KR940004750A - 스핀 온 클래스(sog)막을 이용한 콘택 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고집적 반도체 소자의 제조 공정중 서브마이크론 배선 공정에서 공극(void)없이 평탄화된 절연막을 형성하는 것에 관한 것으로, 특히 배선간 절연층에 SOG(spin-on glass)막을 적용하였을때 산소 플라즈바(p1asma)주입 방법 통하여 에치백(etch back)공정 없이 조밀화된 우수한 절연막을 갖는 SOG막을 얻기 위하여 반도체 기판(1) 상부에 제1도전층(2)을 증착하고 소정의 크기로 패턴한 다음 제1절연층(3)을 증착하고 SOG막(4)올 도포한 다음 산소 플라즈마 처리를 통한 경화공정을 수행하는 제1단계, 상기 제1단게 후에 제2절연층(5)을 증착 하고 감광막(6)을 도포 하여 상기 감광막(6)을 패턴하여 상기 제2절연층(5), SOG막(4), 제1절연층(3)을 차례로 선택 식각 하여 콘택홀을 형성하는 제2단계, 및 상기 제2단계 후에, 상기 감광막(6)을 제거하여 열처리를 수행하고 상기 형성된 콘택홀에 제2도전층(7)을 소정의 크기로 증착하는 재3단계를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 SOG막을 이용한 콘택 제조 방법에 관한 것이다.

Description

스핀 온 글래스(SOG)막을 이용한 콘택 제조방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명에 따른 SOG막 이용의 콘택제조 공정도.

Claims (2)

1. SOG막을 이용한 콘택 제조 방법에 있어서, 반도체 기판(1) 상부에 제1도전층(2)을 증착하고 소정의 크기로 패턴한 다음 제1절연층(3)을 증착 하고 SOG막(4)을 도포한 다음 산소 플라즈마 처리를 통한 경화공정을 수행하는 제1단계, 상기 제1단계 후에 제2절연층(5)을 증착 하고 감광막(6)을 도포하여 상기 감광막(6)을 패턴 하여 상기 제2절연층(5), SOG막(4), 제1절연층(3)을 차례로 선택 식각하여 콘택홀을 형성하는 제2단계, 및 상기 제2단계 후에, 상기 감광막(6)을 제거하여 열처리를 수행하고 상기 형성된 콘택홀에 제2도전층(7)을 소정의 크기로 증착하는 제3단계를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 SOG막을 이용한 콘택 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 제1단계의 플라즈마 주입에 의한 경화공정은 200 내지 400℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 SOG막을 이용한 콘택 제조방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.