KR950034605A - 반도체 소자의 배선층 상호 연결방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 배선층 상호 연결방법에 관한 것으로, 고집적 반도체 제작시 도선 역할을 하는 배선들간의 상호 연결을 양호하기 위하여, 하부 배선층을 두껍게 형성한 후 상부 배선층과 연결될 부분을 제외한 나머지 부분의 하부 배선층을 소정깊이로 식각하여 돌출부위를 형성하고, 전체구조 상부에 층간 절연막을 두껍게 증착 및 평탄화한 후 상기 돌출부위가 드러나도록 식각하고, 이후 상부 배선층을 형성하므로써, 소자의 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 반도체 소자의 배선층 상호 연결 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 배선층 상호 연결방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A도 내지 제1E도는 본 발명에 의한 상호 연결방법을 설명하기 위해 도시한 단면도.

Claims (4)

1. 반도체 소자의 배선을 상호 연결하는 방법에 있어서, 소정의 공정을 거친 기판(1) 상부에 하부 배선층(2)을 두껍게 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 후공정으로 형성될 상부 배선층과 연결될 부분만을 제외한 나머지 부분의 하부 배선층(2)을 소정깊이로 식각하여 하부 배선층(2)에 돌출부(10)를 형성하는 단계와, 상기 단계로부터 배선 마스크 공정 및 식각공정으로 상기 돌출부(10)가 형성된 하부 배선층(2) 패턴닝하는 단계와, 상기 단계로부터 전체구조 상부에 층간 절연막(3)을 두껍게 증착 및 평탄화한 후 상기 돌출부(10)가 드러날 때까지 상기 측간 절연막(3)을 전면식각하는 단계와, 상기 단계로부터 상기 하부 배선층(2)의 돌출부(10)에 접속되는 상부 배선층(4)을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층 상호 연결방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 최초 형성되는 하부 배선층(2)의 두께는 15,000∼ 20,000Å 정도이고, 상기 돌출부(10) 형성을 위한 하부 배선층(2) 식각은 7,000∼10,000Å 정도의 두께가 될때까지 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층 상호 연결방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 층간 절연막(3)은 SOG 또는 BPSG인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층 상호 연결방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 하부 배선층(2)은 폴리사이드 또는 금속으로 이루어지며, 상기 상부 배선층(4)은 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 배선층 상호 연결방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.