KR960026329A - 반도체 소자의 평탄화 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 평탄화 방법에 관한 것으로서, 특히 금속 배선막이 다층 이상으로 중착되어 비어(via) 콘택 홀이 좁은 고집적 소자에서 표면 단차 굴곡이 심한 부위를 포토 리소그채피와 선택적 식각을 통해서 층간 절연막의 평탄성을 확보할 수 있는 평탄화 방법에 관한 것으로서, 소정의 게이트 전극과 확산 영역이 형성된 반도체 기판상에 절연막을 중착한후 절연막의 단차부에 포토 레지스트를 선택적으로 도포하는 단계 상기 단차가 도포하는 단계 및 절연막의 최하부면을 식각 정지층으로 하여 일괄식각는 단계로 이루어져서 절연막의 평탄화 이룸으로써 표면 단차로 인한 금속 배선의 단선 및 불균일한 금속막으로 인한 전자 이동등의 전기적 불량이 감소되어, 결과적으로 제조 수율이 향상될 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제5도는 본 발명에 따른 평탄화 방법의 각 공정을 순차적으로 설명하기 위한 단면도.
Claims (2)
- 소정의 게이트 전극과 확산 영역이 형성된 반도체 기판사에 절연막을 중착한 후 절연막의 단자부에 포토 레지스트를 선택적으로 도포하는 단계, 상기 단차가 낮은 절연막을 식각 정지층으로 하여 일괄식각하는 단계, 상기 절연막의 단타부에 포토 레지스트를 선택적으로 도포하는 단계 및 절연막의 최하부면을 식각 정지층으로 하여 일괄식각하는 단계로 이루어진 반도체 소자의 평탄화 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막은 평탄성이 우수한 SOG막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 평탄화 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039338A KR960026329A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039338A KR960026329A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026329A true KR960026329A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039338A KR960026329A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 평탄화 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026329A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100546296B1 (ko) * | 1999-08-06 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 금속 브리지를 방지하는 반도체 장치의 금속 배선 제조 방법 |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039338A patent/KR960026329A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100546296B1 (ko) * | 1999-08-06 | 2006-01-26 | 삼성전자주식회사 | 금속 브리지를 방지하는 반도체 장치의 금속 배선 제조 방법 |
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