JP6895341B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6895341B2 JP6895341B2 JP2017155213A JP2017155213A JP6895341B2 JP 6895341 B2 JP6895341 B2 JP 6895341B2 JP 2017155213 A JP2017155213 A JP 2017155213A JP 2017155213 A JP2017155213 A JP 2017155213A JP 6895341 B2 JP6895341 B2 JP 6895341B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- arrangement direction
- transport
- pair
- arms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 150
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 140
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 134
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 56
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 32
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 139
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 89
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 57
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 10
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 4
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 4
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 4
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B15/00—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area
- B08B15/002—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area using a central suction system, e.g. for collecting exhaust gases in workshops
- B08B15/005—Preventing escape of dirt or fumes from the area where they are produced; Collecting or removing dirt or fumes from that area using a central suction system, e.g. for collecting exhaust gases in workshops comprising a stationary main duct with one or more branch units, the branch units being freely movable along a sealed longitudinal slit in the main duct
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Description
上下二段に配置された第1処理ユニットおよび第2処理ユニットを備え、
前記第1処理ユニットおよび第2処理ユニットは、それぞれ、
直列に配列された複数の処理槽と、
前記複数の処理槽の外側に配列方向に延びる搬送空間を画定する隔壁と、
前記搬送空間に配置され、各処理槽間にて前記配列方向に沿って基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送空間に前記配列方向に沿って延びるように設けられた導風ダクトと、
を有し、
前記導風ダクトにはファンフィルタユニットが接続されており、
各処理槽には排気ダクトが接続されており、
前記導風ダクトのうち各処理槽と対向する部分にはそれぞれ開口が形成されており、
前記第1処理ユニットの搬送空間と前記第2処理ユニットの搬送空間とは、前記隔壁により上下に分離されている。
前記導風ダクトは、前記複数の処理槽の上方に配置されていてもよい。
前記搬送機構は、
基板を把持する開閉可能な一対のアームと、
前記一対のアームを上下移動させる上下移動機構と、
前記一対のアームを開閉方向と平行な回転軸を中心として回動させる回動機構と、
前記一対のアームを前記配列方向に沿って直線移動させる配列方向移動機構と、
を有し、
前記配列方向移動機構は、前記配列方向に延びるカバーで覆われており、
前記カバーには第2排気ダクトが接続されていてもよい。
前記配列方向移動機構は、前記複数の処理槽の上方に配置されており、
前記一対のアームと前記上下移動機構と前記回動機構とからなる組は、前記配列方向移動機構の下方に懸垂状に配置されていてもよい。
前記導風ダクトは、前記複数の処理槽と前記配列方向移動機構との間に配置されていてもよい。
前記ファンフィルタユニットは、前記導風ダクトの一端に接続されており、
複数の前記開口は、前記一端側に位置するものほど小さく形成されていてもよい。
前記配列方向において、前記開口の中心は、対向する前記処理槽の中心より前記一端側に位置決めされていてもよい。
前記処理槽は、洗浄モジュールであってもよい。
直列に配列された複数の処理槽と、
前記複数の処理槽の外側に配列方向に延びる搬送空間を画定する隔壁と、
前記搬送空間に配置され、各処理槽間にて前記配列方向に沿って基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送空間に前記配列方向に沿って延びるように設けられた導風ダクトと、
を備え、
前記導風ダクトにはファンフィルタユニットが接続されており、
各処理槽には排気ダクトが接続されており、
前記導風ダクトのうち各処理槽と対向する部分にはそれぞれ開口が形成されている。
