CN110521289B - 微电路形成方法及蚀刻液组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种微电路形成方法，本发明的微电路形成方法的特征在于，包括：种子层形成步骤，在基板材料上由导电物质形成高反射率种子(Seed)层；图案层形成步骤，在所述种子层上形成设置有图案槽的图案层，以便所述种子层选择性暴露；镀覆步骤，由导电物质来填充所述图案槽；图案层去除步骤，去除所述图案层；及种子层构图步骤，去除与所述镀覆步骤中的导电物质不重叠部分的种子层，所述高反射率种子层具有正反射特性。

Description

微电路形成方法及蚀刻液组合物
技术领域
本发明涉及一种微电路形成方法，更为详细地，涉及一种如下的微电路形成方法：该方法形成具有正反射特性且反射率较高的导电性种子层，从而提高感光树脂的固化直线度，进而在显影时能够形成微电路图案。
背景技术
随着信息时代的进入，电子产品的市场迅猛成长，随之电子电路市场也快速成长。随着技术的发展，市场对高功能、高集成电路的需求增加，自从智能手机革命以来，智能设备已经普及到全球范围，因此，产品的轻薄化是必然趋势。因此，为了满足这种市场需求制作产品，如PCB等电子电路必须实现微细间距。
以往实现电路的方法广泛采用光刻工序，该光刻工序利用感光树脂进行曝光后，通过显影、蚀刻及剥离过程形成图案。光刻工序为，在形成有铜镀层的基材上利用感光树脂来形成所要形成的图案，随后进行曝光及蚀刻来制备铜电路板的方法。然而，这种一般的光刻工序能够实现的最小间距为25μm，在形成微细图案上具有难度。
由于这种工序上的困难，最近实现微细间距的工法主要采用半加成法(SAP，SemiAdditive Process)方法或改良型半加成法(MSAP，Modified Semi Additive Process)方法。常规的SAP方法为，在采用溅射、化学气相沉积、无电解镀或铜箔压接等方法由铬、镍或铜等层压有较薄金属种子层的基板材料上，由利用感光树脂的光刻方法来形成图案。在如此形成的图案槽中镀覆铜等导电物质后，去除感光树脂。由蚀刻液去除通过铜镀形成电路后去除感光树脂的金属种子层来实现微细间距电路。因此，为了实现这种微细间距，基板材料、感光树脂及曝光设备的相互作用很重要。
但是，能够应用SAP方法的常规的金属种子层基板材料的反射率较低，因此为了在曝光时使感光树脂固化，需要较高的能量。此外，常规的金属种子层基板材料的表面粗糙度较大，因此在曝光时会产生散射。较高能量照射引起的散射会损伤感光树脂层，在显影时会形成不均匀的电路，并且成为产生足(Foot)现象的原因，即感光树脂的底层留在种子层上。尤其，铜(Cu)种子层基板材料在365nm～405nm波长中的反射率小于40％，十点平均粗糙度(Rz)为1μm以上，因此在实现14μm间距以下的电路时，难以形成均匀的电路。
为了控制如上所述的现象而照射较低能量时，感光树脂的底层不会固化，从而在显影时出现不应显影的部分也一起被显影的根切(Undercut)现象。
因此，常规的金属种子层基板材料难以实现14μm以下间距的均匀超细间距电路。
此外，利用蚀刻液蚀刻铜种子层的过程中，如图11所示，由铜材质构成的电路形成部分也一起被蚀刻，会导致厚度和线宽不均匀。此外，当未能完全去除种子层的情况下，具有因迁移导致产品不良的问题。
此外，至今为了蚀刻金属布线或薄膜而采用的蚀刻液通常由磷酸、硝酸、醋酸、盐酸、硫酸、氨、磷酸铁、硝酸铁、硫酸铁、盐酸铁、氯酸钠及水来构成。但是，当利用这种蚀刻液来去除种子层时，铜材质的电路形成部分会被蚀刻液损伤，因此具有形成蚀刻因子(Etchfactor)较低的不良图案的问题。
发明人发现，为了通过采用在生产如PCB的电子电路图案中采用的曝光机和显影、蚀刻及剥离设备来实现更为精确的微电路图案的电子电路，最重要的是形成于基材上的导电性种子(seed)层的特性。并且还确认，种子层厚度是在采用光刻工序来形成微电路图案中最为重要的特性，该种子层厚度会影响导电性种子层的表面粗糙度和反射率及反光率。
发明内容
本发明的目的是提供一种微电路形成方法，该方法在基材上形成表面粗糙度较低的同时具有正反射特性且反射率为50％以上的优异导电性的金属种子层，从而在曝光时能够将感光树脂层的散射最小化，并且提高正反射率，在光刻工序中能够提高图案的光固化精度，因此能够在显影时形成微电路图案。
此外，本发明的目的是提供一种蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物将铜电路层的去除抑制到最小，只对银、银合金或银化合物选择性进行蚀刻，从而不会损伤铜电路层且蚀刻因子(Etch factor)较高。
所述目的通过本发明的微电路形成方法来实现，所述微电路形成方法的特征在于，包括：种子层形成步骤，在基板材料上形成导电性的高反射率种子层；图案层形成步骤，在所述种子层上形成设置有图案槽的图案层，以便所述种子层选择性暴露；镀覆步骤，由导电物质来填充所述图案槽；图案层去除步骤，去除所述图案层；及种子层构图步骤，去除与所述镀覆步骤中的导电物质不重叠部分的种子层，所述高反射率种子层具有正反射特性。
在此，优选所述高反射率种子层由具备高反射率的金属材质来构成。
此外，优选所述高反射率种子层的反射率为50％以上。
此外，优选所述反射率表现在365nm至405nm波长区域中。
此外，优选所述种子层的十点平均粗糙度(Rz)小于1μm。
此外，优选在所述种子层形成步骤中，在所述基板材料上涂覆能够降低基板材料表面粗糙度的底漆后，在所述底漆上形成高反射率种子层。
此外，优选所述种子层和导电物质由彼此不同的材质来构成，在所述种子层构图步骤中采用只能溶解种子层的选择性蚀刻液来对种子层进行构图。
此外，优选所述种子层由银(Ag)材质来构成，所述导电物质由铜(Cu)材质来构成。
此外，优选所述选择性蚀刻液包括：氧化剂；胺类或铵化合物；添加剂；及水。
此外，优选相对于选择性蚀刻液的总重量100重量％，所述选择性蚀刻液包含氧化剂1至30重量％、胺类或铵化合物1至75重量％及添加剂0.1至10重量％，且包括余量的水。
此外，优选所述氧化剂为选自由氧化性气体、过氧化物、过氧酸及过硫酸钾来构成的群组中的一种以上。
此外，优选所述氧化性气体为选自由空气、氧气及臭氧来构成的群组中的一种以上；所述过氧化物为选自由过硼酸钠(Sodium perborate)、过氧化氢(Hydrogenperoxide)、铋酸钠(Sodium bismuthate)、过碳酸钠(Sodium percarbonate)、过氧化苯甲酰(Benzoyl peroxide)、过氧化钾(Potassium peroxide)及过氧化钠(Sodium peroxide)来构成的群组中的一种以上；所述过氧酸为选自由甲酸(Formic acid)、过醋酸(Peroxyacetic acid)、过苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯过苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)来构成的群组中的一种以上。
此外，优选所述胺类为选自脂肪胺、芳香胺及烷醇胺来构成的群组中的一种以上。
此外，优选所述胺类或铵化合物为选自由乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、异丙胺(Isopropylamine)、n-丁胺(n-Butylamine)、异丁胺(Isobutylamine)、sec-丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、呱啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、单乙醇胺(Monoethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-庚醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、碳酸铵(Ammonium carbonate)、磷酸铵(Ammonium phosphate)、硝酸铵(Ammonium nitrate)、氟化铵(Ammonium fluoride)及氨水(Ammonium hydroxide)来构成的群组中的一种以上。
此外，优选所述添加剂为选自由螯合剂、消泡剂、润湿剂及pH调节剂来构成的群组中的一种以上。
此外，本发明的另一目的通过蚀刻液组合物来实现，该蚀刻液组合物在微电路形成方法中采用，其特征在于，包括：氧化剂；胺类或铵化合物；添加剂；及水。
在此，优选相对于选择性蚀刻液的总重量100重量％，所述选择性蚀刻液组合物包括氧化剂1至30重量％、胺类或铵化合物1至75重量％及添加剂0.1至10重量％，且包括余量的水。
此外，优选所述氧化剂为选自由氧化性气体、过氧化物、过氧酸及过硫酸钾来构成的群组中的一种以上。
此外，优选所述氧化性气体为选自由空气、氧气及臭氧来构成的群组中的一种以上；所述过氧化物为选自由过硼酸钠(Sodium perborate)、过氧化氢(Hydrogenperoxide)、铋酸钠(Sodium bismuthate)、过碳酸钠(Sodium percarbonate)、过氧化苯甲酰(Benzoyl peroxide)、过氧化钾(Potassium peroxide)及过氧化钠(Sodium peroxide)来构成的群组中的一种以上；所述过氧酸为选自由甲酸(Formic acid)、过醋酸(Peroxyacetic acid)、过苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯过苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)来构成的群组中的一种以上。
此外，优选所述胺类为选自脂肪胺、芳香胺及烷醇胺来构成的群组中的一种以上。
此外，优选所述胺类或铵化合物为选自由乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、异丙胺(Isopropylamine)、n-丁胺(n-Butylamine)、异丁胺(Isobutylamine)、sec-丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、呱啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、单乙醇胺(Monoethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-庚醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、碳酸铵(Ammonium carbonate)、磷酸铵(Ammonium phosphate)、硝酸铵(Ammonium nitrate)、氟化铵(Ammonium fluoride)及氨水(Ammonium hydroxide)来构成的群组中的一种以上。
此外，优选所述添加剂为选自由螯合剂、消泡剂、润湿剂及pH调节剂来构成的群组中的一种以上。
本发明提供一种微电路形成方法，该方法能够实现小于7/7μm的超微电路图案。
具体提供一种微电路形成方法，该方法能够设计高性能及高积体的电路，因此其能够适用于需要轻薄短小化的各种产品，并且通常可作为形成金属种子层的工序来适用在各种基板材料上。
此外，本发明提供一种蚀刻因子较高的蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物能够在不损伤铜电路的情况下，只对银种子层选择性进行蚀刻。通过该蚀刻液组合物能够设计高性能及高集成的电路，并且能够以多种形式适用于需要轻薄短小化的产品上。
附图说明
图1为表示本发明的微电路形成方法的流程图，
图2为表示本发明的微电路形成方法的简略图，
图3为表示在本发明的微电路形成方法中种子层形成步骤的一例的示意图，
图4为表示在本发明的微电路形成方法中种子层形成步骤的另一例的示意图，
图5为在本发明的微电路形成方法中去除感光树脂而形成的微电路的SEM照片，
图6为在本发明的微电路形成方法中填充导电物质后去除感光树脂而形成的微电路的SEM照片，
图7为在本发明的微电路形成方法中只去除种子层后形成的微电路的SEM照片，
图8及图9为根据本发明的实施例及比较例的十点平均粗糙度比较表，
图10为根据本发明的实施例及比较例的反射率图表，
图11为表示利用以往的基板材料和蚀刻液组合物的电路形成方法的简略图，
图12为表示利用本发明的选择性蚀刻种子层的微电路形成过程的简略图，
图13为对本发明的蚀刻液组合物及比较例所进行的蚀刻实验表。
具体实施方式
下面，参照附图对本发明的微电路形成方法进行详细说明。
图1为表示本发明的微电路形成方法的流程图，图2为表示本发明的微电路形成方法的简略图。
如图1及图2所示，本发明的微电路形成方法包括：种子层形成步骤S11，设置导电性的高反射率种子层2；图案层形成步骤S12，在所述种子层2上形成设置有图案槽4的图案层3，种子层2通过图案槽4暴露；镀覆步骤S13，在所述图案槽4内填充导电物质5来实现电路；图案层去除步骤S14，去除所述图案层3；及种子层构图步骤S15，利用所述镀覆步骤中的导电物质5对种子层2进行构图。
在所述种子层形成步骤S11中，形成在基板材料1上的种子层2被形成为导电性的种子层2，其具有正反射特性且反射率高。所述种子层2可通过如溅射、化学气相沉积、无电解镀、电解镀、涂覆、浸渍、柔版印刷、凹版印刷及凹版胶印等的工序来形成，除了这种工序以外，也可通过用于形成高反射率金属薄膜的普遍的工序来形成。
所述种子层2可由金属、金属合金或金属化合物来构成，根据金属的种类，反射率可能会有很大区别，因此优选采用比以往的铜(Cu)的反光率高的例如银(Ag)等金属。
具体地，可由银(Ag)、银合金或银化合物来构成。另外，作为金属化合物采用包括金属颗粒、金属氧化物、用于结合颗粒的树脂及分散剂等的组成时，有利于通过涂覆或印刷方式形成种子层2。
在这种种子层形成步骤S11中形成的种子层2的反射率设定为在365～405nm波长区域中为50％以上，优选为70％以上，更优选为具有正反射特性。通过这种反射率和正反射特性能够形成以往无法提供的超微电路图案。
具体地，为了提供这种正反射特性及反射率，种子层2由反射率较高的金属例如银(Ag)或银合金来形成。此时，可优选所述种子层2的十点平均粗糙度(Rz)小于1μm。作为具体的例，可更加优选为小于0.5μm，作为更为具体的例，当小于0.15μm时能够降低散射率，且通过正反射特性来提供最高反射率，因此可能最为优选。
当所述种子层2的十点平均粗糙度(Rz)为1μm以上时，因表面粗糙会增加散射率。散射率的增加在曝光时会损伤感光树脂层，因此难以形成微电路图案。
此外，可优选所述种子层2的厚度形成为50nm以上，可进一步优选种子层2的表面粗糙度形成为150nm以上，以免受到基板材料1的表面粗糙度的影响。作为具体的一例，可更加优选其厚度为80nm～1μm，但是本发明的范围并不局限于此。
当所述种子层2的厚度小于50nm时，在曝光时会透射种子层2的表面而被基板材料吸收或在透射后被基板材料1的表面反射而降低反射率并且增加散射率。因此，可能会难以形成微电路图案。
通过这种金属固有的高反射率和表面粗糙度及厚度的实现，能够形成反射率为50％以上且具有正反射特性的种子层2，从而能够提供微电路图案。
作为形成这种种子层2的具体例，如图3所示，可在基板材料1上以150nm以上的厚度涂覆高反射率金属例如银(Ag)以形成种子层2，从而将种子层2的十点平均粗糙度(Rz)实现为小于500nm。并且，如图4所示，可在表面粗糙度高的基板材料1上涂覆底漆6后，以150nm以上的厚度涂覆高反射率金属例如银(Ag)以形成种子层2，从而将种子层2的十点平均粗糙度(Rz)实现为小于500nm。在此，底漆6优选可使用能够提高基板材料1和金属种子层2的粘合力且能降低基板材料1的表面粗糙度的高分子树脂，更加优选可为热固化树脂或光固化树脂等。另外，作为形成种子层2的方法，将图3及图4中表示的方法为例进行了说明，但并不局限于这些方法。
具体地，所述底漆6可由热固化树脂来构成，并且可在基板材料1上以半固化或未固化的状态被涂覆。即，随着未固化状态的底漆6通过热压装置施加的压力及热量被紧贴在基板材料1上，并填补基板材料1的粗糙表面的同时被固化，能够形成较薄厚度的种子层2的同时，避免种子层2的表面粗糙度受到基板材料1表面粗糙度的影响。
在所述图案层形成步骤S12中，在准备好的种子层2上涂覆感光树脂(S12a)而形成图案层3，通过光刻工序对所述图案层3部分进行曝光(S12b)后去除(S12c)，从而形成选择性暴露种子层2的图案槽4。因此，在所述图案层形成步骤S12中，在所述种子层2上要形成电路的部分通过图案槽4选择性暴露，非电路部分则由图案层3来保护。
另外，在图2的所述图案层形成步骤S12中，虽然感光树脂采用了负(negative)型光刻胶(PR)，但是根据需要也可采用正(positive)型光刻胶。
此外，在所述图案层形成步骤S12的曝光(S12b)步骤中，作为曝光机的波长优选采用长波长，这是因为越采用长波长越能提高反射率。
在此，所述具有正反射特性且反射率为50％以上的种子层2在通过光刻工序形成图案槽4的过程中，在种子层2表面上的散射被最小化而提高感光树脂的固化直线度，因此在显影感光树脂的过程中，能够防止足(Food)现象或根切现象的产生。因此，如图5所示，在图案层形成步骤S12中形成的图案槽4被形成为均匀和微细的形状。
接下来，在镀覆步骤S13中，在所述图案槽4内部镀覆导电物质5，以填充导电物质5。此时，导电物质5优选由导电度较高的铜(Cu)来准备。此时，在镀覆步骤S13中，通过图案槽4暴露的种子层2起到电极作用，因此在所述图案槽4中填充导电物质5。
