CN118213309A - 基板处理装置 - Google Patents

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CN118213309A CN202410349319.9A CN202410349319A CN118213309A CN 118213309 A CN118213309 A CN 118213309A CN 202410349319 A CN202410349319 A CN 202410349319A CN 118213309 A CN118213309 A CN 118213309A
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稻叶充彦
徐海洋
八嶋哲也
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Abstract

基板处理装置具有配置为上下两层的第一处理单元及第二处理单元。第一处理单元及第二处理单元分别具有：多个处理槽，该多个处理槽串联排列；隔壁，该隔壁划分出在多个处理槽的外侧沿排列方向延伸的输送空间；输送机构，该输送机构配置于输送空间，且在各处理槽之间沿着排列方向输送基板；以及导风管道，该导风管道在输送空间以沿着所述排列方向延伸的方式设置。在导风管道连接有风扇过滤单元。在各处理槽连接有排气管道。在导风管道中的与各处理槽相对的部分分别形成有开口。第一处理单元的输送空间和第二处理单元的输送空间被隔壁上下分离。

Description

基板处理装置
本申请是下述专利申请的分案申请：
申请号：201880066176.3
申请日：2018年8月9日
发明名称：基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置，特别涉及用于平坦地研磨半导体晶片等基板的基板处理装置。
背景技术
近年来，随着半导体器件的高集成化的发展，电路的布线变得微细化，布线间距离也变得更窄。在半导体器件的制造中，在硅晶片上以多种材料反复形成膜状，而形成层叠结构。为了形成该层叠结构，使晶片的表面平坦的技术变得重要。作为使这样的晶片的表面平坦化的一个手段，广泛使用进行化学机械研磨(CMP)的研磨装置(也称为化学机械研磨装置)。
该化学机械研磨(CMP)装置一般具备安装有研磨垫的研磨台、保持晶片的顶环和将研磨液供给到研磨垫上的喷嘴。一边从喷嘴向研磨垫上供给研磨液，一边通过顶环将晶片向研磨垫按压，进一步使顶环和研磨台相对移动，由此研磨晶片，使其表面平坦。
基板处理装置是除了这样的CMP装置之外，还具有清洗研磨后的晶片并进一步使其干燥的功能的装置。在日本特开2010-50436号公报中，为了实现高生产能力，提出了具有多个并列的清洗线以及将晶片分配给多个并列的清洗线中的任一个的输送机器人的清洗单元。在该清洗单元中，交替配置有多个清洗室和输送室，在各清洗室中沿上下方向排列有多个清洗槽，在各输送室中，输送机器人沿上下方向移动而能够接近多个清洗槽。
但是，在基板处理装置的清洗单元中，来自输送晶片的输送机构的发尘有可能成为缺陷源。因此，在以往的清洗单元中，在各输送室的上部设置有FFU(风扇过滤单元)，进行使来自FFU的向下气流从相邻的清洗室的各清洗槽排气的气流设计。
但是，在这样的清洗单元中，由于输送机器人在多个并列的清洗线之间沿上下方向移动，因此在清洗线之间产生气流差，由此，在一个清洗线中，与另一个清洗线相比，有可能不能充分排出缺陷源而产生工艺差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够实现高生产能力，并且抑制晶片的缺陷的基板处理装置。
本发明的基板处理装置具备：
配置为上下两层的第一处理单元及第二处理单元，
所述第一处理单元及所述第二处理单元分别具有：
多个处理槽，该多个处理槽串联排列；
隔壁，该隔壁划分出在所述多个处理槽的外侧沿排列方向延伸的输送空间；
输送机构，该输送机构配置于所述输送空间，且在各处理槽之间沿着所述排列方向输送基板；以及
导风管道，该导风管道在所述输送空间以沿着所述排列方向延伸的方式设置，
在所述导风管道连接有风扇过滤单元，
在各处理槽连接有排气管道，
在所述导风管道中的与各处理槽相对的部分分别形成有开口。
所述第一处理单元的输送空间和所述第二处理单元的输送空间被所述隔壁上下分离。
根据本发明，由于配置为上下两层的第一处理单元及第二处理单元能够并行地处理多个基板，因此能够实现高生产能力。另外，在各处理单元的输送空间中，导风管道被设置成沿多个处理槽的排列方向延伸，并且在与各处理槽相对的部分分别形成有开口，因此，能够在输送空间中使气流整齐地流动而不会被输送机构遮挡而滞留，能够抑制来自输送机构的发尘成为缺陷源。另外，由于第一清洗单元的输送空间和第二清洗单元的输送空间被隔壁上下分离，因此能够防止在第一处理单元及第二处理单元之间产生气流差。通过有机地组合这样的作用，在第一处理单元及第二处理单元的任一个中都能够有效地抑制晶片的缺陷。
在本发明的基板处理装置中，也可以是，
所述导风管道配置于所述多个处理槽的上方。
