JP2017103431A - 基板処理装置の排気装置 - Google Patents

Abstract

【課題】各処理室内におけるスピン乾燥等の処理により当該処理室内部の排気が乱れても、互いに他方側の処理室の排気圧に影響を与えることはなく、常に安定した排気環境にすることができる基板処理装置の排気装置を提供する。
【解決手段】基板の処理を行う基板処理装置において、近接して配置された複数の処理室から排気を行う排気装置であって、複数の処理室としての複数の乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂに個別に排気ダクト５３Ａ，５３Ｂを接続し、各乾燥モジュールを独立に排気するように構成した。
【選択図】図３

Description

本発明は、半導体ウェハ等の基板の洗浄や乾燥等の処理を行う基板処理装置の処理室を排気する排気装置に関するものである。

半導体デバイスの製造工程においては、半導体ウェハ等の基板の表面に成膜、エッチング、研磨などの各種処理が施される。これら各種処理が施された基板は、処理後に清浄化するために、基板の洗浄処理および乾燥処理が行われる。例えば、基板の洗浄処理では、基板を保持しつつ基板を回転させ、この状態で基板に洗浄液を供給して洗浄する。基板の乾燥処理では、基板を保持しつつ基板を高速で回転させて基板をスピン乾燥させ、或いは、基板を保持しつつ基板を回転させながら基板の表面にＩＰＡ蒸気等を吹き付けて基板を乾燥させる。

上述した基板の洗浄処理や乾燥処理は、洗浄機を内部に有する洗浄モジュールおよび乾燥機を内部に有する乾燥モジュールにおいて行われる。
基板処理装置においては、基板のスループットを向上させるために、洗浄モジュールや乾燥モジュールを、それぞれ上下に複数段（例えば、二段）設置することが行われている。

図５（ａ），（ｂ）は、従来の乾燥モジュールに設置された排気装置５０を示す図であり、図５（ａ）は部分断面立面図、図５（ｂ）は側面図である。図５（ａ），（ｂ）に示すように、箱状の上側乾燥モジュール２０５Ａおよび箱状の下側乾燥モジュール２０５Ｂは、上下に近接して配置されている。図５（ａ）に示すように、上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂの内部には、それぞれ洗浄後の基板を高速で回転させて基板を乾燥させる乾燥機２０６Ａ，２０６Ｂが設置されている。

各乾燥機２０６Ａ，２０６Ｂは、基板の周縁部をチャックで把持して基板を水平な姿勢で保持し、基板を高速で回転させるステージ２１６Ａ，２１６Ｂを備えている。箱状の上側乾燥モジュール２０５Ａおよび箱状の下側乾燥モジュール２０５Ｂの底部には、それぞれメイン排気管５１Ａ，５１Ｂが接続されている。これらメイン排気管５１Ａ，５１Ｂは、上方に延びる１本の排気ダクト５３に接続されている。上側乾燥機２０６Ａの内部にあるステージ２１６Ａの近傍には、二本のスピンドル状（軸状）のスピンドル排気管５２Ａ，５２Ａが挿入されており、これらスピンドル排気管５２Ａ，５２Ａは、それぞれ１本の排気ダクト５３に接続されている。下側乾燥機２０６Ｂの内部にあるステージ２１６Ｂの近傍には、二本のスピンドル状（軸状）のスピンドル排気管５２Ｂ，５２Ｂが挿入されており、これらスピンドル排気管５２Ｂ，５２Ｂは、それぞれ１本の排気ダクト５３に接続されている。

図５（ａ），（ｂ）に示すように構成された排気装置５０によれば、乾燥機２０６Ａ，２０６Ｂの稼働中に、箱状の上側乾燥モジュール２０５Ａおよび箱状の下側乾燥モジュール２０５Ｂの内部は、それぞれメイン排気管５１Ａ，５１Ｂを介して排気され、これら排気は一本の排気ダクト５３に合流される。また、上側乾燥機２０６Ａのステージ２１６Ａおよび下側乾燥機２０６Ｂのステージ２１６Ｂは、それぞれスピンドル排気管５２Ａ，５２Ａ；５２Ｂ，５２Ｂを介して排気され、これら排気は一本の排気ダクト５３に合流される。このように、メイン排気およびスピンドル排気は一本の排気ダクト５３に合流される。排気ダクト５３の上端５３ａは工場側排気ダクトに接続されており、合流後の排気は工場側排気ダクトに流入する。

特開２００３−１３３２７４号公報 特開平９−３２０９９８号公報 特開平７−１０８４５８号公報

図５（ａ），（ｂ）に示すように、乾燥モジュールが上下に二段配置されている構成において、各乾燥モジュールに排気ダクトを接続する際、一つの排気ダクトを二つに分岐して各乾燥モジュールに接続している。そのため、各乾燥モジュールにおいて、乾燥機が稼働して基板のスピンドライ（スピン乾燥）を行うと、乾燥モジュール内部の排気が乱れ、互いに他方側の乾燥モジュールの排気圧に悪影響を与え、圧力が不安定状態になり、乾燥プロセスに影響を及ぼすという問題がある。

本発明は、上述の事情に鑑みなされたもので、半導体ウェハ等の基板の洗浄や乾燥等の処理を行う基板処理装置において上下や左右等に近接して配置された複数の処理室から排気を行う場合に、複数の処理室に個別に排気ダクトを接続し、各処理室を独立に排気する構成にすることで、各処理室内におけるスピン乾燥等の処理により当該処理室内部の排気が乱れても、互いに他方側の処理室の排気圧に影響を与えることはなく、常に安定した排気環境にすることができる基板処理装置の排気装置を提供することを目的とする。

本発明の基板処理装置の排気装置は、基板の処理を行う基板処理装置において、近接して配置された複数の処理室から排気を行う排気装置であって、前記複数の処理室に個別に排気ダクトを接続し、各処理室を独立に排気するように構成したことを特徴とする。

本発明の好ましい態様は、前記複数の処理室は、上下に複数段に亘って設置されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数の処理室は、それぞれ洗浄後の基板を高速で回転させて基板を乾燥させる乾燥機を備えた複数の箱状の乾燥モジュールからなることを特徴とする。

本発明の好ましい態様は、前記各乾燥機は、基板の周縁部をチャックで把持して基板を水平な姿勢で保持し基板を高速で回転させるステージを備え、前記乾燥モジュールと前記排気ダクトとは、前記ステージの近傍まで延びるスピンドル排気管と、前記箱状の乾燥モジュールの底部に接続されたメイン排気管とを介して接続されていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記排気ダクトの上端は、工場側排気ダクトに接続されていることを特徴とする。

本発明によれば、半導体ウェハ等の基板の洗浄や乾燥等の処理を行う基板処理装置において上下や左右等に近接して配置された複数の処理室から排気を行う場合に、複数の処理室に個別に排気ダクトを接続し、各処理室を独立に排気する構成にすることで、各処理室内におけるスピン乾燥等の処理により当該処理室内部の排気が乱れても、互いに他方側の処理室の排気圧に影響を与えることはなく、常に安定した排気環境にすることができる。

図１は、本発明の排気装置を備えた基板処理装置の一例としての研磨装置の全体構成を示す平面図である。 図２（ａ），（ｂ）は、図１に示す研磨装置の洗浄部を示す図であり、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は正面図である。 図３（ａ），（ｂ）は、図２（ａ），（ｂ）に示す乾燥モジュールに設置された排気装置を示す図であり、図３（ａ）は部分断面立面図、図３（ｂ）は側面図である。 図４（ａ），（ｂ）は、図５（ａ），（ｂ）に示すように構成された従来の排気装置と図３（ａ），（ｂ）に示すように構成された本発明の排気装置の比較試験の結果を示す図である。 図５（ａ），（ｂ）は、従来の乾燥モジュールに設置された排気装置を示す図であり、図５（ａ）は部分断面立面図、図５（ｂ）は側面図である。

以下、本発明に係る基板処理装置の排気装置の実施形態について図１乃至図４を参照して詳細に説明する。以下の各例において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。以下においては、基板処理装置の一例として研磨装置を説明するが、めっき装置等、他の基板処理装置にも本発明を適用できることは勿論である。

図１は、本発明の排気装置を備えた基板処理装置の一例としての研磨装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、この研磨装置（基板処理装置）は、略矩形状のハウジング１を備えており、ハウジング１の内部は、隔壁１ａ，１ｂによって、ロード／アンロード部２、研磨部３及び洗浄部４に区画されている。これらのロード／アンロード部２、研磨部３及び洗浄部４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気される。また、研磨装置は、基板処理動作を制御する制御部５を有している。

ロード／アンロード部２は、多数の半導体ウェハ等の基板をストックする基板カセットが載置される２つ以上（本実施形態では４つ）のフロントロード部２０を備えている。これらのフロントロード部２０は、ハウジング１に隣接して配置され、研磨装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に沿って配列されている。フロントロード部２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、またはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができる。ここで、ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。

ロード／アンロード部２には、フロントロード部２０の並びに沿って走行機構２１が敷設されており、この走行機構２１上に基板カセットの配列方向に沿って移動可能な搬送ロボット（ローダー）２２が設置されている。搬送ロボット２２は、走行機構２１上を移動することによって、フロントロード部２０に搭載された基板カセットにアクセスできる。搬送ロボット２２は、上下に２つのハンドを備えており、上側のハンドを処理された基板を基板カセットに戻すときに使用し、下側のハンドを処理前の基板を基板カセットから取り出すときに使用することで、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。さらに、搬送ロボット２２の下側のハンドは、その軸心周りに回転することで、基板を反転させることができるように構成されている。

ロード／アンロード部２は、最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロード部２の内部は、研磨装置外部、研磨部３及び洗浄部４のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。研磨部３は、研磨液としてスラリーを用いるため最もダーティな領域である。したがって、研磨部３の内部には負圧が形成され、その圧力は洗浄部４の内部圧力よりも低く維持されている。ロード／アンロード部２には、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられており、このフィルタファンユニットからはパーティクルや有毒蒸気、有毒ガスが除去されたクリーンエアが常時吹き出している。

研磨部３は、基板表面の研磨（平坦化）が行われる領域であり、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄを備えている。これらの第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄは、研磨装置の長手方向に沿って配列されている。

第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、基板を保持しかつ基板を研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド１０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド１０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド１０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ３４Ａとを備えている。

同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨パッド１０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂとを備えている。第３研磨ユニット３Ｃは、研磨パッド１０が取付けられた研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃとを備えている。第４研磨ユニット３Ｄは、研磨パッド１０が取付けられた研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄとを備えている。

第１研磨ユニット３Ａ及び第２研磨ユニット３Ｂに隣接して、第１リニアトランスポータ６が配置されている。この第１リニアトランスポータ６は、研磨ユニット３Ａ，３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロード部側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間で基板を搬送する機構である。

第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄに隣接して、第２リニアトランスポータ７が配置されている。この第２リニアトランスポータ７は、研磨ユニット３Ｃ，３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロード部側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間で基板を搬送する機構である。

基板は、第１リニアトランスポータ６によって、研磨ユニット３Ａ，３Ｂに搬送される。第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。したがって、トップリング３１Ａへの基板の受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂのトップリング３１Ｂは、研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへの基板の受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは、研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへの基板の受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは、研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへの基板の受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。

第１搬送位置ＴＰ１には、搬送ロボット２２から基板を受け取るためのリフタ１１が配置されている。基板は、このリフタ１１を介して搬送ロボット２２から第１リニアトランスポータ６に渡される。リフタ１１と搬送ロボット２２との間に位置して、シャッタ（図示せず）が隔壁１ａに設けられており、基板の搬送時にはシャッタが開かれて搬送ロボット２２からリフタ１１に基板が渡される。また、第１リニアトランスポータ６、第２リニアトランスポータ７及び洗浄部４の間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。このスイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有しており、第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７への基板の受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。基板は、第２リニアトランスポータ７によって、第３研磨ユニット３Ｃ及び／または第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。また、研磨部３で研磨された基板は、スイングトランスポータ１２を経由して洗浄部４に搬送される。

スイングトランスポータ１２の側方には、図示しないフレームに設置された基板の仮置き台１８０が配置されている。この仮置き台１８０は、第１リニアトランスポータ６に隣接して配置されており、第１リニアトランスポータ６と洗浄部４との間に位置している。仮置き台１８０に載置された基板は、次に説明する、洗浄部４の搬送ロボットによって洗浄部４に搬送される。

図２（ａ），（ｂ）は図１に示す洗浄部４の詳細を示す図であり、図２（ａ）は平面図であり、図２（ｂ）は側面図である。図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、洗浄部４は、第１洗浄室１９０と、第１搬送室１９１と、第２洗浄室１９２と、第２搬送室１９３と、乾燥室１９４とに区画されている。第１洗浄室１９０内には、縦方向に沿って配列された上側一次洗浄モジュール２０１Ａおよび下側一次洗浄モジュール２０１Ｂが配置されている。上側一次洗浄モジュール２０１Ａは下側一次洗浄モジュール２０１Ｂの上方に配置されている。同様に、第２洗浄室１９２内には、縦方向に沿って配列された上側二次洗浄モジュール２０２Ａおよび下側二次洗浄モジュール２０２Ｂが配置されている。上側二次洗浄モジュール２０２Ａは下側二次洗浄モジュール２０２Ｂの上方に配置されている。一次および二次洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂは、洗浄液を用いて基板を洗浄する洗浄機を内部に有する箱状の洗浄モジュールである。これらの一次および二次洗浄モジュール２０１Ａ，２０１Ｂ，２０２Ａ，２０２Ｂは垂直方向に沿って配列されているので、フットプリント面積が小さいという利点が得られる。

上側二次洗浄モジュール２０２Ａと下側二次洗浄モジュール２０２Ｂとの間には、基板の仮置き台２０３が設けられている。乾燥室１９４内には、縦方向に沿って配列された上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂが配置されている。これら上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂは、乾燥機を内部に有する箱状の乾燥モジュールであり、互いに隔離されている。上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂの上部には、清浄な空気を乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂ内にそれぞれ供給するフィルタファンユニット２０７，２０７が設けられている。上側一次洗浄モジュール２０１Ａ、下側一次洗浄モジュール２０１Ｂ、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、および下側乾燥モジュール２０５Ｂは、図示しないフレームにボルトなどを介して固定されている。

第１搬送室１９１には、上下動可能な第１搬送ロボット２０９が配置され、第２搬送室１９３には、上下動可能な第２搬送ロボット２１０が配置されている。第１搬送ロボット２０９および第２搬送ロボット２１０は、縦方向に延びる支持軸２１１，２１２にそれぞれ移動自在に支持されている。第１搬送ロボット２０９および第２搬送ロボット２１０は、その内部にモータなどの駆動機構を有しており、支持軸２１１，２１２に沿って上下に移動自在となっている。第１搬送ロボット２０９は、搬送ロボット２２と同様に、上下二段のハンドを有している。第１搬送ロボット２０９は、図２（ａ）の点線で示すように、その下側のハンドが上述した仮置き台１８０にアクセス可能な位置に配置されている。第１搬送ロボット２０９の下側のハンドが仮置き台１８０にアクセスするときには、隔壁１ｂに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

第１搬送ロボット２０９は、仮置き台１８０、上側一次洗浄モジュール２０１Ａ、下側一次洗浄モジュール２０１Ｂ、仮置き台２０３、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂの間で基板Ｗを搬送するように動作する。洗浄前の基板（スラリーが付着している基板）を搬送するときは、第１搬送ロボット２０９は、下側のハンドを用い、洗浄後の基板を搬送するときは上側のハンドを用いる。第２搬送ロボット２１０は、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂ、仮置き台２０３、上側乾燥モジュール２０５Ａ、下側乾燥モジュール２０５Ｂの間で基板Ｗを搬送するように動作する。第２搬送ロボット２１０は、洗浄された基板のみを搬送するので、１つのハンドのみを備えている。図１に示す搬送ロボット２２は、その上側のハンドを用いて上側乾燥モジュール２０５Ａまたは下側乾燥モジュール２０５Ｂから基板を取り出し、その基板を基板カセットに戻す。搬送ロボット２２の上側ハンドが乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂにアクセスするときには、隔壁１ａに設けられているシャッタ（図示せず）が開くようになっている。

洗浄部４は、２台の一次洗浄モジュールおよび２台の二次洗浄モジュールを備えているので、複数の基板を並列して洗浄する複数の洗浄ラインを構成することができる。「洗浄ライン」とは、洗浄部４の内部において、一つの基板が複数の洗浄モジュールによって洗浄される際の移動経路のことである。例えば、１つの基板を、第１搬送ロボット２０９、上側一次洗浄モジュール２０１Ａ、第１搬送ロボット２０９、上側二次洗浄モジュール２０２Ａ、第２搬送ロボット２１０、そして上側乾燥モジュール２０５Ａの順で搬送し、これと並列して、他の基板を、第１搬送ロボット２０９、下側一次洗浄モジュール２０１Ｂ、第１搬送ロボット２０９、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂ、第２搬送ロボット２１０、そして下側乾燥モジュール２０５Ｂの順で搬送することができる。このように２つの並列する洗浄ラインにより、複数（典型的には２枚）の基板をほぼ同時に洗浄および乾燥することができる。

また、２つの並列する洗浄ラインにおいて、複数の基板を所定の時間差を設けて洗浄および乾燥することもできる。所定の時間差で洗浄することの利点は次の通りである。第１搬送ロボット２０９および第２搬送ロボット２１０は、複数の洗浄ラインで兼用されている。このため、複数の洗浄または乾燥処理が同時に終了した場合には、これらの搬送ロボットが即座に基板を搬送できず、スループットを悪化させてしまう。このような問題を回避するために、複数の基板を所定の時間差で洗浄および乾燥することによって、処理された基板を速やかに搬送ロボット２０９，２１０によって搬送することができる。

研磨された基板にはスラリーが付着しており、その状態で基板を長い時間放置することは好ましくない。これは、配線金属としての銅がスラリーによって腐食することがあるからである。この洗浄部４によれば、２台の一次洗浄モジュールが設けられているので、先行する基板が上側一次洗浄モジュール２０１Ａまたは下側一次洗浄モジュール２０１Ｂのいずれかで洗浄されている場合でも、他方の一次洗浄モジュールに基板を搬入してこれを洗浄することができる。したがって、高スループットを実現できるだけでなく、研磨後の基板を直ちに洗浄して銅の腐食を防止することができる。

また、一次洗浄のみが必要な場合は、基板を、第１搬送ロボット２０９、上側一次洗浄モジュール２０１Ａ、第１搬送ロボット２０９、仮置き台２０３、第２搬送ロボット２１０、そして上側乾燥モジュール２０５Ａの順で搬送することができ、第２洗浄室１９２での二次洗浄を省略することができる。さらに、下側二次洗浄モジュール２０２Ｂが故障中のときには、上側二次洗浄モジュール２０２Ａに基板を搬送することができる。このように、第１搬送ロボット２０９および第２搬送ロボット２１０により、必要に応じて基板を所定の洗浄ラインに振り分けることができる。このような洗浄ラインの選定は制御部５によって決定される。

図３（ａ），（ｂ）は、図２（ａ），（ｂ）に示す乾燥モジュールに設置された排気装置５０を示す図であり、図３（ａ）は部分断面立面図、図３（ｂ）は側面図である。図３（ａ），（ｂ）に示すように、箱状の上側乾燥モジュール２０５Ａおよび箱状の下側乾燥モジュール２０５Ｂは、上下に近接して配置されている。図３（ａ）に示すように、上側乾燥モジュール２０５Ａおよび下側乾燥モジュール２０５Ｂの内部には、それぞれ洗浄後の基板を高速で回転させて基板を乾燥させる乾燥機２０６Ａ，２０６Ｂが設置されている。

各乾燥機２０６Ａ，２０６Ｂは、基板の周縁部をチャックで把持して基板を水平な姿勢で保持し、基板を高速で回転させるステージ２１６Ａ，２１６Ｂを備えている。箱状の上側乾燥モジュール２０５Ａおよび箱状の下側乾燥モジュール２０５Ｂの底部には、それぞれメイン排気管５１Ａ，５１Ｂが接続されている。これらメイン排気管５１Ａ，５１Ｂは、それぞれ上方に延びる二本の排気ダクト５３Ａ，５３Ｂに接続されている。上側乾燥機２０６Ａの内部にあるステージ２１６Ａの近傍には、二本のスピンドル状（軸状）のスピンドル排気管５２Ａ，５２Ａが挿入されており、これらスピンドル排気管５２Ａ，５２Ａは、それぞれ１本の排気ダクト５３Ａに接続されている。下側乾燥機２０６Ｂの内部にあるステージ２１６Ｂの近傍には、二本のスピンドル状（軸状）のスピンドル排気管５２Ｂ，５２Ｂが挿入されており、これらスピンドル排気管５２Ｂ，５２Ｂは、それぞれ１本の排気ダクト５３Ｂに接続されている。

図３（ａ），（ｂ）に示すように構成された排気装置５０によれば、乾燥機２０６Ａ，２０６Ｂの稼働中に、箱状の上側乾燥モジュール２０５Ａおよび箱状の下側乾燥モジュール２０５Ｂの内部は、それぞれメイン排気管５１Ａ，５１Ｂを介して排気される。メイン排気管５１Ａを介して排気された排気は排気ダクト５３Ａに導かれ、メイン排気管５１Ｂを介して排気された排気は排気ダクト５３Ｂに導かれる。また、上側乾燥機２０６Ａのステージ２１６Ａは、スピンドル排気管５２Ａ，５２Ａを介して排気ダクト５３Ａに排気される。下側乾燥機２０６Ｂのステージ２１６Ｂは、スピンドル排気管５２Ｂ，５２Ｂを介して排気ダクト５３Ｂに排気される。排気ダクト５３Ａおよび排気ダクト５３Ｂの上端５３ａ，５３ｂは、それぞれ工場側排気ダクトに接続されており、排気ダクト５３Ａおよび排気ダクト５３Ｂに導かれた各排気は工場側排気ダクトに流入する。

図３（ａ），（ｂ）に示すように、乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂが上下に二段配置されている構成において、各乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂに対してそれぞれ個別に排気ダクト５３Ａ，５３Ｂが接続されているため、各乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂからそれぞれ独立して排気することができる。そのため、各乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂにおいて、乾燥機２０６Ａ，２０６Ｂがそれぞれ稼働して基板をスピン乾燥させるために、例えば、１５００〜３０００ｍｉｎ^−１の速度でステージ２１６Ａ，２１６Ｂを高速回転させることにより、乾燥モジュール内部の排気が乱れても、互いに他方側の乾燥モジュールの排気圧に悪影響を与えることはない。そのため、常に安定した排気環境にすることができる。

図４（ａ），（ｂ）は、図５（ａ），（ｂ）に示すように構成された従来の排気装置と図３（ａ），（ｂ）に示すように構成された本発明の排気装置の比較試験の結果を示す図である。図４（ａ）は、従来の排気装置を用いて、二つの乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂの一方の乾燥モジュール（例えば、上側乾燥モジュール２０５Ａ）を稼働させてステージを高速回転させた場合において、他方の乾燥モジュール（例えば、下側乾燥モジュール２０５Ｂ）の排気にいかなる影響があるかを調べた試験結果を示すグラフであり、図４（ｂ）は、本発明の排気装置を用いて、二つの乾燥モジュール２０５Ａ，２０５Ｂの一方の乾燥モジュール（例えば、上側乾燥モジュール２０５Ａ）を稼働させてステージを高速回転させた場合において、他方の乾燥モジュール（例えば、下側乾燥モジュール２０５Ｂ）の排気にいかなる影響があるかを調べた試験結果を示すグラフである。

図４（ａ）と図４（ｂ）には、上から下へ順に乾燥モジュールＡ（例えば、上側乾燥モジュール２０５Ａ）におけるステージの高速回転を示すグラフ、乾燥モジュールＡ内部からの排気をメイン排気管の排気圧（以下、メイン排気圧と称する）とスピンドル排気管の排気圧（以下、スピンドル排気圧と称する）とで表すグラフ、乾燥モジュールＢ（例えば、下側乾燥モジュール２０５Ｂ）におけるステージの高速回転を示すグラフ、乾燥モジュールＢ内部からの排気をメイン排気圧とスピンドル排気圧とで表すグラフが示されている。図４（ａ），（ｂ）に示すグラフ中、回転速度および排気圧を示す縦軸は無名数で表している。

図４（ａ）に示す従来の排気装置の場合をみると、乾燥モジュールＡで乾燥処理が開始するとステージを例えば３００ｒｐｍの回転速度から１８００ｒｐｍの回転速度まで上げて基板をスピン乾燥する。乾燥モジュールＢにおいても同様に、乾燥処理が開始するとステージを例えば３００ｒｐｍの回転速度から１８００ｒｐｍの回転速度まで上げて基板をスピン乾燥する。
乾燥モジュールＡ内部からの排気を表すグラフにはメイン排気圧が太い線で示され、スピンドル排気圧が細い線で示されている。乾燥モジュールＢ内部からの排気を表すグラフにおいても同様に、メイン排気圧を太い線で示し、スピンドル排気圧を細い線で示している。

乾燥モジュールＡにおいて、ステージが例えば１８００ｒｐｍで高速回転すると同時に乾燥モジュールＡ内部のメイン排気圧が高くなり、スピンドル排気圧も高くなり、高速回転している間はほぼ一定の排気圧を示している。このとき、もう一方の乾燥モジュールＢ内部の排気圧をみると、点線で囲んで示すようにスピンドル排気に変化が生じ排気圧が高くなり、排気圧の乱れが発生していることがわかる。乾燥モジュールＢにおいてステージが低速で回転を開始し始めるよりも前に乾燥モジュールＢ内のスピンドル排気圧に変化が生じていることから、乾燥モジュールＡにおけるステージの高速回転の影響を受けて、乾燥モジュールＢ内の排気圧（スピンドル排気圧）が変化していることがわかる。

また、乾燥モジュールＢにおいて、ステージが例えば１８００ｒｐｍで高速回転すると同時に乾燥モジュールＢ内部のメイン排気圧が高くなり、スピンドル排気圧も高くなり、高速回転している間はほぼ一定の排気圧を示している。このとき、もう一方の乾燥モジュールＡ内部の排気圧をみると、点線で囲んで示すようにスピンドル排気に変化が生じ排気圧が高くなっていることがわかる。このとき乾燥モジュールＡにおいてステージは回転していないので、乾燥モジュールＢにおけるステージの高速回転の影響を受けて、乾燥モジュールＡ内の排気圧（スピンドル排気圧）が変化していることがわかる。

次に、図４（ｂ）に示す本発明の排気装置を用いた試験結果をみると、乾燥モジュールＡにおいて、ステージが例えば１８００ｒｐｍで高速回転すると同時に乾燥モジュールＡ内部のメイン排気圧が高くなり、スピンドル排気圧も高くなり、高速回転している間はほぼ一定の排気圧を示している。このとき、もう一方の乾燥モジュールＢ内部の排気圧をみると、点線で囲んで示すようにスピンドル排気はほぼ一定値を保ち排気圧の乱れは生じていない。乾燥モジュールＢ内の排気圧は、乾燥モジュールＡにおけるステージの高速回転の影響を受けていないことがわかる。

また、乾燥モジュールＢにおいて、ステージが例えば１８００ｒｐｍで高速回転すると同時に乾燥モジュールＢ内部のメイン排気圧が高くなり、スピンドル排気圧も高くなり、高速回転している間はほぼ一定の排気圧を示している。このとき、もう一方の乾燥モジュールＡ内部の排気圧をみると、点線で囲んで示すようにスピンドル排気はほぼ一定値を保ち排気圧の乱れは生じていない。乾燥モジュールＡ内の排気圧は、乾燥モジュールＢにおけるステージの高速回転の影響を受けていないことがわかる。

上述した実施形態は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が本発明を実施できることを目的として記載されたものである。上記実施形態の種々の変形例は、当業者であれば当然になしうることであり、本発明の技術的思想は他の実施形態にも適用しうることである。したがって、本発明は、記載された実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲によって定義される技術的思想に従った最も広い範囲とすべきである。

１ ハウジング
１ａ，１ｂ 隔壁
２ ロード／アンロード部
３ 研磨部
３Ａ，３Ｂ，３Ｃ，３Ｄ 研磨ユニット
４ 洗浄部
５ 制御部
６ 第１リニアトランスポータ
７ 第２リニアトランスポータ
１０ 研磨パッド
１１ リフタ
１２ スイングトランスポータ
２０ フロントロード部
２１ 走行機構
２２ 搬送ロボット
３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ 研磨テーブル
３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ トップリング
３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ 研磨液供給ノズル
３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ ドレッサ
３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ アトマイザ
５０ 排気装置
５１Ａ，５１Ｂ メイン排気管
５２Ａ，５２Ｂ スピンドル排気管
５３，５３Ａ，５３Ｂ 排気ダクト
５３ａ，５３ｂ 上端
１８０ 仮置き台
１９０ 第１洗浄室
１９１ 第１搬送室
１９２ 第２洗浄室
１９３ 第２搬送室
１９４ 乾燥室
２０１Ａ 上側一次洗浄モジュール
２０１Ｂ 下側一次洗浄モジュール
２０２Ａ 上側二次洗浄モジュール
２０２Ｂ 下側二次洗浄モジュール
２０３ 仮置き台
２０５Ａ 上側乾燥モジュール
２０５Ｂ 下側乾燥モジュール
２０６Ａ，２０６Ｂ 乾燥機
２０７ フィルタファンユニット
２０９ 第１搬送ロボット
２１０ 第２搬送ロボット
２１１，２１２ 支持軸
２１６Ａ，２１６Ｂ ステージ
ＴＰ１ 第１搬送位置
ＴＰ２ 第２搬送位置
ＴＰ３ 第３搬送位置
ＴＰ４ 第４搬送位置
ＴＰ５ 第５搬送位置
ＴＰ６ 第６搬送位置
ＴＰ７ 第７搬送位置

Claims (5)

1. 基板の処理を行う基板処理装置において、近接して配置された複数の処理室から排気を行う排気装置であって、
   前記複数の処理室に個別に排気ダクトを接続し、各処理室を独立に排気するように構成したことを特徴とする基板処理装置の排気装置。
2. 前記複数の処理室は、上下に複数段に亘って設置されていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置の排気装置。
3. 前記複数の処理室は、それぞれ洗浄後の基板を高速で回転させて基板を乾燥させる乾燥機を備えた複数の箱状の乾燥モジュールからなることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置の排気装置。
4. 前記各乾燥機は、基板の周縁部をチャックで把持して基板を水平な姿勢で保持し基板を高速で回転させるステージを備え、前記乾燥モジュールと前記排気ダクトとは、前記ステージの近傍まで延びるスピンドル排気管と、前記箱状の乾燥モジュールの底部に接続されたメイン排気管とを介して接続されていることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置の排気装置。
5. 前記排気ダクトの上端は、工場側排気ダクトに接続されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板処理装置の排気装置。

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