JP4900904B2 - 基板処理装置、基板処理条件変更方法及び記憶媒体 - Google Patents

基板処理装置、基板処理条件変更方法及び記憶媒体 Download PDF

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Description

本発明は、基板処理装置、基板処理条件変更方法及び記憶媒体に関し、特に、基板の処理条件を変更する基板処理装置、基板処理条件変更方法及び記憶媒体に関する。
基板としてのウエハに所定の処理、例えば、プラズマ処理を施す基板処理装置は、通常、１枚のウエハを処理する間において、このウエハに施すプラズマ処理の処理条件を変更することがない。また、基板処理装置が実行するプラズマ処理の処理条件はプロセス・レシピ（以下、単に「レシピ」という。）と呼ばれ、レシピは基板処理装置に接続されたサーバ等に保存される。
基板処理装置は、処理室内において各ウエハにプラズマ処理を施すプロセスユニットと、１ロットに相当する複数のウエハを収容する容器からウエハを取り出し搬送するローダーユニットと、ローダーユニット及びプロセスユニット間のウエハの受け渡しを行うロード・ロックユニットとを備える。
この基板処理装置は、ウエハに、例えばプラズマ処理を施す場合において、該処理を施すプロセスユニットに故障やプロセス異常等の何らかの異常（エラー）が発生したことによって当該ウエハに対する処理を中止したときに、このウエハ（以下、「未完了ウエハ」という。）の残りの処理条件から残処理レシピを作成し、該残処理レシピに基づいて未完了ウエハに対して処理を再実行していた（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−３１９９６１号公報
しかしながら、従来の基板処理装置では、上述したようにウエハに対する処理を中止した時点での未完了ウエハの残りの処理条件から残処理レシピを作成していたので、処理を中止するに至った状況によっては、当該残処理レシピに基づいて当該未完了ウエハに対して処理を再実行できない場合があり、この場合、当該未完了ウエハを処理室内から取り出す必要があった。
本発明の目的は、処理が中止された基板を処理室内から取り出すことなく処理が中止された基板に対して最適な処理を再実行することができる基板処理装置、基板処理条件変更方法及び記憶媒体を提供することにある。
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理装置は、基板に対して所定の加工処理を実行する基板処理ユニットと、前記所定の加工処理の処理条件を設定する設定部と、前記処理条件に基づく前記基板処理ユニットでの前記基板の加工処理の実行中における前記基板処理ユニットの異常を検知する検知部と、前記検知部により異常が検知されたときに前記基板処理ユニットの前記基板の加工処理を中止する中止部とを備える基板処理装置であって、前記基板を前記基板処理ユニットから取り出すことなく前記検知部によって検知された異常に対応した加工処理を前記基板に実行させるために、前記中止部によって処理が中止された基板の前記処理条件を変更する変更部を備えることを特徴とする。
請求項２記載の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理装置において、前記変更部は、操作者による前記処理条件に対する修正入力があったときに前記修正入力に応じて前記処理条件を修正することにより前記処理条件の変更を行い、操作者による前記処理条件に対する修正入力がないときは前記処理条件の変更を行わないことを特徴とする。
請求項３記載の基板処理装置は、請求項１又は２記載の基板処理装置において、前記処理条件は複数の処理単位を含み、前記変更部は、操作者により前記複数の処理単位の中から再実行が指定された処理単位があるときは前記指定された処理単位を実行するように前記処理条件の変更を行い、操作者により前記複数の処理単位の中から再実行が指定された処理単位がないときは前記処理条件の変更を行わないことを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項４記載の基板処理条件変更方法は、基板に対して所定の加工処理を実行する基板処理ユニットにおける処理条件を設定する設定ステップと、前記処理条件に基づく前記基板処理ユニットの前記基板の加工処理の実行中における前記基板処理ユニットの異常を検知する検知ステップと、前記検知ステップにより異常が検知されたときに前記基板処理ユニットの前記基板の加工処理を中止する中止ステップとを有する基板処理条件変更方法であって、前記基板を前記基板処理ユニットから取り出すことなく前記検知ステップによって検知された異常発生に対応した加工処理を前記基板に実行させるために、前記中止ステップによって処理が中止された基板の前記処理条件を変更する変更ステップを有することを特徴とする。
請求項５記載の基板処理条件変更方法は、請求項４記載の基板処理条件変更方法において、前記変更ステップは、操作者による前記処理条件に対する修正入力があったときに前記修正入力に応じて前記処理条件を修正することにより前記処理条件の変更を実行し、操作者による前記処理条件に対する修正入力がないときは前記処理条件の変更を行わないことを特徴とする。
請求項６記載の基板処理条件変更方法は、請求項４又は５記載の基板処理条件変更方法において、前記処理条件は複数の処理単位を含み、前記変更ステップでは、操作者により前記複数の処理単位の中から再実行が指定された処理単位があるときは前記指定された処理単位を実行するように前記処理条件の変更を行い、操作者により前記複数のステップの中から再実行が指定された処理単位がないときは前記処理条件の変更を行わないことを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項７記載の記憶媒体は、基板処理装置が備えるコンピュータに基板処理条件変更方法を実行させるためのプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記基板処理条件変更方法は、基板に対して所定の加工処理を実行する基板処理ユニットにおける処理条件を設定する設定ステップと、前記処理条件に基づく前記基板処理ユニットの前記基板の加工処理の実行中における前記基板処理ユニットの異常を検知する検知ステップと、前記検知ステップにより異常が検知されたときに前記基板処理ユニットの前記基板の加工処理を中止する中止ステップと、前記基板を前記基板処理ユニットから取り出すことなく前記検知ステップにより検知された異常に対応した加工処理を前記基板に実行させるために、前記中止ステップによって処理が中止された基板の前記処理条件を変更する変更ステップとを有することを特徴とする。
請求項１記載の基板処理装置、請求項４記載の基板処理条件変更方法及び請求項７記載の記憶媒体によれば、処理が中止された基板の処理条件を変更するので、当該処理が中止されるに至った状況に基づいて当該処理が中止された基板に対する処理条件を任意に変更することができ、もって、処理が中止された基板を処理室内から取り出すことなく処理が中止された基板に対して最適な処理を再実行することができる。
請求項２記載の基板処理装置及び請求項５記載の基板処理条件変更方法によれば、修正入力があるときは処理条件を修正することにより前記処理条件の変更を行い、前記修正入力がないときは処理条件の変更を行わないので、当該処理が中止されるに至った状況に基づいて当該処理が中止された基板に対する処理条件を容易に変更することができる。
請求項３記載の基板処理装置及び請求項６記載の基板処理条件変更方法によれば、指定された再実行があるときは複数の処理条件から処理条件を指定することにより処理条件の変更を行い、前記指定された再実行がないときは前記処理条件の変更を行わないので、当該処理が中止されるに至った状況に基づいて当該処理が中止された基板に対する処理条件を更に容易に変更することができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
まず、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