根据这样的方式，由于从导风管道的开口吹出的气流在输送空间中沿着各处理槽的前表面及侧面向下流动，因此能够防止漂浮在输送空间中的尘埃因气流而飞扬。
在本发明的基板处理装置中，也可以是，
所述输送机构具有：
一对臂，该一对臂把持基板，且能够可开闭；
上下移动机构，该上下移动机构使所述一对臂上下移动；
转动机构，该转动机构使所述一对臂以与开闭方向平行的旋转轴为中心转动；以及
排列方向移动机构，该排列方向移动机构使所述一对臂沿所述排列方向直线移动，
所述排列方向移动机构由在所述排列方向上延伸的罩覆盖，
在所述罩连接有第二排气管道。
根据这样的方式，从导风管道的开口吹出的气流的一部分流入到罩的内侧并从第二排气管道排出。由此，能够有效地抑制来自排列方向移动机构的发尘向输送空间飞散。
在本发明的基板处理装置中，也可以是，
所述排列方向移动机构配置于所述多个处理槽的上方，
由所述一对臂、所述上下移动机构和所述转动机构构成的组悬垂状地配置在所述排列方向移动机构的下方。
在本发明的基板处理装置中，也可以是，
所述导风管道配置在所述多个处理槽与所述排列方向移动机构之间。
在本发明的基板处理装置中，也可以是，
所述风扇过滤单元与所述导风管道的一端连接，
多个所述开口越位于所述一端侧形成得越小。
根据这样的方式，能够相对地增加从位于远离风扇过滤单元的位置的开口吹出的气流的流量，由此，能够从各开口分别充分地吹出气流。
在本发明的基板处理装置中，也可以是，
在所述排列方向上，所述开口的中心定位在比相对的所述处理槽的中心靠所述一端侧的位置。
根据这样的方式，能够使从各开口吹出的气流在输送空间中不仅沿着各处理槽的前表面及下游侧侧面，还沿着上游侧侧面充分地流动。
在本发明的基板处理装置中，也可以是，
所述处理槽是清洗模块。
本发明的基板处理装置具备：
多个处理槽，该多个处理槽串联排列；
隔壁，该隔壁划分出在所述多个处理槽的外侧沿排列方向延伸的输送空间；
输送机构，该输送机构配置于所述输送空间，且在各处理槽之间沿着所述排列方向输送基板；以及
导风管道，该导风管道在所述输送空间以沿着所述排列方向延伸的方式设置，
在所述导风管道连接有风扇过滤单元，
在各处理槽连接有排气管道，
在所述导风管道中的与各处理槽相对的部分分别形成有开口。
附图说明
图1是表示一实施方式的基板处理装置的整体结构的俯视图。
图2A是表示图1所示的基板处理装置的清洗部的概略结构的主视图。
图2B是表示将图2A所示的清洗部沿A-A线剖开的剖面的图。
图3是表示图2A所示的清洗部的晶片台的概略结构的分解立体图。
图4是表示图2A所示的清洗部的输送机构的概略结构的主视图。
图5A是用于说明图4所示的输送机构的第二晶片把持机构的动作的示意图。
图5B是用于说明图4所示的输送机构的第二晶片把持机构的动作的示意图。
图5C是用于说明图4所示的输送机构的第二晶片把持机构的动作的示意图。
图5D是用于说明图4所示的输送机构的第二晶片把持机构的动作的示意图。
图5E是用于说明图4所示的输送机构的第二晶片把持机构的动作的示意图。
图6A是用于说明第一处理单元的动作的示意图。
图6B是用于说明第一处理单元的动作的示意图。
图6C是用于说明第一处理单元的动作的示意图。
图6D是用于说明第一处理单元的动作的示意图。
图6E是用于说明第一处理单元的动作的示意图。
图6F是用于说明第一处理单元的动作的示意图。
图7是用于说明导风管道和处理槽的位置关系的立体图。
图8是用于说明导风管道、处理槽和输送机构的位置关系的侧视图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在以下的说明以及以下的说明中使用的附图中，对于能够相同地构成的部分，使用相同的附图标记，并且省略重复的说明。
<基板处理装置的结构>
图1是表示一实施方式的基板处理装置的整体结构的俯视图。如图1所示，基板处理装置10具备俯视大致矩形状的壳体，壳体的内部被隔壁划分为装载/卸载部11、研磨部12、清洗部13和输送部14。这些装载/卸载部11、研磨部12、清洗部13以及输送部14分别独立地组装，并独立地被排气。另外，在基板处理装置10中设有控制装载/卸载部11、研磨部12、清洗部13以及输送部14的动作的控制部15(也称为控制盘)。
装载/卸载部11具有多个(在图示的例子中为四个)前装载部113，该前装载部113载置贮存多个晶片(基板)W的晶片盒。这些前装载部113在基板处理装置10的宽度方向(与长度方向垂直的方向)上相邻地排列。在前装载部113中，能够搭载开式盒、SMIF(StandardManufacturingInterface：晶舟承载)盒或FOUP(FrontOpeningUnifiedPod：前开式晶片传送盒)。这里，SMIF、FOUP是通过在内部收纳晶片盒并通过用隔壁覆盖而能够保持与外部空间独立的环境的密闭容器。
另外，在装载/卸载部11沿着前装载部113的排列方向铺设有行走机构112，在该行走机构112上设置有能够沿着前装载部113的排列方向移动的输送机器人111。输送机器人111通过在移动机构112上移动而能够访问搭载于前装载部113的晶片盒。
输送部14是将研磨前的晶片从装载/卸载部11向研磨部12输送的区域，该输送部14以沿着基板处理装置10的长度方向延伸的方式设置。在本实施方式中，输送部14具有保持晶片W的滑动台(未图示)和使滑动台沿长度方向直线移动的台移动机构(未图示)。
其中，在滑动台的外周部，以向上突出的方式设置有四根销。由装载/卸载部11的输送机器人111载置在滑动台上的晶片W，在其外周缘由四根销引导而定位的状态下被支承在滑动台上。这些销由聚丙烯(PP)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、聚醚醚酮(PEEK)等树脂形成。
作为台移动机构，例如使用利用了滚珠丝杠的电动机驱动机构或气缸。在使用无杆气缸作为台移动机构的情况下，能够防止来自滑动部的发尘，因此是优选的。滑动台固定于台移动机构的可动部分，并通过从台移动机构施加的动力沿长度方向直线移动。
研磨部12是进行晶片W的研磨的区域，具有：第一研磨单元20a，该第一研磨单元20a具有第一研磨装置21a和第二研磨装置21b；第二研磨单元20b，该第二研磨单元20b具有第三研磨装置21c和第四研磨装置21d；以及研磨部输送机构22，该研磨部输送机构22以分别与输送部14和第一研磨单元20a及第二研磨单元20b邻接的方式配置。输送部14在基板处理装置10的宽度方向上配置在输送部14与第一研磨单元20a及第二研磨单元20b之间。
第一研磨装置21a、第二研磨装置21b、第三研磨装置21c以及第四研磨装置21d沿着基板处理装置10的长度方向排列。第一研磨装置21a、第二研磨装置21b、第三研磨装置21c以及第四研磨装置21d分别具有：研磨台(未图示)，该研磨台安装有具有研磨面的研磨垫；顶环(未图示)，该顶环用于保持晶片W并且一边将晶片W按压到研磨台上的研磨垫一边进行研磨；研磨液供给喷嘴(未图示)，该研磨液供给喷嘴用于向研磨垫供给研磨液(也称为浆料)、修整液(例如纯水)；修整器(未图示)，该修整器用于进行研磨垫的研磨面的修整；以及喷雾器(未图示)，该喷雾器将液体(例如纯水)与气体(例如氮气)的混合气体或液体(例如纯水)形成雾状向研磨面喷射。
第一研磨装置21a的顶环通过顶环头的摆动动作在研磨位置和第一基板输送位置TP1之间移动，晶片向第一研磨装置21a的交接在第一基板输送位置TP1进行。同样地，第二研磨装置21b的顶环通过顶环头的摆动动作在研磨位置和第二基板输送位置TP2之间移动，晶片向第二研磨装置21b的交接在第二基板输送位置TP2进行，第三研磨装置21c的顶环通过顶环头的摆动动作在研磨位置和第三基板输送位置TP3之间移动，晶片向第三研磨装置21c的交接在第三基板输送位置TP3进行，第四研磨装置21d的顶环通过顶环头的摆动动作在研磨位置和第四基板输送位置TP4之间移动，晶片向第四研磨装置21d的交接在第四基板输送位置TP4进行。
研磨部输送机构22具有：第一输送单元24a，该第一输送单元24a将晶片W输送到第一研磨单元20a；第二输送单元24b，该第二输送单元24b将晶片W输送到第二研磨单元20b；输送机器人23，该输送机器人23配置在第一输送单元24a和第二输送单元24b之间，进行输送部14和第一输送单元24a及第二输送单元24b之间的晶片的交接。在图示的例子中，输送机器人23配置于基板处理装置10的壳体的大致中央。从输送部14向研磨部12连续输送的晶片W由输送机器人23分配到第一输送单元24a及第二输送单元24b。
交接到第一输送单元24a的晶片被输送到第一研磨装置21a或第二研磨装置21b而被研磨。然后，被第一研磨装置21a或第二研磨装置21b研磨后的晶片经由第一输送单元24a返回到输送机器人23。同样地，交接到第二输送单元24b的晶片被输送到第三研磨装置21c或第四研磨装置21d而被研磨。然后，被第三研磨装置21c或第四研磨装置21d研磨后的晶片经由第二输送单元24b返回到输送机器人23。输送机器人23将从第一输送单元24a及第二输送单元24b接收的晶片输送到清洗部13。
<清洗部的结构>
图2A是表示图1所示的基板处理装置10的清洗部13的概略结构的侧视图。图2B是表示将图2A所示的清洗部沿A-A线切断的剖面的图。
如图2A及图2B所示，清洗部13是清洗研磨后的晶片的区域，该清洗部13具有配置为上下两层的第一处理单元30a及第二处理单元30b。上述输送部14配置在第一处理单元30a和第二处理单元30b之间。由于第一处理单元30a、输送部14和第二处理单元30b在上下方向上重叠地排列，因此能够得到占地面积小的优点。
第二处理单元30b的结构与第一处理单元30a的结构相同，以下以第一处理单元30a的结构为代表进行说明。
如图2A所示，第一处理单元30a具有：串联排列的多个(在图示的例子中为五个)处理槽310、33、311～314；确定在多个处理槽310、33、311～314的外侧沿排列方向(图2A中的左右方向)延伸的输送空间40的隔壁39；以及配置于输送空间40，并在各处理槽310、33、311～314之间沿着排列方向输送晶片W的输送机构32。
