KR970018413A - 반도체장치의 다층배선 형성방법 - Google Patents
반도체장치의 다층배선 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
다마슨(Damascene)공정과 스터드(Stud) 공정을 동시에 이용하는 반도체 장치의 다층배선 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 오목한 홈을 갖는 제1 절연막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 절연막 패턴이 형성된 기판이 전면에 상기 홈을 매립하도로 금속막을 증착하는 단계와, 상기 금속막 상에 상기 오목한 홈과 대응하는 포토레스트 패턴을 형성하는 단계와. 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 금속막을 식각하여 후에 접촉창이 형성된 부위가 볼록한 금속배선층을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층배선 형성방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 공정수를 줄일 수 있고 금속 배선층이 동일 금속으로 이루어지므로 배선층간 접촉 저항을 현저히 낮출 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도 내지 제14는 본 발명에 의한 반도체 장치의 다층배선 형성방법을 도시한 단면도들이다.
Claims (4)
- 반도체 기판 상에 오목한 홈을 갖는 제1절연막 패턴을 형성하는 단계 ; 상기 제1절연막 패턴이 형성된 기판의 전면에 상기 홈을 매립하도록 금속막을 증착하는 단계 ; 상기 금속막 상에 상기 오목한 홈과 대응하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계 ; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 상기 금속막을 식각하여 후에 접촉창이 형성될 부위가 볼록한 금속배선층을 형성하는 단계 ; 및 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트를 제거하는 단계후에 상기 기판의 전면에 평탄화된 절연막을 형성한 후 상기 절연막 패턴을 형성하는 단계에서 상기 금속배선층을 형성하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막은 알루미늄 또는 구리를 리플로우방법 또는 CVD방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층배선 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 금속막은 금(Au)를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 다층배선 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032957A KR970018413A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체장치의 다층배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950032957A KR970018413A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체장치의 다층배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970018413A true KR970018413A (ko) | 1997-04-30 |
Family
ID=66616056
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950032957A KR970018413A (ko) | 1995-09-29 | 1995-09-29 | 반도체장치의 다층배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970018413A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100265971B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2000-09-15 | 김영환 | 반도체장치의다층배선형성방법 |
-
1995
- 1995-09-29 KR KR1019950032957A patent/KR970018413A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100265971B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2000-09-15 | 김영환 | 반도체장치의다층배선형성방법 |
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