為在該線性傳送器5、6和個別的頂環之間用於接收和傳遞基板的接收/傳遞機構。這些推送器33、34、37和38具有相同的結構。
在這個實施例中，如同第3圖所顯示，該清潔區段4的第一清潔設備42和第二清潔設備43各為滾輪形式(roll-type)的清潔設備，該滾輪形式的清潔設備具有複數個滾輪421，並且藉由將上面與下面的滾動的滾輪形狀海綿壓抵基板的前面和後面表面以清潔該基板的前面和後面的表面。第三清潔設備44是一個筆狀的清潔設備，該清潔設備44具有基板平台441並且藉由將旋轉的半球狀(hemispherical)海綿(未顯示)壓抵基板的表面以清潔該基板的前表面。第四清潔設備45是個筆狀的清潔設備，該清潔設備45藉由將轉動的半球狀海綿(未顯示)壓抵基板的表面以清潔該基板的前表面並且也可以沖洗(rinse)該基板的背面。該第四清潔設備45具有用於在高速下旋轉塊狀(chucked)基板的基板平台451，並且因此藉由在清潔之後高速旋轉而具有使基板乾燥的功能(自旋乾燥功能(spin-drying function))。除了上述之滾輪形式的清潔設備或筆狀的清潔設備之外，有可能在任何的該清潔設備42至45中額外提供超音波震盪形式(megasonic-type)的清潔設備，該清潔設備藉由施加超音波(ultrasonic wave)至清潔液體以執行清潔。
如同第4圖所顯示，這個實施例的第一清潔設備42具有四個可開啟/可關閉的滾輪421，以及耦接至該四個滾輪421中的兩個的下方底端之伺服馬達(servomotor)422。當該滾輪421朝著基板W移動並關閉時，該基板W的周圍會藉由該滾輪421來握持。該滾輪421接著藉由該伺服馬達422而轉動，用以轉動該基板W。
在這個實施例中，如同第5圖所顯示，每個該滾輪421具有一尺寸(直徑)，使得當該滾輪421是在後移(retreat)位置(開啟位置)時可以握持基板W於該滾輪421的上方表面上。關於這一點要注意到，在傳統的一般滾輪形式的清潔設備中，如同第6圖所顯示，它的每個滾輪421a具有一尺寸(直徑)，使得當該滾輪421a是在後移位置(開啟位置)時無法握持基板W於該滾輪421a的上方表面上。當此種傳統的清潔設備的清潔操作因為該清潔設備的失效而停止時，基板無法傳送至該清潔設備的下游側。另一方面，依據這個實施例，當第一清潔設備42的清潔操作因為該第一清潔設備42的失效而停止時，基板可以握持在該第一清潔設備42的該滾輪421的上方表面上，並且接著傳送至該第一清潔設備42的下游側。該第二清潔設備43也是一樣的情形。
參考筆狀的第三清潔設備44，即使當該第三清潔設備44的清潔操作因為該第三清潔設備44的失效而停止時，基板可以握持在該基板平台441上並且接著傳送至該第三清潔設備44的下游側。該第四清潔設備45也是相同的情形。
如同第7圖所顯示，該清潔區段4的該傳送單元46包含四個夾定單元(chucking unit)461至464以作為用於在清潔設備中可分離地(detachably)夾持基板的基板夾持機構。該夾定單元461是由一對用於握持基板W的可開啟/可關閉的手臂471a、471b所組成，而該夾定單元462是由一對手臂472a、472b所組成。該夾定單元461的成對的手臂471a、471b之基底以及該夾定單元462的成對的手臂472a、472b之基底是固設於可朝相對方向滑動的主框架465。該夾定單元463、464具有基本上與該夾定單元461、462相同的結構。
在該主框架465之下設置有平行於該清潔設備42至45的一直線而延伸的滾珠螺桿(ball screw)467，該滾珠螺桿並且於它的一端耦接至伺服馬達466。主框架465是固定在塊體468上，在該塊體468中具有母螺紋(female thread)與該滾珠螺桿467囓合。利用這個結構，當該伺服馬達466驅動時，該主框架465和該夾定單元461至464平行移動。因此，該伺服馬達466與該滾珠螺桿467構成移動機構，用於使該夾定單元461至464沿著該清潔設備42至45的直線方向(該夾定單元461至464的直線方向)移動。
如同第1圖所顯示，該翻轉機器41與該清潔設備42至45是儲放在它們個別的腔室中，並藉由在清潔期間阻擋散射液體的可開啟/可關閉之擋門48、49、50、51和52而隔開。
在這個實施例中，該傳送單元46可同時從該翻轉機器41傳送基板至該第一清潔設備42、從該第一清潔設備42至該第二清潔設備、從該第二清潔設備43至該第三清潔設備44以及從該第三清潔設備44至該第四清潔設備45。另外，基板可以藉由朝該清潔設備的直線方向移動而被傳送至下一個清潔設備。這樣可以最小化基板傳送的行程並且縮短基板傳送的時間。
如同第1圖所顯示，在正常操作期間鎖住並且在偵測到故障後可以開鎖的可開啟/可關閉之維修門500是設置在儲放該研磨單元30A的腔室的外部壁件中。這個維修門500可以安全地且容易地藉由電磁鎖打開與關閉，該電磁鎖的鎖住/開鎖操作是在操作面板的螢幕上執行。同樣地，可開啟/可關閉之維修門502是設置在儲放該研磨單元30B的腔室的外部壁件中，可開啟/可關閉之維修門504是設置在儲放該研磨單元30C的腔室的外部壁件中，以及可開啟/可關閉之維修門506是設置在儲放該研磨單元30D的腔室的外部壁件中。
同時，在儲放該翻轉機器41的該腔室的外部壁件中設置有可開啟/可關閉之維修門508，該可開啟/可關閉之維修門508在正常操作期間是鎖住的並且在偵測到故障後可以開鎖，使得工作人員可以進入該腔室。該維修門508也可藉由電磁鎖而安全地且容易地開啟和關閉，該電磁鎖的鎖住/開鎖操作是在操作面板的螢幕上執行。
如同第8和9圖所顯示，該維修門508是設置在儲放該翻轉機器41的腔室的外部壁件中，並且設置有可開啟/可關閉之基板攜入/攜出門510，使得基板可以用手攜入和攜出而不須打開該維修門508。與上述的維修門相似，該基板攜入/攜出門510在偵測到故障後可以開鎖，並且可以藉由電磁鎖安全地且容易地開啟與關閉，該電磁鎖的鎖住/開鎖操作是在操作面板的螢幕上執行。此外，可開啟/可關閉的翻轉機器門512是設置在該基板攜入/攜出門510與該翻轉機器41之間。如第8圖所示，藉由打開該基板攜入/攜出門510與該翻轉機器門512，基板W可以用手供給至該翻轉機器41的上方表面，或者在該翻轉機器41上的基板W可以用手從該裝置中取出而不須開啟該維修門508。
即使是在正常操作期間，該基板攜入/攜出門510可以回應中斷處理訊號而開鎖並打開，並且可以藉由電磁鎖安全地且容易地開啟與關閉，該電磁鎖的鎖住/開鎖操作是在操作面板的螢幕上執行。
如同第1圖所顯示，可開啟/可關閉之基板攜入/攜出門514具有與該基板攜入/攜出門510有大約相同的尺寸，並且設置在該腔室的外部壁件中，該腔室儲放該研磨裝置的該清潔區段4的該第一清潔裝置42。該基板攜入/攜出門514可以在偵測到故障後或回應中斷處理訊號而開鎖，並且可以藉由電磁鎖安全地且容易地開啟與關閉，該電磁鎖的鎖住/開鎖操作是在操作面板的螢幕上執行。同樣地，基板攜入/攜出門516是設置在該腔室的外部壁件中，該腔室之內儲放有該第二清潔設備43，基板攜入/攜出門518是設置在該腔室的外部壁件中，該腔室之內儲放有該第三清潔設備44，以及基板攜入/攜出門520是設置在該腔室的外部壁件中，該腔室之內儲放有該第四清潔設備45。
在任何的該清潔設備42至45中的基板可以藉由打開該基板攜入/攜出門514、516、518或520而用手從該裝置中取出，打開該基板攜入/攜出門的方式是在偵測到故障後或回覆中斷處理訊號而經由在操作面板的螢幕上執行開鎖操作。
這個研磨裝置執行基板的平行處理。當執行基板的平行處理時，該基板是在下列路徑上傳送：該前方裝載部份20的該基板盒匣→該傳送機械手22→該翻轉機器31→該舉升器32→該第一線性傳送器5的該第一傳送段TS1→該推送器33→該頂環301A→該研磨台300A→該推送器33→該第一線性傳送器5的該第二傳送段TS2→該推送器34→該頂環301B→該研磨台300B→該推送器34→該第一線性傳送器5的該第三傳送段TS3→該擺動傳送器7→該翻轉機器41→暫時置放位置130→該傳送單元46的該夾定單元461→該第一清潔設備42→該傳送單元46的該夾定單元462→該第二清潔設備43→該傳送單元46的該夾定單元463→該第三清潔設備44→該傳送單元46的該夾定單元464→該第四清潔設備45→該傳送機械手22→該前方裝載部份20的該基板盒匣。
另一個基板是在以下路徑上傳送：該前方裝載部份20的該基板盒匣→該傳送機械手22→該翻轉機器31→該舉升器32→該第一線性傳送器5的該第四傳送段TS4→該擺動傳送器7→該第二線性傳送器6的該第五傳送段TS5→推送器37→該頂環301C→該研磨台300C→該推送器37→該第二線性傳送器6的該第六傳送段TS6→該推送器38→該頂環301D→該研磨台300D→該推送器38→該第二線性傳送器6的該第七傳送段TS7→該擺動傳送器7→該翻轉機器41→該暫時置放位置130→該傳送單元46的該夾定單元461→該第一清潔設備42→該傳送單元46的該夾定單元462→該第二清潔設備43→該傳送單元46的該夾定單元463→該第三清潔設備44→該傳送單元46的該夾定單元464→該第四清潔設備45→該傳送機械手22→該前方裝載部份20的該基板盒匣。
在該研磨裝置中，感測器係設置在設備中以求精確地判定是否該裝置必須因為已經發生在該裝置中的失效而停止。尤其，失效的等級或程度會被判定，以便不會停止該裝置，除非該失效的等級會影響到該裝置的安全操作。此外，藉由使用該感測器判定失效的等級或程度，使得該裝置能夠在進入停止的很早之前停止供給基板進入該裝置，因此避免基板變成有缺陷。
例如，如同第10圖所顯示，在該傳送機械手22中，第一光學微感測器(photo micro sensor)534a和第二光學微感測器534b是設置在空氣汽缸532的兩側上以延長與收縮用以握持基板W的桿530。當具有隔開一距離的光阻擋部份538a和光阻擋部份538b、538c的感測器架536連結該空氣汽缸532而與該桿530一起移動時，該光阻擋部份538a通過該第一光學微感測器534a的內部，而該光阻擋部份538b、538c通過該第二光學微感測器534b的內部。如同第11A圖所顯示，在當該第一光學微感測器534a沒有被該感測器架536的該光阻擋部份538a阻擋且該第二光學微感測器534b被該感測器架536的該光阻擋部份538b阻擋時，偵測到基板W之握持的釋放。如同第11B圖所顯示，在當該第一光學微感測器534a被該感測器架536的該光阻擋部份538a阻擋且該第二光學微感測器534b沒有被該感測器架536的該光阻擋部份538b、538c所阻擋時，偵測到基板W之握持。此外，如同第11c圖所顯示，在當該第一光學微感測器534a被該感測器架536的該光阻擋部份538a阻擋且該第二光學微感測器534b被該感測器架536的該光阻擋部份538c阻擋時，偵測到基板之握持錯誤。
第11B圖所顯示的基板握持之偵測也被用來確定在傳送基板後是否該基板仍維持在該傳送機械手22的手部上。
如同第12圖所顯示，在該研磨區段3的該翻轉機器31中，用於側向滑動一對夾持部份540的一對汽缸542係各設有三個汽缸感測器544a、544b和544c，用以偵測該汽缸542的位置。該汽缸感測器544a藉由該成對的夾持部份540的夾定部份546來偵測基板W的夾持釋放。該汽缸感測器544b藉由該成對的夾持部份540的夾定部份546來偵測基板W的夾持。此外，該汽缸感測器544c藉由該成對的夾持部份540的夾定部份546來偵測該基板W的夾持錯誤。當該基板W是由該成對的夾持部份540的夾定部份546夾持時，該夾持部份540不會移動至它們的完全關閉位置。另一方面，在該夾持部份540夾持該基板W有錯誤的情況下，當該夾持部份540被該汽缸感測器544c感應到時，該夾持部份540移動至它們的完全關閉位置。因此，夾持該基板W的錯誤可以被該汽缸感測器544c偵測到。
以上的架構係與該清潔區段4的該翻轉機器41相同，並且該傳送單元46的該夾定單元461至464具有相似的架構。
如同第13圖所顯示，在該研磨區段3b的該推送器33中，用於舉升桿552的汽缸554的上方底端是耦接至導引台550，並且該汽缸554係設有汽缸感測器556a、556b，用以偵測該汽缸(活塞)554的上方底端是在它的最高位置以及該汽缸(活塞)554的下方底端是在它的最低位置。當發佈命令升高或降低該導引合550經過一段時間後，該汽缸感測器556a、556b沒有偵測到該汽缸(活塞)554時，便判定為操作性故障。
以上的架構是與其它的推送器33、34、37和38相同，並且該舉升器32具有相似的結構。
如同第14圖所顯示，在該第一研磨區段3a的該第一研磨單元30A中，漿液盒562a、562b個別具有漏液感測器560a、560b設置於該第一和第二底板上，並且該漿液盒562a、562b是藉由漿液管564連接。漿液是經過從設置在該第二底板上的該漿液盒562a延伸出來的該漿液供應噴嘴302A供應至該研磨台300A。該漿液盒562a、562b係個別與排放盒566相通以排放空氣，並且用於偵測排放壓力的排放壓力感測器568係附接至該排放盒566。
在該研磨單元30A之下設置有排放盤(drain pan)570，當在上方台與下方台之間的隔間破掉並且漿液的洩漏發生在該上方台之上或者該漿液的洩漏發生在該下方台之上時，該排放盤570接收該洩漏的漿液並且避免該漿液流出。上方第一洩漏液體感測器572a和下方第二洩漏液體感測器572b係設置在同樣的位置但是不同的階層並且設置在該排放盤570中。
該第一研磨區段3a的該第二研磨單元30B具有類似上述該第一研磨單元30A的架構，並且在第14圖中，那些與該第一研磨單元30A相同的該第二研磨單元的構件係給予相同的元件符號。該第二研磨區段3b具有與該第一研磨區段3a相似的架構。
如同第15圖所顯示，該清潔區段4具有複數個(例如顯示的三個)化學功能盒(utility box)580a、580b和580c用於暫時儲存從工廠端化學引入線(factory-side chemical introduction line)進入該研磨裝置所引入的液體化學品，並且具有與該化學功能盒580a、580b和580c個別相通的化學供應盒582a、582b和582c。液體化學品(清潔液體)是從該化學供應盒582a供應至該清潔設備42，液體化學品(清潔液體)是從該化學供應盒582b供應至該清潔設備43，以及液體化學品(清潔液體)是從該化學供應盒582c供應至該清潔設備44。排放壓力感測器586a是設置在排放管584a中用於從該化學供應盒582a與從該清潔設備42排放空氣，排放壓力感測器586b是設置在排放管584b中用於從該化學供應盒582b與從該清潔設備43排放空氣，以及排放壓力感測器586c是設置在排放管584c中用於從該化學供應盒582c與從該清潔設備44排放空氣。
用於接收洩漏化學品的排放盤588是設置在該化學功能盒580a、580b和580c之下。上方第一洩漏液體感測器590a與下方第二洩漏液體感測器590b係設置在相同位置但是不同的階層，並且設置在該排放盤588中。
用於接收洩漏化學品的排放盤592係配置在該翻轉機器41、該清潔設備42、43和該化學供應盒582a、582b之下。設置在同樣位置但是不同階層的上方第一洩漏液體感測器594a和下方第二洩漏液體感測器594b係設置在排放盤592中。此外，用於接收洩漏化學品的排放盤596是設置在該清潔設備44、45和該化學供應盒582c之下。上方第一洩漏液體感測器598a與下方第二洩漏液體感測器598b係設置在相同位置但是不同的階層，並且設置在該排放盤596中。
兩個設置在相同位置但是不同階層的上方和下方洩漏液體感測器也設置於每個該化學功能盒580a、580b和580c以及該化學供應盒582a、582b和582c中。
如同第16圖所顯示，在該第一清潔設備42中，用於側向移動每個滾輪421的汽缸600(參見第3圖和第4圖)係設有用於偵測該汽缸軸的的移動底端的位置之汽缸感測器602a、602b。當基板W被該滾輪421保持時，該汽缸感測器602a會回應，而當該基板W被該滾輪421保持是被釋放時，該汽缸感測器602b會回應。該基板W的保持之錯誤可以因此被偵測到，例如，即使當該汽缸600進行制動以藉由該滾輪421保持該基板W或者當該汽缸的操作沒有在設定時間內完成時，假如該汽缸感測器602a沒有回應，則可因此偵測到該基板W的保持之錯誤。
當該滾輪421如同第4圖所顯示般藉由該伺服馬達422而旋轉時，該伺服馬達422的旋轉速度可被偵測。例如當該伺服馬達422的該旋轉速度變成比設定的旋轉速度還慢時，在該第一清潔設備42中的錯誤之發生可被偵測。
如第7圖所顯示，當該夾定單元461至464所固設的該傳送單元46的該主框架465藉由驅動該伺服馬達466而側向移動時，在該傳送單元46中的錯誤之發生可以藉由獲得該主框架465的真實位置之資料並將該資料的數值與設定值比較而被偵測到。
現將描述藉由感測器偵測到下列故障時的操作。藉由暫時停止該研磨裝置、在該操作面板的銀幕上命令操作處方(recipe)然後開始操作，可以進行操作上的改變。
(1)大量漿液或化學品的洩漏
當顯示在第14圖中設置在配置於第一電鍍(plating)單元30A之下的排放盤570中的兩個洩漏液體感測器572a、572b的上方洩漏液體感測器572a已經回應洩漏的漿液時，例如，因為在該第一研磨單元30A中大量漿液洩漏的嚴重意外，使得整個裝置的操作停止。這對於其它的研磨單元30B、30C和30D也是一樣。同樣地，當顯示在第15圖中設置在該排放盤588、592和596中的該上方洩漏液體感測器590a、594a和598a的至少一個已經回應洩漏的化學品時，因為在該化學供應設施中大量化學品洩漏的嚴重意外，使得整個裝置的操作停止。
(2)小量的漿液或化學品的洩漏
有鑑於該第一研磨單元30A中的小量漿液洩漏之不嚴重但輕微的意外，當顯示在第14圖中設置在配置於該第一電鍍單元30A之下的該排放盤570中的該兩個洩漏液體感測器572a、572b的該下方洩漏液體感測器572b已經回應漿液洩漏時，例如，只有從該前方裝載部份20的該基板盒匣供給新基板至該研磨裝置的操作會停止，而不須停止該整個裝置的操作。尤其，該研磨裝置中現有的基板處理會繼續，而該基板在清潔與乾燥後會回收進入該前方裝載部份20的該基板盒匣。在回收所有該研磨裝置中現有的該基板進入該前方裝載部份20的該基板盒匣後，所有的該研磨裝置的操作會停止並且可以對損壞的設備或部份的該研磨裝置執行修復工作。這對於其它的該研磨單元30A、30B和30D也是一樣。同樣地，有鑑於該第一研磨單元30A中的小量化學品洩漏之輕微的意外，當顯示在第15圖中設置在該排放盤588、592和596中的該下方洩漏液體感測器590b、594b和598b的至少一個已經回應洩漏的化學品時，只有從該前方裝載部份20的該基板盒匣供給新基板至該研磨裝置的操作會停止，而不須停止該整個裝置的操作。在回收所有該研磨裝置中現有的基板後，所有的該研磨裝置的操作會停止並且可以對損壞的設備或部份的該研磨裝置執行修復工作。
(3)排放壓力故障
當顯示在第14圖中的該排放壓力感測器568或是顯示在第15圖中的該排放壓力感測器586a、586b和586c的至少一個偵測到排放壓力低於預設值時，只有從該前方裝載部份20的該基板盒匣供給新基板至該研磨裝置的操作會停止，而不須停止該裝置，在這種程度沒有必要擔心在該裝置中的大氣會洩漏到外面。在回收所有該研磨裝置中現有的基板後，所有的該研磨裝置的操作會停止並且可以對損壞的設備或部份的該研磨裝置執行修復工作。
(4)傳送機械手的失效
當該傳送機械手22發生失效時，如同第17圖中藉由符號“X”所顯示的，從該前方裝載部份20的該基板盒匣供給新基板至該研磨裝置的操作以及回收基板(已經在該清潔區段4中清潔和乾燥)的操作變得難以執行。因此，當感測器偵測到該傳送機械手22的失效時，從該前方裝載部份20的該基板盒匣供給新基板至該研磨裝置的操作會停止，並且該清潔區段4的操作也會停止。另一方面，該第一研磨區段3a、該第二研磨區段3b和該擺動傳送器7的操作會繼續。每一次在該第一研磨區段3a與該第二研磨區段3b中現有的基板係藉由該擺動傳送器7傳送至該清潔區段4的該翻轉機器41，在經由該操作面板的螢幕釋放該基板攜入/攜出門510的電磁鎖後，在該翻轉機器41前的該基板攜入/攜出門510會打開並且該翻轉機器門512也會打開，如同第8圖所顯示，並且在該翻轉機器41上的該基板會經由從該裝置中用手取出而回收。
較佳地是設置例如紅燈和綠燈在該裝置的外部壁件上以及該基板攜入/攜出門510之上。在釋放該鎖的操作後，當該設備是在操作中時，例如，當要被回收的基板還沒有被傳送至該翻轉機器41時，該紅燈會點亮以指示該基板攜入/攜出門510是鎖住的。當準備好打開該基板攜入/攜出門510時，例如，當要回收的基板已經被傳送至該翻轉機器41時，該綠燈會點亮以指示該鎖已經釋放。
因此，藉由該傳送機構將基板傳送至目的地，從而工作人員可以輕鬆地從該目的地取出該基板，即使躺臥在該裝置深處的基板可以在短時間內輕鬆的回收。
在該清潔區段4中，在該清潔設備42至45前面的該基板攜入/攜出門514、516、518和520在釋放該基板攜入/攜出門514、516、518和520的電磁鎖後會打開，並且在該清潔設備42至45中的基板係藉由手從該裝置中取出。
也有可能不須停止該清潔區段4：基板係相繼地在該清潔設備42至44中清潔，然後在具有乾燥功能的該第四清潔設備45中清潔與乾燥，並且接著經由在該第四清潔設備45前面的打開的該基板攜入/攜出門520而從該裝置中取出。
(5)第一研磨區段的失效
當例如該第一研磨區段3a的該翻轉機器31發生失效時，如同第18圖中藉由符號“X”所顯示的，在該第一研磨區段3a中處理基板變得難以執行。因此，當感測器偵測到例如該第一研磨區段3a的該翻轉機器31的失效時，從該前方裝載部份20的該基板盒匣供給新基板至該研磨裝置的操作會停止，並且該第一研磨區段3a的操作也會停止。另一方面，該第二研磨區段3b、該擺動傳送器7與該清潔區段4的操作會繼續。因此，躺臥在該研磨裝置中以及該第一研磨區段3a外部的基板會相繼地在該清潔區段4的該清潔設備42至45中清潔與乾燥並且回收進入該前方裝載部份20的該基板盒匣。
在完成回收該基板後，該第一研磨區段3a的維修門500、502在經由該操作面板的螢幕釋放該維修門500、502的電磁鎖後會打開，並且工作人員可經由該打開的維修門500、502進入該第一研磨區段3a並回收該第一研磨區段3a中現有的基板。使用電磁鎖可以避免工作人員在正常操作期間意外打開該裝置的門的風險，以及當在偵測到故障後確定安全無虞而可以快速打開該門以從該裝置回收基板。
在研磨中或研磨前以及從該第一研磨區段3a回收的基板，可以下列方式處理：如第19圖所顯示，在釋放該基板攜入/攜出門510的電磁鎖後，在該翻轉機器41前面的該基板攜入/攜出門510會打開，並且如同第8圖所顯示，該翻轉機器的門512也會打開，而該基板藉由手放置在該翻轉機器41上。然後，在關閉該翻轉機器的門512和該基板攜入/攜出門510後，該清潔區段4會操作成將在該翻轉機器41上的該基板傳送至該清潔設備42至45，在該清潔設備42至45裡該基板會被清潔和乾燥，並且該乾燥基板會回收進入該前方裝載部份20的該基板盒匣。
在設有複數個研磨裝置的情況下，已經在研磨中或研磨之前以及是從該第一研磨區段3a回收的基板可以在處於正常操作中的另一個研磨裝置的清潔區段中清潔。
在清潔之前以及已經因為裝置失效而從例如本發明的研磨裝置的該研磨區段回收之基板可以因此避免被留置一段長時間而沒有被清潔。
(6)擺動傳送器的失效
當該擺動傳送器7發生失效時，如同第20圖中藉由符號“X”所顯示的，要在該第一研磨區段3a的該第一線性傳送器5與該清潔區段4的該翻轉機器41之間傳送基板、以及在該第二研磨區段3b的該第二線性傳送器6與該清潔區段4的該翻轉機器41之間傳送基板變得難以執行。因此，當感測器偵測到該擺動傳送器7的失效時，從該前方裝載部份20的該基板盒匣供給新基板至該研磨裝置的操作會停止，並且該第一研磨區段3a和該第二研磨區段3b的操作也會停止。另一方面，該清潔區段4的操作會繼續，使得躺臥在該清潔區段4中的基板會相繼地在該清潔設備42至45中清潔與乾燥，並且乾燥後的基板會回收進入該前方裝載部份20的該基板盒匣。
在完成回收該基板後，並且在經由該操作面板的螢幕釋放維修門500、502、504和506的電磁鎖後，環繞該第一研磨區段3a和該第二研磨區段3b的該維修門500、502、504和506會打開，並且工作人員會經由打開後的維修門500、502、504和506進入該第一研磨區段3a和該第二研磨區段3b，並且從該第一研磨區段3a和該第二研磨區段3b回收基板。
以如上述的相同方式，如同第19圖所顯示，在研磨中或研磨前以及從該第一研磨區段3a和該第二研磨區段3b回收的基板是置放在該翻轉機器41上、在該清潔設備42至45中清潔與乾燥、以及回收進入該前方裝載部份20的該基板盒匣。
(7)第二研磨區段的失效
如同第21圖中藉由符號“X”所顯示的，當例如該線性傳送器6或該第二研磨區段3b的該推送器38發生失效時，在該第二研磨區段3b中的基板處理會變得難以執行。因此，當感測器偵測到例如該線性傳送器6或該第二研磨區段3b的該推送器38的失效時，從該前方裝載部份20的該基板盒匣供給新基板至該研磨裝置的操作會停止，並且該第二研磨區段3b的操作也會停止。另一方面，該第一研磨區段3a、該擺動傳送器7和該清潔區段4的操作會繼續。所以，躺臥在該研磨裝置中以及在該第二研磨區段3b外部的基板會相繼地在該清潔區段4的該清潔設備42至45中清潔與乾燥，並且回收進入該前方裝載部份20的該基板盒匣。
在完成回收該基板後，在經由操作面板的螢幕釋放維修門504、506的電磁鎖後，環繞該第二研磨區段3b的該維修門504、506會打開，並且工作人員會經由打開後的維修門504、506進入該第二研磨區段3b，並且從該第二研磨區段3b回收基板。
以如上述的相同方式，如同第19圖所顯示，在研磨中或研磨前以及從該第二研磨區段3b回收的基板是置放在該翻轉機器41上、在該清潔設備42至45中清潔與乾燥、以及回收進入該前方裝載部份20的該基板盒匣。
(8)清潔區段的翻轉機器的失效
如同第22圖中藉由符號“X”所顯示的，當該清潔區段4的該翻轉機器41發生失效時，變得難以翻轉已經在該第一研磨區段3a中與該第二研磨區段3b中研磨過的基板以及傳送該基板至該清潔區段4的該傳送單元46。因此，當感測器偵測到該清潔區段4的該翻轉機器41的失效時，從該前方裝載部份20的該基板盒匣供給新基板至該研磨裝置的操作會停止，並且該第一研磨區段3a與該第二研磨區段3b的操作也會停止。另一方面，該清潔區段4的操作會繼續，使得躺臥在該清潔區段4中的基板會相繼地在該清潔設備42至45中清潔與乾燥，並且乾燥後的基板會回收進入該前方裝載部份20的該基板盒匣。
在完成回收該基板後，在經由操作面板的螢幕釋放維修門500、502、504和506的電磁鎖後，環繞該第一研磨區段3a和該第二研磨區段3b的該維修門500、502、504和506會打開，並且工作人員會經由打開後的維修門500、502、504和506進入該第一研磨區段3a與該第二研磨區段3b，並且從該該第一研磨區段3a與該第二研磨區段3b回收基板。
以如上述的相同方式，如同第19圖所顯示，在研磨中或研磨前以及從該第一研磨區段3a與該第二研磨區段3b回收的基板是置放在該翻轉機器41上、在該清潔設備42至45中清潔與乾燥、以及回收進入該前方裝載部份20的該基板盒匣。
(9)第四清潔單元或傳送單元的失效
如同第23圖中藉由符號“X”所顯示的，當例如該清潔區段4中具有乾燥功能的該第四清潔設備45發生失效時，要回收乾燥的基板變得難以做到。因此，當感測器偵測到例如具有乾燥功能的該第四清潔設備45的失效時，從該前方裝載部份20的該基板盒匣供給新基板至該研磨裝置的操作會停止，並且該清潔區段4的操作也會停止。另一方面，該第一研磨區段3a、該第二研磨區段3b和該擺動傳送器7的操作會繼續，每當該第一研磨區段3a或該第二研磨區段3b中現有的基板藉由該擺動傳送器7傳送至該清潔區段4的該翻轉機器41時，在經由操作面板的銀幕釋放該基板攜入/攜出門510的電磁鎖後，在該翻轉機器41前的該基板攜入/攜出門510會打開並且該翻轉機器門512也會打開，如同第8圖所顯示，並且在該翻轉機器41上的該基板會從該裝置中用手取出。
如同上述，較佳地是設置例如紅燈和綠燈在該裝置的外部壁件上以及該基板攜入/攜出門510之上。在釋放該鎖的操作後，當該設備是在操作中時，例如，當要被回收的基板還沒有被傳送至該翻轉機器41時，該紅燈會點亮以指示該基板攜入/攜出門510是鎖住的。當準備好打開該基板攜入/攜出門510時，例如，當要被回收的基板已經被傳送至該翻轉機器41時，該綠燈會點亮以指示該鎖已經釋放。
在該清潔區段4中，在該清潔設備42至45前面的該基板攜入/攜出門514、516、518和520在釋放該基板攜入/攜出門514、516、518和520的電磁鎖後會打開，並且在該清潔設備42至45中的基板會藉由手從該裝置中取出。或者，基板可以從該清潔設備42至45回復至該翻轉機器41，並且該基板在打開該基板攜入/攜出門510及該翻轉機器門512之後會從該裝置中取出。
在這個情況下，研磨過後所回收之基板是個別放置在另一個研磨裝置的翻轉機器上(其中清潔區段是在正常操作中)，並且是在該清潔區段中清潔與乾燥以及回復至該另一個研磨裝置的前方裝載區段的基板盒匣。
同樣地，當感測器偵測到該清潔區段4的該傳送單元46的失效時，該第一研磨區段3a和該第二研磨區段3b中現有的基板是相繼地傳送至該翻轉機器41並且用手從該裝置中取出。
躺臥在該清潔區段4的該清潔設備42至45中的基板經由已經打開的該基板攜入/攜出門514、516、518和520而用手從該裝置中取出。
(10)清潔區段的清潔裝置的失效
如同第24圖中藉由符號“X”所顯示的，當該清潔區段4的該第一清潔設備42發生失效時，在該第一清潔設備42中的基板清潔變得難以執行。因此，當感測器偵測到該第一清潔設備42的失效時，只有該第一清潔設備42的操作會停止。如同第5圖所顯示，即使當該第一清潔設備42的操作停止時，該第一清潔設備42的該滾輪421可以作用為支架並且基板可以被支持在該滾輪421上。這使得能夠繼續相繼地傳送基板，同時略過錯誤的第一清潔設備42以在正常的清潔設備43至45中清潔該基板，並且將該基板回收進入該前方裝載部份20的該基板盒匣。
在基板存在於該第一清潔單元42中以及該基板妨礙其它基板的傳送之情況下，在該第一清潔設備42前面的該基板攜入/攜出門514會打開，並且在該第一清潔設備42中的該基板會從該裝置中取出。
現在將參照第19圖敘述處於正常操作之基板處理裝置中的中斷處理。假設顯示在第19圖中的該研磨裝置(基板處理裝置)是處於正常操作中，並且失效已經發生在未顯示的另一個研磨裝置(基板處理裝置)中，而且一些在清潔之前的基板已經從失效的基板處理裝置回收。中斷處理命令係從處於正常操作中的該研磨設備(基板處理裝置)的操作面板輸入，同時，藉由中斷處理所將要處理的基板數目以及該基板在處理後會被回收的特定場所(前方裝載部份20)會予以指定。在輸入該中斷處理命令後，該基板攜入/攜出門510可以藉由電磁鎖而安全地且容易地打開和關閉，該電磁鎖的鎖住/打開操作是在該操作面板的螢幕上執行。
回應該中斷處理命令，該研磨裝置停止從該第一研磨區段3a和該第二研磨區段3b傳送基板至該清潔區段4。如同第8圖所顯示，在釋放該基板攜入/攜出門510的電磁鎖後，在該翻轉機器41前面的該基板攜入/攜出門510接著會打開，並且該翻轉機器門512也會打開，以及在從錯誤的基板處理裝置回收的基板被清潔之前，該基板是用手放置到該清潔區段4的該翻轉機器41上。然後，在關閉該翻轉機器門512和該基板攜入/攜出門510後，該清潔區段4係操作成將在該翻轉機器41上的該基板傳送至該基板被清潔與乾燥的該清潔設備42至45，並且該基板會回收至已經在該操作面板上指定的該前方裝載部份20的該基板盒匣。
較佳地係設置例如紅燈和綠燈於該裝置的外部壁件上以及在該基板攜入/攜出門510之上。在釋放該鎖的操作後，當還沒有準備好攜入基板，例如，當該設備是在操作中或者當基板維持在該翻轉機器41上時，該紅燈會點亮以指示該基板攜入/攜出門510是鎖住的。當準備好攜入基板時，該綠燈會點亮以指示該鎖被釋放。
在完成只有在該清潔區段4中的指定數量的基板之處理後，便開始在該第一研磨區段3a和該第二研磨區段3b中傳送基板。
藉由處於正常操作中的另一基板處理裝置的清潔區段中清潔基板(從錯誤之基板處理裝置回收者)，可以滿足在清潔之前(在裝置失效之後，躺臥在基板處理裝置中者)盡速清潔基板的需求。
也有可能藉由清空基板的傳送並同時繼續該設備的操作而停止從該研磨區段3a、3b傳送基板至該清潔區段4，例如藉由將該裝置操作成像是傳送基板，但是事實上卻沒有傳送基板。同時在這個情況下，例如紅燈和綠燈可以設置在該裝置的外部壁件上以及在該基板攜入/攜出門510之上，如同先前所述。當沒有基板送來要傳送至該翻轉機器41之上時，該綠燈會點亮，並且當該綠燈點亮時，該基板攜入/攜出門510以及該翻轉機器門512會打開，以及在清潔前從錯誤的基板處理裝置回收的基板會用手放置在該清潔區段4的該翻轉機器41上，而該基板可以在該清潔區段4中清潔。
藉由在該清潔區段4中如此處理基板(從錯誤的基板處理裝置回收者)，同時依照上述的方式繼續本發明的研磨裝置的操作，在處理過程中的基板可以避免留存在該裝置中太長的時間而不利地影響該基板。
雖然以上的敘述說明了該研磨裝置，但是本發明並不限於研磨裝置，而是可應用在其它形式的基板處理裝置。
雖然本發明已經參照之前的實施例加以敘述，但是相關技術領域中具有通常知識者會瞭解本發明並不限於上述的特定實施例，反而是意圖涵蓋在本發明概念裡的修改例。
1．．．外殼
1a、1b、1c．．．分隔壁件
2．．．裝載/卸載區段
3．．．研磨區段
3a．．．第一研磨區段
3b．．．第二研磨區段
4．．．清潔區段
5．．．第一線性傳送器
6．．．第二線性傳送器
7．．．擺動傳送器
8．．．膜厚度測量設備
10、12、13．．．擋門
20．．．前方裝載部份
21．．．移動機構
22．．．傳送機械手
30A．．．第一研磨單元
30B．．．第二研磨單元
30C．．．第三研磨單元
30D．．．第四研磨單元
31、41．．．翻轉機器
32．．．舉升器
33、34、37、38．．．推送器
42．．．第一清潔設備
43．．．第二清潔設備
44．．．第三清潔設備
45．．．第四清潔設備
46．．．傳送單元
48、49、50、51、52．．．可開啟/可關閉之擋門
130．．．暫時置放位置
300A、300B、300C、300D．．．研磨台
301A、301B、301C、301D．．．頂環
302A、302B、302C、302D．．．漿液供應噴嘴
303A、303B、303C、303D．．．上漿器
304A、304B、304C、304D．．．噴霧器
421、421a．．．滾輪
422、466．．．伺服馬達
441、451．．．基板平台
461、462、463、464．．．夾定單元
465．．．主框架
467．．．滾珠螺桿
468．．．方塊
471a、471b、472a、472b．．．手臂
500、502、504、506、508．．．維修門
510、514、516、518、520．．．基板攜入/攜出門
512．．．翻轉機器門
530、552．．．桿
532．．．空氣汽缸
534a．．．第一光學微感測器
534b．．．第二光學微感測器
536．．．感測器架
538a、538b、538c．．．光阻擋部份
540．．．夾持部份
542、554、600．．．汽缸
544a、544b、544c、556a、556b、602a、602b．．．汽缸感測器
546．．．夾定部份
550．．．導引台
560a、560b．．．漏液感測器
562a、562b．．．漿液盒
564．．．漿液管
566．．．排放盒
568．．．排放壓力感測器
570、588、592、596．．．排放盤
572a、590a、594a、598a．．．上方第一洩漏液體感測器
572b、590b、594b、598b‧‧‧下方第二洩漏液體感測器
580a、580b、580c‧‧‧化學功能盒
582a、582b、582c‧‧‧化學供應盒
584a、584b、584c‧‧‧排放管
586a、586b、586c‧‧‧排放壓力感測器
TP1‧‧‧第一傳送位置
TP2‧‧‧第二傳送位置
TP3‧‧‧第三傳送位置
TP4‧‧‧第四傳送位置
TP5‧‧‧第五傳送位置
TP6‧‧‧第六傳送位置
TP7‧‧‧第七傳送位置
W‧‧‧基板
第1圖是依據本發明的實施例所顯示的基板處理裝置(研磨裝置)的整體架構之平面圖；
第2圖是顯示於第1圖中的該基板處理裝置之示意透視圖；
第3圖是顯示於第1圖中的該基板處理裝置的清潔區段之示意平面圖；
第4圖是顯示於第3圖中於該清潔區段中所設置的第一清潔設備的示意透視圖；
第5圖是顯示於第3圖中的該清潔區段的該第一清潔設備中的基板與滾輪之間的關係之剖面圖；
第6圖顯示在傳統清潔設備中基板與滾輪之間的關係之剖面圖；
第7圖是顯示在第3圖中在該清潔區段中所設置的傳送單元之示意透視圖；
第8圖是設置在該清潔區段中在翻轉機器(reversing machine)前面的維修門之前視圖；
第9圖是設置在該清潔區段中在該翻轉機器前面的維修門之透視圖；
第10圖係顯示設置於該基板處理裝置的裝載(loading)/卸載(unload)區段中的傳送機械手連同感測器之示意平面圖；
第11A至11C圖係顯示設置在由第10圖中所顯示的該傳送機械手的感測器和感測器架(jig)之間的關係，第11A圖說明該傳送機械手釋放握持基板時之關係，第11B圖說明該傳送機械手握持基板時之關係以及第11C圖說明握持基板失效時之關係；
第12圖係顯示設置在該基板處理裝置的研磨區段中的翻轉機器連同感測器的示意圖；
第13圖係顯示設置於該研磨區段中的推送器連同感測器之示意圖；
第14圖係說明設置於該基板處理裝置的第一研磨區段中的排氣壓力感測器和漏液感測器之圖示；
第15圖係說明設置於該清潔區段中的排氣壓力感測器和漏液感測器；
第16圖係顯示第一清潔設備連同感測器的示意圖；
第17圖係說明當在該裝載/卸載區段中的該傳送機械手發生失效時，該基板的流向之圖示；
第18圖係說明當在該第一研磨區段中的翻轉機器發生失效時，該基板的流向之圖示；
第19圖係說明當該基板是從該裝置外部引進並在該清潔區段中清潔時，基板的流向之圖示；
第20圖係說明當擺動傳送器發生失效時，基板的流向之圖示；
第21圖係說明當在該基板處理裝置的第二清潔區段中的線性傳送器或推送器發生失效時，基板的流向之圖示；
第22圖係說明當在該清潔區段中的該翻轉機器發生失效時，基板的流向之圖示；
第23圖係說明當在該清潔區段中具有乾燥功能的第四清潔設備發生失效時，基板的流向之圖示；以及
第24圖係說明在該清潔區段中的第一清潔設備發生失效時，基板的流向之圖示。
1．．．外殼
1a、1b、1c．．．分隔壁件
2．．．裝載/卸載區段
3．．．研磨區段
3a．．．第一研磨區段
3b．．．第二研磨區段
4．．．清潔區段
5．．．第一線性傳送器
6．．．第二線性傳送器
7．．．擺動傳送器
8．．．膜厚度測量設備
10、12、13．．．擋門
20．．．前方裝載部份
21．．．移動機構
22．．．傳送機械手
30A．．．第一研磨單元
30B．．．第二研磨單元
30C．．．第三研磨單元
30D．．．第四研磨單元
31、41．．．翻轉機器
32．．．舉升器
33、34、37、38．．．推送器
42．．．第一清潔設備
43．．．第二清潔設備
44．．．第三清潔設備
45．．．第四清潔設備
46．．．傳送單元
48、49、50、51、52．．．可開啟/可關閉之擋門
130．．．暫時置放位置
300A、300B、300C、300D．．．研磨台
301A、301B、301C、301D．．．頂環
302A、302B、302C、302D．．．漿液供應噴嘴
303A、303B、303C、303D．．．上漿器
304A、304B、304C、304D．．．噴霧器
500、502、504、506、508．．．維修門
510、514、516、518、520．．．基板攜入/攜出門
TP1．．．第一傳送位置
TP2．．．第二傳送位置
TP3．．．第三傳送位置
TP4．．．第四傳送位置
TP5．．．第五傳送位置
TP6．．．第六傳送位置
TP7．．．第七傳送位置

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置的操作方法，該基板處理裝置具有研磨區段、清潔區段和傳送機構，該方法包括：一旦在任何的該研磨區段、該清潔區段和該傳送機構中偵測到故障，便依據該故障的地點和該基板在該基板處理裝置中的位置將該基板分類；以及在偵測到該故障之後對每個該基板執行操作，該操作依據該基板之分類而變化。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，在偵測到該故障之後對每個基板執行的該操作是(1)開始該處理之前的該基板之處理；(i)接續處理的操作或(ii)停止繼續處理的操作；或(2)針對在該處理中的該基板：(i)停止處理的操作、(ii)繼續處理的操作、(iii)傳送該基板至處理區段或該傳送機構的操作、或(iv)清潔在該清潔區段中的該基板，然後將該基板從該基板研磨裝置中退出的操作。
  3. 一種具有複數個清潔設備的基板處理裝置的操作方法，該方法包括：一旦在該清潔設備中偵測到故障，便停止在該清潔設備中的清潔，並且當基板出現在該清潔設備中時，便將該基板從該清潔設備裡取出；以及在其它正常操作之清潔設備中將基板予以清潔，並且在清潔後從該基板處理裝置退出該基板。
  4. 一種具有研磨區段、清潔區段和傳送機構的基板處理裝 置的操作方法，該方法包括：在任何的該研磨區段、該清潔區段和該傳送機構中，一旦偵測到故障便停止對基板的操作；以及將該基板從該基板處理裝置退出，而在其它的基板處理裝置的清潔區段中清潔該基板，其中，該清潔區段是處於正常操作。
  5. 一種具有研磨區段、清潔區段和傳送機構的基板處理裝置的操作方法，該方法包括：回應中斷處理信號，停止從該研磨區段傳送基板至該清潔區段，並且從該基板處理裝置外部攜帶基板進入該清潔區段；以及在該清潔區段中清潔該基板。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中，停止從該研磨區段傳送基板至該清潔區段是經由淨空基板的傳送而達成。
  7. 一種處理基板的裝置，包括：第一處理區段，執行基板的第一處理；第二處理區段，執行該基板的第二處理；傳送機構，傳送該基板；以及門，在該裝置的正常操作期間是鎖住的，並且在偵測到該裝置中有故障發生時，該門可以開鎖並打開，以在該第一處理之前或之後從該裝置回收該基板，並且供給該基板至該裝置以執行該基板的該第二處理。
  8. 如申請專利範圍第7項之處理基板的裝置，其中，該門 包括維修門或基板攜入/攜出門，並且即使是在該裝置的正常操作期間，該基板攜入/攜出門可以回應中斷處理信號而開鎖並打開。
  9. 如申請專利範圍第7項之處理基板的裝置，其中，該第一處理區段是研磨區段，而該第二處理區段是清潔區段。
  10. 如申請專利範圍第8項之處理基板的裝置，其中，該第一處理區段是研磨區段，而該第二處理區段是清潔區段。
  11. 如申請專利範圍第7項之處理基板的裝置，其中，該門是經由電磁鎖而鎖住/開鎖。
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Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5473736B2 (ja) * 2010-04-07 2014-04-16 株式会社ディスコ 研削装置の運転方法
US9530676B2 (en) * 2011-06-01 2016-12-27 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate transfer method and substrate transfer device
JP5459279B2 (ja) * 2011-09-02 2014-04-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP6093328B2 (ja) * 2013-06-13 2017-03-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6101175B2 (ja) 2013-08-28 2017-03-22 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 半導体ウェーハの研磨方法
TWI645446B (zh) * 2014-01-07 2018-12-21 荏原製作所股份有限公司 基板處理裝置之控制裝置、基板處理裝置及顯示控制裝置
JP6250406B2 (ja) * 2014-01-15 2017-12-20 株式会社荏原製作所 基板処理装置の異常検出装置、及び基板処理装置
JP6159282B2 (ja) 2014-03-27 2017-07-05 株式会社荏原製作所 基板処理装置、および基板処理装置の配管洗浄方法
JP6259698B2 (ja) 2014-03-28 2018-01-10 株式会社荏原製作所 基板処理方法
JP2015201598A (ja) * 2014-04-10 2015-11-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置
CN105529284A (zh) * 2014-09-29 2016-04-27 盛美半导体设备（上海）有限公司 一种抛光及清洗晶圆的半导体设备及方法
CN105807732B (zh) * 2014-12-31 2018-11-06 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺控制方法及半导体工艺控制系统
JP6294256B2 (ja) * 2015-03-26 2018-03-14 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN107443174B (zh) * 2016-05-31 2019-06-07 无锡华润上华科技有限公司 利用研磨机台研磨异常晶圆片的方法
JP6727044B2 (ja) * 2016-06-30 2020-07-22 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP6878056B2 (ja) 2017-03-14 2021-05-26 株式会社荏原製作所 めっき方法
CN108857858A (zh) * 2017-05-15 2018-11-23 株式会社荏原制作所 清洗基板的背面的装置和方法、背面清洗装置和基板处理装置
JP7158877B2 (ja) * 2018-03-29 2022-10-24 日本電産サンキョー株式会社 産業用ロボットおよび産業用ロボットの制御方法
CN108422323A (zh) * 2018-03-30 2018-08-21 上海华力微电子有限公司 一种改善铜研磨机台报警造成制品报废的装置及方法
WO2020003995A1 (ja) * 2018-06-26 2020-01-02 東京エレクトロン株式会社 加工装置、加工方法及びコンピュータ記憶媒体
JP7289596B2 (ja) * 2019-05-28 2023-06-12 株式会社ディスコ 加工装置及び加工方法
JP7303678B2 (ja) 2019-07-08 2023-07-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP7224265B2 (ja) * 2019-09-18 2023-02-17 株式会社荏原製作所 機械学習装置、基板処理装置、学習済みモデル、機械学習方法、機械学習プログラム
JP7394821B2 (ja) * 2020-06-30 2023-12-08 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP7491805B2 (ja) 2020-10-05 2024-05-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置および基板洗浄方法
US20220111485A1 (en) * 2020-10-08 2022-04-14 Kctech Co., Ltd. Substrate processing system
KR102565731B1 (ko) * 2020-11-16 2023-08-17 (주)에스티아이 포드 세정챔버
USD973116S1 (en) * 2020-11-17 2022-12-20 Applied Materials, Inc. Mainframe of substrate processing system
USD973737S1 (en) 2020-11-17 2022-12-27 Applied Materials, Inc. Mainframe of substrate processing system
WO2022201831A1 (ja) * 2021-03-25 2022-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液キャビネットの排気制御方法および基板処理装置
JP6952920B1 (ja) * 2021-04-20 2021-10-27 株式会社ブイテックス デュアルゲートバルブ
CN114178971A (zh) * 2021-12-16 2022-03-15 北京烁科精微电子装备有限公司 一种抛光模组故障处理方法、装置及抛光设备
USD1029066S1 (en) * 2022-03-11 2024-05-28 Applied Materials, Inc. Mainframe of dual-robot substrate processing system

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6293846B1 (en) * 1997-06-17 2001-09-25 Ebara Corporation Polishing apparatus
US20020186368A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-12 Eliezer Rosengaus Systems and methods for inspection of specimen surfaces
US20030236057A1 (en) * 2002-06-19 2003-12-25 Tokyo Seimitsu Co. Ltd. Polishing apparatus and method, and wafer evacuation program
US20040033761A1 (en) * 1999-09-28 2004-02-19 Koji Ono Polishing apparatus
WO2006009304A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Ebara Corporation Polishing apparatus and substrate processing method

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4687542A (en) * 1985-10-24 1987-08-18 Texas Instruments Incorporated Vacuum processing system
US4822450A (en) * 1987-07-16 1989-04-18 Texas Instruments Incorporated Processing apparatus and method
US5248636A (en) * 1987-07-16 1993-09-28 Texas Instruments Incorporated Processing method using both a remotely generated plasma and an in-situ plasma with UV irradiation
US5138973A (en) * 1987-07-16 1992-08-18 Texas Instruments Incorporated Wafer processing apparatus having independently controllable energy sources
US4916091A (en) * 1987-11-05 1990-04-10 Texas Instruments Incorporated Plasma and plasma UV deposition of SiO2
DE3806189A1 (de) * 1988-02-26 1989-09-07 Schunk Metall & Kunststoff Verriegelungsvorrichtung
US4875989A (en) * 1988-12-05 1989-10-24 Texas Instruments Incorporated Wafer processing apparatus
JP2908926B2 (ja) 1992-01-14 1999-06-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置の基板搬送制御装置
JP3471071B2 (ja) * 1994-04-12 2003-11-25 株式会社荏原製作所 回転機械の軸受潤滑装置
JP3494765B2 (ja) * 1994-08-01 2004-02-09 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置およびその制御方法
US5887602A (en) 1995-07-31 1999-03-30 Tokyo Electron Limited Cleaning machine and method of controlling the same
US5885134A (en) 1996-04-18 1999-03-23 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP3683345B2 (ja) * 1996-06-14 2005-08-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板搬入搬出装置
JPH10135095A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Kokusai Electric Co Ltd 半導体処理装置における独立運用方法
DE29704386U1 (de) * 1997-03-11 1997-04-24 Skf Gmbh Vierreihiges Kegelrollenlager, insbesondere für Arbeitswalzen von Walzgerüsten
JP4127346B2 (ja) * 1999-08-20 2008-07-30 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置及び方法
JP2001153144A (ja) * 1999-09-13 2001-06-08 Nsk Ltd アンギュラ型玉軸受
JP2001189368A (ja) * 1999-10-19 2001-07-10 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP4569956B2 (ja) * 2005-01-24 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の復旧処理方法，基板処理装置，プログラム
WO2007099976A1 (ja) 2006-02-22 2007-09-07 Ebara Corporation 基板処理装置、基板搬送装置、基板把持装置、および薬液処理装置
JP4900904B2 (ja) * 2006-02-28 2012-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理条件変更方法及び記憶媒体
JP2007301690A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Nikon Corp 研磨装置
US7896602B2 (en) * 2006-06-09 2011-03-01 Lutz Rebstock Workpiece stocker with circular configuration
JP5422143B2 (ja) * 2008-06-04 2014-02-19 株式会社荏原製作所 基板把持機構

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6293846B1 (en) * 1997-06-17 2001-09-25 Ebara Corporation Polishing apparatus
US20040033761A1 (en) * 1999-09-28 2004-02-19 Koji Ono Polishing apparatus
US20020186368A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-12 Eliezer Rosengaus Systems and methods for inspection of specimen surfaces
US20030236057A1 (en) * 2002-06-19 2003-12-25 Tokyo Seimitsu Co. Ltd. Polishing apparatus and method, and wafer evacuation program
WO2006009304A1 (en) * 2004-07-22 2006-01-26 Ebara Corporation Polishing apparatus and substrate processing method

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