以下，有时将符号310的处理槽称为预清洗模块，有时将符号33的处理槽称为晶片台，有时将符号311～314的处理槽分别称为一次～四次清洗模块。预清洗模块310、晶片台33和一次～四次清洗模块311～314沿着排列方向(图2A中的左右方向)以该顺序排列成一行。
图3是表示晶片台33的概略结构的分解立体图。
如图3所示，晶片台33具有：壳体51，该壳体51具有大致长方体形状；载物台52，该载物台52配置在壳体51的内部，并保持晶片W；以及驱动机构55，该驱动机构55使载物台52上下移动。
其中，壳体51具有底面板、四个侧面板和顶面板。如图3所示，在四个侧面板中与研磨部12相对的侧面板(图3中的里侧的侧面板)的下端部形成有搬入口53，该搬入口53与研磨部12连通。搬入口53能够通过未图示的闸门进行开闭。研磨部12的输送机器人23能够从搬入口53访问壳体51的内侧。
另外，如图3所示，在四个侧面板中的剩余的三个侧面板(即，与后述的输送机构32相对的侧面板及左右的侧面板)的与搬入口53不同的高度位置形成有用于使输送机构32的臂通过的臂通过用开口54。臂通过用开口54能够通过未图示的闸门进行开闭。输送机构32能够从臂通过用开口54访问壳体51的内侧。
作为驱动机构55，例如使用利用了滚珠丝杠的电动机驱动机构或气缸。载物台52固定于驱动机构55的可动部，该载物台52通过从驱动机构55施加的动力在与搬入口53相对的高度位置和与臂通过用开口54相对的高度位置之间上下移动。
在载物台52的外周部以向上方突出的方式设有四根销56。载置在载物台52上的晶片W在其外周缘被四根销56引导而定位的状态下被支承在载物台52上。这些销56由聚丙烯(PP)、聚三氟氯乙烯(PCTFE)、聚醚醚酮(PEEK)等树脂形成。
预清洗模块310及一次～四次清洗模块311～314分别具有未图示的清洗机和覆盖该清洗机的壳体91(参照图7和图8)。
作为一次清洗模块311及二次清洗模块312的清洗机，例如可以使用使上下配置的辊状的海绵旋转而按压晶片的表面及背面来清洗晶片的表面及背面的辊式清洗机。另外，作为三次清洗模块313的清洗机，例如可以使用使半球状的海绵一边旋转并且一边向晶片按压来进行清洗的笔型清洗机。作为四次清洗模块314的清洗机，例如能够使用能够对晶片的背面进行冲洗清洗，且晶片表面的清洗是使半球状的海绵一边旋转一边按压而进行清洗的笔型清洗机。该四次清洗模块314的清洗机具备使卡着的晶片高速旋转的载物台，并具有通过使晶片高速旋转而使清洗后的晶片干燥的功能(旋转干燥功能)。另外，在各清洗模块311～314的清洗机中，除了上述的辊型清洗机、笔型清洗机以外，也可以附加地设置向清洗液发射超声波来进行清洗的超声波型清洗机。在图示的例子中，在四次清洗模块314中设置有单独的风扇过滤单元45，能够在内部实现高清洁度。
覆盖清洗机的壳体91与晶片台33的壳体51相同，具有底面板、四个侧面板和顶面板(参照图7和图8)。在四个侧面板中的剩余的三个侧面板(与后述的输送机构32相对的侧面板及左右的侧面板)形成有用于使输送机构32的臂通过的臂通过用开口94。臂通过用开口94可通过闸门95进行开闭。输送机构32能够从臂通过用开口94访问壳体91的内侧。
图4是表示输送机构32的概略结构的主视图。
如图4所示，输送机构32具有：分别把持晶片W的第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602；以及使第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602沿着多个处理槽310、33、311～314的排列方向直线移动的排列方向移动机构62。在本实施方式中，晶片把持机构601、602的数量比处理槽310、33、311～314的数量少。
在本实施方式中，例如能够与晶片W的清洁度对应地区分使用第一晶片把持机构601和第二晶片把持机构602。例如，在一次～四次清洗模块311～314中的清洗处理前半的一次清洗模块311及二次清洗模块312中使用第一晶片把持机构601，在清洗处理后半的三次清洗模块313a及四次清洗模块314中使用第二晶片把持机构602，由此能够防止清洗处理后半部分的晶片W与第一晶片把持机构601接触而被污染。
更详细地说，第一晶片把持机构601具有：把持晶片且能够开闭的一对第一臂611；使一对第一臂611上下移动的第一上下移动机构641；使一对第一臂611以与开闭方向平行的旋转轴631A为中心转动的第一转动机构631；以及使一对第一臂611向相互接近的方向或相互离开的方向开闭的第一开闭机构661。
同样地，第二晶片把持机构602具有：把持晶片且能够开闭的一对第二臂612；使一对第二臂612上下移动的第二上下移动机构642；使一对第二臂612以与开闭方向平行的旋转轴632A为中心转动的第二转动机构632；以及使一对第二臂612向相互接近的方向或相互离开的方向开闭的第二开闭机构662。
作为排列方向移动机构62，例如使用使用滚珠丝杠的电动机驱动机构。排列方向移动机构62的滚珠丝杠在多个处理槽310、33、311～314的上方以沿清洗模块311～314的排列方向延伸的方式设置。如图4所示，由一对臂、上下移动机构和转动机构构成的组，即第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602以悬垂状配置在排列方向移动机构62的下方。
<臂的动作>
接着，参照图5A～图5E，对一对第二臂612的动作的一例进行说明。如上所述，各清洗模块310、311～314被壳体91划分成在晶片W的清洗中使用流体不向外部飞散，在壳体91的侧面形成有臂通过用开口94。在臂通过用开口94设置有能够开闭的闸门97。
如图5A所示，在将清洗后的晶片W从壳体91取出的情况下，顶端朝上的一对第二臂612通过排列方向移动机构62的驱动而向与壳体91邻接的待机位置移动。在本实施方式中，即使壳体91的闸门97被关闭，通过使一对第二臂612的顶端朝向上方，也能够使一对第二臂612向与壳体91邻接的待机位置移动。因此，能够加快晶片取出作业的开始时机，从而能够提高工艺整体的生产能力。
接着，如图5B及图5C所示，通过第二转动机构632的驱动，一对第二臂612以旋转轴632A为中心转动。在图示的例子中，一对第二臂612在侧视中以旋转轴632A为中心顺时针旋转90°，一对第二臂612的顶端朝向横向。
接着，如图5D所示，通过第二上下移动机构642的驱动，一对第二臂612上升到与臂通过用开口94相同的高度位置。此时，闸门97退避，臂通过用开口94打开。
接着，如图5E所示，通过第二开闭机构662的驱动，一对第二臂612向相互接近的方向关闭，通过臂通过用开口94插入到壳体91内侧，把持壳体91内的晶片W。然后，把持着晶片W的一对第二臂612通过排列方向移动机构62的驱动而向下一个清洗模块移动。
在将清洗前的晶片W搬入壳体91的情况下，图5A～图5E所示的上述动作以相反的顺序进行。即，如图5E所示，把持着晶片W的一对第二臂612通过排列方向移动机构62的驱动，通过臂通过用开口94向壳体91内侧移动。
接着，如图5D所示，通过第二开闭机构662的驱动，一对第二臂612向相互离开的方向打开，并通过臂通过用开口94向壳体91的外侧取出。
接着，如图5C所示，通过第二上下移动机构642的驱动，一对第二臂612下降到比臂通过用开口94低的高度位置。此时，臂通过用开口94通过闸门97而在壳体91的内侧开始晶片W的清洗处理。
接着，如图5B及图5A所示，通过第二转动机构632的驱动，一对第二臂612以旋转轴632A为中心转动。在图示的例子中，一对第二臂612在侧视中以旋转轴632A为中心逆时针旋转90°，一对第二臂612的顶端朝向上方。并且，顶端朝上的一对第二臂612通过排列方向移动机构62的驱动而向下一个清洗模块移动。在本实施方式中，在第二转动机构632使一对第二臂612转动成顶端朝上时，第二上下移动机构642使一对第二臂612下降，因此能够削减一对第二臂612的上方所需要的空间。
<晶片的清洗处理>
接着，对使用由这样的结构构成的清洗部13来清洗晶片W的处理的一例进行说明。在本实施方式中，从研磨部12向清洗部13输送来的晶片W由输送机器人23分配到第一处理单元30a及第二处理单元30b，并在第一处理单元30a及第二处理单元30b被并行清洗。因此，能够提高工艺整体的生产能力。
第二处理单元30b中的晶片清洗处理与第一处理单元30a中的晶片清洗处理相同，以下，对第一处理单元30a中的晶片清洗处理进行说明。
如图6A所示，首先，在一对第一臂611及一对第二臂612的顶端分别朝向上方的状态下，通过排列方向移动机构62的驱动，第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602沿多个处理槽310、33、311～314的排列方向移动，一对第一臂611在与晶片台33邻接的待机位置静止。并且，通过第一转动机构631的驱动，一对第一臂611以旋转轴631A为中心转动，一对第一臂611的顶端朝向横向。在晶片台33的闸门退避而打开臂通过用开口74之后，一对第一臂611通过臂通过用开口74插入到晶片台33的内侧，把持保持在载物台72上的晶片W。在晶片W被一对第一臂611把持后，载物台72向下方退避。
接着，如图6B所示，在一次清洗模块331的闸门97退避而打开臂通过用开口94之后，通过排列方向移动机构62的驱动，第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602沿多个处理槽310、33、311～314的排列方向移动，被一对第一臂611把持的晶片W从晶片台33被输送到一次清洗模块331，并被交接到一次清洗模块331的清洗机。接着，在一对第一臂611向一次清洗模块331的壳体91的外侧取出后，臂通过用开口94被闸门97关闭，由一次清洗模块331的清洗机进行晶片W的清洗。
在一次清洗模块331中的清洗处理结束后，闸门97退避而打开臂通过用开口94。一对第一臂611通过臂通过用开口94插入到一次清洗模块331的框体91的内侧，把持由清洗机清洗后的晶片W。
接着，如图6C所示，在使二次清洗模块332的闸门97退避而打开臂通过用开口94之后，通过排列方向移动机构62的驱动，第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602沿着多个处理槽310、33、311～314的排列方向移动，被一对第一臂611把持的晶片W从一次清洗模块331被输送到二次清洗模块332，并被交接到二次清洗模块332的清洗机。接着，在一对第一臂611向二次清洗模块332的壳体91的外侧取出后，臂通过用开口94被闸门97关闭，由二次清洗模块332的清洗机进行晶片W的清洗。
接着，如图6D所示，通过第一转动机构631的驱动，一对第一臂611以旋转轴631A为中心转动，一对第一臂611的顶端朝向上方。然后，在一对第一臂611及一对第二臂612的顶端分别朝向上方的状态下，通过排列方向移动机构62的驱动，第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602沿多个处理槽310、33、311～314的排列方向移动，一对第二臂612在与二次清洗模块332邻接的待机位置静止。通过第二转动机构632的驱动，一对第二臂612以旋转轴632A为中心转动，一对第二臂612的顶端朝向横向。
在二次清洗模块332中的清洗处理结束后，闸门97退避而打开臂通过用开口94。一对第二臂612通过臂通过用开口94插入到二次清洗模块332的壳体91的内侧，并把持由清洗机清洗后的晶片W。
这样，在本实施方式中，二次清洗模块332中的清洗前的晶片W被一对第一臂611把持并输送，二次清洗模块332中的清洗后的晶片W被一对第二臂612把持并输送。即，在二次清洗模块332中更换了臂。由此，从而能够防止一对第一臂611与二次清洗模块332中的清洗后的晶片W接触而使该晶片W被污染。
接着，如图6E所示，在三次清洗模块333的闸门97退避而打开臂通过用开口94之后，通过排列方向移动机构62的驱动，第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602沿着多个处理槽310、33、311～314的排列方向移动，被一对第二臂612把持的晶片W从二次清洗模块332被输送到三次清洗模块333，并被交接到三次清洗模块333的清洗机。接着，在一对第二臂612向三次清洗模块333的壳体91的外侧取出后，臂通过用开口94被闸门97关闭，由三次清洗模块333的清洗机进行晶片W的清洗。
在三次清洗模块333中的清洗处理结束后，闸门97退避而打开臂通过用开口94。一对第二臂612通过臂通过用开口94插入到三次清洗模块333的壳体91的内侧，把持由清洗机清洗后的晶片W。
接着，如图6F所示，在四次清洗模块334的闸门97退避而打开臂通过用开口94之后，通过排列方向移动机构62的驱动，第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602沿多个处理槽310、33、311～314的排列方向移动，被一对第二臂612把持的晶片W从三次清洗模块333被输送到四次清洗模块334，并被交接到四次清洗模块334的清洗机。接着，在一对第二臂612向四次清洗模块334的壳体91的外侧取出后，臂通过用开口94被闸门97关闭，由四次清洗模块334的清洗机进行晶片W的清洗。
在四次清洗模块334中的清洗处理结束后，闸门97退避而打开臂通过用开口94。上述装载/卸载部11的输送机器人111的手部通过臂通过用开口94插入到四次清洗模块334a的壳体91的内侧，并将由清洗机清洗后的晶片W取出到装载/卸载部11。
<输送空间的气流控制>
但是，如在发明所要解决的技术问题一栏中也提到的那样，在基板处理装置的清洗单元中，来自输送晶片的输送机构的发尘有可能成为缺陷源。因此，在本实施方式中，为了抑制晶片的缺陷，在清洗部13的输送空间40中进行如下说明的气流控制。
如图2A以及图2B所示，在本实施方式中，在第一处理单元30a的输送空间40及第二处理单元30b的输送空间40中，分别以沿着排列方向延伸的方式设置有导风管道41。另外，第一处理单元30a的输送空间40和第二处理单元30b的输送空间40通过隔壁39上下分离，从而防止在第一处理单元30a及第二处理单元30b之间产生气流差。
如图2A所示，在导风管道41连接有向导风管道41的内部供给正常的气流的风扇过滤单元44。在图示的例子中，风扇过滤单元44与导风管道41的长度方向的一端(图2A中的右端)连接。
另外，在导风管道41中的与各处理槽310、33、311～313相对的部分分别形成有开口410、43、411～413。从风扇过滤单元44供给的正常的气流通过导风管道41的内部，从各开口410、43、411～413向处理槽310、33、311～313的顶板吹出。如图2B所示，在导风管道41的背面侧(图2B中的右侧)，与背面平行的隔壁39被设置成将导风管道41与各处理槽310、33、311～313的顶板之间的空间以及相邻的处理槽310、33、311～313的侧板之间的空间分离成正面侧和背面侧，从而从各开口410、43、411～413吹出的气流不会向处理槽311的背面侧流出。因此，从各开口410、43、411～413吹出的气流对处理槽310、33、311～313的前面侧及侧面侧进行正压。
在本实施方式中，多个开口410、43、411～413越位于上述一端(图2A中的右端)侧形成得越小，换言之，越是位于远离风扇过滤器44的位置的开口形成得越大。具体而言，例如，以符号410的开口的大小为基准，符号43、411、412、413的开口分别为90％、80％、70％、60％的大小。另外，各开口410、43、411～413的形状及大小也可以基于使用试验机的实验结果、使用流体解析软件的解析结果来适当决定。
虽然从导风管道41的一端供给的气流随着远离风扇过滤单元44而流速因空气阻力降低，但由于越是远离风扇过滤单元44的位置的开口形成得越大，因此能够相对地增加从远离风扇过滤单元44的位置的开口吹出的气流的流量，由此，能够分别从各开口410、43、411～413充分地吹出气流。
在图示的例子中，在排列方向上，各开口410、43、411～413的中心相对于与其相对的处理槽310、33、311～313的中心，被定位在上述一端(图2A中的右端)侧。由此，如图2A所示，能够使从各开口410、43、411～413吹出的气流在输送空间40中不仅沿着各处理槽310、33、311～313的前表面及下游侧侧面，而且沿着上游侧侧面也充分流动。
各处理槽310、33、311～313与导风管道41的位置关系相互相同，以下，对符号311的处理槽与导风管道41的位置关系进行说明。图7是用于说明导风管道41和处理槽311的位置关系的立体图。图8是用于说明导风管道41、处理槽311和输送机构32的位置关系的侧视图。
如图7及图8所示，导风管道41配置在处理槽311的上方。在图示的例子中，输送机构32的排列方向移动机构62配置在处理槽311的上方，导风管道41配置在处理槽311和排列方向移动机构62之间。
通过将导风管道41配置在处理槽311的上方，从导风管道41的开口411吹出的气流在输送空间40中沿着处理槽311的前表面及侧面向下流动。由此，能够防止漂浮在输送空间40中的灰尘因气流而飞扬。
如图8所示，在处理槽311的壳体91连接有排气管道98。处理槽311的内部通过排气管道98进行排气，从而处理槽311的内部成为负压(参照图2B)。因此，从导风管道41的开口411向输送空间40吹出的气流在沿着处理槽311的前表面及侧面的流动中，被吸引到臂通过用开口94，通过该开口94流入到壳体91的内部，而从排气管道98排出。
在此，由于导风管道41配置在处理槽311和排列方向移动机构62之间，因此从导风管道41的开口411向输送空间40吹出的气流不会被输送机构32遮挡而滞留，从而能够整齐地流向处理槽311的内部。
另外，闸门97在与壳体94之间隔开数毫米(mm)左右的间隙而配置，以在开闭时不与壳体94摩擦而产生灰尘。因此，即使在闸门97关闭的状态下，由于框体91的内部因排气管道98而成为负压，因此从导风管道41的开口411吹出到输送空间40的气流在沿着处理槽311的前表面及侧面的流动中，被吸引到臂通过用开口94，通过闸门97和壳体94之间的间隙而流入到壳体94的内部，而从排气管道98排出。
如图8所示，在本实施方式中，排列方向移动机构62被沿多个处理槽310、33、313的排列方向延伸的罩65覆盖，以使得来自排列方向移动机构62的发尘不会飞散到输送空间40。
罩65的底面的跟前侧(图8中的右侧)部分地开口，第一晶片把持机构601及第二晶片把持机构602通过该开口以悬垂状配置在排列方向移动机构62的下方。由此，第一晶片把持机构601和第二晶片把持机构602能够在不与罩65物理干涉的情况下沿排列方向直线移动。
如图8所示，在罩65连接有第二排气管道68。罩65的内部通过第二排气管道68进行排气，从而罩65的内部成为负压(参照图2B)。因此，从导风管道41的开口411向输送空间40吹出的气流的一部分被朝向罩65的底面的开口吸引，通过该开口流入到罩65的内部，而从第二排气管道68排出。通过形成这样的气流的流动，能够有效地抑制来自排列方向移动机构62的发尘通过罩65的底面的开口向输送空间40飞散。
根据以上那样的本实施方式，由于配置为上下两层的第一处理单元30a及第二处理单元30b能够并行地处理多个晶片，因此能够实现高生产能力。另外，在各处理单元30a、30b的输送空间40中，导风管道41以沿着多个处理槽310、33、311～313的排列方向延伸的方式设置，在该导风管道41的与各处理槽310、33、311～313相对的部分分别形成有开口410、43、411～413，因此，在输送空间40中，能够使气流整齐地流动而不被输送机构32遮挡而滞留，并能够抑制来自输送机构32的发尘成为缺陷源。另外，由于第一清洗单元30a的输送空间40和第二清洗单元30b的输送空间40通过隔壁39而上下分离，因此能够防止在第一处理单元30a及第二处理单元30b之间产生气流差。通过有机地组合这样的作用，在第一处理单元30a及第二处理单元30b的任一个中都能够有效地抑制晶片的缺陷。
另外，在上述的实施方式中，以研磨晶片的研磨装置为例进行了说明，但本发明不限于研磨装置，也可以适用于其他的基板处理装置。例如，也可以将多个研磨单元置换为其他基板处理单元(例如，镀覆处理单元或CVD单元等成膜处理单元、湿式蚀刻单元或干式蚀刻单元等)，构成与研磨装置不同的基板处理装置。另外，也可以组合不同的多个基板处理单元，将它们在规定的方向上排列配置。
另外，在上述实施方式中，处理单元30a、30b配置为上下两层，但不限于此，也可以是一层，也可以是上下三层以上。
以上对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明不限于上述实施方式，在其技术思想的范围内当然可以以各种不同的方式实施。

Claims (8)

1.一种基板处理装置，其特征在于，
具备配置为上下两层的第一处理单元及第二处理单元，
所述第一处理单元及所述第二处理单元分别具有：
多个处理槽，该多个处理槽串联排列；
隔壁，该隔壁划分出在所述多个处理槽的外侧沿排列方向延伸的输送空间；
输送机构，该输送机构配置于所述输送空间，且在各处理槽之间沿着所述排列方向输送基板；以及
导风管道，该导风管道在所述输送空间以沿着所述排列方向延伸的方式设置，
在所述导风管道连接有风扇过滤单元，
在各处理槽连接有排气管道，
在所述导风管道中的与各处理槽相对的部分分别形成有开口，
所述第一处理单元的输送空间和所述第二处理单元的输送空间被所述隔壁上下分离，
所述第一处理单元的所述导风管道配置在所述第一处理单元的所述多个处理槽的上方，所述第二处理单元的所述导风管道配置在所述第二处理单元的所述多个处理槽的上方。
2.一种基板处理装置，其特征在于，
具备配置为上下两层的第一处理单元及第二处理单元，
所述第一处理单元及所述第二处理单元分别具有：
多个处理槽，该多个处理槽串联排列；
隔壁，该隔壁划分出在所述多个处理槽的外侧沿排列方向延伸的输送空间；
输送机构，该输送机构配置于所述输送空间，且在各处理槽之间沿着所述排列方向输送基板；以及
导风管道，该导风管道在所述输送空间以沿着所述排列方向延伸的方式设置，
在所述导风管道连接有风扇过滤单元，
在各处理槽连接有排气管道，
在所述导风管道中的与各处理槽相对的部分分别形成有开口，
所述第一处理单元的输送空间和所述第二处理单元的输送空间被所述隔壁上下分离，
所述第一处理单元的所述导风管道配置在所述第一处理单元的所述多个处理槽与所述第一处理单元的所述排列方向移动机构之间，所述第二处理单元的所述导风管道配置在所述第二处理单元的所述多个处理槽与所述第二处理单元的所述排列方向移动机构之间。
3.一种基板处理装置，其特征在于，
具备配置为上下两层的第一处理单元及第二处理单元，
所述第一处理单元及所述第二处理单元分别具有：
多个处理槽，该多个处理槽串联排列；
隔壁，该隔壁划分出在所述多个处理槽的外侧沿排列方向延伸的输送空间；
输送机构，该输送机构配置于所述输送空间，且在各处理槽之间沿着所述排列方向输送基板；以及
导风管道，该导风管道在所述输送空间以沿着所述排列方向延伸的方式设置，
在所述导风管道连接有风扇过滤单元，
在各处理槽连接有排气管道，
在所述导风管道中的与各处理槽相对的部分分别形成有开口，
所述第一处理单元的输送空间和所述第二处理单元的输送空间被所述隔壁上下分离，
在所述排列方向上，所述开口的中心定位在比相对的所述处理槽的中心靠所述一端侧的位置。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述输送机构具有：
一对臂，该一对臂把持基板，且能够开闭；
上下移动机构，该上下移动机构使所述一对臂上下移动；
转动机构，该转动机构使所述一对臂以与开闭方向平行的旋转轴为中心转动；以及
排列方向移动机构，该排列方向移动机构使所述一对臂沿所述排列方向直线移动，
所述排列方向移动机构由在所述排列方向上延伸的罩覆盖，
在所述罩连接有第二排气管道。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于：
所述排列方向移动机构配置于所述多个处理槽的上方，
由所述一对臂、所述上下移动机构和所述转动机构构成的组悬垂状地配置在所述排列方向移动机构的下方。
6.根据权利要求1～5中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
所述风扇过滤单元与所述导风管道的一端连接，
多个所述开口越位于所述一端侧形成得越小。
7.根据权利要求1～6中的任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
所述处理槽是清洗模块。
8.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
多个处理槽，该多个处理槽串联排列；
隔壁，该隔壁划分出在所述多个处理槽的外侧沿排列方向延伸的输送空间；
输送机构，该输送机构配置于所述输送空间，且在各处理槽之间沿着所述排列方向输送基板；以及
导风管道，该导风管道在所述输送空间以沿着所述排列方向延伸的方式设置，
在所述导风管道连接有风扇过滤单元，
在各处理槽连接有排气管道，
在所述导风管道中的与各处理槽相对的部分分别形成有开口，
在所述排列方向上，所述开口的中心定位在比相对的所述处理槽的中心靠所述一端侧的位置。
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