JP2015201598A - 基板処理装置 - Google Patents

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光徳 杉山
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Abstract

【課題】研磨部又は洗浄部のテストを実行している際の基板の処理効率を向上させる。
【解決手段】ＣＭＰ装置は、基板を研磨する少なくとも１つの研磨部を含む研磨ユニット３と、基板の洗浄を行う少なくとも１つの洗浄部を含む洗浄ユニット４と、ロード／アンロードユニット２と、研磨ユニット３、洗浄ユニット４、及び、ロード／アンロードユニット２間で基板を搬送する搬送ユニットと、搬送ユニットにおける基板の搬送を制御する制御部５と、を備える。制御部５は、研磨ユニットが複数の研磨部を含むか、又は、洗浄ユニットが複数の洗浄部を含む場合には、研磨部又は洗浄部をテスト用に動作させるテストモードを複数の研磨部の一部、又は、複数の洗浄部の一部に設定可能であり、テストモードが設定されていない研磨部、又は、洗浄部へ基板を搬送させるとともに、テストモードが設定された研磨部、又は、洗浄部へ基板とは異なるテスト用基板を搬送させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置に関するものである。
近年、半導体ウェハなどの基板に対して各種処理を行うために基板処理装置が用いられている。基板処理装置の一例としては、基板の研磨処理を行うためのＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置が挙げられる。
ＣＭＰ装置は、基板の研磨処理を行うための研磨ユニット、基板の洗浄処理及び乾燥処理を行うための洗浄ユニット、研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに洗浄ユニットによって洗浄処理及び乾燥処理された基板を受け取るロード／アンロードユニットなどを備える。また、ＣＭＰ装置は、研磨ユニット、洗浄ユニット、及びロード／アンロードユニット内で基板の搬送を行う搬送ユニットを備えている。ＣＭＰ装置は、搬送ユニットによって基板を搬送しながら研磨、洗浄、及び乾燥の各種処理を順次行う。
ところで、搬送ユニットは、研磨ユニットが複数の研磨部を含み、洗浄ユニットが複数の洗浄部を含む場合には、基板の処理効率を最適化するための搬送を行うことが知られている。すなわち、搬送ユニットは、ロード／アンロードユニットから研磨ユニットへ基板を搬送する際には、複数の研磨部のうち最も早く基板の研磨処理を行うことができる研磨部へ基板を搬送する。また、搬送ユニットは、研磨ユニットから洗浄ユニットへ基板を搬送する場合には、複数の洗浄部のうち最も早く基板の洗浄処理を行うことができる洗浄部へ基板を搬送する。
ここで、複数の研磨部の一部、又は、複数の洗浄部の一部がメンテナンスなどによって使用できない場合には、搬送ユニットは、メンテナンス中ではない研磨部又は洗浄部へ基板を搬送する。また、搬送ユニットは、研磨部又は洗浄部のメンテナンスが終了したら、メンテナンスが終了した研磨部又は洗浄部が正常に動作するか否かをテストするために、生産用の基板とは異なるテスト用の基板をメンテナンスが終了した研磨部又は洗浄部へ搬送する。
特開２００９−２００４７６号公報
しかしながら、従来技術は、研磨部又は洗浄部のテストを実行している際の基板の処理効率を向上させることは考慮されていなかった。
すなわち、従来は、研磨部又は洗浄部のメンテナンスが終了した場合に、生産用の基板の処理を継続したままメンテナンスが終了した研磨部又は洗浄部のテストを行おうとすると、生産用の基板がテスト対象の研磨部又は洗浄部へ搬送されるおそれがあった。このため、従来技術では、研磨部又は洗浄部のテストを行う際には、生産用の基板の処理を停止させた上で、テスト基板をテスト対象の研磨部又は洗浄部へ搬送していた。従来技術によれば、研磨部又は洗浄部のテストを実行している際には、生産用の基板の処理が停止されるので、基板の処理効率が悪化するおそれがあった。
そこで、本願発明は、研磨部又は洗浄部のテストを実行している際の基板の処理効率を向上させることを課題とする。
本願発明の基板処理装置の一形態は、上記課題に鑑みなされたもので、基板を研磨する少なくとも１つの研磨部を含む研磨ユニットと、前記研磨ユニットによって研磨された基板の洗浄を行う少なくとも１つの洗浄部を含む洗浄ユニットと、前記研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに前記洗浄ユニットから基板を受け取るロード／アンロードユニットと、前記研磨ユニット、前記洗浄ユニット、及び、前記ロード／アンロードユニット間で基板を搬送する搬送ユニットと、前記搬送ユニットにおける基板の搬送を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記研磨ユニットが前記研磨部を複数含むか、又は、前記洗浄ユニットが前記洗浄部を複数含む場合には、前記研磨部又は前記洗浄部をテスト用に動作させるテストモードを前記複数の研磨部の一部、又は、前記複数の洗浄部の一部に設定可能であり、前記搬送ユニットに、前記テストモードが設定されていない研磨部、又は、洗浄部へ前記基板を搬送させるとともに、前記テストモードが設定された研磨部、又は、洗浄部へ前記基板とは異なるテスト用基板を搬送させる、ことを特徴とする。
また、基板処理装置の一形態において、前記制御部は、前記研磨部又は前記洗浄部がメンテナンス中であることを示すメンテナンスモードを前記複数の研磨部の一部、又は、前記複数の洗浄部の一部に設定可能であり、前記搬送ユニットに、前記メンテナンスモードが設定されていない研磨部、又は、洗浄部へ前記基板を搬送させる、ことができる。
また、基板処理装置の一形態において、前記制御部は、前記メンテナンスモードが設定された前記複数の研磨部の一部、又は、前記複数の洗浄部の一部のメンテナンスが終了したら、該研磨部又は洗浄部に前記テストモードを設定する、ことができる。
また、基板処理装置の一形態において、前記制御部は、前記テストモード、及び、前記メンテナンスモード、のいずれも設定されていない研磨部又は洗浄部に通常モードを設定可能であり、前記搬送ユニットに、前記通常モードが設定された研磨部のうち最も早く前記基板の研磨処理が可能な研磨部へ前記基板を搬送させるとともに、前記通常モードが設定された洗浄部のうち最も早く前記基板の洗浄処理が可能な洗浄部へ前記基板を搬送させる、ことができる。
かかる本願発明によれば、研磨部又は洗浄部のテストを実行している際の基板の処理効率を向上させることができる。
図１は、本実施形態の基板処理装置の全体構成を示す平面図である。 図２は、研磨部を模式的に示す斜視図である。 図３（ａ）は、洗浄ユニットを示す平面図であり、図３（ｂ）は、洗浄ユニットを示す側面図である。 図４は、研磨部及び洗浄部のいずれの処理部にもメンテナンス及びテストが行われていない通常状態における基板の搬送制御を示している。 図５は、洗浄部がメンテナンス中であるメンテナンス状態における基板の搬送制御を示している。 図６は、洗浄部２０１Ｂのメンテナンス状態が終了し、テスト状態へ移行した状態における基板の搬送制御を示している。 図７は、テストモードが設定された洗浄部へテスト用の基板を搬送する状態における基板の搬送制御を示している。 図８は、生産用の基板を搬送する場合のＣＭＰ装置の処理フローを示す図である。 図９は、テスト用の基板を搬送する場合のＣＭＰ装置の処理フローを示す図である。
以下、本願発明の一実施形態に係る基板処理装置を図面に基づいて説明する。以下では、基板処理装置の一例として、ＣＭＰ装置を説明するが、これには限られない。また、以下では、ロード／アンロードユニット２と、研磨ユニット３と、洗浄ユニット４と、を備える基板処理装置について説明するが、これには限られない。
まず、ＣＭＰ装置の構成について説明し、その後に、研磨部又は洗浄部のテストを実行している際の基板の処理効率の向上について説明する。
＜基板処理装置＞
図１は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、このＣＭＰ装置は、略矩形状のハウジング１を備えており、ハウジング１の内部は隔壁１ａ，１ｂによってロード／アンロードユニット２と研磨ユニット３と洗浄ユニット４とに区画されている。ロード／アンロードユニット２、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、洗浄ユニット４は、基板処理動作を制御する制御部５を有している。制御部５は、研磨ユニット３、洗浄ユニット４、及び、ロード／アンロードユニット２間で基板を搬送する搬送ユニットにおける基板の搬送を制御する。この点についての詳細は後述する。
＜ロード／アンロードユニット＞
ロード／アンロードユニット２は、多数のウェハ（基板）をストックするウェハカセットが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備えている。これらのフロントロード部２０はハウジング１に隣接して配置され、基板処理装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列されている。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）などの、ウェハを格納するためのキャリアを搭載することができるようになっている。ここで、ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
また、ロード／アンロードユニット２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設されており、この走行機構２１上にウェハカセットの配列方向に沿って移動可能な２台の搬送ロボット（ローダー、搬送機構）２２が設置されている。搬送ロボット２２は走行機構２１上を移動することによってフロントロード部２０に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。各搬送ロボット２２は上下に２つのハンドを備えている。上側のハンドは、処理されたウェハをウェハカセットに戻すときに使用される。下側のハンドは、処理前のウェハをウェハカセットから取り出すときに使用される。このように、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、ウェハを反転させることができるように構成されている。
ロード／アンロードユニット２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロードユニット２の内部は、ＣＭＰ装置外部、研磨ユニット３、及び洗浄ユニット４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨ユニット３は研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨ユニット３の内部
には負圧が形成され、その圧力は洗浄ユニット４の内部圧力よりも低く維持されている。ロード／アンロードユニット２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられており、このフィルタファンユニットからはパーティクルや有毒蒸気、有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。
＜研磨ユニット＞
研磨ユニット３は、ウェハの研磨（平坦化）が行われる領域であり、第１研磨部３Ａ、第２研磨部３Ｂ、第３研磨部３Ｃ、及び、第４研磨部３Ｄを備えている。これらの第１研磨部３Ａ、第２研磨部３Ｂ、第３研磨部３Ｃ、及び第４研磨部３Ｄは、図１に示すように、基板処理装置の長手方向に沿って配列されている。
図１に示すように、第１研磨部３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持しかつウェハを研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ３４Ａとを備えている。
同様に、第２研磨部３Ｂは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂとを備えている。第３研磨部３Ｃは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃとを備えている。第４研磨部３Ｄは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄとを備えている。
第１研磨部３Ａ、第２研磨部３Ｂ、第３研磨部３Ｃ、及び、第４研磨部３Ｄは、互いに同一の構成を有しているので、以下、第１研磨部３１Ａについて説明する。
図２は、第１研磨部３Ａを模式的に示す斜視図である。トップリング３１Ａは、トップリングシャフト３６に支持されている。研磨テーブル３０Ａの上面には研磨パッド１０が貼付されており、この研磨パッド１０の上面はウェハＷを研磨する研磨面を構成する。なお、研磨パッド１０に代えて固定砥粒を用いることもできる。トップリング３１Ａ及び研磨テーブル３０Ａは、矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成されている。ウェハＷは、トップリング３１Ａの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル３２Ａから研磨パッド１０の研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウェハＷがトップリング３１Ａにより研磨面に押圧されて研磨される。
＜搬送ユニット＞
次に、ウェハを搬送するための搬送機構（搬送ユニット）について説明する。図１に示すように、第１研磨部３Ａ及び第２研磨部３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。この第１リニアトランスポータ６は、研磨部３Ａ，３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間でウェハを搬送する機構である。
また、第３研磨部３Ｃ及び第４研磨部３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置されている。この第２リニアトランスポータ７は、研磨部３Ｃ，３Ｄが配列する方向
に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロードユニット側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間でウェハを搬送する機構である
ウェハは、第１リニアトランスポータ６によって研磨部３Ａ，３Ｂに搬送される。第１研磨部３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへのウェハの受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨部３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへのウェハの受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨部３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへのウェハの受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨部３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへのウェハの受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。
第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２からウェハを受け取るためのリフタ１１が配置されている。ウェハはこのリフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、ウェハの搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１にウェハが渡されるようになっている。また、第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７と、洗浄ユニット４との間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。このスイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有しており、第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７へのウェハの受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。ウェハは、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨部３Ｃ及び／または第４研磨部３Ｄに搬送される。また、研磨ユニット３で研磨されたウェハはスイングトランスポータ１２を経由して洗浄ユニット４に搬送される。
＜洗浄ユニット＞
図３（ａ）は洗浄ユニット４を示す平面図であり、図３（ｂ）は洗浄ユニット４を示す側面図である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、洗浄ユニット４は、第１洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、第２洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４とに区画されている。第１洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された上側一次洗浄モジュール（洗浄部）２０１Ａ及び下側一次洗浄モジュール（洗浄部）２０１Ｂが配置されている。上側一次洗浄モジュール２０１Ａは下側一次洗浄モジュール２０１Ｂの上方に配置されている。同様に、第２洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された上側二次洗浄モジュール（洗浄部）２０２Ａ及び下側二次洗浄モジュール（洗浄部）２０２Ｂが配置されている。上側二次洗浄モジュール２０２Ａは下側二次洗浄モジュール２０２Ｂの上方に配置されている。一次及び二次洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂは、洗浄液を用いてウェハを洗浄する洗浄機である。これらの一次及び二次洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂは垂直方向に沿って配列されているので、フットプリント面積が小さいという利点が得られる。
上側二次洗浄モジュール２０２Ａと下側二次洗浄モジュール２０２Ｂとの間には、ウェハの仮置き台２０３が設けられている。乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂが配置されている。これら上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは互いに隔離されている。上側乾燥モジュール２０５Ａ及び下側乾燥モジュール２０５Ｂの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂ内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット２０７，２０７が設けられている。上側一次洗浄モジュール２０１Ａ、下側一次洗浄モジュール２０１Ｂ、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き
台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、及び下側乾燥モジュール２０５Ｂは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定されている。
第１搬送室１９１には、上下動可能な第１搬送ロボット（搬送機構）２０９が配置され、第２搬送室１９３には、上下動可能な第２搬送ロボット２１０が配置されている。第１搬送ロボット２０９及び第２搬送ロボット２１０は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２にそれぞれ移動自在に支持されている。第１搬送ロボット２０９及び第２搬送ロボット２１０は、その内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸２１１，２１２に沿って上下に移動自在となっている。第１搬送ロボット２０９は、搬送ロボット２２と同様に、上下二段のハンドを有している。第１搬送ロボット２０９は、図３（ａ）の点線が示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台１８０にアクセス可能な位置に配置されている。第１搬送ロボット２０９の下側のハンドが仮置き台１８０にアクセスするときには、隔壁１ｂに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。
第１搬送ロボット２０９は、仮置き台１８０、上側一次洗浄モジュール２０１Ａ、下側一次洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０３、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂの間でウェハＷを搬送するように動作する。洗浄前のウェハ（スラリーが付着しているウェハ）を搬送するときは、第１搬送ロボット２０９は、下側のハンドを用い、洗浄後のウェハを搬送するときは上側のハンドを用いる。第２搬送ロボット２１０は、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、下側乾燥モジュール２０５Ｂの間でウェハＷを搬送するように動作する。第２搬送ロボット２１０は、洗浄されたウェハのみを搬送するので、１つのハンドのみを備えている。図１に示す搬送ロボット２２は、その上側のハンドを用いて上側乾燥モジュール２０５Ａまたは下側乾燥モジュール２０５Ｂからウェハを取り出し、そのウェハをウェハカセットに戻す。搬送ロボット２２の上側ハンドが乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂにアクセスするときには、隔壁１ａに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。
＜テスト実行中の基板の処理効率の向上＞
次に、研磨部又は洗浄部のテストを実行している際の基板の処理効率の向上について説明する。図４〜図７は、制御部５による基板の搬送制御について説明するための図である。なお、図４〜図７は、説明を簡略化するため、ＣＭＰ装置の構成を簡略化して示している。
すなわち、図４〜図７では、ロード／アンロードユニット２を代表して、２つのフロントロード部２０を示している。また、図４〜図７では、ロード／アンロードユニット２から研磨ユニット３へ基板を搬送する搬送ユニットを代表して、第１リニアトランスポータ６を示している。また、図４〜図７では、研磨ユニット３を代表して、２つの研磨部３Ａ，３Ｂを示している。また、図４〜図７では、研磨ユニット３から洗浄ユニット４へ基板を搬送する搬送ユニットを代表して、第１搬送ロボット２０９を示している。また、図４〜図７では、洗浄ユニット４を代表して、２つの洗浄部２０１Ａ，２０１Ｂを示している。これらはあくまで説明を簡略化するための図示である。
また、図４〜図７は、複数の洗浄部のうちの１つの洗浄部２０１Ｂがメンテナンスを行った後、テストを行う場合の基板搬送の制御の例を示す。しかしながら、これに限らず、複数の研磨部のうちの１つの研磨部がメンテナンスを行った後、テストを行う場合も、同様の基板搬送の制御を行うことができる。また、本実施形態は、研磨ユニット３が複数の研磨部を含み、洗浄ユニット４が複数の洗浄部を含む例を示しているが、これには限られない。例えば、研磨ユニット３が１つの研磨部を含み、洗浄ユニット４が複数の洗浄部を含む場合、又は、研磨ユニット３が複数の研磨部を含み、洗浄ユニット４が１つの洗浄部
を含む場合であっても、同様の基板搬送の制御を行うことができる。
図４は、研磨部及び洗浄部のいずれの処理部にもメンテナンス及びテストが行われていない通常状態における基板の搬送制御を示している。この場合、制御部５は、研磨部３Ａ、研磨部３Ｂ、洗浄部２０１Ａ、及び、洗浄部２０１Ｂに「通常モード」を設定する。つまり、制御部５は、テストモード、及び、メンテナンスモード、のいずれも設定されていない研磨部又は洗浄部に通常モードを設定可能である。
フロントロード部２０にはいずれも生産用の基板が設置される。フロントロード部２０に設置された生産用の基板は、第１リニアトランスポータ６によって研磨部３Ａ又は研磨部３Ｂへ搬送される。ここで、制御部５は、第１リニアトランスポータ６に、通常モードが設定された研磨部３Ａ，３Ｂのうち最も早く生産用の基板の研磨処理が可能な研磨部へ、生産用の基板を搬送させる。
研磨部３Ａ又は研磨部３Ｂによって研磨された生産用の基板は、第１搬送ロボット２０９によって洗浄部２０１Ａ又は洗浄部２０１Ｂへ搬送される。ここで、制御部５は、第１搬送ロボット２０９に、通常モードが設定され洗浄部２０１Ａ，２０１Ｂのうち最も早く生産用の基板の洗浄処理が可能な洗浄部へ、生産用の基板を搬送させる。
図５は、洗浄部２０１Ｂがメンテナンス中であるメンテナンス状態における基板の搬送制御を示している。この場合、制御部５は、研磨部３Ａ、研磨部３Ｂ、及び、洗浄部２０１Ａを「通常モード」に設定したまま、洗浄部２０１Ｂに、洗浄部２０１Ｂがメンテナンス中であることを示すモードである「メンテナンスモード」を設定する。つまり、制御部５は、「メンテナンスモード」を複数の洗浄部の一部に設定可能であるので、洗浄部２０１Ｂを「通常モード」から「メンテナンスモード」へ切り替える。
フロントロード部２０にはいずれも生産用の基板が設置される。フロントロード部２０に設置された生産用の基板は、第１リニアトランスポータ６によって研磨部３Ａ又は研磨部３Ｂへ搬送される。ここで、制御部５は、第１リニアトランスポータ６に、通常モードが設定された研磨部３Ａ，３Ｂのうち最も早く生産用の基板の研磨処理が可能な研磨部へ、生産用の基板を搬送させる。
研磨部３Ａ又は研磨部３Ｂによって研磨された生産用の基板は、第１搬送ロボット２０９によって洗浄部２０１Ａへ搬送される。すなわち、制御部５は、メンテナンスモードが設定されていない洗浄部へ生産用の基板を搬送させる。
図６は、洗浄部２０１Ｂのメンテナンス状態が終了し、テスト状態へ移行した状態における基板の搬送制御を示している。この場合、制御部５は、研磨部３Ａ、研磨部３Ｂ、及び、洗浄部２０１Ａを「通常モード」に設定したまま、洗浄部２０１Ｂに、洗浄部２０１Ｂをテスト用に動作させるモードである「テストモード」を設定する。つまり、制御部５は、「テストモード」を複数の洗浄部の一部に設定可能であるので、洗浄部２０１Ｂを「メンテナンスモード」から「テストモード」へ切り替える。このように、制御部５は、メンテナンスモードが設定された複数の洗浄部の一部のメンテナンスが終了したら、この洗浄部にテストモードを設定することができる。
フロントロード部２０の一方には生産用の基板が設置される。また、フロントロード部２０の他方には基板が設置されない。フロントロード部２０の一方に設置された生産用の基板は、第１リニアトランスポータ６によって研磨部３Ａ又は研磨部３Ｂへ搬送される。ここで、制御部５は、第１リニアトランスポータ６に、通常モードが設定された研磨部３Ａ，３Ｂのうち最も早く生産用の基板の研磨処理が可能な研磨部へ、生産用の基板を搬送
させる。
研磨部３Ａ又は研磨部３Ｂによって研磨された生産用の基板は、第１搬送ロボット２０９によって洗浄部２０１Ａへ搬送される。すなわち、制御部５は、テストモードが設定されていない洗浄部へ生産用の基板を搬送させる。
図７は、テストモードが設定された洗浄部２０１Ｂへテスト用の基板を搬送する状態における基板の搬送制御を示している。この場合、制御部５は、研磨部３Ａ、研磨部３Ｂ、及び、洗浄部２０１Ａを「通常モード」に設定したままであり、洗浄部２０１Ｂを「テストモード」に設定したままである。
フロントロード部２０の一方には生産用の基板が設置される。また、フロントロード部２０の他方にはテスト用の基板が設置される。フロントロード部２０の一方に設置された生産用の基板は、第１リニアトランスポータ６によって研磨部３Ａ又は研磨部３Ｂへ搬送される。ここで、制御部５は、第１リニアトランスポータ６に、通常モードが設定された研磨部３Ａ，３Ｂのうち最も早く生産用の基板の研磨処理が可能な研磨部へ、生産用の基板を搬送させる。
研磨部３Ａ又は研磨部３Ｂによって研磨された生産用の基板は、第１搬送ロボット２０９によって洗浄部２０１Ａへ搬送される。すなわち、制御部５は、テストモードが設定されていない洗浄部へ生産用の基板を搬送させる。
一方、フロントロード部２０の他方に設置されたテスト用の基板は、第１リニアトランスポータ６によって研磨部３Ａ又は研磨部３Ｂへ搬送される。なお、テスト用の基板は、テストモードが設定された洗浄部２０１のテストのための基板である。したがって、テスト用の基板は、研磨部３Ａ又は研磨部３Ｂのいずれかを通って第１搬送ロボット２０９へ搬送されてもよいし、又は、研磨部３Ａ又は研磨部３Ｂを通らずに第１搬送ロボット２０９へ搬送されてもよい。
テスト用の基板は、第１搬送ロボット２０９によって洗浄部２０１Ｂへ搬送される。すなわち、制御部５は、テストモードが設定された洗浄部へ生産用の基板とは異なるテスト用基板を搬送させる。なお、洗浄部２０１Ｂのテストが終了し、テスト結果に問題がなければ、図４の状態へ戻る。
＜フローチャート＞
次に、本実施形態のＣＭＰ装置の処理の流れについて説明する。図８は、生産用の基板を搬送する場合のＣＭＰ装置の処理フローを示す図である。図９は、テスト用の基板を搬送する場合のＣＭＰ装置の処理フローを示す図である。なお、図８，９は、図４〜図７と同様に、複数の洗浄部のうちの１つの洗浄部がメンテナンスを行った後、テストを行う場合の基板搬送の制御の例を示す。
図８に示すように、生産用の基板搬送については、まず、制御部５は、搬送ユニットに、フロントロード部２０から研磨ユニット３へ生産用の基板を搬送させる（ステップＳ１０１）。具体的には、制御部５は、搬送ユニットに、通常モードが設定された複数の研磨部のうち最も早く生産用の基板の研磨処理が可能な研磨部へ、生産用の基板を搬送させる。
続いて、制御部５は、生産用の基板が搬送された研磨部に、生産用の基板を研磨させる（ステップＳ１０２）。続いて、制御部５は、研磨部における研磨処理が終了したか否かを判定する（ステップＳ１０３）。制御部５は、研磨部における研磨処理が終了していな
いと判定した場合には（ステップＳ１０３，Ｎｏ）、ステップＳ１０２の処理へ戻る。
一方、制御部５は、研磨部における研磨処理が終了したと判定した場合には（ステップＳ１０３，Ｙｅｓ）、搬送ユニットに、複数の洗浄部のうち通常モードが設定されている洗浄部へ生産用の基板を搬送させる（ステップＳ１０４）。具体的には、制御部５は、通常モードが設定されている洗浄部が複数ある場合には、搬送ユニットに、複数の洗浄部のうち最も早く生産用の基板の洗浄処理が可能な洗浄部へ、生産用の基板を搬送させる。
続いて、制御部５は、生産用の基板が搬送された洗浄部に、生産用の基板を洗浄させる（ステップＳ１０５）。続いて、制御部５は、洗浄部における洗浄処理が終了したか否かを判定する（ステップＳ１０６）。制御部５は、洗浄部における洗浄処理が終了していないと判定した場合には（ステップＳ１０６，Ｎｏ）、ステップＳ１０５の処理へ戻る。
一方、制御部５は、洗浄部における洗浄処理が終了したと判定した場合には（ステップＳ１０６，Ｙｅｓ）、搬送ユニットに洗浄部からフロントロード部へ生産用の基板を搬送させて（ステップＳ１０７）、処理を終了する。
次に、図９に示すように、テスト用の基板については、まず、制御部５は、搬送ユニットに、フロントロード部２０から研磨ユニット３へ生産用の基板を搬送させる（ステップＳ２０１）。
続いて、制御部５は、搬送ユニットに、複数の洗浄部のうちテストモードが設定されている洗浄部へテスト用の基板を搬送させる（ステップＳ２０２）。
続いて、制御部５は、テスト用の基板が搬送された洗浄部に、テスト用の基板を洗浄させる（ステップＳ２０３）。続いて、制御部５は、洗浄部における洗浄処理が終了したか否かを判定する（ステップＳ２０４）。制御部５は、洗浄部における洗浄処理が終了していないと判定した場合には（ステップＳ２０４，Ｎｏ）、ステップＳ２０３の処理へ戻る。
一方、制御部５は、洗浄部における洗浄処理が終了したと判定した場合には（ステップＳ２０４，Ｙｅｓ）、搬送ユニットに、洗浄部からフロントロード部へテスト用の基板を搬送させて（ステップＳ２０５）、処理を終了する。
