JP2829143B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JP2829143B2
JP2829143B2 JP3059867A JP5986791A JP2829143B2 JP 2829143 B2 JP2829143 B2 JP 2829143B2 JP 3059867 A JP3059867 A JP 3059867A JP 5986791 A JP5986791 A JP 5986791A JP 2829143 B2 JP2829143 B2 JP 2829143B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
tungsten
semiconductor device
silicon substrate
barrier metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3059867A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH04294530A (ja
Inventor
力 山台
茂夫 大西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Original Assignee
Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC filed Critical Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority to JP3059867A priority Critical patent/JP2829143B2/ja
Publication of JPH04294530A publication Critical patent/JPH04294530A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2829143B2 publication Critical patent/JP2829143B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンタクト部に於ける
タングステンの堆積方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来は、周知のコンタクト形成法によ
り、コンタクト孔を形成した後、バリアメタル層となる
ＴｉＮ層やＴｉＷ層をスパッタ法で堆積し、ＣＶＤ法に
よりＷＦ6をシラン還元又は水素還元してタングステン
（Ｗ）層を堆積する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図２は、シリコン基板
の侵食の様子を示す図であり、１はシリコン基板、２は
ＢＰＳＧ膜、３はバリアメタル層、４はタングステン
層、６はＳｉ侵食を示す。図２に示す様に、タングステ
ン層４を堆積させる場合、ＷＦ6が式（１）の化学反応
を起こし、タングステン層４は堆積されるが、 ＷＦ6＋３Ｈ2→Ｗ＋６ＨＦ…式（１） 未反応なＷＦ6がバリアメタル層３を拡散し、シリコン
基板１と式（２）の化学反応を起こし、ＳｉＦ4等が形
成され、図２に示す様にシリコン基板１が侵食される。
【０００４】ＷＦ6＋Ｓｉ→Ｗ＋ＳｉＦ4…式（２） 本発明は、シリコン基板の侵食を生じさせずにタングス
テン層をコンタクト部に形成する方法を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、ＣＶＤ法によりコンタクト部にタングステン
層を堆積させる半導体装置の製造方法に於いて、少なく
とも上記コンタクト部の内面全体を覆うようバリアメタ
ル層を形成した後、５塩化タングステン（ＷＣｌ5）を
シラン還元又は水素還元して、タングステン層を形成す
る工程を有することを特徴とするものである。
【０００６】
【作用】上記本発明を用いることにより、式（３）（水
素還元）又は式（４）（シラン還元）の化学反応が起こ
る。
【０００７】 ２ＷＣｌ5＋５Ｈ2→２Ｗ＋１０ＨＣｌ…式（３） ４ＷＣｌ5＋５ＳｉＨ4→４Ｗ＋５ＳｉＣｌ4＋１０Ｈ2…式（４） 未反応のＷＣｌ5はバリアメタル層中を拡散しにくく、
前記バリアメタル層中を拡散しても、Ｓｉ基板との反応
は、起こりにくい。
【０００８】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。
【０００９】図１は、本発明の一実施例の製造工程図で
ある。まず、シリコン基板１上にＣＶＤ法を用いて、Ｂ
ＰＳＧ膜２を堆積する（図１（ａ））。次に、フォトリ
ソグラフィ工程により、コンタクト孔５を形成し（図１
（ｂ））、その後、スパッタ法によりバリアメタル層３
として、ＴｉＮ層やＴｉＷ層を１０００Å程度堆積する
（図１（ｃ））。その後、ＣＶＤ法を用いて、ＷＣｌ5
をシラン還元又は水素還元することにより、バリアメタ
ル層３の上部にタングステン（Ｗ）層４を堆積する。
【００１０】
【発明の効果】以上、詳細に説明した様に、本発明を用
いることにより、未反応のＷＣｌ5はバリアメタル層中
で拡散しにくく、拡散した場合でもシリコン基板との反
応は起こりにくいため、シリコン基板が侵食されること
なく、安定したコンタクトを得ることができるととも
に、コンタクト孔内壁での層間絶縁膜とタングステン層
との密着性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の製造工程図である。
【図２】シリコン基板が侵食された様子を示す図であ
る。
【符号の説明】
１ シリコン基板 ２ ＢＰＳＧ膜 ３ バリアメタル層 ４ タングステン層 ５ コンタクト孔

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＣＶＤ法によりコンタクト部にタングス
    テン層を堆積させる半導体装置の製造方法に於いて、少
    なくとも上記コンタクト部の内面全体を覆うようバリア
    メタル層を形成した後、５塩化タングステンをシラン還
    元又は水素還元して、タングステン層を形成する工程を
    有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
JP3059867A 1991-03-25 1991-03-25 半導体装置の製造方法 Expired - Fee Related JP2829143B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3059867A JP2829143B2 (ja) 1991-03-25 1991-03-25 半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3059867A JP2829143B2 (ja) 1991-03-25 1991-03-25 半導体装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04294530A JPH04294530A (ja) 1992-10-19
JP2829143B2 true JP2829143B2 (ja) 1998-11-25

Family

ID=13125551

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3059867A Expired - Fee Related JP2829143B2 (ja) 1991-03-25 1991-03-25 半導体装置の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2829143B2 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160079031A (ko) * 2013-11-27 2016-07-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 텅스텐막의 성막 방법
JP6608026B2 (ja) * 2014-03-25 2019-11-20 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の成膜方法および成膜装置
JP6437324B2 (ja) 2014-03-25 2018-12-12 東京エレクトロン株式会社 タングステン膜の成膜方法および半導体装置の製造方法
US9595470B2 (en) * 2014-05-09 2017-03-14 Lam Research Corporation Methods of preparing tungsten and tungsten nitride thin films using tungsten chloride precursor
KR20210110886A (ko) 2019-01-28 2021-09-09 램 리써치 코포레이션 금속 막들의 증착

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61224313A (ja) * 1985-03-29 1986-10-06 Hitachi Ltd 気相薄膜成長方法
JPS63118068A (ja) * 1986-11-07 1988-05-23 Hitachi Ltd 金属薄膜選択成長方法
JPH0225568A (ja) * 1988-07-15 1990-01-29 Hitachi Ltd 微細孔の金属穴埋め方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH04294530A (ja) 1992-10-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100272523B1 (ko) 반도체소자의배선형성방법
US6133147A (en) Process for selective metal deposition in holes of semiconductor device
JP2829143B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US5380680A (en) Method for forming a metal contact of a semiconductor device
US6323126B1 (en) Tungsten formation process
JP2000091266A (ja) タングステン・エッチ・バック処理のためのアルミニウム金属化組織の改良方法。
JPH0577290B2 (ja)
JP3018383B2 (ja) 配線形成方法
KR100543653B1 (ko) 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법
US5872055A (en) Method for fabricating polysilicon conducting wires
KR0156126B1 (ko) 반도체장치의 콘택형성방법
JPH06232074A (ja) 半導体装置及びその製造方法
KR950007958B1 (ko) 반도체장치의 제조방법
JP3295108B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2983098B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100414745B1 (ko) 반도체소자의금속배선형성방법
JPH06268077A (ja) 半導体装置の製造方法
KR950003222B1 (ko) 반도체 장치의 제조방법
KR100212012B1 (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR100220301B1 (ko) 폴리실리콘 증착을 이용한 텅스텐 증착방법
JPH08250585A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0629237A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JPH0810682B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0513364A (ja) 半導体素子の製造方法
JPH053171A (ja) タングステンプラグの形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080918

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080918

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090918

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees