JP2000031210A - 転写用の金属ペーストおよびバンプ形成方法 - Google Patents
転写用の金属ペーストおよびバンプ形成方法Info
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- JP2000031210A JP2000031210A JP10201566A JP20156698A JP2000031210A JP 2000031210 A JP2000031210 A JP 2000031210A JP 10201566 A JP10201566 A JP 10201566A JP 20156698 A JP20156698 A JP 20156698A JP 2000031210 A JP2000031210 A JP 2000031210A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 転写体積を十分に確保することができ、接合
不良を減少させることができる転写用の金属ペーストお
よびバンプ形成方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 半田ボールに、導電性で半田濡れ性の良
い金属粉末を体積比で１０〜４０％の範囲内でフラック
スに含有させて成る金属ペーストを転写により塗布し、
この金属ペーストが塗布された半田ボールをワークの電
極上に移載し加熱することにより、半田ボールを電極に
接合して半田バンプを形成する。このバンプ形成過程に
おいて、金属粉末の含有量を前記範囲内とすることによ
り、金属ペーストの転写体積を確保することができ、し
たがって接合部に十分な金属粉末を供給して接合不良の
発生率を低く保つことができる。
不良を減少させることができる転写用の金属ペーストお
よびバンプ形成方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 半田ボールに、導電性で半田濡れ性の良
い金属粉末を体積比で１０〜４０％の範囲内でフラック
スに含有させて成る金属ペーストを転写により塗布し、
この金属ペーストが塗布された半田ボールをワークの電
極上に移載し加熱することにより、半田ボールを電極に
接合して半田バンプを形成する。このバンプ形成過程に
おいて、金属粉末の含有量を前記範囲内とすることによ
り、金属ペーストの転写体積を確保することができ、し
たがって接合部に十分な金属粉末を供給して接合不良の
発生率を低く保つことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品などの接
合用として転写により塗布される転写用の金属ペースト
およびこの金属ペーストを用いたバンプ形成方法に関す
るものである。
合用として転写により塗布される転写用の金属ペースト
およびこの金属ペーストを用いたバンプ形成方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】電子部品などの接合用として、金属ペー
ストを用いる方法が知られている。この方法は、半田接
合性を向上させるために用いられるフラックス中に、導
電性で半田濡れ性の良い金属粉末を含有させたものであ
る。金属粉末として金、銀や銅などを用いたものは、半
田バンプや半田ボールなど被接合部が半田である場合に
用いられ、また金属粉末として半田を用いたものは、被
接合部が半田の場合はもちろん、それ以外の金、銀や銅
などの金属である場合にも用いられる。
ストを用いる方法が知られている。この方法は、半田接
合性を向上させるために用いられるフラックス中に、導
電性で半田濡れ性の良い金属粉末を含有させたものであ
る。金属粉末として金、銀や銅などを用いたものは、半
田バンプや半田ボールなど被接合部が半田である場合に
用いられ、また金属粉末として半田を用いたものは、被
接合部が半田の場合はもちろん、それ以外の金、銀や銅
などの金属である場合にも用いられる。
【０００３】本来半田接合性を向上させる目的で塗布さ
れるフラックス中に金属粉末を含有させることにより、
接合部に導電体である金属を供給することとなり、接合
部の体積を増強して接合強度を補強するとともに、十分
な導通断面を確保して良好な導電性を得ることができる
という効果がある。
れるフラックス中に金属粉末を含有させることにより、
接合部に導電体である金属を供給することとなり、接合
部の体積を増強して接合強度を補強するとともに、十分
な導通断面を確保して良好な導電性を得ることができる
という効果がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、接合部に上
記金属ペーストを供給する方法として、金属ペーストを
転写により塗布する方法が広く用いられている。例えば
半田ボールを電極に移載して半田バンプを形成する例で
は、半田ボールに金属ペーストを転写した後に、この半
田ボールをワークの電極上に移載する。この方法によれ
ば、ワークの電極に予め金属ペーストを印刷する方法と
比較して、工程を簡略化できるという利点がある。
記金属ペーストを供給する方法として、金属ペーストを
転写により塗布する方法が広く用いられている。例えば
半田ボールを電極に移載して半田バンプを形成する例で
は、半田ボールに金属ペーストを転写した後に、この半
田ボールをワークの電極上に移載する。この方法によれ
ば、ワークの電極に予め金属ペーストを印刷する方法と
比較して、工程を簡略化できるという利点がある。
【０００５】しかしながら、従来の金属ペーストには、
転写によって塗布する場合の転写体積を十分に確保する
ことが困難であり、その結果十分な接合が行われず接合
不良の発生頻度が高いという問題点があった。
転写によって塗布する場合の転写体積を十分に確保する
ことが困難であり、その結果十分な接合が行われず接合
不良の発生頻度が高いという問題点があった。
【０００６】そこで本発明は、転写体積を十分に確保す
ることができ、接合不良を減少させることができる転写
用の金属ペーストおよびバンプ形成方法を提供すること
を目的とする。
ることができ、接合不良を減少させることができる転写
用の金属ペーストおよびバンプ形成方法を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の転写用の
金属ペーストは、導電性で半田濡れ性の良い金属粉末を
フラックスに含有させて成り、接合部に転写により供給
される転写用の金属ペーストであって、前記金属粉末の
含有量が金属ペーストに対する体積比で、１０〜４０％
の範囲内である。
金属ペーストは、導電性で半田濡れ性の良い金属粉末を
フラックスに含有させて成り、接合部に転写により供給
される転写用の金属ペーストであって、前記金属粉末の
含有量が金属ペーストに対する体積比で、１０〜４０％
の範囲内である。
【０００８】請求項２記載の転写用の金属ペーストは、
請求項１記載の転写用の金属ペーストであって、前記金
属粉末に、非球状の形状の粉末を含むようにした。
請求項１記載の転写用の金属ペーストであって、前記金
属粉末に、非球状の形状の粉末を含むようにした。
【０００９】請求項３記載のバンプ形成方法は、導電性
ボールに請求項１または２記載の転写用の金属ペースト
を転写により塗布する工程と、前記金属ペーストが塗布
された導電性ボールをワークの電極上に移載する工程
と、前記導電性ボールが移載されたワークを加熱するこ
とにより、前記導電性ボールを前記電極に接合してバン
プを形成するようにした。
ボールに請求項１または２記載の転写用の金属ペースト
を転写により塗布する工程と、前記金属ペーストが塗布
された導電性ボールをワークの電極上に移載する工程
と、前記導電性ボールが移載されたワークを加熱するこ
とにより、前記導電性ボールを前記電極に接合してバン
プを形成するようにした。
【００１０】請求項４記載のバンプ形成方法は、ワーク
の電極に請求項１または２記載の転写用の金属ペースト
を転写により塗布する工程と、この金属ペーストが塗布
された電極上に導電性ボールを移載する工程と、前記導
電性ボールが移載されたワークを加熱することにより、
前記導電性ボールを前記電極に接合してバンプを形成す
るようにした。
の電極に請求項１または２記載の転写用の金属ペースト
を転写により塗布する工程と、この金属ペーストが塗布
された電極上に導電性ボールを移載する工程と、前記導
電性ボールが移載されたワークを加熱することにより、
前記導電性ボールを前記電極に接合してバンプを形成す
るようにした。
【００１１】各請求項記載の発明によれば、金属ペース
ト中の金属粉末の含有量を体積比で１０〜４０％の範囲
内とすることにより、転写時の転写体積を十分に確保し
て、接合不良を減少させることができる。
ト中の金属粉末の含有量を体積比で１０〜４０％の範囲
内とすることにより、転写時の転写体積を十分に確保し
て、接合不良を減少させることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の実施の形態を
図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態
の半田ボールの移載装置の転写部の部分断面図、図２
（ａ），（ｂ）は同半田ボールの移載装置の転写部の拡
大断面図、図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は同基板の部分
断面図、図４（ａ），（ｂ）、図５（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ），（ｅ）は、同ピン転写による半田バン
プ形成の工程説明図、図６（ａ）は同金属含有量と金属
ペーストの粘度との関係を示すグラフ、図６（ｂ）は同
金属含有量と転写体積との関係を示すグラフ、図６
（ｃ）は同金属含有量と接合不良発生率との関係を示す
グラフである。
図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施の形態
の半田ボールの移載装置の転写部の部分断面図、図２
（ａ），（ｂ）は同半田ボールの移載装置の転写部の拡
大断面図、図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は同基板の部分
断面図、図４（ａ），（ｂ）、図５（ａ），（ｂ），
（ｃ），（ｄ），（ｅ）は、同ピン転写による半田バン
プ形成の工程説明図、図６（ａ）は同金属含有量と金属
ペーストの粘度との関係を示すグラフ、図６（ｂ）は同
金属含有量と転写体積との関係を示すグラフ、図６
（ｃ）は同金属含有量と接合不良発生率との関係を示す
グラフである。
【００１３】まず、図１、図２を参照して半田ボールに
金属ペーストを転写により塗布する方法について説明す
る。図１に示す半田ボールの移載装置の金属ペーストの
転写部６は、容器１３とスキージユニット９より構成さ
れる。容器１３は水平の平らな底面を有しており、この
底面上に金属ペースト１４を貯溜する。スキージユニッ
ト９は２つのスキージ７を上下動させる２つのシリンダ
８を備えている。２つのスキージ７は図１に示すように
それぞれ異る方向に傾斜しており、シリンダ８のロッド
が下降した状態では、スキージ７の下端部と容器１３の
底面との隙間は所定隙間ｄに保たれる。この状態でスキ
ージユニット９が水平往復動することにより、２つのス
キージ７は容器１３内に貯留される金属ペースト１４
を、容器１３の底面上に前述の隙間ｄに等しい所定厚さ
ｄで塗布する。
金属ペーストを転写により塗布する方法について説明す
る。図１に示す半田ボールの移載装置の金属ペーストの
転写部６は、容器１３とスキージユニット９より構成さ
れる。容器１３は水平の平らな底面を有しており、この
底面上に金属ペースト１４を貯溜する。スキージユニッ
ト９は２つのスキージ７を上下動させる２つのシリンダ
８を備えている。２つのスキージ７は図１に示すように
それぞれ異る方向に傾斜しており、シリンダ８のロッド
が下降した状態では、スキージ７の下端部と容器１３の
底面との隙間は所定隙間ｄに保たれる。この状態でスキ
ージユニット９が水平往復動することにより、２つのス
キージ７は容器１３内に貯留される金属ペースト１４
を、容器１３の底面上に前述の隙間ｄに等しい所定厚さ
ｄで塗布する。
【００１４】次に、ここで用いられる金属ペースト１４
について説明する。金属ペースト１４は、半田接合性向
上の目的で用いられるフラックスに、金や銀、銅などの
導電性でかつ半田濡れ性の良い金属粉末を含有させたも
のであり、接合部に転写により供給される。金属ペース
ト１４中の金属粉末の含有量は、金属ペースト１４に対
する体積比で１０〜４０％の範囲内に設定される。金属
粉末の含有量をこのように設定することの意義について
は後述する。また金属粉末の形状として、薄い箔状のも
のなどの非球状の粉末を含ませることにより、容器１３
の底面上に金属ペースト１４を塗布した際に、フラック
ス中で金属粉末が沈降分離しにくくなり、転写時に安定
した量の金属粉末を転写できるという効果を得ることが
できる。
について説明する。金属ペースト１４は、半田接合性向
上の目的で用いられるフラックスに、金や銀、銅などの
導電性でかつ半田濡れ性の良い金属粉末を含有させたも
のであり、接合部に転写により供給される。金属ペース
ト１４中の金属粉末の含有量は、金属ペースト１４に対
する体積比で１０〜４０％の範囲内に設定される。金属
粉末の含有量をこのように設定することの意義について
は後述する。また金属粉末の形状として、薄い箔状のも
のなどの非球状の粉末を含ませることにより、容器１３
の底面上に金属ペースト１４を塗布した際に、フラック
ス中で金属粉末が沈降分離しにくくなり、転写時に安定
した量の金属粉末を転写できるという効果を得ることが
できる。
【００１５】ここで、金属ペースト１４の金属粉末の種
類と、被接合部の材質との関係について説明する。本実
施の形態では、金属粉末として金や銀などの金属を用い
ているが、これは後述するように導電性ボールとして半
田ボールを用いることによるものである。これに対し、
導電性ボールとして、金や銀など半田以外のものを用い
る場合には、金属ペースト１４中の金属粉末には半田の
粉末が用いられる。すなわち、導電性ボールと金属ペー
スト中の金属粉末の少なくともいずれか一方は、半田で
あるような組み合わせを用い、これにより、半田が溶融
することによって、導電性ボールを被接合部に半田接合
してバンプを形成するものである。
類と、被接合部の材質との関係について説明する。本実
施の形態では、金属粉末として金や銀などの金属を用い
ているが、これは後述するように導電性ボールとして半
田ボールを用いることによるものである。これに対し、
導電性ボールとして、金や銀など半田以外のものを用い
る場合には、金属ペースト１４中の金属粉末には半田の
粉末が用いられる。すなわち、導電性ボールと金属ペー
スト中の金属粉末の少なくともいずれか一方は、半田で
あるような組み合わせを用い、これにより、半田が溶融
することによって、導電性ボールを被接合部に半田接合
してバンプを形成するものである。
【００１６】次に半田ボールへの金属ペースト１４の塗
布について説明する。図１に示すように、半田ボール５
を吸着孔１０ａに真空吸着した吸着ツール１０を金属ペ
ースト１４が塗布された容器１３上に位置させる。次い
で図２（ａ）に示すように、吸着ツール１０の下面を容
器１３の底面上から高さｈの位置まで下降させる。高さ
ｈは、半田ボール５の下端部が容器１３の底面に当接し
ない高さであり、半田ボール５の下面に適量の金属ペー
スト１４が転写されるような高さとして、実際の試行に
より決定されるものである。なお、ｄが半田ボール５の
直径以下であれば、半田ボール５を容器１３の底面に当
接させても良い。
布について説明する。図１に示すように、半田ボール５
を吸着孔１０ａに真空吸着した吸着ツール１０を金属ペ
ースト１４が塗布された容器１３上に位置させる。次い
で図２（ａ）に示すように、吸着ツール１０の下面を容
器１３の底面上から高さｈの位置まで下降させる。高さ
ｈは、半田ボール５の下端部が容器１３の底面に当接し
ない高さであり、半田ボール５の下面に適量の金属ペー
スト１４が転写されるような高さとして、実際の試行に
より決定されるものである。なお、ｄが半田ボール５の
直径以下であれば、半田ボール５を容器１３の底面に当
接させても良い。
【００１７】次いで、この状態から吸着ツール１０を上
昇させる。すると、容器１３の底面に所定厚さｄで塗布
された金属ペースト１４は半田ボール５の下面に転写さ
れて付着したまま上昇する。このようにして図２（ｂ）
に示すように、半田ボール５の下面には金属ペースト１
４が転写により塗布される。
昇させる。すると、容器１３の底面に所定厚さｄで塗布
された金属ペースト１４は半田ボール５の下面に転写さ
れて付着したまま上昇する。このようにして図２（ｂ）
に示すように、半田ボール５の下面には金属ペースト１
４が転写により塗布される。
【００１８】次に半田ボール５の基板上への移載につい
て説明する。図３（ａ）に示すように、ワークとしての
基板１１の下面には電極１２が形成されており、この電
極１２上面に貫通孔１１ａを介して半田バンプが形成さ
れる。この基板１１上に半田ボール５を吸着した吸着ツ
ール１０を移動させ、次いで吸着ツール１０を貫通孔１
１ａ上に下降させる。次いで半田ボール５の真空吸着を
解除して吸着ツール１０が上昇することにより、半田ボ
ール５は基板１１の貫通孔１１ａの位置に移載される。
このとき、図３（ｂ）に示すように、貫通孔１１ａ上の
半田ボール５の下端部は、基板１１の厚みにより電極１
２の上面に接触しないが、半田ボール５の下面に塗布さ
れた金属ペースト１４は電極１２の表面に接触した状態
にある。
て説明する。図３（ａ）に示すように、ワークとしての
基板１１の下面には電極１２が形成されており、この電
極１２上面に貫通孔１１ａを介して半田バンプが形成さ
れる。この基板１１上に半田ボール５を吸着した吸着ツ
ール１０を移動させ、次いで吸着ツール１０を貫通孔１
１ａ上に下降させる。次いで半田ボール５の真空吸着を
解除して吸着ツール１０が上昇することにより、半田ボ
ール５は基板１１の貫通孔１１ａの位置に移載される。
このとき、図３（ｂ）に示すように、貫通孔１１ａ上の
半田ボール５の下端部は、基板１１の厚みにより電極１
２の上面に接触しないが、半田ボール５の下面に塗布さ
れた金属ペースト１４は電極１２の表面に接触した状態
にある。
【００１９】次に、半田ボール５が移載された基板１１
をリフロー装置に送り、加熱する。これにより半田ボー
ル５は溶融状態となるが、このとき金属ペースト１４中
には半田ぬれ性の良い金属粉末が含まれているので、溶
融半田はこれら金属粉末に導かれて金属粉末の間を浸潤
しながら下方へ移動する。そして溶融半田は電極１２の
表面に到達した後、冷却固化することにより電極１２の
表面に接合される。
をリフロー装置に送り、加熱する。これにより半田ボー
ル５は溶融状態となるが、このとき金属ペースト１４中
には半田ぬれ性の良い金属粉末が含まれているので、溶
融半田はこれら金属粉末に導かれて金属粉末の間を浸潤
しながら下方へ移動する。そして溶融半田は電極１２の
表面に到達した後、冷却固化することにより電極１２の
表面に接合される。
【００２０】このとき金属ペースト１４中のフラックス
成分により、電極１２や半田ボール５の表面の酸化膜が
除去されて良好な半田接合が行われ、図３（ｃ）に示す
ように電極１２上に貫通孔１１ａを介して半田バンプ
５’が形成される。また、金属ペースト１４に混合され
ていた金属粉末は半田バンプ５’中に含有されるが、こ
れらの金属粉末は導電性のものであるため電極１２と半
田バンプ５’との導通を阻害することはない。
成分により、電極１２や半田ボール５の表面の酸化膜が
除去されて良好な半田接合が行われ、図３（ｃ）に示す
ように電極１２上に貫通孔１１ａを介して半田バンプ
５’が形成される。また、金属ペースト１４に混合され
ていた金属粉末は半田バンプ５’中に含有されるが、こ
れらの金属粉末は導電性のものであるため電極１２と半
田バンプ５’との導通を阻害することはない。
【００２１】なお、導電性ボールとして金や銀を用い、
金属ペースト１４として半田粉末を含有させたものを用
いた場合には、上記加熱工程において半田粉末が溶融
し、この溶融半田が導電性ボールと電極を半田接合する
ことによりバンプが形成される。また、上記実施の形態
では、バンプが形成される電極として、本実施の形態で
は基板の貫通孔の底部に位置する電極を対象とした例を
示しているが、これに限定されず基板の表面に露呈され
た電極であってもよい。
金属ペースト１４として半田粉末を含有させたものを用
いた場合には、上記加熱工程において半田粉末が溶融
し、この溶融半田が導電性ボールと電極を半田接合する
ことによりバンプが形成される。また、上記実施の形態
では、バンプが形成される電極として、本実施の形態で
は基板の貫通孔の底部に位置する電極を対象とした例を
示しているが、これに限定されず基板の表面に露呈され
た電極であってもよい。
【００２２】さらに、上記実施の形態では、半田ボール
５に予め金属ペースト１４を転写し、金属ペースト１４
が塗布された半田ボール５を電極１２上に移載する例を
示しているが、本発明はこれに限定されず、予め電極上
１２にピン転写によって金属ペースト１４を塗布してお
き、この後に半田ボール５を金属ペースト１４が塗布さ
れた電極１２上に移載するようにしてもよい。図４、図
５はピン転写による半田バンプの形成方法の工程を示す
ものである。容器１３上にスキージユニットで所定の膜
圧で供給された金属ペースト１４に、ピン２０を下降上
昇させてピン２０の下端部に金属ペースト１４を転写す
る（図４（ａ）、（ｂ））。
５に予め金属ペースト１４を転写し、金属ペースト１４
が塗布された半田ボール５を電極１２上に移載する例を
示しているが、本発明はこれに限定されず、予め電極上
１２にピン転写によって金属ペースト１４を塗布してお
き、この後に半田ボール５を金属ペースト１４が塗布さ
れた電極１２上に移載するようにしてもよい。図４、図
５はピン転写による半田バンプの形成方法の工程を示す
ものである。容器１３上にスキージユニットで所定の膜
圧で供給された金属ペースト１４に、ピン２０を下降上
昇させてピン２０の下端部に金属ペースト１４を転写す
る（図４（ａ）、（ｂ））。
【００２３】次に、このピン２０を基板１１の電極１２
に下降上昇させてピン２０に転写された金属ペースト１
４を電極１２に塗布する（図５（ａ）、（ｂ）、
（ｃ））。この後、導電性ボール５を転写により塗布さ
れた金属ペースト１４上に搭載し、加熱してバンプ５
‘を形成する（図５（ｄ）、（ｅ））。
に下降上昇させてピン２０に転写された金属ペースト１
４を電極１２に塗布する（図５（ａ）、（ｂ）、
（ｃ））。この後、導電性ボール５を転写により塗布さ
れた金属ペースト１４上に搭載し、加熱してバンプ５
‘を形成する（図５（ｄ）、（ｅ））。
【００２４】ここで、金属ペースト１４中の金属粉末の
含有量を前記範囲内に設定することの意義を図４を参照
して説明する。図６（ａ）に示すように、金属ペースト
１４の粘度は金属粉末の含有量の増加に伴って増大し、
特に体積比で４０％を越えると急激に増大する。図６
（ｂ）は、金属含有量と、被転写対象物（導電性ボール
５やピン２０）に転写される金属ペースト１４の転写体
積との関係を示している。図６（ｂ）から判るように、
転写体積は含有量の増加に伴って減少し、特に含有量が
４０％を越え、金属ペースト１４の粘度の増大につれて
急激に減少することを示している。
含有量を前記範囲内に設定することの意義を図４を参照
して説明する。図６（ａ）に示すように、金属ペースト
１４の粘度は金属粉末の含有量の増加に伴って増大し、
特に体積比で４０％を越えると急激に増大する。図６
（ｂ）は、金属含有量と、被転写対象物（導電性ボール
５やピン２０）に転写される金属ペースト１４の転写体
積との関係を示している。図６（ｂ）から判るように、
転写体積は含有量の増加に伴って減少し、特に含有量が
４０％を越え、金属ペースト１４の粘度の増大につれて
急激に減少することを示している。
【００２５】すなわち、金属粉末の含有量が増加して金
属ペースト１４の粘度が増大すると、金属ペースト１４
が粘性によって転写対象物の表面に沿って這い上る量が
少なくなるとともに、金属粉末を粘性によって転写対象
物の表面に付着した状態で保持することができなくなる
ことを示している。これに対し、金属粉末の含有量が１
０〜４０％の範囲では、転写体積は含有量の増加ととも
に幾分減少するが、含有量自体の増加と合わせて考える
と転写される金属粉末そのものの量はある所定範囲内に
保たれていると考えてよい。
属ペースト１４の粘度が増大すると、金属ペースト１４
が粘性によって転写対象物の表面に沿って這い上る量が
少なくなるとともに、金属粉末を粘性によって転写対象
物の表面に付着した状態で保持することができなくなる
ことを示している。これに対し、金属粉末の含有量が１
０〜４０％の範囲では、転写体積は含有量の増加ととも
に幾分減少するが、含有量自体の増加と合わせて考える
と転写される金属粉末そのものの量はある所定範囲内に
保たれていると考えてよい。
【００２６】この結果、図６（ｃ）に示すように、金属
粉末の含有量が４０％を越えると、接合部に供給される
金属粉末の全体量が減少することにより、接合不良の発
生率が急激に高くなっている。金属含有量が１０％に満
たない場合にも同様に接合不良の発生率が高くなってい
るが、これは金属含有量が少ない場合には、金属ペース
ト１４そのものの転写量としては十分な量が確保される
ものの、その中に含有される金属粉末の量自体が少ない
ことによるものである。これに対し、含有量が１０〜４
０％の範囲では、金属粉末が必要十分な量だけ供給され
るため、接合不良の発生率をきわめて低く保つことがで
きる。
粉末の含有量が４０％を越えると、接合部に供給される
金属粉末の全体量が減少することにより、接合不良の発
生率が急激に高くなっている。金属含有量が１０％に満
たない場合にも同様に接合不良の発生率が高くなってい
るが、これは金属含有量が少ない場合には、金属ペース
ト１４そのものの転写量としては十分な量が確保される
ものの、その中に含有される金属粉末の量自体が少ない
ことによるものである。これに対し、含有量が１０〜４
０％の範囲では、金属粉末が必要十分な量だけ供給され
るため、接合不良の発生率をきわめて低く保つことがで
きる。
【００２７】上記説明したように、フラックス中に金属
粉末を含有させて成る金属ペーストにおいて、金属含有
量を体積比で１０〜４０％の範囲内に設定することによ
り、転写時の転写体積を確保することができ、接合不良
を減少させることができる。
粉末を含有させて成る金属ペーストにおいて、金属含有
量を体積比で１０〜４０％の範囲内に設定することによ
り、転写時の転写体積を確保することができ、接合不良
を減少させることができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、金属ペースト中の金属
粉末の含有量を体積比で１０〜４０％の範囲内とするこ
とにより、転写時の転写体積を確保することができる。
したがって接合部には十分な量の金属粉末が供給され、
接合部を有効に補強するとともに十分な導通を確保して
接合不良を減少させることができる。
粉末の含有量を体積比で１０〜４０％の範囲内とするこ
とにより、転写時の転写体積を確保することができる。
したがって接合部には十分な量の金属粉末が供給され、
接合部を有効に補強するとともに十分な導通を確保して
接合不良を減少させることができる。
【図１】本発明の一実施の形態の半田ボールの移載装置
の転写部の部分断面図
の転写部の部分断面図
【図２】（ａ）本発明の一実施の形態の半田ボールの移
載装置の転写部の拡大断面図 （ｂ）本発明の一実施の形態の半田ボールの移載装置の
転写部の拡大断面図
載装置の転写部の拡大断面図 （ｂ）本発明の一実施の形態の半田ボールの移載装置の
転写部の拡大断面図
【図３】（ａ）本発明の一実施の形態の基板の部分断面
図 （ｂ）本発明の一実施の形態の基板の部分断面図 （ｃ）本発明の一実施の形態の基板の部分断面図
図 （ｂ）本発明の一実施の形態の基板の部分断面図 （ｃ）本発明の一実施の形態の基板の部分断面図
【図４】（ａ）本発明の一実施の形態のピン転写による
半田バンプ形成の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のピン転写による半田バン
プ形成の工程説明図
半田バンプ形成の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のピン転写による半田バン
プ形成の工程説明図
【図５】（ａ）本発明の一実施の形態のピン転写による
半田バンプ形成の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のピン転写による半田バン
プ形成の工程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態のピン転写による半田バン
プ形成の工程説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態のピン転写による半田バン
プ形成の工程説明図 （ｅ）本発明の一実施の形態のピン転写による半田バン
プ形成の工程説明図
半田バンプ形成の工程説明図 （ｂ）本発明の一実施の形態のピン転写による半田バン
プ形成の工程説明図 （ｃ）本発明の一実施の形態のピン転写による半田バン
プ形成の工程説明図 （ｄ）本発明の一実施の形態のピン転写による半田バン
プ形成の工程説明図 （ｅ）本発明の一実施の形態のピン転写による半田バン
プ形成の工程説明図
【図６】（ａ）本発明の一実施の形態の金属含有量と金
属ペーストの粘度との関係を示すグラフ （ｂ）本発明の一実施の形態の金属含有量と転写体積と
の関係を示すグラフ （ｃ）本発明の一実施の形態の金属含有量と接合不良発
生率との関係を示すグラフ
属ペーストの粘度との関係を示すグラフ （ｂ）本発明の一実施の形態の金属含有量と転写体積と
の関係を示すグラフ （ｃ）本発明の一実施の形態の金属含有量と接合不良発
生率との関係を示すグラフ
５ 半田ボール ５’ 半田バンプ ６ 転写部 １１ 基板 １２ 電極 １４ 金属ペースト
Claims (4)
- 【請求項１】導電性で半田濡れ性の良い金属粉末をフラ
ックスに含有させて成り、接合部に転写により供給され
る転写用の金属ペーストであって、前記金属粉末の含有
量が、金属ペーストに対する体積比で１０〜４０％の範
囲内であることを特徴とする転写用の金属ペースト。 - 【請求項２】前記金属粉末に、非球状の形状の粉末を含
むことを特徴とする請求項１記載の転写用の金属ペース
ト。 - 【請求項３】導電性ボールに請求項１または２記載の転
写用の金属ペーストを転写により塗布する工程と、前記
金属ペーストが塗布された導電性ボールをワークの電極
上に移載する工程と、前記導電性ボールが移載されたワ
ークを加熱することにより、前記導電性ボールを前記電
極に接合してバンプを形成することを特徴とするバンプ
形成方法。 - 【請求項４】ワークの電極に請求項１または２記載の転
写用の金属ペーストを転写により塗布する工程と、この
金属ペーストが塗布された電極上に導電性ボールを移載
する工程と、前記導電性ボールが移載されたワークを加
熱することにより、前記導電性ボールを前記電極に接合
してバンプを形成することを特徴とするバンプ形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20156698A JP3565028B2 (ja) | 1998-07-16 | 1998-07-16 | 転写用の金属ペーストおよびバンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20156698A JP3565028B2 (ja) | 1998-07-16 | 1998-07-16 | 転写用の金属ペーストおよびバンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000031210A true JP2000031210A (ja) | 2000-01-28 |
| JP3565028B2 JP3565028B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=16443191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20156698A Expired - Lifetime JP3565028B2 (ja) | 1998-07-16 | 1998-07-16 | 転写用の金属ペーストおよびバンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3565028B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007055410A1 (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for soldering electronic component and soldering structure of electronic component |
| US7568610B2 (en) | 2004-06-24 | 2009-08-04 | Panasonic Corporation | Method of soldering electronic component having solder bumps to substrate |
| US8083121B2 (en) | 2004-11-04 | 2011-12-27 | Panasonic Corporation | Paste for soldering and soldering method using the same |
| US8960526B2 (en) | 2004-01-29 | 2015-02-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Flux for soldering and soldering process |
| WO2020079797A1 (ja) * | 2018-10-18 | 2020-04-23 | 株式会社Ｆｕｊｉ | 成膜装置 |
| WO2022266839A1 (zh) * | 2021-06-22 | 2022-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种助焊剂、基板及其制作方法、装置 |
-
1998
- 1998-07-16 JP JP20156698A patent/JP3565028B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8960526B2 (en) | 2004-01-29 | 2015-02-24 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Flux for soldering and soldering process |
| US7568610B2 (en) | 2004-06-24 | 2009-08-04 | Panasonic Corporation | Method of soldering electronic component having solder bumps to substrate |
| US8083121B2 (en) | 2004-11-04 | 2011-12-27 | Panasonic Corporation | Paste for soldering and soldering method using the same |
| WO2007055410A1 (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for soldering electronic component and soldering structure of electronic component |
| US7632710B2 (en) | 2005-11-10 | 2009-12-15 | Panasonic Corporation | Method for soldering electronic component and soldering structure of electronic component |
| WO2020079797A1 (ja) * | 2018-10-18 | 2020-04-23 | 株式会社Ｆｕｊｉ | 成膜装置 |
| WO2022266839A1 (zh) * | 2021-06-22 | 2022-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种助焊剂、基板及其制作方法、装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3565028B2 (ja) | 2004-09-15 |
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