以上、本実施形態によれば、研磨部又は洗浄部のテストを実行している際の基板の処理効率を向上させることができる。すなわち、従来は、研磨部又は洗浄部のメンテナンスが終了した場合に、生産用の基板の処理を継続したままメンテナンスが終了した研磨部又は洗浄部のテストを行おうとすると、生産用の基板がテスト対象の研磨部又は洗浄部へ搬送されるおそれがあった。このため、従来技術では、研磨部又は洗浄部のテストを行う際には、生産用の基板の処理を停止させた上で、テスト基板をテスト対象の研磨部又は洗浄部へ搬送していた。従来技術によれば、研磨部又は洗浄部のテストを実行している際には、生産用の基板の処理が停止されるので、基板の処理効率が悪化するおそれがあった。
これに対して、本実施形態では、制御部５は、研磨部又は洗浄部をテスト用に動作させるテストモードを複数の研磨部の一部、又は、複数の洗浄部の一部に設定可能である。また、制御部５は、テストモードが設定されていない研磨部、又は、洗浄部へ生産用の基板を搬送させるとともに、テストモードが設定された研磨部、又は、洗浄部へ生産用の基板とは異なるテスト用の基板を搬送させる。したがって、本実施形態によれば、生産用の基板はテスト対象ではない研磨部又は洗浄部へ搬送され、テスト用の基板はテスト対象の研磨部又は洗浄部へ搬送されるので、生産用の基板がテスト対象の研磨部又は洗浄部へ搬送
されることを防止することができる。その結果、本実施形態によれば、研磨部又は洗浄部のメンテナンスが終了した場合に、生産用の基板の処理を継続したままメンテナンスが終了した研磨部又は洗浄部のテストを行うことができる。
２ アンロードユニット
３ 研磨ユニット
３Ａ 研磨部
３Ｂ 研磨部
３Ｃ 研磨部
３Ｄ 研磨部
４ 洗浄ユニット
５ 制御部
６ 第１リニアトランスポータ
７ 第２リニアトランスポータ
２０１Ａ 上側一次洗浄モジュール（洗浄部）
２０１Ｂ 下側一次洗浄モジュール（洗浄部）
Ｗ ウェハ

Claims (4)

  1. 基板を研磨する少なくとも１つの研磨部を含む研磨ユニットと、
    前記研磨ユニットによって研磨された基板の洗浄を行う少なくとも１つの洗浄部を含む洗浄ユニットと、
    前記研磨ユニットへ基板を受け渡すとともに前記洗浄ユニットから基板を受け取るロード／アンロードユニットと、
    前記研磨ユニット、前記洗浄ユニット、及び、前記ロード／アンロードユニット間で基板を搬送する搬送ユニットと、
    前記搬送ユニットにおける基板の搬送を制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、前記研磨ユニットが前記研磨部を複数含むか、又は、前記洗浄ユニットが前記洗浄部を複数含む場合には、前記研磨部又は前記洗浄部をテスト用に動作させるテストモードを前記複数の研磨部の一部、又は、前記複数の洗浄部の一部に設定可能であり、前記搬送ユニットに、前記テストモードが設定されていない研磨部、又は、洗浄部へ前記基板を搬送させるとともに、前記テストモードが設定された研磨部、又は、洗浄部へ前記基板とは異なるテスト用基板を搬送させる、
    ことを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記研磨部又は前記洗浄部がメンテナンス中であることを示すメンテナンスモードを前記複数の研磨部の一部、又は、前記複数の洗浄部の一部に設定可能であり、前記搬送ユニットに、前記メンテナンスモードが設定されていない研磨部、又は、洗浄部へ前記基板を搬送させる、
    ことを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項２の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記メンテナンスモードが設定された前記複数の研磨部の一部、又は、前記複数の洗浄部の一部のメンテナンスが終了したら、該研磨部又は洗浄部に前記テストモードを設定する、
    ことを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項１又は２の基板処理装置において、
    前記制御部は、前記テストモード、及び、前記メンテナンスモード、のいずれも設定されていない研磨部又は洗浄部に通常モードを設定可能であり、前記搬送ユニットに、前記通常モードが設定された研磨部のうち最も早く前記基板の研磨処理が可能な研磨部へ前記基板を搬送させるとともに、前記通常モードが設定された洗浄部のうち最も早く前記基板の洗浄処理が可能な洗浄部へ前記基板を搬送させる、
    ことを特徴とする基板処理装置。
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