KR970052268A - 금속배선 형성 방법 - Google Patents

금속배선 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970052268A
KR970052268A KR1019950050943A KR19950050943A KR970052268A KR 970052268 A KR970052268 A KR 970052268A KR 1019950050943 A KR1019950050943 A KR 1019950050943A KR 19950050943 A KR19950050943 A KR 19950050943A KR 970052268 A KR970052268 A KR 970052268A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
forming
metal wiring
film
aluminum
formation method
Prior art date
Application number
KR1019950050943A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100333643B1 (ko
Inventor
홍택기
홍흥기
전영호
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950050943A priority Critical patent/KR100333643B1/ko
Publication of KR970052268A publication Critical patent/KR970052268A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100333643B1 publication Critical patent/KR100333643B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
    • H01L21/28123—Lithography-related aspects, e.g. sub-lithography lengths; Isolation-related aspects, e.g. to solve problems arising at the crossing with the side of the device isolation; Planarisation aspects

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 웨이퍼 상에 알루미늄막을 형성하는 단계; 상기 알루미늄막 상에 알루미늄질화막을 형성하여 표면의 단차를 완화시키는 단계; 전체 구조 상부에 비반사층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 표면의 단차를 완화시켜 알루미늄 합금의 빛 반사율 균일도를 향상시키고 알루미늄 합금의 너치와 보이드 저항성을 향상시켜 소자의 신뢰도를 향상시키는 효과가 있다.

Description

금속배선 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 및 제1C도는 본 발명의 일실시예에 따른 금속배선 형성 공정도.

Claims (5)

  1. 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 있어서; 웨이퍼 상에 알루미늄막을 형성하는 단계; 상기 알루미늄막 상에 알루미늄질화막을 형성하여 표면의 단차를 완화시키는 단계; 전체 구조 상부에 비반사층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서; 상기 비반사층은 TiN막인 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성 방법.
  3. 제2항에 있어서; 상기 각 단계는 인-시튜로 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서; 상기 알루미늄질화막은 상기 TiN막 형성용 챔버에 N2가스를 주입하여 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 배선 형성 방법.
  5. 제4항에 있어서; 상기 알루미늄질화막은 400℃ 온도에서 형성되는 것을 특징으로 하는 금속배선 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950050943A 1995-12-16 1995-12-16 알루미늄금속배선형성방법 KR100333643B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950050943A KR100333643B1 (ko) 1995-12-16 1995-12-16 알루미늄금속배선형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950050943A KR100333643B1 (ko) 1995-12-16 1995-12-16 알루미늄금속배선형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970052268A true KR970052268A (ko) 1997-07-29
KR100333643B1 KR100333643B1 (ko) 2002-10-31

Family

ID=37479618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950050943A KR100333643B1 (ko) 1995-12-16 1995-12-16 알루미늄금속배선형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100333643B1 (ko)

Also Published As

Publication number Publication date
KR100333643B1 (ko) 2002-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970052268A (ko) 금속배선 형성 방법
KR950015721A (ko) 반도체 장치의 배선 구조 및 배선 형성 방법
KR970077648A (ko) 반도체 장치의 커패시터 제조 방법
KR970052431A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR980005549A (ko) 반도체 소자의 장벽 금속막 형성 방법
KR980005677A (ko) 반도체 소자의 실리사이드 형성방법
KR960035876A (ko) 반도체 장치의 커패시터 유전체막 형성방법
KR960026205A (ko) 금속 배선 콘택 제조방법
KR960026259A (ko) 반도체 소자의 금속층 형성방법
KR940001279A (ko) 반도체의 금속배선 형성방법
KR930005179A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970052255A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 매립 방법
KR970072098A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성 방법
KR970018413A (ko) 반도체장치의 다층배선 형성방법
KR960026198A (ko) 반도체 소자의 콘택홀 매립방법
KR970072084A (ko) 반도체 소자의 금속층 형성방법
KR950007063A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR940015705A (ko) 반도체소자의 금속배선 형성방법
KR970018073A (ko) 텅스텐 폴리사이드 게이트 전극 형성 방법
KR970052333A (ko) 반도체 소자의 금속배선 및 그것의 형성방법
KR940002956A (ko) 메탈배선 형성방법
KR960030326A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR970051880A (ko) 반도체 소자의 포토레지스트 형성 방법
KR940016506A (ko) 반도체 소자의 금속배선 제조 방법
KR970052389A (ko) 반도체 장치의 콘택홀 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100325

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee