CN111628063A - 一种Micro-LED的固晶方法 - Google Patents

一种Micro-LED的固晶方法 Download PDF

Info

Publication number
CN111628063A
CN111628063A CN202010143743.XA CN202010143743A CN111628063A CN 111628063 A CN111628063 A CN 111628063A CN 202010143743 A CN202010143743 A CN 202010143743A CN 111628063 A CN111628063 A CN 111628063A
Authority
CN
China
Prior art keywords
micro
tin
layer
led
die bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010143743.XA
Other languages
English (en)
Inventor
李漫铁
谢玲
余亮
屠孟龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huizhou Lehman Optoelectronics Technology Co ltd
Ledman Optoelectronic Co Ltd
Original Assignee
Huizhou Lehman Optoelectronics Technology Co ltd
Ledman Optoelectronic Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huizhou Lehman Optoelectronics Technology Co ltd, Ledman Optoelectronic Co Ltd filed Critical Huizhou Lehman Optoelectronics Technology Co ltd
Priority to CN202010143743.XA priority Critical patent/CN111628063A/zh
Priority to US17/909,146 priority patent/US20230116166A1/en
Priority to JP2022553136A priority patent/JP2023516200A/ja
Priority to KR1020227031978A priority patent/KR20220142492A/ko
Priority to PCT/CN2020/113250 priority patent/WO2021174793A1/zh
Publication of CN111628063A publication Critical patent/CN111628063A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/243—Reinforcing the conductive pattern characterised by selective plating, e.g. for finish plating of pads
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/282—Applying non-metallic protective coatings for inhibiting the corrosion of the circuit, e.g. for preserving the solderability
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81909—Post-treatment of the bump connector or bonding area
    • H01L2224/8193—Reshaping
    • H01L2224/81935—Reshaping by heating means, e.g. reflowing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83909—Post-treatment of the layer connector or bonding area
    • H01L2224/8393—Reshaping
    • H01L2224/83935—Reshaping by heating means, e.g. reflowing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703—Plating
    • H05K2203/072—Electroless plating, e.g. finish plating or initial plating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

本发明提供一种Micro‑LED的固晶方法，所述方法包括以下步骤：(1)在PCB固晶位置镀锡，得到镀锡层；(2)在步骤(1)得到的镀锡层上依次添加保护层以及助焊剂层，得到预处理PCB板；(3)将倒装Micro‑LED芯片转移至步骤(2)得到的所述预处理PCB板上，回流固晶，完成Micro‑LED的固晶。所述方法能减少印刷锡膏的工艺流程，无需投入锡膏印刷机，无需制造钢网，提高效率。

