KR102414973B1

KR102414973B1 - 미세 회로 형성방법 및 에칭액 조성물

Info

Publication number: KR102414973B1
Application number: KR1020180023034A
Authority: KR
Inventors: 김수한; 정광춘; 문정윤; 하성인; 문병웅
Original assignee: 주식회사 잉크테크
Priority date: 2017-03-03
Filing date: 2018-02-26
Publication date: 2022-07-05
Also published as: US20200163219A1; CN110521289A; KR20180101200A; TW201842828A; US11089691B2; WO2018159978A1; CN110521289B; TWI751293B

Abstract

본 발명은 미세 회로 형성방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 미세 회로 형성방법은 기판소재 상에 50% 이상의 고반사율을 갖는 은(Ag) 또는 은(Ag)합금 재질로 마련된 전도성의 고반사율 시드층을 형성하는 시드층 형성단계; 상기 시드층 상에 상기 시드층이 선택적으로 노출되도록 패턴홈이 마련된 패턴층을 형성하는 패턴층 형성단계; 상기 시드층과 상이한 전도성물질로 상기 패턴홈을 충진하는 도금단계; 상기 패턴층을 제거하는 패턴층 제거단계; 및 시드층만 용해할 수 있는 선택적 에칭액을 이용해 상기 도금단계의 전도성물질과 중첩되지 않은 부분의 시드층을 제거하는 시드층 패터닝단계;를 포함하며, 상기 고반사율 시드층은 정반사 특성을 가지고, 상기 시드층의 십점평균조도(Rz)는 1㎛ 미만으로 설정되고, 상기 시드층의 두께는 0.05㎛ 내지 1㎛로 설정되는 것을 특징으로 한다.

Description

미세 회로 형성방법 및 에칭액 조성물 {METHOD FOR FORMING FINE PATTERN AND ETCHANT COMPOSITION}

본 발명은 미세 회로 형성방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 정반사 특성을 가지며 반사율이 높은 전기전도성의 시드층을 형성함으로써, 감광성수지의 경화 직진도가 향상되어 현상 시 미세 회로패턴을 형성할 수 있는 미세 회로 형성방법에 관한 것이다.

정보화시대로 들어오면서 전자제품 시장은 크게 성장하였고 이에 따라 전자회로 시장 또한 급격히 성장하고 있다. 기술이 발전함에 따라 시장에서는 고기능, 고집적 회로 요구가 증가하고 스마트 폰 혁명 이후 스마트기기가 전 세계로 보급됨으로써 제품의 경박단소화는 필연적이다. 따라서, 이러한 시장 요구에 맞춰 제품을 만들기 위해서는 PCB와 같은 전자회로의 미세 피치 구현이 필수적이다.

기존의 회로를 구현하는 방법으로는 감광성수지를 이용하여 노광한 후, 현상과 에칭 그리고 박리과정을 통하여 패턴을 형성하는 포토리소그래피 공정이 많이 이용되고 있다. 포토리소그래피 공정은 구리 도금층이 형성되어 있는 기재에 감광성수지를 이용하여 구현하고자 하는 패턴을 형성하고 노광 및 에칭하여 구리회로기판을 제조하는 방법이다. 하지만, 이러한 일반적인 포토리소그래피 공정으로 구현할 수 있는 피치는 최소 25 ㎛로서 미세패턴을 형성하는 데는 어려움이 있다.

이러한 공정상의 어려움으로 인하여 최근에는 미세한 피치를 구현하기 위한 공법으로 SAP(Semi Additive Process)방법 또는 MSAP(Modified Semi Additive Process)방법이 주로 이용되고 있다. 통상적인 SAP 방법은 스퍼터링, 화학적 증기증착, 무전해도금, 동박압착 등의 방법을 사용하여 크롬, 니켈, 구리 등으로 금속 시드층이 얇게 적층되어 있는 기판소재 위에 감광성수지를 이용하는 리소그래피 방식으로 패턴을 형성한다. 이렇게 형성된 패턴홈에 구리 등의 도전성 물질을 도금한 후 감광성수지를 제거한다. 구리 도금으로 회로가 형성되고 난 후 감광성수지가 제거된 금속 시드층을 에칭액으로 제거하여 미세한 피치의 회로를 구현하다. 따라서 이러한 미세 피치를 구현하기 위해서는 기판소재, 감광성수지, 노광 장비의 상호작용이 중요하다.

그러나, SAP 방법을 적용할 수 있는 통상적인 금속 시드층 기판소재는 반사율이 낮아서 노광 시 감광성수지 경화를 위하여 높은 에너지가 필요하다. 또한 통상적인 금속 시드층 기판 소재는 표면 조도가 커서 노광 시 난반사가 일어나게 된다. 높은 에너지 조사로 인한 난반사는 감광성 수지층을 손상시켜 현상 시 불균일한 회로가 형성되며 감광성 수지의 하지층이 시드층 위에 남게 되는 풋(Foot) 현상 발생의 원인이 된다. 특히, 구리(Cu) 시드층 기판 소재의 경우 365 nm ~ 405 nm 파장에서 반사율은 40% 미만, 십점평균조도(Rz)는 1 ㎛ 이상으로, 14 ㎛ 피치 이하의 회로 구현 시 균일한 회로를 형성하기 어렵다.

상기와 같은 현상의 제어를 위하여 낮은 에너지를 조사하면 감광성 수지의 하지층이 미 경화되어 현상 시 현상되면 안 되는 부분까지 함께 현상되는 언더컷 현상이 발생하게 된다.

따라서, 통상적인 금속 시드층 기판 소재는 14 ㎛ 피치 이하의 균일한 초미세 피치 회로의 구현에 어려움이 있었다.

또한, 에칭액을 이용해 구리 시드층을 에칭하는 과정에서 도 10과 같이 구리 재질의 되어 있는 회로 형성 부분도 같이 에칭되어 두께와 선폭이 불균일하게 된다. 또한, 시드층을 완전히 제거하지 못할 경우 마이그레이션으로 인하여 제품불량으로 이어지는 문제점이 있다.

또한, 지금까지 금속 배선이나 박막을 에칭하기 위해 사용되는 에칭액은 일반적으로 인산, 질산, 초산, 염산, 황산, 암모니아, 인산철, 질산철, 황산철, 염산철, 염소산 나트륨 및 물로 구성되어 있다. 하지만, 이러한 에칭액을 이용해 시드층을 제거하는 경우에는 구리 재질의 회로 형성 부분이 에칭액에 의해 손상되므로 부식계수(Etch factor)가 낮은 불량한 패턴이 형성되는 문제점이 있다.

PCB와 같은 전자회로 패턴을 생산하는데 통상적으로 사용되는 노광기와 현상, 에칭, 박리 장비를 사용하여 보다 정밀한 미세 회로패턴의 전자회로를 구현하기 위해서는 기재 위에 형성되는 전기전도성 시드(seed)층의 특성이 가장 중요하다는 것을 발견하였다. 전기전도성 시드층의 표면 조도와 반사율, 그리고 광반사율에 영향을 주는 시드층의 두께가 포토리소그래피 공정을 사용하여 미세 회로패턴을 형성하는데 가장 중요한 특성이라는 것을 확인하였다.

본 발명의 목적은, 표면조도가 낮으면서도 정반사 특성을 가지며 반사율이 50% 이상인 전기전도성이 우수한 금속 시드층을 기재 위에 형성함으로써, 노광 시에 감광성수지층의 난반사를 최소화하고 정반사율을 높여서 포토리소그래피 공정에서 패턴의 광경화 정밀도를 높일 수 있으므로 현상 시 미세 회로패턴을 형성할 수 있는 미세 회로 형성방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명의 목적은 구리 회로층 제거는 최소한으로 억제하고 은 또는 은 합금 또는 은 화합물 만을 선택적으로 에칭함으로써 구리 회로층의 손상이 없고 부식계수(Etch factor)가 높은 에칭액 조성물을 제공함에 있다.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 기판소재 상에 전도성의 고반사율 시드층을 형성하는 시드층 형성단계;와 ,상기 시드층 상에 상기 시드층이 선택적으로 노출되도록 패턴홈이 마련된 패턴층을 형성하는 패턴층 형성단계;와, 전도성물질로 상기 패턴홈을 충진하는 도금단계;와, 상기 패턴층을 제거하는 패턴층 제거단계; 및 상기 도금단계의 전도성물질과 중첩되지 않은 부분의 시드층을 제거하는 시드층 패터닝단계;를 포함하며, 상기 고반사율 시드층은 정반사 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 미세 회로 형성방법에 의해 달성된다.

여기서, 상기 고반사율 시드층은 고반사율을 갖는 금속 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.

또한, 상기 고반사율 시드층의 반사율은 50% 이상인 것이 바람직하다.

또한, 상기 반사율은 365nm 내지 405nm 파장 영역에서 나타나는 것이 바람직하다.

또한, 상기 시드층의 십점평균조도(Rz)는 1 ㎛ 미만인 것이 바람직하다.

또한, 상기 시드층 형성단계는, 상기 기판소재 상에 기판소재의 표면조도를 낮출 수 있는 프라이머를 도포한 후, 상기 프라이머 상에 고반사율 시드층을 형성하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 시드층과 전도성물질은 서로 상이한 재질로 이루어지고, 상기 시드층 패터닝단계에서는 시드층만 용해할 수 있는 선택적 에칭액을 이용해 시드층을 패터닝하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 고반사율 시드층은 은(Ag) 재질로 마련되고, 상기 전도성물질은 구리(Cu) 재질로 마련되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 선택적 에칭액은, 산화제; 아민류 또는 암모늄 화합물; 첨가제; 및 물을 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 선택적 에칭액은, 선택적 에칭액 총 100 중량%에 대하여, 산화제 1 내지 30 중량%, 아민류 또는 암모늄 화합물 1 내지 75 중량% 및 첨가제 0.1 내지 10 중량%를 포함하고, 물이 잔량으로 포함되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 산화제는, 산화성 기체, 과산화물, 과산소 산 및 과황산칼륨으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것이 바람직하다.

또한, 상기 산화성 기체는 공기, 산소 및 오존으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상이고; 상기 과산화물은 과붕산나트륨(Sodium perborate), 과산화수소(Hydrogen peroxide), 비스무트산나트륨(Sodium bismuthate), 과탄산소다(Sodium percarbonate), 과산화벤조일(Benzoyl peroxide), 과산화칼륨(Potassium peroxide) 및 과산화나트륨(Sodium peroxide)으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상이며; 상기 과산소 산은 포름산(Formic acid), 과초산(Peroxyacetic acid), 과산화벤조산(Perbenzoic acid), 3-클로로과산화벤조산(3-Chloroperoxybenzoic acid) 및 트라이메틸아세틱산(Trimethylacetic acid)으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것이 바람직하다.

또한, 상기 아민류는, 알리파틱 아민, 아로마틱 아민 및 알카놀 아민으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것이 바람직하다.

또한, 상기 아민류 또는 암모늄 화합물은, 에틸아민(Ethylamine), 프로필아민(Propylamine), 이소프로필아민(Isopropylamine), n-부틸아민(n-Butylamine), 이소부틸아민(Isobutylamine), sec-부틸아민(sec-Butylamine), 디에틸아민(Diethylamine), 피페리딘(Piperidine), 티라민(Tyramine), N-메틸티라민(N-Methyltyramine), 피롤린(Pyrroline), 피롤리딘(Pyrrolidine), 이미다졸(Imidazole), 인돌(Indole), 피리미딘(Pyrimidine), 모노에탄올아민(Monoethanolamine), 6-아미노-2-메틸-2-헵탄올(6-Amino-2-methyl-2-heptanol), 1-아미노-2-프로판올(1-Amino-2-propanol), 메탄올아민(Methanolamine), 디메틸에탄올아민(Dimethylethanolamine), N-메틸디에탄올아민(N-Methyldiethanolamine), 1-아미노에탄올(1-Aminoethanol), 2-아미노-2-메틸-1-프로판올(2-amino-2-methyl-1-propanol), 탄산암모늄(Ammonium carbonate), 인산암모늄(Ammonium phosphate), 질산암모늄(Ammonium nitrate), 플루오르화암모늄(Ammonium fluoride) 및 암모니아수(Ammonium hydroxide)로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것이 바람직하다.

또한, 상기 첨가제는, 킬레이트제, 소포제, 습윤제 및 pH 조절제로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 또 다른 목적은 미세 회로 형성방법에 사용되는 에칭액 조성물에 있어서, 산화제; 아민류 또는 암모늄 화합물; 첨가제; 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 에칭액 조성물에 의해 달성된다.

여기서, 상기 선택적 에칭액 조성물은, 선택적 에칭액 조성물 총 100 중량%에 대하여, 산화제 1 내지 30 중량%, 아민류 또는 암모늄 화합물 1 내지 75 중량% 및 첨가제 0.1 내지 10 중량%를 포함하고, 물이 잔량으로 포함되는 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 7 / 7 ㎛ 미만의 초 미세 회로 패턴 구현 가능한 미세 회로 형성방법이 제공된다.

구체적으로는, 고성능, 고집적 회로의 설계가 가능하여 경박단소화가 필요한 다양한 제품에 적용 가능하며, 통상적으로 금속 시드층을 형성하는 공정으로 다양한 기판 소재에 적용 가능한 미세 회로 형성방법이 제공된다.

또한, 본 발명에 따르면, 구리 회로에 손상이 없이 은 시드층 만을 선택적으로 에칭할 수 있는 부식계수가 높은 에칭액 조성물이 제공된다. 이를 이용하여 고성능, 고집적 회로의 설계가 가능하고 경박단소가 필요한 제품에 다양하게 적용될 수 있다.

도 1은 본 발명의 미세 회로 형성방법을 도시한 흐름도,
도 2는 본 발명의 미세 회로 형성방법을 도시한 간략도,
도 3은 본 발명의 미세 회로 형성방법 중 시드층 형성단계의 하나의 예를 도시한 개략도,
도 4는 본 발명의 미세 회로 형성방법 중 시드층 형성 단계의 또 하나의 예를 도시한 개략도,
도 5는 본 발명의 미세 회로 형성방법에서, 감광성수지를 제거하여 형성된 미세 회로의 SEM 사진,
도 6은 본 발명의 미세 회로 형성방법에서, 도전성 물질을 충진한 후, 감광성 수지를 제거하여 형성된 미세 회로의 SEM 사진,
도 7은 본 발명의 미세 회로 형성방법에서, 시드층만을 제거한 후, 형성된 미세 회로의 SEM 사진,
도 8은 본 발명에 따른 실시예 및 비교예의 십점평균조도 비교표
도 9는 본 발명에 따른 실시예 및 비교예의 반사율 그래프,
도 10은 종래의 기판소재와 에칭액 조성물을 이용한 회로형성방법을 도시한 간략도이고,
도 11은 본 발명의 시드층의 선택적 에칭을 이용한 미세 회로 형성과정을 도시한 간략도이다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 미세 회로 형성방법에 대하여 상세하게 설명한다.

도 1은 본 발명의 미세 회로 형성방법을 도시한 흐름도이고, 도 2는 본 발명의 미세 회로 형성방법을 도시한 간략도이다.

도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 미세 회로 형성방법은 전도성의 고반사율 시드층(2)을 마련하는 시드층 형성단계(S11);와, 상기 시드층(2) 위에 시드층(2)이 노출되는 패턴홈(4)이 마련된 패턴층(3)을 형성하는 패턴층 형성단계(S12);와, 상기 패턴홈(4)내에 전도성물질(5)을 충진하여 회로를 구현하는 도금단계(S13);와, 상기 패턴층(3)을 제거하는 패턴층 제거단계(S14); 및 상기 도금단계의 전도성물질(5)을 이용해 시드층(2)을 패터닝하는 시드층 패터닝단계(S15)를 포함한다.

상기 시드층 형성단계(S11)에 있어서, 기판소재(1) 상에 형성되는 시드층(2)은 정반사 특성을 가지며 반사율이 높은, 전기전도성의 시드층(2)으로 형성된다. 상기 시드층(2)은 스퍼터링, 화학적증기증착, 무전해도금, 전해도금, 코팅, 딥핑, 플렉소인쇄, 그라비아인쇄, 그라비아옵셋 등과 같은 공정을 통해 형성될 수 있으며, 이러한 공정 이외에도 고반사율의 금속 박막을 형성하기 위한 보편적인 공정을 통해 형성하는 것도 가능할 것이다.

상기 시드층(2)은 금속 또는 금속 합금 또는 금속 화합물로 이루어질 수 있으며, 금속의 종류에 따라 반사율이 크게 달라 질 수 있으므로, 기존 구리(Cu) 보다 광반사율이 높은 금속 예컨대 은(Ag)을 사용하는 것이 바람직하다.

구체적으로는 은(Ag) 또는 은 합금 또는 은 화합물로 이루어질 수 있다. 한편, 금속화합물로는 금속입자와 금속산화물 그리고 입자를 결착시키는 수지와 분산제 등을 포함하는 조성을 사용하면 코팅이나 인쇄방식으로 시드층(2)을 형성하는데 유리하다.

이러한 시드층 형성단계(S11)에서 형성되는 시드층(2)의 반사율은 365 ~ 405 nm 파장 영역에서 50% 이상, 바람직하게는 70% 이상으로 설정되며, 정반사 특성을 갖는 것이 더욱 바람직하다. 이러한 반사율과 정반사 특성을 통해 기존에는 제공할 수 없는 초 미세 회로 패턴을 형성할 수 있게 된다.

구체적으로 이러한 정반사 특성 및 반사율을 제공하기 위해서는, 시드층(2)은 반사율이 높은 금속, 예컨대 은(Ag) 또는 은 합금으로 형성한다. 이때, 상기 시드층(2)의 십점평균조도(Rz)는 1 ㎛ 미만인 것이 바람직할 수 있다, 구체적인 예로서 0.5 ㎛ 미만인 경우가 더 바람직할 수 있고, 더욱 구체적인 예로서 0.15 ㎛ 미만인 경우가 난반사율을 낮추고 정반사 특성으로 가장 고반사율을 제공할 수 있어 가장 바람직할 수 있다.

상기 시드층(2)의 십점평균조도(Rz)가 1 ㎛ 이상인 경우에는 거친 표면으로 인하여 난반사율이 증가하게 된다. 난반사율의 증가는 노광 시 감광성 수지층을 손상시키게 되고 이로 인하여 미세 회로 패턴의 형성이 곤란하다.

또한, 상기 시드층(2)의 두께는 50 nm 이상으로 형성되는 것이 바람직할 수 있으며, 시드층(2)의 표면조도가 기판소재(1)의 표면조도에 영향을 받지 않도록 150 nm 이상으로 형성되는 것이 더 바람직할 수 있다. 구체적인 한 예로서 두께가 80 nm ~ 1 ㎛인 것이 더욱 바람직할 수 있으나, 이로 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.

상기 시드층(2)의 두께가 50nm 미만일 경우 노광 시 시드층(2) 표면을 투과하여 기판 소재에 흡수되거나 투과 후 기판소재(1) 표면에서 반사되어 반사율이 떨어지고 난반사율은 증가하게 된다. 이로 인하여 미세회로 패턴의 형성이 곤란할 수 있다.

이와 같은 금속 고유의 고 반사율과 표면 조도 및 두께 구현을 통해, 반사율이 50% 이상 정반사 특성을 갖는 시드층(2)이 형성되고, 이에 미세 회로 패턴을 제공할 수 있는 것이다.

이와 같은 시드층(2)을 형성하는 구체적인 예로는, 도 3에 도시된 바와 같이, 기판소재(1) 위에, 반사율이 높은 금속 예컨대 은(Ag)을 150 nm 이상의 두께로 코팅하여 시드층(2)을 형성함으로써, 시드층(2)의 십점평균조도(Rz)를 500 nm 미만으로 구현할 수 있으며, 도 4에 도시된 바와 같이, 표면 조도가 높은 기판소재(1) 위에, 프라이머(6)를 도포한 후, 반사율이 높은 금속 예컨대 은(Ag)을 150 nm 이상의 두께로 코팅하여 시드층(2)을 형성함으로써, 시드층(2)의 십점평균조도(Rz)를 500 nm 미만으로 구현할 수 있다. 여기서, 프라이머(6)는 기판소재(1)와 금속 시드층(2)과의 접착력을 높일 뿐만 아니라 기판소재(1)의 표면조도를 낮출 수 있는 고분자 수지가 이용될 수 있으며, 열경화성수지나 광경화성수지 등이 더 바람직할 수 있다. 한편, 시드층(2)을 형성하는 방법으로, 도 3 및 도 4에 도시된 방법을 예로 들어 설명하였으나, 이러한 방법으로 제한하는 것은 아니다.

구체적으로, 상기 프라이머(6)는 열경화성수지로 이루어지고, 반경화 또는 경화되지 않은 상태로 기판소재(1) 상에 코팅될 수 있다. 즉, 경화되지 않은 상태의 프라이머(6)가 핫프레스 장치를 통해 인가되는 압력 및 열에 의해 기판소재(1) 상에 밀착되면서 기판소재(1)의 거친 표면을 메꾸는 동시에 경화됨에 따라, 시드층(2)의 두께를 얇게 형성하면서도 시드층(2)의 표면조도가 기판소재(1)의 표면조도에 영향을 받지 않도록 할 수 있다.

상기 패턴층 형성단계(S12)에서는 준비된 시드층(2) 상에 감광성수지를 도포(S12a)하여 패턴층(3)을 형성하고, 포토리소그래피 공정을 통하여 상기 패턴층(3)을 부분적으로 노광(S12b)한 후 제거(S12c)함으로써 시드층(2)이 선택적으로 노출되는 패턴홈(4)을 형성하게 된다. 이에 상기 패턴층 형성단계(S12)에서는 상기 시드층(2) 상에서 회로를 형성하고자 하는 부분은 패턴홈(4)을 통하여 선택적으로 노출되고, 회로가 아닌 부분은 패턴층(3)으로 보호된다.

한편, 도 2에 따른 상기 패턴층 형성단계(S12)에서는 감광성 수지로서 네가티브(negative) 타입의 포토레지스트(PR)를 사용하였으나, 필요에 따라 포지티브(positive) 타입의 포토레지스트를 사용할 수도 있다.

또한 상기 패턴층 형성단계(S12)의 노광(S12b)단계에서는 노광기의 파장으로 장파장을 사용하는 것이 바람직한데 이는 장파장을 사용할수록 반사율이 향상될 수 있기 때문이다.

여기서, 상기 정반사 특성을 가지며 반사율이 50% 이상인 시드층(2)은, 포토리소그래피 공정을 통해 패턴홈(4)을 형성하는 과정에서 시드층(2) 표면에서의 난반사가 최소화되어 감광성수지의 경화 직진도가 향상되므로, 감광성수지를 현상하는 과정에서 풋 현상이나 언더컷 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 패턴층 형성단계(S12)에서 형성된 패턴홈(4)은 도 5에 도시된 바와 같이, 균일하고 미세한 형태로 형성된다.

이어, 도금단계(S13)에서는 상기 패턴홈(4)의 내부에 전도성물질(5)이 충진되도록 전도성물질(5)을 도금하게 된다. 이때 전도성물질(5)은 전기 전도도가 매우 높은 구리(Cu)로 마련하는 것이 바람직하다. 이때, 도금단계(S13)에서는, 패턴홈(4)을 통하여 노출된 시드층(2)이 전극역할을 하게 되므로, 상기 패턴홈(4)에 전도성물질(5)이 충진된다.

이어, 패턴층 제거단계(S14)에서는 상기 패턴층(3)이 제거된다. 패턴홈(4)에 충진된 전도성물질(5)을 제외한 패턴층(3) 만을 제거하면, 도 6에 도시된 바와 같이 시드층(2) 상에 패턴으로 형성된 전도성물질(5)만 남게 된다.

상기 시드층 제거단계(S15)에서는 상기 도금단계(S13)의 전도성물질(5)과 중첩되지 않은 부분의 시드층(2)을 제거함으로써, 도 7에 도시된 바와 같이, 원하는 형태의 초 미세 회로 패턴을 형성한다. 여기서, 상기 시드층(2)은 도금단계의 전도성물질(5)과 서로 상이한 재질로 이루어지므로, 시드층 패터닝단계(S15)에서는 시드층(2)만 용해할 수 있는 에칭액을 이용해 시드층(2)을 패터닝할 수 있다.

특히, 상기 시드층 제거단계(S15)에서는, 패턴으로 형성된 전도성물질(5)의 사이로 노출된 시드층(2)을 제거함으로써, 원하는 패턴의 초 미세 회로 패턴을 형성할 수 있다. 여기서, 시드층(2)을 제거하는 방법으로 은 또는 은 합금 또는 은 화합물의 시드층(2)만 선택적으로 에칭할 수 있는 에칭액을 이용한다. 즉, 은 재질의 시드층(2)만 선택적으로 에칭되기 때문에 구리 재질의 전도성물질(5)에는 손상이 가지 않게 된다.

즉, 종래의 경우 시드층(2)과 전도성물질(5)이 모두 구리 재질로 이루어지므로, 도 10과 같이 시드층(2)을 제거하는 과정에서 에칭액에 의하여 전도성물질(5)의 손상이 발생하는 문제가 있는 반면, 본 실시예에서는 시드층(2)을 은 또는 은 합금 또는 은 화합물로 구성하고 선택적으로 시드층(2)만을 에칭하는 에칭액을 사용함으로써 도 11과 같이 은 재질의 시드층 에칭 공정시 구리 재질의 전도성물질의 손상이 없는 미세 피치의 회로기판을 형성할 수 있다.

이하에서는 본 발명에 따른 실시예 및 비교예를 통해, 본 발명에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.

		실시예	비교예
시드층 금속		은(Ag)	구리(Cu)
시드층 두께		0.35 ~ 0.45 ㎛	2 ~ 3 ㎛
십점평균조도(Rz)		0.10 ~ 0.15 ㎛	0.9 ~ 1.3 ㎛
반사율	파장 365nm	77.5%	33.8%
반사율	파장 405nm	93.5%	39.1%
패터닝		5/5 ㎛ 구현	5/5 ㎛ 불가

표 1 및 도 8에서 볼 수 있는 바와 같이, 본 발명의 실시예에서는 반사율이 높은 금속인 은(Ag)을 사용하여 0.35 ~ 0.45 ㎛의 두께로, 110 nm의 십점평균조도(Rz)를 갖는 정반사 특성의 은 시드층(2)을 형성하고, 비교예에서는 구리(Cu)를 사용하여 2 ~ 3 ㎛의 두께로 0.9 ~ 1.3 ㎛의 십점평균조도(Rz)를 갖는 구리 시드층을 형성한 결과, 도 9에 도시된 바와 같이, 실시예의 반사율은 365nm 파장 영역에서 77.5%, 405nm 파장 영역에서 93.5%로 나타내고, 비교예의 반사율은 365nm 파장 영역에서 33.8%, 405nm 파장 영역에서 39.1%로 나타났다.

즉, 실시예의 은 시드층(2)은 비교예의 구리 시드층 보다 높은 반사율을 제공하는 한편, 최종적으로는 은 시드층의 정반사 특성으로 인해 비교예에서는 구현하기 어려운 5 / 5 ㎛의 미세 회로 패턴을 구현할 수 있었다.

이와 같이, 본 발명에 따르면, 반사율이 낮은 통상적인 시드층 대신, 반사율이 높은 금속 또는 금속 합금 또는 금속 화합물로 표면 조도를 낮추어 난반사를 최소화하고, 스퍼터링, 화학적증기증착, 무전해도금, 전해도금, 코팅, 딥핑, 플렉소 인쇄, 그라비아 인쇄, 그라비아 옵셋 등과 같은 공정을 통해 시드층(2) 두께가 50 nm 이상이며 정반사 특성을 갖는 반사율이 50% 이상인 시드층(2)을 형성할 수 있으며, 이로 인해 SAP방법으로 초 미세 회로를 형성할 수 있게 된다.

또한, 본 발명은 상기 언급하였듯이 은 또는 은 합금 또는 은 화합물만을 선택적으로 에칭하는 에칭액 조성물에 관한 것이다.

상기 시드층은 은 또는 은 합금 또는 은 화합물로 이루어진 박막으로써 시드층 형성 시 스퍼터링, 화학적증기증착, 무전해도금, 코팅, 딥핑 공정 및 금속 또는 금속 합금 또는 금속 화합물을 형성할 수 있는 보편적인 공정을 모두 포함하며 시드층 형성 공정을 특별히 한정 짓지는 않는다.

이하에서는, 본 발명의 은 또는 은 합금 또는 은 화합물의 선택적 에칭액 조성물에 대하여 설명하기로 한다.

본 발명에 따른 선택적 에칭액 조성물로서는, 당 출원인의 특허등록 10-0712879에 기재된 암모늄 화합물과 산화제를 포함하는 에칭액 조성물을 사용할 수도 있고; 산화성 기체 또는 과산화물 또는 과산소산 등의 산화제와, 알리파틱 아민 또는 아로마틱 아민 또는 알카놀 아민 또는 암모늄 화합물과, 킬레이트제, 소포제, 습윤제, pH 조절제 및 이외에 에칭액의 에칭 성능을 향상 시키기 위해 선택되는 1종 이상의 첨가제와, 물을 포함하는 선택적 에칭액 조성물을 사용할 수도 있다. 선택적 에칭액의 각 구성에 대해서는 이하에서 구체적으로 설명하기로 한다.

본 발명의 은 또는 은 합금 또는 은 화합물의 에칭액 조성물에 포함되는 산화제(Oxidizing agent)는 시드층 표면의 은 재질을 산화시키는 역할을 한다. 종래의 기술은 질산, 염산, 황산, 인산, 질산철, 염화철, 황산철, 인산철 등을 사용하는 에칭액 조성물 등이 개시 되었다. 그러나 이러한 에칭액 조성물들은 구리, 니켈, 크롬 등의 금속을 산화 및 해리시키는 물질로써 은 만을 선택적으로 에칭 하고자 하는 회로의 에칭액으로써는 적합하지가 않다.

상기 산화제는 공기, 산소, 오존 등과 같은 산화성 기체, 과붕산나트륨(Sodium perborate), 과산화수소(Hydrogen peroxide), 비스무트산나트륨(Sodium bismuthate), 과탄산소다(Sodium percarbonate), 과산화벤조일(Benzoyl peroxide), 과산화칼륨(Potassium peroxide), 과산화나트륨(Sodium peroxide) 등과 같은 과산화물(Peroxides), 포름산(Formic acid), 과초산(Peroxyacetic acid), 과산화벤조산(Perbenzoic acid), 3-클로로과산화벤조산(3-Chloroperoxybenzoic acid), 트라이메틸아세틱산(Trimethylacetic acid) 등과 같은 과산소 산(Peroxy acid) 및 과황산칼륨(Potassium persulfate)을 사용하며 이러한 산화제를 사용할 때는 최소한 하나 이상의 산화제를 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.

상기 산화제는 은 또는 은 합금 또는 은 화합물의 에칭액 조성물 총 중량에 대하여 1 ~ 30 중량%, 보다 바람직하게는 5 ~ 18 중량%로 포함되는 것이 좋다. 상기 산화제는 1 중량% 미만일 경우 에칭 속도가 느리고 완벽한 에칭이 이루어지지 않아서 대량의 은 잔사가 발생할 수 있다. 은 잔사는 회로와 회로 사이에 존재하면 쇼트가 발생하여 제품 불량의 원인이 되며 느린 에칭속도는 생산성에 영향을 준다. 30 중량%를 초과할 경우는 노출된 시드층의 에칭 속도는 빠르지만 회로층 밑에 존재하는 시드층에 영향을 주어 과도한 언더컷 현상이 발생하게 된다. 이러한 언더컷 현상은 회로층의 부착력에 영향을 주는 인자이므로 발생을 억제하는 것이 바람직하다.

본 발명의 은 또는 은 합금 또는 은 화합물의 에칭액 조성물에 포함되는 알리파틱 아민 (Aliphatic amine) 또는 아로마틱 아민(Aromatic amine) 또는 알카놀 아민(Alkanol amine) 또는 암모늄 화합물은 시드층에서 산화된 은을 해리시키는 역할을 한다. 산화제에 의한 산화반응과 알리파틱 또는 아로마틱 아민에 의한 해리반응을 통하여 은 또는 은 합금 또는 은 화합물만을 선택적으로 에칭하는 것이 가능하다. 상기 설명한 것과 같이 기존의 에칭액 조성물에 들어가는 질산, 염산, 황산, 인산, 질산철, 염산철, 황산철, 인산철 등은 한 물질이 주 식각제로써 구리와 반응하여 산화 및 해리가 동시에 일어난다. 하지만 본 발명의 에칭액은 각각의 두 물질이 산화와 해리 반응을 담당하고 산화 된 은과 알리파틱 또는 아로마틱 아민 또는 알카놀 아민 또는 암모늄 화합물의 해리반응이 구리 해리 반응보다 더 격렬하게 진행되어 은 또는 은 합금 또는 은 화합물로 형성된 시드층만을 선택적으로 에칭하게 된다.

상기 알리파틱 또는 아로마틱 아민 또는 알카놀 아민 또는 암모늄 화합물은 에틸아민(Ethylamine), 프로필아민(Propylamine), 이소프로필아민(Isopropylamine), n-부틸아민(n-Butylamine), 이소부틸아민(Isobutylamine), sec-부틸아민(sec-Butylamine), 디에틸아민(Diethylamine), 피페리딘(Piperidine), 티라민(Tyramine), N-메틸티라민(N-Methyltyramine), 피롤린(Pyrroline), 피롤리딘(Pyrrolidine), 이미다졸(Imidazole), 인돌(Indole), 피리미딘(Pyrimidine), 에탄올아민(Ethanolamine), 6-아미노-2-메틸-2-헵탄올(6-Amino-2-methyl-2-heptanol), 1-아미노-2-프로판올(1-Amino-2-propanol), 메탄올아민(Methanolamine), 디메틸에탄올아민(Dimethylethanolamine), N-메틸에탄올아민(N-Methylethanolamine), 1-아미노에탄올(1-Aminoethanol), 2-아미노-2-메틸-1-프로판올(2-amino-2-methyl-1-propanol), 탄산암모늄(Ammonium carbonate), 인산암모늄(Ammonium phosphate), 질산암모늄(Ammonium nitrate), 플루오르화암모늄(Ammonium fluoride), 암모니아수(Ammonium hydroxide) 등과 같은 아민류 또는 암모늄 화합물을 사용하며 이러한 아민류 또는 암모늄 화합물을 사용할 때는 최소한 하나 이상의 아민류 또는 암모늄 화합물을 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.

상기 알리파틱 또는 아로마틱 아민 또는 알카놀 아민 또는 암모늄 화합물은 은 재질 시드층 에칭액 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 75 중량%, 보다 바람직하게는 20 내지 70 중량%로 포함되는 것이 좋다. 상기 알리파틱 또는 아로마틱 아민 또는 알카놀 아민 또는 암모늄 화합물은 1 중량% 미만일 경우 산화된 은의 해리반응이 잘 일어나지 않아서 은 시드층 에칭속도가 느려지게 된다. 75 중량% 이상일 경우 시드층의 선택적 에칭에는 문제가 없지만 과도한 아민류 또는 암모늄 화합물의 사용은 에칭엑에서 산화제가 은 또는 은 합금 또는 은 화합물의 산화를 저해하는 요인으로 작용하여 선택적 에칭 속도를 급격히 감소시킨다. 따라서 시드층 표면 산화반응이 일어나고 산화된 은을 용해시켜 선택적 에칭이 원활하게 진행되는 정도만을 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명의 은 또는 은 합금 또는 은 화합물의 에칭액 조성물에 포함되는 킬레이트제, 소포제, 습윤제, pH 조절제 및 이외에 에칭액의 에칭 성능을 향상 시키기 위해 선택되는 1종 이상의 첨가제는 산화반응 시 발생할 수 있는 기포의 제거, 에칭액이 시드층 표면에 잘 흡착할 수 있는 습윤성 부여 등의 역할을 하며 그 외에도 본 발명의 효과를 상승시킬 수 있는 일반적으로 사용되는 첨가제를 선택하여 사용할 수 있다.

상기 첨가제는 은 재질 시드층 에칭액 조성물 총 중량에 대하여 첨가제의 종류 및 역할에 따라 각각 0.1 내지 10 중량%, 보다 바람직하게는 1 내지 7 중량%로 포함되는 것이 좋다. 상기 첨가제들은 0.1 중량% 미만일 경우 본 발명의 효과인 선택적 에칭 특성을 향상시키는 역할을 수행할 수 없고 10 중량%를 초과할 경우 에칭액이 교화(또는 겔화)가 일어나서 에칭 특성을 크게 저하 시킨다.

본 발명의 은 또는 은 합금 또는 은 화합물의 에칭액 조성물은 상기 물질들을 포함하며 총 100 중량%에서 물이 잔량으로 포함된다. 물은 탈 이온수를 사용하는 것이 바람직하다.

이하 본 발명은 실시예에 의하여 보다 상세히 설명되지만, 실시예는 본 발명의 예시에 불과할 뿐, 본 발명의 범위가 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.

실시예 1: 선택적 에칭액 조성물의 제조

1-1: 선택적 에칭액 조성물 1의 제조

과산화수소(hydrogen peroxide) 12 중량%, 모노에탄올아민(Monoethanolamine) 40 중량%, 습윤제(wetting agent) 1 중량%, 소포제(antifoaming agent) 1 중량% 및 탈 이온수(DI water) 46 중량%를 혼합하여 선택적 에칭액 조성물 1을 제조하였다.

1-2: 선택적 에칭액 조성물 2의 제조

과탄산소다(Sodium percarbonate) 7 중량%, N-메틸디에탄올아민(N-Methyldiethnaolamine) 32.5 중량%, 습윤제 0.5 중량%, 소포제 1 중량% 및 탈 이온수 59 중량%를 혼합하여 선택적 에칭액 조성물 2를 제조하였다.

1-3: 선택적 에칭액 조성물 3의 제조

과탄산소다 4 중량%, N-메틸디에탄올아민(N-Methyldiethnaolamine) 60 중량%, 습윤제 1.5 중량%, 소포제 0.5 중량% 및 탈 이온수 34 중량%를 혼합하여 선택적 에칭액 조성물 3을 제조하였다.

실시예 2: 비교예의 제조

2-1: 비교예 1의 제조

실시예 1에서 제조된 선택적 에칭액 조성물 1 내지 3과의 비교를 위하여, 대한민국 공개특허공보 제10-2016-0115189호에 기재된 실시예 1을 참고하여, 제2철 10 중량%, 질산 5 중량%, 초산 5 중량%, EDTA 1 중량%, 글리콜산 1 중량% 및 탈이온수 78 중량%를 혼합하여 비교예 1을 제조하였다.

2-2: 비교예 2의 제조

실시예 1에서 제조된 선택적 에칭액 조성물 1 내지 3과의 비교를 위하여, 대한민국 공개특허공보 제10-2010-0098409호에 기재된 실시예 1을 참고하여, 암모니아 7 중량%, 과산화수소 1.5 중량% 및 탈이온수 91.5 중량%를 혼합하여 비교예 2를 제조하였다.

2-3: 비교예 3의 제조

실시예 1에서 제조된 선택적 에칭액 조성물 1 내지 3과의 비교를 위하여, 대한민국 공개특허공보 제10-2010-0098409호에 기재된 비교예 2를 참고하여, 인산 50 중량%, 질산 5 중량%, 초산 30 중량% 및 탈이온수 15 중량%를 혼합하여 비교예 3을 제조하였다.

실시예 3: 에칭 실험 결과

폴리이미드(PI) 기판소재, 시편 크기 2.5 x 2.5 cm (Ag coating seed layer, Cu FCCL), 에칭액의 양 40g, 에칭 시간 10초, 5 ppm 미만 N.D의 ICP 분석의 실험 조건으로 실시예 1에서 제조된 선택적 에칭액 조성물 및 실시예 2에서 제조된 비교예에 대하여 에칭 실험을 수행하였다(표 2).

	ICP (ppm)
	Ag	Cu
선택적 에칭액 조성물 1	177.4	N.D
선택적 에칭액 조성물 2	173.5	N.D
선택적 에칭액 조성물 3	176.1	N.D
비교예 1	147.2	524.0
비교예 2	139.5	255.4
비교예 3	171.3	2,437

그 결과, 선택적 에칭액 조성물 1 내지 3은 에칭 시간 10초로 은이 에칭되어 폴리이미드 기판소재 표면이 드러나고, Cu FCCL 표면은 특별한 변색이나 특이사항이 없어 에칭액에 의한 표면 산화가 진행되지 않았음을 확인할 수 있었다.

그러나 비교예 1 및 2는 같은 시간 동안 에칭 시 은이 100% 에칭되지 않고 잔류물이 존재하였으며, Cu FCCL 표면이 산화되어 변색되는 것을 확인할 수 있었다. 또한 비교예 3은 같은 시간 동안 에칭 시 은은 100% 에칭되나, Cu FCCL 또한 에칭 속도가 빨라 표면 산화가 급격히 진행되었음을 확인할 수 있었다.

ICP 분석을 통해 에칭액 속에 존재하는 은 및 구리 성분을 검출하여 비교해보면, 은이 100% 에칭되지 않은 비교예 1 및 2에서는 170 ppm 이하의 은이 검출되며, Cu FCCL 표면이 산화되어 변색이 진행된 비교예 1 내지 3에서는 구리가 검출된 것을 확인할 수 있었다. 특히, 은이 많이 에칭된 비교예 1 및 3은 구리 역시 에칭 속도가 빨리 높은 구리가 검출된 것을 확인할 수 있었다.

결론적으로, 비교예 1 내지 3과 달리, 선택적 에칭액 조성물 1 내지 3은 10초의 에칭 시간 동안 은은 170 ppm 이상으로 100% 에칭되고, 구리는 N.D (5 ppm 미만)로 검출되지 않음을 확인할 수 있었는바, 이로써 선택적 에칭액 조성물 1 내지 3은 은 만을 선택적으로 에칭한다는 것을 명확히 확인할 수 있었다.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.

1:기판소재, 2:시드층, 3:패턴층,
4:패턴홈, 5:전도성물질, 6:프라이머

Claims

기판소재 상에 50% 이상의 고반사율을 갖는 은(Ag) 또는 은(Ag)합금 재질로 마련된 전도성의 고반사율 시드층을 형성하는 시드층 형성단계;
상기 시드층 상에 상기 시드층이 선택적으로 노출되도록 패턴홈이 마련된 패턴층을 형성하는 패턴층 형성단계;
상기 시드층과 상이한 전도성물질로 상기 패턴홈을 충진하는 도금단계;
상기 패턴층을 제거하는 패턴층 제거단계; 및
시드층만 용해할 수 있는 선택적 에칭액을 이용해 상기 도금단계의 전도성물질과 중첩되지 않은 부분의 시드층을 제거하는 시드층 패터닝단계;를 포함하며,
상기 고반사율 시드층은 정반사 특성을 가지고, 상기 시드층의 십점평균조도(Rz)는 1㎛ 미만으로 설정되고, 상기 시드층의 두께는 0.05㎛ 내지 1㎛로 설정되는 것을 특징으로 하는 미세 회로 형성방법.
삭제
삭제
제 1항에 있어서,
상기 시드층의 반사율은 365nm 내지 405nm 파장 영역에서 나타나는 것을 특징으로 하는 미세 회로 형성방법.
삭제
제 1항에 있어서,
상기 시드층 형성단계는, 상기 기판소재 상에 기판소재의 표면조도를 낮출 수 있는 프라이머를 도포한 후, 상기 프라이머 상에 고반사율 시드층을 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 회로 형성방법.
삭제
제 1항에 있어서,
상기 시드층은 은(Ag) 재질로 마련되고, 상기 전도성물질은 구리(Cu) 재질로 마련되는 것을 특징으로 하는 미세 회로 형성방법.
제 8항에 있어서,
상기 선택적 에칭액은,
산화제; 아민류 또는 암모늄 화합물; 첨가제; 및 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 시드층의 선택적 에칭을 이용한 미세 회로 형성방법.
제 8항에 있어서,
상기 선택적 에칭액은,
선택적 에칭액 총 100 중량%에 대하여, 산화제 1 내지 30 중량%, 아민류 또는 암모늄 화합물 1 내지 75 중량% 및 첨가제 0.1 내지 10 중량%를 포함하고, 물이 잔량으로 포함되는 것을 특징으로 하는 시드층의 선택적 에칭을 이용한 미세 회로 형성방법.
제 9항에 있어서,
상기 산화제는,
산화성 기체, 과산화물, 과산소 산 및 과황산칼륨으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 시드층의 선택적 에칭을 이용한 미세 회로 형성방법.
제 11항에 있어서,
상기 산화성 기체는 공기, 산소 및 오존으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상이고;
상기 과산화물은 과붕산나트륨(Sodium perborate), 과산화수소(Hydrogen peroxide), 비스무트산나트륨(Sodium bismuthate), 과탄산소다(Sodium percarbonate), 과산화벤조일(Benzoyl peroxide), 과산화칼륨(Potassium peroxide) 및 과산화나트륨(Sodium peroxide)으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상이며;
상기 과산소 산은 포름산(Formic acid), 과초산(Peroxyacetic acid), 과산화벤조산(Perbenzoic acid), 3-클로로과산화벤조산(3-Chloroperoxybenzoic acid) 및 트라이메틸아세틱산(Trimethylacetic acid)으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 시드층의 선택적 에칭을 이용한 미세 회로 형성방법.
제 9항에 있어서,
상기 아민류는,
알리파틱 아민, 아로마틱 아민 및 알카놀 아민으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 시드층의 선택적 에칭을 이용한 미세 회로 형성방법.
제 9항에 있어서,
상기 아민류 또는 암모늄 화합물은,
에틸아민(Ethylamine), 프로필아민(Propylamine), 이소프로필아민(Isopropylamine), n-부틸아민(n-Butylamine), 이소부틸아민(Isobutylamine), sec-부틸아민(sec-Butylamine), 디에틸아민(Diethylamine), 피페리딘(Piperidine), 티라민(Tyramine), N-메틸티라민(N-Methyltyramine), 피롤린(Pyrroline), 피롤리딘(Pyrrolidine), 이미다졸(Imidazole), 인돌(Indole), 피리미딘(Pyrimidine), 모노에탄올아민(Monoethanolamine), 6-아미노-2-메틸-2-헵탄올(6-Amino-2-methyl-2-heptanol), 1-아미노-2-프로판올(1-Amino-2-propanol), 메탄올아민(Methanolamine), 디메틸에탄올아민(Dimethylethanolamine), N-메틸디에탄올아민(N-Methyldiethanolamine), 1-아미노에탄올(1-Aminoethanol), 2-아미노-2-메틸-1-프로판올(2-amino-2-methyl-1-propanol), 탄산암모늄(Ammonium carbonate), 인산암모늄(Ammonium phosphate), 질산암모늄(Ammonium nitrate), 플루오르화암모늄(Ammonium fluoride) 및 암모니아수(Ammonium hydroxide)로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 시드층의 선택적 에칭을 이용한 미세 회로 형성방법.
제 9항에 있어서,
상기 첨가제는,
킬레이트제, 소포제, 습윤제 및 pH 조절제로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 시드층의 선택적 에칭을 이용한 미세 회로 형성방법.
제 8항의 미세 회로 형성방법에 사용되는 선택적 에칭액 조성물에 있어서,
산화제; 아민류 또는 암모늄 화합물; 첨가제; 및 물을 포함하고,
선택적 에칭액 조성물 총 100 중량%에 대하여, 산화제 1 내지 30 중량%, 아민류 화합물 20 내지 70 중량% 및 첨가제 0.1 내지 10 중량%를 포함하고, 물이 잔량으로 포함되는 것을 특징으로 하는 에칭액 조성물.
삭제
제 16항에 있어서,
상기 산화제는,
산화성 기체, 과산화물, 과산소 산 및 과황산칼륨으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 에칭액 조성물.
제 18항에 있어서,
상기 산화성 기체는 공기, 산소 및 오존으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상이고;
상기 과산화물은 과붕산나트륨(Sodium perborate), 과산화수소(Hydrogen peroxide), 비스무트산나트륨(Sodium bismuthate), 과탄산소다(Sodium percarbonate), 과산화벤조일(Benzoyl peroxide), 과산화칼륨(Potassium peroxide) 및 과산화나트륨(Sodium peroxide)으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상이며;
상기 과산소 산은 포름산(Formic acid), 과초산(Peroxyacetic acid), 과산화벤조산(Perbenzoic acid), 3-클로로과산화벤조산(3-Chloroperoxybenzoic acid) 및 트라이메틸아세틱산(Trimethylacetic acid)으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 에칭액 조성물.
제 16항에 있어서,
상기 아민류는,
알리파틱 아민, 아로마틱 아민 및 알카놀 아민으로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 에칭액 조성물.
제 16항에 있어서,
상기 아민류 또는 암모늄 화합물은,
에틸아민(Ethylamine), 프로필아민(Propylamine), 이소프로필아민(Isopropylamine), n-부틸아민(n-Butylamine), 이소부틸아민(Isobutylamine), sec-부틸아민(sec-Butylamine), 디에틸아민(Diethylamine), 피페리딘(Piperidine), 티라민(Tyramine), N-메틸티라민(N-Methyltyramine), 피롤린(Pyrroline), 피롤리딘(Pyrrolidine), 이미다졸(Imidazole), 인돌(Indole), 피리미딘(Pyrimidine), 모노에탄올아민(Monoethanolamine), 6-아미노-2-메틸-2-헵탄올(6-Amino-2-methyl-2-heptanol), 1-아미노-2-프로판올(1-Amino-2-propanol), 메탄올아민(Methanolamine), 디메틸에탄올아민(Dimethylethanolamine), N-메틸디에탄올아민(N-Methyldiethanolamine), 1-아미노에탄올(1-Aminoethanol), 2-아미노-2-메틸-1-프로판올(2-amino-2-methyl-1-propanol), 탄산암모늄(Ammonium carbonate), 인산암모늄(Ammonium phosphate), 질산암모늄(Ammonium nitrate), 플루오르화암모늄(Ammonium fluoride) 및 암모니아수(Ammonium hydroxide)로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 에칭액 조성물.
제 16항에 있어서,
상기 첨가제는,
킬레이트제, 소포제, 습윤제 및 pH 조절제로 구성된 군에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 에칭액 조성물.