図1は、一実施の形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図1に示すように、基板処理装置10は、平面視略矩形状のハウジングを備えており、ハウジングの内部は隔壁によってロード/アンロード部11と研磨部12と洗浄部13と搬送部14とに区画されている。これらのロード/アンロード部11、研磨部12、洗浄部13、および搬送部14は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気されるものである。また、基板処理装置10には、ロード/アンロード部11、研磨部12、洗浄部13、および搬送部14の動作を制御する制御部15(制御盤ともいう)が設けられている。
図2Aは、図1に示す基板処理装置10の洗浄部13の概略構成を示す側面図である。図2Bは、図2Aに示す洗浄部をA−A線に沿って切断した断面を示す図である。
次に、図5A〜図5Eを参照して、一対の第2アーム612の動作の一例を説明する。上述したように各洗浄モジュール310、311〜314は、ウェハWの洗浄中に外部に使用流体が飛散しないように筐体91によって区画されており、筐体91の側面にはアーム通過用開口94が形成されている。アーム通過用開口94には、開閉可能なシャッタ97が設けられている。
次に、このような構成からなる洗浄部13を用いてウェハWを洗浄する処理の一例について説明する。本実施の形態では、研磨部12から洗浄部13へと搬送されてくるウェハWが、搬送ロボット23により第1処理ユニット30aおよび第2処理ユニット30bに振り分けられ、第1処理ユニット30aおよび第2処理ユニット30bにて並行して洗浄される。したがって、プロセス全体のスループットを向上させることができる。
ところで、発明が解決しようとする課題の欄でも言及したように、基板処理装置の洗浄ユニットにおいては、ウェハを搬送する搬送機構からの発塵がディフェクトソースとなる可能性がある。そこで、本実施の形態では、ウェハのディフェクトを抑制するために、洗浄部13の搬送空間40において、以下に説明するような気流制御が行われている。
11 ロード/アンロード部
12 研磨部
13 洗浄部
14 搬送部
15 制御部
20a 第1研磨モジュール
20b 第2研磨モジュール
21a 第1研磨装置
21b 第2研磨装置
21c 第3研磨装置
21d 第4研磨装置
22 研磨部搬送機構
23 搬送ロボット
24a 第1搬送ユニット
24b 第2搬送ユニット
310 予備洗浄モジュール(処理槽)
311〜314 1次〜4次洗浄モジュール(処理槽)
32 搬送機構
33 ウェハステーション(処理槽)
39 隔壁
40 搬送空間
41 導風ダクト
410、43、411〜413 開口
601 第1ウェハ把持機構
602 第2ウェハ把持機構
611 第1アーム
612 第2アーム
62 配列方向移動機構
631 第1回動機構
631A 回転軸
632 第2回動機構
632A 回転軸
641 第1上下移動機構
642 第2上下移動機構
65 カバー
661 第1開閉機構
662 第2開閉機構
68 第2排気ダクト
71 筐体
72 ステージ
73 搬入口
74 アーム通過用開口
75 駆動機構
76 ピン
91 筐体
94 アーム通過用開口
97 シャッタ
98 排気ダクト
Claims (9)
- 上下二段に配置された第1処理ユニットおよび第2処理ユニットを備え、
前記第1処理ユニットおよび第2処理ユニットは、それぞれ、
直列に配列された複数の処理槽と、
前記複数の処理槽の外側に配列方向に延びる搬送空間を画定する隔壁と、
前記搬送空間に配置され、各処理槽間にて前記配列方向に沿って基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送空間に前記配列方向に沿って延びるように設けられた導風ダクトと、
を有し、
前記導風ダクトにはファンフィルタユニットが接続されており、
各処理槽には第1排気ダクトが接続されており、
前記導風ダクトのうち各処理槽と対向する部分にはそれぞれ開口が形成されており、
前記第1処理ユニットの搬送空間と前記第2処理ユニットの搬送空間とは、前記隔壁により上下に分離されており、
前記搬送機構は、
基板を把持する開閉可能な一対のアームと、
前記一対のアームを前記配列方向に沿って直線移動させる配列方向移動機構と、
を有し、
前記配列方向移動機構は、前記配列方向に延びるカバーで覆われており、
前記カバーには第2排気ダクトが接続されている
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記導風ダクトは、前記複数の処理槽の上方に配置されている
ことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記搬送機構は、
前記一対のアームを上下移動させる上下移動機構と、
前記一対のアームを開閉方向と平行な回転軸を中心として回動させる回動機構と、
をさらに有する、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記配列方向移動機構は、前記複数の処理槽の上方に配置されており、
前記一対のアームと前記上下移動機構と前記回動機構とからなる組は、前記配列方向移動機構の下方に懸垂状に配置されている
ことを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。 - 前記導風ダクトは、前記複数の処理槽と前記配列方向移動機構との間に配置されている
ことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記ファンフィルタユニットは、前記導風ダクトの一端に接続されており、
複数の前記開口は、前記一端側に位置するものほど小さく形成されている
ことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記配列方向において、前記開口の中心は、対向する前記処理槽の中心より前記一端側に位置決めされている
ことを特徴とする請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記処理槽は、洗浄モジュールである
ことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の基板処理装置。 - 直列に配列された複数の処理槽と、
前記複数の処理槽の外側に配列方向に延びる搬送空間を画定する隔壁と、
前記搬送空間に配置され、各処理槽間にて前記配列方向に沿って基板を搬送する搬送機構と、
前記搬送空間に前記配列方向に沿って延びるように設けられた導風ダクトと、
を備え、
前記導風ダクトにはファンフィルタユニットが接続されており、
各処理槽には第1排気ダクトが接続されており、
前記導風ダクトのうち各処理槽と対向する部分にはそれぞれ開口が形成されており、