Description

一种Micro-LED的固晶方法
技术领域
本发明属于Micro-LED技术领域，涉及一种Micro-LED的固晶方法。
背景技术
随着点间距的减小，芯片排列密度增大，现有镀金工艺的PCB板需要配合使用印刷机印刷锡膏，锡膏印刷时对钢网的要求和对印刷工艺的精度要求更高，钢网的开孔小且密，钢网的厚度变薄，增加成本，且钢网使用寿命减少。常规的芯片需要使用小粒径的锡膏通过真空充氮回流的方式将芯片固定。
CN 110600496 A公开了一种Micro-LED芯片封装结构，包括：一电路板；所述电路板具有非功能区和电路连接区，非功能区与电路连接区相邻；一Micro-LED芯片，位于所述非功能区，且所述Micro-LED芯片的背面与所述电路板的正面接触固定；一绑定线组，每根绑定线的一端与将Micro-LED芯片的引出极连接，另一端与所述电路板的电路连接区接触连接。
CN 110718611 A公开了一种Micro LED巨量转移方法、装置及封装结构、显示装置，Micro-LED巨量转移方法包括设置驱动电路基板，设置第一载物板及第二载物板，向所述第二载物板倾倒Micro-LED元件，向所述第一载物板及第二载物板施加振动力，将驱动电路基板上的电极与Micro-LED元件键合；Micro-LED巨量转移装置包括上述方法中的部件，封装结构由上述转移方法制备而成；显示装置包括封装结构。在本发明中，通过向第二载物板批量倾倒Micro-LED元件，在振动力的作用下，Micro-LED元件落入第一载物板内，在进行Micro-LED元件与电极的键合后实现Micro-LED元件的巨量转移。
CN 107527896 A公开了一种基于RGB显色的Micro-LED封装结构，该结构包括本体，本体上设有两个独立的腔体一和腔体二，腔体一内设有蓝色芯片一、绿色芯片和封装层一，封装层一将蓝色芯片一与绿色芯片完全包裹封装；腔体二中设有蓝色芯片二和封装层二，封装层二内设有红色荧光粉，封装层二将蓝色芯片二完全包裹封装，红色荧光粉完全吸收蓝色芯片二发出的蓝色光从而腔体二只放射出红光，腔体二中通过蓝色芯片二与封装层二中的红色荧光粉实现红光，与腔体一中的蓝色芯片、绿色芯片发出的蓝光、绿光配合，实现三原色发光，并通过电流控制混色效果。
发明内容
针对现有技术中存在的技术问题，本发明提供一种Micro-LED的固晶方法，所述方法能减少印刷锡膏的工艺流程，无需投入锡膏印刷机，无需制造钢网，提高效率。
为达上述目的，本发明采用以下技术方案：
本发明提供一种Micro-LED的固晶方法，所述方法包括以下步骤：
(1)在PCB固晶位置镀锡，得到镀锡层；
(2)在步骤(1)得到的镀锡层上依次添加保护层以及助焊剂层，得到预处理PCB板；
(3)将倒装Micro-LED芯片转移至步骤(2)得到的所述预处理PCB板上，回流固晶，完成Micro-LED的固晶。
作为本发明优选的技术方案，步骤(1)所述镀锡层的厚度为5～30μm。
作为本发明优选的技术方案，步骤(2)所述添加保护层的方法包括贴保护膜或OSP工艺中的任意一种。
其中，所述保护膜使用时需撕掉，在可操作时限内完成固晶和回流。
作为本发明优选的技术方案，所述助焊剂包括酮类、醇类或酯类的有机免洗助焊剂中的任意一种或至少两种的组合。
作为本发明优选的技术方案，所述助焊剂层的厚度为1～5μm，如1.5μm、2μm、2.5μm、3μm、3.5μm、4μm或4.5μm等，但并不仅限于所列举的数值，该数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述倒装Micro-LED芯片为带锡的倒装Micro-LED芯片。
作为本发明优选的技术方案，所述回流固晶前调整回流焊曲线。
作为本发明优选的技术方案，所述回流固晶的方法为先抽真空，再充入氮气修正负压，所述氮气浓度大于99.99％。
作为本发明优选的技术方案，所述方法包括以下步骤：
(1)在PCB固晶位置镀锡，得到镀锡层，所述镀锡层的厚度为5～30μm；
(2)在步骤(1)得到的镀锡层上依次添加保护层以及助焊剂层，所述助焊剂层的厚度为1～5μm，所述添加保护层的方法包括帖保护膜或OSP工艺中的任意一种，得到预处理PCB板；