図１において、基板処理装置１０は、電子デバイス用のウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）（基板）Ｗに反応性イオンエッチング（以下、「ＲＩＥ」という。）処理を施す第１のプロセスシップ１１と、該第１のプロセスシップ１１と平行に配置され、第１のプロセスシップ１１においてＲＩＥ処理が施されたウエハＷに後述するＣＯＲ（Chemical Oxide Removal）処理及びＰＨＴ（Post Heat Treatment）処理を施す第２のプロセスシップ１２と、第１のプロセスシップ１１及び第２のプロセスシップ１２がそれぞれ接続された矩形状の共通搬送室としてのローダーユニット１３とを備える。
ここで、ＣＯＲ処理は、被処理体の酸化膜とガス分子を化学反応させて生成物を生成する処理であり、ＰＨＴ処理は、ＣＯＲ処理が施された被処理体を加熱して、ＣＯＲ処理の化学反応によって被処理体に生成した生成物を気化・熱酸化（Thermal Oxidation）させて被処理体から除去する処理である。以上のように、ＣＯＲ処理及びＰＨＴ処理、特に、ＣＯＲ処理は、プラズマを用いず且つ水成分を用いずに被処理体の酸化膜を除去する処理であるため、プラズマレスエッチング処理及びドライクリーニング処理（乾燥洗浄処理）に該当する。
ローダーユニット１３には、上述した第１のプロセスシップ１１及び第２のプロセスシップ１２の他、１ロットに相当する２５枚のウエハＷを収容する容器としてのフープ（Front Opening Unified Pod）１４がそれぞれ載置される３つのフープ載置台１５と、フープ１４から搬出されたウエハＷの位置をプリアライメントするオリエンタ１６と、ウエハＷの表面状態を計測する第１及び第２のＩＭＳ（Integrated Metrology System、Therma-Wave, Inc.）１７，１８とが接続されている。
第１のプロセスシップ１１及び第２のプロセスシップ１２は、ローダーユニット１３の長手方向における側壁に接続されると共にローダーユニット１３を挟んで３つのフープ載置台１５と対向するように配置され、オリエンタ１６はローダーユニット１３の長手方向に関する一端に配置され、第１のＩＭＳ１７はローダーユニット１３の長手方向に関する他端に配置され、第２のＩＭＳ１８は３つのフープ載置台１５と並列に配置される。
ローダーユニット１３は、内部に配置された、ウエハＷを搬送するスカラ型デュアルアームタイプの搬送アーム機構１９と、各フープ載置台１５に対応するように側壁に配置されたウエハＷの投入口としての３つのロードポート２０とを有する。各ロードポート２０は対応する各フープ載置台１５が載置するフープ１４と接続する。搬送アーム機構１９は、フープ載置台１５に載置されたフープ１４からウエハＷをロードポート２０経由で取り出し、該取り出したウエハＷを第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２、オリエンタ１６、第１のＩＭＳ１７や第２のＩＭＳ１８へ搬出入する。
第１のＩＭＳ１７は光学系のモニタであり、搬入されたウエハＷを載置する載置台２１と、該載置台２１に載置されたウエハＷを指向する光学センサ２２とを有し、ウエハＷの表面形状、例えば、表面層の膜厚、及び配線溝やゲート電極等のＣＤ（Critical Dimension）値を測定する。第２のＩＭＳ１８も光学系のモニタであり、第１のＩＭＳ１７と同様に、載置台２３と光学センサ２４とを有し、ウエハＷの表面におけるパーティクル数を計測する。
第１のプロセスシップ１１は、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す第１のプロセスユニット２５と、該第１のプロセスユニット２５にウエハＷを受け渡すリンク型シングルピックタイプの第１の搬送アーム２６を内蔵する第１のロード・ロックユニット２７とを有する。
第１のプロセスユニット２５は、円筒状の処理室容器（チャンバ）と、該チャンバ内に配置された上部電極及び下部電極とを有し、該上部電極及び下部電極の間の距離はウエハＷにＲＩＥ処理を施すための適切な間隔に設定されている。また、下部電極はウエハＷをクーロン力等によってチャックするＥＳＣ２８をその頂部に有する。
第１のプロセスユニット２５は、チャンバ内部に処理ガスを導入し、上部電極及び下部電極間に電界を発生させることによって導入された処理ガスをプラズマ化してイオン及びラジカルを発生させ、該イオン及びラジカルによってウエハＷにＲＩＥ処理を施す。
第１のプロセスシップ１１では、ローダーユニット１３の内部圧力は大気圧に維持される一方、第１のプロセスユニット２５の内部圧力は真空に維持される。そのため、第１のロード・ロックユニット２７は、第１のプロセスユニット２５との連結部に真空ゲートバルブ２９を備えると共に、ローダーユニット１３との連結部に大気ゲートバルブ３０を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。
第１のロード・ロックユニット２７の内部には、略中央部に第１の搬送アーム２６が設置され、該第１の搬送アーム２６より第１のプロセスユニット２５側に第１のバッファ３１が設置され、第１の搬送アーム２６よりローダーユニット１３側には第２のバッファ３２が設置される。第１のバッファ３１及び第２のバッファ３２は、第１の搬送アーム２６の先端部に配置されたウエハＷを支持する支持部（ピック）３３が移動する軌道上に配置され、ＲＩＥ処理が施されたウエハＷを一時的に支持部３３の軌道の上方に待避させることにより、ＲＩＥ未処理のウエハＷとＲＩＥ処理済みのウエハＷとの第１のプロセスユニット２５における円滑な入れ換えを可能とする。
第２のプロセスシップ１２は、ウエハＷにＣＯＲ処理を施す第２のプロセスユニット３４と、該第２のプロセスユニット３４に真空ゲートバルブ３５を介して接続された、ウエハＷにＰＨＴ処理を施す第３のプロセスユニット３６と、第２のプロセスユニット３４及び第２のプロセスユニット３６にウエハＷを受け渡すリンク型シングルピックタイプの第２の搬送アーム３７を内蔵する第２のロード・ロックユニット４９とを有する。
図２は、図１における第２のプロセスユニット３４の断面図であり、図２（Ａ）は図１における線II−IIに沿う断面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）におけるＡ部の拡大図である。
図２（Ａ）において、第２のプロセスユニット３４は、円筒状の処理室容器（チャンバ）３８と、該チャンバ３８内に配置されたウエハＷの載置台としてのＥＳＣ３９と、チャンバ３８の上方に配置されたシャワーヘッド４０と、チャンバ３８内のガス等を排気するＴＭＰ（Turbo Molecular Pump）４１と、チャンバ３８及びＴＭＰ４１の間に配置され、チャンバ３８内の圧力を制御する可変式バタフライバルブとしてのＡＰＣ（Automatic Pressure Control）バルブ４２とを有する。
ＥＳＣ３９は、内部に直流電圧が印加される電極板（図示しない）を有し、直流電圧により発生するクーロン力又はジョンソン・ラーベック(Johnsen-Rahbek)力によってウエハＷを吸着して保持する。また、ＥＳＣ３９は調温機構として冷媒室（図示しない）を有する。この冷媒室には所定温度の冷媒、例えば、冷却水やガルデン液が循環供給され、当該冷媒の温度によってＥＳＣ３９の上面に吸着保持されたウエハＷの処理温度が制御される。さらに、ＥＳＣ３９は、ＥＳＣ３９の上面とウエハの裏面との間に伝熱ガス（ヘリウムガス）を満遍なく供給する伝熱ガス供給系統（図示しない）を有する。伝熱ガスは、ＣＯＲ処理の間、冷媒によって所望の指定温度に維持されたＥＳＣ３９とウエハとの熱交換を行い、ウエハを効率よく且つ均一に冷却する。
また、ＥＳＣ３９は、その上面から突出自在なリフトピンとしての複数のプッシャーピン５６を有し、これらのプッシャーピン５６は、ウエハＷがＥＳＣ３９に吸着保持されるときにはＥＳＣ３９に収容され、ＣＯＲ処理が施されたウエハＷをチャンバ３８から搬出するときには、ＥＳＣ３９の上面から突出してウエハＷを上方へ持ち上げる。
シャワーヘッド４０は２層構造を有し、下層部４３及び上層部４４のそれぞれに第１のバッファ室４５及び第２のバッファ室４６を有する。第１のバッファ室４５及び第２のバッファ室４６はそれぞれガス通気孔４７，４８を介してチャンバ３８内に連通する。すなわち、シャワーヘッド４０は、第１のバッファ室４５及び第２のバッファ室４６にそれぞれ供給されるガスのチャンバ３８内への内部通路を有する、階層状に積み重ねられた２つの板状体（下層部４３、上層部４４）からなる。
ウエハＷにＣＯＲ処理を施す際、第１のバッファ室４５にはＮＨ３（アンモニア）ガスが後述するアンモニアガス供給管５７から供給され、該供給されたアンモニアガスはガス通気孔４７を介してチャンバ３８内へ供給されると共に、第２のバッファ室４６にはＨＦ（弗化水素）ガスが後述する弗化水素ガス供給管５８から供給され、該供給された弗化水素ガスはガス通気孔４８を介してチャンバ３８内へ供給される。
また、シャワーヘッド４０はヒータ（図示しない）、例えば、加熱素子を内蔵する。この加熱素子は、好ましくは、上層部４４上に配置されて第２のバッファ室４６内の弗化水素ガスの温度を制御する。
また、図２（Ｂ）に示すように、ガス通気孔４７，４８におけるチャンバ３８内への開口部は末広がり状に形成される。これにより、アンモニアガスや弗化水素ガスをチャンバ３８内へ効率よく拡散することができる。さらに、ガス通気孔４７，４８は断面がくびれ形状を呈するので、チャンバ３８で発生した堆積物がガス通気孔４７，４８、引いては、第１のバッファ室４５や第２のバッファ室４６へ逆流するのを防止することができる。なお、ガス通気孔４７，４８は螺旋状の通気孔であってもよい。
この第２のプロセスユニット３４は、チャンバ３８内の圧力と、アンモニアガス及び弗化水素ガスの体積流量比を調整することによってウエハＷにＣＯＲ処理を施す。また、この第２のプロセスユニット３４は、チャンバ３８内において初めてアンモニアガス及び弗化水素ガスが混合するように設計されている（ポストミックス設計）ため、チャンバ３８内に上記２種類のガスが導入されるまで、該２種類の混合ガスが混合するのを防止して、弗化水素ガスとアンモニアガスとがチャンバ３８内への導入前に反応するのを防止する。
また、第２のプロセスユニット３４では、チャンバ３８の側壁がヒータ（図示しない）、例えば、加熱素子を内蔵し、チャンバ３８内の雰囲気温度が低下するのを防止する。これにより、ＣＯＲ処理の再現性を向上することができる。また、側壁内の加熱素子は、側壁の温度を制御することによってチャンバ３８内に発生した副生成物が側壁の内側に付着するのを防止する。
図１に戻り、第３のプロセスユニット３６は、筐体状の処理室容器（チャンバ）５０と、該チャンバ５０内に配置されたウエハＷの載置台としてのステージヒータ５１と、該ステージヒータ５１の周りに配置され、ステージヒータ５１に載置されたウエハＷを上方に持ち上げるバッファアーム５２と、チャンバ内及び外部雰囲気を遮断する開閉自在な蓋としてのＰＨＴチャンバリッド（図示しない）とを有する。
ステージヒータ５１は、表面に酸化皮膜が形成されたアルミからなり、内蔵された電熱線等によって載置されたウエハＷを所定の温度まで加熱する。具体的には、ステージヒータ５１は載置したウエハＷを少なくとも１分間に亘って１００〜２００℃、好ましくは約１３５℃まで直接加熱する。
ＰＨＴチャンバリッドにはシリコンゴム製のシートヒータが配される。また、チャンバ５０の側壁にはカートリッジヒータ（図示しない）が内蔵され、該カートリッジヒータはチャンバ５０の側壁の壁面温度を２５〜８０℃に制御する。これにより、チャンバ５０の側壁に副生成物が付着するのを防止し、付着した副生成物に起因するパーティクルの発生を防止してチャンバ５０のクリーニング周期を延伸する。なお、チャンバ５０の外周は熱シールドによって覆われている。
ウエハＷを上方から加熱するヒータとして、上述したシートヒータの代わりに、紫外線放射（UV radiation）ヒータを配してもよい。紫外線放射ヒータとしては、波長１９０〜４００ｎｍの紫外線を放射する紫外線ランプ等が該当する。
バッファアーム５２は、ＣＯＲ処理が施されたウエハＷを一時的に第２の搬送アーム３７における支持部５３の軌道の上方に待避させることにより、第２のプロセスユニット３４や第３のプロセスユニット３６におけるウエハＷの円滑な入れ換えを可能とする。
この第３のプロセスユニット３６は、ウエハＷの温度を調整することによってウエハＷにＰＨＴ処理を施す。
第２のロード・ロックユニット４９は、第２の搬送アーム３７を内蔵する筐体状の搬送室（チャンバ）７０を有する。また、ローダーユニット１３の内部圧力は大気圧に維持される一方、第２のプロセスユニット３４及び第３のプロセスユニット３６の内部圧力は真空に維持される。そのため、第２のロード・ロックユニット４９は、第３のプロセスユニット３６との連結部に真空ゲートバルブ５４を備えると共に、ローダーユニット１３との連結部に大気ドアバルブ５５を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。
図３は、図１における第２のプロセスシップ３４の概略構成を示す斜視図である。
図３において、第２のプロセスユニット３４は、第１のバッファ室４５へアンモニアガスを供給するアンモニアガス供給管５７と、第２のバッファ室４６へ弗化水素ガスを供給する弗化水素ガス供給管５８と、チャンバ３８内の圧力を測定する圧力ゲージ５９と、ＥＳＣ３９内に配設された冷却系統に冷媒を供給するチラーユニット６０とを備える。
アンモニアガス供給管５７にはＭＦＣ（Mass Flow Controller）（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣは第１のバッファ室４５へ供給するアンモニアガスの流量を調整すると共に、弗化水素ガス供給管５８にもＭＦＣ（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣは第２のバッファ室４６へ供給する弗化水素ガスの流量を調整する。アンモニアガス供給管５７のＭＦＣと弗化水素ガス供給管５８のＭＦＣは協働して、チャンバ３８へ供給されるアンモニアガスと弗化水素ガスの体積流量比を調整する。
また、第２のプロセスユニット３４の下方には、ＤＰ（Dry Pump）（図示しない）に接続された第２のプロセスユニット排気系６１が配置される。第２のプロセスユニット排気系６１は、チャンバ３８とＡＰＣバルブ４２の間に配設された排気ダクト６２と連通する排気管６３と、ＴＭＰ４１の下方（排気側）に接続された排気管６４とを有し、チャンバ３８内のガス等を排気する。なお、排気管６４はＤＰの手前において排気管６３に接続される。
第３のプロセスユニット３６は、チャンバ５０へ窒素（Ｎ２）ガスを供給する窒素ガス供給管６５と、チャンバ５０内の圧力を測定する圧力ゲージ６６と、チャンバ５０内の窒素ガス等を排気する第３のプロセスユニット排気系６７とを備える。
窒素ガス供給管６５にはＭＦＣ（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣはチャンバ５０へ供給される窒素ガスの流量を調整する。第３のプロセスユニット排気系６７は、チャンバ５０に連通すると共にＤＰに接続された本排気管６８と、該本排気管６８の途中に配されたＡＰＣバルブ６９と、本排気管６８からＡＰＣバルブ６９を回避するように分岐し、且つＤＰの手前において本排気管６８に接続される副排気管６８ａとを有する。ＡＰＣバルブ６９は、チャンバ５０内の圧力を制御する。
第２のロード・ロックユニット４９は、チャンバ７０へ窒素ガスを供給する窒素ガス供給管７１と、チャンバ７０内の圧力を測定する圧力ゲージ７２と、チャンバ７０内の窒素ガス等を排気する第２のロード・ロックユニット排気系７３と、チャンバ７０内を大気開放する大気連通管７４とを備える。
窒素ガス供給管７１にはＭＦＣ（図示しない）が設けられ、該ＭＦＣはチャンバ７０へ供給される窒素ガスの流量を調整する。第２のロード・ロックユニット排気系７３は１本の排気管からなり、該排気管はチャンバ７０に連通すると共に、ＤＰの手前において第３のプロセスユニット排気系６７における本排気管６８に接続される。また、第２のロード・ロックユニット排気系７３及び大気連通管７４はそれぞれ開閉自在な排気バルブ７５及びリリーフバルブ７６を有し、該排気バルブ７５及びリリーフバルブ７６は協働してチャンバ７０内の圧力を大気圧から所望の真空度までのいずれかに調整する。
図１に戻り、基板処理装置１０は、第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２及びローダーユニット１３の動作を制御するシステムコントローラと、ローダーユニット１３の長手方向に関する一端に配置されたオペレーションパネル８８を備える。
オペレーションパネル８８は、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）からなる表示部を有し、該表示部は基板処理装置１０の各構成要素の動作状況を表示する。
図４に示すように、システムコントローラは、ＥＣ（Equipment Controller）８９と、３つのＭＣ（Module Controller）９０，９１，９２と、ＥＣ８９及び各ＭＣを接続するスイッチングハブ９３とを備える。該システムコントローラはＥＣ８９からＬＡＮ（Local Area Network）１７０を介して、基板処理装置１０が設置されている工場全体の製造工程を管理するＭＥＳ（Manufacturing Execution System）としてのＰＣ１７１に接続されている。ＭＥＳは、システムコントローラと連携して工場における工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム（図示しない）にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。
ＥＣ８９は、各ＭＣを統括して基板処理装置１０全体の動作を制御する主制御部（マスタ制御部）である。また、ＥＣ８９は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＨＤＤ等を有し、オペレーションパネル８８においてユーザ等によって指定されたウエハＷの処理条件、すなわち、レシピに対応するプログラムに応じて制御信号を送信することにより、第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２及びローダーユニット１３の動作を制御する。
また、ＥＣ８９は、図５に示すように、ウエハＷのレシピを設定する設定部と、各プロセスユニットの異常を検知する検知部と、該検知部が異常を検知したときに各プロセスユニットのウエハＷの処理を中止する中止部と、ウエハＷに設定されたレシピを変更する変更部と、これらに夫々接続されたシステムバスとを備える。
図４に戻り、スイッチングハブ９３は、ＥＣ８９からの制御信号に応じてＥＣ８９の接続先としてのＭＣを切り替える。
ＭＣ９０，９１，９２は、それぞれ第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２及びローダーユニット１３の動作を制御する副制御部（スレーブ制御部）である。各ＭＣは、ＤＩＳＴ（Distribution）ボード９６によってＧＨＯＳＴネットワーク９５を介して各Ｉ／Ｏ（入出力）モジュール９７，９８，９９にそれぞれ接続される。ＧＨＯＳＴネットワーク９５は、ＭＣが有するＭＣボードに搭載されたＧＨＯＳＴ（General High-Speed Optimum Scalable Transceiver）と称されるＬＳＩによって実現されるネットワークである。ＧＨＯＳＴネットワーク９５には、最大で３１個のＩ／Ｏモジュールを接続可能であり、ＧＨＯＳＴネットワーク９５では、ＭＣがマスタに該当し、Ｉ／Ｏモジュールがスレーブに該当する。
Ｉ／Ｏモジュール９８は、第２のプロセスシップ１２における各構成要素（以下、「エンドデバイス」という。）に接続された複数のＩ／Ｏ部１００からなり、各エンドデバイスへの制御信号及び各エンドデバイスからの出力信号の伝達を行う。Ｉ／Ｏモジュール９８においてＩ／Ｏ部１００に接続されるエンドデバイスには、例えば、第２のプロセスユニット３４におけるアンモニアガス供給管５７のＭＦＣ、弗化水素ガス供給管５８のＭＦＣ、圧力ゲージ５９及びＡＰＣバルブ４２、第３のプロセスユニット３６における窒素ガス供給管６５のＭＦＣ、圧力ゲージ６６、ＡＰＣバルブ６９、バッファアーム５２及びステージヒータ５１、並びに、第２のロード・ロックユニット４９における窒素ガス供給管７１のＭＦＣ、圧力ゲージ７２及び第２の搬送アーム３７等が該当する。
なお、Ｉ／Ｏモジュール９７，９９は、Ｉ／Ｏモジュール９８と同様の構成を有し、第１のプロセスシップ１１に対応するＭＣ９０及びＩ／Ｏモジュール９７の接続関係、並びにローダーユニット１３に対応するＭＣ９２及びＩ／Ｏモジュール９９の接続関係も、上述したＭＣ９１及びＩ／Ｏモジュール９８の接続関係と同様の構成であるため、これらの説明を省略する。
また、各ＧＨＯＳＴネットワーク９５には、Ｉ／Ｏ部１００におけるデジタル信号、アナログ信号及びシリアル信号の入出力を制御するＩ／Ｏボード（図示しない）も接続される。
基板処理装置１０において、ウエハＷにＣＯＲ処理を施す際には、ＣＯＲ処理のレシピに対応するプログラムに応じてＥＣ８９が、スイッチングハブ９３、ＭＣ９１、ＧＨＯＳＴネットワーク９５及びＩ／Ｏモジュール９８におけるＩ／Ｏ部１００を介して、所望のエンドデバイスに制御信号を送信することによって第２のプロセスユニット３４においてＣＯＲ処理を実行する。
具体的には、ＥＣ８９が、アンモニアガス供給管５７のＭＦＣ及び弗化水素ガス供給管５８のＭＦＣに制御信号を送信することによってチャンバ３８におけるアンモニアガス及び弗化水素ガスの体積流量比を所望の値に調整し、ＴＭＰ４１及びＡＰＣバルブ４２に制御信号を送信することによってチャンバ３８内の圧力を所望の値に調整する。また、このとき、圧力ゲージ５９がチャンバ３８内の圧力値を出力信号としてＥＣ８９に送信し、該ＥＣ８９は送信されたチャンバ３８内の圧力値に基づいて、アンモニアガス供給管５７のＭＦＣ、弗化水素ガス供給管５８のＭＦＣ、ＡＰＣバルブ４２やＴＭＰ４１の制御パラメータを決定する。
また、ウエハＷにＰＨＴ処理を施す際には、ＰＨＴ処理のレシピに対応するプログラムに応じてＥＣ８９が、所望のエンドデバイスに制御信号を送信することによって第３のプロセスユニット３６においてＰＨＴ処理を実行する。
具体的には、ＥＣ８９が、窒素ガス供給管６５のＭＦＣ及びＡＰＣバルブ６９に制御信号を送信することによってチャンバ５０内の圧力を所望の値に調整し、ステージヒータ５１に制御信号を送信することによってウエハＷの温度を所望の温度に調整する。また、このとき、圧力ゲージ６６がチャンバ５０内の圧力値を出力信号としてＥＣ８９に送信し、該ＥＣ８９は送信されたチャンバ５０内の圧力値に基づいて、ＡＰＣバルブ６９や窒素ガス供給管６５のＭＦＣの制御パラメータを決定する。
図４のシステムコントローラでは、複数のエンドデバイスがＥＣ８９に直接接続されることなく、該複数のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部１００がモジュール化されてＩ／Ｏモジュールを構成し、該Ｉ／ＯモジュールがＭＣ及びスイッチングハブ９３を介してＥＣ８９に接続されるため、通信系統を簡素化することができる。
また、ＥＣ８９が送信する制御信号には、所望のエンドデバイスに接続されたＩ／Ｏ部１００のアドレス及び当該Ｉ／Ｏ部１００を含むＩ／Ｏモジュールのアドレスが含まれているため、スイッチングハブ９３は制御信号におけるＩ／Ｏモジュールのアドレスを参照し、ＭＣのＧＨＯＳＴが制御信号におけるＩ／Ｏ部１００のアドレスを参照することによって、スイッチングハブ９３やＭＣがＣＰＵに制御信号の送信先の問い合わせを行う必要を無くすことができ、これにより、制御信号の円滑な伝達を実現することができる。
上述した基板処理装置１０において、複数のウエハＷにＲＩＥ処理、ＣＯＲ処理やＰＨＴ処理を施すことによって電子デバイスを量産する場合、操作者はオペレーションパネル８８を通じてレシピバッファリング機能を「有効」に設定する。レシピバッファリング機能はレシピに対応した各処理の途中でエラーが発生したことにより操作者によってレシピが修正された場合において、次のウエハＷに修正されたレシピが反映されるのを禁止する機能である。このとき、ＥＣ８９は１つのフープ１４に収容された１ロットに相当するウエハＷに各処理が施される間、上述した各処理の途中でエラーが発生した場合を除いて、操作者による第１のプロセスユニット２５、第２のプロセスユニット３４、又は第３のプロセスユニット３６のレシピの修正入力を受け付けない。また、ＥＣ８９はＭＣ９０やＭＣ９１を制御して第１のプロセスユニット２５、第２のプロセスユニット３４、又は第３のプロセスユニット３６のレシピをそのまま維持する。
次に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置によって実行される基板処理について説明する。
基板処理はＥＣ８９がプログラムや操作者による入力等に応じて第１のプロセスシップ１１、第２のプロセスシップ１２、及びローダーユニット１３の動作を制御することによって実行される。また、基板処理は第１のプロセスユニット２５、第２のプロセスユニット３４、及び第３のプロセスユニット３６のいずれにも適用可能であるが、以下、簡単のために、第１のプロセスユニット２５に着目して説明を行う。
図６は、本実施の形態に係る基板処理装置によって実行される第１の基板処理の手順を示すフローチャートである。図７は、オペレーションパネル８８の表示部に表示されるレシピ編集画面を示す図である。
図６において、まず、操作者により、ウエハＷに施すＲＩＥ処理のレシピとして図７（Ａ）に示すレシピが入力される。図７（Ａ）に示すレシピは、安定ステップ、第１の時間ステップ、第２の時間ステップ、及び終了ステップの順で各ステップを含むＲＩＥ処理ステップを表す情報であり、各ステップの処理時間等の情報を含む。このレシピにおいて、安定ステップは、続く時間ステップにおいてウエハＷにＲＦ印可処理等を実行するために、チャンバ内の状態を整えるステップであり、時間ステップは、ＲＦ印可処理やＲＦ無印可処理等の処理をウエハＷに施すステップであり、終了ステップは、全てのＲＩＥ処理が実行されたウエハＷをチャンバ外に搬出するためにチャンバ内の状態を整えたり、当該ウエハＷをチャンバ外に搬出したりするステップである。
次いで、ＥＣ８９は、ウエハＷに施すＲＩＥ処理のレシピとして上述した操作者により入力されたレシピを設定し、該レシピを第１のプロセスユニット２５に展開する（ステップＳ６０１）（設定ステップ）。
次いで、フープ１４からローダーユニット１３や第１のロード・ロックユニット２７を介して第１のプロセスユニット２５へウエハＷを搬入して（ステップＳ６０２）、当該レシピのステップを実行しても問題がないか否かを検査（以下、「レシピチェック」という。）して（ステップＳ６０３）、該レシピに対応したＲＩＥ処理を最初のステップから順にウエハＷに対して実行する（ステップＳ６０４）。
さらに、第１のプロセスユニット２５において、該レシピに対応したＲＩＥ処理の途中でエラーの発生を検知すると（ステップＳ６０４）（検知ステップ）と、ＥＣ８９は第１のプロセスユニット２５におけるＲＩＥ処理を中断する（ステップＳ６０６）（中止ステップ）。本処理においては、図７（Ａ）のレシピにおける第２の時間ステップの途中でエラーが発生した場合を想定する。このとき、ウエハＷは第１のプロセスユニット２５から搬出されず、第１のプロセスユニット２５内に留められる。そして、ＥＣ８９はオペレーションパネル８８に図７（Ａ）に示すレシピ編集画面を表示する。操作者は、このレシピ編集画面からレシピの修正入力を行うことができる。本処理では、レシピにおける安定ステップ以外のステップの途中でエラーが発生し、ウエハＷに対してＲＩＥ処理を中断した場合、操作者によってエラーが発生したステップ（以下、「エラー発生ステップ」という。）の終了条件、処理時間、並びにＲＦの印可から無印可又は無印可から印可への修正入力以外のレシピの修正入力によりレシピが修正されたときは、エラー発生ステップの直前の安定ステップを実行してから当該エラー発生ステップをエラー発生時の残りの処理時間（以下、「残時間」という。）だけ実行するので、操作者はエラー発生ステップの直前の安定ステップのレシピをエラー発生ステップのレシピの修正入力に対応するように修正入力を行う（図７（Ｂ））。
次いで、ＥＣ８９は上述したような操作者によるレシピの修正入力があるか否かを判別し（ステップＳ６０７）、レシピの修正入力があるときは、ＥＣ８９はレシピの修正入力に応じてレシピを修正し、該修正されたレシピを第１のプロセスユニット２５において展開して（ステップＳ６０８）（変更ステップ）、当該修正されたレシピのレシピチェックを行い（ステップＳ６０９）、次いで、修正されたレシピのエラー発生ステップに対応したＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ６１０）。
ステップＳ６１０の処理では、エラー発生ステップの終了条件、処理時間、並びにＲＦの印可から無印可又は無印可から印可への修正以外のレシピの修正がされた場合は、上述したようにエラー発生ステップの直前の安定ステップを実行してからエラー発生ステップを残時間だけ実行する。
また、エラー発生ステップの終了条件、及び処理時間のレシピが修正された場合は、エラー発生ステップの直前の安定ステップを実行してからエラー発生ステップを実行する。しかしながら、例外としてエラー発生ステップが安定ステップに修正された場合は、エラー発生ステップの直前の安定ステップを実行することなくエラー発生ステップを実行し、エラー発生ステップが終了ステップに修正された場合は、修正されたレシピの最初のステップから再実行する。
また、エラー発生ステップのＲＦの印可から無印可又は無印可から印可へレシピが修正された場合は、エラー発生ステップの直前の安定ステップを実行することなくエラー発生ステップを実行する。
また、ステップＳ６０４の後、操作者によって異なるレシピの修正入力がされ、ＥＣ８９が操作者による異なるレシピの修正入力に応じてレシピを修正し、該修正されたレシピを第１のプロセスユニット２５において展開した場合は、ステップＳ６０７では当該修正されたレシピの最初のステップから実行する。
ステップＳ６０７の判別の結果、操作者によるレシピの修正入力がないときは、エラー発生ステップに対応したＲＩＥ処理をウエハＷに対して再実行する（ステップＳ６１２）。
ステップＳ６１２の処理では、エラー発生ステップが安定ステップ以外である場合は、エラー発生ステップの直前の安定ステップを実行してからエラー発生ステップを残時間だけ実行する。また、エラー発生ステップが安定ステップである場合は、エラー発生ステップの直前の安定ステップを実行することはない。
ステップＳ６１０又はＳ６１２でＲＩＥ処理が実行されたウエハＷは、第１のプロセスユニット２５から搬出され（ステップＳ６１１）、本処理を終了する。
図６の第１の基板処理によれば、ＥＣ８９は、第１のプロセスユニット２５におけるＲＩＥ処理を中断した場合（ステップＳ６０６）において、操作者によるレシピの修正入力があるとき（ステップＳ６０７でＹＥＳ）は、レシピの修正入力に応じてレシピを修正し、該修正されたレシピを第１のプロセスユニット２５において展開して（ステップＳ６０８）、修正されたレシピのエラー発生ステップに対応したＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ６１０）ので、未完了ウエハに対する処理条件を任意に修正することができ、もって、未完了ウエハを処理室内から取り出すことなく未完了ウエハに対して最適な処理を再実行することができる。
また、本処理において、レシピバッファリング機能が「有効」に設定される場合は、次のウエハＷに修正されたレシピが反映されることはなく、レシピバッファリング機能が「無効」に設定される場合は、次のウエハＷに修正されたレシピが反映される。しかしながら、レシピバッファリング機能が「無効」に設定される場合において、操作者による異なるレシピの修正入力により、ＥＣ８９が異なるレシピにレシピを修正したときは、次のウエハＷに修正されたレシピが反映されることはない。
図８は、本実施の形態に係る基板処理装置によって実行される第２の基板処理の手順を示すフローチャートである。図９は、オペレーションパネル８８の表示部に表示されるレシピ編集画面を示す図である。
図８において、まず、操作者により、ウエハＷに施すＲＩＥ処理のレシピとして図９（Ａ）に示すレシピが入力される。図９（Ａ）に示すレシピは、第１の安定ステップ、第１の時間ステップ、第２の時間ステップ、第２の安定ステップ、第３の時間ステップ、及び終了ステップの順で各ステップを含むＲＩＥ処理ステップを表す情報であり、各ステップの処理時間等の情報を含む。
次いで、ＥＣ８９は、ウエハＷに施すＲＩＥ処理のレシピとして上述した操作者により入力されたレシピを設定し、該レシピを第１のプロセスユニット２５に展開する（ステップＳ８０１）（設定ステップ）。
次いで、フープ１４からローダーユニット１３や第１のロード・ロックユニット２７を介して第１のプロセスユニット２５へウエハＷを搬入して（ステップＳ８０２）、レシピチェックを行い（ステップＳ８０３）、該レシピに対応したＲＩＥ処理を最初のステップから順にウエハＷに対して実行する（ステップＳ８０４）。
さらに、第１のプロセスユニット２５において、該レシピに対応したＲＩＥ処理の途中でエラーの発生を検知する（ステップＳ８０５）（検知ステップ）と、ＥＣ８９は第１のプロセスユニット２５におけるＲＩＥ処理を中断する（ステップＳ８０６）（中止ステップ）。このとき、ウエハＷは第１のプロセスユニット２５から搬出されず、第１のプロセスユニット２５内に留められる。そして、ＥＣ８９はオペレーションパネル８８に図９（Ｂ）に示すレシピ編集画面を表示する。このレシピ編集画面は「Ｓｋｉｐ」ボタンを有する。操作者は、この「Ｓｋｉｐ」ボタンを押下し、ＲＩＥ処理が中断したウエハＷに対して再実行させるステップを指定することができる。
本処理では、エラー発生ステップがＲＦ印可の時間ステップ（例えばステップ３）の場合は、操作者によって再実行を指定することが可能なステップは、エラー発生ステップ（ステップ３）、及び当該エラー発生ステップの次のステップ（ステップ４）である。
また、エラー発生ステップが安定ステップ（例えばステップ１）の場合は、操作者によって再実行を指定することが可能なステップは、エラー発生ステップ（ステップ１）のみである。
また、エラー発生ステップがＲＦ無印可の時間ステップ（ステップ２）の場合は、操作者によって再実行を指定することが可能なステップは、エラー発生ステップ（ステップ２）のみである。
次いで、ＥＣ８９は上述したような操作者による再実行が指定されたステップ（以下、「再実行指定ステップ」という。）があるか否かを判別し（ステップＳ８０７）、再実行指定ステップがあるときは、再実行指定ステップの実行に応じて実行されるステップのレシピチェックを行い（ステップＳ８０８）、再実行指定ステップに対応したＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ８０９）（変更ステップ）。
ステップＳ８０９の処理では、再実行指定ステップが安定ステップ以外である場合は、再実行指定ステップの直前の安定ステップを実行してから再実行指定ステップを実行する。また、再実行指定ステップが安定ステップである場合は、再実行指定ステップの直前の安定ステップを実行することなく再実行指定ステップを実行する。
ステップＳ８０７の判別の結果、操作者による再実行指定ステップがないときは、エラー発生ステップに対応したＲＩＥ処理をウエハＷに対して再実行する（ステップＳ８１１）。
ステップＳ８１１の処理では、エラー発生ステップが安定ステップ以外である場合は、エラー発生ステップの直前の安定ステップを実行してからエラー発生ステップを残時間だけ実行する。また、エラー発生ステップが安定ステップである場合は、エラー発生ステップの直前の安定ステップを実行することなくエラー発生ステップを残時間だけ実行する。
ステップＳ８０９又はＳ８１１でＲＩＥ処理が実行されたウエハＷは、第１のプロセスユニット２５から搬出され（ステップＳ８１０）、本処理を終了する。
図８の第２の基板処理によれば、ＥＣ８９は、第１のプロセスユニット２５におけるＲＩＥ処理を中断した場合（ステップＳ８０６）において、操作者による再実行指定ステップがあるとき（ステップＳ８０７でＹＥＳ）は、再実行指定ステップに対応したＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ８０９）ので、未完了ウエハに対する処理条件を任意に指定することができ、もって、未完了ウエハを処理室内から取り出すことなく未完了ウエハに対して最適な処理を再実行することができる。
図１０及び図１１は、本実施の形態に係る基板処理装置によって実行される第３の基板処理の手順を示すフローチャートである。図１２は、オペレーションパネル８８の表示部に表示されるレシピ編集画面を示す図である。
図１０及び図１１において、まず、操作者により、ウエハＷに施すＲＩＥ処理のレシピとして図１２（Ａ）に示すレシピが入力される。図１２（Ａ）に示すレシピは、安定ステップ、第１の時間ステップ、第２の時間ステップ、ＥＰＤステップ、及び終了ステップの順で各ステップを含むＲＩＥ処理ステップを表す情報であり、各ステップの処理時間等の情報を含む。このレシピにおいて、ＥＰＤステップは、ＲＩＥ処理の終点を検出するステップである。
次いで、ＥＣ８９は、ウエハＷに施すＲＩＥ処理のレシピとして上述した操作者により入力されたレシピを設定し、該レシピを第１のプロセスユニット２５に展開する（ステップＳ１００１）（設定ステップ）。
次いで、フープ１４からローダーユニット１３や第１のロード・ロックユニット２７を介して第１のプロセスユニット２５へウエハＷを搬入して（ステップＳ１００２）、レシピチェックを行い（ステップＳ１００３）、該レシピに対応したＲＩＥ処理を最初のステップから順にウエハＷに対して実行する（ステップＳ１００４）。
さらに、第１のプロセスユニット２５において、該レシピに対応したＲＩＥ処理の途中でエラーの発生を検知する（ステップＳ１００５）（検知ステップ）と、ＥＣ８９は第１のプロセスユニット２５におけるＲＩＥ処理を中断する（ステップＳ１００６）（中止ステップ）。本処理においては、図１２（Ａ）のレシピにおける第２の時間ステップの途中でエラーが発生した場合を想定する。このとき、ウエハＷは第１のプロセスユニット２５から搬出されず、第１のプロセスユニット２５内に留められる。そして、ＥＣ８９はオペレーションパネル８８に図１２（Ａ）に示すレシピ編集画面を表示する。操作者は、このレシピ編集画面から例えば図１２（Ｂ）に示すようにレシピの修正入力を行うことができる。また、このレシピ編集画面は「Ｓｋｉｐ」ボタンを有する。操作者は、この「Ｓｋｉｐ」ボタンを押下し、ＲＩＥ処理が中断したウエハＷに対して再実行させるステップを指定することができる。
次いで、ＥＣ８９は上述したような操作者によるレシピの修正入力があるか否かを判別し（ステップＳ１００７）、レシピの修正入力があるときは、ＥＣ８９はレシピの修正入力に応じてレシピを修正し、該修正されたレシピを第１のプロセスユニット２５において展開して（ステップＳ１００８）（変更ステップ）、当該修正されたレシピのレシピチェックを行う（ステップＳ１００９）。そして、ＥＣ８９はオペレーションパネル８８に図１２（Ｂ）に示すレシピ編集画面を表示する。また、このレシピ編集画面も「Ｓｋｉｐ」ボタンを有する。操作者は、この「Ｓｋｉｐ」ボタンを押下し、ＲＩＥ処理が中断したウエハＷに対して再実行させるステップを指定することができる。
本処理では、操作者によって再実行を指定することが可能なステップは、エラー発生ステップ（ステップ３）、当該エラー発生ステップの次のステップ（ステップ４）、及び終了ステップ（ステップ５）の次のステップ（ステップ６）である。
次いで、ＥＣ８９は上述したような操作者による再実行指定ステップがあるか否かを判別し（ステップＳ１０１０）、再実行指定ステップがあるときは、再実行指定ステップの実行に応じて実行されるステップのレシピチェックを行い（ステップＳ１０１１）、修正されたレシピの再実行指定ステップに対応したＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ１０１２）（変更ステップ）。
ステップＳ１０１２の処理では、再実行指定ステップが安定ステップ以外である場合は、再実行指定ステップの直前の安定ステップを実行してから再実行指定ステップを実行する。また、再実行指定ステップが安定ステップである場合は、再実行指定ステップの直前の安定ステップを実行することなく再実行指定ステップを実行する。
ステップＳ１０１０の判別の結果、操作者による再実行指定ステップがないときは、修正されたレシピのエラー発生ステップに対応したＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ１０１４）。
ステップＳ１００７の判別の結果、操作者によるレシピの修正入力がないときは、ＥＣ８９は上述したような操作者による再実行指定ステップがあるか否かを判別し（ステップＳ１０１５）、再実行指定ステップがあるときは、再実行指定ステップの実行に応じて実行されるステップのレシピチェックを行い（ステップＳ１０１６）、再実行指定ステップに対応したＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ１０１７）（変更ステップ）。
ステップＳ１０１５の判別の結果、操作者による再実行指定ステップがないときは、エラー発生ステップに対応したＲＩＥ処理をウエハＷに対して再実行する（ステップＳ１０１８）。
ステップＳ１０１２、Ｓ１０１４、Ｓ１０１７、又はＳ１０１８でＲＩＥ処理が実行されたウエハＷは、第１のプロセスユニット２５から搬出され（ステップＳ１０１３）、本処理を終了する。
図１０及び図１１の第３の基板処理によれば、ＥＣ８９は、第１のプロセスユニット２５におけるＲＩＥ処理を中断した場合（ステップＳ１００６）において、操作者によるレシピの修正入力があるとき（ステップＳ１００７でＹＥＳ）は、レシピの修正入力に応じてレシピを修正し、該修正されたレシピを第１のプロセスユニット２５において展開し（ステップＳ１００８）、そして、操作者による再実行指定ステップがあるとき（ステップＳ１０１０でＹＥＳ）は、修正されたレシピの再実行指定ステップに対応したＲＩＥ処理をウエハＷに対して実行する（ステップＳ１０１２）ので、未完了ウエハに対する処理条件を任意に変更することができ、もって、未完了ウエハを処理室内から取り出すことなく未完了ウエハに対して最適な処理を再実行することができる。
また、本処理において、レシピバッファリング機能が「有効」に設定される場合は、次のウエハＷに修正されたレシピが反映されることはなく、レシピバッファリング機能が「無効」に設定される場合は、次のウエハＷに修正されたレシピが反映される。しかしながら、レシピバッファリング機能が「無効」に設定される場合において、操作者による異なるレシピの修正入力により、ＥＣ８９が異なるレシピにレシピを修正したときは、次のウエハＷに修正されたレシピが反映されることはない。
本実施の形態において、操作者は、ＲＩＥ処理が中断したウエハＷのＲＩＥ処理の再実行時に、当該ウエハＷのプロセスログの情報を確認することにより、該ウエハＷのレシピが修正されたか否かを確認することができる。プロセスログは、当該ウエハＷに対するＲＩＥ処理が中断して操作者によってレシピが修正されたか否かの情報を含む。
上述した実施の形態に係る基板処理装置は、２つのプロセスシップの構造が互いに異なるが、２つのプロセスシップの構造が同一、例えば、いずれのプロセスシップもウエハＷにＲＩＥ処理を施す構造であってもよい。
また、上述した実施の形態に係る基板処理装置においてＲＩＥ処理等が施される基板は電子デバイス用の半導体ウエハに限られず、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＦＰＤ（Flat Panel Display）等に用いる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であってもよい。
上述した実施の形態に係る基板処理装置は、図１に示すような互いに平行に配されたプロセスシップを２つ備えるパラレルタイプの基板処理装置に限られず、図１３や図１４に示すように、ウエハＷに所定の処理を施す真空処理室としての複数のプロセスユニットが放射状に配置された基板処理装置も該当する。
図１３は、上述した実施の形態に係る基板処理装置の第１の変形例の概略構成を示す平面図である。なお、図１３においては、図１の基板処理装置１０における構成要素と同様の構成要素には同じ符号を付し、その説明を省略する。
図１３において、基板処理装置１３７は、平面視六角形のトランスファユニット１３８と、該トランスファユニット１３８の周囲において放射状に配置された４つのプロセスユニット１３９〜１４２と、ローダーユニット１３と、トランスファユニット１３８及びローダーユニット１３の間に配置され、トランスファユニット１３８及びローダーユニット１３を連結する２つのロード・ロックユニット１４３，１４４とを備える。
トランスファユニット１３８及び各プロセスユニット１３９〜１４２は内部の圧力が真空に維持され、トランスファユニット１３８と各プロセスユニット１３９〜１４２とは、それぞれ真空ゲートバルブ１４５〜１４８を介して接続される。
基板処理装置１３７では、ローダーユニット１３の内部圧力が大気圧に維持される一方、トランスファユニット１３８の内部圧力は真空に維持される。そのため、各ロード・ロックユニット１４３，１４４は、それぞれトランスファユニット１３８との連結部に真空ゲートバルブ１４９，１５０を備えると共に、ローダーユニット１３との連結部に大気ドアバルブ１５１，１５２を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。また、各ロード・ロックユニット１４３，１４４はローダーユニット１３及びトランスファユニット１３８の間において受渡されるウエハＷを一時的に載置するためのウエハ載置台１５３，１５４を有する。
トランスファユニット１３８はその内部に配置された屈伸及び旋回自在になされたフロッグレッグタイプの搬送アーム１５５を有し、該搬送アーム１５５は、各プロセスユニット１３９〜１４２や各ロード・ロックユニット１４３，１４４の間においてウエハＷを搬送する。
各プロセスユニット１３９〜１４２は、それぞれ処理が施されるウエハＷを載置する載置台１５６〜１５９を有する。ここで、プロセスユニット１３９，１４０は基板処理装置１０における第１のプロセスユニット２５と同様の構成を有し、プロセスユニット１４１は第２のプロセスユニット３４と同様の構成を有し、プロセスユニット１４２は第３のプロセスユニット３６と同様の構成を有する。
なお、基板処理装置１３７における各構成要素の動作は、基板処理装置１０におけるシステムコントローラと同様の構成を有するシステムコントローラによって制御される。
図１４は、上述した実施の形態に係る基板処理装置の第２の変形例の概略構成を示す平面図である。なお、図１４においては、図１の基板処理装置１０及び図１３の基板処理装置１３７における構成要素と同様の構成要素には同じ符号を付し、その説明を省略する。
図１４において、基板処理装置１６０は、図１３の基板処理装置１３７に対して、２つのプロセスユニット１６１，１６２が追加され、これに対応して、トランスファユニット１６３の形状も基板処理装置１３７におけるトランスファユニット１３８の形状と異なる。追加された２つのプロセスユニット１６１，１６２は、それぞれ真空ゲートバルブ１６４，１６５を介してトランスファユニット１６３と接続されると共に、ウエハＷの載置台１６６，１６７を有する。プロセスユニット１６１は第１のプロセスユニット２５と同様の構成を有し、プロセスユニット１６２は第２のプロセスユニット３４と同様の構成を有する。
また、トランスファユニット１６３は、２つのスカラアームタイプの搬送アームからなる搬送アームユニット１６８を備える。該搬送アームユニット１６８は、トランスファユニット１６３内に配設されたガイドレール１６９に沿って移動し、各プロセスユニット１３９〜１４２，１６１，１６２や各ロード・ロックユニット１４３，１４４の間においてウエハＷを搬送する。
なお、基板処理装置１６０における各構成要素の動作も、基板処理装置１０におけるシステムコントローラと同様の構成を有するシステムコントローラによって制御される。