前記搬送機構は、
基板を把持する把持機構と、
前記把持機構を前記配列方向に沿って直線移動させる配列方向移動機構と、
を有し、
前記配列方向移動機構は、前記配列方向に延びるカバーで覆われており、
前記カバーには第2排気ダクトが接続されている
ことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017155213A JP6895341B2 (ja) | 2017-08-10 | 2017-08-10 | 基板処理装置 |
PCT/JP2018/029961 WO2019031590A1 (ja) | 2017-08-10 | 2018-08-09 | 基板処理装置 |
US16/636,960 US11869788B2 (en) | 2017-08-10 | 2018-08-09 | Substrate processing device |
CN201880066176.3A CN111201596A (zh) | 2017-08-10 | 2018-08-09 | 基板处理装置 |
CN202410349319.9A CN118213309A (zh) | 2017-08-10 | 2018-08-09 | 基板处理装置 |
SG11202002299UA SG11202002299UA (en) | 2017-08-10 | 2018-08-09 | Substrate processing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017155213A JP6895341B2 (ja) | 2017-08-10 | 2017-08-10 | 基板処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019036573A JP2019036573A (ja) | 2019-03-07 |
JP2019036573A5 JP2019036573A5 (ja) | 2020-09-03 |
JP6895341B2 true JP6895341B2 (ja) | 2021-06-30 |
Family
ID=65271177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017155213A Active JP6895341B2 (ja) | 2017-08-10 | 2017-08-10 | 基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11869788B2 (ja) |
JP (1) | JP6895341B2 (ja) |
CN (2) | CN118213309A (ja) |
SG (1) | SG11202002299UA (ja) |
WO (1) | WO2019031590A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20230100726A (ko) * | 2020-11-11 | 2023-07-05 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 이동 탑재기, 세정 모듈 및 기판 처리 장치 |
CN114990532B (zh) * | 2022-08-01 | 2022-11-25 | 江苏芯梦半导体设备有限公司 | 全自动晶圆上下料系统、上下料方法及化学镀工艺系统 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06163505A (ja) * | 1992-11-17 | 1994-06-10 | Nippon Steel Corp | 半導体基板の洗浄装置 |
JPH10284457A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄システム |
JPH11314703A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-16 | Ebara Corp | 基板保管装置 |
JPH11330038A (ja) * | 1998-05-15 | 1999-11-30 | Nisso Engineering Kk | 基板等の薬液処理装置 |
JP4030654B2 (ja) * | 1998-06-02 | 2008-01-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板搬送装置 |
CN1141054C (zh) * | 2001-08-28 | 2004-03-10 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 压感风冷垫 |
JP4197103B2 (ja) | 2002-04-15 | 2008-12-17 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
US7934513B2 (en) * | 2003-10-08 | 2011-05-03 | Semes Co., Ltd. | Facility with multi-storied process chamber for cleaning substrates and method for cleaning substrates using the facility |
US20090067959A1 (en) | 2006-02-22 | 2009-03-12 | Nobuyuki Takahashi | Substrate processing apparatus, substrate transfer apparatus, substrate clamp apparatus, and chemical liquid treatment apparatus |
JP4767783B2 (ja) | 2006-07-26 | 2011-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
US20080035181A1 (en) | 2006-08-09 | 2008-02-14 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Cleaning apparatus |
JP2008042099A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 洗浄装置 |
