KR980005436A - 돌출형 텅스텐-플러그를 구비한 배선막 구조 및 그 제조방법 - Google Patents

돌출형 텅스텐-플러그를 구비한 배선막 구조 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

일렉트로마이그레이션을 감소시킬 수 있는 돌출형 텅스텐-플러그 구조를 구비한 배선막 구조 및 그 제조방법에 대해 기재되어 있다. 본 발명의 돌출형 텅스텐-플러그 구조를 구비한 배선막 구조는 반도체기판상에 형성된 하부배선층과, 상기 하부배선층과 텅스텐-플러그를 통하여 연결되는 상부배선층을 구비하는 배선막구조에 있어서, 상기 텅스텐-플러그가 상부배선층 쪽으로 돌출된 것을 특징으로 하며, 그 제조방법은 반도체기판상에 하부배선층을 형성하는 단계와, 상기 하부배선층위에 제1층간절연막, 식각저지층, 및 제2층간절연막을 형성하는 단계와, 상기 제2층간절연막위에 소정의 식각마스크를 적용하여 상기 하부배선층이 노출되도록 식각하는 단계와, 상기 식각단계 후 결과물 전면에 도전층을 형성하는 단계와, 상기 도전층에 대한 1차 CMP 공정을 실시하여 상기 제2층간절연막을 노출시키는 단계와, 상기 제2층간절연막에 대한 2차 CMP 공정을 실시하여 상기 식각저지층을 노출시키는 단계와, 2차 CMP 공정후 결과물 전면에 상부배선층을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의한 돌출형 텅스텐-플러그를 구비한 배선막 구조 및 그 제조방법에 의하면, 돌출된 텅스텐-플러그 구조를 형성함으로써 알루미늄과 텅스텐의 계면 면적을 증가시켜 일렉드로마이그레이션을 감소시킬 수 있게 된다.

Description

돌출형 텅스텐-플러그를 구비한 배선막 구조 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3a도 내지 제3e도는 본 발명에 따른 돌출형 텅스텐-플러그를 구비한 배선막의 제조방법을 나타낸 공정순서도이다.

Claims (4)

  1. 반도체기판상에 형성된 하부배선층과, 상기 하부배선층과 텅스텐-플러그를 통하여 연결되는 상부배선층을 구비하는 배선막구조에 있어서, 상기 텅스텐-플러그가 상부배선층 쪽으로 돌출된 것을 특징으로 하는 돌출형 텅스텐-플러그를 구비한 배선막 구조.
  2. 반도체기판상에 하부배선층을 형성하는 단계; 상기 하부배선층위에 제1층간절연막, 식각저지층, 및 제2층간절연막을 형성하는 단계; 상기 제2층간절연막위에 소정의 식각마스크를 적용하여 상기 하부배선층이 노출되도록 식각하는 단계; 상기 식각단계 후 결과물 전면에 도전층을 형성하는 단계; 상기 도전층에 대한 1차 CMP공정을 실시하여 상기 제2층간절연막을 노출시키는 단계; 상기 제2층간절연막에 대한 2차 CMP 공정을 실시하여 상기 식각저지층을 노출시키는 단계; 및 2차 CMP 공정후 결과물 전면에 상부배선층을 형성하는 단계를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 돌출형 텅스텐-플러그를 구비한 배선막 구조의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 도전층은 텅스텐으로 이루어진 것을 특징으로 하는 돌출형 텅스텐-플러그를 구비한 배선막 구조의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 및 제2층간절연막은 산화막 계통의 절연물질로, 상기 식각저지층은 질화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 돌출형 텅스텐-플러그를 구비한 배선막 구조의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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