JP6137986B2 - 基板洗浄及び乾燥装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板に洗浄液（例えば、純水や薬液）を供給して基板を洗浄し、洗浄した基板を乾燥させる基板洗浄及び乾燥装置に関するものである。本発明の基板洗浄及び乾燥装置は、直径３００ｍｍのウェーハのみならず、直径４５０ｍｍのウェーハの洗浄にも適用でき、さらにはフラットパネル製造工程やＣＭＯＳやＣＣＤなどのイメージセンサー製造工程、ＭＲＡＭの磁性膜製造工程などにも適用することが可能である。

近年の半導体デバイスの微細化に伴い、基板上に物性の異なる様々な材料膜を形成して、当該基板を加工することが行われている。特に、基板に形成した配線溝を金属で埋めるダマシン配線形成工程では、当該工程後に基板研磨装置によって余分な金属を研磨し、除去する。研磨後の基板表面には、金属膜、バリア膜、絶縁膜などの水に対する濡れ性の異なる膜が存在する。基板表面上に露出したこれらの膜には、研磨にて使用されたスラリや研磨屑など残渣物が存在している。このような残渣物を除去するために、研磨された基板は基板洗浄及び乾燥装置に搬送され、ここで基板表面が洗浄及び乾燥される（特許文献１、特許文献２参照）。

しかしながら、基板表面が充分に洗浄されないと、当該残渣物が付着している位置で電流リークが発生したり、密着性不良が発生するなど、信頼性の点で問題が発生する。そのため、半導体デバイスの製造において、基板の洗浄及び乾燥は、製品の歩留まりを向上させるために重要な工程となっている。

図１６に従来の基板洗浄及び乾燥装置の一例の概略断面図を示す。基板洗浄及び乾燥装置は、基板Ｗを保持する基板保持機構３０１と、基板保持機構３０１を回転させるモータ３０２と、基板Ｗの周囲に配置される円筒カップ３０３と、基板Ｗの表面に洗浄液として純水や薬液などを供給する洗浄液供給ノズル３０４とを備えている。基板保持機構３０１は、モータ３０２に支持軸３１２を介して接続される基板ステージ３１１を有しており、基板ステージ３１１には、基板Ｗの周縁部を把持する複数のチャック３１０が設けられる。

基板Ｗの洗浄時には、モータ３０２により基板Ｗを比較的低速（例えば、約３００〜６００ｍｉｎ^−１）で回転させながら、基板Ｗの表面に洗浄液を供給する。基板Ｗの乾燥時には、基板Ｗを比較的高速（例えば、約１０００〜２０００ｍｉｎ^−１）で回転させ、これにより基板Ｗの表面から洗浄液を振り落として除去し、乾燥させる。基板Ｗから振り落とされた洗浄液は円筒カップ３０３に捕らえられ、回収または廃棄される。

モータ３０２により回転させられる基板Ｗの周囲には、図示されるように円筒カップ３０３を設けることが多い。この円筒カップ３０３を設けることにより、基板Ｗの回転によって飛散する液体を円筒カップ３０３内部で受け止めて、液体の飛散防止を達成すると共に、装置全体の小型化を実現している。この円筒カップ３０３の下部には液受け３６３が設けられ、当該液受け３６３には排気ポート３１５が形成される。排気ポート３１５には図示しない真空ポンプなどの吸引装置が接続され、円筒カップ３０３内部の空気が排気ポート３１５を通じて洗浄液と共に排気されている。

しかしながら、このような構成の基板洗浄及び乾燥装置において、回転する基板Ｗの周囲での排気環境を一様化するのは困難である。すなわち、排気ポート３１５に近い領域では排気流の流速が速くなり、遠い領域では排気流の流速が遅くなる。このような排気流の概略図が図１７に示される。図１７は、液受け３６３の下面に設けられた１つの排気ポート３１５を通じて円筒カップ３０３内部を排気する場合の排気流の流速を、矢印の大きさで示した概略図である。図１７に示すように、１つの排気ポート３１５のみが設けられていると、基板Ｗの周囲には、流速が等しい均一な排気流が形成されない。さらに、基板Ｗは基板ステージ３１１と共に回転させられることから、円筒カップ３０３内部で気流が攪拌され、基板Ｗと円筒カップ３０３との間から上昇気流が発生する場合もある。

基板Ｗを回転させる際に、基板周辺の排気流の流速が一様ではなかったり、特に、基板の周縁部で上昇気流が発生したりすると、一旦基板Ｗから除去された洗浄液（純水など）の微小な飛沫（ミスト）や液滴などが基板Ｗ上に運ばれてしまうことがある。基板Ｗに再付着した洗浄液の飛沫や液滴は、基板Ｗの表面にウォーターマークを形成する。このウォーターマークは、基板Ｗに形成されたデバイスに悪影響を及ぼし、製品の歩留まりを低下させてしまう。また、再付着した洗浄液は、基板Ｗを逆汚染してしまうことがある。さらに、基板Ｗを回転させて乾燥させる際に、基板周辺の排気流の流速が均一ではないと、基板Ｗの周縁部の乾燥にばらつきが発生する。したがって、基板洗浄及び乾燥装置において、基板周辺における排気環境の一様化は重要な問題であった。

上記した問題点の対策として、基板周縁部に、排気ポート３１５の近い位置から遠い位置へ行くにしたがって、直径を漸次大きくした複数の排気孔３１５ａを設け、これらの排気孔３１５ａを通った空気を排気ポート３１５を通じて排気する構成が提案されている。この従来例の排気流を、矢印の大きさで流速を示した模式図が図１８に示される。図１８に示される構成は、図１７に示した構成に比べて、排気環境の一様化をある程度改善することはできるが、基板Ｗの周辺での排気流の流速を完全に一様化することは困難である。

特開２００９−１１７７９４号公報 特許第３５５６０４３号公報

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基板周辺の排気環境を一様化することができる基板洗浄及び乾燥装置を提供することを目的とする。

上述した目的を達成するために、本発明の一態様は、基板を保持する基板保持機構と、前記基板保持機構を回転させる回転機構と、前記基板の周縁部を取り囲む円筒カップと、前記基板の下方に配置された気体エゼクタと、を備え、前記気体エゼクタは、前記基板の全周に沿って配置された少なくとも１つの気体排出口を有し、前記気体排出口から気体を下方に排出することで、前記基板の周縁部と前記円筒カップとの間の隙間に空気の下降流を誘発させることを特徴とする基板洗浄及び乾燥装置である。

本発明の好ましい態様は、前記基板洗浄及び乾燥装置は、前記基板の下方に配置された、前記基板保持機構と一体に回転する円筒状スカートをさらに備えており、前記気体エゼクタは、前記円筒状スカートの内周面に固定された気体取入部材を有しており、前記気体取入部材は、前記基板保持機構の回転方向に向かって開口する複数の気体取入口を有し、前記複数の気体取入口は、前記円筒状スカートの外側に配置された前記気体排出口に連通していることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記複数の気体取入口は、隣り合う気体取入口が異なる高さに位置するように、その上下方向の位置を交互にずらして配列されていることを特徴とする。

本発明の好ましい態様は、前記少なくとも１つの気体排出口は、前記基板の全周に沿って等間隔に配列された複数の気体排出口であることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記少なくとも１つの気体排出口は、前記基板の全周に沿って配置された環状の気体排出口であることを特徴とする。

本発明の好ましい態様は、前記気体エゼクタは、気体供給源から供給された気体を前記気体排出口に導く気体移送通路を備えていることを特徴とする。
本発明の好ましい態様は、前記気体移送通路は、前記気体供給源に接続される気体供給配管と、前記気体供給配管に接続される縦管と、前記縦管に連結され、前記基板保持機構とともに回転するガイド管と、前記ガイド管に連結され、前記気体排出口を有する気体排出部材とを備えることを特徴とする。

本発明の好ましい態様は、前記円筒カップは、前記基板保持機構に接続されて、前記基板保持機構と同期して回転するように構成され、前記気体エゼクタは、前記円筒カップの外周面に固定された気体取入部材を有しており、前記気体取入部材は、前記基板保持機構の回転方向に向かって開口する複数の気体取入口を有し、前記複数の気体取入口は、前記円筒カップの内側に配置された前記気体排出口に連通していることを特徴とする。

本発明によれば、気体エゼクタによって、基板の全周にわたって均一な下降流が誘発される。その結果、基板周辺の排気環境を一様化することができるので、基板表面上のウォーターマークや基板の逆汚染を防止することができ、さらには基板の周縁部を均一に乾燥させることができる。

本発明の第１の実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置を模式的に示す概略断面図である。 図１に示した基板洗浄及び乾燥装置における気体エゼクタの平面図である。 図３（ａ）乃至図３（ｃ）は、気体エゼクタによって、基板の周りに下降流が誘発される様子を説明するための説明図である。 排気環境が一様化された状態を示す模式図である。 図５（ａ）および図５（ｂ）は、円筒状スカートに取り付けられた気体取入部材の一部を横から眺めた展開図である。 図６（ａ）乃至図６（ｃ）は、気体エゼクタの変形例によって、基板保持機構の周りに下降流が誘発される様子を説明するための説明図である。 図６（ａ）乃至図６（ｃ）に示した気体エゼクタの平面図である。 本発明の第１の実施形態の変形例に係る基板洗浄及び乾燥装置を模式的に示す概略断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置を模式的に示す概略断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置を模式的に示す概略断面図である。 本発明の第３の実施形態の変形例に係る基板洗浄及び乾燥装置を模式的に示す概略断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置を模式的に示す概略断面図である。 本発明の第５の実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置を模式的に示す概略断面図である。 本発明の第１乃至第５の実施形態のいずれかに係る基板洗浄及び乾燥装置を備えた研磨装置の配置構成を示す平面図である。 図１４に示す研磨装置の概要を示す斜視図である。 従来の基板洗浄及び乾燥装置の一例を模式的に示す概略断面図である。 従来の基板洗浄及び乾燥装置における円筒カップ内部の排気流の流速を、矢印の大きさで示した模式図である。 別の従来の基板洗浄及び乾燥装置における円筒カップ内部の排気流の流速を、矢印の大きさで示した模式図である。

以下、本発明の実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置を模式的に示す概略断面図である。図１に示すように、基板洗浄及び乾燥装置は、基板Ｗを水平に保持する基板保持機構１と、基板保持機構１に固定された支持軸１２と、基板保持機構１および支持軸１２を介して基板Ｗをその中心軸周りに回転させるモータ（回転機構）２と、基板Ｗの表面に洗浄液としての純水を供給する洗浄液供給ノズル４と、基板Ｗの周縁部を囲むように配置され、回転する基板Ｗから振り落とされた純水を受け止める円筒カップ３とを備えている。

洗浄液供給ノズル４は、基板Ｗの中心を向いて配置されている。この洗浄液供給ノズル４は、図示しない純水供給源（洗浄液供給源）に接続され、洗浄液供給ノズル４を通じて基板Ｗの表面の中心に純水が供給されるようになっている。洗浄液としては、純水以外に薬液を使用することもできる。

基板保持機構１は、基板Ｗの周縁部を把持する複数のチャック１０と、これらチャック１０が固定される円形の基板ステージ１１とを有している。円形の基板ステージ１１の外周縁には、当該外周縁から下方に延びる円筒状スカート１３が設けられ、この円筒状スカート１３に気体エゼクタ１６が設けられる。気体エゼクタ１６は、作動気体の噴流を形成することで、その噴流の上流側に負圧を形成し、目的の気体を作動気体の噴流とともに移送する装置である。

円筒状スカート１３は、基板ステージ１１に固定され、基板ステージ１１および基板Ｗと一体に回転する。チャック１０に保持された基板Ｗと円筒カップ３と円筒状スカート１３とは同軸上に配置される。円筒カップ３の下部には液受け６３が設けられる。液受け６３の底部には複数の排出ポート１５が設けられている。この排出ポート１５は図示しない吸引装置に接続されており、液受け６３上に受け止められた純水は、周囲の気体とともに排出ポート１５を通って強制的に排出されるようになっている。

気体エゼクタ１６は、基板保持機構１の回転方向に向かって開口する複数の気体取入口１７ａを有する複数の気体取入部材１７と、円筒状スカート１３に形成された複数の貫通孔１８と、円筒状スカート１３の外側に配置された複数の気体排出口１９ａを有する複数の気体排出部材１９と、を備えている。気体取入部材１７は、貫通孔１８を通じて気体排出部材１９に接続されている。すなわち、各気体取入口１７ａは、対応する貫通孔１８を通じて各気体排出口１９ａに連通している。

図２は図１に示した基板洗浄及び乾燥装置における気体エゼクタ１６の平面図である。気体取入部材１７は、円筒状スカート１３の内周面に固定されており、円筒状スカート１３の周方向に沿って均等に配列されている。気体排出部材１９は、円筒状スカート１３の外周面に固定されており、円筒状スカート１３の周方向に沿って均等に配列されている。気体取入部材１７は、気体取入口１７ａと、貫通孔１８以外は密閉された構造を有している。気体排出部材１９は、気体排出口１９ａと貫通孔１８以外は密閉された構造を有している。図２に示すように、基板Ｗの中心軸方向から見たときに、気体取入口１７ａおよび気体排出口１９ａは、基板Ｗの全周に沿って配置されている。これら気体取入口１７ａおよび気体排出口１９ａは、基板Ｗの周方向に沿って等間隔に配列されている。

円筒状スカート１３が基板保持機構１とともに回転すると、円筒状スカート１３の内側に存在する空気が気体取入口１７ａから取り込まれ、気体取入部材１７、貫通孔１８、および気体排出部材１９をこの順に通過して、円筒状スカート１３の外側に存在する気体排出口１９ａから下方に排出され、円筒状スカート１３の周囲に均一な空気の下降流を形成する。この空気の下降流は、基板Ｗの下方の空間に負圧を形成する。

気体エゼクタ１６は、基板保持機構１に保持された基板Ｗの下方に配置される。より具体的には、基板保持機構１の下方に設けられる。そして、当該気体エゼクタ１６により、基板Ｗの下方の環状空間に均一な負圧を形成することにより、基板保持機構１に保持された基板Ｗの全周にわたって均一な下降流が誘発される。以下に、気体エゼクタ１６について説明する。

図３（ａ）乃至図３（ｃ）は、気体エゼクタ１６によって、基板Ｗの周りに下降流が誘発される様子を説明するための説明図である。より具体的には、図３（ａ）は、円筒状スカート１３上の気体エゼクタ１６を外側から眺めた概略斜視図を示し、図３（ｂ）は、円筒状スカート１３上の気体エゼクタ１６を外側から眺めた概略側面図を示し、図３（ｃ）は、円筒状スカート１３上の気体エゼクタ１６の概略断面図を示す。図３（ａ）乃至図３（ｃ）では、説明の簡略化のために、１つの気体取入部材１７および１つの気体排出部材１９だけが示されている。

円筒状スカート１３が基板保持機構１とともにモータ２により回転させられると、図３（ｂ）に示すように、気体取入口１７ａから空気が気体取入部材１７に流れ込む。空気は、気体取入部材１７内でスリット状の貫通孔１８に向かって集められてその流速が上昇し、貫通孔１８を通って気体排出部材１９に流入する（図３（ｃ）参照）。気体排出部材１９に流れ込んだ空気は、図３（ａ）に示すように、気体排出部材１９の下部に設けられた気体排出口１９ａを通って下方に排出される。このように、気体エゼクタ１６は、円筒状スカート１３の内側の空気を吸い込み、円筒状スカート１３の外側で空気を吐き出すことで円筒状スカート１３の外側に下降流を形成する。

気体取入口１７ａの開口面積に対して気体排出口１９ａの開口面積は充分に小さく構成されているので、下降流はその流速を増して気体排出口１９ａから排出されることになる。この基板Ｗの下方に形成される下降流は、ベンチュリ効果により、気体排出部材１９の周辺に負圧を発生させる。そして、当該負圧の作用で、基板Ｗおよび基板保持機構１の周辺に空気の下降流が誘発される（図３（ａ）および図３（ｃ）の二重矢印参照）。気体排出部材１９は、基板Ｗおよび円筒状スカート１３の周方向に沿って等間隔に配列されているので、基板保持機構１の全周にわたり均等に負圧が形成される。したがって、基板Ｗの周囲に均一な下降流が誘発される。

基板Ｗの周縁部と円筒カップ３との間に形成される下降流の流速または流量は、気体排出部材１９から排出される空気の流速または流量に依存する。したがって、気体排出部材１９に設けられる気体排出口１９ａの開口面積と気体取入部材１７に設けられる気体取入口１７ａの開口面積との比率は、必要とされる下降流の流速または流量と基板保持機構１の回転速度とを考慮して適宜決定される。

このように、気体エゼクタ１６によって、基板Ｗの外周と円筒カップ３との間の隙間に基板Ｗの全周にわたって下降流が誘発される。したがって、基板周辺の排気環境を一様化することができる。その結果、純水の液滴や飛沫が基板表面に再付着することで発生するウォーターマークや基板の逆汚染を防止することができる。また、基板周辺の排気環境を一様化することができるので、基板周縁部を均一に乾燥させることができる。この基板周辺の排気環境が一様化された模式図を図４に示す。

次に、第１の実施形態の変形例を、図５（ａ）および図５（ｂ）を用いて以下に説明する。図５（ａ）および図５（ｂ）は、円筒状スカート１３に取り付けられた気体取入部材１７の一部を横から眺めた展開図である。より具体的には、図５（ａ）は、図３（ｂ）に示す上述の気体取入部材１７を示し、図５（ｂ）は、気体取入部材１７の変形例を示す。

図５（ａ）に示される気体取入部材１７の気体取入口１７ａは、全て同じ高さにある。この場合、上流側の気体取入部材１７が、下流側の気体取入部材１７の気体取入口１７ａでの空気の流れを乱し、下流側の気体取入部材１７が空気を取り込み難い場合がある。そこで、図５（ｂ）に示される変形例では、隣り合う気体取入口１７ａの高さが異なるように、気体取入口１７ａはその上下方向の位置を交互にずらして（千鳥状に）配列されている。このように構成することにより、各気体取入部材１７は、気体取入口１７ａから容易に空気を取り込むことが可能となる。

第１実施形態のさらなる変形例を、図６（ａ）乃至図６（ｃ）、および図７を用いて説明する。図６（ａ）乃至図６（ｃ）は、気体エゼクタ１６の変形例によって、基板Ｗの周りに下降流が誘発される様子を説明するための説明図である。より具体的には、図６（ａ）は、円筒状スカート１３上の気体エゼクタ１６を外側から眺めた概略斜視図を示し、図６（ｂ）は、円筒状スカート１３上の気体エゼクタ１６を外側から眺めた概略側面図を示し、図６（ｃ）は、円筒状スカート１３上の気体エゼクタ１６の概略断面図を示す。図７は、図６（ａ）乃至図６（ｃ）に示した気体エゼクタ１６の平面図である。

この変形例では、複数の気体取入部材１７に対して、１つの共通する環状の気体排出部材１９が設けられる。図６（ｂ）に示すように、隣接する気体取入部材１７は互いに接続されている。円筒状スカート１３の内周面にはその周方向に沿って複数の気体取入部材１７が配列され、円筒状スカート１３の外周面には環状の気体排出部材１９が配置されている。このように構成することで、基板保持機構１に保持された基板Ｗ周辺の排気環境を、より一層、一様化することが可能となる。

第１実施形態のさらなる変形例を、図８を参照して説明する。図８は、本発明の第１実施形態のさらなる変形例に係る基板洗浄及び乾燥装置を模式的に示す概略断面図である。図８に示すように、この変形例では、円筒状スカート１３の下端部が、液受け６３の上面近傍まで延びている。そして、円筒状スカート１３と円筒カップ３との間に位置して液受け６３に排気ポート１５が形成され、円筒状スカート１３と円筒カップ３との間の空間を排気している。このように構成することで、気体エゼクタ１６の作用により誘発された下降流が、基板ステージ１１の下方で乱気流となることが防止され、基板保持機構１に保持される基板Ｗ周辺の排気環境を、より一層、一様化することが可能となる。

基板Ｗの洗浄時には、モータ２により、基板Ｗを比較的低速（例えば、約３００〜６００ｍｉｎ^−１）で回転させる。この状態で、洗浄液供給ノズル４から基板Ｗの表面中央に洗浄液としての純水を供給する。基板Ｗに供給された純水は、遠心力により基板Ｗの表面全体に広がり、これにより基板Ｗの全体が純水で覆われる。回転する基板Ｗから振り落とされた純水は、円筒カップ３に捕らえられ、円筒カップ３の内周面上を下方に流れて、排出ポート１５に流れ込む。

基板Ｗの乾燥時には、基板Ｗを比較的高速（例えば、約１０００〜２０００ｍｉｎ^−１）で回転させ、これにより基板Ｗの表面から残存する純水を振り落とし、基板Ｗを乾燥させる。この洗浄と乾燥とにおいて、気体エゼクタ１６により、基板の周囲全体には均一な下降流が形成されているので、純水の液滴や飛沫が基板表面に再付着することを防止することができる。また、基板周縁部の全体を均一に乾燥させることができる。

次に、本発明の第２実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置を、図９を用いて説明する。図９は、本発明の第２の実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置を模式的に示す概略断面図である。なお、特に説明しない本実施形態の構成および動作は、第１の実施形態と同様であるので、その重複する説明を省略する。

図９に示される第２実施形態では、基板ステージ１１の外周縁から下方に延びる円筒状スカート１３に気体エゼクタ２６が設けられる。この気体エゼクタ２６は、円筒状スカート１３に設けられた複数の貫通孔２８と、支持軸１２の周囲に形成された円筒状の縦管２２と、窒素やドライエアーなどの気体（作動気体）を縦管２２内に供給する気体供給配管２１と、縦管２２の上端部に緩やかに連結され、貫通孔２８に連通するガイド管２３と、貫通孔２８を通過した気体を、円筒状スカート１３の外側で下方に排出する複数の気体排出口２９ａを有する複数の気体排出部材２９と、を備えている。ガイド管２３は、貫通孔２８を介して気体排出部材２９に連結されている。

ガイド管２３は、その上端開口部の直径が下端開口部の直径よりも大きいテーパー管から構成されている。ガイド管２３の上部開口部は、基板ステージ１１の直ぐ下方に位置しており、貫通孔２８よりも下方の位置において円筒状スカート１３に接続されている。ガイド管２３の下部開口部は、縦管２２の上端部を囲むように配置されている。ガイド管２３と基板ステージ１１の下面との間には、貫通孔２８に連通する気体流路２５が形成される。縦管２２は、液受け６３の上面に固定され、静止状態にある一方で、ガイド管２３は、基板ステージ１１、円筒状スカート１３、および基板Ｗとともに回転する。

気体供給配管２１は、窒素またはドライエアーなどの気体を供給する図示しない気体供給源に接続されている。貫通孔２８は、円筒状スカート１３の周方向に沿って等間隔に配置されている。基板Ｗの中心軸から見たときに、気体排出口２９ａは、基板Ｗの全周に沿って配置されている。気体排出口２９ａは、基板Ｗの周方向に沿って等間隔に配列されている。また、気体排出部材２９は、第１実施形態において図２に示した例と同様に、貫通孔２８の位置に対応した位置に配置されている。これに代えて、図７に示した例と同様に、１つの環状の気体排出口２９ａを有する環状の気体排出部材２９を、円筒状スカート１３の全周にわたって設けてもよい。

この気体エゼクタ２６では、気体（例えば、窒素またはドライエアー）は、気体供給配管２１を通じて縦管２２に導入され、さらにガイド管２３に流れ込み、ガイド管２３によって貫通孔２８まで案内される。そして、気体は、気体排出部材２９の気体排出口２９ａから下方に排出されて、円筒状スカート１３の周囲に均一な気体の下降流を形成する。このように、気体供給源から供給された気体を気体排出口２９ａに導く気体移送通路は、気体供給配管２１、縦管２２、ガイド管２３、貫通孔２８、および気体排出部材２９から構成される。

気体排出口２９ａから排出される下降流により、気体排出部材２９の周辺に負圧を発生させ、当該負圧の作用で基板保持機構１に保持された基板Ｗの全周に均一な下降流を誘発させる。本実施形態によれば、基板保持機構１の回転速度によらず、気体（例えば、窒素またはドライエアー）の流量を調整するだけで、基板Ｗの周辺における所望の下降流を発生させることができる。

基板Ｗの周縁部と円筒カップ３との間に形成される下降流の流速または流量は、気体排出口２９ａから排出される気体の流速または流量に依存する。そのため、気体が貫通孔２８に向かうに従い、ガイド管２３と基板ステージ１１との間の気体流路２５の高さが漸次狭まるようにガイド管２３を構成して、気体排出口２９ａから排出される気体の流速を増加させることが好ましい。

次に、本発明の第３実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置を、図１０を用いて説明する。図１０は、本発明の第３の実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置を模式的に示す概略断面図である。なお、特に説明しない本実施形態の構成および動作は、第１の実施形態と同様であるので、その重複する説明を省略する。

図１０に示される第３の実施形態において、円筒カップ３は、液受け６３とは切り離されて構成されると共に、基板保持機構１と連結部材３１を介して接続されることにより、基板保持機構１と同期して回転するように構成される。なお、図１０において、連結部材３１は、点線で描かれている。そして、気体エゼクタ３６がこの円筒カップ３に設けられる。気体エゼクタ３６は、その配置位置以外は、気体エゼクタ１６とほぼ同様の構成および作用を有する。

気体エゼクタ３６は、基板保持機構１の回転方向に向かって開口する複数の気体取入口３７ａを有する複数の気体取入部材３７と、円筒カップ３に形成された複数の貫通孔３８と、円筒カップ３の内側に配置された複数の気体排出口３９ａを有する複数の気体排出部材３９と、を備えている。気体取入部材３７は、貫通孔３８を通じて気体排出部材３９に接続されている。すなわち、各気体取入口３７ａは、対応する貫通孔３８を通じて各気体排出口３９ａに連通している。

気体取入部材３７は、円筒カップ３の外周面に固定されており、円筒カップ３の周方向に沿って均等に配列されている。気体排出部材３９は、円筒カップ３の内周面に固定されており、円筒カップ３の周方向に沿って均等に配列されている。気体取入部材３７は、気体取入口３７ａと、貫通孔３８以外は密閉された構造を有している。気体排出部材３９は、気体排出口３９ａと貫通孔３８以外は密閉された構造を有している。基板Ｗの中心軸方向から見たときに、気体取入口３７ａおよび気体排出口３９ａは、基板Ｗの全周に沿って配置されている。これら気体取入口３７ａおよび気体排出口３９ａは、基板Ｗの周方向に沿って等間隔に配列されている。

円筒カップ３が基板保持機構１とともに回転すると、円筒カップ３の外側に存在する空気が気体取入口３７ａから取り込まれ、気体取入部材３７、貫通孔３８、および気体排出部材３９をこの順に通過して、円筒カップ３の内側に存在する気体排出口３９ａから下方に排出され、円筒カップ３の内側に均一な空気の下降流を形成する。この空気の下降流は、基板Ｗの下方の空間に負圧を形成する。

円筒カップ３の下部の外側には、円筒状の外側遮蔽カバー４０が設けられる。この外側遮蔽カバー４０は、液受け６３の上面に固定されている。円筒カップ３の下部と、外側遮蔽カバー４０の上部との間には、微小な隙間が形成されている。この外側遮蔽カバー４０により、気体エゼクタ３６により発生させられた下降流が、円筒カップ３の外側に逃げることが防止される。

円筒カップ３が基板保持機構１と共にモータ２により回転させられると、気体取入口３７ａから空気が気体取入部材３７に流れ込む。空気は、気体取入部材３７内でスリット状の貫通孔３８に向かって集められてその流速が上昇し、貫通孔３８を通って、気体排出部材３９に流入する。気体排出部材３９に流れ込んだ空気は、気体排出部材３９の下部に設けられた気体排出口３９ａから下方に排出される。このように、気体エゼクタ３６は、円筒カップ３の外側の空気を吸い込み、円筒カップ３の内側で空気を吐き出すことで円筒カップ３の内側に均一な下降流を形成する。

気体排出口３９ａから排出される下降流は、ベンチュリ効果によって、気体排出部材３９の周辺に負圧を発生させる。そして、当該負圧の作用で、基板Ｗおよび基板保持機構１の周辺に空気の下降流が誘発される。気体排出部材３９は、基板Ｗおよび円筒カップ３の周方向に沿って等間隔に配列されているので、基板保持機構１の全周にわたり均等に負圧が形成される。したがって、基板Ｗの周囲に均一な下降流が誘発される。

基板Ｗの周縁部と円筒カップ３との間に形成される下降流の流速または流量は、気体排出部材３９から排出される空気の流速または流量に依存する。したがって、気体排出部材３９に設けられる気体排出口３９ａの開口面積と気体取入部材３７に設けられる気体取入口３７ａの開口面積との比率は、必要とされる下降流の流速または流量と基板保持機構１の回転速度とを考慮して適宜決定される。

気体エゼクタ３６においても、気体エゼクタ１６と同様の変形例が適用可能である。すなわち、第３の実施形態において、図１１に示すように、円筒カップ３の内側に、液受け６３から基板ステージ１１の外周縁近傍まで延びる円筒状の内側遮断カバー４１を設け、外側遮断カバー４０と内側遮断カバー４１との間に排気ポート１５を設けてもよい。このように構成すれば、気体エゼクタ３６により誘発された下降流が、基板ステージ１１の下方で乱気流となることが防止され、基板保持機構１に保持される基板Ｗ周辺の排気環境を、より一層、一様化することが可能となる。

さらに、図示はしないが、外側遮断カバー４０を省略すると共に、円筒カップ３の下端を液受け６３の上面近傍まで延長させてもよい。さらに、図５（ｂ）に示す例に従って、隣り合う気体取入部材３７の気体取入口３７ａの高さが異なるように、気体取入口３７ａはその上下方向の位置を交互にずらして（千鳥状に）配列されてもよい。また、図６（ａ）および図６（ｂ）に示す例に従って、複数の気体取入部材３７に対して、１つの共通する環状の気体排出部材３９が設けられてもよい。

次に、第４の実施形態について、図１２を用いて説明する。図１２は、第４の実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置を模式的に示す概略断面図である。図１２に示すように、第４実施形態は、気体エゼクタ１６と気体エゼクタ３６とが組み合わされた実施形態である。すなわち、基板ステージ１１の外周縁には、当該外周縁から下方に延びる円筒状スカート１３が設けられ、円筒カップ３は、基板保持機構１と連結部材３１を介して接続されることにより、基板保持機構１と同期して回転するように構成される。そして、当該円筒状スカート１３には、先に記述した気体エゼクタ１６が設けられ、円筒カップ３には、先に記述した気体エゼクタ３６が設けられる。

このように構成することで、気体エゼクタ１６と気体エゼクタ３６との両方で、基板保持機構１に保持された基板Ｗの周辺に空気の下降流が誘発されるようになっている。この実施形態では、気体エゼクタ１６と気体エゼクタ３６との両方で負圧を形成しているので、基板保持機構１の回転速度が足らずにどちらか一方では負圧の形成が不十分とされる場合であっても、十分な下降流を誘発させることができる。

次に、第５の実施形態について、図１３を用いて説明する。図１３は、第５の実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置を模式的に示す概略断面図である。図１３に示すように、第５実施形態は、上記気体エゼクタ２６と上記気体エゼクタ３６とが組み合わされた実施形態である。すなわち、基板ステージ１１の外周縁には、当該外周縁から下方に延びる円筒状スカート１３が設けられ、円筒カップ３は、基板保持機構１と連結部材３１を介して接続されることにより、基板保持機構１と同期して回転するように構成される。そして、当該円筒状スカート１３には、先に記述した気体エゼクタ２６が設けられ、円筒カップ３には、先に記述した気体エゼクタ３６が設けられる。

このように構成することで、気体エゼクタ２６と気体エゼクタ３６との両方で、基板保持機構１の周辺の空気に下降流が誘発されるようになっている。この実施形態では、気体エゼクタ２６と気体エゼクタ３６との両方で負圧を形成しているので、どちらか一方では負圧の形成が不十分とされる場合であっても、十分な下降流を誘発することができる。また、気体エゼクタ２６は、それに流す気体（例えば、窒素またはドライエアー）の流量を調整することで、負圧の程度を容易に調整することができるので、細やかな負圧調整を達成することができる。

次に、上記実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置を備えた研磨装置の一例について説明する。図１４は、本発明の第１乃至第５の実施形態のいずれかに係る基板洗浄及び乾燥装置を備えた研磨装置の配置構成を示す平面図である。図１５は図１４に示す研磨装置の概要を示す斜視図である。図１４に示すように、研磨装置は、略矩形状のハウジング１００を備えており、ハウジング１００の内部は隔壁１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃによってロード／アンロード部１２０と研磨部１３０（１３０ａ，１３０ｂ）と洗浄部１４０とに区画されている。

ロード／アンロード部１０２は、複数の基板をストックするウェーハカセットを載置する２つ以上（図１４では３つ）のフロントロード部１２０を備えている。これらのフロントロード部１２０は、研磨装置の幅方向（長手方向と垂直な方向）に隣接して配列されている。フロントロード部１２０には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（Standard Manufacturing Interface）ポッド、又はＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を搭載することができる。ここで、ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部にウェーハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。

また、ロード／アンロード部１０２には、フロントロード部１２０の並びに沿って走行機構１２１が敷設されており、この走行機構１２１上にフロントロード部１２０の配列方向に沿って移動可能な第１搬送ロボット１２２が設置されている。第１搬送ロボット１２２は走行機構１２１上を移動することによってフロントロード部１２０に搭載されたウェーハカセットにアクセスできるようになっている。この第１搬送ロボット１２２は上下に２つのハンドを備えており、例えば、上側のハンドをウェーハカセットに研磨された基板を戻すときに使用し、下側のハンドを研磨前の基板を搬送するときに使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。

ロード／アンロード部１０２は最もクリーンな状態を保つ必要がある領域であるため、ロード／アンロード部１０２の内部は、装置外部、研磨部１３０、及び洗浄部１４０のいずれよりも高い圧力に常時維持されている。また、第１搬送ロボット１２２の走行機構１２１の上部には、ＨＥＰＡフィルタやＵＬＰＡフィルタなどのクリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられており、このフィルタファンユニットによりパーティクルや有毒蒸気、ガスが除去されたクリーンエアが常時下方に向かって吹き出している。

研磨部１３０は、基板の研磨が行われる領域であり、第１研磨ユニット１３１Ａと第２研磨ユニット１３１Ｂとを内部に有する第１研磨部１３０ａと、第３研磨ユニット１３１Ｃと第４研磨ユニット１３１Ｄとを内部に有する第２研磨部１３０ｂとを備えている。これらの第１研磨ユニット１３１Ａ、第２研磨ユニット１３１Ｂ、第３研磨ユニット１３１Ｃ、及び第４研磨ユニット１３１Ｄは、図１４に示すように、装置の長手方向に沿って配列されている。

第１研磨ユニット１３１Ａは、研磨パッドを保持する研磨テーブル１３２Ａと、基板を保持しかつ基板を研磨テーブル１３２Ａ上の研磨パッドの研磨面に対して押圧するためのトップリング１３３Ａと、研磨パッドの研磨面に研磨液（例えば、スラリ）やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル１３４Ａと、研磨パッドのドレッシングを行うためのドレッサ１３５Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素）の混合流体を霧状にして、ノズルから研磨面に噴射するアトマイザ１３６Ａとを備えている。

同様に、第２研磨ユニット１３１Ｂは、研磨テーブル１３２Ｂと、トップリング１３３Ｂと、研磨液供給ノズル１３４Ｂと、ドレッサ１３５Ｂと、アトマイザ１３６Ｂとを備えており、第３研磨ユニット１３１Ｃは、研磨テーブル１３２Ｃと、トップリング１３３Ｃと、研磨液供給ノズル１３４Ｃと、ドレッサ１３５Ｃと、アトマイザ１３６Ｃとを備えており、第４研磨ユニット１３１Ｄは、研磨テーブル１３２Ｄと、トップリング１３３Ｄと、研磨液供給ノズル１３４Ｄと、ドレッサ１３５Ｄと、アトマイザ１３６Ｄとを備えている。

第１研磨部１３０ａには、長手方向に沿った４つの搬送位置（ロード／アンロード部側から順番に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間で基板を搬送する第１リニアトランスポータ１５０が配置されている。この第１リニアトランスポータ１５０の第１搬送位置ＴＰ１の上方には、第１搬送ロボット１２２から受け取った基板を反転する反転機１５１が配置されており、その下方には上下に昇降可能なリフタ１５２が配置されている。また、第２搬送位置ＴＰ２の下方には上下に昇降可能なプッシャ１５３が、第３搬送位置ＴＰ３の下方には上下に昇降可能なプッシャ１５４が、第４搬送位置ＴＰ４の下方には上下に昇降可能なリフタ１５５がそれぞれ配置されている。

また、第２研磨部１３０ｂには、第１リニアトランスポータ１５０に隣接して、長手方向に沿った３つの搬送位置（ロード／アンロード部側から順番に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間で基板を搬送する第２リニアトランスポータ１６０が配置されている。この第２リニアトランスポータ１６０の第５搬送位置ＴＰ５の下方には上下に昇降可能なリフタ１６６が、第６搬送位置ＴＰ６の下方にはプッシャ１６７が、第７搬送位置ＴＰ７の下方にはプッシャ１６８がそれぞれ配置されている。

図１５に示すように、第１リニアトランスポータ１５０は、直線往復移動可能な４つのステージ、すなわち、第１ステージ、第２ステージ、第３ステージ、および第４ステージを備えている。これらのステージは上下に２段の構成となっている。すなわち、下段には第１ステージ、第２ステージ、第３ステージが配置され、上段には第４ステージが配置されている。

下段のステージと上段のステージとは、設置される高さが異なっているため、下段のステージと上段のステージとは互いに干渉することなく自由に移動可能となっている。第１ステージは、第１搬送位置ＴＰ１と（基板の受け渡し位置である）第２搬送位置ＴＰ２との間で基板を搬送し、第２ステージは、第２搬送位置ＴＰ２と（基板の受け渡し位置である）第３搬送位置ＴＰ３との間で基板を搬送し、第３ステージは、第３搬送位置ＴＰ３と第４搬送位置ＴＰ４との間で基板を搬送する。また、第４ステージは、第１搬送位置ＴＰ１と第４搬送位置ＴＰ４との間で基板を搬送する。

第２リニアトランスポータ１６０は、第１リニアトランスポータ１５０と実質的に同一の構成を有している。すなわち、上段に第５ステージおよび第６ステージが配置され、下段に第７ステージが配置されている。第５ステージは、第５搬送位置ＴＰ５と（基板の受け渡し位置である）第６搬送位置ＴＰ６との間で基板を搬送し、第６ステージは、第６搬送位置ＴＰ６と（基板の受け渡し位置である）第７搬送位置ＴＰ７との間で基板を搬送し、第７ステージは、第５搬送位置ＴＰ５と第７搬送位置ＴＰ７との間で基板を搬送する。

研磨時にはスラリを使用することを考えるとわかるように、研磨部１３０は最もダーティな（汚れた）領域である。したがって、研磨部１３０内のパーティクルが外部に飛散しないように、各研磨テーブルの周囲から排気が行われており、研磨部１３０の内部の圧力を、装置外部、周囲の洗浄部１４０、ロード／アンロード部１０２よりも低くすることでパーティクルの飛散を防止している。また、通常、研磨テーブルの下方には排気ダクト（図示せず）が、上方にはフィルタ（図示せず）がそれぞれ設けられ、これらの排気ダクト及びフィルタを介して清浄化された空気が噴出され、ダウンフローが形成される。

洗浄部１４０は、研磨後の基板を洗浄する領域であり、第２搬送ロボット１２４と、第２搬送ロボット１２４から受け取った基板を反転する反転機１４１と、研磨後の基板を洗浄する４つの洗浄ユニット１４２〜１４５と、反転機１４１及び洗浄ユニット１４２〜１４５の間で基板を搬送する搬送ユニット１４６とを備えている。

第２搬送ロボット１２４、反転機１４１、及び洗浄ユニット１４２〜１４５は、研磨装置の長手方向に沿って直列に配置されている。また、これらの洗浄ユニット１４２〜１４５の上部には、クリーンエアフィルタを有するフィルタファンユニット（図示せず）が設けられており、このフィルタファンユニットによりパーティクルが除去されたクリーンエアが常時下方に向かって吹き出している。また、洗浄部１４０の内部は、研磨部１３０からのパーティクルの流入を防止するために研磨部１３０よりも高い圧力に常時維持されている。

搬送ユニット１４６は、基板を把持する複数のアームを有しており、これらアームによって複数の基板を反転機１４１及び洗浄ユニット１４２〜１４５の間で同時に水平方向に移動させることができるようになっている。洗浄ユニット１４２及び洗浄ユニット１４３としては、例えば、上下に配置されたロール状のスポンジを回転させて基板の表面及び裏面に押し付けて基板の表面及び裏面を洗浄するロールタイプの洗浄ユニットを用いることができる。また、洗浄ユニット１４４としては、例えば、半球状のスポンジを回転させながら基板に押し付けて洗浄するペンシルタイプの洗浄ユニットを用いることができる。洗浄ユニット１４５は、上述したいずれかの実施形態に係る基板洗浄及び乾燥装置である。なお、各洗浄ユニット１４２〜１４４において、上述したロールタイプの洗浄ユニットやペンシルタイプの洗浄ユニットに加えて、洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタイプの洗浄ユニットを付加的に設けてもよい。

反転機１５１と第１搬送ロボット１２２との間にはシャッタ１１０が設置されており、基板の搬送時にはシャッタ１１０を開いて第１搬送ロボット１２２と反転機１５１との間で基板の受け渡しが行われる。また、反転機１４１と第２搬送ロボット１２４との間、反転機１４１と１次洗浄ユニット１４２との間、第１研磨部１３０ａと第２搬送ロボット１２４との間、及び第２研磨部１３０ｂと第２搬送ロボット１２４との間にもそれぞれシャッタ１１１，１１２，１１３，１１４が設置されており、基板の搬送時にはこれらのシャッタ１１１，１１２，１１３，１１４を開いて基板の受け渡しが行われる。

研磨テーブル１３２Ａの上には研磨パッド（図示せず）が固定されている。研磨テーブル１３２Ａは、その下方に配置されるモータ（図示せず）に連結されており、軸心周りに回転可能になっている。図１５に示すように、トップリング１３３Ａは、トップリングシャフト１３７Ａを介してモータ及び昇降シリンダ（図示せず）に連結されている。これにより、トップリング１３３Ａは昇降可能かつトップリングシャフト１３７Ａ周りに回転可能となっている。このトップリング１３３Ａの下面には、基板Ｗが真空吸着等によって保持される。研磨パッドの上面は、基板Ｗが摺接される研磨面を構成している。

トップリング１３３Ａの下面に保持された基板Ｗはトップリング１３３Ａによって回転させられつつ、回転している研磨テーブル１３２Ａ上の研磨パッドに押圧される。このとき、研磨液供給ノズル１３４Ａから研磨パッドの研磨面（上面）に研磨液が供給され、基板Ｗと研磨パッドとの間に研磨液が存在した状態で基板Ｗが研磨される。研磨テーブル１３２Ａおよびトップリング１３３Ａは、基板Ｗと研磨面とを相対移動させる機構を構成している。第２研磨ユニット１３１Ｂ，第３研磨ユニット１３１Ｃ、および第４研磨ユニット１３１Ｄは、第１研磨ユニット１３１Ａと同一の構成を有しているので、その説明を省略する。

このような構成を有する研磨装置によれば、１枚の基板を４つの研磨ユニットで連続的に研磨するシリーズ処理、および２枚の基板を同時に研磨するパラレル処理を行うことができる。

以上本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。

１ 基板保持機構
２ モータ（回転機構）
３ 円筒カップ
４ 洗浄液供給ノズル
１０ チャック
１１ 基板ステージ
１２ 支持軸
１３ 円筒状スカート
１５ 排気ポート
１６ 気体エゼクタ
１７ 気体取入部材
１７ａ 気体取入口
１８ 貫通孔
１９ 気体排出部材
１９ａ 気体排出口
２１ 気体供給配管
２２ 縦管
２３ ガイド管
２５ 気体流路
２６ 気体エゼクタ
２８ 貫通孔
２９ 気体排出部材
２９ａ 気体排出口
３１ 連結部材
３６ 気体エゼクタ
３７ 気体取入部材
３８ 貫通孔
３９ 気体排出部材
３９ａ 気体排出口
４０ 外側遮断カバー
４１ 内側遮断カバー
６３ 液受け
１０２ ロード／アンロード部
１１１，１１２，１１３，１１４ シャッタ
１２０ フロントロード部
１２１ 走行機構
１２２ 第１搬送ロボット
１２４ 第２搬送ロボット
１３１Ａ，１３１Ｂ，１３１Ｃ，１３１Ｄ 研磨ユニット
１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃ，１３２Ｄ 研磨テーブル
１３３Ａ，１３３Ｂ，１３３Ｃ，１３３Ｄ トップリング
１３４Ａ，１３４Ｂ，１３４Ｃ，１３４Ｄ 研磨液供給ノズル
１３５Ａ，１３５Ｂ，１３５Ｃ，１３５Ｄ ドレッサ
１３６Ａ，１３６Ｂ，１３６Ｃ，１３６Ｄ アトマイザ
１３７Ａ，１３７Ｂ，１３７Ｃ，１３７Ｄ トップリングシャフト
１４０ 洗浄部
１４１ 反転機
１４２〜１４５ 洗浄ユニット
１４６ 搬送ユニット
１５０ 第１リニアトランスポータ
１５１ 反転機
１５２ リフタ
１５３ プッシャ
１５４ プッシャ
１５５ リフタ
１６０ 第２リニアトランスポータ
１６６ リフタ
１６７ プッシャ
１６８ プッシャ
Ｗ 基板

Claims (8)

1. 基板を保持する基板保持機構と、
   前記基板保持機構を回転させる回転機構と、
   前記基板の周縁部を取り囲む円筒カップと、
   前記基板の下方に配置された気体エゼクタと、を備え、
   前記気体エゼクタは、前記基板の全周に沿って配置された少なくとも１つの気体排出口を有し、前記気体排出口から気体を下方に排出することで、前記基板の周縁部と前記円筒カップとの間の隙間に空気の下降流を誘発させることを特徴とする基板洗浄及び乾燥装置。
2. 前記基板洗浄及び乾燥装置は、前記基板の下方に配置された、前記基板保持機構と一体に回転する円筒状スカートをさらに備えており、
   前記気体エゼクタは、前記円筒状スカートの内周面に固定された気体取入部材を有しており、
   前記気体取入部材は、前記基板保持機構の回転方向に向かって開口する複数の気体取入口を有し、
   前記複数の気体取入口は、前記円筒状スカートの外側に配置された前記気体排出口に連通していることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄及び乾燥装置。
3. 前記複数の気体取入口は、隣り合う気体取入口が異なる高さに位置するように、その上下方向の位置を交互にずらして配列されていることを特徴とする請求項２に記載の基板洗浄及び乾燥装置。
4. 前記少なくとも１つの気体排出口は、前記基板の全周に沿って等間隔に配列された複数の気体排出口であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板洗浄及び乾燥装置。
5. 前記少なくとも１つの気体排出口は、前記基板の全周に沿って配置された環状の気体排出口であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板洗浄及び乾燥装置。
6. 前記気体エゼクタは、気体供給源から供給された気体を前記気体排出口に導く気体移送通路を備えていることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄及び乾燥装置。
7. 前記気体移送通路は、
   前記気体供給源に接続される気体供給配管と、
   前記気体供給配管に接続される縦管と、
   前記縦管に連結され、前記基板保持機構とともに回転するガイド管と、
   前記ガイド管に連結され、前記気体排出口を有する気体排出部材とを備えることを特徴とする請求項６に記載の基板洗浄及び乾燥装置。
8. 前記円筒カップは、前記基板保持機構に接続されて、前記基板保持機構と同期して回転するように構成され、
   前記気体エゼクタは、前記円筒カップの外周面に固定された気体取入部材を有しており、
   前記気体取入部材は、前記基板保持機構の回転方向に向かって開口する複数の気体取入口を有し、
   前記複数の気体取入口は、前記円筒カップの内側に配置された前記気体排出口に連通していることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄及び乾燥装置。

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