(3)将带锡的倒装Micro-LED芯片转移至步骤(2)得到的所述预处理PCB板上，调整回流焊曲线，回流固晶，完成Micro-LED的固晶。
与现有技术方案相比，本发明至少具有以下有益效果：
本发明采用镀锡加防氧化层的工艺取代镀金，降低PCB板的成本20％-30％，配合使用电极带锡的倒装芯片，能减少印刷锡膏的工艺流程，无需投入锡膏印刷机，无需制造钢网，提高效率。
附图说明
图1是本发明具体实施方式提供的Micro-LED的固晶方法的结构示意图；
图2是本发明具体实施方式使用的PCB板的结构示意图。
下面对本发明进一步详细说明。但下述的实例仅仅是本发明的简易例子，并不代表或限制本发明的权利保护范围，本发明的保护范围以权利要求书为准。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
为更好地说明本发明，便于理解本发明的技术方案，本发明的典型但非限制性的实施例如下：
实施例1
本实施例提供一种Micro-LED的固晶方法，所述方法包括以下步骤：
(1)在PCB固晶位置镀锡，得到镀锡层，所述镀锡层的厚度为15μm；
(2)在步骤(1)得到的镀锡层上依次添加保护层以及助焊剂层，所述助焊剂层的厚度为1μm，所述添加保护层的方法为帖保护膜，助焊剂层采用喷涂工艺，得到预处理PCB板；
(3)将带锡的倒装Micro-LED芯片转移至步骤(2)得到的所述预处理PCB板上，调整回流焊曲线，回流固晶，完成Micro-LED的固晶。
实施例2
本实施例提供一种Micro-LED的固晶方法，所述方法包括以下步骤：
(1)在PCB固晶位置镀锡，得到镀锡层，所述镀锡层的厚度为30μm；
(2)在步骤(1)得到的镀锡层上依次添加保护层以及助焊剂层，所述助焊剂层的厚度为5μm，所述添加保护层的方法为帖保护膜，助焊剂层采用喷涂工艺，得到预处理PCB板；
(3)将带锡的倒装Micro-LED芯片转移至步骤(2)得到的所述预处理PCB板上，调整回流焊曲线，回流固晶，完成Micro-LED的固晶。
实施例3
本实施例提供一种Micro-LED的固晶方法，所述方法包括以下步骤：
(1)在PCB固晶位置镀锡，得到镀锡层，所述镀锡层的厚度为20μm；
(2)在步骤(1)得到的镀锡层上依次添加保护层以及助焊剂层，所述助焊剂层的厚度为2μm，所述添加保护层的方法为OSP工艺，助焊剂层采用喷涂工艺，得到预处理PCB板；
(3)将带锡的倒装Micro-LED芯片转移至步骤(2)得到的所述预处理PCB板上，调整回流焊曲线，回流固晶，完成Micro-LED的固晶。
实施例4
本实施例提供一种Micro-LED的固晶方法，所述方法包括以下步骤：
(1)在PCB固晶位置镀锡，得到镀锡层，所述镀锡层的厚度为25μm；
(2)在步骤(1)得到的镀锡层上依次添加保护层以及助焊剂层，所述助焊剂层的厚度为3μm，所述添加保护层的方法为OSP工艺，助焊剂层采用喷涂工艺，得到预处理PCB板；
(3)将带锡的倒装Micro-LED芯片转移至步骤(2)得到的所述预处理PCB板上，调整回流焊曲线，回流固晶，完成Micro-LED的固晶。
本发明实施例1-4使用的镀锡方法为化学镀锡法，镀液屮金属离子在还原剂的作用下于基体活性表面上沉积。化学镀锡的锡层厚度均匀，不需要外加电源。
本发明实施例1-4使用回流固晶工艺为先抽真空，再充入氮气修正负压，所述氮气浓度大于99.99％。
本发明实施例1-2使用的保护膜为UV固化膜；实施例3-4的OSP工艺的材料类型有：松香类(Rosin)，活性树脂类(ActiveResin)和唑类(Azole)，本实施例选择唑类OSP。
本发明实施1-4采用的Micro-LED的固晶方法与传统镀金方法相比，成本可节约20％-30％。
申请人声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细结构特征，但本发明并不局限于上述详细结构特征，即不意味着本发明必须依赖上述详细结构特征才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进，对本发明所选用部件的等效替换以及辅助部件的增加、具体方式的选择等，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (9)

1.一种Micro-LED的固晶方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)在PCB固晶位置镀锡，得到镀锡层；
(2)在步骤(1)得到的镀锡层上依次添加保护层以及助焊剂层，得到预处理PCB板；
(3)将倒装Micro-LED芯片转移至步骤(2)得到的所述预处理PCB板上，回流固晶，完成Micro-LED的固晶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述镀锡层的厚度为5～30μm。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述添加保护层的方法包括贴保护膜或OSP工艺中的任意一种。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述助焊剂包括酮类、醇类或酯类的有机免洗助焊剂中的任意一种或至少两种的组合。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述助焊剂层的厚度为1～5μm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述倒装Micro-LED芯片为带锡的倒装Micro-LED芯片。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述回流固晶前调整回流焊曲线。
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述回流固晶的方法为先抽真空，再充入氮气修正负压，所述氮气浓度大于99.99％。
9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)在PCB固晶位置镀锡，得到镀锡层，所述镀锡层的厚度为5～30μm；
(2)在步骤(1)得到的镀锡层上依次添加保护层以及助焊剂层，所述助焊剂层的厚度为1～5μm，所述添加保护层的方法包括贴保护膜或OSP工艺中的任意一种，得到预处理PCB板；
(3)将带锡的倒装Micro-LED芯片转移至步骤(2)得到的所述预处理PCB板上，调整回流焊曲线，回流固晶，完成Micro-LED的固晶。
CN202010143743.XA 2020-03-04 2020-03-04 一种Micro-LED的固晶方法 Pending CN111628063A (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010143743.XA CN111628063A (zh) 2020-03-04 2020-03-04 一种Micro-LED的固晶方法
US17/909,146 US20230116166A1 (en) 2020-03-04 2020-09-03 Die bonding method for micro-led
JP2022553136A JP2023516200A (ja) 2020-03-04 2020-09-03 Ｍｉｃｒｏ－ＬＥＤのダイボンド方法
KR1020227031978A KR20220142492A (ko) 2020-03-04 2020-09-03 Micro-LED의 다이 본딩 방법
PCT/CN2020/113250 WO2021174793A1 (zh) 2020-03-04 2020-09-03 Micro-LED的固晶方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010143743.XA CN111628063A (zh) 2020-03-04 2020-03-04 一种Micro-LED的固晶方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111628063A true CN111628063A (zh) 2020-09-04

Family

ID=72273167

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010143743.XA Pending CN111628063A (zh) 2020-03-04 2020-03-04 一种Micro-LED的固晶方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20230116166A1 (zh)
JP (1) JP2023516200A (zh)
KR (1) KR20220142492A (zh)
CN (1) CN111628063A (zh)
WO (1) WO2021174793A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112885825A (zh) * 2021-01-21 2021-06-01 Tcl华星光电技术有限公司 一种led面板及led面板的制备方法
CN113437204A (zh) * 2021-05-18 2021-09-24 深圳市隆利科技股份有限公司 一种灯板制备方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202231944U (zh) * 2011-05-09 2012-05-23 景旺电子（深圳）有限公司 一种适应用于led的高散热型pcb结构
CN103533765A (zh) * 2012-08-07 2014-01-22 立诚光电股份有限公司 改善陶瓷贯孔基板上金属表面粗糙度的方法及陶瓷基板
CN103648231A (zh) * 2013-11-18 2014-03-19 无锡俊达测试技术服务有限公司 一种pcb板
CN203631604U (zh) * 2013-10-30 2014-06-04 泉州市金太阳照明科技有限公司 一种led灯珠电路连接结构
CN203733839U (zh) * 2014-03-06 2014-07-23 深圳市九洲光电科技有限公司 Cob光源模块
CN203746899U (zh) * 2014-01-26 2014-07-30 上海瑞丰光电子有限公司 一种led封装结构及照明设备
CN104124325A (zh) * 2014-08-07 2014-10-29 深圳市九洲光电科技有限公司 一种光反射基板、led模组及其制作方法
CN107431107A (zh) * 2015-04-01 2017-12-01 歌尔股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
US20180076169A1 (en) * 2016-09-13 2018-03-15 Rodan (Taiwan) Ltd. Chip bonding process
CN107845713A (zh) * 2016-09-19 2018-03-27 戴莉霞 固晶稳固方法
CN109599409A (zh) * 2017-09-20 2019-04-09 先进科技新加坡有限公司 用于组装发光元件矩阵的多点接合工艺
CN110459667A (zh) * 2019-08-15 2019-11-15 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种led倒装基板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012174332A (ja) * 2011-02-17 2012-09-10 Fujitsu Ltd 導電性接合材料、導体の接合方法、及び半導体装置の製造方法
US10153180B2 (en) * 2013-10-02 2018-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor bonding structures and methods
CN204029857U (zh) * 2014-08-07 2014-12-17 深圳市九洲光电科技有限公司 一种光反射基板及其组成的led模组
CN104409616A (zh) * 2014-11-14 2015-03-11 易美芯光（北京）科技有限公司 一种覆晶led集成光源结构及其制备方法
US20200313049A1 (en) * 2016-06-21 2020-10-01 Soraa, Inc. Light emitting diode package
JP2018176175A (ja) * 2017-04-04 2018-11-15 住友金属鉱山株式会社 ＰｂフリーＺｎ−Ａｌ系はんだ合金を用いた半導体素子と基板との接合方法
CN109599461B (zh) * 2018-10-29 2020-03-27 武汉华星光电技术有限公司 Led的固晶方法及喷涂装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN202231944U (zh) * 2011-05-09 2012-05-23 景旺电子（深圳）有限公司 一种适应用于led的高散热型pcb结构
CN103533765A (zh) * 2012-08-07 2014-01-22 立诚光电股份有限公司 改善陶瓷贯孔基板上金属表面粗糙度的方法及陶瓷基板
CN203631604U (zh) * 2013-10-30 2014-06-04 泉州市金太阳照明科技有限公司 一种led灯珠电路连接结构
CN103648231A (zh) * 2013-11-18 2014-03-19 无锡俊达测试技术服务有限公司 一种pcb板
CN203746899U (zh) * 2014-01-26 2014-07-30 上海瑞丰光电子有限公司 一种led封装结构及照明设备
CN203733839U (zh) * 2014-03-06 2014-07-23 深圳市九洲光电科技有限公司 Cob光源模块
CN104124325A (zh) * 2014-08-07 2014-10-29 深圳市九洲光电科技有限公司 一种光反射基板、led模组及其制作方法
CN107431107A (zh) * 2015-04-01 2017-12-01 歌尔股份有限公司 微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备
US20180076169A1 (en) * 2016-09-13 2018-03-15 Rodan (Taiwan) Ltd. Chip bonding process
CN107845713A (zh) * 2016-09-19 2018-03-27 戴莉霞 固晶稳固方法
CN109599409A (zh) * 2017-09-20 2019-04-09 先进科技新加坡有限公司 用于组装发光元件矩阵的多点接合工艺
CN110459667A (zh) * 2019-08-15 2019-11-15 安徽芯瑞达科技股份有限公司 一种led倒装基板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112885825A (zh) * 2021-01-21 2021-06-01 Tcl华星光电技术有限公司 一种led面板及led面板的制备方法
CN113437204A (zh) * 2021-05-18 2021-09-24 深圳市隆利科技股份有限公司 一种灯板制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023516200A (ja) 2023-04-18
WO2021174793A1 (zh) 2021-09-10
US20230116166A1 (en) 2023-04-13
KR20220142492A (ko) 2022-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100437961C (zh) 半导体元件的安装方法及半导体元件安装基板
JP4246134B2 (ja) 半導体素子の実装方法、及び半導体素子実装基板
CN111628063A (zh) 一种Micro-LED的固晶方法
CN202488885U (zh) 一种smt焊接的pcb板
CN207367928U (zh) Smt晶圆固定装置
CN107346748B (zh) 固定晶圆的表面粘贴方法及smt晶圆固定装置
CN101030546A (zh) 电容安装方法
CN103022333B (zh) 一种led芯粒的固晶方法
CN110635016B (zh) 一种miniled基板封装方法
JP2009010302A (ja) ソルダペースト層形成方法
JP2004363220A (ja) 実装構造体の製造方法及び接続体
CN114937661A (zh) 一种背光模组及其制造方法
CN211507677U (zh) 一种rgb芯片倒装封装结构
CN110635017B (zh) 一种miniled背光基板封装方法
CN110212073B (zh) 单面csp及其制造方法
CN101553091B (zh) 印刷电路板及其制造工艺
JP4767430B2 (ja) 充填ペーストの充填方法および充填装置
JP2000031210A (ja) 転写用の金属ペーストおよびバンプ形成方法
JP4634482B2 (ja) はんだプリコート方法
CN216818369U (zh) 一种实现超薄高亮侧发型发光二极管
KR100347762B1 (ko) 베어칩 반도체 집적회로 및 회로기판 패턴의 직접 접합 방법
KR20000046722A (ko) 반도체 베어칩의 다이렉트 어테치 본딩 방법
CN202480534U (zh) 一种用于在pcb板上印刷贴片胶的钢网
KR100306115B1 (ko) 회로기판의부품혼재실장공법
CN1429683A (zh) 一种电子器件的焊接方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20200904