JP5744382B2 (ja) | 2008-07-24 | 2015-07-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR101958874B1 (ko) | 2008-06-04 | 2019-03-15 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판처리장치, 기판처리방법, 기판 파지기구, 및 기판 파지방법 |
JP5474853B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2014-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 |
JP5673480B2 (ja) * | 2011-10-14 | 2015-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
TWI653701B (zh) * | 2014-06-09 | 2019-03-11 | 日商荏原製作所股份有限公司 | Substrate attaching and detaching portion for substrate holder, wet substrate processing device including the substrate attaching and detaching portion, substrate processing device, and substrate transfer method |
CN205156576U (zh) * | 2015-10-19 | 2016-04-13 | 深圳市沃特玛电池有限公司 | 烤箱 |
JP2017103431A (ja) * | 2015-12-04 | 2017-06-08 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置の排気装置 |
CN205481036U (zh) * | 2015-12-27 | 2016-08-17 | 杨峥雄 | 一种循环蓄热式燃烧炉(rto)冲扫管道 |
JP6727044B2 (ja) | 2016-06-30 | 2020-07-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
WO2018146987A1 (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | 村田機械株式会社 | ストッカ |
-
2017
- 2017-08-10 JP JP2017155213A patent/JP6895341B2/ja active Active
-
2018
- 2018-08-09 US US16/636,960 patent/US11869788B2/en active Active
- 2018-08-09 CN CN202410349319.9A patent/CN118213309A/zh active Pending
- 2018-08-09 SG SG11202002299UA patent/SG11202002299UA/en unknown
- 2018-08-09 WO PCT/JP2018/029961 patent/WO2019031590A1/ja active Application Filing
- 2018-08-09 CN CN201880066176.3A patent/CN111201596A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111201596A (zh) | 2020-05-26 |
SG11202002299UA (en) | 2020-04-29 |
US11869788B2 (en) | 2024-01-09 |
JP2019036573A (ja) | 2019-03-07 |
US20200388510A1 (en) | 2020-12-10 |
WO2019031590A1 (ja) | 2019-02-14 |
CN118213309A (zh) | 2024-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102432238B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2014167996A (ja) | 研磨装置および研磨方法 | |
JP2014082470A (ja) | 基板処理装置 | |
JP6587379B2 (ja) | 研磨装置 | |
TWI765989B (zh) | 基板清洗裝置、基板清洗方法及基板清洗裝置之控制方法 | |
JP6895341B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TW201601877A (zh) | 基板處理裝置 | |
JP6987184B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI702113B (zh) | 基板保持模組、基板處理裝置、及基板處理方法 | |
US11541502B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2022072570A (ja) | 基板処理装置においてカセットからの基板の取り出しタイミングを決定する方法、装置、プログラム、および基板処理装置 | |
JP7394821B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7200345B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6091976B2 (ja) | 液体供給装置、及び基板処理装置 | |
WO2017170191A1 (ja) | 搬送装置、洗浄装置および基板搬送方法 | |
JP2017188642A (ja) | 搬送装置、洗浄装置および基板搬送方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200721 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200721 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210511 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210607 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6895341 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |