KR970023851A - 반도체 디바이스의 금속 배선 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 CVD 블랭킷(Blanket) 텅스텐은 사용하여 반도체 디바이스의 금속배선을 형성하는 방법에 관한 것으로서, SiH4환원반응으로 텅스텐 증착을 하는 제1단계와 H2환원반응으로 텅스텐 증착을 하는 제2단계 및 SiH4환원반응으로 텅스텐 증착을 하는 제3단계의 세 단계를 기본으로 하고, 상기 기본 세 단계에 H2환원반응과 SiH4환원반응을 반복적으로 적용하는 다단계 진행을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면 텅스텐 증착시 SiH4환원반응과 H2환원반응 각각의 반응 특성을 이용하여 다단계 방법으로 텅스텐을 증착함으로써, CVD Blanket 텅스텐의 표면 거칠기를 완화시켜 포토레지스트의 접착(adhesion) 향상 및 정렬 노광시의 난반사 문제를 감소시켜 양호한 에치 프로파일(etch profile)을 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도 내지 제2D도는 본 발명에 의한 3단계 환원반응 방법으로 텅스텐을 증착하는 과정은 도시한 도면.
Claims (4)
- CVD 블랭킷(Blanket) 텅스텐을 사용하여 반도체 디바이스의 금속배선을 형성하는 방법에 있어서, SiH4환원반응으로 텅스텐 증착을 하는 제1단계와 H2환원반응으로 텅스텐 증착을 하는 제2단계 및 SiH4환원반응으로 텅스텐 증착을 하는 제3단계의 세 단계를 기본으로 하고, 상기 기본 세 단계에 H2환원반응과 SiH4환원반응을 반복적으로 추가 적용하는 다단계 진행을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 금속배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 다단계 진행의 최종 단계는 SiH4환원반응으로 진행됨을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 H2환원반응 단계는 양호한 단차 도포성 특성을 얻기 위해 전체 증착 두께의 1/3이상이 증착되도록 진행됨을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 금속배선 형성방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제3단계의 SiH4환원반응은 텅스텐 증착이 기본이며, SiH4와 WF6의 개스 유량비를 통해 텅스텐 실리사이드 증착으로 진행됨을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 금속배선 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950034957A KR970023851A (ko) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 반도체 디바이스의 금속 배선 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950034957A KR970023851A (ko) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 반도체 디바이스의 금속 배선 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970023851A true KR970023851A (ko) | 1997-05-30 |
Family
ID=66582491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950034957A KR970023851A (ko) | 1995-10-11 | 1995-10-11 | 반도체 디바이스의 금속 배선 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970023851A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180101200A (ko) * | 2017-03-03 | 2018-09-12 | 주식회사 잉크테크 | 미세 회로 형성방법 및 에칭액 조성물 |
-
1995
- 1995-10-11 KR KR1019950034957A patent/KR970023851A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180101200A (ko) * | 2017-03-03 | 2018-09-12 | 주식회사 잉크테크 | 미세 회로 형성방법 및 에칭액 조성물 |
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