KR970003639A - 반도체 소자의 층간절연막 평탄화 방법 - Google Patents
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Abstract
1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
반도체 소자 제조 방법.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
종래 고온 열공정으로 절연물질을 흐르게 하는 방법으로는 단차를 줄이는데 한계가 있어 후속 공정인 마스크 공정을 실시할 때 심한 단차에 의해 촛점을 맞추기가 어렵고 후속 공정으로 증착될 막의 스텝 커버리지도 불량하다는 문제점을 해결하고자 함.
3. 발명의 해결방법의 요지
층간절연막 상에 포토레지스트를 도포하고 층간절연막과 포토레지스트의 식각 선택비가 1 : 1인 조건으로 식각을 실시하여 층간절연막을 완전히 평탄화시키고자 함.
4. 발명의 중요한 용도
반도체 소자의 층간절연막을 평탄화하는 공정에 주로 이용됨.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1B도는 본 발명의 층간절연막의 평탄화 방법에 따른 공정도.
Claims (4)
- 반도체소자의 층간절연막 평탄화 방법에 있어서, 반도체 기판 위에 전도성 라인이 형성된 구조 상에 층간절연막을 증착하고 포토레지스트를 도포하는 단계와, 상기 포토레지스트와 상기 층간절연막의 일부를 식각하여 평탄화시키는 단계를 포함하여 이루어진 층간절연막 평탄화 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 층간절연막은 보로 - 포스포러스 - 실리케이트 - 글래스막인 것을 특징으로 하는 층간절연막 평탄화 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 층간절연막의 가장 낮은 부분과 상기 전도성 라인 사이의 층간절연막의 두께는 약 5000A 이상인 것을 특징으로 하는 층간절연막 평탄화 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 포토레지스트와 상기 층간절연막의 식각 선택비가 1 : 1인 조건에서 식각을 수행하는 것을 특징으로 하는 층간절연막 평탄화 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019134A KR970003639A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 층간절연막 평탄화 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950019134A KR970003639A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 층간절연막 평탄화 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003639A true KR970003639A (ko) | 1997-01-28 |
Family
ID=66526668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950019134A KR970003639A (ko) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 반도체 소자의 층간절연막 평탄화 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003639A (ko) |
-
1995
- 1995-06-30 KR KR1019950019134A patent/KR970003639A/ko not_active Application Discontinuation
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