CN103533765A - 改善陶瓷贯孔基板上金属表面粗糙度的方法及陶瓷基板 - Google Patents

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Abstract

改善陶瓷贯孔基板上金属表面粗糙度的方法及陶瓷基板，包括在制备陶瓷基板上预定的位置开设贯孔，接着在陶瓷基板上形成种子层，再在所述种子层上进行图形成像处理，之后利用多阶段的直流电镀方式在成像的图案上形成良好表面粗糙度的铜线路。

Description

改善陶瓷贯孔基板上金属表面粗糙度的方法及陶瓷基板
技术领域
本发明有涉及一种改善陶瓷贯孔基板上金属表面粗糙度的方法，更详而言之，尤其涉及一种有关在利用多阶段的直流电镀技术，改善陶瓷贯孔基板上金属表面粗糙度的方法。
背景技术
为符合电子产品轻薄短小的发展趋势，电子组件相应的朝向高功率、高效能或高集成度方向发展，承载电子组件的基板，必须能够符合前述电子组件的发展趋势，因此散热能力遂成为研发者关注的课题。
以发光二极管(LED)为例，由于高功率LED的发展成熟，7W乃至于10W以上的LED晶粒的应用已相当普遍，为能够有效地将LED晶粒在工作时所产生的废热有效的散逸，同时维持LED光源模块运作的稳定性，并达到降低光衰的目的，陶瓷基板以其较佳的散热能力，成为高功率LED芯片必须使用的封装载板。
一般单层的陶瓷基板制程可包括厚膜制程与薄膜制程两种，薄膜制程相较于厚膜制程，具有线路精准度较高、材料稳定度较高、表面平整度较高、不易生成氧化物且附着性佳等优势，而成为搭配高功率电子组件的主流产品。
现有的薄膜陶瓷基板的铜线路，是采用脉冲电镀方式予以形成，但脉冲电镀在LED陶瓷基板的应用上，光反射效率与表面粗糙度(roughness)较差，进而影响LED光源反射的效率以及LED晶粒封装的良率及产品稳定性，为了达到线路平整、膜层细致及高反射率的铜面，一般业界会使用砂带磨刷或抛光机抛光，以改善产品质量，然而以机械研磨抛光会增加基板破裂的风险，大幅提高生产成本。
因此，如何提供一种适于高功率电子组件的改善陶瓷贯孔基板上金属表面粗糙度的方法及提供一种良好金属表面粗糙度的陶瓷基板，遂成为目前业界亟待解决的课题。
发明内容
为克服上述现有技术的种种缺失，本发明提供一种改善陶瓷贯孔基板上金属表面粗糙度的方法，其特征在于，包括：制备一陶瓷基板；在该陶瓷基板上的预定位置形成贯孔及/或切割槽；在该陶瓷基板上的预定位置形成种子层；在该种子层上进行图形成像以产生线路图案；以及利用多阶段的直流电镀方式，在该线路图案上形成铜线路。通过前述的多阶段的直流电镀过程步骤，能使铜线路表面形成光泽面，除能达到电镀效率提升降低包孔机率的目的外，且后续不须经过磨刷、抛光等制程，即可实现使镀层细致以及降低粗糙度的功效。
进一步地，上述方法中，种子层可通过溅镀或印刷填孔技术形成。
进一步地，本发明揭示的方法中，在上述形成种子层的步骤后，还可包含利用直流电镀或化学镀方式增厚该种子层，在该种子层上进行图形成像以产生线路图案。该步骤的目的在于在前述贯孔的孔径过小时，溅镀的材料可能因溅镀过程中所产生的气泡或气孔，而影响陶瓷基板的电性连接质量。故在种子层上电镀或化学镀铜层，可以增加陶瓷基板特别是贯孔孔壁的电连接质量。
进一步地，在前述两种实施形态的该些步骤执行完成后，还可进一步包括在所述铜线路上镀镍或在所述铜线路上镀镍后，进一步在所述镀镍层上镀银或镀金或镀锡的步骤。所述镀镍、镀金或镀银的步骤可以是电镀或化学镀。前述步骤的目的是为使铜线路符合固晶打线需求，故需在铜线路表面以电镀或化学镀的方式形成金、银或锡层。此外，为防止铜线路的铜离子与所述金、银或锡层的金、银或锡离子相互迁移，故须在铜线路与金、银或锡层之间电镀上镍层。
进一步地，在上述三种方法执行完成最后，还可包含剥膜及蚀刻步骤，用以移除该陶瓷基板上的该铜线路以外的其它物质。
进一步地，上述四种方法中，其中产生线路图案的步骤还包含在该种子层上进行包括贴膜、曝光与显影的图形成像处理以产生线路图案。
在本发明揭示的另一形态中，还提供一种改善陶瓷贯孔基板上金属表面粗糙度的方法，其特征在于，包括：制备一陶瓷基板；在该陶瓷基板上的预定位置形成贯孔及/或切割槽；在该陶瓷基板上的预定位置形成种子层；利用直流电镀或化学镀方式增厚该种子层；在该种子层上进行包括贴膜、曝光与显影的图形成像处理以产生线路图案；利用多阶段的直流电镀方式，在线路图案上形成铜线路；以及执行剥膜及蚀刻程序。
进一步地，在上述方法执行完后，所述方法还可包括在该铜线路层上电镀镍或在该铜线路层上电镀镍后在该电镀镍层上电镀银或电镀金或电镀锡的步骤。
进一步地，该铜线路上镀镍或在镀镍层上镀银或金或锡的方法还可以为化学镀镍及在该化学镀镍层上化学镀银或化学镀金。
在以上所述的各实施形态中，所述铜线路的中心线平均粗糙度(Ra)小于0.1um，十点平均粗糙度(Rz)小于1um。
本发明还提供一种陶瓷基板，包含一铜线路，其中该铜线路是经由多阶段的直流电镀形成后，未经进一步处理即具有中心线平均粗糙度(Ra)小于0.1um，以及十点平均粗糙度(Rz)小于1.0um。
进一步地，所述的陶瓷基板，具有至少一贯孔且可为一发光二极管(LED)组件的散热基板。
本发明还揭示了一种在陶瓷基板上形成导电线路的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供该陶瓷基板；在所述陶瓷基板产生线路图案；以及利用多阶段的直流电镀，在所述线路图案上形成金属线路；其中，在所述多阶段的直流电镀中，分为两个电镀阶段；其中，第一阶段的电流密度是低于第二阶段的电流密度。
相较于现有脉冲电镀技术，本发明利用多阶段的直流电镀技术所形成铜线路的表面粗糙度较佳，搭配后续镀镍以及镀银或镀金的制程，可以增加镀银或镀金线路的光反射效率并降低表面粗糙度，进而达到提升LED光源反射的效率以及LED晶粒封装的良率与产品稳定性。
附图说明
图1是本发明揭示的第一实施例的流程图；
图2a至2d是本发明的第一实施例的剖面结构示意图；
图3是本发明的第二实施例的流程图；
图4a至4e是本发明的第二实施例的剖面结构示意图；
图5是本发明的第三实施例的流程图；
图6是本发明的第四实施例的流程图。
附图标记说明：
1  陶瓷基板
10  贯孔
11  切割槽
12  种子层
121  铜层
13  线路图案
14  铜线路
15  镍层
16  金、银或锡层
S101至S108  步骤
S201至S209  步骤
S301至S307  步骤
S401至S408  步骤
具体实施方式
第一实施例：
如图1与图2a至2d所示，在步骤S101中，如图2a所示，在制备的陶瓷基板1上的预定位置形成贯孔10及切割槽11。在本实施例中，陶瓷基板1可为氧化铝或氮化铝基板。贯孔10可透过机械钻孔或雷射钻孔技术，在陶瓷基板1上的预定位置形成贯孔10，其中，雷射贯孔技术因其物理特性，故较机械钻孔技术更适于应用在超高硬度或孔径需求更为精细的陶瓷基板1上。切割槽11可视实际需求，以直向或纵向的直线或弧形曲线的形式，形成在陶瓷基板1上，以利陶瓷基板1的裁切或折断。需补充说明者，切割槽11可选择性的形成在陶瓷基板1上。
在步骤S102中，如图2b所示，在陶瓷基板1上的预定位置形成种子层12。在本实施例中，是采用溅镀方式形成种子层12，具体来说，可在陶瓷基板1上溅镀钛或铜等金属，或先溅镀钛在陶瓷基板1上，再在钛层上溅镀铜，或溅镀镍铜锰、镍铬、钛钨或镍铜等合金在陶瓷基板1上，以此增加后续在其上透过直流电镀所形成的铜线路与陶瓷基板间的附着度。
进一步地，形成种子层也可选择透过印刷填孔方式，将如银胶、铜胶或碳墨材质的导电胶印刷在陶瓷基板1上，并覆盖在贯孔10的孔壁上。
在步骤S103中，如图2c所示，在种子层12上进行图形成像，以产生线路图案13。由于图形成像为现有技术，故不另透过图式呈现其流程步骤，具体言之，即形成图案所需的光阻层，其步骤包括以热压滚轮的方式将干膜光阻贴覆在陶瓷基板上，之后，利用曝光设备进行紫外线照射等流程，其中，受光罩遮盖的干膜不会与紫外线产生聚合作用。干膜为对紫外线聚合反应的树脂负型光阻，经过光罩选择性曝光后及显影后可留下需要电镀铜增厚的区域，以将保留的线路图案13显现出来。
在步骤S104中，利用多阶段的直流电镀方式，在线路图案13上形成铜线路14，铜线路14的厚度，可视实际需要予以调整。
铜线路的形成方法主要是利用直流电镀整流器镀膜层晶格致密表面成光泽面以及电镀效率高的电镀特性，将电镀电流密度分阶段调整以控制单位时间孔型的变化。
在本实施例中，以两阶段电镀为例，本实施例采用厚度为0.38mm的陶瓷基板1，透过前述机械或雷射钻孔步骤，形成孔径为60～80um的贯孔10，陶瓷基板1的厚度与贯孔10的孔径的纵深比为1:5。
接着，在第一阶段的直流电镀制程中，先将电流密度调整至0.5～1.0平均电流密度(ASD)，使产品在高铜低酸的环境下利用填孔药水特性将贯孔10填满。
再者，进行第二阶段的直流电镀制程，将电流密度调整至3.0～4.0ASD，以此形成预期厚度50～75um的铜线路14，该铜线路14的表面粗糙度为中心线平均粗糙度(Ra)小于0.1um，十点平均粗糙度(Rz)小于1.0um的铜表面。
透过前述多阶段的直流电镀制程步骤，能使铜线路14表面形成光泽面，除能达到电镀效率提升降低包孔机率的目的外，且后续不须经过磨刷、抛光等制程，即可实现使镀层细致以及降低粗糙度的功效。
另外，于实际实施时，可视不同的陶瓷基板厚度、孔形、孔径、纵深比等参数，调整直流电镀的阶段数量及/或平均电流密度，以此获得所需的铜线路的表面粗糙度。
如图2d所示，在本实施例及以下实施例中，在铜线路14形成的后，为使铜线路14符合固晶打线需求，故需在铜线路14表面以电镀方式形成金、银或锡层16。此外，为防止铜线路14的铜离子与所述金、银或锡层16的金、银或锡离子相互迁移，故须在铜线路14与金、银或锡层16之间电镀上镍层15。为实现该目的，可选择性地进入步骤S105至及S108。在步骤S105中，在铜线路14上，先电镀上镍层15，再在步骤S106中，在镍层15上形成金、银或锡层16。
接着，在步骤S107中，以碱性溶液去除与紫外光发生聚合作用的干膜光阻。再在步骤S108中，利用蚀刻方式将陶瓷基板1上除欲保留的线路图案13位置以外包括种子层12的物质去除。
第二实施例：
如图3与图4a至4e所示。本实施例与第一实施例的制程步骤内容大致相同，仅于部分流程步骤顺序上有所调整，故对于相同的步骤内容与选择性的步骤内容均不另为文赘述。
在步骤S201中，如图4a所示，在制备的陶瓷基板1上的预定位置形成贯孔10及切割槽11。
在步骤S202中，如图4b所示，在陶瓷基板1上的预定位置形成种子层12。
在步骤S203中，如图4c所示，在种子层12上透过电镀或化学镀形成铜层121，以增厚该种子层12。在步骤S202中，是采用第一实施例步骤S102所述的溅镀方式形成种子层12，然在贯孔10的孔径过小时，溅镀的材料可能因溅镀过程中所产生的气泡或气孔，而影响陶瓷基板1的电性连接质量。故在种子层12上电镀或化学镀铜层121，可以增加陶瓷基板1，特别是贯孔10的孔壁的电连接质量。
在步骤S204中，如图4d所示，在电镀铜层121上进行图形成像，以产生线路图案13。
在步骤S205中，如图4e所示，利用多阶段的直流电镀方式，在线路图案13上形成铜线路14。所述的多阶段直流电镀方式，是如第一实施例所述，可视实际需要予以调整，故不予复述。
接着，可选择性的执行步骤S206至S209。在步骤S206中，在该铜线路14上电镀镍，再在步骤S207中，在该镀镍层上电镀银或电镀金。
接着，在步骤S208中，以碱性溶液去除与紫外光发生聚合作用的干膜光阻。再在步骤S209中，利用蚀刻方式将陶瓷基板1上除欲保留的线路图案13位置以外包括种子层12的物质去除。
第三实施例：
如图5所示，本实施例与第一及第二实施例的制程步骤内容大致相同，仅在部分流程步骤顺序上有所调整，故对于相同的步骤内容与选择性的步骤内容均不另为文赘述。
在步骤S301中，在制备的陶瓷基板1上的预定位置形成贯孔10及切割槽11。
在步骤S302中，在陶瓷基板1上的预定位置形成种子层12。
在步骤S303中，在种子层12上进行包括贴膜、曝光与显影的图形成像处理以产生线路图案13。
在步骤S304中，利用多阶段的直流电镀方式，在线路图案13上形成铜线路14。所述的多阶段直流电镀方式，是如第一实施例所述，可视实际需要予以调整，故不予复述。
在步骤S305中，执行剥膜、蚀刻程序，其实施方式可例如前述第一实施例的步骤S107与S108，故不另赘述。
接着，可选择性的执行步骤S306，在该铜线路14上化学镀镍，及步骤S307，在该镀镍层上化学镀银或化学镀金。
第四实施例：
如图6所示。本实施例与第一、第二及第三实施例的制程步骤内容大致相同，仅在部分流程步骤顺序上有所调整，故对于相同的步骤内容与选择性的步骤内容均不另为文赘述。
在步骤S401中，在制备的陶瓷基板1上的预定位置形成贯孔10及切割槽11。
在步骤S402中，在陶瓷基板1上的预定位置形成种子层12。
在步骤S403中，在种子层12上透过电镀或化学镀形成铜层121，以增厚该种子层12。
在步骤S404中，在种子层12上进行包括贴膜、曝光与显影的图形成像处理以产生线路图案13。
在步骤S405中，利用多阶段的直流电镀方式，在线路图案13上形成铜线路14。所述的多阶段直流电镀方式，是如第一实施例所述，可视实际需要予以调整，故不予复述。
在步骤S406中，执行剥膜、蚀刻程序，其实施方式可例如前述第一实施例的步骤S107与S108，故不另赘述。
接着，可选择性的执行步骤S407，在该铜线路14上镀镍，及步骤S408，在该镀镍层上化学镀银或化学镀金。
综上所述，本发明利用多阶段直流电镀方式所形成铜线路的表面粗糙度较佳，搭配后续镀镍以及镀银或镀金的制程，可以增加镀银或镀金线路的光反射效率并降低表面粗糙度，进而达到提升LED光源反射的效率以及LED晶粒封装的良率与产品稳定性。
尽管以上揭露了部分的实施例，但并非用以限制本发明的范围，本领域普通技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰与变化。

Claims (12)

1.一种改善陶瓷贯孔基板上金属表面粗糙度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，制备陶瓷基板；
步骤二，在所述陶瓷基板上的预定位置形成贯孔及/或切割槽；
步骤三，在所述陶瓷基板上的预定位置形成种子层；
步骤四，在所述种子层上进行图形成像以产生线路图案；以及
步骤五，利用多阶段的直流电镀，在所述线路图案上形成铜线路；
其中，所述铜线路的中心线平均粗糙度(Ra)小于0.1um，十点平均粗糙度(Rz)小于1.0um。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述种子层是透过溅镀或印刷填孔技术形成。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述铜线路上镀镍或在所述铜线路上镀镍形成镀镍层，然后在所述镀镍层上镀银或镀金或镀锡的步骤。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括剥膜及蚀刻步骤，用以移除所述陶瓷基板上的除所述铜线路以外的其它物质。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度与所述贯孔的孔径纵深比为1:5。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述多阶段的直流电镀的步骤中，进一步包括电流密度调整至0.5～1.0平均电流密度(ASD)的第一阶段直流电镀步骤，以及电流密度调整至3.0～4.0(ASD)的第二阶段的直流电镀步骤。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述形成种子层的步骤后，更包含利用电镀或化学镀形成方式增厚所述种子层的步骤。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述产生线路图案的步骤进一步包含：
在所述种子层上进行包括贴膜、曝光与显影的图形成像处理以产生线路图案。
9.一种在陶瓷基板上形成导电线路的方法，其特征在于，包括下列步骤：
步骤一，提供所述陶瓷基板；
步骤二，在所述陶瓷基板产生线路图案；以及
步骤三，利用多阶段的直流电镀，在所述线路图案上形成金属线路；
其中，在所述多阶段的直流电镀中，分为两个电镀阶段；
其中，第一阶段的电流密度是低于第二阶段的电流密度。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述金属线路为铜线路。
11.一种陶瓷基板，包含铜线路，其特征在于，所述铜线路是经由多阶段的直流电镀形成后，未经进一步处理即具有中心线平均粗糙度(Ra)小于0.1um，以及十点平均粗糙度(Rz)小于1.0um。
12.根据权利要求11所述的陶瓷基板，其特征在于，所述陶瓷基板为发光二极管组件的散热基板。
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104600184A (zh) * 2014-12-31 2015-05-06 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 一种电镀亮银的陶瓷基板及在陶瓷基板上电镀亮银的方法
CN104640344A (zh) * 2015-02-16 2015-05-20 上海贺鸿电子有限公司 镀铜的陶瓷线路板及其制造方法
CN105491795A (zh) * 2014-09-18 2016-04-13 浙江德汇电子陶瓷有限公司 一种陶瓷金属化基板的制造方法和由该方法制造的陶瓷金属化基板
CN105624749A (zh) * 2016-03-28 2016-06-01 上海申和热磁电子有限公司 一种陶瓷基板表面金属化的方法
CN106535501A (zh) * 2016-10-17 2017-03-22 奥士康精密电路（惠州）有限公司 一种高厚径比线路板的孔金属化方法
CN107708296A (zh) * 2017-10-19 2018-02-16 深圳职业技术学院 一种高导热的金属基电路板及其制作方法
CN110459668A (zh) * 2019-08-16 2019-11-15 国网河南省电力公司邓州市供电公司 一种大功率led散热基板的制备方法
TWI687531B (zh) * 2018-01-26 2020-03-11 謝孟修 陶瓷電路板及其製法
CN111490018A (zh) * 2019-01-29 2020-08-04 瑷司柏电子股份有限公司 具有金属导热凸块接垫的陶瓷基板元件、组件及制法
CN111628063A (zh) * 2020-03-04 2020-09-04 深圳雷曼光电科技股份有限公司 一种Micro-LED的固晶方法
CN112178591A (zh) * 2020-09-18 2021-01-05 广州光联电子科技有限公司 一种激光用波长转换装置的制备方法及波长转换装置
CN113966099A (zh) * 2021-06-30 2022-01-21 西安空间无线电技术研究所 一种适用于固放产品的微波集成电路薄膜加厚工艺
CN115802598A (zh) * 2023-01-31 2023-03-14 博睿光电(泰州)有限公司 一种陶瓷基板及其制作方法和应用
CN116283361A (zh) * 2022-12-31 2023-06-23 博睿光电(泰州)有限公司 一种dpa陶瓷线路板及其制作方法
CN113966099B (zh) * 2021-06-30 2024-06-11 西安空间无线电技术研究所 一种适用于固放产品的微波集成电路薄膜加厚工艺

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102414973B1 (ko) * 2017-03-03 2022-07-05 주식회사 잉크테크 미세 회로 형성방법 및 에칭액 조성물
US10700252B2 (en) * 2017-04-18 2020-06-30 Bridgelux Chongqing Co., Ltd. System and method of manufacture for LED packages
JP7287210B2 (ja) * 2019-09-19 2023-06-06 コニカミノルタ株式会社 画像処理装置及びプログラム
US20230327394A1 (en) * 2020-07-21 2023-10-12 Ams-Osram International Gmbh Optoelectronic semiconductor component, production method, and base
CN112930044B (zh) * 2021-02-06 2022-03-22 深圳市迅捷兴科技股份有限公司 电路板三种不同表面处理制作方法
US20230096301A1 (en) * 2021-09-29 2023-03-30 Catlam, Llc. Circuit Board Traces in Channels using Electroless and Electroplated Depositions

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6297155B1 (en) * 1999-05-03 2001-10-02 Motorola Inc. Method for forming a copper layer over a semiconductor wafer
US20060172533A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of fabricating printed circuit board
TW201124023A (en) * 2009-12-31 2011-07-01 Ta I Technology Co Ltd Method of forming conductive socket of ceramic heat dissipation substrate.
CN102157436A (zh) * 2010-02-11 2011-08-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种降低金属损伤的电镀铜方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6297155B1 (en) * 1999-05-03 2001-10-02 Motorola Inc. Method for forming a copper layer over a semiconductor wafer
US20060172533A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of fabricating printed circuit board
TW201124023A (en) * 2009-12-31 2011-07-01 Ta I Technology Co Ltd Method of forming conductive socket of ceramic heat dissipation substrate.
CN102157436A (zh) * 2010-02-11 2011-08-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种降低金属损伤的电镀铜方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105491795A (zh) * 2014-09-18 2016-04-13 浙江德汇电子陶瓷有限公司 一种陶瓷金属化基板的制造方法和由该方法制造的陶瓷金属化基板
CN105491795B (zh) * 2014-09-18 2018-07-03 浙江德汇电子陶瓷有限公司 一种陶瓷金属化基板的制造方法和由该方法制造的陶瓷金属化基板
CN104600184A (zh) * 2014-12-31 2015-05-06 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 一种电镀亮银的陶瓷基板及在陶瓷基板上电镀亮银的方法
CN104600184B (zh) * 2014-12-31 2017-07-07 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 一种在陶瓷基板上电镀亮银的方法
CN104640344A (zh) * 2015-02-16 2015-05-20 上海贺鸿电子有限公司 镀铜的陶瓷线路板及其制造方法
CN105624749A (zh) * 2016-03-28 2016-06-01 上海申和热磁电子有限公司 一种陶瓷基板表面金属化的方法
CN105624749B (zh) * 2016-03-28 2018-07-10 上海申和热磁电子有限公司 一种陶瓷基板表面金属化的方法
CN106535501A (zh) * 2016-10-17 2017-03-22 奥士康精密电路（惠州）有限公司 一种高厚径比线路板的孔金属化方法
CN107708296A (zh) * 2017-10-19 2018-02-16 深圳职业技术学院 一种高导热的金属基电路板及其制作方法
TWI687531B (zh) * 2018-01-26 2020-03-11 謝孟修 陶瓷電路板及其製法
CN111490018A (zh) * 2019-01-29 2020-08-04 瑷司柏电子股份有限公司 具有金属导热凸块接垫的陶瓷基板元件、组件及制法
CN110459668A (zh) * 2019-08-16 2019-11-15 国网河南省电力公司邓州市供电公司 一种大功率led散热基板的制备方法
CN110459668B (zh) * 2019-08-16 2020-12-25 国网河南省电力公司邓州市供电公司 一种大功率led散热基板的制备方法
CN111628063A (zh) * 2020-03-04 2020-09-04 深圳雷曼光电科技股份有限公司 一种Micro-LED的固晶方法
CN112178591A (zh) * 2020-09-18 2021-01-05 广州光联电子科技有限公司 一种激光用波长转换装置的制备方法及波长转换装置
CN113966099A (zh) * 2021-06-30 2022-01-21 西安空间无线电技术研究所 一种适用于固放产品的微波集成电路薄膜加厚工艺
CN113966099B (zh) * 2021-06-30 2024-06-11 西安空间无线电技术研究所 一种适用于固放产品的微波集成电路薄膜加厚工艺
CN116283361A (zh) * 2022-12-31 2023-06-23 博睿光电(泰州)有限公司 一种dpa陶瓷线路板及其制作方法
CN116283361B (zh) * 2022-12-31 2023-12-05 博睿光电(泰州)有限公司 一种dpa陶瓷线路板及其制作方法
CN115802598A (zh) * 2023-01-31 2023-03-14 博睿光电(泰州)有限公司 一种陶瓷基板及其制作方法和应用
CN115802598B (zh) * 2023-01-31 2023-10-31 博睿光电(泰州)有限公司 一种陶瓷基板及其制作方法和应用

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