KR970018048A - 반도체 장치의 비아 콘택(via contact) 형성방법 - Google Patents

반도체 장치의 비아 콘택(via contact) 형성방법 Download PDF

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KR970018048A
KR970018048A KR1019950031103A KR19950031103A KR970018048A KR 970018048 A KR970018048 A KR 970018048A KR 1019950031103 A KR1019950031103 A KR 1019950031103A KR 19950031103 A KR19950031103 A KR 19950031103A KR 970018048 A KR970018048 A KR 970018048A
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KR
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via contact
layer
insulating layer
lower conductive
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KR1019950031103A
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이기영
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

반도체 장치의 비아 콘택 형성방법에 관하여 기재하고 있다. 반도체 기판 상에 도전물을 증착한 다음 그 일부를 식각하여 표면에 요철이 형성된 도전층을 형성하고, 상기 도전층을 패터닝하여 하부 도전층을 형성한다. 이어서, 상기 결과물 상에 절연물을 증착한 다음, 상기 하부 도전층의 표면이 노출되도록 식각하여 층간절연층을 형성하고, 층간절연층이 형성된 상기 결과물 상에 도전물을 증착하여 상기 하부 도전층과 접속하는 상부 절연층을 형성한다. 따라서, 하부 도전층과 비아 콘택과의 계면이 없는 저저항의 접촉을 만들 수 있으며, 종횡비의 증가에 관계없이 일정한 저저항의 비아 콘택을 만들 수 있으며, 단차도포성이 우수한 비아 콘택을 형성할 수 있다.

Description

반도체 장치의 비아 콘택(via contact) 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도 내지 제8도는 본 발명의 일 실시예에 따른 비아 콘택 형성방법을 설명하기 위해 도시한 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체 기판 상에 도전물을 증착한 다음 패터닝하여 표면에 요철이 형성된 하부 도전층을 형성하는 단계; 상기 결과물 상에 절연물을 증착한 다음, 상기 하부 도전층의 표면이 노출되도록 식각하여 층간절연층을 형성하는 단계; 및 층간절연층이 형성된 상기 결과물 상에 도전물을 증착하여 상기 하부 도전층과 접속하는 상부절연층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 비아 콘택 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하부 도전층은 비아 콘택에 사용되는 도전층의 두께를 합한 두께임을 특징으로 하는 반도체 장치의 비아 콘택 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 도전층 표면의 요철은 비아 콘택이 형성될 부분은 식각하지 않고 형성되지 않을 부분을 상기 비가 콘택의 두께만큼 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 비아 콘택 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 층간절연층을 형성하는 단계는 절연물을 증착한 다음, 화학-기계적 폴리싱(CMP) 또는 에치백 등의 기술을 이용하여 상기 하부 도전층의 표면이 노출되도록 식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 비아 콘택 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 층간절연층 형성하는 단계 후, 그 결과물 상에 상부 도전층을 형성하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 비아 콘택 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950031103A 1995-09-21 1995-09-21 반도체 장치의 비아 콘택(via contact) 형성방법 KR970018048A (ko)

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