接下来，在图案层去除步骤S14中，去除所述图案层3。当只除去除了填充在图案槽4中的导电物质5以外的图案层3时，如图6所示，在种子层2上只留下形成为图案的导电物质5。
在所述种子层去除步骤S15中，去除与所述镀覆步骤S13中的导电物质5不重叠部分的种子层2，因此如图7所示，形成所需形状的超微电路图案。在此，所述种子层2由与镀覆步骤中的导电物质5不同的材质来构成，因此在种子层构图步骤S15中，能够采用只能溶解种子层2的蚀刻液来对种子层2进行构图。
尤其，在所述种子层去除步骤S15中，可通过去除从形成为图案的导电物质5之间暴露的种子层2，从而形成所需图案的超微电路图案。在此，作为去除种子层2的方法采用选择性地只蚀刻银、银合金或银化合物种子层2的蚀刻液。即，选择性地只蚀刻银材质种子层2，因此铜材质导电物质5不会受损。
即，在以往情况下，种子层2和导电物质5均由铜材质构成，因此如图11所示，在去除种子层2的过程中会产生被蚀刻液损伤导电物质5的问题，相反在本实施例中，由银、银合金或银化合物来构成种子层2，并且采用选择性地只蚀刻种子层2的蚀刻液，因此如图12所示，在银材质种子层的蚀刻工序中，能够形成没有损伤铜材质导电物质的微细间距电路基板。
下面，通过本发明的实施例及比较例，对本发明进行具体说明。
如从图8及图9中可以看出，在本发明的实施例中，采用反射率较高的金属即银(Ag)，以0.35～0.45μm的厚度形成具有110nm的十点平均粗糙度(Rz)的正反射特性银种子层2。在比较例中，采用铜(Cu)，以2～3μm的厚度形成具有0.9～1.3μm的十点平均粗糙度(Rz)的铜种子层。其结果，如图10所示，实施例的反射率在365nm波长区域中表现为77.5％，在405nm波长区域中表现为93.5％，比较例的反射率在365nm波长区域中表现为33.8％，在405nm波长区域中表现为39.1％。
即，实施例中的银种子层2提供与比较例中的铜种子层相比更高的反射率的同时，最终由于银种子层的正反射特性能够实现在比较例中难以实现的5/5μm的微电路图案。
如此，本发明取代反射率较低的常规种子层，可通过反射率较高的金属、金属合金或金属化合物来降低表面粗糙度，从而将散射最小化，并且通过溅射、化学气相沉积、无电解镀、电解镀、涂覆、浸渍、柔版印刷、凹版印刷或凹版胶印等工序来形成厚度为50nm以上、具有正反射特性且反射率为50％以上的种子层2，并且由此能够通过SAP方法来形成超微电路。
此外，如在上面提到，本发明涉及一种蚀刻液组合物，该组合物选择性地只蚀刻银、银合金或银化合物。
所述种子层为由银、银合金或银化合物来构成的薄膜，在形成种子层时，包括溅射、化学气相沉积、无电解镀、涂覆、浸渍工序及能够形成金属、金属合金或金属化合物的普遍工序，并不特别限定种子层的形成工序。
下面，对本发明的银、银合金或银化合物的选择性蚀刻液组合物进行说明。
本发明的选择性蚀刻液组合物也可使用记载在本申请人的韩国专利第10-0712879号中的包含铵化合物和氧化剂的蚀刻液组合物；也可使用包括氧化性气体、过氧化物或过氧酸等的氧化剂；脂肪胺、芳香胺、烷醇胺或铵化合物；螯合剂、消泡剂、润湿剂、pH调节剂及除此之外为了提高蚀刻液的蚀刻性能而选择的一种以上的添加剂；和水的选择性蚀刻液组合物。下面对选择性蚀刻液的各组成进行具体说明。
包括在本发明的银、银合金或银化合物的蚀刻液组合物中的氧化剂(Oxidizingagent)起到对种子层表面的银材质进行氧化的作用。在以往技术中公开有采用硝酸、盐酸、硫酸、磷酸、硝酸铁、氯化铁、硫酸铁及磷酸铁等的蚀刻液组合物等。但是这种蚀刻液组合物为氧化及离解铜、镍及铬等金属的物质，不适合作为选择性地只蚀刻银的电路蚀刻液来使用。
所述氧化剂采用空气、氧气或臭氧等的氧化性气体；过硼酸钠(Sodiumperborate)、过氧化氢(Hydrogen peroxide)、铋酸钠(Sodium bismuthate)、过碳酸钠(Sodium percarbonate)、过氧化苯甲酰(Benzoyl peroxide)、过氧化钾(Potassiumperoxide)或过氧化钠(Sodium peroxide)等的过氧化物(Peroxides)；甲酸(Formicacid)、过醋酸(Peroxyacetic acid)、过苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯过苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)或三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)等的过氧酸(Peroxyacid)；及过硫酸钾(Potassium persulfate)，在采用这种氧化剂时，优选混合最少一种以上的氧化剂来使用。
相对于银、银合金或银化合物的蚀刻液组合物的总重量，优选包括1～30重量％的所述氧化剂，更加优选包括5～18重量％的所述氧化剂。当所述氧化剂的含量少于1重量％时，蚀刻速度较慢并且不能实现完整的蚀刻，可能会产生大量的银残渣。当电路和电路之间存在银残渣时，会产生短路而导致产品不良，并且较慢的蚀刻速度会影响生产效率。当超过30重量％时，虽然暴露种子层的蚀刻速度较快，但是会影响存在于电路层下面的种子层，会产生过度的根切现象。这种根切现象为影响电路层附着力的因素，因此优选抑制其产生。
在本发明的银、银合金或银化合物的蚀刻液组合物中包括的脂肪胺(Aliphaticamine)、芳香胺(Aromatic amine)、烷醇胺(Alkanol amine)或铵化合物起到对在种子层中被氧化的银进行离解的作用。通过氧化剂的氧化反应和对脂肪胺和芳香胺的离解反应，能够选择性地只蚀刻银、银合金或银化合物。如上所述，在以往蚀刻液组合物中所含的硝酸、盐酸、硫酸、磷酸、硝酸铁、盐酸铁、硫酸铁及磷酸铁等中的一种物质作为主蚀刻剂来与铜反应，从而同时产生氧化和离解。但在本发明的蚀刻液中，每两种物质负责氧化和离解反应，并且经氧化的银与脂肪胺、芳香胺、烷醇胺或铵化合物的离解反应比铜离解反应进行得更激烈，从而选择性地只蚀刻由银、银合金或银化合物来形成的种子层。
所述脂肪胺、芳香胺、烷醇胺或铵化合物采用乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、异丙胺(Isopropylamine)、n-丁胺(n-Butylamine)、异丁胺(Isobutylamine)、sec-丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、呱啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、乙醇胺(Ethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-庚醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基乙醇胺(N-Methylethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、碳酸铵(Ammonium carbonate)、磷酸铵(Ammonium phosphate)、硝酸铵(Ammonium nitrate)、氟化铵(Ammonium fluoride)或氨水(Ammonium hydroxide)等的胺类或铵化合物，在采用这种胺类或铵化合物时，优选混合最少一种以上的胺类或铵化合物来使用。
相对于银材质种子层蚀刻液组合物的总重量，所述脂肪胺、芳香胺、烷醇胺或铵化合物的含量优选为1至75重量％，更加优选为20至70重量％。当所述脂肪胺、芳香胺、烷醇胺或铵化合物的含量少于1重量％时，因氧化的银的离解反应不够充分，会导致银种子层的蚀刻速度变慢。当超过75重量％时，虽然对种子层的选择性蚀刻没有问题，但若过度使用胺类或铵化合物，会作为阻碍蚀刻液中的氧化剂氧化银、银合金或银化合物的主要因素来起作用，从而会急剧降低选择性蚀刻速度。因此，胺类或铵化合物的使用量优选仅为在种子层表面产生氧化反应并且溶解经氧化的银，由此顺利进行选择性蚀刻的程度。
在本发明的银、银合金或银化合物的蚀刻液组合物中包括的螯合剂、消泡剂、润湿剂、pH调节剂及除此之外为了提高蚀刻液的蚀刻性能而选择的一种以上的添加剂可选择采用一般使用的添加剂，所述添加剂能够起到对可能在氧化反应中产生的气泡的去除作用以及对蚀刻液赋予能够很好地吸附在种子层表面上的润湿性等作用，除此之外还能提高本发明效果。
相对于银材质种子层蚀刻液组合物的总重量，根据添加剂的种类及作用，优选分别包括0.1至10重量％的添加剂，更加优选包括1至7重量％的添加剂。当所述添加剂的含量少于0.1重量％时，无法执行本发明的效果即提高选择性蚀刻特性的作用，当超过10重量％时，蚀刻液产生胶化(或凝胶化)，会大幅降低蚀刻特性。
本发明的银、银合金或银化合物的蚀刻液组合物包括上述物质，在总重量100重量％中包括余量的水。水优选采用去离子水。
下面，通过实施例对本发明进行详细说明，但实施例只是本发明的示例，本发明的范围并不局限于实施例。
实施例1：选择性蚀刻液组合物的制备
1-1：选择性蚀刻液组合物1的制备
对过氧化氢(hydrogen peroxide)12重量％、单乙醇胺(Monoethanolamine)40重量％、润湿剂(wetting agent)1重量％、消泡剂(antifoaming agent)1重量％及去离子水(DI water)46重量％进行混合而制备选择性蚀刻液组合物1。
1-2：选择性蚀刻液组合物2的制备
对过碳酸钠(Sodium percarbonate)7重量％、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethnaolamine)32.5重量％、润湿剂0.5重量％、消泡剂1重量％及去离子水59重量％进行混合而制备选择性蚀刻液组合物2。
1-3：选择性蚀刻液组合物3的制备
对过碳酸钠4重量％、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethnaolamine)60重量％、润湿剂1.5重量％、消泡剂0.5重量％及去离子水34重量％进行混合而制备选择性蚀刻液组合物3。
实施例2：比较例的制备
2-1：比较例1的制备
为了与在实施例1中制备的选择性蚀刻液组合物1至3进行比较，参照记载在韩国公开专利第10-2016-0115189号中的实施例1，对硝酸第二铁10重量％、硝酸5重量％、醋酸5重量％、EDTA 1重量％、乙醇酸1重量％及去离子水78重量％进行混合而制备比较例1。
2-2：比较例2的制备
为了与在实施例1中制备的选择性蚀刻液组合物1至3进行比较，参考记载在韩国公开专利第10-2010-0098409号中的实施例1，对氨7重量％、过氧化氢1.5重量％及去离子水91.5重量％进行混合而制备比较例2。
2-3：比较例3的制备
为了与在实施例1中制备的选择性蚀刻液组合物1至3进行比较，参考记载在韩国公开专利第10-2010-0098409号中的实施例2，对磷酸50重量％、硝酸5重量％、醋酸30重量％及去离子水15重量％进行混合而制备比较例3。
实施例3：蚀刻实验结果
在以下的ICP分析实验条件下，对在实施例1中制备的选择性蚀刻液组合物及在实施例2中制备的比较例进行蚀刻实验(图13)。该条件为：聚酰亚胺(PI)基板材料，试片大小2.5×2.5cm(Ag coating seed layer，Cu FCCL)，蚀刻液量40g，蚀刻时间10秒，N.D小于5ppm。
其结果，在选择性蚀刻液组合物1至3下，当蚀刻时间为10秒时银被蚀刻并露出聚酰亚胺基板材料表面，Cu FCCL表面为没有特别的变色或特殊事项，从而能够确认蚀刻液未产生表面氧化。
但在比较例1及2下，能够确认到在相同的蚀刻时间内银未被100％地蚀刻而存在残留物，而且Cu FCCL表面被氧化而变色。此外，在比较例3下，能够确认到虽然在相同的蚀刻时间内银被100％地蚀刻，但Cu FCCL的蚀刻速度快，从而急剧产生表面氧化。
通过ICP分析，对在蚀刻液中存在的银及铜成分进行检测及比较的结果能够确认以下事项：在银未被100％地蚀刻的比较例1及2中检测出少于170ppm的银，在Cu FCCL表面被氧化而变色的比较例1至3中检测到铜。尤其，在银的蚀刻较多的比较例1及3中，铜的蚀刻速度同样较快，从而检测到较高的铜。
结果，与比较例1至3不同，在选择性蚀刻液组合物1至3下，在10秒的蚀刻时间内银为170ppm以上，从而能够确认100％地被蚀刻，而铜的量为N.D(小于5ppm)，能够确认未被检测。因此能够清楚地确认，选择性蚀刻液组合物1至3选择性地只蚀刻银。
本发明的权利范围并不限于上述实施例，在所附的权利要求书的范围内可由多种形式的实施例来实现。在不脱离权利要求所要求保护的本发明精神的范围内，本发明所属技术领域的技术人员均能变形的各种范围也属于本发明的权利要求书所记载的范围内。
附图标记说明
1：基板材料
2：种子层
3：图案层
4：图案槽
5：导电物质
6：底漆。

Claims (12)

1.一种微电路形成方法，其特征在于，包括：
种子层形成步骤，在基板材料上形成具有反射率高于或等于50％的导电性的种子层；
图案层形成步骤，在所述种子层上形成设置有图案槽的图案层，以便所述种子层选择性暴露；
镀覆步骤，由导电物质来填充所述图案槽；
图案层去除步骤，去除所述图案层；及
种子层构图步骤，去除与所述镀覆步骤中的导电物质不重叠部分的种子层，
所述种子层具有正反射特性，
其中，所述种子层形成步骤包含：
在所述基板材料上涂覆未固化且由高分子树脂构成的底漆；
通过热压装置对所述底漆施加压力和热量，使得所述底漆与所述基板材料紧贴并使得所述底漆填补所述基板材料的粗糙表面，从而降低所述基板材料的表面粗糙度；
在所述底漆上形成所述种子层。
2.根据权利要求1所述的微电路形成方法，其特征在于，
所述反射率表现在365nm至405nm波长区域中。
3.根据权利要求1所述的微电路形成方法，其特征在于，
所述种子层的十点平均粗糙度Rz小于1μm，其中样本长度是40μm。
4.根据权利要求1所述的微电路形成方法，其特征在于，
所述种子层和导电物质由彼此不同的材质来构成，
在所述种子层构图步骤中采用只能溶解种子层的选择性蚀刻液来对种子层进行构图。
5.根据权利要求4所述的微电路形成方法，其特征在于，
所述种子层由银Ag材质来构成，所述导电物质由铜Cu材质来构成。
6.根据权利要求5所述的微电路形成方法，其特征在于，
所述选择性蚀刻液组合物包括：
氧化剂；胺类或铵化合物；添加剂；及水。
7.根据权利要求5所述的微电路形成方法，其特征在于，
相对于所述选择性蚀刻液的总重量100重量％，所述选择性蚀刻液包含氧化剂1至30重量％、胺类或铵化合物1至75重量％及添加剂0.1至10重量％，且包括余量的水。
8.根据权利要求6所述的微电路形成方法，其特征在于，
所述氧化剂为选自由氧化性气体、过氧化物、过氧酸及过硫酸钾来构成的群组中的一种以上。
9.根据权利要求8所述的微电路形成方法，其特征在于，
所述氧化性气体为选自由空气、氧气及臭氧来构成的群组中的一种以上；
所述过氧化物为选自由过硼酸钠(Sodium perborate)、过氧化氢(Hydrogenperoxide)、铋酸钠(Sodium bismuthate)、过碳酸钠(Sodium percarbonate)、过氧化苯甲酰(Benzoyl peroxide)、过氧化钾(Potassium peroxide)及过氧化钠(Sodium peroxide)来构成的群组中的一种以上；
所述过氧酸为选自由甲酸(Formic acid)、过醋酸(Peroxyacetic acid)、过苯甲酸(Perbenzoic acid)、3-氯过苯甲酸(3-Chloroperoxybenzoic acid)及三甲基乙酸(Trimethylacetic acid)来构成的群组中的一种以上。
10.根据权利要求6所述的微电路形成方法，其特征在于，
所述胺类为选自脂肪胺、芳香胺及烷醇胺来构成的群组中的一种以上。
11.根据权利要求6所述的微电路形成方法，其特征在于，
所述胺类或铵化合物为选自由乙胺(Ethylamine)、丙胺(Propylamine)、异丙胺(Isopropylamine)、n-丁胺(n-Butylamine)、异丁胺(Isobutylamine)、sec-丁胺(sec-Butylamine)、二乙胺(Diethylamine)、呱啶(Piperidine)、酪胺(Tyramine)、N-甲基酪胺(N-Methyltyramine)、吡咯啉(Pyrroline)、吡咯烷(Pyrrolidine)、咪唑(Imidazole)、吲哚(Indole)、嘧啶(Pyrimidine)、单乙醇胺(Monoethanolamine)、6-氨基-2-甲基-2-庚醇(6-Amino-2-methyl-2-heptanol)、1-氨基-2-丙醇(1-Amino-2-propanol)、甲醇胺(Methanolamine)、二甲基乙醇胺(Dimethylethanolamine)、N-甲基二乙醇胺(N-Methyldiethanolamine)、1-氨基乙醇(1-Aminoethanol)、2-氨基-2-甲基-1-丙醇(2-amino-2-methyl-1-propanol)、碳酸铵(Ammonium carbonate)、磷酸铵(Ammoniumphosphate)、硝酸铵(Ammonium nitrate)、氟化铵(Ammonium fluoride)及氨水(Ammoniumhydroxide)来构成的群组中的一种以上。
12.根据权利要求6所述的微电路形成方法，其特征在于，
所述添加剂为选自由螯合剂、消泡剂、润湿剂及pH调节剂来构成的群组中的一种以上。
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