本発明の目的は、上述した本実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記録した記憶媒体を、ＥＣ８９に供給し、ＥＣ８９のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ等）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出して実行することによっても達成される。
この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した本実施の形態の機能を実現することになり、そのプログラムコード及び該プログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。
また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。または、プログラムコードをネットワークを介してダウンロードしてもよい。
また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上記本実施の形態の機能が実現されるだけでなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部又は全部を行い、その処理によって上述した本実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その拡張機能を拡張ボードや拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって前述した本実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。
上記プログラムコードの形態は、オブジェクトコード、インタプリタにより実行されるプログラムコード、ＯＳに供給されるスクリプトデータ等の形態から成ってもよい。
本実施の形態に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 図１における第２のプロセスユニットの断面図であり、図２（Ａ）は図１における線II−IIに沿う断面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）におけるＡ部の拡大図である。 図１における第２のプロセスシップの概略構成を示す斜視図である。 図１の基板処理装置におけるシステムコントローラの概略構成を示す図である。 図４におけるＥＣの主要部の概略構成を示すブロック図である。 本実施の形態に係る基板処理装置によって実行される第１の基板処理の手順を示すフローチャートである。 オペレーションパネルの表示部に表示されるレシピ編集画面を示す図である。 本実施の形態に係る基板処理装置によって実行される第２の基板処理の手順を示すフローチャートである。 オペレーションパネルの表示部に表示されるレシピ編集画面を示す図である。 本実施の形態に係る基板処理装置によって実行される第３の基板処理の手順を示すフローチャートである。 本実施の形態に係る基板処理装置によって実行される第３の基板処理の手順を示すフローチャートである。 オペレーションパネルの表示部に表示されるレシピ編集画面を示す図である。 本発明の実施の形態に係る基板処理装置の第１の変形例の概略構成を示す平面図である。 本発明の実施の形態に係る基板処理装置の第２の変形例の概略構成を示す平面図である。
符号の説明
Ｗ ウエハ
１０，１３７，１６０ 基板処理装置
１１ 第１のプロセスシップ
１２ 第２のプロセスシップ
１３ ローダーユニット
１４ フープ
２０ ロードポート
２５ 第１のプロセスユニット
３４ 第２のプロセスユニット
３６ 第３のプロセスユニット
３８，５０，７０ チャンバ
４９ 第２のロード・ロック室
８８ オペレーションパネル
８９ ＥＣ
９０，９１，９２ ＭＣ
９３ スイッチングハブ
１３８，１６３ トランスファユニット
１３９，１４０，１４１，１４２，１６１，１６２ プロセスユニット
１７０ ＬＡＮ
１７１ ＰＣ

Claims (7)

  1. 基板に対して所定の加工処理を実行する基板処理ユニットと、前記所定の加工処理の処理条件を設定する設定部と、前記処理条件に基づく前記基板処理ユニットでの前記基板の加工処理の実行中における前記基板処理ユニットの異常を検知する検知部と、前記検知部により異常が検知されたときに前記基板処理ユニットの前記基板の加工処理を中止する中止部とを備える基板処理装置であって、
    前記基板を前記基板処理ユニットから取り出すことなく前記検知部によって検知された異常に対応した加工処理を前記基板に実行させるために、前記中止部によって処理が中止された基板の前記処理条件を変更する変更部を備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記変更部は、操作者による前記処理条件に対する修正入力があったときに前記修正入力に応じて前記処理条件を修正することにより前記処理条件の変更を行い、操作者による前記処理条件に対する修正入力がないときは前記処理条件の変更を行わないことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記処理条件は複数の処理単位を含み、
    前記変更部は、操作者により前記複数の処理単位の中から再実行が指定された処理単位があるときは前記指定された処理単位を実行するように前記処理条件の変更を行い、操作者により前記複数の処理単位の中から再実行が指定された処理単位がないときは前記処理条件の変更を行わないことを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理装置。
  4. 基板に対して所定の加工処理を実行する基板処理ユニットにおける処理条件を設定する設定ステップと、前記処理条件に基づく前記基板処理ユニットの前記基板の加工処理の実行中における前記基板処理ユニットの異常を検知する検知ステップと、前記検知ステップにより異常が検知されたときに前記基板処理ユニットの前記基板の加工処理を中止する中止ステップとを有する基板処理条件変更方法であって、
    前記基板を前記基板処理ユニットから取り出すことなく前記検知ステップによって検知された異常発生に対応した加工処理を前記基板に実行させるために、前記中止ステップによって処理が中止された基板の前記処理条件を変更する変更ステップを有することを特徴とする基板処理条件変更方法。
  5. 前記変更ステップは、操作者による前記処理条件に対する修正入力があったときに前記修正入力に応じて前記処理条件を修正することにより前記処理条件の変更を実行し、操作者による前記処理条件に対する修正入力がないときは前記処理条件の変更を行わないことを特徴とする請求項４記載の基板処理条件変更方法。
  6. 前記処理条件は複数の処理単位を含み、
    前記変更ステップでは、操作者により前記複数の処理単位の中から再実行が指定された処理単位があるときは前記指定された処理単位を実行するように前記処理条件の変更を行い、操作者により前記複数のステップの中から再実行が指定された処理単位がないときは前記処理条件の変更を行わないことを特徴とする請求項４又は５記載の基板処理条件変更方法。
  7. 基板処理装置が備えるコンピュータに基板処理条件変更方法を実行させるためのプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
    前記基板処理条件変更方法は、
    基板に対して所定の加工処理を実行する基板処理ユニットにおける処理条件を設定する設定ステップと、
    前記処理条件に基づく前記基板処理ユニットの前記基板の加工処理の実行中における前記基板処理ユニットの異常を検知する検知ステップと、
    前記検知ステップにより異常が検知されたときに前記基板処理ユニットの前記基板の加工処理を中止する中止ステップと、
    前記基板を前記基板処理ユニットから取り出すことなく前記検知ステップにより検知された異常に対応した加工処理を前記基板に実行させるために、前記中止ステップによって処理が中止された基板の前記処理条件を変更する変更ステップとを有することを特徴とする記憶媒体。
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