KR960026240A - 반도체 소자의 금속 배선 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 금속 식각에 의한 절연막의 화학적 기계적 연마를 이용하는 반도체 소자의 금속 배선 방법에 관한 것으로서, 종래에는 콘택홀을 형성하여 상층 금속을 도포하여 콘택을 이루므로써, 콘택 내부에 보이드가 발생하고, 콘택홀 패턴 형성시 콘택홀과 콘택홀 사이에 인접 간격이 제한을 받으므로써 고집적 반도체 소자를 형성함이 어렵고, 콘택시 소자간의 쇼트의 위험성이 높다는 단점이 있어서, 본 발명은 하중 배선막을 종래보다는 두껍게 도포하여 콘택홀 대신 금속 식각을 통하여 상층과의 연결부를 형성시킴으로써, 접촉면이 감소로 인한 접촉저항을 감소할 수 있고, 콘택홀 내부의 보이드를 제거할 수 있으며, 화학적 기계적 연마 방법을 이용하여 소자의 평탄화를 이룩할 수 있고, 사진 식각 공정 및 금속 식각 공정으로 콘택의 공정 마진을 확보하여 높은 수율을 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제9도 내지 제14도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 금속 배선 방법의 공정을 나타내는 단면도.
Claims (5)
- 반도체 소자의 제조공정 중 콘택홀 형성함에 있어서, 패턴화된 반도체 기판 상부에 하층 금속 배선막을 종래보다 두껍게 도포하는 단계와, 식각 공정으로써 상층 금속층과의 전기적 연결용 기둥을 형성하는 단계와, 절연막을 증착하는 단계와, 절연막을 평탄하게 연결기둥의 상층부까지 제거시키는 단계와, 상층 금속 배선을 도포하여 상기 연결 기둥과 콘택을 이루는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 하층 금속 배선의 두께는 종래의 하층 배선의 두께에 콘택 홀의 깊이를 합산한 두께인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전기적 연결용 기둥을 형성하기 위한 식각 방법은 건식 식각을 이용한 이방성 식각인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 절연막을 평탄하게 연결기둥의 상층부까지 제거시키는 방법은 화학적 기계적 연마기술인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 절연막을 평탄하게 연결기둥의 상층부까지 제거시키는 방법은 화학적 기계적 연마 기술인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 금속 배선 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940040310A KR960026240A (ko) | 1994-12-31 | 1994-12-31 | 반도체 소자의 금속 배선 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940040310A KR960026240A (ko) | 1994-12-31 | 1994-12-31 | 반도체 소자의 금속 배선 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026240A true KR960026240A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66648136
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940040310A KR960026240A (ko) | 1994-12-31 | 1994-12-31 | 반도체 소자의 금속 배선 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026240A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030053967A (ko) * | 2001-12-24 | 2003-07-02 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
-
1994
- 1994-12-31 KR KR1019940040310A patent/KR960026240A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030053967A (ko) * | 2001-12-24 | 2003-07-02 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 금속배선 형성방법 |
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